JP2000310718A - 位相差素子および光学素子 - Google Patents
位相差素子および光学素子Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】温度による半導体レーザ出射光の波長変動を補
償し、安定して所定の位相差を得る。 【解決手段】位相差発生機能を有する有機薄膜２の少な
くとも一方の表面に接着材３が塗布され、透過または反
射機能を有する固定基板１が接着されており、有機薄膜
２の線膨張係数Ｅ1 、接着材３の線膨張係数Ｅ2 、固定
基板１の線膨張係数Ｅ3 が、Ｅ1 ＜Ｅ2 かつＥ3 ＜Ｅ2
の関係を満たす位相差素子。
償し、安定して所定の位相差を得る。 【解決手段】位相差発生機能を有する有機薄膜２の少な
くとも一方の表面に接着材３が塗布され、透過または反
射機能を有する固定基板１が接着されており、有機薄膜
２の線膨張係数Ｅ1 、接着材３の線膨張係数Ｅ2 、固定
基板１の線膨張係数Ｅ3 が、Ｅ1 ＜Ｅ2 かつＥ3 ＜Ｅ2
の関係を満たす位相差素子。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光記録媒体に対し
て光を照射して情報の記録、再生を行う光ヘッド装置な
どに用いられる位相差素子および光学素子に関する。
て光を照射して情報の記録、再生を行う光ヘッド装置な
どに用いられる位相差素子および光学素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＣＤやＤＶＤなどの光ディスクまたは光
磁気ディスクなどの光記録媒体に情報を書き込んだり、
光記録媒体から情報を読み取ったりするために、位相差
素子や回折素子などの光学素子を備えた光ヘッド装置が
用いられている。
磁気ディスクなどの光記録媒体に情報を書き込んだり、
光記録媒体から情報を読み取ったりするために、位相差
素子や回折素子などの光学素子を備えた光ヘッド装置が
用いられている。
【０００３】光ヘッド装置は、半導体レーザからの出射
光を光記録媒体へ導き、光記録媒体からの反射光を回折
素子や偏光ビームスプリッタなどの光学素子によって、
回折または偏向させて光検出器によって反射光を検出す
る構成となっている。また、光学素子である位相差素子
が光記録媒体と、光検出器および半導体レーザとの間に
設置されることもある。
光を光記録媒体へ導き、光記録媒体からの反射光を回折
素子や偏光ビームスプリッタなどの光学素子によって、
回折または偏向させて光検出器によって反射光を検出す
る構成となっている。また、光学素子である位相差素子
が光記録媒体と、光検出器および半導体レーザとの間に
設置されることもある。
【０００４】光ヘッド装置を長時間稼働させた場合、経
時的に光ヘッド装置内部の温度が上昇する。また、光ヘ
ッド装置に使用される半導体レーザは、一般に温度の上
昇と共に発振波長が増加するような温度特性を有してい
る。光ヘッド装置に位相差素子を組み込んだ場合、温度
変化により半導体レーザの発振波長が変動するとレーザ
光が位相差素子を通過する際に所定の位相差を得ること
ができなくなり、光記録媒体に対する情報の読み取り、
書き込み時に、信号強度の低下や信号中のノイズの増加
などの悪影響を与えることがある。
時的に光ヘッド装置内部の温度が上昇する。また、光ヘ
ッド装置に使用される半導体レーザは、一般に温度の上
昇と共に発振波長が増加するような温度特性を有してい
る。光ヘッド装置に位相差素子を組み込んだ場合、温度
変化により半導体レーザの発振波長が変動するとレーザ
光が位相差素子を通過する際に所定の位相差を得ること
ができなくなり、光記録媒体に対する情報の読み取り、
書き込み時に、信号強度の低下や信号中のノイズの増加
などの悪影響を与えることがある。
【０００５】従来、位相差素子としては、水晶のような
無機単結晶を研磨して用いられているが、単結晶の使用
は光学素子のコストアップにつながるので、コスト的に
有利な、例えば一軸延伸したポリカーボネートなどの有
機薄膜を用いたものが提案されている。
無機単結晶を研磨して用いられているが、単結晶の使用
は光学素子のコストアップにつながるので、コスト的に
有利な、例えば一軸延伸したポリカーボネートなどの有
機薄膜を用いたものが提案されている。
【０００６】しかし、一般に水晶や有機薄膜は温度によ
る光学特性の変動が小さいため、温度変化によって半導
体レーザの発振波長が変動した場合にレーザ光の波長変
動分をこれらの材料を用いた位相差素子において補償で
きなかった。
る光学特性の変動が小さいため、温度変化によって半導
体レーザの発振波長が変動した場合にレーザ光の波長変
動分をこれらの材料を用いた位相差素子において補償で
きなかった。
【０００７】また、位相差素子に用いられる固定基板の
線膨張係数は、一般的に有機薄膜の線膨張係数とは異な
るため、温度上昇に伴って有機薄膜に変形が生じ、位相
差素子のリタデーション値や位相差軸の乱れの発生、平
滑性の減少により、位相差素子を通過するレーザ光の波
面の乱れが生じる問題点があった。
線膨張係数は、一般的に有機薄膜の線膨張係数とは異な
るため、温度上昇に伴って有機薄膜に変形が生じ、位相
差素子のリタデーション値や位相差軸の乱れの発生、平
滑性の減少により、位相差素子を通過するレーザ光の波
面の乱れが生じる問題点があった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
の位相差素子では、光ヘッド装置などに組み込んで使用
する際に、温度による半導体レーザからの出射光の波長
変動を補償する機能を有しておらず、また、温度上昇に
伴う位相差素子の変形により、所定の位相差を得ること
ができない場合があった。
の位相差素子では、光ヘッド装置などに組み込んで使用
する際に、温度による半導体レーザからの出射光の波長
変動を補償する機能を有しておらず、また、温度上昇に
伴う位相差素子の変形により、所定の位相差を得ること
ができない場合があった。
【０００９】本発明の目的は、温度による半導体レーザ
からの出射光の波長変動を補償することができ、特に高
温度域でも安定して所定の位相差を得ることができる位
相差素子および光学素子を提供することである。
からの出射光の波長変動を補償することができ、特に高
温度域でも安定して所定の位相差を得ることができる位
相差素子および光学素子を提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、位相差発生機
能を有する有機薄膜の少なくとも一方の表面に接着剤が
塗布され、この接着剤により前記有機薄膜に、透過また
は反射機能を有する固定基板が接着されており、前記有
機薄膜の線膨張係数Ｅ1 （／℃）、前記接着剤の線膨張
係数Ｅ2 （／℃）、前記固定基板の線膨張係数Ｅ3 （／
℃）の間に、 Ｅ1 ＜Ｅ2 かつ Ｅ3 ＜Ｅ2 の関係を満たし、前記有機薄膜のガラス転移温度が１５
０℃以上であることを特徴とする位相差素子を提供す
る。
能を有する有機薄膜の少なくとも一方の表面に接着剤が
塗布され、この接着剤により前記有機薄膜に、透過また
は反射機能を有する固定基板が接着されており、前記有
機薄膜の線膨張係数Ｅ1 （／℃）、前記接着剤の線膨張
係数Ｅ2 （／℃）、前記固定基板の線膨張係数Ｅ3 （／
℃）の間に、 Ｅ1 ＜Ｅ2 かつ Ｅ3 ＜Ｅ2 の関係を満たし、前記有機薄膜のガラス転移温度が１５
０℃以上であることを特徴とする位相差素子を提供す
る。
【００１１】また、前記有機薄膜がポリカーボネート、
ポリイミド、ポリアリレート、ポリエーテルスルフォ
ン、（脂環族）ポリオレフィン、ポリ（メタ）アクリレ
ートおよびポリエーテルイミドよりなる群の少なくとも
一つを含む位相差素子を提供する。
ポリイミド、ポリアリレート、ポリエーテルスルフォ
ン、（脂環族）ポリオレフィン、ポリ（メタ）アクリレ
ートおよびポリエーテルイミドよりなる群の少なくとも
一つを含む位相差素子を提供する。
【００１２】また、位相差発生機能を有する有機薄膜と
して、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリアリレー
ト、ポリエーテルスルフォン、（脂環族）ポリオレフィ
ン、ポリ（メタ）アクリレートおよびポリエーテルイミ
ドよりなる群の少なくとも一つを含む薄膜の両面にアク
リル系、エポキシ系、ウレタン系、ポリエステル系の少
なくともいずれかを含む接着材が塗布され、この接着剤
により前記有機薄膜のそれぞれの面に、固定基板として
透過または反射機能を有する基板または光学素子が接着
されていることを特徴とする位相差素子を提供する。
して、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリアリレー
ト、ポリエーテルスルフォン、（脂環族）ポリオレフィ
ン、ポリ（メタ）アクリレートおよびポリエーテルイミ
ドよりなる群の少なくとも一つを含む薄膜の両面にアク
リル系、エポキシ系、ウレタン系、ポリエステル系の少
なくともいずれかを含む接着材が塗布され、この接着剤
により前記有機薄膜のそれぞれの面に、固定基板として
透過または反射機能を有する基板または光学素子が接着
されていることを特徴とする位相差素子を提供する。
【００１３】また、位相差発生機能を有するポリカーボ
ネート薄膜の少なくとも一方の表面にアクリル系、エポ
キシ系、ウレタン系の少なくともいずれかを含む接着材
が塗布され、この接着材により前記ポリカーボネート薄
膜に透明基板が固定されていることを特徴とする位相差
素子を提供する。
ネート薄膜の少なくとも一方の表面にアクリル系、エポ
キシ系、ウレタン系の少なくともいずれかを含む接着材
が塗布され、この接着材により前記ポリカーボネート薄
膜に透明基板が固定されていることを特徴とする位相差
素子を提供する。
【００１４】また、向かい合った２枚の透明基板の内面
にアクリル系、エポキシ系、ウレタン系の少なくともい
ずれかを含む接着材が塗布され、位相差発生機能を有す
るポリカーボネート薄膜が前記透明基板間に固定されて
いることを特徴とする位相差素子を提供する。
にアクリル系、エポキシ系、ウレタン系の少なくともい
ずれかを含む接着材が塗布され、位相差発生機能を有す
るポリカーボネート薄膜が前記透明基板間に固定されて
いることを特徴とする位相差素子を提供する。
【００１５】また、入射する光の偏光方向により回折効
率の異なる偏光性回折素子と、上記いずれかの位相差素
子とが組み合わされた光学素子を提供する。
率の異なる偏光性回折素子と、上記いずれかの位相差素
子とが組み合わされた光学素子を提供する。
【００１６】位相差発生機能を有する有機薄膜の少なく
とも一方の表面に接着剤を塗布し、この接着剤により前
記有機薄膜に透過または反射機能を有する固定基板を接
着することにより、半導体レーザの発振波長の温度変化
を抑える方向に位相差の温度特性が生じる。具体的に
は、温度が上昇すると半導体レーザの発振波長が増加す
るが、この変化を打ち消すように温度上昇に伴って位相
差が増加する。このような位相差素子を用いることによ
り、温度による半導体レーザからの出射光の波長変動が
補償される。
とも一方の表面に接着剤を塗布し、この接着剤により前
記有機薄膜に透過または反射機能を有する固定基板を接
着することにより、半導体レーザの発振波長の温度変化
を抑える方向に位相差の温度特性が生じる。具体的に
は、温度が上昇すると半導体レーザの発振波長が増加す
るが、この変化を打ち消すように温度上昇に伴って位相
差が増加する。このような位相差素子を用いることによ
り、温度による半導体レーザからの出射光の波長変動が
補償される。
【００１７】さらに、向かい合った２枚の固定基板の内
面に有機薄膜が配置されるように、有機薄膜の両面を固
定基板で挟むように接着することにより、温度による半
導体レーザの発振波長変動を補償する効果がより増大す
る。固定基板としては、透過機能、屈折機能、回折機
能、反射機能などを有する基板または光学素子を使用で
きる。
面に有機薄膜が配置されるように、有機薄膜の両面を固
定基板で挟むように接着することにより、温度による半
導体レーザの発振波長変動を補償する効果がより増大す
る。固定基板としては、透過機能、屈折機能、回折機
能、反射機能などを有する基板または光学素子を使用で
きる。
【００１８】また、前記有機薄膜の線膨張係数Ｅ1 が前
記接着剤の線膨張係数Ｅ2 より小さく、かつ、前記固定
基板の線膨張係数Ｅ3 が前記接着剤の線膨張係数Ｅ2 よ
り小さくなるように、材料を選択することで、温度上昇
に伴う有機薄膜と固定基板の膨張を接着剤により吸収可
能となる。この結果、位相差素子の変形が防げ、リタデ
ーション値の変化や位相差軸の変化、位相差素子を通過
するレーザ光の波面の乱れなどの発生が防止される。ま
た、ガラス転移温度が１５０℃以上の有機薄膜を用いる
ことにより、高温域においても位相差発生機能を安定し
て発現できる。
記接着剤の線膨張係数Ｅ2 より小さく、かつ、前記固定
基板の線膨張係数Ｅ3 が前記接着剤の線膨張係数Ｅ2 よ
り小さくなるように、材料を選択することで、温度上昇
に伴う有機薄膜と固定基板の膨張を接着剤により吸収可
能となる。この結果、位相差素子の変形が防げ、リタデ
ーション値の変化や位相差軸の変化、位相差素子を通過
するレーザ光の波面の乱れなどの発生が防止される。ま
た、ガラス転移温度が１５０℃以上の有機薄膜を用いる
ことにより、高温域においても位相差発生機能を安定し
て発現できる。
【００１９】また、上記の位相差素子と入射する光の偏
光方向により回折効率の異なる偏光性回折素子とを組み
合わせることにより、位相差素子において温度による半
導体レーザの発振波長変動を補償できるので、回折素子
における回折効果が温度により変化しなくなる。
光方向により回折効率の異なる偏光性回折素子とを組み
合わせることにより、位相差素子において温度による半
導体レーザの発振波長変動を補償できるので、回折素子
における回折効果が温度により変化しなくなる。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を説明する。本発明の位相差素子は、位相差発
生機能を有する有機薄膜の少なくとも一方の表面に接着
剤が塗布され、この接着剤により前記有機薄膜に透過ま
たは反射機能を有する固定基板が接着されている。
施の形態を説明する。本発明の位相差素子は、位相差発
生機能を有する有機薄膜の少なくとも一方の表面に接着
剤が塗布され、この接着剤により前記有機薄膜に透過ま
たは反射機能を有する固定基板が接着されている。
【００２１】図１は第１の実施形態に係る位相差素子の
構成を示す断面図、図２は半導体レーザの発振波長の温
度変化と位相差素子における位相差の変化量の温度特性
を示すグラフである。
構成を示す断面図、図２は半導体レーザの発振波長の温
度変化と位相差素子における位相差の変化量の温度特性
を示すグラフである。
【００２２】第１の実施形態では、複屈折性を持ち位相
差発生機能を有する有機薄膜が、向かい合った２枚の固
定基板間に接着材の塗布にて固定されている。位相差素
子に用いられる有機薄膜は、ポリカーボネート、ポリイ
ミド、ポリアリレート、ポリエーテルスルフォン、（脂
環族）ポリオレフィン、ポリ（メタ）アクリレートなど
の高分子薄膜を一軸延伸などにより複屈折性を付与し、
位相差機能を発現させた有機薄膜を用いることができ
る。位相差機能を有する有機薄膜でこれら以外の樹脂も
用いることができるが、耐熱性の面から、（変性）ポリ
カーボネート、ポリイミド、ポリアリレート、ポリエー
テルスルフォン、（脂環族）ポリオレフィン、ポリ（メ
タ）アクリレートまたはポリエーテルイミドを用いるこ
とが好ましい。量産品として工業的に用いるにはポリカ
ーボネートが安定性がよく安価で好ましい。有機薄膜と
して、固定基板に通常の液晶配向処理を施し、高分子液
晶のモノマーを塗布し、硬化させた高分子液晶薄膜も用
いることができる。前記高分子液晶は、側鎖型、主鎖型
のいずれのタイプでもよい。さらに、有機薄膜のガラス
転移温度が１５０℃以上であれば、温度上昇に伴う有機
薄膜の複屈折性、すなわち位相差機能の低下を防止でき
るため、より好ましい。
差発生機能を有する有機薄膜が、向かい合った２枚の固
定基板間に接着材の塗布にて固定されている。位相差素
子に用いられる有機薄膜は、ポリカーボネート、ポリイ
ミド、ポリアリレート、ポリエーテルスルフォン、（脂
環族）ポリオレフィン、ポリ（メタ）アクリレートなど
の高分子薄膜を一軸延伸などにより複屈折性を付与し、
位相差機能を発現させた有機薄膜を用いることができ
る。位相差機能を有する有機薄膜でこれら以外の樹脂も
用いることができるが、耐熱性の面から、（変性）ポリ
カーボネート、ポリイミド、ポリアリレート、ポリエー
テルスルフォン、（脂環族）ポリオレフィン、ポリ（メ
タ）アクリレートまたはポリエーテルイミドを用いるこ
とが好ましい。量産品として工業的に用いるにはポリカ
ーボネートが安定性がよく安価で好ましい。有機薄膜と
して、固定基板に通常の液晶配向処理を施し、高分子液
晶のモノマーを塗布し、硬化させた高分子液晶薄膜も用
いることができる。前記高分子液晶は、側鎖型、主鎖型
のいずれのタイプでもよい。さらに、有機薄膜のガラス
転移温度が１５０℃以上であれば、温度上昇に伴う有機
薄膜の複屈折性、すなわち位相差機能の低下を防止でき
るため、より好ましい。
【００２３】接着剤の材料としては、アクリル系、エポ
キシ系、ウレタン系、ポリエステル系、ポリイミド系、
ユリア系、メラミン系、フラン樹脂系、イソシアネート
系、シリコーン系、セルロース系、酢酸ビニル系、塩化
ビニル系、ゴム系やそれらの混合系のものを使用でき
る。接着剤はＵＶ硬化型や熱硬化型であれば作業性が良
く好ましいがこれらに限るものではない。接着剤は平滑
に一定厚みで薄く塗布することが、波面収差を良好にす
るために必要である。例えば、位相差素子の透過波面収
差が０．０２λrms 以下（λは波長、rms は自乗平均値
を示す）となるような平滑さで仕上げることが好まし
い。塗布の方法としては、スピンコートあるいはロール
コートなどの方法を用いると作業性が優れ、また厚さの
制御が容易であるため好ましい。
キシ系、ウレタン系、ポリエステル系、ポリイミド系、
ユリア系、メラミン系、フラン樹脂系、イソシアネート
系、シリコーン系、セルロース系、酢酸ビニル系、塩化
ビニル系、ゴム系やそれらの混合系のものを使用でき
る。接着剤はＵＶ硬化型や熱硬化型であれば作業性が良
く好ましいがこれらに限るものではない。接着剤は平滑
に一定厚みで薄く塗布することが、波面収差を良好にす
るために必要である。例えば、位相差素子の透過波面収
差が０．０２λrms 以下（λは波長、rms は自乗平均値
を示す）となるような平滑さで仕上げることが好まし
い。塗布の方法としては、スピンコートあるいはロール
コートなどの方法を用いると作業性が優れ、また厚さの
制御が容易であるため好ましい。
【００２４】透過機能を有する固定基板としては、平滑
な光学ガラスが好ましい。また、反射機能を持たせるた
めに固定基板として、表面にアルミニウムまたはそれ以
外の薄膜を用いて反射面を形成した光学ガラスを用いる
こともできる。
な光学ガラスが好ましい。また、反射機能を持たせるた
めに固定基板として、表面にアルミニウムまたはそれ以
外の薄膜を用いて反射面を形成した光学ガラスを用いる
こともできる。
【００２５】図１に示すように、一軸延伸されたポリカ
ーボネートのような有機薄膜２の表面をアクリル系など
の接着材３によってガラスなどの表面平滑な透過機能を
有する固定基板１に固定する。図１の構成では、有機薄
膜２の両面が２枚の固定基板１で挟むように固定されて
いる。有機薄膜２は、半導体レーザのレーザ光など、透
過する光のλ／４、５λ／４、λ／２などのいずれかの
波長の位相差を発生するように形成されている。
ーボネートのような有機薄膜２の表面をアクリル系など
の接着材３によってガラスなどの表面平滑な透過機能を
有する固定基板１に固定する。図１の構成では、有機薄
膜２の両面が２枚の固定基板１で挟むように固定されて
いる。有機薄膜２は、半導体レーザのレーザ光など、透
過する光のλ／４、５λ／４、λ／２などのいずれかの
波長の位相差を発生するように形成されている。
【００２６】ポリカーボネートなどの有機薄膜は、一軸
延伸することにより高分子鎖が配向するため、延伸方向
の屈折率とそれに直交する方向の屈折率とに差異が生
じ、位相差機能を有する有機薄膜となる。一般にポリカ
ーボネート薄膜の熱膨張係数は膜面上において等方的で
屈折率差の温度特性（温度による屈折率差の変化量）は
小さいと言われてきた。しかしながら、本出願人による
実験において、ポリカーボネート薄膜をガラスなどの透
明基板に接着固定することにより屈折率差の温度特性を
大きくできることが判明した。
延伸することにより高分子鎖が配向するため、延伸方向
の屈折率とそれに直交する方向の屈折率とに差異が生
じ、位相差機能を有する有機薄膜となる。一般にポリカ
ーボネート薄膜の熱膨張係数は膜面上において等方的で
屈折率差の温度特性（温度による屈折率差の変化量）は
小さいと言われてきた。しかしながら、本出願人による
実験において、ポリカーボネート薄膜をガラスなどの透
明基板に接着固定することにより屈折率差の温度特性を
大きくできることが判明した。
【００２７】図２のグラフに示すように、接着材にて透
明基板に固定した本発明の位相差素子（図２中の■）で
は、位相差素子単体の場合（図２中の▲）に比べて、温
度上昇にともない位相差（リタデーション）が増加する
ため、位相差素子として機能する波長（例えば５λ／
４）は温度と共に大きくなる。一般的な半導体レーザの
発振波長（出射されるレーザ光の波長、図２中の◆）
は、温度上昇にともなって増加するが、この半導体レー
ザの発振波長の変動と同じ方向にリタデーションの温度
特性が生じる。これらの半導体レーザの発振波長と位相
差素子のリタデーションとは温度特性がよく対応してお
り、リタデーションの温度変化によってレーザ光の波長
変動が抑えられる。このような位相差素子を用いること
により、温度による半導体レーザからの出射光の波長変
動を補償することができ、前述したような半導体レーザ
の温度特性のために所定の位相差を得ることができなく
なる問題点を解決できる。
明基板に固定した本発明の位相差素子（図２中の■）で
は、位相差素子単体の場合（図２中の▲）に比べて、温
度上昇にともない位相差（リタデーション）が増加する
ため、位相差素子として機能する波長（例えば５λ／
４）は温度と共に大きくなる。一般的な半導体レーザの
発振波長（出射されるレーザ光の波長、図２中の◆）
は、温度上昇にともなって増加するが、この半導体レー
ザの発振波長の変動と同じ方向にリタデーションの温度
特性が生じる。これらの半導体レーザの発振波長と位相
差素子のリタデーションとは温度特性がよく対応してお
り、リタデーションの温度変化によってレーザ光の波長
変動が抑えられる。このような位相差素子を用いること
により、温度による半導体レーザからの出射光の波長変
動を補償することができ、前述したような半導体レーザ
の温度特性のために所定の位相差を得ることができなく
なる問題点を解決できる。
【００２８】また、本出願人のさらなる検討により、位
相差素子を構成する各材料の熱膨張係数の特性として、
有機薄膜の線膨張係数Ｅ1 （／℃）、接着剤の線膨張係
数Ｅ 2 （／℃）、固定基板の線膨張係数Ｅ3 （／℃）
が、 Ｅ1 ＜Ｅ2 かつ Ｅ3 ＜Ｅ2 …（１） の関係を満たすことで、温度上昇に伴う有機薄膜と固定
基板の膨張を接着剤により吸収でき、有機薄膜の変形を
防止できることが判明した。これにより、リタデーショ
ン値の変化や位相差軸の変化、変形に伴う位相差素子を
通過するレーザ光の波面の乱れが生じないような位相差
素子を提供できる。
相差素子を構成する各材料の熱膨張係数の特性として、
有機薄膜の線膨張係数Ｅ1 （／℃）、接着剤の線膨張係
数Ｅ 2 （／℃）、固定基板の線膨張係数Ｅ3 （／℃）
が、 Ｅ1 ＜Ｅ2 かつ Ｅ3 ＜Ｅ2 …（１） の関係を満たすことで、温度上昇に伴う有機薄膜と固定
基板の膨張を接着剤により吸収でき、有機薄膜の変形を
防止できることが判明した。これにより、リタデーショ
ン値の変化や位相差軸の変化、変形に伴う位相差素子を
通過するレーザ光の波面の乱れが生じないような位相差
素子を提供できる。
【００２９】本実施形態においては、有機薄膜としてポ
リカーボネート（線膨張係数Ｅ1 ＝６．２×１０-6／
℃）、接着剤としてポリエステル系接着剤（線膨張係数
Ｅ2 ＝１．２×１０-4／℃）、固定基板としてガラス基
板（線膨張係数Ｅ3 ＝９５×１０-7／℃）を用いた。こ
のような構成の位相差素子は、上記（１）式の関係を満
たし、温度変化に対応して有機薄膜と固定基板の膨張を
接着剤によって吸収できるため、特に高温度域において
も、温度上昇に伴う有機薄膜と固定基板の膨張を接着剤
で吸収でき、リタデーション値の変化や位相差軸の変
化、変形に伴う通過するレーザ光の波面の乱れ、および
剥離などの不可逆な変形を生じることなく、安定した良
好な位相差特性を示した。
リカーボネート（線膨張係数Ｅ1 ＝６．２×１０-6／
℃）、接着剤としてポリエステル系接着剤（線膨張係数
Ｅ2 ＝１．２×１０-4／℃）、固定基板としてガラス基
板（線膨張係数Ｅ3 ＝９５×１０-7／℃）を用いた。こ
のような構成の位相差素子は、上記（１）式の関係を満
たし、温度変化に対応して有機薄膜と固定基板の膨張を
接着剤によって吸収できるため、特に高温度域において
も、温度上昇に伴う有機薄膜と固定基板の膨張を接着剤
で吸収でき、リタデーション値の変化や位相差軸の変
化、変形に伴う通過するレーザ光の波面の乱れ、および
剥離などの不可逆な変形を生じることなく、安定した良
好な位相差特性を示した。
【００３０】図３は第２の実施形態に係る位相差素子の
構成を示す断面図である。第２の実施形態では、位相差
機能を有するポリカーボネート薄膜などの有機薄膜２の
一方の面に、ポリエステル系などの接着材３の塗布にて
ガラスなどの表面平滑な固定基板１が固定されている。
構成を示す断面図である。第２の実施形態では、位相差
機能を有するポリカーボネート薄膜などの有機薄膜２の
一方の面に、ポリエステル系などの接着材３の塗布にて
ガラスなどの表面平滑な固定基板１が固定されている。
【００３１】このように、１枚の固定基板１に接着材３
によって有機薄膜２の一方の表面を固定するような構成
であっても、第１の実施形態と同様に温度による半導体
レーザの発振波長の変動を補償する効果が得られる。た
だし、第１の実施形態のように位相差素子の両面を固定
した構成の方がより顕著な効果が得られる。
によって有機薄膜２の一方の表面を固定するような構成
であっても、第１の実施形態と同様に温度による半導体
レーザの発振波長の変動を補償する効果が得られる。た
だし、第１の実施形態のように位相差素子の両面を固定
した構成の方がより顕著な効果が得られる。
【００３２】また、本発明の位相差素子を光ヘッド装置
などの光学素子として用いる場合は、入射する光の偏光
方向により回折効率の異なる偏光性回折素子と位相差素
子とを重ね合わせ一体化させることが好ましい。これ
は、偏光性回折素子と位相差素子の機能を併せ持つ光学
素子となり、占有体積を減らして小型化ができる。
などの光学素子として用いる場合は、入射する光の偏光
方向により回折効率の異なる偏光性回折素子と位相差素
子とを重ね合わせ一体化させることが好ましい。これ
は、偏光性回折素子と位相差素子の機能を併せ持つ光学
素子となり、占有体積を減らして小型化ができる。
【００３３】図４は本発明の位相差素子と偏光性回折素
子を一体化した、第３の実施形態に係る偏光性回折型の
位相差素子の構成を示す断面図である。
子を一体化した、第３の実施形態に係る偏光性回折型の
位相差素子の構成を示す断面図である。
【００３４】第３の実施形態では、透過機能を有する固
定基板１上に形成された偏光性回折素子４に、接着材３
によって位相差機能を有する有機薄膜２の一方の面が固
定され、有機薄膜２の他方の面には接着材３によって透
過機能を有する固定基板１が固定されている。これによ
り、偏光性回折素子４と有機薄膜２を含む位相差素子５
とは接着材３を介して一体化されている。
定基板１上に形成された偏光性回折素子４に、接着材３
によって位相差機能を有する有機薄膜２の一方の面が固
定され、有機薄膜２の他方の面には接着材３によって透
過機能を有する固定基板１が固定されている。これによ
り、偏光性回折素子４と有機薄膜２を含む位相差素子５
とは接着材３を介して一体化されている。
【００３５】ここで使用される偏光性回折素子として
は、液晶や高分子液晶などの複屈折性有機物質を用いた
回折素子や、ＬｉＮｂＯ3 のような複屈折性無機単結晶
を用いた回折素子などである。
は、液晶や高分子液晶などの複屈折性有機物質を用いた
回折素子や、ＬｉＮｂＯ3 のような複屈折性無機単結晶
を用いた回折素子などである。
【００３６】ＣＤやＤＶＤなどの光ディスクまたは光磁
気ディスクなどの光記録媒体に対して情報の記録、再生
を行う光ヘッド装置に用いる場合は、図４の偏光性回折
型の位相差素子を、有機薄膜２が光記録媒体の側となる
ように、光記録媒体と光検出器との間の光路中に設置す
る。この場合、有機薄膜２の位相差値は、光源となる半
導体レーザの波長、例えば６５０ｎｍに対してλ／４ま
たは５λ／４となるものを用いる。これにより、半導体
レーザから出射した直線偏光のレーザ光は、往路と復路
で偏光方向が９０度回転する。
気ディスクなどの光記録媒体に対して情報の記録、再生
を行う光ヘッド装置に用いる場合は、図４の偏光性回折
型の位相差素子を、有機薄膜２が光記録媒体の側となる
ように、光記録媒体と光検出器との間の光路中に設置す
る。この場合、有機薄膜２の位相差値は、光源となる半
導体レーザの波長、例えば６５０ｎｍに対してλ／４ま
たは５λ／４となるものを用いる。これにより、半導体
レーザから出射した直線偏光のレーザ光は、往路と復路
で偏光方向が９０度回転する。
【００３７】このとき、偏光性回折素子として、往路の
偏光方向の光に対しては透過率が高く、復路の偏光方向
の光に対しては回折効率が高いものを用いることによ
り、半導体レーザから光検出器までの往復での光利用効
率の高い光ヘッド装置を構成できる。
偏光方向の光に対しては透過率が高く、復路の偏光方向
の光に対しては回折効率が高いものを用いることによ
り、半導体レーザから光検出器までの往復での光利用効
率の高い光ヘッド装置を構成できる。
【００３８】
【実施例】「例１」図４に示す位相差素子と偏光性回折
素子とを一体化した、偏光性回折型の位相差素子を作製
した。
素子とを一体化した、偏光性回折型の位相差素子を作製
した。
【００３９】位相差機能を有する有機薄膜として、一軸
延伸を施したポリカーボネート（線膨張係数Ｅ1 ＝６．
２×１０-6／℃）、接着剤としてポリエステル系接着剤
（線膨張係数Ｅ2 ＝１．２×１０-4／℃）、固定基板と
してガラス基板（線膨張係数Ｅ3 ＝９５×１０-7／℃）
を用いて作製した。
延伸を施したポリカーボネート（線膨張係数Ｅ1 ＝６．
２×１０-6／℃）、接着剤としてポリエステル系接着剤
（線膨張係数Ｅ2 ＝１．２×１０-4／℃）、固定基板と
してガラス基板（線膨張係数Ｅ3 ＝９５×１０-7／℃）
を用いて作製した。
【００４０】有機薄膜単体の位相差は８１２ｎｍ、厚み
は４５μｍであった。この位相差素子と偏光性回折素子
とを接着材により貼り合わせ、その後位相差素子の他方
の表面に、接着材を塗布し透明な固定基板を接着した。
その後固定基板の有機薄膜とは反対側の面に無反射コー
トを施した。固定基板および接着剤は位相差機能を持た
ないので、位相差素子の位相差も有機薄膜単体の位相差
と同じ８１２ｎｍとなった。また、この位相差素子の透
過波面収差は０．００６λrms であり、極めて良好な波
面収差特性が得られた。
は４５μｍであった。この位相差素子と偏光性回折素子
とを接着材により貼り合わせ、その後位相差素子の他方
の表面に、接着材を塗布し透明な固定基板を接着した。
その後固定基板の有機薄膜とは反対側の面に無反射コー
トを施した。固定基板および接着剤は位相差機能を持た
ないので、位相差素子の位相差も有機薄膜単体の位相差
と同じ８１２ｎｍとなった。また、この位相差素子の透
過波面収差は０．００６λrms であり、極めて良好な波
面収差特性が得られた。
【００４１】この偏光性回折型の位相差素子を光ヘッド
装置に搭載した。図５は、偏光性回折型の位相差素子を
用いた光ヘッド装置の概念的構成を示す側面図である。
半導体レーザ６と対物レンズ７との間の光路中に、偏光
性回折素子４と位相差が５λ／４の位相差素子５とを一
体化した光学素子を配設し、これらの光学系を光記録媒
体８に対向して配置した。また、偏光性回折素子４にお
ける回折方向の光路中に光検出器９を配設した。ここ
で、半導体レーザの発振波長は６５０ｎｍであった。
装置に搭載した。図５は、偏光性回折型の位相差素子を
用いた光ヘッド装置の概念的構成を示す側面図である。
半導体レーザ６と対物レンズ７との間の光路中に、偏光
性回折素子４と位相差が５λ／４の位相差素子５とを一
体化した光学素子を配設し、これらの光学系を光記録媒
体８に対向して配置した。また、偏光性回折素子４にお
ける回折方向の光路中に光検出器９を配設した。ここ
で、半導体レーザの発振波長は６５０ｎｍであった。
【００４２】半導体レーザ６からの出射光は、偏光性回
折素子４を透過し、位相差素子５を透過することにより
直線偏光が円偏光となり、対物レンズ７を介して光記録
媒体８上に集光される。光記録媒体８からの反射光は、
対物レンズ７を透過し、位相差素子５を透過することに
より円偏光が直線偏光となった後、偏光性回折素子４に
より回折される。そして、偏光性回折素子４による回折
光が光検出器９で受光される。
折素子４を透過し、位相差素子５を透過することにより
直線偏光が円偏光となり、対物レンズ７を介して光記録
媒体８上に集光される。光記録媒体８からの反射光は、
対物レンズ７を透過し、位相差素子５を透過することに
より円偏光が直線偏光となった後、偏光性回折素子４に
より回折される。そして、偏光性回折素子４による回折
光が光検出器９で受光される。
【００４３】本実施例の偏光性回折型の位相差素子を光
ヘッド装置に用いた結果、温度変化があっても位相差素
子において有機薄膜と固定基板の膨張を接着剤が吸収す
ることで、位相差素子の変形が防止され、常に安定した
所定の位相差が得られた。これにより、リタデーション
値の変化や位相差軸の変化、位相差素子を通過するレー
ザ光の波面の乱れが生じないため、光検出器での検出光
量が小さくなるなどの不具合が生じることもなく、良好
な光記録媒体の再生信号が得られた。
ヘッド装置に用いた結果、温度変化があっても位相差素
子において有機薄膜と固定基板の膨張を接着剤が吸収す
ることで、位相差素子の変形が防止され、常に安定した
所定の位相差が得られた。これにより、リタデーション
値の変化や位相差軸の変化、位相差素子を通過するレー
ザ光の波面の乱れが生じないため、光検出器での検出光
量が小さくなるなどの不具合が生じることもなく、良好
な光記録媒体の再生信号が得られた。
【００４４】「例２」図１に示す位相差素子を作製し
た。
た。
【００４５】位相差機能を有する有機薄膜として、一軸
延伸を施した（脂環族）ポリオレフィン（線膨張係数Ｅ
1 ＝６．１×１０-6／℃、ガラス転移温度Ｔ1 ＝１７１
℃）、接着剤としてアクリル系接着剤（線膨張係数Ｅ2
＝１．１×１０-4／℃）、固定基板としてガラス基板
（線膨張係数Ｅ3 ＝９５×１０-7／℃）を用いて作製し
た。位相差素子の位相差値は１７０ｎｍであった。
延伸を施した（脂環族）ポリオレフィン（線膨張係数Ｅ
1 ＝６．１×１０-6／℃、ガラス転移温度Ｔ1 ＝１７１
℃）、接着剤としてアクリル系接着剤（線膨張係数Ｅ2
＝１．１×１０-4／℃）、固定基板としてガラス基板
（線膨張係数Ｅ3 ＝９５×１０-7／℃）を用いて作製し
た。位相差素子の位相差値は１７０ｎｍであった。
【００４６】本実施例の位相差素子を光ヘッド装置に用
いた結果、温度変化があっても位相差素子においてリタ
ーデーション値変化や位相差軸の変化、および変形に伴
う位相差素子を通過するレーザ光の波面の乱れが生じな
いため、光検出器での検出光量が小さくなるなどの不具
合が生じることもなく、良好な光記録媒体の再生信号が
得られた。また、使用可能温度は１５０℃以上であり、
高温度域でも所望の特性が得られ、問題なく使用でき
た。
いた結果、温度変化があっても位相差素子においてリタ
ーデーション値変化や位相差軸の変化、および変形に伴
う位相差素子を通過するレーザ光の波面の乱れが生じな
いため、光検出器での検出光量が小さくなるなどの不具
合が生じることもなく、良好な光記録媒体の再生信号が
得られた。また、使用可能温度は１５０℃以上であり、
高温度域でも所望の特性が得られ、問題なく使用でき
た。
【００４７】「例３」図１に示す位相差素子の比較例を
作製した。
作製した。
【００４８】位相差機能を有する有機薄膜として、一軸
延伸を施したポリエステル（線膨張係数Ｅ1 ＝６×１０
-5／℃）、接着剤としてエポキシ系接着剤（線膨張係数
Ｅ2＝５×１０-5／℃）、固定基板としてガラス基板
（線膨張係数Ｅ3 ＝９５×１０ -7／℃）を用いて作製し
た。位相差素子の位相差値は３３０ｎｍであった。
延伸を施したポリエステル（線膨張係数Ｅ1 ＝６×１０
-5／℃）、接着剤としてエポキシ系接着剤（線膨張係数
Ｅ2＝５×１０-5／℃）、固定基板としてガラス基板
（線膨張係数Ｅ3 ＝９５×１０ -7／℃）を用いて作製し
た。位相差素子の位相差値は３３０ｎｍであった。
【００４９】この比較例では、前記（１）式の関係を満
たさないため、この位相差素子を光ヘッド装置に用いた
結果、温度変化によって、位相差素子のリタデーション
値変化が生じ、光検出器での検出光量が小さくなるなど
の不具合が生じた。さらに、温度が１３０℃以上になっ
たときに、有機薄膜と固定基板の剥離が生じ、位相差素
子が破壊してしまった。
たさないため、この位相差素子を光ヘッド装置に用いた
結果、温度変化によって、位相差素子のリタデーション
値変化が生じ、光検出器での検出光量が小さくなるなど
の不具合が生じた。さらに、温度が１３０℃以上になっ
たときに、有機薄膜と固定基板の剥離が生じ、位相差素
子が破壊してしまった。
【００５０】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、位
相差発生機能を有する有機薄膜の少なくとも一方の表面
に接着剤を塗布し、この接着剤により上記有機薄膜に透
過または反射機能を有する固定基板を接着して、この有
機薄膜の線膨張係数Ｅ1 、接着剤の線膨張係数Ｅ2 、固
定基板の線膨張係数Ｅ3 が、Ｅ1 ＜Ｅ2 かつ Ｅ3 ＜
Ｅ2 の関係を満たし、有機薄膜のガラス転移温度が１５
０℃以上であるような材料を選択することにより、半導
体レーザの発振波長の温度変化を抑える方向に位相差の
温度特性が得られ、温度による半導体レーザからの出射
光の波長変動を補償でき、特に高温度域でも安定して所
定の位相差機能を保持できる。また、温度上昇に伴う有
機薄膜と固定基板の膨張を接着剤により吸収でき、位相
差素子の変形を防止できるため、リターデーション値の
変化や位相差軸の変化、位相差素子を通過するレーザ光
の波面の乱れが生じない位相差素子を提供できる。
相差発生機能を有する有機薄膜の少なくとも一方の表面
に接着剤を塗布し、この接着剤により上記有機薄膜に透
過または反射機能を有する固定基板を接着して、この有
機薄膜の線膨張係数Ｅ1 、接着剤の線膨張係数Ｅ2 、固
定基板の線膨張係数Ｅ3 が、Ｅ1 ＜Ｅ2 かつ Ｅ3 ＜
Ｅ2 の関係を満たし、有機薄膜のガラス転移温度が１５
０℃以上であるような材料を選択することにより、半導
体レーザの発振波長の温度変化を抑える方向に位相差の
温度特性が得られ、温度による半導体レーザからの出射
光の波長変動を補償でき、特に高温度域でも安定して所
定の位相差機能を保持できる。また、温度上昇に伴う有
機薄膜と固定基板の膨張を接着剤により吸収でき、位相
差素子の変形を防止できるため、リターデーション値の
変化や位相差軸の変化、位相差素子を通過するレーザ光
の波面の乱れが生じない位相差素子を提供できる。
【００５１】また、入射する光の偏光方向により回折効
率の異なる偏光性回折素子と、上記の位相差素子とを組
み合わせることにより、位相差素子において温度による
半導体レーザの発振波長変動を補償できるので、回折素
子における回折効果の温度変化を防止できる。また、温
度変化によって、位相差素子のリタデーション値変化や
位相差軸の変化、位相差素子を通過するレーザ光の波面
の乱れが生じることもない。この結果、透過波面収差が
小さくコンパクトで、良好な特性の偏光性回折素子と位
相差素子の機能を併せ持った光学素子が得られる。
率の異なる偏光性回折素子と、上記の位相差素子とを組
み合わせることにより、位相差素子において温度による
半導体レーザの発振波長変動を補償できるので、回折素
子における回折効果の温度変化を防止できる。また、温
度変化によって、位相差素子のリタデーション値変化や
位相差軸の変化、位相差素子を通過するレーザ光の波面
の乱れが生じることもない。この結果、透過波面収差が
小さくコンパクトで、良好な特性の偏光性回折素子と位
相差素子の機能を併せ持った光学素子が得られる。
【図１】本発明の第１の実施形態に係る位相差素子の構
成を示す断面図である。
成を示す断面図である。
【図２】半導体レーザの発振波長の温度変化と位相差素
子における位相差の変化量の温度特性を示すグラフであ
る。
子における位相差の変化量の温度特性を示すグラフであ
る。
【図３】本発明の第２の実施形態に係る位相差素子の構
成を示す断面図である。
成を示す断面図である。
【図４】本発明の位相差素子と偏光性回折素子を一体化
した、第３の実施形態に係る偏光性回折型の位相差素子
の構成を示す断面図である。
した、第３の実施形態に係る偏光性回折型の位相差素子
の構成を示す断面図である。
【図５】図４に示す偏光性回折型の位相差素子を用いた
光ヘッド装置の概念的構成を示す側面図である。
光ヘッド装置の概念的構成を示す側面図である。
１ 固定基板 ２ 位相差素子 ３ 接着材 ４ 偏光性回折素子 ６ 半導体レーザ ７ 対物レンズ ８ 光記録媒体 ９ 光検出器
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０８Ｌ 79/08 Ｃ０８Ｌ 79/08 Ｂ 81/06 81/06 Ｃ０９Ｊ 133/06 Ｃ０９Ｊ 133/06 163/00 163/00 167/02 167/02 175/04 175/04 (72)発明者 田辺 譲 東京都千代田区丸の内二丁目１番２号 旭 硝子株式会社内 Ｆターム(参考） 2H049 BA05 BA06 BA25 BA42 BA45 BB03 BB42 BB46 BB48 BB51 BC03 BC21 4J002 BB011 BG021 CF161 CG001 CM051 CN031 GP00 4J040 BA011 CA001 DC021 DE021 DF041 EB111 EB131 EC001 ED001 EE031 EF001 EH031 EK031 LA08 MA10 MA11 MB03 MB05 NA17 NA21
Claims (6)
- 【請求項１】位相差発生機能を有する有機薄膜の少なく
とも一方の表面に接着剤が塗布され、この接着剤により
前記有機薄膜に、透過または反射機能を有する固定基板
が接着されており、前記有機薄膜の線膨張係数Ｅ1 （／
℃）、前記接着剤の線膨張係数Ｅ2 （／℃）、前記固定
基板の線膨張係数Ｅ3 （／℃）の間に、 Ｅ1 ＜Ｅ2 かつ Ｅ3 ＜Ｅ2 の関係を満たし、 前記有機薄膜のガラス転移温度が１５０℃以上であるこ
とを特徴とする位相差素子。 - 【請求項２】前記有機薄膜がポリカーボネート、ポリイ
ミド、ポリアリレート、ポリエーテルスルフォン、（脂
環族）ポリオレフィン、ポリ（メタ）アクリレートおよ
びポリエーテルイミドよりなる群の少なくとも一つを含
む請求項１に記載の位相差素子。 - 【請求項３】位相差発生機能を有する有機薄膜として、
ポリカーボネート、ポリイミド、ポリアリレート、ポリ
エーテルスルフォン、（脂環族）ポリオレフィン、ポリ
（メタ）アクリレートおよびポリエーテルイミドよりな
る群の少なくとも一つを含む薄膜の両面にアクリル系、
エポキシ系、ウレタン系、ポリエステル系の少なくとも
いずれかを含む接着材が塗布され、この接着剤により前
記有機薄膜のそれぞれの面に、固定基板として透過また
は反射機能を有する基板または光学素子が接着されてい
ることを特徴とする位相差素子。 - 【請求項４】位相差発生機能を有するポリカーボネート
薄膜の少なくとも一方の表面にアクリル系、エポキシ
系、ウレタン系の少なくともいずれかを含む接着材が塗
布され、この接着材により前記ポリカーボネート薄膜に
透明基板が固定されていることを特徴とする位相差素
子。 - 【請求項５】向かい合った２枚の透明基板の内面にアク
リル系、エポキシ系、ウレタン系の少なくともいずれか
を含む接着材が塗布され、位相差発生機能を有するポリ
カーボネート薄膜が前記透明基板間に固定されているこ
とを特徴とする位相差素子。 - 【請求項６】入射する光の偏光方向により回折効率の異
なる偏光性回折素子と、請求項１〜５のいずれかに記載
の位相差素子とが組み合わされた光学素子。
Priority Applications (11)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24029699A JP3458895B2 (ja) | 1999-02-26 | 1999-08-26 | 位相差素子、光学素子および光ヘッド装置 |
| EP00954936A EP1126291B1 (en) | 1999-08-26 | 2000-08-23 | Phase shifter and optical head device mounted with the same |
| US09/807,961 US6580674B1 (en) | 1999-08-26 | 2000-08-23 | Phase shifter and optical head device mounted with the same |
| KR1020017004948A KR100569633B1 (ko) | 1999-08-26 | 2000-08-23 | 위상자 및 이것을 탑재한 광헤드 장치 |
| AT00954936T ATE280960T1 (de) | 1999-08-26 | 2000-08-23 | Phasenverschieber und dmit ausgestatter optik- kopf |
| DE60015289T DE60015289T2 (de) | 1999-08-26 | 2000-08-23 | Phasenverschieber und damit ausgestatteter Optik-Kopf |
| EP03020436A EP1385026B1 (en) | 1999-08-26 | 2000-08-23 | Optical head comprising a broadband retarder |
| DE60033201T DE60033201T2 (de) | 1999-08-26 | 2000-08-23 | Optischer Kopf mit breitbandigem Retarder |
| PCT/JP2000/005651 WO2001016627A1 (fr) | 1999-08-26 | 2000-08-23 | Dephaseur et tete optique montee en association avec ledit dephaseur |
| US10/298,654 US20030123371A1 (en) | 1999-08-26 | 2002-11-19 | Retarder and optical head device installing the same |
| US10/401,889 US6917576B2 (en) | 1999-08-26 | 2003-03-31 | Retarder and optical head device installing the same |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5101899 | 1999-02-26 | ||
| JP11-51018 | 1999-02-26 | ||
| JP24029699A JP3458895B2 (ja) | 1999-02-26 | 1999-08-26 | 位相差素子、光学素子および光ヘッド装置 |
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|---|---|---|---|
| JP2002300806A Division JP2003139956A (ja) | 1999-02-26 | 2002-10-15 | 位相差素子、光学素子および光ヘッド装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000310718A true JP2000310718A (ja) | 2000-11-07 |
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Family
ID=26391533
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24029699A Expired - Fee Related JP3458895B2 (ja) | 1999-02-26 | 1999-08-26 | 位相差素子、光学素子および光ヘッド装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3458895B2 (ja) |
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-
1999
- 1999-08-26 JP JP24029699A patent/JP3458895B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
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|---|---|
| JP3458895B2 (ja) | 2003-10-20 |
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| Date | Code | Title | Description |
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| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070808 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080808 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080808 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090808 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090808 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100808 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100808 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110808 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110808 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120808 Year of fee payment: 9 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120808 Year of fee payment: 9 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120808 Year of fee payment: 9 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130808 Year of fee payment: 10 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
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|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
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