JP2000310862A - 感光性レジスト用現像液組成物 - Google Patents
感光性レジスト用現像液組成物Info
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- JP2000310862A JP2000310862A JP12173999A JP12173999A JP2000310862A JP 2000310862 A JP2000310862 A JP 2000310862A JP 12173999 A JP12173999 A JP 12173999A JP 12173999 A JP12173999 A JP 12173999A JP 2000310862 A JP2000310862 A JP 2000310862A
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来の感光性レジスト用現像液は光硬化部分
の膨潤やアンダーカット、剥離や未露光部の現像残渣を
生じ精密なパターン形成が可能できない課題がありさら
に環境破壊や安全性上の課題があった。 【解決手段】液状組成物に対する摂氏２０度における水
の溶解度が３から３０重量％である液状組成物とＮ−メ
チル−２−ピロリドン、γ−ブチロラクトン、Ｎ，Ｎ−
ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド
からなる群より選ばれた１種以上の化合物および水を含
む現像液組成物で解決できた。
の膨潤やアンダーカット、剥離や未露光部の現像残渣を
生じ精密なパターン形成が可能できない課題がありさら
に環境破壊や安全性上の課題があった。 【解決手段】液状組成物に対する摂氏２０度における水
の溶解度が３から３０重量％である液状組成物とＮ−メ
チル−２−ピロリドン、γ−ブチロラクトン、Ｎ，Ｎ−
ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド
からなる群より選ばれた１種以上の化合物および水を含
む現像液組成物で解決できた。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は感光性レジストの現
像液組成物に関する。
像液組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、プリント配線板製造、金属精密加
工、構造体形成の分野において、エッチング、メッキ、
保護膜作成等の目的でパターン形成を行う工程におい
て、感光性レジストの未露光部を除去するために用いら
れる現像液としては、炭酸ナトリウム水溶液や特開平６
−１７５３７２号公報記載の現像液組成物等のアルカリ
系現像液、１，１，１−トリクロロエタン等の塩素系有
機溶剤系現像液、トルエン、キシレン、ブチルセロソル
ブ、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、特開平５−２１６２
４２号公報記載の現像液組成物、特開平６−１９４８４
７号公報記載の現像液組成物、特開平８−１７１２１３
号公報記載の現像液組成物等の有機溶剤を用いる有機溶
剤系現像液などがある。
工、構造体形成の分野において、エッチング、メッキ、
保護膜作成等の目的でパターン形成を行う工程におい
て、感光性レジストの未露光部を除去するために用いら
れる現像液としては、炭酸ナトリウム水溶液や特開平６
−１７５３７２号公報記載の現像液組成物等のアルカリ
系現像液、１，１，１−トリクロロエタン等の塩素系有
機溶剤系現像液、トルエン、キシレン、ブチルセロソル
ブ、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、特開平５−２１６２
４２号公報記載の現像液組成物、特開平６−１９４８４
７号公報記載の現像液組成物、特開平８−１７１２１３
号公報記載の現像液組成物等の有機溶剤を用いる有機溶
剤系現像液などがある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の感光性レジスト
用現像液は以下のような課題がある。
用現像液は以下のような課題がある。
【０００４】アルカリ系現像液は、特に高い耐薬品性や
耐熱性を必要とする感光性レジスト中にはカルボキシル
基等のアルカリ可溶性基を含まないかあるいは含有量が
少ないため、未露光部の感光性樹脂を溶解することがで
きないので使用することができないという問題がある。
耐熱性を必要とする感光性レジスト中にはカルボキシル
基等のアルカリ可溶性基を含まないかあるいは含有量が
少ないため、未露光部の感光性樹脂を溶解することがで
きないので使用することができないという問題がある。
【０００５】塩素系有機溶剤系現像液において１，１，
１−トリクロロエタンは優れた現像性を有するもののオ
ゾン層破壊や地下水汚染等の環境問題を有している。
１−トリクロロエタンは優れた現像性を有するもののオ
ゾン層破壊や地下水汚染等の環境問題を有している。
【０００６】有機溶剤系現像液は可燃性であるため、引
火爆発の危険性を有する。また溶解力が強く、光硬化し
たパターンの膨潤、アンダーカット、剥離等の問題を有
し、特に精密なパターンの形成に問題がある。また水洗
時に十分に取り除くことができずに光硬化したパターン
に残渣が残る問題がある。
火爆発の危険性を有する。また溶解力が強く、光硬化し
たパターンの膨潤、アンダーカット、剥離等の問題を有
し、特に精密なパターンの形成に問題がある。また水洗
時に十分に取り除くことができずに光硬化したパターン
に残渣が残る問題がある。
【０００７】本発明の目的はこれらの課題を解決し、光
硬化部分の膨潤やアンダーカット、剥離や未露光部の現
像残渣を生じることなく精密なパターン形成が可能で環
境破壊や安全性上の問題のない現像液を提供することに
ある。
硬化部分の膨潤やアンダーカット、剥離や未露光部の現
像残渣を生じることなく精密なパターン形成が可能で環
境破壊や安全性上の問題のない現像液を提供することに
ある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題の解決は液状組
成物に対する摂氏２０度における水の溶解度が３から３
０重量％である液状組成物とＮ−メチル−２−ピロリド
ン、γ−ブチロラクトン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミ
ド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドからなる群より選ば
れた１種以上の化合物および水を含む現像液組成物によ
り達成できる。
成物に対する摂氏２０度における水の溶解度が３から３
０重量％である液状組成物とＮ−メチル−２−ピロリド
ン、γ−ブチロラクトン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミ
ド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドからなる群より選ば
れた１種以上の化合物および水を含む現像液組成物によ
り達成できる。
【０００９】
【発明の実施の形態】液状組成物に対する水の溶解度と
は液状組成物に対して水の溶解量が飽和状態となりそれ
以上水が溶解しなくなる濃度である。溶解度は温度によ
り変化するが、本発明で液状組成物に対する水の溶解度
を定義する温度を摂氏２０度としたのは、一般的に組成
物の溶解度を比較する場合に用いられる温度が摂氏２０
度であるためで、本現像液組成物の製造温度、使用温度
等を制限するものではない。
は液状組成物に対して水の溶解量が飽和状態となりそれ
以上水が溶解しなくなる濃度である。溶解度は温度によ
り変化するが、本発明で液状組成物に対する水の溶解度
を定義する温度を摂氏２０度としたのは、一般的に組成
物の溶解度を比較する場合に用いられる温度が摂氏２０
度であるためで、本現像液組成物の製造温度、使用温度
等を制限するものではない。
【００１０】本発明の現像液組成物に用いる液状組成物
に対する摂氏２０度における水の溶解度は３から３０重
量％であり、好ましくは５から２５重量％、特に好まし
くは１０から２０重量％である。水の溶解度が３重量未
満の場合は添加できる水の量が少なく安全上問題であ
る。また現像後の水洗で十分に取り除けず、残渣がパタ
ーンに付着する問題がある。水の溶解度が３０重量％を
越えると液状化合物の溶解力が強く、光硬化したパター
ンの膨潤、アンダーカット、剥離等の問題が生じる。ま
た液状組成物自体の吸水力が強いため水洗時に水が光硬
化したパターンにもしみこみ、膨潤、剥離、アンダーカ
ットを生じる問題がある。即ち本発明の現像液組成物は
水の溶解度を制御する事により水洗に伴う、残渣やパタ
ーンの膨潤、剥離、アンダーカット等を抑制することが
できる。
に対する摂氏２０度における水の溶解度は３から３０重
量％であり、好ましくは５から２５重量％、特に好まし
くは１０から２０重量％である。水の溶解度が３重量未
満の場合は添加できる水の量が少なく安全上問題であ
る。また現像後の水洗で十分に取り除けず、残渣がパタ
ーンに付着する問題がある。水の溶解度が３０重量％を
越えると液状化合物の溶解力が強く、光硬化したパター
ンの膨潤、アンダーカット、剥離等の問題が生じる。ま
た液状組成物自体の吸水力が強いため水洗時に水が光硬
化したパターンにもしみこみ、膨潤、剥離、アンダーカ
ットを生じる問題がある。即ち本発明の現像液組成物は
水の溶解度を制御する事により水洗に伴う、残渣やパタ
ーンの膨潤、剥離、アンダーカット等を抑制することが
できる。
【００１１】摂氏２０度における水の溶解度が３から３
０重量％である液状組成物の例としては１−ブタノー
ル、２−ブタノール、１−ペンタノール、２−ペンタノ
ール、２−メチル−１−ブタノール、エチレングリコー
ルモノヘキシルエーテル、エチレングリコールモノベン
ジルエーテル、シクロヘキサノール、プロピレングリコ
ールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノ
プロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノブチル
エーテル、トリプロピレングリコールモノブチルエーテ
ル、プロピレングリコールモノフェニルエーテル、プロ
ピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジプ
ロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリ
コールジアセテート、３−メチル−３−メトキシブチル
アセテート、ブチルラクテート等があげられる。これら
の化合物は単独あるいは任意の割合で混合して用いられ
る。また溶解度が３重量％未満の液状化合物と３０重量
％を越える化合物も溶解度が３から３０重量％になるよ
うに混合して用ることができる。溶解度が３重量％未満
の液状化合物の例としては、ヘキサン、ヘプタン、オク
タン、ベンゼン、トルエン、キシレン、ジエチルエーテ
ル、ブチルアセテート、エチレングリコールモノブチル
エーテルアセテート、ジエチレングリコールジブチルエ
ーテル等があげられる。溶解度が３０重量％を越える液
状化合物の例としてはメタノール、エタノール、２−プ
ロパノール、１−ブタノール、エチレングリコール、ジ
エチエレングリコール、トリエチレングリコール、エチ
レングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコ
ールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノ
メチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテ
ル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、トリエ
チレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリ
コールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジメ
チルエーテル、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、γ−ブチ
ロラクトン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−
ジメチルアセトアミド、アセトン、メチルエチルケトン
等があげられる。
０重量％である液状組成物の例としては１−ブタノー
ル、２−ブタノール、１−ペンタノール、２−ペンタノ
ール、２−メチル−１−ブタノール、エチレングリコー
ルモノヘキシルエーテル、エチレングリコールモノベン
ジルエーテル、シクロヘキサノール、プロピレングリコ
ールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノ
プロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノブチル
エーテル、トリプロピレングリコールモノブチルエーテ
ル、プロピレングリコールモノフェニルエーテル、プロ
ピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジプ
ロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリ
コールジアセテート、３−メチル−３−メトキシブチル
アセテート、ブチルラクテート等があげられる。これら
の化合物は単独あるいは任意の割合で混合して用いられ
る。また溶解度が３重量％未満の液状化合物と３０重量
％を越える化合物も溶解度が３から３０重量％になるよ
うに混合して用ることができる。溶解度が３重量％未満
の液状化合物の例としては、ヘキサン、ヘプタン、オク
タン、ベンゼン、トルエン、キシレン、ジエチルエーテ
ル、ブチルアセテート、エチレングリコールモノブチル
エーテルアセテート、ジエチレングリコールジブチルエ
ーテル等があげられる。溶解度が３０重量％を越える液
状化合物の例としてはメタノール、エタノール、２−プ
ロパノール、１−ブタノール、エチレングリコール、ジ
エチエレングリコール、トリエチレングリコール、エチ
レングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコ
ールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノ
メチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテ
ル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、トリエ
チレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリ
コールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジメ
チルエーテル、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、γ−ブチ
ロラクトン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−
ジメチルアセトアミド、アセトン、メチルエチルケトン
等があげられる。
【００１２】本発明の現像液組成物はＮ−メチル−２−
ピロリドン、γ−ブチロラクトン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホ
ルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドからなる群
より選ばれた１種以上の化合物を混合することにより感
光性レジストの溶解速度が速くなり現像時間の短縮が可
能となる。Ｎ−メチル−２−ピロリドン、γ−ブチロラ
クトン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメ
チルアセトアミドからなる群より選ばれた１種以上の化
合物の含有量は１〜２０重量％が好ましい。特に好まし
くは３〜１５重量％、さらに好ましくは４〜８重量％で
ある。含有量が１重量％未満の場合は溶解速度を速める
ことができず、現像時間が長くなり、生産性上好ましく
ない。含有量が２０重量％を越える場合、溶解力が高く
なりすぎ、光硬化したパターンの膨潤、アンダーカッ
ト、剥離等の問題が生じる。
ピロリドン、γ−ブチロラクトン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホ
ルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドからなる群
より選ばれた１種以上の化合物を混合することにより感
光性レジストの溶解速度が速くなり現像時間の短縮が可
能となる。Ｎ−メチル−２−ピロリドン、γ−ブチロラ
クトン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメ
チルアセトアミドからなる群より選ばれた１種以上の化
合物の含有量は１〜２０重量％が好ましい。特に好まし
くは３〜１５重量％、さらに好ましくは４〜８重量％で
ある。含有量が１重量％未満の場合は溶解速度を速める
ことができず、現像時間が長くなり、生産性上好ましく
ない。含有量が２０重量％を越える場合、溶解力が高く
なりすぎ、光硬化したパターンの膨潤、アンダーカッ
ト、剥離等の問題が生じる。
【００１３】本発明の現像液組成物は水を混合する。水
を混合することにより引火爆発の危険性を防止する安全
上の利点がある。混合する水の量は好ましくは摂氏２０
度における水の溶解度が３から３０重量％である液状組
成物に対する水の溶解量が飽和となる量あるいは飽和と
ならない範囲である。
を混合することにより引火爆発の危険性を防止する安全
上の利点がある。混合する水の量は好ましくは摂氏２０
度における水の溶解度が３から３０重量％である液状組
成物に対する水の溶解量が飽和となる量あるいは飽和と
ならない範囲である。
【００１４】本発明の現像液組成物は蒸留して再利用す
ることができる。蒸留して再利用することにより、現像
後の現像液組成物の廃棄処分が不必要となり環境上好都
合である。蒸留は常圧蒸留、減圧蒸留等の既存の蒸留方
法が用いられる。
ることができる。蒸留して再利用することにより、現像
後の現像液組成物の廃棄処分が不必要となり環境上好都
合である。蒸留は常圧蒸留、減圧蒸留等の既存の蒸留方
法が用いられる。
【００１５】本発明の感光性レジスト用現像液組成物は
市販されている感光性レジストに使用できる。感光性レ
ジストとして例えばサンノプコ社製ノプコキュアＦ−１
０４０ｍ、ノプコキュアＦ７０２、ノプコキュアＦ−１
５２０などの感光性ドライフィルムレジスト、ノプコキ
ュアＬ−１０２０、ノプコキュアＬ−７０２０などの液
状レジストがある。
市販されている感光性レジストに使用できる。感光性レ
ジストとして例えばサンノプコ社製ノプコキュアＦ−１
０４０ｍ、ノプコキュアＦ７０２、ノプコキュアＦ−１
５２０などの感光性ドライフィルムレジスト、ノプコキ
ュアＬ−１０２０、ノプコキュアＬ−７０２０などの液
状レジストがある。
【００１６】本発明の現像液を用いる方法は、スプレー
法、超音波法、浸せき揺動法等の既存の方法を用いるこ
とができる。現像の温度は特に限定しない。一般的には
室温から摂氏５０の間で使用される。現像後は水による
水洗を行うことが好ましい。
法、超音波法、浸せき揺動法等の既存の方法を用いるこ
とができる。現像の温度は特に限定しない。一般的には
室温から摂氏５０の間で使用される。現像後は水による
水洗を行うことが好ましい。
【００１７】
【実施例】次に、実施例により本発明を詳細に説明する
が、本発明はこれらによって限定されるものではない。
表１に示す配合比で現像液組成物を作成し、現像性の評
価を行った。現像性評価ピースとしてサンノプコ社製ド
ライフィルム型感光性レジストであるノプコキュアＦ−
１０４０を銅張り積層板にラミネートし線幅／線間＝５
０／５０μｍのフォトマスクを通して露光したものを用
いた。このテストピースに対して表１の現像液組成物を
用い温度３０℃、圧力３kg/cm2の条件でスプレー方式で
現像した。そして水スプレーで水洗した後、８０℃のオ
ーブンで３０分乾燥した後５０倍の顕微鏡で観察して硬
化部のパターンの剥離、アンダーカット、未露光部の現
像残渣の評価を行った。
が、本発明はこれらによって限定されるものではない。
表１に示す配合比で現像液組成物を作成し、現像性の評
価を行った。現像性評価ピースとしてサンノプコ社製ド
ライフィルム型感光性レジストであるノプコキュアＦ−
１０４０を銅張り積層板にラミネートし線幅／線間＝５
０／５０μｍのフォトマスクを通して露光したものを用
いた。このテストピースに対して表１の現像液組成物を
用い温度３０℃、圧力３kg/cm2の条件でスプレー方式で
現像した。そして水スプレーで水洗した後、８０℃のオ
ーブンで３０分乾燥した後５０倍の顕微鏡で観察して硬
化部のパターンの剥離、アンダーカット、未露光部の現
像残渣の評価を行った。
【００１８】現像性の評価結果と最小現像時間、現像液
組成物の引火性の評価結果を表１に示す。最小現像時間
は現像性評価において未露光の評価用テストピースを現
像した場合に感光性レジストの全量を溶解するのに必要
な最小時間を測定した。引火性の評価は消防法危険物の
評価基準に従って行った。現像性は以下の基準で判定し
た。 ○：硬化部のパターン剥離、アンダーカット、未露光部
の現像残渣なし。 △：現像残渣がある。 ×：硬化部のパターンの剥離、アンダーカットがある。 最低限贈時間は以下の基準で判定した。 ○：３分未満 ×：３分以上 引火性は以下の基準で判定した。 ○：引火性なし ×：引火性あり
組成物の引火性の評価結果を表１に示す。最小現像時間
は現像性評価において未露光の評価用テストピースを現
像した場合に感光性レジストの全量を溶解するのに必要
な最小時間を測定した。引火性の評価は消防法危険物の
評価基準に従って行った。現像性は以下の基準で判定し
た。 ○：硬化部のパターン剥離、アンダーカット、未露光部
の現像残渣なし。 △：現像残渣がある。 ×：硬化部のパターンの剥離、アンダーカットがある。 最低限贈時間は以下の基準で判定した。 ○：３分未満 ×：３分以上 引火性は以下の基準で判定した。 ○：引火性なし ×：引火性あり
【００１９】
【表１】
【００２０】実施例１に示す現像液組成物を現像性評価
後に５ｍｍＨｇの減圧下で１２０℃で蒸留して回収率９
０％で精製物を得た。水分を所定の１０重量％に調整し
た後に現像性の評価を行ったところ、蒸留前と同等の現
像性を示した。実施例１に示す現像液組成物は５ｍｍＨ
ｇの減圧下で１２０℃で蒸留して精製した。水分を所定
の１０重量％に調整した後に現像性の再評価を行ったと
ころ、蒸留前と同等の現像性を示した。
後に５ｍｍＨｇの減圧下で１２０℃で蒸留して回収率９
０％で精製物を得た。水分を所定の１０重量％に調整し
た後に現像性の評価を行ったところ、蒸留前と同等の現
像性を示した。実施例１に示す現像液組成物は５ｍｍＨ
ｇの減圧下で１２０℃で蒸留して精製した。水分を所定
の１０重量％に調整した後に現像性の再評価を行ったと
ころ、蒸留前と同等の現像性を示した。
【００２１】
【発明の効果】本発明の現像液組成物は感光性レジスト
の光硬化部分の膨潤やアンダーカット、剥離や未露光部
の現像残渣を生じることなく精密な細線パターン形成が
可能な現像液である。かつ引火爆発性のない現像液やオ
ゾン層破壊や地下水汚染のない現像液を提供できるので
安全上や環境上問題もない。このため本発明の現像液組
成物はプリント配線板製造時に用いられるめっきレジス
ト、エッチングレジスト、ソルダーレジスト、層間絶縁
剤などのほか、金属精密加工用レジスト、構造体形成レ
ジストの現像液として好適である。
の光硬化部分の膨潤やアンダーカット、剥離や未露光部
の現像残渣を生じることなく精密な細線パターン形成が
可能な現像液である。かつ引火爆発性のない現像液やオ
ゾン層破壊や地下水汚染のない現像液を提供できるので
安全上や環境上問題もない。このため本発明の現像液組
成物はプリント配線板製造時に用いられるめっきレジス
ト、エッチングレジスト、ソルダーレジスト、層間絶縁
剤などのほか、金属精密加工用レジスト、構造体形成レ
ジストの現像液として好適である。
Claims (3)
- 【請求項１】 液状組成物に対する摂氏２０度における
水の溶解度が３から３０重量％である液状組成物とＮ−
メチル−２−ピロリドン、γ−ブチロラクトン、Ｎ，Ｎ
−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミ
ドからなる群より選ばれた１種以上の化合物および水を
含む現像液組成物。 - 【請求項２】 Ｎ−メチル−２−ピロリドン、γ−ブチ
ロラクトン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−
ジメチルアセトアミドからなる群より選ばれた１種以上
の化合物の含有量が１から２０重量％である請求項１記
載の現像液組成物。 - 【請求項３】 請求項１または２記載の現像液組成物を
現像後に蒸留精製して再使用することを特徴とする現像
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12173999A JP4431642B2 (ja) | 1999-04-28 | 1999-04-28 | 感光性レジスト用現像液組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12173999A JP4431642B2 (ja) | 1999-04-28 | 1999-04-28 | 感光性レジスト用現像液組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000310862A true JP2000310862A (ja) | 2000-11-07 |
| JP4431642B2 JP4431642B2 (ja) | 2010-03-17 |
Family
ID=14818692
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12173999A Expired - Fee Related JP4431642B2 (ja) | 1999-04-28 | 1999-04-28 | 感光性レジスト用現像液組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4431642B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003005129A1 (fr) * | 2001-07-06 | 2003-01-16 | Toray Industries, Inc. | Procede de fabrication d'une plaque d'impression recouverte d'une resine photosensible et traitement a base de revelateur |
| JP2007292964A (ja) * | 2006-04-25 | 2007-11-08 | Matsushita Electric Works Ltd | 光カチオン硬化型エポキシ樹脂組成物の現像方法 |
| JP2012032788A (ja) * | 2010-06-30 | 2012-02-16 | Fujifilm Corp | パターン形成方法及び該パターン形成方法に用いられる現像液 |
| JP2012088711A (ja) * | 2010-10-20 | 2012-05-10 | E I Du Pont De Nemours & Co | 多成分溶媒溶液の再平衡方法 |
| WO2016104565A1 (ja) * | 2014-12-26 | 2016-06-30 | 富士フイルム株式会社 | 有機系処理液およびパターン形成方法 |
-
1999
- 1999-04-28 JP JP12173999A patent/JP4431642B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003005129A1 (fr) * | 2001-07-06 | 2003-01-16 | Toray Industries, Inc. | Procede de fabrication d'une plaque d'impression recouverte d'une resine photosensible et traitement a base de revelateur |
| US7208263B2 (en) | 2001-07-06 | 2007-04-24 | Toray Industries, Inc. | Method for manufacturing photosensitive resin printing plate, and developer treatment device |
| JP2007292964A (ja) * | 2006-04-25 | 2007-11-08 | Matsushita Electric Works Ltd | 光カチオン硬化型エポキシ樹脂組成物の現像方法 |
| JP2012032788A (ja) * | 2010-06-30 | 2012-02-16 | Fujifilm Corp | パターン形成方法及び該パターン形成方法に用いられる現像液 |
| US9097973B2 (en) | 2010-06-30 | 2015-08-04 | Fujifilm Corporation | Method of forming pattern and developer for use in the method |
| US9482958B2 (en) | 2010-06-30 | 2016-11-01 | Fujifilm Corporation | Method of forming pattern and developer for use in the method |
| US9897922B2 (en) | 2010-06-30 | 2018-02-20 | Fujifilm Corporation | Method of forming pattern and developer for use in the method |
| JP2012088711A (ja) * | 2010-10-20 | 2012-05-10 | E I Du Pont De Nemours & Co | 多成分溶媒溶液の再平衡方法 |
| WO2016104565A1 (ja) * | 2014-12-26 | 2016-06-30 | 富士フイルム株式会社 | 有機系処理液およびパターン形成方法 |
| JPWO2016104565A1 (ja) * | 2014-12-26 | 2017-09-21 | 富士フイルム株式会社 | 有機系処理液およびパターン形成方法 |
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