JP2000311606A - スペーサの製造方法及びスペーサ及びそれを用いた電子源装置 - Google Patents
スペーサの製造方法及びスペーサ及びそれを用いた電子源装置Info
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Abstract
などの部材への被膜工程を好適に行なうことができる方
法を実現することを課題とする。 【解決手段】 本発明は、電子放出素子を有する電子源
と、前記電子源と対向する対向部材と、前記電子線源と
前記対向部材との間に配置されたスペーサとを有する電
子源装置に用いられるスペーサの製造方法であって、前
記スペーサを構成するスペーサ基板に膜を設ける被膜工
程を有しており、該被膜工程は予め形成されたフィルム
状材料を前記スペーサ基板と接触させる工程を有するこ
とを特徴とするスペーサの製造方法を提案する。
Description
装置で用いるスペーサ、及びその製造方法及び、電子源
装置に係わるものである。
子と冷陰極素子の2種類が知られている。このうち冷陰
極素子では、例えば表面伝導型放出素子や、電界放出型
素子(以下FE型と記す)や、金属/絶縁層/金属型放
出素子(以下MIM型と記す)などが知られている。
I.Elinson,Radio Eng.Electron Phys.,10,1290,(1965)
や、後述する他の例が知られている。
た小面積の薄膜に、膜面に平行に電流を流すことにより
電子放出が生ずる現象を利用するものである。この表面
伝導型放出素子としては、前記エリンソン等によるSn
O2薄膜を用いたものの他に、Au薄膜によるもの[G.D
ittmer:”Thin Solid Films”,9,317(1972)]や、In2
O3/SnO2薄膜によるもの[M.Hartwell and C.G.Fon
stad:”IEEE Trans.ED Conf.”,519(1975)]や、カーボ
ン薄膜によるもの[荒木久 他:真空、第26巻、第1
号、22(1983)]等が報告されている。
典型的な例として、図9に前述のM.Hartwellらによる素
子の平面図を示す。同図において、3001は基板で、
3004はスパッタで形成された金属酸化物よりなる導
電性薄膜である。導電性薄膜3004は図示のようにH
字形の平面形状に形成されている。この導電性薄膜30
04に、後述の通電フォーミングと呼ばれる通電処理を
施すことにより、電子放出部3005が形成される。図
中の間隔Lは、0.5〜1[mm],幅Wは、0.1
[mm]に設定されている。尚、図示の便宜から、電子
放出部3005は導電性薄膜3004の中央に矩形の形
状で示したが、これは模式的なものであり、実際の電子
放出部の位置や形状を忠実に表現しているわけではな
い。
上述の表面伝導型放出素子においては、電子放出を行う
前に導電性薄膜3004に通電フォーミングと呼ばれる
通電処理を施すことにより電子放出部3005を形成す
るのが一般的であった。即ち、通電フォーミングとは、
導電性薄膜3004の両端に一定の直流電圧、もしく
は、例えば1V/分程度の非常にゆっくりとしたレート
で昇圧する直流電圧を印加して通電し、導電性薄膜30
04を局所的に破壊もしくは変形もしくは変質せしめ、
電気的に高抵抗な状態の電子放出部3005を形成する
ことである。尚、局所的に破壊もしくは変形もしくは変
質した導電性薄膜3004の一部には亀裂が発生する。
この通電フォーミング後に導電性薄膜3004に適宜の
電圧を印加した場合には、亀裂付近において電子放出が
行われる。
& W. W. Dolan,”Field emission”, Advance in Elec
tron Physics, 8, 89 (1956)や、或は、C. A. Spindt,
”Physical properties of thin-film field emission
cathodes with molybdenumcones”, J. Appl. Phys.,
47, 5248 (1976)などが知られている。
て、図10に前述のC. A. Spindtらによる素子の断面図
を示す。同図において、3010は基板で、3011は
導電材料よりなるエミッタ配線、3012はエミッタコ
ーン、3013は絶縁層、3014はゲート電極であ
る。本素子は、エミッタコーン3012とゲート電極3
014の間に適宜の電圧を印加することにより、エミッ
タコーン3012の先端部より電界放出を起こさせるも
のである。
0のような積層構造ではなく、基板上に基板平面とほぼ
平行にエミッタとゲート電極を配置した例もある。
A. Mead, ”Operation of tunnel-emission Device
s”, J. Appl. Phys., 32,646 (1961)などが知られてい
る。
に示す。同図は断面図であり、図において、3020は
基板で、3021は金属よりなる下電極、3022は厚
さ100Å程度の薄い絶縁層、3023は厚さ80〜3
00Å程度の金属よりなる上電極である。MIM型にお
いては、上電極3023と下電極3021の間に適宜の
電圧を印加することにより、上電極3023の表面より
電子放出を起こさせるものである。
て低温で電子放出を得ることができるため、加熱用ヒー
タを必要としない。従って、熱陰極素子よりも構造が単
純であり、微細な素子を作成可能である。また、基板上
に多数の素子を高い密度で配置しても、基板の熱溶融な
どの問題が発生しにくい。また、熱陰極素子がヒータの
加熱により動作するため応答速度が遅いのとは異なり、
冷陰極素子の場合には応答速度が速いという利点もあ
る。
究が盛んに行われてきている。例えば、表面伝導型放出
素子は、冷陰極素子の中でも特に構造が単純で製造も容
易であることから、大面積にわたり多数の素子を形成で
きる利点がある。そこで、例えば本願出願人による特開
昭64−31332号公報において開示されるように、
多数の素子を配列して駆動するための方法が研究されて
いる。
は、例えば画像表示装置、画像記録装置などの画像形成
装置や、荷電ビーム源等が研究されている。
えば本願出願人による米国特許5,066,883号や
特開平2−257551号公報や特開平4−28137
号公報において開示されているように、表面伝導型放出
素子と電子との衝突により発光する蛍光体とを組み合わ
せて用いた画像表示装置が研究されている。表面伝導型
放出素子と蛍光体とを組み合わせて用いた画像表示装置
は、従来の他の方式の画像表示装置よりも優れた特性が
期待されている。例えば、近年普及してきた液晶表示装
置と比較しても自発光型であるためバックライトを必要
としない点や、視野角が広い点が優れているといえる。
法は、例えば本願出願人による米国特許4,904,8
95号に開示されている。また、FE型を画像表示装置
に応用した例として、例えば、R. Mayerらにより報告さ
れた平板型の表示装置が知られている。[R.Meyer:”Re
cent Development on Microtips Display at LETI”,Te
ch. Digest of 4th Int. Vacuum Microelectronics Con
f.,Nagahama,pp.6〜9(1991)] また、MIM型を多数個並べて画像表示装置に応用した
例は、例えば本願出願人による特開平3−55738号
公報に開示されている。
成装置のうちで、奥行きの薄い平面型表示装置は省スペ
ースかつ軽量であることから、ブラウン管型の表示装置
に置き換わるものとして注目されている。
配設した電子源基板を気密容器内に収容した平面型の表
示パネル部が提案されており、この気密容器の内部は1
0-6[torr]程度の真空に保持されている。従って、この
表示パネルの表示面積が大きくなるに従って、この気密
容器内部と外部の気圧差によるリアプレート及びフェー
スプレートの変形、或は破壊を防止するための手段が必
要となる。そこで従来は、比較的薄いガラス板からなる
大気圧に耐えるための構造支持体(スペーサ或はリブと
呼ばれる)が、前述の電子源基板とフェースプレートと
の間に設けられている。
製造方法としてより好適な製造方法を実現することを課
題とする。また、好適な電子源装置を実現することを課
題とする。
を製造することができる製造方法を実現することを課題
とする。
製造方法の発明の一つは以下のように構成される。
子源と対向する対向部材と、前記電子源と前記対向部材
との間に配置されたスペーサとを有する電子源装置に用
いられるスペーサの製造方法であって、前記スペーサを
構成するスペーサ基板に膜を設ける被膜工程を有してお
り、該被膜工程は、予め形成されたフィルム状材料を前
記スペーサ基板と接触させる工程を有することを特徴と
するスペーサの製造方法。
サ基板に付与するのではなく、膜の材料として予め形成
されたフィルム状材料を用いることにより、膜形成の際
の自由度が向上し、例えば、膜形成の際の環境の条件な
どが緩和される。なお、ここでフィルム状材料は、該フ
ィルム状材料単体で該フィルム状材料の搬送やスペーサ
基板への付与を行なえるものであったり、基材と重ねら
れた状態で用いられるものであったりする。使用時に生
じる(例えばフィルム状材料を移動する時の)フィルム状
材料の厚さの変化もしくは発生する厚さの分布が許容範
囲に抑制されるものであれば良い。
(直方体)及び円柱状が好適であり、図1には平板状のス
ペーサ基板201を示した。
として用いるのではなく、前記フィルム状材料が含む材
料により前記被膜工程における最終的な膜を形成するよ
うにすると好適である。例えば、フィルム状材料を室温
以上に加熱することにより、該フィルム状材料が含む材
料を少なくとも含む膜を基板上に形成することができ
る。また、フィルム状材料は、スペーサ基板と接触した
後に外部から加えられる熱により加熱されても良いし、
予め加熱されたスペーサ基板により加熱されても良い。
またそれらを組み合わせて用いても良い。
与えられる熱で加熱されても良い。特に、レーザー光の
照射による加熱の場合、レーザー光はその照射位置及び
照射領域を制御しやすく、微小な領域を加熱できるので
好適である。
性を有するものであっても良い。
状材料は、前記フィルム状材料の材料を展開用基板上に
展開して形成されたものでも良い。展開用基板は平坦で
あることが望ましい。また展開用基板とフィルム状材料
は剥離しても良く、フィルム状材料のスペーサ基板との
接触の前に剥離しても、接触の後に剥離しても良い。ま
た、前記フィルム状材料は、前記フィルム状材料の材料
を、液体の状態で前記展開用基板に展開して得られるも
のを好適に採用しうる。前記フィルム状材料の材料は、
バインダ、もしくは溶媒、もしくはバインダと溶媒を含
むものであってもよい。前記フィルム状材料の材料は熱
分解される出発材料を含むものであっても良い。また、
前記フィルム状材料は、前記フィルム状材料の材料を展
開用基板に展開した後、該展開された材料を加工する工
程を経て得られるものであっても良い。展開された材料
を加工する工程としては、例えば、乾燥工程がある。フ
ィルム状材料の材料として液状のものを用いる場合に
は、フィルム状材料を単体として扱うためには、単体と
して扱えるだけの強度を持たせるための加工を展開後に
行なうことが望ましい。また、フィルム状材料を形成し
た後に、スペーサ基板に接触させるまでの間に生じるフ
ィルム状材料の厚さの変化及び/又は発生する厚さの分
布を許容できる程度に抑制できるように粘性を高めるた
めの加工を展開後に行なうことが望ましい。また、フィ
ルム状材料を単体で扱わず、基材と積層された状態で扱
う場合は、基材による強度が期待できるので、フィルム
状材料そのものの強度は単体で扱う場合に比べて弱くて
も良いが、この場合にも、フィルム状材料を形成した後
に、スペーサ基板に接触させるまでの間に生じるフィル
ム状材料の厚さの変化及び/又は発生する厚さの分布を
許容できる程度に抑制できるように粘性を高めるための
加工を展開後に行なうことが望ましい。このような加工
工程としては、乾燥工程が好適である。特には、室温以
上に加熱する加熱乾燥工程が好適である。ただし、フィ
ルム状材料の材料が熱分解される材料を含んでおり、該
熱分解される材料の分解を種にフィルム状材料をスペー
サ基板に接触してから受ける加熱で行なう場合には、乾
燥のための加熱の際には、該熱分解される材料の熱分解
が起こりにくい条件を選択するのが望ましい。また、前
記膜は導電性を有しており、前記フィルム状材料の材料
は、少なくとも導電性物質を含むものであることが望ま
しい。前記導電性物質は、SnO2、ZnO、In2O3及びAgから
なる群より選択されるものを好適に用いることができ
る。また、前記膜は導電性を有しており、前記フィルム
状材料の材料は熱分解により導電性物質を形成する出発
材料を少なくとも含むものを好適に採用し得る。
金属のアルコラートを好適に採用しうる。
状材料を、基材と重ねた状態で前記スペーサ基板に接触
させるようにしても良い。フィルム状材料が、フィルム
状材料の材料を展開用基板に展開して得られるものであ
る時は、該展開用基板を前記基材として用いることがで
きる。
る工程は、複数のスペーサ基板に一つの前記フィルム状
材料を接触させる工程であると好適である。特には、複
数のスペーサ基板を束ねて、複数のスペーサ基板と一つ
のフィルム状材料を接触させるのが望ましい。また、束
ねられた複数のスペーサ基板は、膜を設ける部位が平面
をなすように揃えられているとよい。また、膜を形成す
る部位を覆わないように複数のスペーサ基板を束ねる束
ね用治具を用いるのが好適である。特には、束ねられる
複数のスペーサの両側を挟み込む構造の治具が好適であ
る。
る工程は、前記スペーサ基板を収納できる穴を持ち、該
穴は、該穴の中に前記スペーサ基板を挿入した時に前記
スペーサの膜形成部位が露出するものである保持用治具
の前記穴に収納された前記スペーサ基板と、前記フィル
ム状材料とを接触させる工程であっても良い。スペーサ
基板の膜形成部位を露出させるようにするには、例えば
前記穴の深さをスペーサ基板の膜形成部位が露出するよ
うな深さにすれば良い。このように穴にスペーサ基板を
収容する構成においても保持用治具が複数の前記穴を持
ち、複数のスペーサ基板を同時にフィルム状材料と接触
させるようにすると好適である。
は、前記スペーサ基板の一部のみに前記膜を設ける工程
であっても良い。また、前記各発明において、前記被膜
工程は、前記スペーサ基板の前記電子源側の当接面もし
くは前記対向部材側の当接面のもしくは前記電子源側と
前記対向部材側の両方の当接面に前記膜を設ける工程で
あってよい。
ら出力される電子の照射ターゲットとした時、前記スペ
ーサ基板の前記電子源側の当接面若しくは前記対向部材
側の当接面とは、前記スペーサ基板の電子源との当接面
もしくは前記対向部材との当接面に限るものではない。
例えば、グリッド電極のような制御電極など、電子源と
該電子源から出力される電子の照射ターゲットとの間に
中間電極を設ける場合は、前記スペーサ基板と該中間部
材との当接面に膜を設ける工程として上記各発明を用い
ても良い。
法の一つは以下のように構成される。電子線放出素子を
有する電子源と前記電子源と対向する対向部材と、前記
対向部材の間に配置されたスペーサとを有する電子源装
置に用いられるスペーサの製造方法であって、前記スペ
ーサを構成するスペーサ基板に膜を設ける被膜工程を有
しており、該被膜工程は、前記スペーサ基板に前記膜の
材料を付与する付与工程と、前記スペーサ基板の所定の
位置のみに前記付与された材料による膜を形成する位置
選択的な膜形成工程とを有することを特徴とするスペー
サの製造方法。
定の位置のみに付与された材料による膜を形成する工程
を有するので、材料付与時の厳密な付与位置制御が不要
となる。この発明は、上述の各発明の範囲には限定され
ないが、それらと組み合わせて用いると好適である。
とによって得られるものであり、前記位置選択的な膜形
成工程は、前記所定の位置の付与された前記材料を選択
的に加熱する工程であると好適である。膜を形成すべき
位置のみが膜を形成するに足る温度に加熱されると良
い。ただし、膜を形成しない位置に付与された材料が加
熱される構成を排除するものではなく、その場合は、膜
を形成しない位置に付与された材料が膜を形成するに足
る条件の加熱を受けないようにすれば良い。
ザー光を照射することで達成することができる。また、
選択的な加熱位置に対応する形状の熱源部を有するヒー
ターにより行なうこともできる。
の方法を用いて製造したスペーサの発明を含む。特に
は、前記スペーサ基板には、帯電防止膜が設けられてい
る場合に本願発明を好適に採用しうる。特には、前記ス
ペーサ基板には、電荷を移動させる膜が設けられてお
り、前記被膜工程で設けられた膜は、前記電荷を移動さ
せる膜と電気的に接続される膜であると良い。
では、高抵抗膜もしくは帯電防止膜とも言う。)がスペ
ーサ基板に設けられていることにより、帯電もしくは帯
電による影響を抑制することができる。特には、該電荷
を移動させる膜を介して、電子源に設けられる電極と、
対向部材に設けられる電極の間で電流が流れる構成にす
ることにより、帯電量を抑制することができる。前記被
膜工程で設けられる膜は、この電荷を移動させる膜と電
気的に接続するものであると良い。具体的には、前記被
膜工程で設けられる膜は、その存在によって、前記電荷
を移動させる膜の電位を均すことができる導電性を有す
るものが好適に用いられる。特に被膜工程で設けられる
膜の抵抗値、特にはシート抵抗値を電荷を移動させる膜
のものよりも小さくすることにより、電荷を移動させる
膜の電位を均す効果を好適に得る事ができる。特には、
前記被膜工程で設けられる膜のシート抵抗値は、前記電
荷を移動させる膜もしくはスペーサ全体のシート抵抗値
の10分の1以下であり、かつ107[Ω/□]以下であ
ることが望ましい。
しては、酸化スズ、酸化インジウム、これら2種の混晶
薄膜、Cr-Al合金窒化膜、金属酸化膜、非晶質カーボン
等が前記被膜工程で設けられる膜との組み合わせを考慮
して用いられる。この電荷を移動させる膜はスパッタ
法、反応性スパッタ法、イオンプレーティング法、電子
ビーム蒸着法、イオンアシスト蒸着法等で成膜してもよ
い。
値が107[Ω/□]以上、1014[Ω/□]以下であると
好適である。又、前記スペーサ基板が絶縁体であると好
適である。又、前記スペーサ基板が、材質がガラスまた
はセラミックであると好適である。
て、電子放出素子を有する電子源と、前記電子源と対向
する対向部材と、前記電子源と前記対向部材との間に配
置されたスペーサとを有する電子源装置であって、前記
スペーサが前記スペーサの発明のいずれかであることを
特徴とする電子源装置。
て以下の構成の発明を含む。
源と対向する対向部材と、前記電子源と前記対向部材と
の間に配置された第一の部材とを有する電子源装置であ
って、該第一の部材が、該第一の部材の基板に膜を設け
る被膜工程を有しており、該歩膜工程は、予め形成され
たフィルム状材料を前記第一の部材の基板と接触させる
工程を有するものである製造方法で製造されたものであ
ることを特徴とする電子源装置。
各発明は、スペーサの製造に適用する際に特に好適であ
るが、スペーサのみならず、電子源装置において電子源
と対向部材の間に配置される部材の製造方法として好適
に適用することができる。
て以下の構成の発明を含む。
子源と対向する対向部材と、前記電子源と前記対向部材
との間に配置された第一の部材とを有する電子源装置で
あって、該第一の部材が、該第一の部材の基板に膜を設
ける被膜工程を有しており、該被膜工程は、前記第一の
部材の基板に前記膜の材料を付与する付与工程と、前記
第一の部材の基板の所定の位置にのみ前記付与された材
料による膜を形成する位置選択的な膜形成工程とを有す
るものである製造方法で製造されたものであることを特
徴とする電子源装置。
前記対向部材が、前記電子放出素子が放出する電子が照
射されることにより発光する蛍光体を有すると良い。電
子放出素子としては冷陰極素子を好適に採用できる。ま
た冷陰極素子としては、電極間に電子表出部を含む導電
性膜を有する電子放出素子が好適であり、特には、表面
伝導型電子放出素子が好適である。
できる具体的な問題点の例を説明する。
放出された電子の一部がスペーサに当たることにより、
或は放出された電子の作用によりイオン化したイオンが
スペーサに付着することにより、スペーサの帯電を引き
起こす可能性がある。このスペーサの帯電により電子放
出素子から放出された電子はその軌道を曲げられ、フェ
ースプレートに設けられた蛍光体上の正規な位置とは異
なる場所に到達し、スペーサ近傍の画像がゆがんで表示
されてしまう。
を加速するために、電子源基板とフェースプレートとの
間には数百V以上の高電圧(即ち、1kV/mm以上の
高電界)が印加されるため、スペーサの表面での沿面放
電が懸念される。特に上記のようにスペーサが帯電して
いる場合は、放電が誘発される可能性がある。
微小電流が流れるようにして帯電を除去する提案がなさ
れている(特開昭57−118355号公報、特開昭6
1−124031号公報)。そこでは絶縁性のスペーサ
の表面に高抵抗膜を形成することによりスペーサ表面に
微小電流が流れるようにしている。ここで用いられてい
る高抵抗膜(帯電防止膜)は酸化スズ、或は酸化スズと
酸化インジウム混晶薄膜や金属膜である。
が放出されるので、半導電性膜による帯電を除去する方
法だけでは画像のゆがみの低減が不十分であることがあ
った。この問題は、半導電性膜つきスペーサと上下基
板、即ち、フェースプレート(以下FP)およびリアプ
レート(以下RP)との間の電気的接合が不十分であ
り、その接合部付近に帯電が集中することが要因として
考えられる。この点を解決する提案として(特開平8−
180821号公報)等のように、スペーサの、FP側
およびRP側との接合部を白金などの金属、又は半導電
性膜等の導電率の高い材料を成膜することにより、上下
基板との電気的コンタクトを確保することが提案されて
いる。これらの導電性膜の成膜法として、スパッタ成
膜、抵抗加熱蒸着等の気相成膜手法によるメタライゼー
ションが一般的であった。これらは実験上、均一な混合
薄膜の材料組成設計が簡便に行えるという理由等により
用いられてきた。しかしながら、このような手法は真空
減圧工程を必要とし、バッチ処理のタクトタイムがかか
ること、装置コストが大きいこと、原料の利用効率が低
いことなどの理由から、大量生産時にコストの点で大き
な問題となる。従って、これらの導電性膜を、簡便で安
価に、かつ一度に大量に作成できる作成プロセスが要求
されていた。
ついて述べ、次にそのスペーサを用いた画像表示装置の
表示パネルの構成とその製造法について述べる。
を以下のように作成した。図1に示すように、スペーサ
基板201として、40mm×3mm、厚み0.2mm
の薄板矩形状のソーダライムガラスを用いた。3mm
は、表示パネルの厚みに相当する。本実施例では、スペ
ーサ基板は、厚さ0.2mmのソーダライム板ガラスを
切り出すことで作製した。なお、板ガラスからの切り出
しに限らず、例えば加熱延伸法等により所望の形に加工
してもよい。また、図1のようにXYZ方向を定める。
膜を成膜する。導電性膜は、図1において203に示す
40mm×0.2mmの面、すなわちスペーサと上下プ
レートの当接面に成膜される。この位置関係について詳
しくは後述する。
ム状材料を作製する。その手順は以下の通りである。 (1)Snのカルボン酸塩と、バインダとしてのアクリ
ル樹脂を溶媒であるキシレンに溶解し、(2)この溶液
を適当な基板上(本実施例ではポリテトラフルオロエチ
レン基板)にスピナー塗布し、(3)オーブン中で12
0℃の温度で10分間乾燥させ、(4)ポリテトラフルオ
ロエチレン基板から剥がす。
のカルボン酸塩が分散した、フィルム状材料が完成す
る。上記中Snカルボン酸塩とアクリル樹脂の混合比は
重量比で1対1、またSnカルボン酸塩とアクリル樹脂の
混合物とキシレンの混合比は、重量比で3対7である。
の所望の場所に導電性膜を成膜する。その手順は以下の
通りである(図2参照)。 (1)200枚のスペーサ基板を成膜面が一方向に揃
い、かつ平面となるように束ね、バラバラにならないよ
うに適当な束ね用治具204で固定し、(図2a) (2)成膜面と略同じ形(40mm×40mm)にカッ
トしたフィルム状材料205を貼り付け、(図2b) (3)オーブン中で450℃で2時間焼成し、 (4)室温にした後、束ね用治具204を外し、1枚1枚
に分離する。(図2c) 上記焼成中に、フィルム状材料中のバインダが除去され
るとともに、熱分解反応によりSnO2が形成される。
性膜206が成膜されたスペーサ基板201が、一度に
200枚得られる。
ィルム状材料205の位置関係は反対、すなわち下に引
いたフィルム状材料205の上に束ねたスペーサ基板2
01を乗せてもよい。
う一度行うことで、両当接面に導電性膜206を成膜し
たスペーサ基板201を形成する。
料205の上に束ねたスペーサ基板201を乗せ、さら
にその上にフィルム状材料205を貼り付けたものを焼
成することで、両面を同時に成膜する事も可能である。
ペーサ基板201の表面に高抵抗膜(帯電防止膜)11と
して(図8参照)、CrおよびAlのターゲットを高周
波電源で同時スパッタすることにより、Cr-Al合金
窒化膜を膜厚200nmを形成した。このときのスパッ
タガスは、Ar:N2が1:2の混合ガスで、全圧力は
10m[torr]である。上記条件で同時成膜した膜のシー
ト抵抗Rは2×1011[Ω/□]であった。これに限ら
ず本実施例では種々の高抵抗膜(帯電防止膜)を使用す
ることが可能である。
の表示パネルの製造方法を詳述する。
101の外観斜視図であり、その内部構造を示すために
表示パネル101の一部を切り欠いて示している。図7
は1個の表面伝導型素子1012の行方向配線電極10
13に平行な方向における断面図である。
1013、列方向配線電極1014、電極間絶縁層(不
図示)、及び表面伝導型放出素子の素子電極1102,
1103と導電性薄膜1104を形成した基板1011
を、RP1015に固定した。次に、前述した方法で作
成されたスペーサ1020を基板1011の行方向配線
1013上に等間隔で、行方向配線1013と平行に固
定した。その後、基板1011の約5mm上方に、内面
に蛍光膜1018とメタルバック1019が付設された
FP1017を側壁1016を介して配置し、RP10
15、FP1017、側壁1016およびスペーサ10
20の各接合部を固定した。基板1011とRP101
5の接合部、RP1015と側壁1016の接合部、お
よびFP1017と側壁1016の接合部は、フリット
ガラス(不図示)を塗布し、大気中で400℃乃至50
0℃で10分以上焼成することで封着した。また、スペ
ーサ1020は、基板1011側では行方向配線101
3(線幅約300μm)上に、FP1017側ではメタ
ルバック1019面上に、導電性のフィラー或は金属等
の導電材を混合した導電性フリットガラス(不図示)を
介して配置し、上記気密容器の封着と同時に、大気中で
400℃乃至500℃で10分以上焼成することで接着
し、かつ電気的な接続も行った。
気管(不図示)を通じ真空ポンプにて排気し、十分な真
空度に達した後、容器外端子Dx1〜DxmとDy1〜Dynを
通じ、行方向配線電極1013および列方向配線電極1
014を介して各素子に給電して前述の通電フォーミン
グ処理を行うことによりマルチ電子源を製造した。次
に、10-6[torr]程度の真空度で、不図示の排気管を
ガスバーナで熱することで溶着し外囲器(気密容器)の
封止を行った。そして最後に、封止後の真空度を維持す
るために、ゲッター処理を行った。
の導電性微粒子膜に電子放出部を有する表面伝導型放出
素子をn×m個(n=3072、m=1024)、m本
の行方向配線とn本の列方向配線とによりマトリクス状
に配線(図6参照)したマルチ電子源を用いた。
細に説明する。
り、各部の番号は図6に対応している。
サ基板201の表面に帯電防止を目的とした高抵抗膜1
1を成膜し、かつFP1017の内側(メタルバック1
019等)及び基板1011の表面(行方向配線101
3または列方向配線1014)に面したスペーサの当接
面203に前述の方法で導電性膜206を成膜した部材
であり、耐大気圧構造を達成するのに必要な数だけ、か
つ必要な間隔をおいて配置され、FP1017の内側及
び基板1011の表面に接合材1041により固定され
る。また高抵抗膜11は、スペーサ基板201の表面の
うち、少なくとも気密容器内の真空中に露出している面
に成膜されており、スペーサ1020上の導電性膜20
6および接合材1041を介して、FP1017の内側
(メタルバック1019等)及び基板1011の表面
(行方向配線1013または列方向配線1014)に電
気的に接続される。ここで説明される態様においては、
スペーサ1020の形状は平板状であり、行方向配線1
013に平行に配置され、行方向配線1013に電気的
に接続されている。スペーサ1020としては、基板1
011上の行方向配線1013および列方向配線101
4とFP1017内面のメタルバック1019との間に
印加される高電圧に耐えるだけの絶縁性を有し、かつス
ペーサ1020の表面への帯電を防止する程度の導電性
を有することが望ましい。
ムガラスに限らず、例えば石英ガラス、Na等の不純物
含有量を減少したガラス、アルミナ等のセラミックス部
材等が挙げられる。なお、スペーサ基板201はその熱
膨張率が気密容器および基板1011を成す部材と近い
ものが好ましい。
の方法で作られたが、以下のような基準により、適宜選
択される。
電位側のFP1017(メタルバック1019等)に印
加される加速電圧Vaを帯電防止膜である高抵抗膜11
の抵抗値Rsで除した電流が流される。そこで、スペー
サ1020の抵抗値Rsは帯電防止及び消費電力から、
その望ましい範囲に設定される。帯電防止の観点からシ
ート抵抗は1014[Ω/□]以下であることが好まし
い。更には、十分な帯電防止効果を得るためには1012
[Ω/□]以下が好ましい。尚、このシート抵抗の下限
はスペーサ1020の形状とスペーサ1020間に印加
される電圧により左右されるが、107[Ω/□]以上
であることが好ましい。
膜(帯電防止膜)の厚みtは、10nm〜1μmの範囲
が望ましい。高抵抗膜(帯電防止膜)の厚みは、該スペ
ーサ基板上201の材料の表面エネルギーおよび基板と
の密着性や基板温度によっても異なるが、一般的に10
nm以下の薄膜は島状に形成され、抵抗が不安定で再現
性に乏しい。一方、膜厚tが1μm以上では膜応力が大
きくなって膜はがれの危険性が高まり、かつ成膜時間が
長くなるため生産性が悪い。
50〜500nmであることが望ましい。シート抵抗
は、ρ/tであり、以上に述べたシート抵抗と膜厚tと
の好ましい範囲から、高抵抗膜(帯電防止膜)の比抵抗
ρは10[Ω・cm]〜108[Ω・cm]が好ましい。更
にシート抵抗と膜厚tのより好ましい範囲を実現するた
めには、ρは104[Ω・cm]〜106[Ω・cm]とする
のが良い。
する電荷を速やかに流す必要より、前記高抵抗膜のシー
ト抵抗値よりも一桁以上低い値であることが望ましく、
さらに107[Ω/□]以下であることが望ましい。
い場合においても、導電性膜のシート抵抗値はスペーサ
基板に対して一桁以上低く、絶対値は107[Ω/□]以
下であることが好適である。
上に形成した高抵抗膜(帯電防止膜)を電流が流れるこ
とにより、或は表示パネル101全体が動作中に発熱す
ることにより、その温度が上昇する。この高抵抗膜(帯
電防止膜)の抵抗温度係数が大きな負の値であると温度
が上昇した時に抵抗値が減少し、スペーサ1020に流
れる電流が増加し、更に温度上昇をもたらす。そして電
流は電源の限界を越えるまで増加し続ける。このような
電流の暴走が発生する抵抗温度係数の値は経験的に負の
値で絶対値が1%以上である。即ち、高抵抗膜(帯電防
止膜)の抵抗温度係数は−1%より大きい値であること
が望ましい。
11の材料としては、例えば金属酸化物を用いることが
できる。金属酸化物の中でも、クロムまたはニッケルま
たは銅の酸化物が好ましい材料である。その理由はこれ
らの酸化物は二次電子放出効率が比較的小さく、電子放
出素子1012から放出された電子がスペーサ1020
に当たった場合においても帯電しにくいためと考えられ
る。金属酸化物以外にも炭素は二次電子放出効率が小さ
く好ましい材料である。特に、非晶質カーボンは高抵抗
であるため、スペーサ1020の抵抗を所望の値に制御
しやすい。
材料として、アルミニウムと遷移金属合金の窒化物は遷
移金属の組成を調整することにより、良導体から絶縁体
まで広い範囲に抵抗値を制御できるので好適な材料であ
る。更にアルミニウムと遷移金属合金の窒化物は後述す
る表示装置の作製工程において抵抗値の変化が少なく安
定な材料である。かつ、その抵抗温度係数が−1%より
大きい値であり、実用的に使いやすい材料である。遷移
金属元素としてはTi,Cr,Ta等があげられる。
での反応性スパッタ、電子ビーム蒸着、イオンプレーテ
ィング、イオンアシスト蒸着法等の薄膜形成手段により
絶縁性部材上に形成される。金属酸化膜も同様の薄膜形
成法で作製することができるが、この場合窒素ガスに代
えて酸素ガスを使用する。その他、CVD法、アルコキ
シド塗布法でも金属酸化膜を形成できる。カーボン膜は
蒸着法、スパッタ法、CVD法、プラズマCVD法で作
製され、特に非晶質カーボンを作製する場合には、成膜
中の雰囲気に水素が含まれるようにするか、成膜ガスに
炭化水素ガスを使用する。
6は、高抵抗膜11を高電位側のFP1017(メタル
バック1019等)及び低電位側の基板1011(配線
1013、1014等)と電気的に接続するために設け
られたものである。
挙する複数の効果の少なくともいずれかを期待できる。 (1)高抵抗膜11の電位分布を均一化する。
は、FP1017と基板1011の間に形成された電位
分布に従って電子軌道を成す。スペーサ1020の近傍
で電子軌道に乱れが生じないようにするためには、高抵
抗膜11の電位分布を全域に亙って制御する必要があ
る。高抵抗膜11をFP1017(メタルバック101
9等)及び基板1011(配線1013、1014等)
と直接或いは当接材1041を介して接続した場合、接
続部界面の接触抵抗のために接続状態のむらが発生し、
高抵抗膜11の電位分布が所望の値からずれてしまう可
能性がある。これを避けるために、スペーサ1020が
FP1017及び基板1011と当接するスペーサ端部
(当接面203)の全長域に低抵抗の導電性膜を設け、
この導電性膜部に所望の電位を印加することによって、
高抵抗膜11全体の電位を制御可能とした。 (2)高抵抗膜11をFP1017及び基板1011と
電気的に接続する。
ーサ1020表面での帯電を防止する目的で設けられた
ものであるが、高抵抗膜11をFP1017(メタルバ
ック1019等)及び基板1011(配線1013、1
014等)と直接或いは当接材1041を介して接続し
た場合、接続部界面に大きな接触抵抗が発生し、スペー
サ1020の表面に発生した電荷を速やかに除去できな
くなる可能性がある。これを避けるために、FP101
7、基板1011及び当接材1041と接触するスペー
サ1020の当接面203に低抵抗の導電性膜を設けた
導電性膜206は、本実施例で用いた材料に限らず、
フィルム状の原料から作製できるものでかつ、高抵抗膜
11に比べ十分に低い抵抗値を有する材料から選択され
うる。
い。例えば、上記実施例の、Snのカルボン酸塩の代わ
りにSnのアルコラート、キシレンの代わりにオクタン
を用いても、同様なSnO2膜が形成できる。
な表示パネル101を用いた画像表示装置において、各
冷陰極素子(表面伝導型放出素子)1012には、容器
外端子Dx1〜Dxm、Dy1〜Dynを通じ、走査信号及び変
調信号をそれぞれ印加することにより電子を放出させ、
メタルバック1019には、高圧端子Hvを通じて高圧
を印加することにより放出電子ビームを加速して蛍光膜
1018に電子を衝突させ、各色蛍光体(R、G、B)
を励起・発光させることで画像を表示した。なお、高圧
端子Hvへの印加電圧Vaは3[kV]〜12[kV]
の範囲で放電が発生する限界電圧まで印加し、各配線1
013、1014間への印加電圧Vfは14[V]とし
た。
加して連続駆動できた場合に、耐電圧良好と判断した。
020の近傍で9KV駆動まで放電は発生しなかった。
更にスペーサ1020に近い位置にある冷陰極素子10
12からの放出電子による発光スポットも含め、2次元
状に等間隔の発光スポット列が形成され、鮮明で色再現
性のよいカラー画像表示ができた。このことは、スペー
サ1020を設置しても電子軌道に影響を及ぼすような
電界の乱れは発生しなかったことを示している。
を以下のように作成した。各部の番号は、実施例1に対
応している。
ルミナ基板を用いた。大きさは実施例1と同じである。
施例1と同じ)に、導電性膜206を成膜する。
ム状材料205を作製する。その手順は以下の通りであ
る。 (1)SnO2微粒子と、バインダとしてのエチルセル
ロースを溶媒であるテレピン油に溶解し、(2)この溶
液を適当な基板上(本実施例ではポリテトラフルオロエ
チレン基板)にスクリーン印刷法により塗布し、(3)
オーブン中で120℃の温度で10分間乾燥させ、(4)
ポリテトラフルオロエチレン基板から剥がす。以上でバ
インダ(エチルセルロース)中にSnO2微粒子が分散
した、フィルム状材料205が完成する。上記中SnO
2微粒子とエチルセルロースの混合比は重量比で2対1、
またSnO2微粒子とエチルセルロースの混合物とテレ
ピン油の混合比は、重量比で3対7である。
サ基板201の所望の場所に導電性膜206を成膜す
る。その手順は実施例1と同様(図2参照)であり、焼
成中に、フィルム状材料中のバインダが除去されSnO
2膜が形成される。これら操作により、当接面の片方に
導電性膜が成膜されたスペーサが得られる。
フィルム状材料205の位置関係は反対でもよい。
う一度行うことで、両当接面に導電性膜を成膜したスペ
ーサを形成する。
事も可能である。
例1と同様の方法で高抵抗膜(帯電防止膜)を成膜し、
本実施例のスペーサ1020とした。更に実施例1と同
様に、電子線放出素子を組み込んだRP等とともに表示
パネル101を作成し、実施例1と同条件で、高圧印加
および素子駆動を行った。
動まで放電は発生しなかった。更にスペーサ1020に
近い位置にある冷陰極素子1012からの放出電子によ
る発光スポットも含め、2次元状に等間隔の発光スポッ
ト列が形成され、鮮明で色再現性のよいカラー画像表示
ができた。このことは、スペーサ1020を設置しても
電子軌道に影響を及ぼすような電界の乱れは発生しなか
ったことを示している。
材料に限らず、フィルム状の原料から作製できるもので
かつ、高抵抗膜11に比べ十分に低い抵抗値を有する材
料から選択されうる。またバインダや溶媒も上記の限り
ではない。例えば、上記実施例の、SnO2の代わりに
ZnO、In2O3、Agを用いても、同様な効果を持つ
導電性膜が形成できる。 (実施例3)本実施例3で用いるスペーサを以下のよう
に作成した。各部の番号は、実施例1及び2に対応して
いる。
のソーダライムガラス基板(図1参照)、導電性膜20
6の原料として、実施例1と同様の手順で作製したフィ
ルム状材料205を用いた。
施例1と同じ)に、導電性膜206を成膜する。
レン基板)上にスペーサと略同じサイズの穴208の開
いた保持用治具209を乗せ、(図3a) (2)その穴208の中にスペーサ基板201をセット
し、(図3b) (3)その上にフィルム状材料205を乗せ、(図3
c) (4)所望の成膜場所210にYAGレーザーを照射
し、(転写)、 (5)保持用治具と残ったフィルム状材料を取り去り、
(図3d) (6)最後に450℃で2時間焼成する。
みに関しては、スペーサ基板201が引っ掛かり無く通
過でき、かつフィルム状材料205に対してスペーサ基
板201をほぼ垂直に保持出来るサイズに、また高さに
関しては、フィルム状材料205とスペーサ基板201
を確実に接触させるため、スペーサ基板201の高さよ
り若干低めに設定される。
力50W、スポット径100μmφ、スキャン速度10
00m/secである。またレーザー照射時間は長くなる
が、スキャン速度を100m/secにする事で、図4中
(5)の焼成を省く事も可能である。
場所のみ選択的に成膜材料がスペーサに転写され、
(6)の焼成により成膜材料中のバインダが除去される
とともに、熱分解反応によりSnO2が形成される。こ
れら操作により、当接面の片方に導電性膜が成膜された
スペーサが得られる。
う一度行うことで、両当接面に導電性膜を成膜したスペ
ーサを形成する。
側の当接面にも同様の手順でフィルム状材料205を転
写し、最後に焼成する事で、同時に両面の成膜も可能で
ある。
6は、図4のように、スペーサ厚みより狭くする事が出
来る。これは、導電性膜の真空部分へのはみ出し(耐高
電圧低下の問題となり得る)に対して、マージンが広く
とれ、有利である。
205は、上記の限りでなく、実施例1及び2に記載し
た全ての材料が選択可能である。
ムガラスに限らず、種々のガラス、セラミックなどから
適宜選択される。
例1と同様の方法で高抵抗膜(帯電防止膜)11を成膜
し、本実施例のスペーサ1020とした。
組み込んだRP等とともに表示パネル101を作成し、
実施例1と同条件で、高圧印加および素子駆動を行っ
た。
動まで放電は発生しなかった。更にスペーサ1020に
近い位置にある冷陰極素子1012からの放出電子によ
る発光スポットも含め、2次元状に等間隔の発光スポッ
ト列が形成され、鮮明で色再現性のよいカラー画像表示
ができた。このことは、スペーサ1020を設置しても
電子軌道に影響を及ぼすような電界の乱れは発生しなか
ったことを示している。
所定の位置のフィルム状材料を加熱するようにしたが、
レーザー光に限らず非コヒーレント光を光学系を用いて
収束しても良い。また、ワイヤ状のヒーターを用いて、
該ワイヤ状のヒーターをフィルム状材料に接触もしくは
近接させて、該ワイヤ状のヒーターが接触もしくは近接
した領域のみを加熱し、ワイヤ状のヒーター形状に対応
してパターニングされた膜を成膜しても良い。ヒーター
の形状を所望のものとすることによって所望の形状の膜
を形成できる。
を以下のように作成した。各部の番号は、実施例1乃至
3に対応している。
のソーダライムガラス基板(図1参照)、導電性膜20
6の原料として、実施例1と同様の手順で作製したフィ
ルム状材料205を用いた。
サ基板201の所望の場所に導電性膜206を成膜す
る。その手順は以下の通りである(図5参照)。 (1)複数のスペーサ基板201を成膜面が一方向に揃
う様に束ね、バラバラにならないように適当な束ね用治
具204で固定し、(図5a) (2)束ね用治具ごとオーブン中で300℃に加熱し、 (3)フィルム状材料上に押し付け約1秒後に離し(転
写)(図5b) (4)オーブン中で450℃で2時間焼成し、 (5)室温にした後、束ね用治具外し、1枚1枚に分離す
る。(図5c) 上記(3)で、スペーサ基板201の所望の部位のみ選
択的にフィルム状材料205が転写され、(4)の焼成
によりフィルム状材料中のバインダが除去されるととも
に、熱分解反応によりSnO2が形成される。これら操
作により、当接面の片方に導電性膜206が成膜された
スペーサ基板201が得られる。
う一度行うことで、両当接面に導電性膜206を成膜し
たスペーサ基板201を形成する。
側の当接面にも同様の手順でフィルム状材料205を転
写し最後に焼成する事で、同時に両面の成膜も可能であ
る。
は、上記の限りでなく、実施例1乃至3に記載した全て
の材料が使用できる。
ダライムガラスに限らず、種々のガラス、セラミックな
どから適宜選択される。
例1と同様の方法で高抵抗膜(帯電防止膜)11を成膜
し、本実施例のスペーサ1020とした。
子を組み込んだRP等とともに表示パネル101を作成
し、実施例1と同条件で、高圧印加および素子駆動を行
った。
動まで放電は発生しなかった。更にスペーサ1020に
近い位置にある冷陰極素子1012からの放出電子によ
る発光スポットも含め、2次元状に等間隔の発光スポッ
ト列が形成され、鮮明で色再現性のよいカラー画像表示
ができた。このことは、スペーサ1020を設置しても
電子軌道に影響を及ぼすような電界の乱れは発生しなか
ったことを示している。
06は、いずれも作成工程が簡便、かつ容易であり、ま
た得られた膜の電気的コンタクトも良好であり、かつ、
放電耐圧性も良好であるので、電子線による表示品位を
向上できる。また、量産性と低コスト性等を求められる
作製工程、及びこれを使用する電子源に対して特に有効
なものである。
は、フィルム状材料を該フィルム状材料の形成の際に用
いた基板から剥離してからスペーサ基板に貼り付けた
が、本実施例においては、フィルム状材料を基材ととも
に扱い、基材とともにスペーサ基板に貼り付けている。
なお、基材としては、フィルム状材料を形成する際に用
いた基板を基材として用いている。
に作成した。各部の記号は、実施例1乃至実施例4に対
応している。
ラス基板を用いた。形状は実施例1と同様のソーダライ
ムガラス基板(図1参照)と同じである。次にスペーサ
基板201の所望の位置(実施例1と同じ)に、導電性
膜206を形成する。
成する時の手順として、以下の2点がこれまで述べてき
た実施例と異なる。 (1)フィルム状材料の形成の際に適当な平面を有する
透明ガラス基板を用いた。
程で用いる光刺激の加熱手段(例えばレーザー光)に対
して、裏面の含金属材が溶解し転写するに足る実効的な
光量が選られることを意味し、鏡面表面を有する必要
や、透過スペクトルが可視光に対してフラットである必
要はない。(2)転写する含金属フィルムは、ガラス基
板から剥がすことなく、スペーサ基板に貼り付けた。ま
た、ガラス基板に固定された状態で、膜形成面と反対側
よりレーザー光を照射することで、スペーサ基板201
の所望の位置に形成した。
ば導電性膜材料などは実施例1と同様である。
ねて用いる構成に寄れば、フィルム状材料を単体で扱う
場合に比べて、転写後の膜厚として適当な数ミクロン以
下とりわけ、0.1ミクロン厚程度の導電性膜を形成す
るのに好適であるし、フィルム状材料を単体で扱う場合
にしばしば発生する破れ等の破損の影響を受け難い。
空減圧装置を必要とせずに、導電性膜を付与したスペー
サを容易に、かつ安価に作成でき、また帯電による発光
部の変位が抑えられた表示品位の高い画像表示装置を安
価に提供できるという効果がある。
などの電子源装置において用いる部材への被膜工程にお
ける制限が緩和される。
る図である。
を付与する方法を示す図である。
を付与する方法を示す図である。
膜の特徴を示す図である。
膜を付与する方法を示す図である。
ルの一部を切り欠いて示した斜視図である。
面図を示す図である。
図である。
る。
ある。
Claims (42)
- 【請求項1】 電子放出素子を有する電子源と、前記電
子源と対向する対向部材と、前記電子源と前記対向部材
との間に配置されたスペーサとを有する電子源装置に用
いられるスペーサの製造方法であって、 前記スペーサを構成するスペーサ基板に膜を設ける被膜
工程を有しており、該被膜工程は、予め形成されたフィ
ルム状材料を前記スペーサ基板と接触させる工程を有す
ることを特徴とするスペーサの製造方法。 - 【請求項2】 前記フィルム状材料を前記スペーサ基板
と接触させた後、前記フィルム状材料が含む材料により
前記膜を形成する請求項1記載のスペーサの製造方法。 - 【請求項3】 前記フィルム状材料が含む材料により前
記膜を形成する工程においては前記フィルム状材料が加
熱される請求項2に記載のスペーサの製造方法。 - 【請求項4】 前記フィルム状材料は、前記スペーサ基
板と接触した後に外部から加えられる熱により加熱され
る請求項3に記載のスペーサの製造方法。 - 【請求項5】 前記フィルム状材料は、前記スペーサ基
板が有する熱により加熱される請求項3に記載のスペー
サの製造方法。 - 【請求項6】 前記フィルム状材料は光照射により与え
られる熱で加熱される請求項3に記載のスペーサの製造
方法。 - 【請求項7】 前記光照射はレーザ光の照射である請求
項6に記載のスペーサの製造方法。 - 【請求項8】 前記膜は導電性を有する請求項1〜7の
いずれか一項に記載のスペーサの製造方法。 - 【請求項9】 前記フィルム状材料は、前記フィルム状
材料の材料を展開用基板上に展開して形成されたもので
ある請求項1〜8のいずれか1項に記載のスペーサの製
造方法。 - 【請求項10】 前記フィルム状材料は、前記フィルム
状材料の材料を、液体の状態で前記展開用基板に展開し
て得られるものである請求項9記載のスペーサの製造方
法。 - 【請求項11】 前記フィルム状材料の材料は、バイン
ダ、もしくは溶媒、もしくはバインダと溶媒とを含む請
求項9または10記載のスペーサの製造方法。 - 【請求項12】 前記フィルム状材料の材料は、熱分解
される出発材料を含む請求項9〜11のいずれか一項に
記載のスペーサの製造方法。 - 【請求項13】 前記フィルム状材料は、前記フィルム
状材料の材料を展開用基板に展開した後に、該展開され
た材料を加工する工程を経て得られるものである請求項
9〜12のいずれか一項に記載のスペーサの製造方法。 - 【請求項14】 前記膜は導電性を有しており、前記フ
ィルム状材料の材料は、少なくとも導電性物質を含む請
求項9〜13のいずれか一項に記載のスペーサの製造方
法。 - 【請求項15】 前記導電性物質は、SnO2、ZnO、In
2O3、及びAgからなる群より選択されるものである請求
項14記載のスペーサの製造方法。 - 【請求項16】 前記膜は導電性を有しており、前記フ
ィルム状材料の材料は、後の工程により導電性物質を形
成する出発材料を少なくとも含む請求項9〜15のいず
れか一項に記載のスペーサの製造方法。 - 【請求項17】 前記膜は導電性を有しており、前記フ
ィルム状材料は、熱分解により導電性物質を形成する出
発材料を少なくとも含む請求項9〜16のいずれか一項
に記載のスペーサの製造方法。 - 【請求項18】 前記出発材料は、金属のカルボン酸塩
又は金属のアルコラートである請求項16または17記
載のスペーサの製造方法。 - 【請求項19】 前記フィルム状材料を、基材と重ねた
状態で前記スペーサ基板に接触させる請求項1〜18の
いずれか一項に記載のスペーサの製造方法。 - 【請求項20】 前記接触させる工程は、複数のスペー
サ基板に一つの前記フィルム状材料を接触させる工程で
ある請求項1〜19のいずれか一項に記載のスペーサの
製造方法。 - 【請求項21】 前記接触させる工程は、複数の前記ス
ペーサを束ねて行なう請求項1〜20のいずれか一項に
記載のスペーサの製造方法。 - 【請求項22】 前記接触させる工程は、前記スペーサ
基板を収納できる穴を持ち、該穴は、該穴の中に前記ス
ペーサ基板を挿入した時に前記スペーサの膜形成部位が
露出するものである保持用治具の前記穴に収納された前
記スペーサ基板と、前記フィルム状材料とを接触させる
工程である請求項1〜21のいずれか一項に記載のスペ
ーサの製造方法。 - 【請求項23】 前記被膜工程は、前記スペーサ基板の
一部のみに前記膜を設ける工程である請求項1〜22の
いずれか一項に記載のスペーサの製造方法。 - 【請求項24】 前記被膜工程は、前記スペーサ基板の
前記電子源側の当接面もしくは前記対向部材側の当接面
もしくは前記電子線側と前記対向部材側の両方の当接面
に前記膜を設ける工程である請求項1〜23のいずれか
一項に記載のスペーサの製造方法。 - 【請求項25】 電子線放出素子を有する電子源と、前
記電子源と対向する対向部材と、前記電子源と前記対向
部材の間に配置されたスペーサとを有する電子源装置に
用いられるスペーサの製造方法であって、前記スペーサ
を構成するスペーサ基板に膜を設ける被膜工程を有して
おり、該被膜工程は、前記スペーサ基板に前記膜の材料
を付与する付与工程と、前記スペーサ基板の所定の位置
のみに前記付与された材料による膜を形成する位置選択
的な膜形成工程とを有することを特徴とするスペーサの
製造方法。 - 【請求項26】 前記膜は、前記付与された材料を加熱
することによって得られるものであり、前記位置選択的
な膜形成工程は、前記所定の位置に付与された前記材料
を選択的に加熱する工程である請求項25記載のスペー
サの製造方法。 - 【請求項27】 前記選択的な加熱は、光照射により行
なう請求項26記載のスペーサの製造方法。 - 【請求項28】 前記選択的な加熱は、レーザー光の照
射により行なう請求項26記載のスペーサの製造方法。 - 【請求項29】 前記選択的な加熱は、選択的な加熱位
置に対応する形状の熱源部を有するヒーターにより行な
う請求項26記載のスペーサの製造方法。 - 【請求項30】 請求項1〜29のいずれか一項に記載
の方法を用いて製造したスペーサ。 - 【請求項31】 前記スペーサ基板には、帯電防止膜が
設けられている請求項30記載のスペーサ。 - 【請求項32】 前記スペーサ基板には、電荷を移動さ
せる膜が設けられており、前記被膜工程で設けられた膜
は、前記電荷を移動させる膜と電気的に接続される膜で
ある請求項30又は31記載のスペーサ。 - 【請求項33】 シート抵抗値が107[Ω/□]以上1
014[Ω/□]以下である請求項30〜32のいずれか一
項に記載のスペーサ。 - 【請求項34】 前記スペーサ基板が絶縁体である請求
項30〜33のいずれか一項に記載のスペーサ。 - 【請求項35】 前記スペーサ基板が、材質がガラス又
はセラミックスである請求項30〜34のいずれか一項
に記載のスペーサ。 - 【請求項36】 電子放出素子を有する電子源と、前記
電子源と対向する対向部材と、前記電子源と前記対向部
材との間に配置されたスペーサとを有する電子源装置で
あって、前記スペーサが請求項30〜35のいずれか一
項に記載されているものであることを特徴とする電子源
装置。 - 【請求項37】 電子放出素子を有する電子源と、前記
電子源と対向する対向部材と、前記電子源と前記対向部
材との間に配置された第一の部材とを有する電子源装置
であって、該第一の部材が、該第一の部材の基板に膜を
設ける被膜工程を有しており、該被膜工程は、予め形成
されたフィルム状材料を前記第一の部材の基板と接触さ
せる工程を有するものである製造方法で製造されたもの
であることを特徴とする電子源装置。 - 【請求項38】 電子放出素子を有する電子源と、前記
電子源と対向する対向部材と、前記電子源と前記対向部
材との間に配置された第一の部材とを有する電子源装置
であって、該第一の部材が、該第一の部材の基板に膜を
設ける被膜工程を有しており、該被膜工程は、前記第一
の部材の基板に前記膜の材料を付与する付与工程と、前
記第一の部材の基板の所定の位置のみに前記付与された
材料による膜を形成する位置選択的な膜形成工程とを有
するものである製造方法で製造されたものであることを
特徴とする電子源装置。 - 【請求項39】 前記対向部材が、前記電子線放出素子
が放出する電子を制御する制御電極を有する請求項36
〜38のいずれか一項に記載の電子源装置。 - 【請求項40】 前記対向部材が、前記電子線放出素子
が放出する電子が照射されることにより発光する蛍光体
を有する請求項36〜39のいずれか一項に記載の電子
源装置。 - 【請求項41】 前記電子放出素子が冷陰極素子である
請求項36〜40のいずれか一項に記載の電子源装置。 - 【請求項42】 電子放出素子を有する電子源、前記電
子源と対向する対向部材、及び前記電子源と前記対向部
材との間に配置されたスペーサを有する電子源装置を製
造する方法において、 前記スペーサと前記電子源または前記対向部材との間の
接続部分に導電材料を含むフィルム状材料を付与し、該
フィルム状材料より間接的に導電性材料を該接続部分に
付与した後に、前記スペーサと前記電子源あるいは前記
対向部材とを組み合わせることを特徴とする電子源装置
の製造方法。
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