JP2000312055A - 半導体レーザ装置及びそれを用いた光伝送装置 - Google Patents
半導体レーザ装置及びそれを用いた光伝送装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】Ｓi基板に容易に形成可能な半導体レーザ及び
それを用いた光伝送装置を提供すること。 【解決手段】半導体レーザの活性層をベータ鉄シリサイ
ド（β−ＦeＳi2）によって形成し、クラッド層をＳi系
材料によって形成する。 【効果】同一Ｓi基板に半導体レーザと電気信号回路と
を集積化してなる光伝送装置を実現することができる。
それを用いた光伝送装置を提供すること。 【解決手段】半導体レーザの活性層をベータ鉄シリサイ
ド（β−ＦeＳi2）によって形成し、クラッド層をＳi系
材料によって形成する。 【効果】同一Ｓi基板に半導体レーザと電気信号回路と
を集積化してなる光伝送装置を実現することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体材料からな
るレーザ装置及び当該装置を用いた光伝送装置に関す
る。
るレーザ装置及び当該装置を用いた光伝送装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】光通信システムの光源に発光波長が１．
３μｍ帯及び１．５５μｍ帯の半導体レーザ装置（以下
単に「半導体レーザ」という）が広くに用いられる。現
在実用化されているそのような波長帯の半導体レーザ
は、ＩnＧaＡsＰ等のIII−Ｖ族化合物半導体によって形
成されるのが普通である。光通信システムで用いられる
通常の光ケーブルは、１．３μｍ帯及び１．５５μｍ帯
で損失が最も低くなる特性を有しているが、前記化合物
半導体は、その波長帯に対応するバンドギャップを持つ
直接遷移半導体である。
３μｍ帯及び１．５５μｍ帯の半導体レーザ装置（以下
単に「半導体レーザ」という）が広くに用いられる。現
在実用化されているそのような波長帯の半導体レーザ
は、ＩnＧaＡsＰ等のIII−Ｖ族化合物半導体によって形
成されるのが普通である。光通信システムで用いられる
通常の光ケーブルは、１．３μｍ帯及び１．５５μｍ帯
で損失が最も低くなる特性を有しているが、前記化合物
半導体は、その波長帯に対応するバンドギャップを持つ
直接遷移半導体である。
【０００３】なお、半導体レーザは、基本的には、活性
層と当該活性層で発光した光を閉じ込めるためのｎ型ク
ラッド層及びｐ型クラッド層とを有し、その代表例とし
て、基板面に垂直な２個の反射面でそれらを挟んで共振
器を形成する端面反射型と、基板面に平行な２個の反射
鏡でそれらを挟んで共振器を形成する面発光型とがあ
る。通常、ｎ型クラッド層が下部に（基板側に）配置さ
れ、ｐ型クラッド層が上部に配置される。
層と当該活性層で発光した光を閉じ込めるためのｎ型ク
ラッド層及びｐ型クラッド層とを有し、その代表例とし
て、基板面に垂直な２個の反射面でそれらを挟んで共振
器を形成する端面反射型と、基板面に平行な２個の反射
鏡でそれらを挟んで共振器を形成する面発光型とがあ
る。通常、ｎ型クラッド層が下部に（基板側に）配置さ
れ、ｐ型クラッド層が上部に配置される。
【０００４】光通信システムを代表する光通信網は、高
速大容量化が進み、幹線系の発展が著しいが、今後の構
想として、光通信網を家庭にまで浸透させることを狙
い、加入者系に光通信を導入しようとする動きが浮上し
つつある。
速大容量化が進み、幹線系の発展が著しいが、今後の構
想として、光通信網を家庭にまで浸透させることを狙
い、加入者系に光通信を導入しようとする動きが浮上し
つつある。
【０００５】さて、インターネットの普及及び発展に伴
い、家庭への送受信データは、将来ますます大容量化さ
れると予想されるが、光通信導入の光加入者系は、その
ような動きに応えるものとなる。光加入者系の基本要素
となる半導体レーザ及びこれを用いた光伝送装置は、家
庭用を指向するため、特にその低コスト化・高性能化が
厳しく追及され、今後の素子開発に必須の技術課題がと
なっている。
い、家庭への送受信データは、将来ますます大容量化さ
れると予想されるが、光通信導入の光加入者系は、その
ような動きに応えるものとなる。光加入者系の基本要素
となる半導体レーザ及びこれを用いた光伝送装置は、家
庭用を指向するため、特にその低コスト化・高性能化が
厳しく追及され、今後の素子開発に必須の技術課題がと
なっている。
【０００６】光伝送装置の低コスト化、高性能化の追及
の一つとして、光デバイスと電気信号回路との集積化が
盛んに研究されている。そのような集積化が進めば、単
にサイズの小型化に止まらず、部品の削減や信頼性の向
上などの効果により、低価格化、堅牢化、高信頼化、低
電力化、高性能化が実現されることになる。
の一つとして、光デバイスと電気信号回路との集積化が
盛んに研究されている。そのような集積化が進めば、単
にサイズの小型化に止まらず、部品の削減や信頼性の向
上などの効果により、低価格化、堅牢化、高信頼化、低
電力化、高性能化が実現されることになる。
【０００７】Ｓi基板上に電気信号回路を集積化する技
術は高度に成熟している。従って、そのＳi基板上にＧa
Ａs系半導体レーザを搭載する技術（例えば「ジャパニ
ーズ・ジャーナル・オブ・アプライド・フィジクス〔Ja
panese journal of AppliedPhysics)」（１９９１年１
２月発行）第３０巻第１２Ｂ号第３８７６頁〜第３８７
８頁参照〕が集積化光伝送装置を実現するためのポイン
トとなる。しかし、ＧaＡs系等のIII−Ｖ族化合物半導
体とＳiとは、結晶構造が大きく異なるため、Ｓi基板と
半導体レーザとの間に格子不整合による歪を緩和するた
めの層の介在が必要になる。介在する層の構造は、複雑
であり、また多くの製造工程を必要とし、目的とする低
コスト化を実現することが困難という問題点があった。
術は高度に成熟している。従って、そのＳi基板上にＧa
Ａs系半導体レーザを搭載する技術（例えば「ジャパニ
ーズ・ジャーナル・オブ・アプライド・フィジクス〔Ja
panese journal of AppliedPhysics)」（１９９１年１
２月発行）第３０巻第１２Ｂ号第３８７６頁〜第３８７
８頁参照〕が集積化光伝送装置を実現するためのポイン
トとなる。しかし、ＧaＡs系等のIII−Ｖ族化合物半導
体とＳiとは、結晶構造が大きく異なるため、Ｓi基板と
半導体レーザとの間に格子不整合による歪を緩和するた
めの層の介在が必要になる。介在する層の構造は、複雑
であり、また多くの製造工程を必要とし、目的とする低
コスト化を実現することが困難という問題点があった。
【０００８】また、実用化が期待されている集積化の別
の技術として、平面光回路（PLC:Planer Lightwave Cir
cuit）を用いたハイブリッド光集積回路がある。これ
は、従来光ファイバを用いていた光デバイス間接続を基
板上に形成されたＳiＯ2等の光導波路で置き換えること
により小型化を図るものである。
の技術として、平面光回路（PLC:Planer Lightwave Cir
cuit）を用いたハイブリッド光集積回路がある。これ
は、従来光ファイバを用いていた光デバイス間接続を基
板上に形成されたＳiＯ2等の光導波路で置き換えること
により小型化を図るものである。
【０００９】しかしながら、III−Ｖ族化合物半導体を
材料に用いた半導体レーザがＳiやＳiＯ2と屈折率や熱
膨張係数等が大きく異なるため、半導体レーザと光導波
路との間に結合損失が生じることが避けられず、また位
置合わせが厳しくなるという問題点があった。
材料に用いた半導体レーザがＳiやＳiＯ2と屈折率や熱
膨張係数等が大きく異なるため、半導体レーザと光導波
路との間に結合損失が生じることが避けられず、また位
置合わせが厳しくなるという問題点があった。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、前記
従来技術の前者の問題点を解決し、Ｓi基板に容易に形
成可能な半導体レーザ及びそれを用いた光伝送装置を提
供することにある。
従来技術の前者の問題点を解決し、Ｓi基板に容易に形
成可能な半導体レーザ及びそれを用いた光伝送装置を提
供することにある。
【００１１】
【発明を解決するための手段】本発明の前記課題は、半
導体レーザの活性層をベータ鉄シリサイド（β−ＦeＳi
2）によって形成し、更に、上部及び下部クラッド層を
Ｓi系材料によって形成することにより、効果的に解決
することが可能である。そのような手段を採用すれば、
全体がＳi系材料で形成される結果、Ｓi基板との間に格
子不整合を生ずることがなく、Ｓi基板上に容易に半導
体レーザを形成することができるからである。面発光型
の場合、反射鏡もＳi系材料の採用が可能となる。
導体レーザの活性層をベータ鉄シリサイド（β−ＦeＳi
2）によって形成し、更に、上部及び下部クラッド層を
Ｓi系材料によって形成することにより、効果的に解決
することが可能である。そのような手段を採用すれば、
全体がＳi系材料で形成される結果、Ｓi基板との間に格
子不整合を生ずることがなく、Ｓi基板上に容易に半導
体レーザを形成することができるからである。面発光型
の場合、反射鏡もＳi系材料の採用が可能となる。
【００１２】もっとも、ベータ鉄シリサイドが直接遷移
半導体であることを示し、これを活性層に利用した発光
波長が１．５μｍの発光ダイオードが開示されている
〔例えば英国雑誌「ネーチャ(nature)」（１９９７年６
月発行）第３８７巻第６８６頁〜第６８８頁参照〕。
半導体であることを示し、これを活性層に利用した発光
波長が１．５μｍの発光ダイオードが開示されている
〔例えば英国雑誌「ネーチャ(nature)」（１９９７年６
月発行）第３８７巻第６８６頁〜第６８８頁参照〕。
【００１３】本発明は、直接遷移半導体であるベータ鉄
シリサイドのバンドギャップが０．８〜０．９５ｅＶで
発光波長が１．３μｍ〜１．５５μｍ帯になることか
ら、これを半導体レーザの活性層に用い、かつ、全体を
Ｓi系材料で形成することにより、加入者系等の一般向
け光通信に好適な半導体レーザを提案するものである。
シリサイドのバンドギャップが０．８〜０．９５ｅＶで
発光波長が１．３μｍ〜１．５５μｍ帯になることか
ら、これを半導体レーザの活性層に用い、かつ、全体を
Ｓi系材料で形成することにより、加入者系等の一般向
け光通信に好適な半導体レーザを提案するものである。
【００１４】半導体レーザを形成する基板をＳiとする
ことにより、当該基板に通常の半導体集積回路技術によ
って多数の電気信号回路を集積化することが可能とな
り、それによって同一Ｓi基板上に光デバイスと電気信
号回路とを集積化した光伝送装置を実現することができ
る。本発明の光伝送装置には、半導体集積回路で培われ
た円熟した技術が利用可能であり、従って、コストの大
幅な削減を実現することができる。
ことにより、当該基板に通常の半導体集積回路技術によ
って多数の電気信号回路を集積化することが可能とな
り、それによって同一Ｓi基板上に光デバイスと電気信
号回路とを集積化した光伝送装置を実現することができ
る。本発明の光伝送装置には、半導体集積回路で培われ
た円熟した技術が利用可能であり、従って、コストの大
幅な削減を実現することができる。
【００１５】また、本発明の半導体レーザをＳiＯ2等の
導波路を形成してなるＳi基板に形成することにより、
結合損失の少ないハイブリッド光集積回路を実現するこ
とができる。半導体レーザがＳi系材料によってなるの
で、その屈折率や熱膨張係数等が光導波路と合致するか
らである。
導波路を形成してなるＳi基板に形成することにより、
結合損失の少ないハイブリッド光集積回路を実現するこ
とができる。半導体レーザがＳi系材料によってなるの
で、その屈折率や熱膨張係数等が光導波路と合致するか
らである。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る半導体レーザ
及びそれを用いた光伝送装置を図面を用いた幾つかの実
施例による発明の実施の形態を参照して更に詳細に説明
する。なお、図１〜図９における同一の記号は、同一物
又は類似物を表示するものとする。
及びそれを用いた光伝送装置を図面を用いた幾つかの実
施例による発明の実施の形態を参照して更に詳細に説明
する。なお、図１〜図９における同一の記号は、同一物
又は類似物を表示するものとする。
【００１７】
【実施例】＜実施例１＞本発明による面発光半導体レー
ザの実施例を図１に示す。図１は、当該半導体レーザの
断面構造を示し、101はｎ型Ｓi基板、102は、ｎ型Ｓi基
板101上に形成したＳi／ＳiＯ2多層膜からなる下部反射
鏡、103は、下部反射鏡102上に形成した不純物濃度１×
１０18／ｃｍ3のｎ型Ｓiクラッド層（下部クラッド
層）、104は、ｎ型クラッド層103上に形成したベータ鉄
シリサイドによる活性層、105は、活性層104上に形成し
た不純物濃度１×１０18／ｃｍ3のｐ型Ｓiクラッド層
（上部クラッド層）、106は、ｐ型クラッド層105の上に
形成したＳi／ＳiＯ2多層膜からなる上部反射鏡、107，
108は、ｎ型クラッド層103及びｐ型クラッド層105に電
気的に接続されたそれぞれｎ型電極、ｐ型電極である。
活性層104で生起した光がクラッド層103，105によって
閉じ込められかつ下部及び上部反射鏡102，106で反射し
て共振し、レーザ光となる。下部及び上部反射鏡102，1
06に挟まれた構造が共振器となる。レーザ光の波長は、
１．５５μｍである。
ザの実施例を図１に示す。図１は、当該半導体レーザの
断面構造を示し、101はｎ型Ｓi基板、102は、ｎ型Ｓi基
板101上に形成したＳi／ＳiＯ2多層膜からなる下部反射
鏡、103は、下部反射鏡102上に形成した不純物濃度１×
１０18／ｃｍ3のｎ型Ｓiクラッド層（下部クラッド
層）、104は、ｎ型クラッド層103上に形成したベータ鉄
シリサイドによる活性層、105は、活性層104上に形成し
た不純物濃度１×１０18／ｃｍ3のｐ型Ｓiクラッド層
（上部クラッド層）、106は、ｐ型クラッド層105の上に
形成したＳi／ＳiＯ2多層膜からなる上部反射鏡、107，
108は、ｎ型クラッド層103及びｐ型クラッド層105に電
気的に接続されたそれぞれｎ型電極、ｐ型電極である。
活性層104で生起した光がクラッド層103，105によって
閉じ込められかつ下部及び上部反射鏡102，106で反射し
て共振し、レーザ光となる。下部及び上部反射鏡102，1
06に挟まれた構造が共振器となる。レーザ光の波長は、
１．５５μｍである。
【００１８】以上の本面発光半導体レーザの作製方法を
図２及び図３を用いて以下に説明する。まず、図２に示
すように、Ｓi基板101上に熱酸化とウエハ融着により、
１０周期のＳi／ＳiＯ2多層膜からなる下部反射鏡102を
形成する。即ち、最初にＳi基板101を熱酸化してＳiＯ2
膜110を形成する（図２ａ）。次に、形成したＳiＯ2膜1
10の表面と、別のＳi基板111の表面とを密着させ、真空
中で加重を掛けながら、５００℃で３０分アニールして
融着させる（図２ｂ）。続いて、ＳiＯ2膜110上に融着
したＳi基板111を研磨により所定の厚さを残して除去す
る（図２ｃ)。以上の工程により、一周期の反射鏡が形
成される。
図２及び図３を用いて以下に説明する。まず、図２に示
すように、Ｓi基板101上に熱酸化とウエハ融着により、
１０周期のＳi／ＳiＯ2多層膜からなる下部反射鏡102を
形成する。即ち、最初にＳi基板101を熱酸化してＳiＯ2
膜110を形成する（図２ａ）。次に、形成したＳiＯ2膜1
10の表面と、別のＳi基板111の表面とを密着させ、真空
中で加重を掛けながら、５００℃で３０分アニールして
融着させる（図２ｂ）。続いて、ＳiＯ2膜110上に融着
したＳi基板111を研磨により所定の厚さを残して除去す
る（図２ｃ)。以上の工程により、一周期の反射鏡が形
成される。
【００１９】この工程を繰返すことにより、図２ｄに示
す任意の周期の反射鏡が得られる。本実施例では、１０
周期としたが、周期数は、任意に選択可能であることは
言うまでもない。なお、次にエピタキシャル成長工程が
あることを考慮して、反射鏡の最上部層は、Ｓi層とす
る。
す任意の周期の反射鏡が得られる。本実施例では、１０
周期としたが、周期数は、任意に選択可能であることは
言うまでもない。なお、次にエピタキシャル成長工程が
あることを考慮して、反射鏡の最上部層は、Ｓi層とす
る。
【００２０】下部反射鏡102を形成した後の工程を図３
に示す。まず、反射鏡102の上に分子線エピタキシー法
により、ｎ型Ｓiクラッド層103、不純物を含まないアン
ドープＳi層112、ｐ型Ｓiクラッド層105を順にエピタキ
シャル成長させる（図３ａ）。このとき、ｎ型の不純物
（ドーパント）にＢを用い、ｐ型の不純物にＳbを用い
る。
に示す。まず、反射鏡102の上に分子線エピタキシー法
により、ｎ型Ｓiクラッド層103、不純物を含まないアン
ドープＳi層112、ｐ型Ｓiクラッド層105を順にエピタキ
シャル成長させる（図３ａ）。このとき、ｎ型の不純物
（ドーパント）にＢを用い、ｐ型の不純物にＳbを用い
る。
【００２１】次に、ベータ鉄シリサイド活性層104を形
成するためにＦeのイオン打ち込みを行なう（図３ｂ)。
Ｆeイオンの打ち込みエネルギーは１００ｋＶ、ドーズ
量は１×１０17ions／ｃｍ2とする。イオン打ち込みの
後、Ａr雰囲気中で９００℃で２４時間のアニールを行
なう。このイオン打ち込みとそれに続くアニールによ
り、アンドープＳi層112は、膜厚０．１５μｍのβ−Ｆ
eＳi2活性層104となる（図３ｃ）。以上の工程でｐ型ク
ラッド層105までが形成される。
成するためにＦeのイオン打ち込みを行なう（図３ｂ)。
Ｆeイオンの打ち込みエネルギーは１００ｋＶ、ドーズ
量は１×１０17ions／ｃｍ2とする。イオン打ち込みの
後、Ａr雰囲気中で９００℃で２４時間のアニールを行
なう。このイオン打ち込みとそれに続くアニールによ
り、アンドープＳi層112は、膜厚０．１５μｍのβ−Ｆ
eＳi2活性層104となる（図３ｃ）。以上の工程でｐ型ク
ラッド層105までが形成される。
【００２２】以上の工程とは別に、図２に示した工程を
用いてＳi／ＳiＯ2多層膜からなる上部反射鏡106を形成
したＳi基板を用意する。この別途用意したＳi基板を反
射鏡側を下にしてｐ型クラッド層105に融着し、余分な
部分を研磨により削り落す（図３ｄ）。融着の条件は、
図２ｂに示した工程の場合と同じとする。
用いてＳi／ＳiＯ2多層膜からなる上部反射鏡106を形成
したＳi基板を用意する。この別途用意したＳi基板を反
射鏡側を下にしてｐ型クラッド層105に融着し、余分な
部分を研磨により削り落す（図３ｄ）。融着の条件は、
図２ｂに示した工程の場合と同じとする。
【００２３】続いて、フォトリソグラフィとドライエッ
チングにより、下部反射鏡106を所定の形状にすると共
に、ｎ型クラッド層103及びｐ型クラッド層105を露出さ
せる（図３ｅ）。最後に、それらの層の上にＡl蒸着に
より、それぞれｎ型電極107、ｐ型電極108を形成する
（図３ｆ）。
チングにより、下部反射鏡106を所定の形状にすると共
に、ｎ型クラッド層103及びｐ型クラッド層105を露出さ
せる（図３ｅ）。最後に、それらの層の上にＡl蒸着に
より、それぞれｎ型電極107、ｐ型電極108を形成する
（図３ｆ）。
【００２４】本実施例の面発光半導体レーザは、活性層
104にβ−ＦeＳi2を用いることにより、反射鏡102，106
にＳi／ＳiＯ2多層膜の採用が可能となり、更に、活性
層104及び反射鏡102，106にＳi系材料を用いることか
ら、半導体レーザをＳi基板上に形成することが可能と
なる。
104にβ−ＦeＳi2を用いることにより、反射鏡102，106
にＳi／ＳiＯ2多層膜の採用が可能となり、更に、活性
層104及び反射鏡102，106にＳi系材料を用いることか
ら、半導体レーザをＳi基板上に形成することが可能と
なる。
【００２５】Ｓi／ＳiＯ2多層膜においては、Ｓiが屈折
率３．２４、ＳiＯ2が屈折率１．４６であることから、
大きな屈折率差が得られ、これによって高い反射率の反
射鏡を少ない層数で形成することが可能となる。従来の
ＩnＰ系の材料では、この屈折率差が小さいため、層数
を多くしても十分な反射率を得ることが困難である。本
実施例は、ＩnＰ系材料では作製が困難であった１．５
５μｍ帯の面発光半導体レーザを提供するものである。
なお、本発明では、この波長に限らず、活性層104のベ
ータ鉄シリサイドの組成比を変えることによってバンド
ギャプを変え、１．３μｍ帯とすることが可能である。
率３．２４、ＳiＯ2が屈折率１．４６であることから、
大きな屈折率差が得られ、これによって高い反射率の反
射鏡を少ない層数で形成することが可能となる。従来の
ＩnＰ系の材料では、この屈折率差が小さいため、層数
を多くしても十分な反射率を得ることが困難である。本
実施例は、ＩnＰ系材料では作製が困難であった１．５
５μｍ帯の面発光半導体レーザを提供するものである。
なお、本発明では、この波長に限らず、活性層104のベ
ータ鉄シリサイドの組成比を変えることによってバンド
ギャプを変え、１．３μｍ帯とすることが可能である。
【００２６】次に、同一のＳi基板上に面発光半導体レ
ーザと電気信号回路とを形成して集積化した光伝送装置
の実施例を図４に示す。図４において、150は、Ｓi基板
101上に上記の方法によって形成した面発光半導体レー
ザ、152は、面発光半導体レーザ150に伝送すべき送信信
号を供給するための駆動回路、153は、駆動回路152に供
給する送信信号を生成する送信回路である。駆動回路15
2及び送信回路153が電気信号回路151となるが、この電
気信号回路と、半導体レーザ150、駆動回路152及び送信
回路153を電気的に相互に接続するための配線154とが通
常の半導体集積回路技術によって形成される。
ーザと電気信号回路とを形成して集積化した光伝送装置
の実施例を図４に示す。図４において、150は、Ｓi基板
101上に上記の方法によって形成した面発光半導体レー
ザ、152は、面発光半導体レーザ150に伝送すべき送信信
号を供給するための駆動回路、153は、駆動回路152に供
給する送信信号を生成する送信回路である。駆動回路15
2及び送信回路153が電気信号回路151となるが、この電
気信号回路と、半導体レーザ150、駆動回路152及び送信
回路153を電気的に相互に接続するための配線154とが通
常の半導体集積回路技術によって形成される。
【００２７】本実施例の光伝送装置は、面発光半導体レ
ーザと電気信号回路とを同一基板上に形成することによ
って著しく小型化され、低価格かつ高信頼の装置とな
る。
ーザと電気信号回路とを同一基板上に形成することによ
って著しく小型化され、低価格かつ高信頼の装置とな
る。
【００２８】＜実施例２＞上部及び下部反射鏡に３次元
ブラッグ（Bragg）反射器を用いた別の面発光半導体レ
ーザの実施例を図５に示す。図５において、201はｎ型
Ｓi基板、202，206は、Ｓi／ＳiＯ2からなる３次元ブラ
ッグ（Bragg）反射器によるそれぞれ下部反射鏡及び上
部反射鏡、213は、下部反射鏡202及び上部反射鏡206で
挟んだ光閉じ込め層、204は、光閉じ込め層213の中央部
に形成した活性層を示す。なお、本実施例の場合は、ｎ
型電極207が基板201の裏面に形成され、ｐ型電極208が
上部反射鏡206の上に形成される。レーザ光の波長は、
実施例１の場合と同様１．５５μｍである。
ブラッグ（Bragg）反射器を用いた別の面発光半導体レ
ーザの実施例を図５に示す。図５において、201はｎ型
Ｓi基板、202，206は、Ｓi／ＳiＯ2からなる３次元ブラ
ッグ（Bragg）反射器によるそれぞれ下部反射鏡及び上
部反射鏡、213は、下部反射鏡202及び上部反射鏡206で
挟んだ光閉じ込め層、204は、光閉じ込め層213の中央部
に形成した活性層を示す。なお、本実施例の場合は、ｎ
型電極207が基板201の裏面に形成され、ｐ型電極208が
上部反射鏡206の上に形成される。レーザ光の波長は、
実施例１の場合と同様１．５５μｍである。
【００２９】ここで用いる３次元ブラッグ反射器は、Ｓ
iとＳiＯ2からなるストライプが互いに井桁状に重なっ
たものである。ＳiＯ2は、この井桁構造の周期、即ち、
Ｓi：ＳiＯ2の充填率は、活性層204の発光波長（１．５
５μｍ）の光の伝播を禁止するように設定される。通
常、各層の厚さ及ストライプの幅は、０．１〜１μｍで
ある。
iとＳiＯ2からなるストライプが互いに井桁状に重なっ
たものである。ＳiＯ2は、この井桁構造の周期、即ち、
Ｓi：ＳiＯ2の充填率は、活性層204の発光波長（１．５
５μｍ）の光の伝播を禁止するように設定される。通
常、各層の厚さ及ストライプの幅は、０．１〜１μｍで
ある。
【００３０】一方、光閉じ込め層213は、基板201の水平
方向にのみ周期構造を持つ。このような３次元構造の層
213と同じく３次元構造の下部及び上部反射鏡202，206
とにより、自然放出光はレーザの出射方向のみに制限さ
れる。これにより、レーザ光の共振モードへの結合効率
が増大し、従って、閾値電流が低減するという好ましい
結果を得ることができる。なお、下部及び上部反射鏡20
2，206のＳiは、それぞれｎ型Ｓi、ｐ型Ｓiを用いて形
成されており、反射鏡202，206のＳi部分が導電層を兼
ねている。
方向にのみ周期構造を持つ。このような３次元構造の層
213と同じく３次元構造の下部及び上部反射鏡202，206
とにより、自然放出光はレーザの出射方向のみに制限さ
れる。これにより、レーザ光の共振モードへの結合効率
が増大し、従って、閾値電流が低減するという好ましい
結果を得ることができる。なお、下部及び上部反射鏡20
2，206のＳiは、それぞれｎ型Ｓi、ｐ型Ｓiを用いて形
成されており、反射鏡202，206のＳi部分が導電層を兼
ねている。
【００３１】以上の本面発光レーザの作製方法を図６及
び図７を用いて以下に説明する。最初に、ｎ型Ｓi基板2
01の上に電子線リソグラフィによってレジストパターン
214を形成する（図６ａ）。これを熱酸化することによ
り、レジストパターン214が塗布されない部分にＳiＯ2
のストライプパターン215が形成される（図６ｂ）。
び図７を用いて以下に説明する。最初に、ｎ型Ｓi基板2
01の上に電子線リソグラフィによってレジストパターン
214を形成する（図６ａ）。これを熱酸化することによ
り、レジストパターン214が塗布されない部分にＳiＯ2
のストライプパターン215が形成される（図６ｂ）。
【００３２】次に、この上に別のｎ型Ｓi基板216を融着
し、一層分の厚さまで研磨する（図６ｃ）。その後、電
子線リソグラフィを用いて先に形成したストライプと直
交する方向にレジストパターンを形成する。これを熱酸
化することにより、レジストパターン214が塗布されな
い部分にＳiＯ2の一組の直交するストライプパターンが
形成される（図６ｄ）。この図６ａ〜図６ｄの工程を繰
返すことにより、任意の周期の構造を得ることができ
る。
し、一層分の厚さまで研磨する（図６ｃ）。その後、電
子線リソグラフィを用いて先に形成したストライプと直
交する方向にレジストパターンを形成する。これを熱酸
化することにより、レジストパターン214が塗布されな
い部分にＳiＯ2の一組の直交するストライプパターンが
形成される（図６ｄ）。この図６ａ〜図６ｄの工程を繰
返すことにより、任意の周期の構造を得ることができ
る。
【００３３】このようにして１０周期積み重ねの構造を
形成した後、その上に光閉じ込め層213を形成する。即
ち、図６ｃに示したのと同様の方法でアンドープＳi基
板を１０周期構造の上に融着し、研磨する。研磨後残す
層厚は、完成時の光閉じ込め層213の厚さ（３層分）と
同じにする。続いて、研磨面にレジストパターン214を
形成し、熱酸化を行なう（図６ｅ）。更に、これと直交
する方向に同様の工程を行なう。その結果、図６ｆに示
した田の字型のパターンが形成される。ここでは、精度
を上げるため、二段階の工程を採用したが、初めからレ
ジストパターンを田の字型としてもよい。
形成した後、その上に光閉じ込め層213を形成する。即
ち、図６ｃに示したのと同様の方法でアンドープＳi基
板を１０周期構造の上に融着し、研磨する。研磨後残す
層厚は、完成時の光閉じ込め層213の厚さ（３層分）と
同じにする。続いて、研磨面にレジストパターン214を
形成し、熱酸化を行なう（図６ｅ）。更に、これと直交
する方向に同様の工程を行なう。その結果、図６ｆに示
した田の字型のパターンが形成される。ここでは、精度
を上げるため、二段階の工程を採用したが、初めからレ
ジストパターンを田の字型としてもよい。
【００３４】その後、Ｆeのイオン注入と、アニールを
行ない、光閉じ込め層213の中央部分にβ−ＦeＳi2活性
層204を形成する。注入及びアニールの条件は、実施例
１の場合と同じである。光閉じ込め層213は、活性層204
とその上下の層の３層構造になるが、その上の層が上部
クラッド層、下の層が下部クラッド層になる。
行ない、光閉じ込め層213の中央部分にβ−ＦeＳi2活性
層204を形成する。注入及びアニールの条件は、実施例
１の場合と同じである。光閉じ込め層213は、活性層204
とその上下の層の３層構造になるが、その上の層が上部
クラッド層、下の層が下部クラッド層になる。
【００３５】活性層204の形成の後、光閉じ込め層213の
上に上部反射鏡206を形成する。上部反射鏡206は、基板
にｐ型Ｓi基板を採用して図６ａ〜図６ｄと同様の方法
を用いて形成する。最後に、Ａl蒸着により、上記各層
を形成したＳi基板201の表面にｐ型電極208、裏面にｎ
型電極207を形成する。
上に上部反射鏡206を形成する。上部反射鏡206は、基板
にｐ型Ｓi基板を採用して図６ａ〜図６ｄと同様の方法
を用いて形成する。最後に、Ａl蒸着により、上記各層
を形成したＳi基板201の表面にｐ型電極208、裏面にｎ
型電極207を形成する。
【００３６】本実施例の面発光半導体レーザは、前記し
た閾値電流を低減することができる効果に加え、実施例
１の場合と同様、Ｓi基板上に形成することが可能とい
う効果を有する。
た閾値電流を低減することができる効果に加え、実施例
１の場合と同様、Ｓi基板上に形成することが可能とい
う効果を有する。
【００３７】なお、上記のブラッグ反射器202，206及び
光閉じ込め層213のＳi化合物にＳiO2を採用したが、本
発明は、これに限らず、屈折率の低い他のＳi化合物、
例えばＳiＧeやＳi3Ｎ4等を採用可能であり、同様の効
果を得ることができる。
光閉じ込め層213のＳi化合物にＳiO2を採用したが、本
発明は、これに限らず、屈折率の低い他のＳi化合物、
例えばＳiＧeやＳi3Ｎ4等を採用可能であり、同様の効
果を得ることができる。
【００３８】＜実施例３＞本発明による端面反射型のリ
ッジ型半導体レーザの実施例を図８に示す。図８は、当
該半導体レーザの断面構造を示し、301はｎ型Ｓi基板、
303は、ｎ型Ｓi基板301の上に形成した不純物濃度が１
×１０18／ｃｍ3のｎ型Ｓiクラッド層（下部クラッド
層）、304はｎ型Ｓiクラッド層303上に形成したベータ
鉄シリサイドによる活性層、305は、活性層304上に形成
した不純物濃度が１×１０18／ｃｍ3のｐ型Ｓiクラッド
層（上部クラッド層）、307は、基板301の裏面に形成し
たｎ型電極、308は、クラッド層305に接して形成したｐ
型電極である。
ッジ型半導体レーザの実施例を図８に示す。図８は、当
該半導体レーザの断面構造を示し、301はｎ型Ｓi基板、
303は、ｎ型Ｓi基板301の上に形成した不純物濃度が１
×１０18／ｃｍ3のｎ型Ｓiクラッド層（下部クラッド
層）、304はｎ型Ｓiクラッド層303上に形成したベータ
鉄シリサイドによる活性層、305は、活性層304上に形成
した不純物濃度が１×１０18／ｃｍ3のｐ型Ｓiクラッド
層（上部クラッド層）、307は、基板301の裏面に形成し
たｎ型電極、308は、クラッド層305に接して形成したｐ
型電極である。
【００３９】以上の本半導体レーザの作製方法を以下に
記す。ｎ型Ｓi基板301上に、ｎ型Ｓiクラッド層303、ア
ンドープＳi層、ｐ型Ｓiクラッド層305を分子線エピタ
キシー法によって形成する。各層の膜厚は、クラッド層
303，305を各々１μｍ、アンドープＳi層を０．１μｍ
とする。このとき、ｎ型の不純物にＢを用い、ｐ型の不
純物にＳbを用いる。なお、不純物は、これに限らず、
それぞれの導電性を与える他の不純物を使用することが
できる。
記す。ｎ型Ｓi基板301上に、ｎ型Ｓiクラッド層303、ア
ンドープＳi層、ｐ型Ｓiクラッド層305を分子線エピタ
キシー法によって形成する。各層の膜厚は、クラッド層
303，305を各々１μｍ、アンドープＳi層を０．１μｍ
とする。このとき、ｎ型の不純物にＢを用い、ｐ型の不
純物にＳbを用いる。なお、不純物は、これに限らず、
それぞれの導電性を与える他の不純物を使用することが
できる。
【００４０】次に、Ｆeのイオン打ち込みを行なう。打
ち込みエネルギーは１．４ＭｅＶ、ドーズ量は１×１０
17ions／ｃｍ2とする。この打ち込みエネルギーは、Ｆe
イオンがクラッド層305を通過し、アンドープＳi層に丁
度届くように設定されたものである。クラッド層305の
厚さを変えた場合は、打ち込みエネルギーはそれに準じ
た値になる。続いて、Ａr雰囲気中において、９００℃
で２４時間のアニールを行なう。このアニールによりア
ンドープＳi層がβ−ＦeＳi2の活性層304となる。
ち込みエネルギーは１．４ＭｅＶ、ドーズ量は１×１０
17ions／ｃｍ2とする。この打ち込みエネルギーは、Ｆe
イオンがクラッド層305を通過し、アンドープＳi層に丁
度届くように設定されたものである。クラッド層305の
厚さを変えた場合は、打ち込みエネルギーはそれに準じ
た値になる。続いて、Ａr雰囲気中において、９００℃
で２４時間のアニールを行なう。このアニールによりア
ンドープＳi層がβ−ＦeＳi2の活性層304となる。
【００４１】以上の工程によって積層構造が作製され、
次にリッジの形成と電極形成の工程に移る。フォトリソ
グラフィによって幅２μｍ、長さが少なくとも６００μ
ｍのレジストパターンを形成する。このレジストパター
ンをマスクにしてマイクロ波プラズマエッチングによ
り、約１．５μｍエッチングを行なう。このドライエッ
チングによってストライプ構造を形成した後、パッシベ
ーション層309となるポリイミドを塗布し、表面を平坦
化する。続いて、上記各層を形成してなる基板301の表
面にＡlを蒸着してｐ型電極308を形成する。更に、基板
301の裏面を研磨した後、研磨面にＡlを蒸着してｎ型電
極307を形成する。最後に、前記ストライプの両端で、
ストライプに対して垂直な方向に基板301を劈開して反
射面を形成する。
次にリッジの形成と電極形成の工程に移る。フォトリソ
グラフィによって幅２μｍ、長さが少なくとも６００μ
ｍのレジストパターンを形成する。このレジストパター
ンをマスクにしてマイクロ波プラズマエッチングによ
り、約１．５μｍエッチングを行なう。このドライエッ
チングによってストライプ構造を形成した後、パッシベ
ーション層309となるポリイミドを塗布し、表面を平坦
化する。続いて、上記各層を形成してなる基板301の表
面にＡlを蒸着してｐ型電極308を形成する。更に、基板
301の裏面を研磨した後、研磨面にＡlを蒸着してｎ型電
極307を形成する。最後に、前記ストライプの両端で、
ストライプに対して垂直な方向に基板301を劈開して反
射面を形成する。
【００４２】本実施例の半導体レーザは全体がＳi系材
料によって形成されるので、ＳiＯ2などのＳi化合物に
よる光導波路と屈折率や熱膨張係数等が合致し、それに
よって半導体レーザと光導波路とを低損失で結合するこ
とが可能となるほか、両者の位置合わせ精度を緩和する
ことができる。
料によって形成されるので、ＳiＯ2などのＳi化合物に
よる光導波路と屈折率や熱膨張係数等が合致し、それに
よって半導体レーザと光導波路とを低損失で結合するこ
とが可能となるほか、両者の位置合わせ精度を緩和する
ことができる。
【００４３】本実施例の半導体レーザを搭載したハイブ
リッド光集積回路による光伝送装置を図９に示す。図９
において、321はＳi基板、322は、上記方法によって作
製した半導体レーザ（ＬＤ）、323は、Ｓi基板321上に
形成したＳiＯ2による光導波路、325はＳi系材料によっ
て作製したフォトダイオード（ＰＤ）、324は、半導体
レーザ322及びフォトダイオード325に接続する電気信号
回路である。
リッド光集積回路による光伝送装置を図９に示す。図９
において、321はＳi基板、322は、上記方法によって作
製した半導体レーザ（ＬＤ）、323は、Ｓi基板321上に
形成したＳiＯ2による光導波路、325はＳi系材料によっ
て作製したフォトダイオード（ＰＤ）、324は、半導体
レーザ322及びフォトダイオード325に接続する電気信号
回路である。
【００４４】電気信号回路324は、伝送する信号を生成
する送信回路、同信号を半導体レーザ322に供給する駆
動回路及びフォトダイオード325からの電気信号を受け
て受信信号を生成する受信回路からなり、１個の集積回
路として構成される。
する送信回路、同信号を半導体レーザ322に供給する駆
動回路及びフォトダイオード325からの電気信号を受け
て受信信号を生成する受信回路からなり、１個の集積回
路として構成される。
【００４５】本発明の半導体レーザを採用することによ
り、半導体レーザ322と光導波路323との結合が容易とな
る。
り、半導体レーザ322と光導波路323との結合が容易とな
る。
【００４６】
【発明の効果】本発明によれば、Ｓi基板上に容易に形
成可能なＳi系材料による半導体レーザを実現すること
ができる。そのため、同一Ｓi基板上に半導体レーザと
電気信号回路とを集積化することが可能となり、従っ
て、光伝送装置を１個の光集積回路で構成することがで
き、光伝送装置の小型化、低価格化、信頼性向上を達成
することができる。それにより光通信システムの大幅な
コストダウン、信頼性の向上が可能となる。
成可能なＳi系材料による半導体レーザを実現すること
ができる。そのため、同一Ｓi基板上に半導体レーザと
電気信号回路とを集積化することが可能となり、従っ
て、光伝送装置を１個の光集積回路で構成することがで
き、光伝送装置の小型化、低価格化、信頼性向上を達成
することができる。それにより光通信システムの大幅な
コストダウン、信頼性の向上が可能となる。
【図１】本発明に係る半導体レーザの第１の実施例を説
明するための断面図。
明するための断面図。
【図２】図１の半導体レーザの作製方法を説明するため
の工程図。
の工程図。
【図３】図１の半導体レーザの作製方法を説明するため
の工程図。
の工程図。
【図４】図１の半導体レーザを用いた光伝送装置を説明
するための平面図。
するための平面図。
【図５】本発明の半導体レーザの第２の実施例を説明す
るための断面図。
るための断面図。
【図６】図５の半導体レーザの作製方法を説明するため
の工程図。
の工程図。
【図７】図５の半導体レーザの作製方法を説明するため
の工程図。
の工程図。
【図８】本発明の半導体レーザの第３の実施例を説明す
るための断面図。
るための断面図。
【図９】図８の半導体レーザを用いた光伝送装置を説明
するための平面図。
するための平面図。
１０１，111，201，301…Ｓi基板、102，202…下部反射
鏡、103，303…下部クラッド層、104，204，304…β−
ＦeＳi2活性層、105，305…上部クラッド層、106，206
…上部反射鏡、107，207，307…ｎ型電極、108，208，3
08…ｐ型電極、110…ＳiＯ2膜、112…アンドープＳi
層、213…光閉じ込め層、150…半導体レーザ、151…電
気信号回路。
鏡、103，303…下部クラッド層、104，204，304…β−
ＦeＳi2活性層、105，305…上部クラッド層、106，206
…上部反射鏡、107，207，307…ｎ型電極、108，208，3
08…ｐ型電極、110…ＳiＯ2膜、112…アンドープＳi
層、213…光閉じ込め層、150…半導体レーザ、151…電
気信号回路。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 勝山 俊夫 東京都国分寺市東恋ヶ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 Ｆターム(参考） 5F073 AA51 AA62 AB17 CA24 CB04 DA06 DA14 DA35
Claims (8)
- 【請求項１】 基板上に下部クラッド層、活性層及び上
部クラッド層を順次積層してなる構造を有し、当該構造
を含んで共振器を形成する半導体レーザ装置において、
前記活性層は、ベータ鉄シリサイドによって形成され、
前記上部及び下部クラッド層は、シリコン系材料によっ
て形成されていることを特徴とする半導体レーザ装置。 - 【請求項２】 前記基板は、材料がＳiであることを特
徴とする請求項１に記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項３】 前記共振器が基板面に垂直な２個の反射
面を有し、当該２個の反射面によって前記構造が挟まれ
た端面反射型であることを特徴とする請求項１又は請求
項２に記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項４】 前記共振器が基板面に平行な２個の反射
鏡を有し、前記構造が当該２個の反射鏡によって挟まれ
た面発光型であることを特徴とする請求項１又は請求項
２に記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項５】 前記２個の反射鏡は、３次元のブラッグ
反射器で構成されていることを特徴とする請求項４に記
載の半導体レーザ装置。 - 【請求項６】 前記２個の反射鏡は、Ｓiの層とＳi化合
物の層とを交互に積層してなることを特徴とする請求項
４又は請求項５に記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項７】 前記Ｓi化合物は、ＳiＯ2、ＳiＧe、Ｓi
3Ｎ4からなる群から選択された化合物であることを特徴
とする請求項６に記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項８】 請求項１〜請求項７のいずれか一に記載
の半導体レーザ装置と、伝送すべき信号を当該半導体レ
ーザ装置に供給する電気信号回路とを備えていることを
特徴とする光伝送装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11893499A JP3914350B2 (ja) | 1999-04-27 | 1999-04-27 | 半導体レーザ装置 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11893499A JP3914350B2 (ja) | 1999-04-27 | 1999-04-27 | 半導体レーザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000312055A true JP2000312055A (ja) | 2000-11-07 |
| JP3914350B2 JP3914350B2 (ja) | 2007-05-16 |
Family
ID=14748851
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11893499A Expired - Fee Related JP3914350B2 (ja) | 1999-04-27 | 1999-04-27 | 半導体レーザ装置 |
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Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003031790A (ja) * | 2001-07-17 | 2003-01-31 | Sharp Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| KR100374796B1 (ko) * | 2001-02-02 | 2003-03-03 | 삼성전기주식회사 | Ｐ형 전극과 활성층 사이에 효과적인 정공 확산을 위한 스페이서를 구비하는 ＧａＮ 면 발광 레이저 다이오드 및그 제조 방법 |
| US6835959B2 (en) | 2002-04-25 | 2004-12-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor device, and method for manufacturing the same |
| JP2006173567A (ja) * | 2004-12-10 | 2006-06-29 | Korea Electronics Telecommun | 光感知器を備えた面発光レーザ素子及びこれを用いた光導波路素子 |
| US7235304B2 (en) * | 2003-10-28 | 2007-06-26 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Optical sensor |
| JP2008085090A (ja) * | 2006-09-28 | 2008-04-10 | Fujitsu Ltd | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
| JPWO2011111436A1 (ja) * | 2010-03-08 | 2013-06-27 | 株式会社日立製作所 | ゲルマニウム発光素子 |
| US10103514B2 (en) | 2015-03-20 | 2018-10-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Optical semiconductor device and method for manufacturing the same |
-
1999
- 1999-04-27 JP JP11893499A patent/JP3914350B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100374796B1 (ko) * | 2001-02-02 | 2003-03-03 | 삼성전기주식회사 | Ｐ형 전극과 활성층 사이에 효과적인 정공 확산을 위한 스페이서를 구비하는 ＧａＮ 면 발광 레이저 다이오드 및그 제조 방법 |
| JP2003031790A (ja) * | 2001-07-17 | 2003-01-31 | Sharp Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| US6835959B2 (en) | 2002-04-25 | 2004-12-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor device, and method for manufacturing the same |
| US7180101B2 (en) | 2002-04-25 | 2007-02-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor device, and method for manufacturing the same |
| US7235304B2 (en) * | 2003-10-28 | 2007-06-26 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Optical sensor |
| JP2006173567A (ja) * | 2004-12-10 | 2006-06-29 | Korea Electronics Telecommun | 光感知器を備えた面発光レーザ素子及びこれを用いた光導波路素子 |
| JP4584066B2 (ja) * | 2004-12-10 | 2010-11-17 | 韓國電子通信研究院 | 光感知器を備えた面発光レーザ素子及びこれを用いた光導波路素子 |
| JP2008085090A (ja) * | 2006-09-28 | 2008-04-10 | Fujitsu Ltd | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
| JPWO2011111436A1 (ja) * | 2010-03-08 | 2013-06-27 | 株式会社日立製作所 | ゲルマニウム発光素子 |
| US10103514B2 (en) | 2015-03-20 | 2018-10-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Optical semiconductor device and method for manufacturing the same |
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|---|---|
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