JP2000313663A

JP2000313663A - 導電性セラミックスおよびこれを用いた帯電防止部材並びに磁気ディスク装置

Info

Publication number: JP2000313663A
Application number: JP11121348A
Authority: JP
Inventors: Yoshitake Terashi; 吉健寺師; Tetsuji Hayazaki; 哲治早崎
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 1999-04-28
Filing date: 1999-04-28
Publication date: 2000-11-14
Anticipated expiration: 2019-04-28
Also published as: JP3860681B2

Abstract

(57)【要約】【課題】高精度でかつ静電気を除去することができ、し
かも熱膨張係数の制御が可能で高ヤング率を有する導電
性セラミックスおよびそれを用いた帯電防止部材を作製
する。【解決手段】Ｚｎ、Ｍｇ、Ｃａ、ＳｒおよびＢａの群か
ら選ばれる少なくとも１種と、ＴｉおよびＳｉとを含有
する酸化物に対して、導電性付与材として、金属、カー
ボン、酸化鉄、酸化錫、酸化銅、酸化コバルト、酸化ニ
オブ、酸化ニッケル、炭化チタンおよび窒化チタンの群
から選ばれる少なくとも１種を含有し、−５０〜８５℃
における体積固有抵抗が１０²〜１０⁸Ω・ｃｍ、かつ
表面粗さ（Ｒａ）が２．０μｍ以下である導電性セラミ
ックスを用いて帯電防止用部材を作製する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば抵抗体、導
電材料、接点、センサ、ヒーター、真空管部品等に使用
可能な導電性セラミックスに関するものであり、特に搬
送用アーム、ハンドリング治具、ウェハー搬送用ピンセ
ット等の半導体製造装置等で静電気防止が必要な帯電防
止（静電気防止）部材、および帯電防止機能のある磁気
ディスク保持部材を有する磁気ディスク装置に関する。

【０００２】

【従来技術】一般にセラミックスは絶縁材であるが、炭
化珪素質セラミックスやランタンクロマイト等のペロブ
スカイト系セラミックス等の導電性を有するセラミック
スが知られており、また、アルミナやジルコニア等の絶
縁性セラミックス材料に導電性付与材、例えば、ＴｉＯ
₂、ＴｉＣ、ＮｉＯ、ＣｏＯ等を添加して還元雰囲気下
で焼成したの導電性セラミックスが知られている（特開
平２−２９５００９号公報、特開平１−２４３３８８号
公報参照）。

【０００３】一方、従来、例えば半導体製造装置等で静
電気防止が必要な部品（搬送用アーム、ハンドリング治
具、ウェハー搬送用ピンセット等）に用いる静電気防止
用部材、あるいは抵抗体基体、導電材料、接点、ヒータ
ー、真空管部品、磁気ディスク用スペーサには、上述し
た材料からなり、１０⁴〜１０⁸Ωｃｍ程度の体積固有
抵抗を有するセラミックスが用いられている。

【０００４】他方、コンピュータの外部記録装置等とし
て使用される磁気ディスク装置は、図１に示すように、
複数枚の磁気ディスク基板１５をシム１０、スペーサ１
１及びクランプ１２で固定して、回転軸１３を回転させ
ながら磁気ヘッド１７にて磁気ディスク基板１５表面上
に非接触状態で情報の書き込みや読み取りを行うもので
ある。

【０００５】近年、このような磁気ディスク装置２０は
情報が高密度で大容量化するに伴って、磁気ヘッド１７
と磁気ディスク基板１５との距離の極小化、磁気ディス
ク基板１５のより高度な平面化と表面の平滑化等が要求
されており、磁気ディスク基板１５を固定・保持するス
ペーサ１１、シム１０、及びクランプ１２等の保持部材
は熱膨張差に伴う磁気ディスク基板１５の歪みを防止す
る為に、セラミックスやガラスで形成することが検討さ
れている（特公平５−８０７４５号公報、特開昭６１−
１４８６６７号公報参照）。

【０００６】しかしながら、上記保持部材を構成するセ
ラミックスやガラスは一般的に絶縁性材料である為、こ
れらの保持部材で磁気ディスク基板１５を保持すると、
磁気ディスク基板１５が帯電し、情報の読み込みや書き
込みの際にノイズが発生して、記録内容を破壊してしま
うという問題があり、その対策として上記セラミックス
やガラス等の磁気ディスク基板１５との当接面にアルミ
ニウムや亜鉛などの金属膜を被覆して静電気を除去する
ことが考えられている。

【０００７】しかし、このような方法では、磁気ディス
ク基板１５との当接面の平坦度が損なわれ、磁気ディス
ク基板１５に歪みを生じたり、場合によっては、磁気ヘ
ッド１７が磁気ディスク基板１５と接触して傷付けてし
まう恐れがあった。また、セラミックスやガラスと金属
被膜との熱膨張差のために繰り返しの使用により金属被
膜が剥がれるといった課題もあり、前述したアルミナ等
に導電性付与材を添加した導電性セラミックスで保持部
材を形成することが提案されている（特開平２−２２６
５６６号公報参照）。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た導電性セラミックスでは、例えば、上記炭化珪素質セ
ラミックスは、難焼結体であるために非酸化性雰囲気で
かつ２０００℃以上の温度で焼成しなければならず、ま
た、ホットプレスや熱間静水圧プレス（ＨＩＰ）を行う
必要があり生産性が悪くコストが高くなる、また、ペロ
ブスカイト系セラミックスについては原料単価が高く、
しかも、曲げ強度が１０ｋｇ／ｍｍ²未満と低く、構造
部品材料としての信頼性が低いという問題があった。

【０００９】さらに、導電付与材としてＮｉＯ、ＣｏＯ
等を添加したアルミナ質やジルコニア質の導電性低温焼
成セラミックスでは充分に緻密化させることが難しく、
表面の平滑性が悪いために表面から脱粒等が生じてパー
ティクルが発生し、悪影響を及ぼす等の問題があった。

【００１０】また、上述した導電性セラミックスでは、
例えば、ガラス製の磁気ディスク基板との間に熱膨張差
があるため、ディスクの高速回転に伴う温度上昇のため
に磁気ディスク基板１５に歪みを生じたり、磁気ディス
ク基板１５間の平行度が損なわれるといった課題があっ
た。そのため、磁気ディスク装置２０の高密度化および
大容量化には限界があった。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記用途
を満足する材料について検討したところ、ＴｉおよびＳ
ｉを含有する特定の酸化物相と、導電性付与材とを含有
するセラミックスを用いることによって、体積固有抵抗
値を所定の範囲に調整でき、かつ容易に緻密化でき平滑
な表面とすることにより、高い寸法精度を有するととも
に耐磨耗性に優れたセラミックスが得られることを見出
し、本発明に至った。

【００１２】すなわち、本発明の導電性セラミックス
は、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｃａ、ＳｒおよびＢａの群から選ばれ
る少なくとも１種と、ＴｉおよびＳｉとを含有する酸化
物に対して、導電性付与材として、金属、カーボン、酸
化鉄、酸化錫、酸化銅、酸化コバルト、酸化ニオブ、酸
化ニッケル、炭化チタンおよび窒化チタンの群から選ば
れる少なくとも１種を含有し、−５０〜８５℃における
体積固有抵抗が１０²〜１０⁸Ω・ｃｍ、かつ表面粗さ
（Ｒａ）が２．０μｍ以下であることを特徴とするもの
である。

【００１３】また、本発明の他の導電性セラミックス
は、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｃａ、ＳｒおよびＢａの群から選ばれ
る少なくとも１種と、ＴｉおよびＳｉとを含有する酸化
物系セラミックスからなり、該セラミックス中に導電性
付与材として酸化亜鉛が存在してなり、−５０〜８５℃
における体積固有抵抗が１０²〜１０⁸Ω・ｃｍ、かつ
表面粗さ（Ｒａ）が２．０μｍ以下であることを特徴と
するものである。

【００１４】なお、前記Ｚｎ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒおよび
Ｂａの群から選ばれる少なくとも１種と、ＴｉおよびＳ
ｉとを含有する酸化物が、スピネル型結晶相、イルメナ
イト型結晶相、ウイレマイト型結晶相、エンスタタイト
型結晶相、ＣａＳｉＯ₃、ＳｒＳｉＯ₃、ＢａＳｉ
Ｏ₃、ＳｉＯ₂型結晶相の群から選ばれる少なくとも１
種以上であることであること、上記セラミックス中に
は、ホウ素（Ｂ）を酸化物換算で１５重量％以下含有す
ることが望ましい。

【００１５】また、−５０〜８５℃における熱膨張係数
が４×１０^-6〜１×１０^-5／℃以下、ヤング率が８０Ｇ
Ｐａ以上であることが望ましい。

【００１６】さらに、本発明によれば、上記導電性セラ
ミックスを帯電防止部材として用いることにより、優れ
た信頼性と耐久性を有する帯電防止部材を得ることがで
きる。

【００１７】また、本発明の磁気ディスク装置は、複数
の磁気ディスクを所定の間隔で保持し、該複数の磁気デ
ィスクからの情報の読み取りまたは情報の書き込みが可
能なものであって、前記磁気ディスクを保持する部材を
導電性セラミックスによって形成することにより優れた
特性を有する装置とすることができる。

【００１８】

【作用】Ｚｎ、Ｍｇ、Ｃａ、ＳｒおよびＢａから選ばれ
る少なくとも１種と、ＴｉおよびＳｉとを含む複合酸化
物相は比較的低温での焼成により容易に緻密化でき、平
滑な表面を有する耐磨耗性に優れた材料であるととも
に、１００ＧＰａ以上のヤング率を有し、かつ各成分を
調整することによりセラミックスの熱膨張係数を所定の
範囲に制御可能なものであるが、室温における体積固有
抵抗値が１０¹²Ω・ｃｍ以上の絶縁体である。

【００１９】これに、所定量の導電性付与材を含有せし
めることによりセラミックスの体積固有抵抗を所望の範
囲内に制御でき、帯電防止部材として優れた特性を有す
るものとなる。

【００２０】特に、導電性付与材として特定の金属酸化
物を用いることにより容易にセラミックスを製造するこ
とができる。例えば、酸化亜鉛（ＺｎＯ）は通常半導体
材料であるが、焼成等により結晶内に酸素欠損等の格子
欠陥等を生成させることにより、その体積固有抵抗を低
下せしめることができる、いわゆる不定比化合物であ
る。これが、導電性付与材としての機能を有するもので
あることから、上記絶縁体材料に所定量含有させること
によりセラミックスの体積固有抵抗値を１０²〜１０⁸
Ω・ｃｍに調整することができる。

【００２１】

【発明の実施の形態】本発明の導電性セラミックスは、
Ｚｎ、Ｍｇ、Ｃａ、ＳｒおよびＢａの群から選ばれる少
なくとも１種と、ＴｉおよびＳｉとの酸化物と、導電性
付与材とを含有するものである。

【００２２】前記導電性付与材としては、体積固有抵抗
値が１０⁸Ωｃｍ以下の化合物、具体的には、Ｚｎ、Ｆ
ｅ、Ｓｎ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ａｇ、Ａｕ等の金属、カ
ーボン、酸化鉄、酸化錫、酸化銅、酸化コバルト、酸化
ニッケル、酸化ニオブ等の金属酸化物、窒化チタン等の
金属窒化物、炭化チタン等の金属炭化物および酸化亜鉛
のうちの１種以上によって構成されるが、体積固有抵抗
値の制御の容易性、製造の容易性、原料コスト、原料の
経時変化が少なく管理が容易である点で金属酸化物であ
ることが望ましく、特に、体積固有抵抗値の制御の容易
性および製造の容易性の点で、酸化亜鉛、酸化鉄、酸化
錫、酸化銅、酸化コバルト、酸化ニッケルおよび酸化ニ
オブの群から選ばれる少なくとも１種であることが望ま
しい。

【００２３】なお、これら導電性付与材は、セラミック
ス中で主として結晶粒界に存在するが、連続的に存在す
ることが望ましく、粒界を通して導通するものである。
また、前記導電性付与材が酸化亜鉛からなる場合は、セ
ラミックス中に独立した相として存在し、酸化亜鉛相の
割合は、３０〜７５体積％であることが望ましい。

【００２４】すなわち、酸化亜鉛相が３０体積％より少
ないと、セラミックスの体積固有抵抗値を所望の範囲内
に制御することが難しく、帯電防止部材としての機能が
低下するためであり、逆に、酸化亜鉛相が７５体積％を
超えると、通常の焼成でセラミックスを緻密化させるこ
とが難しくなり、耐磨耗性が悪くなるとともに、ヤング
率が低下し構造部材としての信頼性が低下するためであ
る。

【００２５】なお、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｃａ、ＳｒおよびＢａ
の群から選ばれる少なくとも１種と、ＴｉおよびＳｉと
の酸化物のＡサイト成分になりうるＺｎ、Ｍｇ、Ｃａ、
ＳｒおよびＢａから選ばれる少なくとも１種（Ａ）に対
するＢサイト成分になりうるＴｉおよびＳｉ（Ｂ）の比
率（Ｂ／Ａ）は焼結性および熱膨張係数を任意に調整で
き、またヤング率を高める点で、モル比で０．１４〜
３．５、特に０．５〜１．５であることが望ましい。ま
た、本発明によれば、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｃａ、ＳｒおよびＢ
ａの群から選ばれる少なくとも１種と、ＴｉおよびＳｉ
との酸化物に対して、ホウ素（Ｂ）を酸化物換算で１５
重量％以下含有することにより、ホウ素（Ｂ）が焼結助
剤としての働き、セラミックスの焼結性を改善させるこ
とができ、セラミックス中に存在するボイドを低減する
ことができ、セラミックス表面の平滑性を高める結果、
構造部材としての耐摩耗性を高めることができるが、構
造体としての安定した強度を維持する点で、ホウ素
（Ｂ）の含有量は１５重量％以下、特に１０重量％以下
であることが望ましい。

【００２６】ここで、ホウ素（Ｂ）としては、Ｂ₂Ｏ₃
またはＢ₂Ｓ₃やＨ₂ＢＯ₃等の焼成の過程でＢ₂Ｏ₃
になりうるもの、あるいはホウ素（Ｂ）含有のガラス、
例えばホウ珪酸鉛系ガラス、ホウ珪酸亜鉛系ガラスやＡ
ｌ₂Ｏ₃を３０重量％以下と、アルカリ金属酸化物を２
０重量％以下の割合で含むものが好適に使用される。

【００２７】なお、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｃａ、ＳｒおよびＢａ
の群から選ばれる少なくとも１種と、ＴｉおよびＳｉと
の酸化物としては、少なくともＺｒ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ
およびＢａから選ばれる少なくとも１種とＴｉとを含む
スピネル型結晶相、少なくともＺｎ，ＭｇおよびＴｉを
含むイルメナイト型結晶相、少なくともＺｎ、Ｍｇおよ
びＳｉを含むウイレマイト型結晶相、ＣａＳｉＯ₃結晶
相、ＳｒＳｉＯ₃結晶相、ＢａＳｉＯ₃結晶相、エンス
タタイト型結晶相、ＳｉＯ₂型結晶相の少なくとも１種
以上が析出することが望ましく、これらの結晶相を析出
させることによって、構造部材として必要な硬度および
強度を有するとともに、所望のヤング率、熱膨張係数を
得ることができる。

【００２８】また、上記セラミックス中にはこれらの成
分を含有する絶縁性ガラス相が析出してもよい。

【００２９】さらに、Ａサイト成分としては、焼結性お
よび熱膨張係数の調整、表面の平滑性の向上およびセラ
ミックスの体積固有抵抗値の調整の容易さの点でＺｎを
モル比換算で０．２５以上含有することが望ましい。

【００３０】また、これらの成分以外に、不純物として
Ａｌ、Ｚｒ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｙ（イットリウム）を含
む希土類元素、Ｐｂ、Ｂｉ等を酸化物換算で０．１重量
％以下の範囲で含有しても特性に影響を及ぼさない。

【００３１】上記態様のセラミックスは、体積固有抵抗
値が１０²〜１０⁸Ω・ｃｍであることからセラミック
スが帯電することなく耐電防止部材として好適に使用で
きる。また、表面粗さ（Ｒａ）が２．０μｍ以下である
ことから、耐摩耗性が高く、寸法精度の高い部材を作製
できる。

【００３２】さらに、構造体として均一な組成にて形成
し被覆層等がないことから、使用時等の熱膨張差による
被覆層の剥離が生じず、また、−５０〜８５℃における
熱膨張係数が４×１０^-6〜１×１０^-5／℃、特に５×１
０^-6〜９×１０^-6／℃の範囲に制御できることから、ガ
ラスやセラミックスからなる磁気ディスク基板との熱膨
張差が小さく、温度上昇によっても精度よくディスクを
保持することができる。

【００３３】さらに、ヤング率が８０ＧＰａ以上である
ことから、ネジ止め等によっても変形することがなく、
構造部材としての信頼性が高いものである。

【００３４】次に、本発明の導電性セラミックスを製造
する方法について説明する。まず、出発原料として、Ｚ
ｎ、Ｍｇ、Ｃａ、ＳｒおよびＢａの群から選ばれる少な
くとも１種と、ＴｉおよびＳｉとの酸化物を形成するた
めの金属成分の酸化物、炭酸塩、窒化物、炭化物等を上
述した割合で調合、混合し、酸化性雰囲気中、あるいは
非酸化性雰囲気にて８００〜１０００℃で仮焼する。こ
れに、導電性付与材となりうる成分を添加して混合す
る。

【００３５】そして、この混合粉末を用いてプレス成形
法、冷間静水圧プレス法、ドクターブレード法、カレン
ダーロール法、圧延法法の周知の成形法により所定形状
に成形した後、酸化性雰囲気中、あるいは非酸化性雰囲
気にて１０００〜１２００℃の温度で１〜２時間程度の
焼成を行うことにより相対密度９５％以上、特に９８％
以上、さらに９９．５％以上に緻密化した本発明の導電
性セラミックスを得ることができる。また、所望により
セラミックスの表面を研磨して表面粗さ（Ｒａ）が２．
０μｍ以下とすることができる。

【００３６】本発明によれば、上述した導電性セラミッ
クスを用いることによって、帯電する静電気を速やかに
除去することができることから、例えば、磁気記録装置
や各種電子部品の製造工程や取扱工程において用いられ
るハンドリング治具やピンセット等の治工具等の帯電防
止部材として、少なくとも各種部品との接触面を本発明
の導電性低温焼成ガラスセラミックスで形成することに
より、静電気を除去して悪影響を及ぼすことを防止でき
る部材を形成することができる。

【００３７】また、図１に本発明の導電性セラミックス
を好適に使用しうる一例である磁気ディスク装置の概略
断面図を示す。磁気ディスク装置２０は、回転軸１３に
固定されたハブ１４に、複数枚の磁気ディスク基板１５
とスペーサ１１とを交互に挿入し、最後にシム１０およ
びクランプ１２を配設してネジ１６で固定するものであ
る。そして、回転軸１３の回転に伴い、磁気ディスク基
板１５が回転するとともに、磁気ヘッド１７が磁気ディ
スク基板１５の表面上を非接触状態で移動しながらディ
スク基板の所定の位置に情報の書き込みや読み取りを行
うものである。

【００３８】磁気ディスク基板１５は、アルミニウム基
板、Ａｌ₂Ｏ₃などのセラミックスの表面にグレーズ層
を形成し、該グレーズ層上に磁性膜を備えたもの、ある
いは全体がガラスからなりその表面に磁性膜を備えたも
の等を用いてもよい。さらに、その他の材質として、チ
タン、シリコン、ＹＡＧ、カーボン等を用いることもで
きるが、表面の平滑性、剛性の高さおよびコストの点で
ガラスからなることが望ましい。

【００３９】本発明によれば、スペーサ１１、シム１０
およびクランプ１２は上述した導電性セラミックスによ
り形成されており、磁気ディスク基板１５が帯電するの
を防止でき、情報の書き込みや読み込みの際のノイズを
低減することができる。

【００４０】また、その表面は滑らかであり、特にスペ
ーサ１１については、磁気ディスク基板１５との接触面
１１ａの表面粗さ（Ｒａ）が２．０μｍ以下、特に１．
０μｍ以下、また接触面１１ａの平行度が５μｍ以下で
あることが望ましく、これにより磁気ディスク基板１５
を極めて高精度に保持することができる。また、スペー
サ１１、シム１０およびクランプ１２の各エッジ部には
Ｃ面またはＲ面の面取りが施されている。

【００４１】さらに、本発明によれば、スペーサ１１、
シム１０およびクランプ１２がヤング率８０ＧＰａ以上
の高剛性部材からなるため、締め付け時に変形すること
がなく、高精度に保持できる。また、磁気ディスク基
板１５として熱膨張係数が４×１０^-6〜１×１０^-5のガ
ラスからなるものを用いた場合、高速回転による温度上
昇によっても磁気ディスク基板１５とスペーサ１１、シ
ム１０およびクランプ１２との熱膨張差が小さくできる
ため、磁気ディスク基板１５を高精度に保持することが
できる。したがって、磁気ヘッド１７の磁気ディスク基
板１５に対する浮上量を極めて小さくすることができ、
情報記録密度を高めることができる。

【００４２】

【実施例】（実施例１）平均粒径３μｍ以下のＺｎ₂Ｔ
ｉＯ₄、ＭｇＴｉＯ₃、ＣａＴｉＯ₃、ＳｒＴｉＯ₃、
ＢａＴｉＯ₃、Ｚｎ₂ＳｉＯ₄、ＴｉＯ₂、ＳｉＯ₂お
よびＢ₂Ｏ₃のＴｉとＳｉとを含む酸化物を形成する成
分粉末を表１、２に示す割合で混合し、仮焼した後、表
１に示す導電性付与材を添加して、これに所定量の水又
は有機溶剤及び結合材を添加して約１時間混合した。そ
して、該混合粉を１．０ｔｏｎ／ｃｍ²の成形圧で所定
の形状にプレス成形した後、大気雰囲気中にて表１に示
す温度で２時間焼成を行った。

【００４３】得られたセラミックスについて、アルキメ
デス法により密度を測定し、理論密度に対する比率であ
る相対密度を算出した。また、Ｘ線回折チャートから析
出結晶相の同定を行い、さらに、セラミックス表面を研
削加工した後、表面粗さ計により表面粗さ（Ｒａ）を測
定した。

【００４４】また、セラミックスを直径６０ｍｍ×厚さ
２ｍｍの寸法に研削加工して体積固有抵抗値を測定し
た。さらに、同時に熱膨張係数とヤング率の測定を行っ
た。なお、各測定方法についてはＪＩＳ規定に基づいて
測定した。さらに、研磨面のＳＥＭ観察およびルーゼッ
クス解析から酸化物相と導電性付与相との割合を求め
た。結果は、表１、２に示した。

【００４５】（実施例２）実施例１の導電性付与材とし
てＴｉＣまたはＴｉＮを添加混合し、大気中にて焼成す
る以外は実施例１と同様に作製し、評価した。結果は表
２に示した（試料Ｎｏ．２５、２６）。

【００４６】（実施例３）実施例１のＢ₂Ｏ₃材を表１
に示す元素を含むガラス材料に変える以外は実施例１と
同様に作製し、評価した。結果は、表２に示した（試料
Ｎｏ．２７〜２９）。

【００４７】（比較例）Ａｌ₂Ｏ₃粉末に対し、表１に
示す導電性付与材を３０重量％と、少量の公知の焼結助
剤成分を添加して成形後、非酸化性雰囲気中、１４５０
℃にて焼成してＡｌ₂Ｏ₃質セラミックスを作製し、実
施例１と同様に評価した。結果は表２に示した（試料Ｎ
ｏ．３０、３１）。

【００４８】

【表１】

【００４９】

【表２】

【００５０】表１、２から明らかなように、Ｔｉを含ま
ない試料Ｎｏ．８では、表面粗さ（Ｒａ）が２．０μｍ
を超えてしまった。結晶相として導電性付与材の析出が
見られない試料Ｎｏ．１７では、セラミックスの体積固
有抵抗値が１０⁸を超えてしまった。

【００５１】さらに、Ａｌ₂Ｏ₃質セラミックスからな
る試料Ｎｏ．３０、３１では体積固有抵抗値が１０²よ
り低くなり、また、研削時の研削抵抗が高く、かつ時間
がかかった。

【００５２】これに対し、本発明の範囲内の試料は、表
面粗さ（Ｒａ）２．０μｍ以下、特に１．２μｍ以下、
体積固有抵抗値が１０²〜１０⁸Ω・ｃｍで、特に、導
電性付与材としての酸化亜鉛相の比率が３０〜７５体積
％の範囲内である試料Ｎｏ．１〜７、１０〜１６、１８
〜２９では、熱膨張係数が４×１０^-6〜１×１０^-5／℃
であり、ヤング率が８０ＧＰａ以上を有するものを優れ
たものであった。

【００５３】また、上記実施例１の試料Ｎｏ．１１のセ
ラミックスを用いて磁気ディスク保持部材を作製し、図
１の磁気ディスク装置に搭載したところ、磁気ディスク
への静電気によるノイズが発生することなく良好な書き
込みが可能であった。

【００５４】これに対し、試料Ｎｏ．１７のセラミック
スを用いて磁気ディスク保持部材を作製し、図１の磁気
ディスク装置に搭載したところ、磁気ディスクへ静電気
によるノイズが発生してしまった。

【００５５】

【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
セラミックスの体積固有抵抗値を所望の値に制御でき、
かつ容易に緻密化ができ平坦な表面を有することから、
高い寸法精度および耐摩耗性に優れた帯電防止部材が作
製でき、静電気による悪影響を防止することができる。

【００５６】また、セラミックスの熱膨張係数を所望の
範囲に制御できるとともに、高いヤング率を有するもの
であることから、構造部材、特に磁気ディスクの保持部
材として使用すれば、磁気ディスク基板の熱膨張係数と
近似させることが出来、高速回転時に高温になっても熱
膨張差に伴う不都合を生じることが無く、かつ磁気ディ
スク基板に帯電した静電気を効率良く逃すことができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の磁気ディスク装置を示す概略断面図で
ある。

【図２】本発明の導電性セラミックスの組織を説明する
ための図である。

【符号の説明】

１０：シム１１：スペーサ１２：クランプ１３：回転軸１４：ハブ１５：磁気ディスク基板１７：磁気ヘッド

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 4G030 AA07 AA08 AA09 AA10 AA16 AA20 AA27 AA28 AA29 AA31 AA32 AA35 AA37 AA39 AA45 AA49 AA60 AA61 BA01 BA02 BA21 CA01 4G031 AA03 AA04 AA05 AA06 AA11 AA14 AA21 AA22 AA23 AA25 AA26 AA28 AA30 AA31 AA37 AA38 AA39 AA40 BA01 BA02 BA21 CA01

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】Ｚｎ、Ｍｇ、Ｃａ、ＳｒおよびＢａの群か
ら選ばれる少なくとも１種と、ＴｉおよびＳｉとを含有
する酸化物に対して、導電性付与材として、金属、カー
ボン、酸化鉄、酸化錫、酸化銅、酸化コバルト、酸化ニ
オブ、酸化ニッケル、炭化チタンおよび窒化チタンの群
から選ばれる少なくとも１種を含有し、−５０〜８５℃
における体積固有抵抗が１０²〜１０⁸Ω・ｃｍ、かつ
表面粗さ（Ｒａ）が２．０μｍ以下であることを特徴と
する導電性セラミックス。
【請求項２】Ｚｎ、Ｍｇ、Ｃａ、ＳｒおよびＢａの群か
ら選ばれる少なくとも１種と、ＴｉおよびＳｉとを含有
する酸化物系セラミックスからなり、該セラミックス中
に導電性付与材として酸化亜鉛が存在してなり、−５０
〜８５℃における体積固有抵抗が１０²〜１０²Ω・ｃ
ｍ、かつ表面粗さ（Ｒａ）が２．０μｍ以下であること
を特徴とする導電性セラミックス。
【請求項３】前記Ｚｎ、Ｍｇ、Ｃａ、ＳｒおよびＢａの
群から選ばれる少なくとも１種と、ＴｉおよびＳｉとを
含有する酸化物が、スピネル型結晶相、イルメナイト型
結晶相、ウイレマイト型結晶相、エンスタタイト型結晶
相、ＣａＳｉＯ₃、ＳｒＳｉＯ₃、ＢａＳｉＯ₃、Ｓｉ
Ｏ₂型結晶相の群から選ばれる少なくとも１種以上であ
ることを特徴とする請求項１または２記載の導電性セラ
ミックス。
【請求項４】ホウ素（Ｂ）を酸化物換算で１５重量％以
下含有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか
記載の導電性セラミックス。
【請求項５】−５０〜８５℃における熱膨張係数が４×
１０^-6〜１×１０^-5／℃であることを特徴とする請求項
１乃至４のいずれか記載の導電性セラミックス。
【請求項６】−５０〜８５℃におけるヤング率が８０Ｇ
Ｐａ以上であることを特徴とする請求項１乃至５のいず
れか記載の導電性セラミックス。
【請求項７】請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の
導電性セラミックスからなることを特徴とする帯電防止
部材。
【請求項８】複数の磁気ディスクを所定の間隔で保持
し、該複数の磁気ディスクからの情報の読み取りまたは
情報の書き込みが可能な磁気ディスク装置であって、前
記磁気ディスクを保持する部材が、請求項１乃至請求項
６のいずれかに記載の導電性セラミックスからなること
を特徴とする磁気ディスク装置。