KR102610613B1 - 반도체 테스트 소켓에 사용되는 도전성 입자의 도금액, 이의 도금방법, 및 이를 이용하여 도금된 도전성 입자 - Google Patents

반도체 테스트 소켓에 사용되는 도전성 입자의 도금액, 이의 도금방법, 및 이를 이용하여 도금된 도전성 입자 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 테스트 소켓에 사용되는 도전성 입자의 도금액, 이의 도금방법, 및 이를 이용하여 도금된 도전성 입자에 관한 것이다.

Description

반도체 테스트 소켓에 사용되는 도전성 입자의 도금액, 이의 도금방법, 및 이를 이용하여 도금된 도전성 입자{Plating solution for conductive particles used in semiconductor test socket, plating method thereof, and conductive particles plated using the same}
본 발명은 반도체 테스트 소켓에 사용되는 도전성 입자의 도금액, 이의 도금방법, 및 이를 이용하여 도금된 도전성 입자에 관한 것이다.
반도체 테스트 소켓은 반도체 검사공정에서 반도체 패키지의 불량 여부를 검사하는데 쓰이는 핵심 소모성 부품이다. 반도체 전기식 검사 공정은 제품의 수율과 신뢰도를 확인하는 중요한 단계이다. 반도체 패키지 검사는 반도체 소자의 단자와 전기적으로 접촉될 수 있도록 형성된 반도체 테스트 소켓(또는 콘텍터 또는 커넥터)을 반도체 소자와 검사회로기판 사이에 삽입한 상태에서 수행된다. 그리고, 반도체 테스트 소켓은 반도체 소자의 최종 검사 외에도 반도체 소자의 제조 과정 중 번-인(Burn-In) 테스트 과정에서도 사용되고 있다.
반도체 소자의 집적화 기술의 발달과 소형화 추세에 따라 반도체 소자의 단자 즉, 리드의 크기 및 간격도 미세화되는 추세이고, 그에 따라 테스트 소켓의 도전 패턴 상호간의 간격도 미세하게 형성하는 방법이 요구되고 있다. 따라서, 기존의 포고-핀(Pogo-pin) 타입의 반도체 테스트 소켓은 스프링 핀으로 제작된 것으로 탄성을 주는 스프링과 구조상의 문제로 신호 지연 및 간섭이 발생하는 한계(3.5 GHz가 한계임)가 있었다.
이러한 문제점을 해소하기 위해 실리콘 등의 탄성 재질로 형성된 시트 및 시트 내에서 상하 방향으로 연장되어 상하 방향으로 전기가 흐르게 구성된 복수의 도전성 입자를 포함하는 실리콘 러버 소켓 타입이 널리 사용되고 있다(도 1). 현재 실리콘 러버 소켓은 3.5 GHz 5G 통신용 반도체 검사에 주로 활용되고 있다.
그러나, 실리콘 러버 테스트 소켓은 향후 28 ~ 60 GHz의 고주파 테스트를 위하여 실리콘 등에 포함되는 도전성 입자의 고균일, 고정밀 표면처리 기술이 요구되고 있다.
한국 등록특허 제10-1029826호 (2011.04.15. 공고)
본 발명의 목적은, 반도체 테스트 소켓에 사용되는 도전성 입자의 도금액, 이의 도금방법, 및 이를 이용하여 도금된 도전성 입자를 제공하는데 있다.
본 발명의 다른 목적은, 도금 두께의 균일성이 높고 밀착성이 뛰어난 반도체 테스트 소켓에 사용되는 도전성 입자를 제공하는데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은, 접촉 저항이 낮고 내구성이 우수한 반도체 테스트 소켓에 사용되는 도전성 입자를 제공하는데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 이상에서 언급한 과제(들)로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제(들)는 이하의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 일 측면에 따르면, 본 발명은 반도체 테스트 소켓에 사용되는 도전성 입자의 도금액으로서, (a) 은화합물을 포함하는 은 스트라이크 도금액; (b) 은화합물, 전도염, 알코올 및 계면활성제를 포함하는 전해 은 도금액; 및 (c) 금화합물, 전도염 및 도금평활제를 포함하는 전해 금 도금액; 을 포함하는, 반도체 테스트 소켓에 사용되는 도전성 입자의 도금액을 제공한다.
상기 은 스트라이크 도금액은 수용성 은 화합물 10 ~ 20 중량%, 알코올 5 ~ 15 중량% 및 계면활성제 0.01 ~ 1 중량%를 포함할 수 있다.
상기 전해 은 도금액은 수용성 은 화합물 1 ~ 20 중량%, 제1전도염 2 ~ 20 중량%, 제2전도염 1 ~ 10 중량%, 알코올 0 ~ 15 중량% 및 계면활성제 0 ~ 1.0 중량%를 포함할 수 있다.
상기 은 화합물은 시안화은화합물, 질산은화합물, 황산은화합물, 염화은화합물 중 선택된 하나 이상일 수 있다.
상기 제1전도염은 시안화칼륨, 시안화나트륨, 탄산염, 인산염, 황산염, 질산염 중 선택된 하나 이상일 수 있다.
상기 제2전도염은 구연산염, 숙신산염, 주석산염, 초산염, 프로피온산염 중 선택된 하나일 수 있다.
상기 알코올은 에탄올, 메탄올, 프로판올, 이소프로판올, 부탄올, 이소부탄올, 아세틸렌알코올, 스테아릴알코올, 라우릴 알코올, 미리스틸알코올, 에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 글리세롤 중에서 선택된 하나 이상일 수 있다.
상기 계면활성제는 비이온성 계면활성제로서 폴리에틸렌글리콜, 폴리프로필렌글리콜, 폴리옥시에틸렌모노메틸에테르, 폴리옥시에틸렌모노알릴에테르, 폴리옥시에틸렌라우릴에테르, 폴리옥시에틸렌올레일에테르, 폴리옥시에틸렌데실에테르, 폴리옥시글리세린에테르, 폴리옥시에틸렌베타-나프톨에테르, 폴리옥시에틸렌스테아릭에테르, 폴리옥시에틸렌코코넛지방산에테르, 폴리옥시에틸렌 캐스토에테르; 음이온계 계면활성제로서 소듐도데실벤젠설포네이트, 암모늄도데실벤젠설포네이트, 소듐폴리오시에틸렌알킬아릴설파이트, 암모늄폴리옥시에틸렌알킬설파이트, 소듐디옥틸설포석씨네이트, 알킬황산에스테르염, 알킬에테르황산에스테르염, 알칸술폰산염, 알킬에테르인산에스테르염, N-아실아미노산염; 중에서 선택된 하나 이상일 수 있다.
상기 전해 금 도금액은 수용성 금 화합물 0.5 ~ 2 중량%, 제1전도염 0 ~ 15 중량%, 제2전도염 0 ~ 10 중량% 및 도금평활제 0 ~ 1 중량%를 포함할 수 있다.
상기 금 화합물은 시안화금칼륨, 시안화금암모늄, 시안화금나트륨, 염화금, 아황산금나트륨, 아황산금칼륨, 아황산금암모늄 중에서 선택된 하나 이상일 수 있다.
상기 제1전도염은 구연산, 말산, 옥살산, 초산, 주석산, 사과산, 유산, 글리콜산, 숙신산 등의 카르본산계의 유기산의 염 중에서 선택된 하나 이상일 수 있다.
상기 제2전도염은 구연산 수화물, 인산염, 질산염, 붕산염 중에서 선택된 하나 이상일 수 있다.
상기 도금평활제는 니코틴산, 모노에탄올아민, 글루콘산소다, 에틸렌디아민테트라아세트산, 폴리이민, 에틸렌글리콜, 코우마린(coumarin), 소듐 라우릴 설페이트(sodium lauryl sulfate) 중에서 선택된 하나 이상일 수 있다.
상기 전해 금 도금액은 합금 도금을 위하여 코발트염, 구리염, 니켈염 중 선택된 하나 이상을 0 ~ 5 중량%를 더 포함할 수 있다.
상기 코발트염은 코발트(II) 황산염 헵타수화물, 염화 코발트, 질산 코발트, 탄산 코발트, 프탈로시아닌 코발트, 스테아르산 코발트, 에틸렌디아민 4 아세트산 2 나트륨 코발트, 나프텐산 코발트, 붕산 코발트, 티오시안산 코발트, 술파민산 코발트, 아세트산 코발트, 시트르산 코발트, 수산화 코발트, 옥살산 코발트, 인산 코발트 중에서 선택된 하나 이상일 수 있다.
상기 구리염은 황산구리, 메탄술폰산구리, 플루오로붕산구리, 아세트산구리, 질산구리, 산화구리, 수산화구리, 염화구리 중에서 선택된 하나 이상일 수 있다.
상기 니켈염은 황산니켈, 할로겐화 니켈, 염기성 탄산니켈, 술파민산니켈, 아세트산니켈, 메탄술폰산니켈 중에서 선택된 하나 이상일 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 본 발명은 (ⅰ) 도전성 입자를 준비하는 단계; (ⅱ) 전술한 은 스트라이크 도금액으로, 상기 (ⅰ)에서 준비된 도전성 입자에 은 피막을 형성하는 단계; (ⅲ) 전술한 은 도금액으로, 상기 (ⅱ)의 은 피막 상에 전해 은 도금을 수행하는 단계; 및 (ⅳ) 전술한 금 도금액으로, 상기 (ⅲ)의 은 도금층 상에 전해 금 도금을 수행하는 단계; 를 포함하는, 반도체 테스트 소켓에 사용되는 도전성 입자의 도금방법을 제공한다.
상기 도전성 입자는 니켈, 코발트, 철 또는 이들의 둘 이상의 합금 중 선택된 하나를 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 측면에 따르면, 본 발명은 (ⅰ) 도전성 입자를 준비하는 단계; (ⅱ) 전술한 은 스트라이크 도금액으로, 상기 (ⅰ)에서 준비된 도전성 입자에 은 피막을 형성하는 단계; (ⅲ) 전술한 은 도금액으로, 상기 (ⅱ)의 은 피막 상에 전해 은 도금을 수행하는 단계; 및 (ⅳ) 전술한 금 도금액으로, 상기 (ⅲ)의 은 도금층 상에 전해 금 도금을 수행하는 단계; 를 포함하는 도금방법으로 도금된 반도체 테스트 소켓에 사용되는 도전성 입자를 제공한다.
상기 도금된 도전성 입자의 접촉 저항은 50 mΩ 이하인 것 일 수 있다.
본 발명의 도금액 및 도금방법에 따라 도금된 도전성 입자는 도금 계면 밀착 불량이 개선되고 도금두께 편차가 감소하여 도금의 균일성을 높이는 효과가 있다.
또한, 본 발명의 도금액 및 도금방법에 따라 도금된 도전성 입자는 접촉 저항을 낮추고 내구성이 향상되는 효과가 있다.
본 발명의 효과는 상기한 효과로 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 상세한 설명 또는 특허청구범위에 기재된 발명의 구성으로부터 추론 가능한 모든 효과를 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
도 1은 도전성 입자가 반도체 부품의 불량여부를 검사하는 테스트 소켓과 반도체 검사에 사용되는 양태 및 원리를 나타낸 것이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 도전성 입자의 도금 순서를 나타낸 것이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 자력성형을 이용한 실리콘 러버 소켓의 제조공정을 나타낸 것이다.
도 4a는 본 발명의 일 실시예(실시예 1)에 따라 도금된 도전성 입자 단면의 SEM 사진이고, 도 4b는 이의 확대된 SEM 사진이다.
도 5a는 본 발명의 일 실시예(실시예 2)에 따라 도금된 도전성 입자 단면의 SEM 사진이고, 도 5b는 이의 확대된 SEM 사진이다.
도 6a는 본 발명의 일 실시예(실시예 3)에 따라 도금된 도전성 입자 단면의 SEM 사진이고, 도 6b는 이의 확대된 SEM 사진이다.
도 7a는 본 발명의 일 실시예(비교예 1)에 따라 도금된 도전성 입자 단면의 SEM 사진이고, 도 7b는 이의 확대된 SEM 사진이다.
도 8a는 본 발명의 일 실시예(비교예 2)에 따라 도금된 도전성 입자 단면의 SEM 사진이고, 도 8b는 이의 확대된 SEM 사진이다.
이하 첨부된 도면을 참조하면서 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것을 달성하는 방법은 첨부된 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다.
그러나 본 발명은 이하에 개시되는 실시예들에 의해 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
또한, 본 발명을 설명함에 있어 관련된 공지 기술 등이 본 발명의 요지를 흐리게 할 수 있다고 판단되는 경우 그에 관한 자세한 설명은 생략하기로 한다.
이하, 본 발명을 상세히 설명한다.
반도체 테스트 소켓에 사용되는 도전성 입자의 도금액
본 발명은, 반도체 테스트 소켓에 사용되는 도전성 입자의 도금액으로서, (a) 은화합물을 포함하는 은 스트라이크 도금액; (b) 은화합물, 전도염, 알코올 및 계면활성제를 포함하는 전해 은 도금액; 및 (c) 금화합물, 전도염 및 도금평활제를 포함하는 전해 금 도금액; 을 포함하는, 반도체 테스트 소켓에 사용되는 도전성 입자의 도금액을 제공한다.
(a) 은 스트라이크 도금액
상기 은 스트라이크 도금액은, 수용성 은 화합물 10 ~ 20 중량%, 알코올 5 ~ 15 중량% 및 계면활성제 0.01 ~ 1 중량%를 포함할 수 있다.
상기 은 화합물은, 시안화은화합물, 질산은화합물, 황산은화합물, 염화은화합물 중 선택된 하나 이상일 수 있다.
상기 알코올은, 에탄올, 메탄올, 프로판올, 이소프로판올, 부탄올, 이소부탄올, 아세틸렌알코올, 스테아릴알코올, 라우릴 알코올, 미리스틸알코올, 에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 글리세롤 중에서 선택된 하나 이상일 수 있다.
상기 계면활성제는, 비이온성 계면활성제로서 폴리에틸렌글리콜, 폴리프로필렌글리콜, 폴리옥시에틸렌모노메틸에테르, 폴리옥시에틸렌모노알릴에테르, 폴리옥시에틸렌라우릴에테르, 폴리옥시에틸렌올레일에테르, 폴리옥시에틸렌데실에테르, 폴리옥시글리세린에테르, 폴리옥시에틸렌베타-나프톨에테르, 폴리옥시에틸렌스테아릭에테르, 폴리옥시에틸렌코코넛지방산에테르, 폴리옥시에틸렌 캐스토에테르; 또는 음이온계 계면활성제로서 소듐도데실벤젠설포네이트, 암모늄도데실벤젠설포네이트, 소듐폴리오시에틸렌알킬아릴설파이트, 암모늄폴리옥시에틸렌알킬설파이트, 소듐디옥틸설포석씨네이트, 알킬황산에스테르염, 알킬에테르황산에스테르염, 알칸술폰산염, 알킬에테르인산에스테르염, N-아실아미노산염; 중에서 선택된 하나 이상일 수 있다.
은 스트라이크 없이 도금된 도전성 입자의 경우 계면 밀착 저하로 도전성 입자(니켈)층과 은 층의 계면이 떨어져 공극이 발생하는 문제가 발생할 수 있다.
본 발명에 따라 은(Ag) 스트라이크 도금액을 포함하는 경우, 도금 밀착성이 개선되고 보이드(void) 발생이 감소하는 효과가 있다.
(b) 전해 은 도금액
상기 전해 은 도금액은, 수용성 은 화합물 1 ~ 20 중량%, 제1전도염 2 ~ 20 중량%, 제2전도염 1 ~ 10 중량%, 알코올 0 ~ 15 중량% 및 계면활성제 0 ~ 1.0 중량%를 포함할 수 있다.
상기 은 화합물은, 은 도금액에서 은(Ag) 이온원으로 사용되며, 시안화은화합물, 질산은화합물, 황산은화합물, 염화은화합물 중 선택된 하나 이상일 수 있다.
상기 제1전도염은, 도금액의 전기전도도를 증가시켜 이온의 이동을 원할하게 하여 도금속도 및 효율을 증대시키고, 제1전도염은 시안화은과 존재 시 도금액 중 용해되어 착이온을 형성하여 [Ag(CN)n+1 n-] 형태를 가져 착화제로서 작용도 한다. 제1전도염으로는 시안화칼륨, 시안화나트륨, 탄산염, 인산염, 황산염, 질산염 중 선택된 하나 이상일 수 있다.
상기 제2전도염은, 도금액의 전기전도도를 증가시켜 이온의 이동을 원할하게 하여 도금속도 및 효율을 증대시키고, 구연산염, 숙신산염, 주석산염, 초산염, 프로피온산염 중 선택된 하나 이상일 수 있다.
상기 알코올은, 도금액의 젖음성을 향상하여 균일한 도금층을 확보하며, 에탄올, 메탄올, 프로판올, 이소프로판올, 부탄올, 이소부탄올, 아세틸렌알코올, 스테아릴알코올, 라우릴 알코올, 미리스틸알코올, 에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 글리세롤 중에서 선택된 하나 이상일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 계면활성제는, 도금액의 표면장력을 낮춰 도금 시 젖음성과 도금 균일성을 향상시키며, 비이온성 계면활성제로서 폴리에틸렌글리콜, 폴리프로필렌글리콜, 폴리옥시에틸렌모노메틸에테르, 폴리옥시에틸렌모노알릴에테르, 폴리옥시에틸렌라우릴에테르, 폴리옥시에틸렌올레일에테르, 폴리옥시에틸렌데실에테르, 폴리옥시글리세린에테르, 폴리옥시에틸렌베타-나프톨에테르, 폴리옥시에틸렌스테아릭에테르, 폴리옥시에틸렌코코넛지방산에테르, 폴리옥시에틸렌 캐스토에테르; 또는 음이온계 계면활성제로서 소듐도데실벤젠설포네이트, 암모늄도데실벤젠설포네이트, 소듐폴리오시에틸렌알킬아릴설파이트, 암모늄폴리옥시에틸렌알킬설파이트, 소듐디옥틸설포석씨네이트, 알킬황산에스테르염, 알킬에테르황산에스테르염, 알칸술폰산염, 알킬에테르인산에스테르염, N-아실아미노산염; 중에서 선택된 하나 이상일 수 있다.
본 발명에 따른 전해 은 도금액은 도금두께 균일성이 높고 밀착성이 뛰어난 도금을 제공한다.
도전성 분말 도금은 단위 면적당 인가전류가 상대적으로 크기 때문에 종래 은(Ag) 도금액은 전류 효율이 낮아 밀착 불량 및 계면 보이드가 많으며, 은(Ag) 도금두께 편차가 심한 문제가 있으나, 본 발명에서는 도금속도 및 효율 향상을 위해 전도염을 첨가하여 도금두께 편차를 줄였으며, 은(Ag) 도금 계면 밀착 불량을 개선하였다.
이를 위하여, 제1전도염은 2 내지 20 중량%로 포함되는 것이 바람직하고, 제2전도염은 1 내지 10 중량%로 포함되는 것이 바람직하며, 상기 범위 미만의 경우에는 도금액 중 이온의 이동이 느려져 도금속도 및 도금효율이 저하되는 단점이 발생할 수 있고, 상기 범위를 초과할 경우에는 오히려 도금 효율이 감소하여 탄도금이 발생하는 등의 단점이 있다.
또한, 도전성 분말은 많은 양의 분말이 뭉쳐있기 때문에 도금 시 도금액의 표면장력에 차이에 의해 도금액 침투가 원활하지 않아 미 도금 및 두께 편차가 발생하는 문제점이 있으나, 밀착성 및 균일성 향상을 위해 알코올 및 계면활성제를 첨가하여 도금액의 표면장력을 낮추고 젖음성을 향상시켜 미도금 및 두께 편차를 개선하였다.
이와 관련하여, 알코올은 0 내지 15 중량% 로 포함되는 것이 바람직하고, 1 내지 12 중량%로 포함되는 것이 더욱 바람직하다. 이 범위를 벗어나는 경우에는 도금 밀착성 저하 및 미도금 발생 등의 단점이 있다.
또한, 계면활성제는 0 내지 1.0 중량%로 포함되는 것이 바람직하고, 0.1 내지 1.0 중량%로 포함되는 것이 더욱 바람직하다. 이 범위를 초과하여 투입할 경우 도금 효율이 저하되거나 젖음성이 지나치게 좋아져 파우더 도금 시 분말 간 뭉침이 증가하는 단점이 있다.
(c) 전해 금 도금액
상기 전해 금 도금액은, 수용성 금 화합물 0.5 ~ 2 중량%, 제1전도염 0 ~ 15 중량%, 제2전도염 0 ~ 10 중량% 및 도금평활제 0 ~ 1 중량%를 포함할 수 있다.
상기 금 화합물은, 금 도금액에서 금 이온원으로 사용되는 것으로, 시안화금칼륨, 시안화금암모늄, 시안화금나트륨, 염화금, 아황산금나트륨 중에서 선택된 하나 이상일 수 있다.
상기 제1전도염은, 도금액의 전기전도도를 증가시켜 이온의 이동을 원활하게 하여 도금속도 및 효율을 증대시키고, 도금액의 급격한 pH 변화를 방지하여 완충제로서 작용도 한다. 상기 제 1전도염은 구연산, 말산, 옥살산, 초산, 주석산, 사과산, 유산, 글리콜산, 숙신산 등의 카르본산계의 유기산의 염 중에서 선택된 하나 이상일 수 있고, 특히 구연산염으로는 구연산칼륨, 구연산암모늄; 말산염으로는 말산나트륨, 말산칼륨; 옥살산염으로는 옥살산칼륨, 옥살산나트륨, 옥살산암모늄; 등이 바람직하다.
상기 제2전도염은, 도금액의 전기전도도를 증가시켜 이온의 이동을 원활하게 하여 도금속도 및 효율을 증대시키고, 도금액의 급격한 pH 변화를 방지하여 완충제로서 작용도 한다. 상기 제2전도염은 구연산 수화물, 인산염, 질산염, 붕산염 중에서 선택된 하나일 수 있다.
상기 도금평활제는, 도금의 성장을 촉진 또는 억제시켜 전반적인 도금피막의 평활성을 향상시키는 것으로, 니코틴산, 모노에탄올아민, 글루콘산소다, 에틸렌디아민테트라아세트산, 폴리이민, 에틸렌글리콜, 코우마린(coumarin), 소듐 라우릴 설페이트 중에서 선택된 하나 이상일 수 있다.
상기 전해 금 도금액은, 금도금층의 경도 및 물성을 향상시키기 위하여 합금 도금을 할 수 있으며, 이를 위하여 코발트염, 구리염, 니켈염 중 선택된 하나 이상을 0 ~ 5 중량%를 더 포함할 수 있다.
상기 코발트염은, 코발트(II) 황산코발트 7수화물 (Cobalt(II) sulfate heptahydrate), 염화 코발트, 질산 코발트, 탄산 코발트, 프탈로시아닌 코발트, 스테아르산 코 발트, 에틸렌디아민 4 아세트산 2 나트륨 코발트, 나프텐산 코발트, 붕산 코발트, 티오시안산 코발트, 술파민산 코발트, 아세트산 코발트, 시트르산 코발트, 수산화 코발트, 옥살산 코발트, 인산 코발트 중에서 선택된 하나 이상일 수 있다.
상기 구리염은, 황산구리, 메탄술폰산구리, 플루오로붕산구리, 아세트산구리, 질산구리, 산화구리, 수산화구리, 염화구리 중에서 선택된 하나 이상일 수 있다.
상기 니켈염은, 황산니켈, 할로겐화 니켈, 염기성 탄산니켈, 술파민산니켈, 아세트산니켈, 메탄술폰산니켈 중에서 선택된 하나일 수 있다.
도전성 분말 도금은 단위 면적당 인가전류가 상대적으로 크기 때문에 종래 금(Au) 도금액은 전류 효율이 낮아 Au 도금두께 편차가 심한 문제가 있으나, 본 발명에서는 도금속도 및 효율 향상을 위해 전도염 및 도금평활제 개발을 통해 하여 도금두께 편차를 개선하였다.
이를 위하여, 제1전도염은 0 내지 15 중량%로 포함되는 것이 바람직하고, 1 내지 15 중량%로 포함되는 것이 더욱 바람직하다. 또한, 제2전도염은 0 내지 10 중량%로 포함되는 것이 바람직하고, 1 내지 10 중량%로 포함되는 것이 더욱 바람직하다. 상기 범위 미만의 경우에는 도금액 중 이온의 이동이 느려져 도금속도 저하 및 도금효율이 저하되는 단점이 있고, 상기 범위를 초과하는 경우에는 도금 효율 감소로 인하여 탄도금이 발생하는 등의 단점이 있다.
또한, 도금평활제는 0 내지 1 중량%로 포함되는 것이 바람직하고, 0.1 내지 1 중량%로 포함되는 것이 더욱 바람직하다. 상기 범위 초과의 경우에는 도금 밀착성 저하 및 내부응력이 증가하여 도금층의 크랙(Crack) 등의 문제가 발생하는 단점이 있다.
한편, 종래 금(Au) 도금액은 경도가 낮아 소켓 테스트 진행 시 금(Au) 도금층의 파손 및 이탈로 인한 내구성이 떨어지는 문제가 발생가 있으나, 본 발명에서는 합금 도금액을 사용하여 경질 금피막을 형성하여 소켓 테스트 시 내구성을 향상시켰다.
이와 관련하여, 합금을 위해 첨가하는 금속염은 0 내지 5 중량%로 포함되는 것이 바람직하고, 1 내지 5 중량%로 포함되는 것이 더욱 바람직하다. 상기 범위 초과의 경우에는 도금피막의 Au 순도가 낮아 전기전도성 및 내식성 저하의 원인이 되며, 경도가 지나치게 높아 소켓에 투입하여 하중을 가할 시 도금층 크랙이 발생하는 등 성능 저하의 원인이 될 수 있다.
반도체 테스트 소켓에 사용되는 도전성 입자의 도금방법
본 발명은, (ⅰ) 도전성 입자를 준비하는 단계; (ⅱ) 전술한 은(Ag) 스트라이크 도금액으로, 상기 (ⅰ)에서 준비된 도전성 입자에 은 피막을 형성하는 단계; (ⅲ) 전술한 은 도금액으로, 상기 (ⅱ)의 은 피막 상에 전해 은 도금을 수행하는 단계; 및 (ⅳ) 전술한 금 도금액으로, 상기 (ⅲ)의 은 도금 상에 전해 금 도금을 수행하는 단계; 를 포함하는, 반도체 테스트 소켓에 사용되는 도전성 입자의 도금방법을 제공한다.
상기 도전성 입자는 금속 분말일 수 있고, 바람직하게는 니켈, 코발트, 철 또는 이들의 둘 이상의 합금 중 선택된 하나를 포함할 수 있으며, 더욱 바람직하게는 니켈 분말을 포함할 수 있다.
상기 도전성 입자는 본 발명의 조성물 100 중량%에 대하여 5 ~ 30 중량% 일 수 있고, 바람직하게는 10 ~ 20 중량% 일 수 있다.
상기 (ⅰ) 단계는 알칼리 탈지 및/또는 활성화 처리를 포함할 수 있다.
상기 알칼리 탈지는 상기 도전성 입자 표면에 존재하는 유기물, 산화 피막 등을 제거하여 도금 시 표면 밀착성을 향상시킬 수 있다. 또한 탈지 후에는 pH 중성이 될 때까지 수세하는 것이 바람직하다. 상기 알칼리 탈지에는 본 발명의 기술분야에서 통상적으로 사용되는 약품을 사용하며, 특별히 제한되지 않는다.
상기 활성화 처리는 상기 도전성 입자 표면을 활성화 시켜 은(Ag) 스트라이크 도금 전 활성점 촉진 및 도금 환경 조건을 최적화하기 위한 것 일 수 있다. 상기 활성화 처리를 위하여 시안화칼륨 또는 탄산칼륨 등을 추가하여 사용할 수 있고, 바람직하게는 3 내지 20 중량%, 더욱 바람직하게는 5 내지 15 중량%를 첨가하여 상온에서 0.5 내지 5분 동안 교반할 수 있다.
상기 (ⅱ) 단계는 은(Ag) 스트라이크 도금액으로, 상기 (ⅰ) 단계에서 준비된 도전성 입자에 은(Ag) 피막을 형성하는 단계이다.
본 단계의 은 스트라이크 처리는 상기 도전성 입자(분말)과 은(Ag) 층의 밀착성 향상을 위해 수행될 수 있다.
상기 은(Ag) 스트라이크 도금액은 수용성 은 화합물 10 ~ 20 중량%, 알코올 5 ~ 15 중량% 및 계면활성제 0.01 ~ 1 중량%를 포함할 수 있다.
본 단계의 은(Ag) 스트라이크 처리는 20 내지 30℃ 에서 120 내지 480 sec 동안 15 내지 25 V 로 전해 도금이 수행될 수 있고, 보다 바람직하게는 25℃에서 2분 동안 20 V로 전해 도금이 수행될 수 있다.
상기 조건으로 처리하는 경우, 밀착성이 우수하고 보이드 수가 적어 우수한 결과를 나타낸다.
상기 (ⅲ) 단계는 전해 은(Ag) 도금액으로, 상기 (ⅱ) 단계의 은 피막 상에 전해 은 도금을 수행하는 단계이다.
본 단계의 은(Ag) 도금은 도전성 입자 상의 전도성 향상을 위한 은(Ag) 층을 형성하기 위해 수행될 수 있다.
상기 은(Ag) 도금액은 수용성 은 화합물 1 ~ 20 중량%, 제1전도염 2 ~ 20 중량%, 제2전도염 1 ~ 10 중량%, 첨가제 0 ~ 15 중량% 및 계면활성제 0 ~ 1.0 중량%를 포함할 수 있다.
본 단계의 은(Ag) 도금은 20 내지 30℃ 에서 30 내지 50분 동안 5 내지 25V 로 전해 도금이 수행될 수 있고, 보다 바람직하게는 25℃에서 40분 동안 20V로 전해 도금이 수행될 수 있다.
상기 (ⅳ) 단계는 전해 금(Au) 도금액으로, 상기 (ⅲ) 단계의 은(Ag) 도금 상에 전해 금 도금을 수행하는 단계이다.
본 단계의 금(Au) 도금은 전기 전도성 및 부식성(내산화성)이 우수한 금(Au) 층을 형성하기 위해 수행될 수 있다.
상기 금(Au) 도금액은 수용성 금 화합물 0.5 ~ 2 중량%, 제1전도염 0 ~ 15 중량%, 제2전도염 0 ~ 10 중량% 및 도금평활제 0 ~ 1 중량%를 포함할 수 있다.
본 단계의 금(Au) 도금은 40 내지 60℃ 에서 100 내지 140분 동안 6 내지 12V 로 전해 도금이 수행될 수 있고, 보다 바람직하게는 50℃에서 90분 동안 9V로 전해 도금이 수행될 수 있다.
상기 (ⅳ) 단계 이후에는, 상기와 같이 도금된 도전성 입자를 건조한 후 규격에 맞게 선별하는 단계(sieving)를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 각 단계 간에는 수세 공정이 더 포함될 수 있다.
반도체 테스트 소켓에 사용되는 도전성 입자
본 발명은, (ⅰ) 도전성 입자를 준비하는 단계; (ⅱ) 전술한 은(Ag) 스트라이크 도금액으로, 상기 (ⅰ)에서 준비된 도전성 입자에 은 피막을 형성하는 단계; (ⅲ) 전술한 은 도금액으로, 상기 (ⅱ)의 은 피막 상에 전해 은 도금을 수행하는 단계; 및 (ⅳ) 전술한 금 도금액으로, 상기 (ⅲ) 의 은 도금층 상에 전해 금 도금을 수행하는 단계; 를 포함하는 도금방법으로 도금된, 반도체 테스트 소켓에 사용되는 도전성 입자를 제공한다.
본 발명에 따라 도금된 도전성 입자는 니켈 분말을 포함한 코어 상에 은 도금층이 형성되고, 상기 은 도금층 상에 금 도금막이 형성된 것일 수 있다.
도 2를 참조하면, 도전성 입자인 니켈 분말 상에 은 도금층을 형성하고, 상기 은 도금층 상에 금 도금층을 형성하여, 니켈 분말의 코어 상에 이중 도금층이 형성됨을 알 수 있고, SEM 사진에서도 도금층을 확인할 수 있다.
주파수가 증가되면 전류 밀도가 도체의 표층으로 몰리게 되어 도체의 유효면적이 감소됨으로써 전송 손실이 증가되는 표피효과(skin effect)로 인한 문제를 줄이기 위해 도전성 입자에 도금이 필요하다.
도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 도금된 도전성 입자는 액상 실리콘 실리콘 러버 내부에 투입되는 제품으로, PCR (Pressurized Conductive Rubber) Socket 제작 및 성형에 사용되며, 이 소켓 상에 반도체 제품을 놓고 소켓을 닫아 응력이 가해지면 도금된 도전성 입자가 서로를 강하게 누르면서 전도도가 높아져 전기적으로 연결될 수 있도록 하여 작동하게 된다.
상기 도전성 입자는 금속 분말인 것이 바람직하고, 입자의 직경은 10 내지 100um 일 수 있다. 상기 금속 분말은 니켈, 코발트, 철 또는 이들의 둘 이상의 합금 중 선택된 하나 이상을 포함할 수 있고, 바람직하게는 니켈 분말을 포함할 수 있다.
상기 도금된 도전성 입자는 은 도금층의 두께는 0.5 ~ 1 μm 이고, 금 도금층의 두께는 0.2 ~ 0.5 μm 일 수 있다.
상기 도금된 도전성 입자의 접촉저항은 50 mΩ 이하일 수 있다. 표 2에 따르면, 본 발명에 따라 도금된 도전정 입자의 접촉저항은 40 ~ 47 mΩ 으로 확인되었다.
상기 금 도금층은 금 합금 도금층일 수 있고, 바람직하게는 금-코발트 합금층, 금-니켈 합금층, 금-구리 합금층 중 선택된 하나일 수 있으며, 더욱 바람직하게는 금-코발트 합금층 일 수 있다.
실시예
이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 실시예를 제시하나, 하기 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다.
이하 실시예 1~3과 비교예 1~2에서 알칼리 탈지는 60℃ 에서 5분간 수행하였고, 활성화 처리는 상온에서 1분간 처리하였다. 각 공정 간에는 수세를 하였다.
실시예 1 내지 3
도전성 입자로는 직경 25~70 um 인 니켈 분말을, 도금액 1kg 당 100g으로 사용하였고, 표 1에 나타낸 공정에 따른 약품 및 조건으로 처리하여 도금하였다.
비교예 1 내지 2
비교예 1은, 은 스트라이크 공정 없이, 전해 금도금 공정에서 제2전도염 없이, 표 1과 같은 조건으로 도전성 입자의 도금을 수행하였다.
비교예 2는, 전해 은도금 공정에서 계면활성제 없이, 전해 금도금 공정에서 제2전도염과 도금평활제 없이, 표 1과 같은 조건으로 도전성 입자의 도금을 수행하였다.
공정 약품 실시예 1 실시예2 실시예3 비교예1 비교예2
알칼리 탈지 EC 500* 10 10 10 10 10
활성화 처리 시안화칼륨 10 10 10 10 10
은
스트라이크		 은 화합물 시안화은칼륨 12 12 12 12
알코올 에탄올 10 10 10
이소프로필알콜 10
계면활성제 폴리옥시에틸렌모노메틸에테르 0.5 0.5 0.5 0.5
인가 전압 20V 20V 20V 20V
처리 온도 25℃ 25℃ 25℃ 25℃
처리 시간 2분 2분 2분 2분
전해
은 도금		 은 화합물 시안화은칼륨 10 10 10 10 10
제1전도염 시안화칼륨 10 15 10 10 5
제2전도염 구연산칼륨 5 10 10
숙신산나트륨 10 10
알코올 에탄올 5 10 5 5 5
계면
활성제		 폴리옥시에틸렌모노메틸에테르 0.5 0.5 1.0 -
로트유 1.0 -
인가 전압 20V 20V 20V 20V 20V
처리 온도 25℃ 25℃ 25℃ 25℃ 25℃
처리 시간 40분 40분 40분 40분 40분
전해
금 도금		 금 화합물 시안화금칼륨 1 1 1 1 1
제1전도염 구연산칼륨 10 5 5 10
말산나트륨 10
제2전도염 구연산 1수화물 5
인산칼륨 10 5
합금염 황산코발트 7수화물 0.25
황산니켈 0.25 0.25
도금평활제 니코틴산 0.1
쿠마린 0.05 0.1 0.1
인가 전압 9V 9V 9V 9V 9V
처리 온도 50℃ 50℃ 50℃ 50℃ 50℃
처리 시간 90분 90분 90분 90분 90분
- 표 1에 표시된 함량은 중량% 임.
- 각 단계별로, 기재된 조성 외에는 물을 첨가하여 100 중량%로 함.
* ㈜엠케이켐앤텍社 제품을 사용함.
상기 실시예 1~3 및 비교예 1~2에 따라 제조된 도전성 입자의 은 도금층의 두께 및 은 도금 두께편차, 금 도금층의 두께 및 금 도금 두께편차, 접촉 저항을 측정하여 표 2로 나타내었다.
도금 결과 실시예 1 실시예 2 실시예 3 비교예 1 비교예 2
Ag 도금 두께 0.63um 0.68 um 0.62 um 0.65um 0.64um
Ag 도금 두께편차(CV%) 19 21 22 32 26
Au 도금 두께 0.24um 0.21um 0.22um 0.26um 0.24um
Au 도금 두께편차(CV%) 21 16 21 28 33
접촉 저항 (mΩ) 40.77 43.77 46.91 52.24 51.36
표 2를 참조하면, 은 도금층의 도금편차는 실시예 1 내지 3의 경우 19 ~ 22 CV% 이나, 비교예 1 내지 2의 경우 26 CV% 이상이었고, 금 도금층의 도금편차는 실시예 1 내지 3의 경우 16 ~ 21 CV% 이나, 비교예 1 내지 2의 경우 28 CV% 이상으로, 본 발명에 따라 도금된 도전성 입자의 도금편차가 낮아 도금두께의 균일성이 높은 것으로 나타났다.
또한, 실시예 1 내지 3의 접촉저항은 40 ~ 47 mΩ 으로 나타났으나, 비교예 1 내지 2의 경우 51 mΩ 을 초과하는 값을 나타내어, 본 발명에 따라 도금된 도전성 입자는 접촉저항이 낮아진 것을 알 수 있었다.
도 4a-도 4b(실시예 1), 도 5a-도 5b(실시예 2), 도 6a-도 6b(실시예 3)를 참조하면, 본 발명에 따라 도금된 도전성 입자의 도금층은 보이드 없이 밀착성이 뛰어나며 도금 두께가 균일한 것을 확인할 수 있었다. 반면 도 7a-도 7b(비교예 1), 도 8a-도 8b(비교예 2)의 도금상태는 보이드가 발생하여 밀착성이 떨어지고 도금 두께가 균일하지 않아 매우 불량한 것으로 나타났다.
따라서, 본 발명의 반도체 테스트 소켓에 사용되는 도전성 입자의 도금액 및 도금방법에 따라 도금된 도전성 입자는 은도금층과 금도금층의 도금편차가 개선되고, 접촉저항이 낮아지는 우수한 효과가 있음을 확인하였다.
지금까지 본 발명에 따른 반도체 테스트 소켓에 사용되는 도전성 입자의 도금액, 이의 도금방법, 및 이를 이용하여 도금된 도전성 입자에 관한 구체적인 실시예에 관하여 설명하였으나, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않는 한도 내에서는 여러 가지 실시 변형이 가능함은 자명하다.
그러므로 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 안 되며, 후술하는 특허청구범위뿐만 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
즉, 전술된 실시예는 모든 면에서 예시적인 것이며, 한정적인 것이 아닌 것으로 이해되어야 하며, 본 발명의 범위는 상세한 설명보다는 후술될 특허청구범위에 의하여 나타내어지고, 그 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.

Claims (21)

  1. 반도체 테스트 소켓에 사용되는 도전성 입자의 도금액으로서,
    (a) 은화합물을 포함하는 은 스트라이크 도금액;
    (b) 은화합물, 전도염, 알코올 및 계면활성제를 포함하는 전해 은 도금액; 및
    (c) 금화합물, 전도염 및 도금평활제를 포함하는 전해 금 도금액; 을 포함하고,
    상기 전해 은 도금액은
    알코올 1 ~ 12 중량% 및 계면활성제 0.1 ~ 1.0 중량%를 포함하는 것을 특징으로 하는,
    반도체 테스트 소켓에 사용되는 도전성 입자의 도금액.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 은 스트라이크 도금액은
    수용성 은 화합물 10 ~ 20 중량%, 알코올 5 ~ 15 중량% 및 계면활성제 0.01 ~ 1 중량%를 포함하는 것을 특징으로 하는,
    반도체 테스트 소켓에 사용되는 도전성 입자의 도금액.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 전해 은 도금액은
    수용성 은 화합물 1 ~ 20 중량%, 제1전도염 2 ~ 20 중량% 및 제2전도염 1 ~ 10 중량%를 더 포함하는 것을 특징으로 하는,
    반도체 테스트 소켓에 사용되는 도전성 입자의 도금액.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 은 화합물은
    시안화은화합물, 질산은화합물, 황산은화합물, 염화은화합물 중 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는,
    반도체 테스트 소켓에 사용되는 도전성 입자의 도금액.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 제1전도염은
    시안화칼륨, 시안화나트륨, 탄산염, 인산염, 황산염, 질산염 중 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는,
    반도체 테스트 소켓에 사용되는 도전성 입자의 도금액.
  6. 제3항에 있어서,
    상기 제2전도염은
    구연산염, 숙신산염, 주석산염, 초산염, 프로피온산염 중 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는,
    반도체 테스트 소켓에 사용되는 도전성 입자의 도금액.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 알코올은
    에탄올, 메탄올, 프로판올, 이소프로판올, 부탄올, 이소부탄올, 아세틸렌알코올, 스테아릴알코올, 라우릴 알코올, 미리스틸알코올, 에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 글리세롤 중에서 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는,
    반도체 테스트 소켓에 사용되는 도전성 입자의 도금액.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 계면활성제는
    비이온성 계면활성제로서 폴리에틸렌글리콜, 폴리프로필렌글리콜, 폴리옥시에틸렌모노메틸에테르, 폴리옥시에틸렌모노알릴에테르, 폴리옥시에틸렌라우릴에테르, 폴리옥시에틸렌올레일에테르, 폴리옥시에틸렌데실에테르, 폴리옥시글리세린에테르, 폴리옥시에틸렌베타-나프톨에테르, 폴리옥시에틸렌스테아릭에테르, 폴리옥시에틸렌코코넛지방산에테르, 폴리옥시에틸렌 캐스토에테르;
    음이온계 계면활성제로서 소듐도데실벤젠설포네이트, 암모늄도데실벤젠설포네이트, 소듐폴리오시에틸렌알킬아릴설파이트, 암모늄폴리옥시에틸렌알킬설파이트, 소듐디옥틸설포석씨네이트, 알킬황산에스테르염, 알킬에테르황산에스테르염, 알칸술폰산염, 알킬에테르인산에스테르염, N-아실아미노산염; 중에서 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는,
    반도체 테스트 소켓에 사용되는 도전성 입자의 도금액.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 전해 금 도금액은
    수용성 금 화합물 0.5 ~ 2 중량%, 제1전도염 0 ~ 15 중량%, 제2전도염 0 ~ 10 중량% 및 도금평활제 0 ~ 1 중량%를 포함하는 것을 특징으로 하는,
    반도체 테스트 소켓에 사용되는 도전성 입자의 도금액.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 금 화합물은
    시안화금칼륨, 시안화금암모늄, 시안화금나트륨, 염화금, 아황산금나트륨, 아황산금칼륨, 아황산금암모늄 중에서 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는,
    반도체 테스트 소켓에 사용되는 도전성 입자의 도금액.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 제1전도염은
    구연산, 말산, 옥살산, 초산, 주석산, 사과산, 유산, 글리콜산, 숙신산 등의 카르본산계의 유기산의 염 중에서 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는,
    반도체 테스트 소켓에 사용되는 도전성 입자의 도금액.
  12. 제9항에 있어서,
    상기 제2전도염은
    구연산 수화물, 인산염, 질산염, 붕산염 중에서 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는,
    반도체 테스트 소켓에 사용되는 도전성 입자의 도금액.
  13. 제9항에 있어서,
    상기 도금평활제는
    니코틴산, 모노에탄올아민, 글루콘산소다, 에틸렌디아민테트라아세트산, 폴리이민, 에틸렌글리콜, 코우마린(coumarin), 소듐 라우릴 설페이트(sodium lauryl sulfate) 중에서 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는,
    반도체 테스트 소켓에 사용되는 도전성 입자의 도금액.
  14. 제9항에 있어서,
    상기 전해 금 도금액은
    합금 도금을 위하여 코발트염, 구리염, 니켈염 중 선택된 하나 이상을 0 ~ 5 중량%를 더 포함하는 것을 특징으로 하는,
    반도체 테스트 소켓에 사용되는 도전성 입자의 도금액.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 코발트염은
    황산코발트 7수화물, 염화 코발트, 질산 코발트, 탄산 코발트, 프탈로시아닌 코발트, 스테아르산 코발트, 에틸렌디아민 4 아세트산 2 나트륨 코발트, 나프텐산 코발트, 붕산 코발트, 티오시안산 코발트, 술파민산 코발트, 아세트산 코발트, 시트르산 코발트, 수산화 코발트, 옥살산 코발트, 인산 코발트 중에서 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는,
    반도체 테스트 소켓에 사용되는 도전성 입자의 도금액.
  16. 제14항에 있어서,
    상기 구리염은
    황산구리, 메탄술폰산구리, 플루오로붕산구리, 아세트산구리, 질산구리, 산화구리, 수산화구리, 염화구리 중에서 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는,
    반도체 테스트 소켓에 사용되는 도전성 입자의 도금액.
  17. 제14항에 있어서,
    상기 니켈염은
    황산니켈, 할로겐화 니켈, 염기성 탄산니켈, 술파민산니켈, 아세트산니켈, 메탄술폰산니켈 중에서 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는,
    반도체 테스트 소켓에 사용되는 도전성 입자의 도금액.
  18. (ⅰ) 도전성 입자를 준비하는 단계;
    (ⅱ) 제1항에 기재된 은 스트라이크 도금액으로, 상기 (ⅰ)에서 준비된 도전성 입자에 은 피막을 형성하는 단계;
    (ⅲ) 제1항에 기재된 은 도금액으로, 상기 (ⅱ)의 은 피막 상에 전해 은 도금을 수행하는 단계; 및
    (ⅳ) 제1항에 기재된 금 도금액으로, 상기 (ⅲ)의 은 도금층 상에 전해 금 도금을 수행하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는,
    반도체 테스트 소켓에 사용되는 도전성 입자의 도금방법.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 도전성 입자는
    니켈, 코발트, 철 또는 이들의 둘 이상의 합금 중 선택된 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는,
    반도체 테스트 소켓에 사용되는 도전성 입자의 도금방법.
  20. 제18항의 도금방법으로 도금된 것을 특징으로 하는,
    반도체 테스트 소켓에 사용되는 도전성 입자.
  21. 제20항에 있어서,
    접촉 저항은
    50 mΩ 이하인 것을 특징으로 하는,
    반도체 테스트 소켓에 사용되는 도전성 입자.
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