JP2000305084A - 反射型液晶表示デバイス - Google Patents
反射型液晶表示デバイスInfo
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 焼き付き及び干渉縞の発生を防止し、光効率
の高い光源を用いることができ、また反射率が低下せ
ず、しかも生産性の高い反射型液晶表示デバイスを提供
する。 【解決手段】 第１基板２上に順次形成された反射電極
４と,第１配向膜５と、第２基板１０上に順次形成され
た中間膜９と,透明電極８と,第２配向膜７と、第1基板
２の第１配向膜５と第２基板１０の第２配向膜７とを対
向配置させ、第１配向膜５と第２配向膜７との間に注入
形成された液晶層６とからなる反射型液晶表示デバイス
１において、液晶層６の屈折率を第１配向膜５よりも高
く、第２配向膜７よりも小さくし、かつ中間膜９の屈折
率を第２基板１０よりも高く、透明電極８よりも小さく
した。
の高い光源を用いることができ、また反射率が低下せ
ず、しかも生産性の高い反射型液晶表示デバイスを提供
する。 【解決手段】 第１基板２上に順次形成された反射電極
４と,第１配向膜５と、第２基板１０上に順次形成され
た中間膜９と,透明電極８と,第２配向膜７と、第1基板
２の第１配向膜５と第２基板１０の第２配向膜７とを対
向配置させ、第１配向膜５と第２配向膜７との間に注入
形成された液晶層６とからなる反射型液晶表示デバイス
１において、液晶層６の屈折率を第１配向膜５よりも高
く、第２配向膜７よりも小さくし、かつ中間膜９の屈折
率を第２基板１０よりも高く、透明電極８よりも小さく
した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、反射型液晶表示デ
バイスに関し、特にビデオプロジェクタ等の大画面ディ
スクプレイに用いられる反射型液晶表示デバイスに関す
る。
バイスに関し、特にビデオプロジェクタ等の大画面ディ
スクプレイに用いられる反射型液晶表示デバイスに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】大画面を表示する装置として液晶プロジ
ェクタがあるが、透過型液晶表示デバイスよりも大きな
開口率を有する反射型液晶表示デバイスも最近用いられ
ている。以下に、従来の反射型液晶表示デバイスについ
て図３を用いて説明する。図３は、従来の反射型液晶表
示デバイスを示す断面図である。まず始めに、従来の反
射型液晶表示デバイス１３の構成について説明する。図
３に示すように、シリコン基板２上に薄膜トランジスタ
及１１及び場合によってはコンデンサ１２が形成され、
更にこれらの素子上には、層間絶縁膜３を介して、電極
と光反射膜の性能を兼ねたＡｌ等からなる反射電極４が
形成され、この反射電極４上には第１配向膜５が形成さ
れている。なお、反射電極４上に多層の誘電体膜からな
る増反射用多層膜を形成すると反射率を向上させること
ができるが、生産性を優先させる場合には、増反射用多
層膜の形成は行わない。
ェクタがあるが、透過型液晶表示デバイスよりも大きな
開口率を有する反射型液晶表示デバイスも最近用いられ
ている。以下に、従来の反射型液晶表示デバイスについ
て図３を用いて説明する。図３は、従来の反射型液晶表
示デバイスを示す断面図である。まず始めに、従来の反
射型液晶表示デバイス１３の構成について説明する。図
３に示すように、シリコン基板２上に薄膜トランジスタ
及１１及び場合によってはコンデンサ１２が形成され、
更にこれらの素子上には、層間絶縁膜３を介して、電極
と光反射膜の性能を兼ねたＡｌ等からなる反射電極４が
形成され、この反射電極４上には第１配向膜５が形成さ
れている。なお、反射電極４上に多層の誘電体膜からな
る増反射用多層膜を形成すると反射率を向上させること
ができるが、生産性を優先させる場合には、増反射用多
層膜の形成は行わない。
【０００３】一方、ガラス基板１０上には、ＩＴＯ（Ｉ
ｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）等の透明電極８、第
２配向膜７が順次形成されている。更に、第１配向膜５
と第２配向膜７とが所定の間隔を有して互いに対向配置
され、この配向膜間に図示しないスペーサを介して液晶
層６が注入形成されている。
ｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）等の透明電極８、第
２配向膜７が順次形成されている。更に、第１配向膜５
と第２配向膜７とが所定の間隔を有して互いに対向配置
され、この配向膜間に図示しないスペーサを介して液晶
層６が注入形成されている。
【０００４】次に、この作用について説明する。光源か
らの光Ｉ0は、ガラス基板１０側から入射して液晶層６
を通過し、シリコン基板２表面の反射電極４で反射され
る。この後、反射光ＩRが液晶層６、透明電極８及びガ
ラス基板１０を通過して、反射型液晶表示デバイス１３
の上方から出射する。この際、入射光Ｉ0、反射光ＩRと
も液晶層６を通過する際に、液晶分子の配向状態に応じ
て偏光方向が規制され、反射光ＩRは、薄膜トランジス
タ１１によって液晶層６に書き込まれた画像情報信号に
基づいた偏光光として、反射型液晶表示デバイス１３の
上方から出射する。
らの光Ｉ0は、ガラス基板１０側から入射して液晶層６
を通過し、シリコン基板２表面の反射電極４で反射され
る。この後、反射光ＩRが液晶層６、透明電極８及びガ
ラス基板１０を通過して、反射型液晶表示デバイス１３
の上方から出射する。この際、入射光Ｉ0、反射光ＩRと
も液晶層６を通過する際に、液晶分子の配向状態に応じ
て偏光方向が規制され、反射光ＩRは、薄膜トランジス
タ１１によって液晶層６に書き込まれた画像情報信号に
基づいた偏光光として、反射型液晶表示デバイス１３の
上方から出射する。
【０００５】一般的に、透過型液晶表示デバイスの場合
は、トランジスタが形成される領域等は、遮光部とな
り、光を透過できず、構造的に高い開口率を得ることが
困難であるが、反射型液晶表示デバイスの場合は、反射
電極の下層にトランジスタを作り込むことができるた
め、透過型液晶表示デバイスに比較して開口率の点で有
利な構造と言える。
は、トランジスタが形成される領域等は、遮光部とな
り、光を透過できず、構造的に高い開口率を得ることが
困難であるが、反射型液晶表示デバイスの場合は、反射
電極の下層にトランジスタを作り込むことができるた
め、透過型液晶表示デバイスに比較して開口率の点で有
利な構造と言える。
【０００６】次に、上述する反射型液晶表示デバイスを
用いた従来の液晶プロジェクタについて図４を用いて説
明する。図４は、上述する反射型液晶表示デバイスを用
いた従来の液晶プロジェクタの構成を示す概略図であ
る。図４に示すように、液晶プロジェクタは、メタルハ
ライドランプ等からなる光源１４、２枚の偏光子１５、
１８、ハーフミラー１６、反射型液晶表示デバイス１
３、この反射型液晶表示デバイス１３の駆動回路１７、
光学レンズ１９及びスクリーン２０から構成されてい
る。
用いた従来の液晶プロジェクタについて図４を用いて説
明する。図４は、上述する反射型液晶表示デバイスを用
いた従来の液晶プロジェクタの構成を示す概略図であ
る。図４に示すように、液晶プロジェクタは、メタルハ
ライドランプ等からなる光源１４、２枚の偏光子１５、
１８、ハーフミラー１６、反射型液晶表示デバイス１
３、この反射型液晶表示デバイス１３の駆動回路１７、
光学レンズ１９及びスクリーン２０から構成されてい
る。
【０００７】この液晶プロジェクタの作用は、以下に示
す通りである。光源１４より出射された光は、まず偏光
子１５を通過し、一定方向の偏光光のみが取り出された
後、ハーフミラー１６で光の進路を変更され、反射型液
晶表示デバイス１３に入射する。一方、反射型液晶表示
デバイス１３中の液晶層６には、駆動回路１７を介して
所定電圧が各画素に印加され、これに応じて液晶分子の
配向状態を変化させる。液晶層６を通過する光は、この
液晶分子の配向状態によりその偏光方向が規制される。
す通りである。光源１４より出射された光は、まず偏光
子１５を通過し、一定方向の偏光光のみが取り出された
後、ハーフミラー１６で光の進路を変更され、反射型液
晶表示デバイス１３に入射する。一方、反射型液晶表示
デバイス１３中の液晶層６には、駆動回路１７を介して
所定電圧が各画素に印加され、これに応じて液晶分子の
配向状態を変化させる。液晶層６を通過する光は、この
液晶分子の配向状態によりその偏光方向が規制される。
【０００８】このため、反射型液晶表示デバイス１３に
入射した光は、液晶層６を往復する間に偏光方向の規制
を受ける。この後、反射型液晶表示デバイス１３の反射
電極４で反射された反射光は、ハーフミラー１６を通過
し、もう一方の偏光子１８に到達し、ここで所定方向に
変調を受けた偏光光のみが選択され、更に光学レンズ１
９により拡大され、スクリーン２０に映し出される。
入射した光は、液晶層６を往復する間に偏光方向の規制
を受ける。この後、反射型液晶表示デバイス１３の反射
電極４で反射された反射光は、ハーフミラー１６を通過
し、もう一方の偏光子１８に到達し、ここで所定方向に
変調を受けた偏光光のみが選択され、更に光学レンズ１
９により拡大され、スクリーン２０に映し出される。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
反射型液晶デバイス１３には以下の問題があった。一般
的に、液晶層を挟む２つの電極近傍にそれぞれ異なる誘
電体層が形成されていると、これらの電極近傍でのイン
ピーダンス差を生じるので、反射型液晶デバイスを駆動
する際に微小な直流成分が液晶層に印加されると、この
反射型液晶デバイスに焼き付きを生じる場合がある。こ
のため、電極近傍にはできるだけ誘電体層を形成するこ
とを避けた上で明るさを向上させることが重要となる。
一方、光源１４に輝線を有する光効率の高いメタルハラ
イドランプ等を用いる場合、わずかな液晶層６の厚さむ
らから生じる干渉縞を抑えるため、液晶層６と透明電極
８との間にそれらの中間の屈折率の誘電体層以外の材料
からなる層を形成する必要がある。
反射型液晶デバイス１３には以下の問題があった。一般
的に、液晶層を挟む２つの電極近傍にそれぞれ異なる誘
電体層が形成されていると、これらの電極近傍でのイン
ピーダンス差を生じるので、反射型液晶デバイスを駆動
する際に微小な直流成分が液晶層に印加されると、この
反射型液晶デバイスに焼き付きを生じる場合がある。こ
のため、電極近傍にはできるだけ誘電体層を形成するこ
とを避けた上で明るさを向上させることが重要となる。
一方、光源１４に輝線を有する光効率の高いメタルハラ
イドランプ等を用いる場合、わずかな液晶層６の厚さむ
らから生じる干渉縞を抑えるため、液晶層６と透明電極
８との間にそれらの中間の屈折率の誘電体層以外の材料
からなる層を形成する必要がある。
【００１０】このようにすれば、液晶層６と透明電極８
との間に誘電体層を形成することなく、干渉縞の発生を
防止できるが、反射型液晶デバイス１３の生産性が著し
く低下する。透明電極８及び反射電極４上には誘電体層
からなる第１配向膜５及び第２配向膜７が形成されてお
り、誘電体層を形成することなく反射型液晶表示デバイ
ス１を作製することはできない。この問題を解決するた
めに、これらの第１配向膜５及び第２配向膜７として斜
方蒸着法により形成されたＡｌ2Ｏ3を用いることが考え
られた。しかし、このＡｌ2Ｏ3を第１配向膜５（屈折率
５〜１０）に用いると、Ａｌ2Ｏ3の屈折率は、液晶の屈
折率（１．５〜１．５５）よりも高いため、反射率が低
下するといった問題を生じていた。また、Ａｌ2Ｏ3の代
わりにＡｌ2Ｏ3の屈折率と等しいポリミイドのラビング
膜を用いても同様の問題を生じていた。
との間に誘電体層を形成することなく、干渉縞の発生を
防止できるが、反射型液晶デバイス１３の生産性が著し
く低下する。透明電極８及び反射電極４上には誘電体層
からなる第１配向膜５及び第２配向膜７が形成されてお
り、誘電体層を形成することなく反射型液晶表示デバイ
ス１を作製することはできない。この問題を解決するた
めに、これらの第１配向膜５及び第２配向膜７として斜
方蒸着法により形成されたＡｌ2Ｏ3を用いることが考え
られた。しかし、このＡｌ2Ｏ3を第１配向膜５（屈折率
５〜１０）に用いると、Ａｌ2Ｏ3の屈折率は、液晶の屈
折率（１．５〜１．５５）よりも高いため、反射率が低
下するといった問題を生じていた。また、Ａｌ2Ｏ3の代
わりにＡｌ2Ｏ3の屈折率と等しいポリミイドのラビング
膜を用いても同様の問題を生じていた。
【００１１】そこで、焼き付き及び干渉縞の発生を抑制
し、光効率の高い光源を用いることができ、また反射率
が低下せず、しかも生産性の高い反射型液晶表示デバイ
スを提供することを目的とする。
し、光効率の高い光源を用いることができ、また反射率
が低下せず、しかも生産性の高い反射型液晶表示デバイ
スを提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の反射型液晶表示
デバイスは、第１基板上に順次形成された反射電極と,
第１配向膜と、第２基板上に順次形成された中間膜と,
透明電極と,第２配向膜と、前記第1基板の前記第１配向
膜と前記２基板の前記第２配向膜とを対向配置させ、前
記第１配向膜と前記第２配向膜との間に注入形成された
液晶層とからなる反射型液晶表示デバイスにおいて、前
記液晶層の屈折率を前記第１配向膜よりも高く、前記第
２配向膜よりも小さくし、かつ前記中間膜の屈折率を前
記第２基板よりも高く、前記透明電極よりも小さくした
ことを特徴とする。
デバイスは、第１基板上に順次形成された反射電極と,
第１配向膜と、第２基板上に順次形成された中間膜と,
透明電極と,第２配向膜と、前記第1基板の前記第１配向
膜と前記２基板の前記第２配向膜とを対向配置させ、前
記第１配向膜と前記第２配向膜との間に注入形成された
液晶層とからなる反射型液晶表示デバイスにおいて、前
記液晶層の屈折率を前記第１配向膜よりも高く、前記第
２配向膜よりも小さくし、かつ前記中間膜の屈折率を前
記第２基板よりも高く、前記透明電極よりも小さくした
ことを特徴とする。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明の反射型液晶表示デバイス
１の実施形態について以下図を参照しながら説明する。
図１は、本発明の実施形態の反射型液晶表示デバイスを
示す断面図である。従来例と同一構成には同一符号を付
し、その説明を省略する。本発明の反射型液晶表示デバ
イス１は、液晶層６の屈折率を第１配向膜５よりも高
く、第２配向膜７よりも小さくし、かつＡｌ2Ｏ3からな
る中間膜９の屈折率をガラス基板１０よりも高く、透明
電極８よりも小さくしたものである。
１の実施形態について以下図を参照しながら説明する。
図１は、本発明の実施形態の反射型液晶表示デバイスを
示す断面図である。従来例と同一構成には同一符号を付
し、その説明を省略する。本発明の反射型液晶表示デバ
イス１は、液晶層６の屈折率を第１配向膜５よりも高
く、第２配向膜７よりも小さくし、かつＡｌ2Ｏ3からな
る中間膜９の屈折率をガラス基板１０よりも高く、透明
電極８よりも小さくしたものである。
【００１４】以下に、本発明の反射型液晶表示デバイス
１の構成について説明する。図１に示すように、シリコ
ン基板２上には薄膜トランジスタ及１１及び場合によっ
てはコンデンサ１２が形成され、更にこれらの素子上に
は、層間絶縁膜３を介して、電極と光反射膜の性能を兼
ねたＡｌ等からなる反射電極４が形成され、この反射電
極４上には、厚さλ／４のＳｉＯ2からなる第１配向膜
５が形成されている。
１の構成について説明する。図１に示すように、シリコ
ン基板２上には薄膜トランジスタ及１１及び場合によっ
てはコンデンサ１２が形成され、更にこれらの素子上に
は、層間絶縁膜３を介して、電極と光反射膜の性能を兼
ねたＡｌ等からなる反射電極４が形成され、この反射電
極４上には、厚さλ／４のＳｉＯ2からなる第１配向膜
５が形成されている。
【００１５】一方、ガラス基板１０上には、厚さλ／４
のＡｌ2Ｏ3からなる中間膜９、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ
Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）等からなる厚さλ／２の透明電極
８、厚さλ／４のＡｌ2Ｏ3からなる第２配向膜７が順次
形成されている。ここで、λは干渉縞の原因となる輝線
の波長で複数ある場合はそれらの中間値とする。第１配
向膜５及び第２配向膜７は、液晶層中の液晶分子の配列
を規制するためのものである。また、第１配向膜５及び
第２配向膜７は基板を蒸着源に対して６５°傾けて酸素
イオンビームを照射しながら真空蒸着したものである。
シリコン基板２の第１配向膜５側とガラス基板１０の第
２配向膜７側とを対向配置させ、この第１配向膜５と第
２配向膜７との間に図示しないスペーサを介して液晶層
６が注入形成されている。ここで、液晶層６の屈折率を
第１配向膜５よりも高く、第２配向膜７よりも小さく
し、かつＡｌ2Ｏ3からなる中間膜９の屈折率は、ガラス
基板１０より高く、透明電極８より小さい。
のＡｌ2Ｏ3からなる中間膜９、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ
Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）等からなる厚さλ／２の透明電極
８、厚さλ／４のＡｌ2Ｏ3からなる第２配向膜７が順次
形成されている。ここで、λは干渉縞の原因となる輝線
の波長で複数ある場合はそれらの中間値とする。第１配
向膜５及び第２配向膜７は、液晶層中の液晶分子の配列
を規制するためのものである。また、第１配向膜５及び
第２配向膜７は基板を蒸着源に対して６５°傾けて酸素
イオンビームを照射しながら真空蒸着したものである。
シリコン基板２の第１配向膜５側とガラス基板１０の第
２配向膜７側とを対向配置させ、この第１配向膜５と第
２配向膜７との間に図示しないスペーサを介して液晶層
６が注入形成されている。ここで、液晶層６の屈折率を
第１配向膜５よりも高く、第２配向膜７よりも小さく
し、かつＡｌ2Ｏ3からなる中間膜９の屈折率は、ガラス
基板１０より高く、透明電極８より小さい。
【００１６】その作用は、従来の反射型液晶表示デバイ
ス１３と同様であるので説明を省略する。また、本発明
の実施形態の反射型液晶表示デバイス１を用いた液晶プ
ロジェクタの構成及び作用についても従来の液晶プロジ
ェクタと同様であるので説明を省略する。
ス１３と同様であるので説明を省略する。また、本発明
の実施形態の反射型液晶表示デバイス１を用いた液晶プ
ロジェクタの構成及び作用についても従来の液晶プロジ
ェクタと同様であるので説明を省略する。
【００１７】次に、本発明の反射型液晶表示デバイス１
の反射率を測定した。この際、本発明の反射型液晶表示
デバイス１における第１配向膜５を形成しないものと、
従来の反射型液晶表示デバイス１３の反射電極４と第１
配向膜５との間にＡｌ2Ｏ3を形成したものとを比較例と
して用いた。反射率は、入射光ＩOに対する反射光ＩRの
割合を測定することによって求めた。
の反射率を測定した。この際、本発明の反射型液晶表示
デバイス１における第１配向膜５を形成しないものと、
従来の反射型液晶表示デバイス１３の反射電極４と第１
配向膜５との間にＡｌ2Ｏ3を形成したものとを比較例と
して用いた。反射率は、入射光ＩOに対する反射光ＩRの
割合を測定することによって求めた。
【００１８】その結果を図２に示す。図２は、各試料に
おける波長λと反射率との関係を示す図である。縦軸
は、反射率（％）、横軸は、波長λ（ｎｍ）を示してい
る。ここでは、ガラス基板１０の表面での反射分は除外
してある。図２中のＡは本発明の反射型液晶表示デバイ
ス１、Ｂは本発明の反射型液晶表示デバイス１における
第１配向膜５を形成しないもの、Ｃは従来の反射型液晶
表示デバイス１４の反射電極４と第１配向膜５との間に
Ａｌ2Ｏ3を形成したものを示す。
おける波長λと反射率との関係を示す図である。縦軸
は、反射率（％）、横軸は、波長λ（ｎｍ）を示してい
る。ここでは、ガラス基板１０の表面での反射分は除外
してある。図２中のＡは本発明の反射型液晶表示デバイ
ス１、Ｂは本発明の反射型液晶表示デバイス１における
第１配向膜５を形成しないもの、Ｃは従来の反射型液晶
表示デバイス１４の反射電極４と第１配向膜５との間に
Ａｌ2Ｏ3を形成したものを示す。
【００１９】図２に示すように、波長λが４００ｎｍ〜
７００ｎｍの範囲で反射率は、本発明の反射型液晶表示
デバイス１（図２中Ａ）が最も高く、本発明の反射型液
晶表示デバイス１における第１配向膜５を形成しないも
の（図２中Ｂ）、従来の反射型液晶表示デバイス１４の
反射電極４と第１配向膜５との間にＡｌ2Ｏ3を形成した
もの（図２中Ｃ）の順で低下した。また、本発明の反射
型液晶表示デバイス１を用いて、図４に示した液晶プロ
ジェクタによりスクリーン２０上に投影された画像評価
を行った結果、液晶層４の厚さむらによる干渉縞は見ら
れなかった。
７００ｎｍの範囲で反射率は、本発明の反射型液晶表示
デバイス１（図２中Ａ）が最も高く、本発明の反射型液
晶表示デバイス１における第１配向膜５を形成しないも
の（図２中Ｂ）、従来の反射型液晶表示デバイス１４の
反射電極４と第１配向膜５との間にＡｌ2Ｏ3を形成した
もの（図２中Ｃ）の順で低下した。また、本発明の反射
型液晶表示デバイス１を用いて、図４に示した液晶プロ
ジェクタによりスクリーン２０上に投影された画像評価
を行った結果、液晶層４の厚さむらによる干渉縞は見ら
れなかった。
【００２０】このように、液晶層６の屈折率を第１配向
膜５よりも高く、第２配向膜７よりも小さくし、かつ中
間膜９の屈折率をガラス基板１０よりも高く、透明電極
４よりも小さくしているので、干渉縞の発生を防止でき
ると共に反射率を向上させることができる。液晶層４の
厚さむらから生じる干渉縞がないので、輝線を有するよ
うな光効率の高い光源を用いることができる。また、多
層の誘電体膜からなる増反射用多層膜の形成を必要とす
ることなく反射率を向上させることができるので、焼き
付きを防止でき、生産性を向上させることができる。
膜５よりも高く、第２配向膜７よりも小さくし、かつ中
間膜９の屈折率をガラス基板１０よりも高く、透明電極
４よりも小さくしているので、干渉縞の発生を防止でき
ると共に反射率を向上させることができる。液晶層４の
厚さむらから生じる干渉縞がないので、輝線を有するよ
うな光効率の高い光源を用いることができる。また、多
層の誘電体膜からなる増反射用多層膜の形成を必要とす
ることなく反射率を向上させることができるので、焼き
付きを防止でき、生産性を向上させることができる。
【００２１】更に、反射型液晶表示デバイス１に入射す
る入射光Ｉ0は、反射光の他に吸収光を生じるが、反射
率が高いので、この吸収光による発熱量が低減されるた
め、放熱性を改善できる。このため、発熱が小さいこと
から高光量の光源を用いた高い輝度を有する液晶プロジ
ェクタを得ることができる。
る入射光Ｉ0は、反射光の他に吸収光を生じるが、反射
率が高いので、この吸収光による発熱量が低減されるた
め、放熱性を改善できる。このため、発熱が小さいこと
から高光量の光源を用いた高い輝度を有する液晶プロジ
ェクタを得ることができる。
【００２２】
【発明の効果】本発明の反射型液晶表示デバイスによれ
ば、液晶層の屈折率を第１配向膜よりも高く、第２配向
膜よりも小さくし、かつ中間膜の屈折率を第２基板より
も高く、透明電極よりも小さくしたので、干渉縞の発生
を防止できると共に反射率を向上させることができる。
液晶層の厚さむらから生じる干渉縞がないので、輝線を
有するような光効率の高い光源を用いることができる。
また、多層の誘電体膜からなる増反射用多層膜の形成を
必要とすることなく反射率を向上させることができるの
で、焼き付きを防止でき、生産性を向上させることがで
きる。更に、入射光は、反射光の他に吸収光を生じる
が、反射率が高いので、この吸収光による発熱量が低減
されるため、放熱性を改善できる。
ば、液晶層の屈折率を第１配向膜よりも高く、第２配向
膜よりも小さくし、かつ中間膜の屈折率を第２基板より
も高く、透明電極よりも小さくしたので、干渉縞の発生
を防止できると共に反射率を向上させることができる。
液晶層の厚さむらから生じる干渉縞がないので、輝線を
有するような光効率の高い光源を用いることができる。
また、多層の誘電体膜からなる増反射用多層膜の形成を
必要とすることなく反射率を向上させることができるの
で、焼き付きを防止でき、生産性を向上させることがで
きる。更に、入射光は、反射光の他に吸収光を生じる
が、反射率が高いので、この吸収光による発熱量が低減
されるため、放熱性を改善できる。
【図１】本発明の反射型液晶表示デバイスを示す断面図
である。
である。
【図２】各試料における反射率と波長の関係を示す図で
ある。
ある。
【図３】従来の反射型液晶表示デバイスを示す断面図で
ある。
ある。
【図４】従来の液晶プロジェクタを示す断面図である。
１…反射型液晶表示デバイス、２…シリコン基板（第１
の基板）、３…層間絶縁膜、４…反射電極、５…第１配
向膜、６…液晶層、７…第２配向膜、８…透明電極、９
…中間膜、１０…ガラス基板（第２の基板）
の基板）、３…層間絶縁膜、４…反射電極、５…第１配
向膜、６…液晶層、７…第２配向膜、８…透明電極、９
…中間膜、１０…ガラス基板（第２の基板）
Claims (1)
- 【請求項１】第１基板上に順次形成された反射電極と,
第１配向膜と、第２基板上に順次形成された中間膜と,
透明電極と,第２配向膜と、前記第1基板の前記第１配向
膜と前記２基板の前記第２配向膜とを対向配置させ、前
記第１配向膜と前記第２配向膜との間に注入形成された
液晶層とからなる反射型液晶表示デバイスにおいて、 前記液晶層の屈折率を前記第１配向膜よりも高く、前記
第２配向膜よりも小さくし、かつ前記中間膜の屈折率を
前記第２基板よりも高く、前記透明電極よりも小さくし
たことを特徴とする反射型液晶表示デバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11110530A JP2000305084A (ja) | 1999-04-19 | 1999-04-19 | 反射型液晶表示デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11110530A JP2000305084A (ja) | 1999-04-19 | 1999-04-19 | 反射型液晶表示デバイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000305084A true JP2000305084A (ja) | 2000-11-02 |
Family
ID=14538154
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11110530A Pending JP2000305084A (ja) | 1999-04-19 | 1999-04-19 | 反射型液晶表示デバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000305084A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006349795A (ja) * | 2005-06-14 | 2006-12-28 | Sony Corp | 液晶表示素子および液晶表示素子の製造方法ならびに液晶プロジェクタ |
-
1999
- 1999-04-19 JP JP11110530A patent/JP2000305084A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006349795A (ja) * | 2005-06-14 | 2006-12-28 | Sony Corp | 液晶表示素子および液晶表示素子の製造方法ならびに液晶プロジェクタ |
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