JP2000299282A - 改善されたｃｄ制御のためのａｒｃ - Google Patents
改善されたｃｄ制御のためのａｒｃInfo
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- Materials For Photolithography (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来技術における欠点を解消すべく、より改
善されたＣＤ（クリティカル・ディメンション；限界寸
法）制御をもたらすＡＲＣ（反射防止コーティング）層
を提供すること。 【解決手段】 基板上に反射防止コーティング層をデポ
ジットし、前記ＡＲＣ層上にレジスト層をデポジット
し、前記ＡＲＣ層は第１のセクションと第２のセクショ
ンからなり、前記第１のセクションは、吸収モードで動
作し、前記第２のセクションは、前記第１のセクション
の屈折率とレジストの屈折率の間の差分を低減するよう
な、屈折率を有するようにする。
善されたＣＤ（クリティカル・ディメンション；限界寸
法）制御をもたらすＡＲＣ（反射防止コーティング）層
を提供すること。 【解決手段】 基板上に反射防止コーティング層をデポ
ジットし、前記ＡＲＣ層上にレジスト層をデポジット
し、前記ＡＲＣ層は第１のセクションと第２のセクショ
ンからなり、前記第１のセクションは、吸収モードで動
作し、前記第２のセクションは、前記第１のセクション
の屈折率とレジストの屈折率の間の差分を低減するよう
な、屈折率を有するようにする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、リソグラフィにお
けるレジスト内の反射率低減のための方法であって、基
本的には集積回路の製造に関するものであり、詳細に
は、パターンニングの際のより改善されたＣＤ（クリテ
ィカル・ディメンション；限界寸法）制御に関するもの
である。
けるレジスト内の反射率低減のための方法であって、基
本的には集積回路の製造に関するものであり、詳細に
は、パターンニングの際のより改善されたＣＤ（クリテ
ィカル・ディメンション；限界寸法）制御に関するもの
である。
【０００２】また本発明は、“IMPROVED CD CONTROL”
のタイトルの付された公知文献 USSN09/221,092 （atto
rney docket number 98 P 7982 US)の一部を継続するも
のであり、これはあらゆる用途に対する参照文献として
挙げられる。
のタイトルの付された公知文献 USSN09/221,092 （atto
rney docket number 98 P 7982 US)の一部を継続するも
のであり、これはあらゆる用途に対する参照文献として
挙げられる。
【０００３】
【従来の技術】半導体集積回路（ＩＣ）の形成において
は、そのフィーチャーが基板に形成される。このフィー
チャーは、例えばトランジスタ、コンデンサ、抵抗など
のデバイスに対応する。これらのデバイスは、所期の電
気的機能の達成のために相互接続される。
は、そのフィーチャーが基板に形成される。このフィー
チャーは、例えばトランジスタ、コンデンサ、抵抗など
のデバイスに対応する。これらのデバイスは、所期の電
気的機能の達成のために相互接続される。
【０００４】これらのデバイスの形成に対しては、複数
の層が基板上にデポジットされ、所期のようにパターン
化される。このデバイスの層（もしくは複数の層）のパ
ターン化にはリソグラフィ技術が用いられている。その
ような技法では、マスクから基板の表面上に形成された
ホトレジスト層への光投影像の投射のための露光源を使
用する。この光はレジスト層を照明し、それを所期のパ
ターンでもって露光する。ポジ型のレジストが使用され
ているのかまたはネガ型のレジストが使用されているの
かに依存して、レジスト層の露光部位または非露光部位
が剥離される。レジストによって保護されていない部位
は、基板におけるフィーチャー形成のために例えばエッ
チングされる。
の層が基板上にデポジットされ、所期のようにパターン
化される。このデバイスの層（もしくは複数の層）のパ
ターン化にはリソグラフィ技術が用いられている。その
ような技法では、マスクから基板の表面上に形成された
ホトレジスト層への光投影像の投射のための露光源を使
用する。この光はレジスト層を照明し、それを所期のパ
ターンでもって露光する。ポジ型のレジストが使用され
ているのかまたはネガ型のレジストが使用されているの
かに依存して、レジスト層の露光部位または非露光部位
が剥離される。レジストによって保護されていない部位
は、基板におけるフィーチャー形成のために例えばエッ
チングされる。
【０００５】このフィーチャーのディメンションは、リ
ソグラフィ装置の解像力に依存する。リソグラフィ装置
の既知世代によって達成される最小フィーチャーサイズ
（Ｆ）は、リソグラフィ・グランドルール（ＧＲ）に携
わる。クリティカル・ディメンション（以下では単にＣ
Ｄ(Critical dimension)とも称す）は、制御されるべき
最小フィーチャーサイズとして定められる。これには例
えばライン幅、スペーシング、コンタクト幅が含まれて
いる。
ソグラフィ装置の解像力に依存する。リソグラフィ装置
の既知世代によって達成される最小フィーチャーサイズ
（Ｆ）は、リソグラフィ・グランドルール（ＧＲ）に携
わる。クリティカル・ディメンション（以下では単にＣ
Ｄ(Critical dimension)とも称す）は、制御されるべき
最小フィーチャーサイズとして定められる。これには例
えばライン幅、スペーシング、コンタクト幅が含まれて
いる。
【０００６】レジスト層内への光または反射率の変化の
ために、クリティカルディメンションの変更が実施され
る。このクリティカルディメンションの変更の制御（以
下では単にＣＤ制御とも称する）は、クリティカルな問
題、特に積極的な縮小化が伴う（例えば０.２５ミクロ
ンないしそれ以下）。ＣＤ制御は、下方層によって引き
起こされるレジスト内での反射変化の低減のためのレジ
スト下方での反射防止膜ないし反射防止コーティング
（以下では単にＡＲＣ(Antireflective coating)とも称
する）の使用によって容易になる。
ために、クリティカルディメンションの変更が実施され
る。このクリティカルディメンションの変更の制御（以
下では単にＣＤ制御とも称する）は、クリティカルな問
題、特に積極的な縮小化が伴う（例えば０.２５ミクロ
ンないしそれ以下）。ＣＤ制御は、下方層によって引き
起こされるレジスト内での反射変化の低減のためのレジ
スト下方での反射防止膜ないし反射防止コーティング
（以下では単にＡＲＣ(Antireflective coating)とも称
する）の使用によって容易になる。
【０００７】ＡＲＣは、レジスト内での反射変化を防ぐ
ために１つまたは２つの作動モードで使用可能である。
第１の作動モードは吸収であり、第２の作動モードは弱
め合い干渉である。
ために１つまたは２つの作動モードで使用可能である。
第１の作動モードは吸収であり、第２の作動モードは弱
め合い干渉である。
【０００８】吸収モードでは、ＡＲＣがそれを透過した
光を吸収する。このようにして散乱光によるレジストの
不所望な露光が防がれる。このＡＲＣは、適切な消光係
数（ｋ）と光吸収のための厚さを完全に有すべきであ
る。この完全な光吸収のために求められる消光係数
（ｋ）と厚さは、露光源の波長に非常に左右される。比
較的高い消光係数ｋは、所定の波長の所定量の光の完全
な吸収のためには薄いＡＲＣ層を必要とする。逆に比較
的低い消光係数ｋは、所定の波長の所定量の光の完全な
吸収のためには厚いＡＲＣ層を必要とする。例えば消光
係数が約０.５の場合では、２４８ｎｍの光の吸収のた
めには約１０００オングストロームのＡＲＣ層の厚さが
必要とされる。
光を吸収する。このようにして散乱光によるレジストの
不所望な露光が防がれる。このＡＲＣは、適切な消光係
数（ｋ）と光吸収のための厚さを完全に有すべきであ
る。この完全な光吸収のために求められる消光係数
（ｋ）と厚さは、露光源の波長に非常に左右される。比
較的高い消光係数ｋは、所定の波長の所定量の光の完全
な吸収のためには薄いＡＲＣ層を必要とする。逆に比較
的低い消光係数ｋは、所定の波長の所定量の光の完全な
吸収のためには厚いＡＲＣ層を必要とする。例えば消光
係数が約０.５の場合では、２４８ｎｍの光の吸収のた
めには約１０００オングストロームのＡＲＣ層の厚さが
必要とされる。
【０００９】弱め合い干渉モードにおいては、ＡＲＣの
底部面の境界面によって引き起こされる反射率が、ＡＲ
Ｃ上部面における境界面によって引き起こされる反射率
のフェーズに関してフェーズのシフトアウトを生じさせ
る。この反射率シフティングによれば相応の相互位相シ
フトアウトによりそれらが互いに打ち消し合う（弱め合
い相殺）。
底部面の境界面によって引き起こされる反射率が、ＡＲ
Ｃ上部面における境界面によって引き起こされる反射率
のフェーズに関してフェーズのシフトアウトを生じさせ
る。この反射率シフティングによれば相応の相互位相シ
フトアウトによりそれらが互いに打ち消し合う（弱め合
い相殺）。
【００１０】従来は種々の有機ＡＲＣ及び無機ＡＲＣが
使用されていた。有機ＡＲＣは例えば“Shipley”社の
商標名“ＡＲ２”“ＡＲ３”コンパウンドを含み、無機
ＡＲＣは、例えば窒化ケイ素、シリコン・オキシニトリ
ド、ハイドロジェネティック・シリコン・オキシニトリ
ド、窒化チタン、アモルファスシリコン、炭化ケイ素、
無定形炭素などを含んでいる。
使用されていた。有機ＡＲＣは例えば“Shipley”社の
商標名“ＡＲ２”“ＡＲ３”コンパウンドを含み、無機
ＡＲＣは、例えば窒化ケイ素、シリコン・オキシニトリ
ド、ハイドロジェネティック・シリコン・オキシニトリ
ド、窒化チタン、アモルファスシリコン、炭化ケイ素、
無定形炭素などを含んでいる。
【００１１】有機ＡＲＣは、通常はスピンオンプロセス
によってデポジットされる。この有機ＡＲＣは比較的固
定的な屈折率を有しており、異なる有機ＡＲＣは異なる
屈折率を有する。ＡＲＣ/レジスト境界面での反射を低
減するためには有機ＡＲＣの屈折率をレジストの屈折率
と整合させることが望ましい。有機ＡＲＣは比較的固定
的な屈折率を有しているので、それらは通常は吸収モー
ドにおいてのみ使用される。
によってデポジットされる。この有機ＡＲＣは比較的固
定的な屈折率を有しており、異なる有機ＡＲＣは異なる
屈折率を有する。ＡＲＣ/レジスト境界面での反射を低
減するためには有機ＡＲＣの屈折率をレジストの屈折率
と整合させることが望ましい。有機ＡＲＣは比較的固定
的な屈折率を有しているので、それらは通常は吸収モー
ドにおいてのみ使用される。
【００１２】典型的にはＡＲＣ下方の積層薄膜は、例え
ば薄膜デポジット又は化学機械的研磨（ＣＭＰ）などの
プロセスのために重要な厚み変化を有している。この厚
み変化によって引き起こされる作用を抑制するために、
厚めの有機ＡＲＣが求められる。厚めの有機ＡＲＣはそ
れぞれ、ＡＲＣオープンプロセスの間のエッチングマス
クとして十分に利用できるように、厚めのレジストを要
求する。しかしながらこの厚めのレジストは、焦点深度
の低下を引き起こし、すなわち小さなグランドルール
（例えば０.２５μｍもしくはそれ以下）での低下を引
き起こし、結果的にプロセスウインドウの制約となる。
このことは有機ＡＲＣの使用に対し０.２５μｍもしく
はそれ以下のグランドルールでのプロセスでは不利に働
く。
ば薄膜デポジット又は化学機械的研磨（ＣＭＰ）などの
プロセスのために重要な厚み変化を有している。この厚
み変化によって引き起こされる作用を抑制するために、
厚めの有機ＡＲＣが求められる。厚めの有機ＡＲＣはそ
れぞれ、ＡＲＣオープンプロセスの間のエッチングマス
クとして十分に利用できるように、厚めのレジストを要
求する。しかしながらこの厚めのレジストは、焦点深度
の低下を引き起こし、すなわち小さなグランドルール
（例えば０.２５μｍもしくはそれ以下）での低下を引
き起こし、結果的にプロセスウインドウの制約となる。
このことは有機ＡＲＣの使用に対し０.２５μｍもしく
はそれ以下のグランドルールでのプロセスでは不利に働
く。
【００１３】それに対して無機ＡＲＣは、より一層汎用
的に用いられる。なぜならそれらは有機ＡＲＣのような
欠点を有していないからである。その上さらにこの無機
ＡＲＣは、調整可能な特性、例えば低い欠陥レベル、良
好なコンフォーマル特性、レジストに対する高いエッチ
ング選択特性、低い揺動率などを有している。
的に用いられる。なぜならそれらは有機ＡＲＣのような
欠点を有していないからである。その上さらにこの無機
ＡＲＣは、調整可能な特性、例えば低い欠陥レベル、良
好なコンフォーマル特性、レジストに対する高いエッチ
ング選択特性、低い揺動率などを有している。
【００１４】すなわち無機ＡＲＣは、通常は比較的小さ
なグランドルールにおける弱め合いモードで使用される
ものであるが、全てのモードにおいても使用可能であ
る。このことは、無機ＡＲＣが吸収モードでの作動に対
して十分に高い消光係数ｋを有しているため、レジスト
の屈折率に整合させることができない。比較的小さなグ
ランドルールにおいては、屈折率におけるミスマッチに
よって定在波が生じこれが結果的に不所望なパターン低
下につながる。
なグランドルールにおける弱め合いモードで使用される
ものであるが、全てのモードにおいても使用可能であ
る。このことは、無機ＡＲＣが吸収モードでの作動に対
して十分に高い消光係数ｋを有しているため、レジスト
の屈折率に整合させることができない。比較的小さなグ
ランドルールにおいては、屈折率におけるミスマッチに
よって定在波が生じこれが結果的に不所望なパターン低
下につながる。
【００１５】弱め合いモードでの作動時の減衰相殺を実
施するために、無機ＡＲＣは不透明材料または非常に均
質な透過材料上での形成を必要とする。例えばケイ酸塩
ガラスなどの透過材料が無機ＡＲＣの下方におかれてい
るケースでは、この透過材料の厚みの変化が反射率強度
レベルの不均一性を生ぜしめる。このことは弱め合い干
渉作用の利点の利用を困難にする。
施するために、無機ＡＲＣは不透明材料または非常に均
質な透過材料上での形成を必要とする。例えばケイ酸塩
ガラスなどの透過材料が無機ＡＲＣの下方におかれてい
るケースでは、この透過材料の厚みの変化が反射率強度
レベルの不均一性を生ぜしめる。このことは弱め合い干
渉作用の利点の利用を困難にする。
【００１６】弱め合いモードにより課せられる制限は、
無機ＡＲＣプロセスにおいて良好なＣＤ制御と共にいく
つかの困難も引き起こす。なぜなら下方の層が通常は透
過材料、例えばケイ酸塩ガラスなどで構成され、厚みに
大きな変動があるからである。その上さらに無機ＡＲＣ
は、幾つかのケースではレジストよりも汚染がひどい。
酸化ケイ素（ＳｉＯ2）などの覆層（cap layer)では、
レジスト汚染の回避が求められる。この覆層とレジスト
の間の屈折率のミスマッチは、レジスト内で定在波の作
用を引き起こし、ＣＤ制御に悪影響を及ぼす。
無機ＡＲＣプロセスにおいて良好なＣＤ制御と共にいく
つかの困難も引き起こす。なぜなら下方の層が通常は透
過材料、例えばケイ酸塩ガラスなどで構成され、厚みに
大きな変動があるからである。その上さらに無機ＡＲＣ
は、幾つかのケースではレジストよりも汚染がひどい。
酸化ケイ素（ＳｉＯ2）などの覆層（cap layer)では、
レジスト汚染の回避が求められる。この覆層とレジスト
の間の屈折率のミスマッチは、レジスト内で定在波の作
用を引き起こし、ＣＤ制御に悪影響を及ぼす。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は前述し
たような従来技術における欠点の解消を目的とし、より
改善されたＣＤ（クリティカル・ディメンション；限界
寸法）制御をもたらすＡＲＣ（反射防止コーティング）
層を提供することである。
たような従来技術における欠点の解消を目的とし、より
改善されたＣＤ（クリティカル・ディメンション；限界
寸法）制御をもたらすＡＲＣ（反射防止コーティング）
層を提供することである。
【００１８】
【課題を解決するための手段】前記課題は本発明によ
り、基板上に反射防止コーティング（ＡＲＣ）層をデポ
ジットし、前記ＡＲＣ層上にレジスト層をデポジット
し、前記ＡＲＣ層は第１のセクションと第２のセクショ
ンからなり、前記第１のセクションは、吸収モードで動
作し、前記第２のセクションは、前記第１のセクション
の屈折率とレジストの屈折率の間の差分を低減するよう
な、屈折率を有しているようにして解決される。
り、基板上に反射防止コーティング（ＡＲＣ）層をデポ
ジットし、前記ＡＲＣ層上にレジスト層をデポジット
し、前記ＡＲＣ層は第１のセクションと第２のセクショ
ンからなり、前記第１のセクションは、吸収モードで動
作し、前記第２のセクションは、前記第１のセクション
の屈折率とレジストの屈折率の間の差分を低減するよう
な、屈折率を有しているようにして解決される。
【００１９】
【発明の実施の形態】本発明は詳細にはリソグラフィに
おける改善されたＣＤ制御に関してり、本発明によれ
ば、より改善されたＣＤ制御が第１セクションと第２セ
クションを有する無機ＡＲＣを使用することによって達
成される。第１のセクションは吸収モードで機能し、第
２のセクションは第１のセクションとホトレジストの屈
折率の差を低減する。それによりレジストにおける反射
率が低減されＣＤ制御が向上される。
おける改善されたＣＤ制御に関してり、本発明によれ
ば、より改善されたＣＤ制御が第１セクションと第２セ
クションを有する無機ＡＲＣを使用することによって達
成される。第１のセクションは吸収モードで機能し、第
２のセクションは第１のセクションとホトレジストの屈
折率の差を低減する。それによりレジストにおける反射
率が低減されＣＤ制御が向上される。
【００２０】別の実施例によれば、無機ＡＲＣ層の第２
のセクションが、第１のセクションとレジストの間の屈
折率の差の低減のためにグレーデッド・リフラクティブ
・インデックス（以下では単にグレーデッドインデック
スとも称す）で構成される。第２のセクションの下方面
では、屈折率がほぼ第１のＡＲＣ層の屈折率に等しくな
る。第２の無機ＡＲＣ上方面に近付くにつれて屈折率
は、ほぼレジストの屈折率に等化すべく徐々に低減され
る。グレーデッドインデックスの提供によって、レジス
トの反射率は、良好なＣＤ制御達成のために低減され
る。
のセクションが、第１のセクションとレジストの間の屈
折率の差の低減のためにグレーデッド・リフラクティブ
・インデックス（以下では単にグレーデッドインデック
スとも称す）で構成される。第２のセクションの下方面
では、屈折率がほぼ第１のＡＲＣ層の屈折率に等しくな
る。第２の無機ＡＲＣ上方面に近付くにつれて屈折率
は、ほぼレジストの屈折率に等化すべく徐々に低減され
る。グレーデッドインデックスの提供によって、レジス
トの反射率は、良好なＣＤ制御達成のために低減され
る。
【００２１】
【実施例】次に本発明を図面に基づき以下の明細書で詳
細に説明する。本発明は半導体プロセスに関しており、
詳細には、より改善されたＣＤ制御に関し、それによっ
てリソグラフィプロセスウインドウの幅が広げられる。
本発明によれば、より改善されたＣＤ制御は、吸収プロ
パティと弱め合い干渉プロパティが組み合わされた無機
ＡＲＣの使用によって達成される。
細に説明する。本発明は半導体プロセスに関しており、
詳細には、より改善されたＣＤ制御に関し、それによっ
てリソグラフィプロセスウインドウの幅が広げられる。
本発明によれば、より改善されたＣＤ制御は、吸収プロ
パティと弱め合い干渉プロパティが組み合わされた無機
ＡＲＣの使用によって達成される。
【００２２】図１には、本発明の１つの実施例によるＡ
ＲＣ層が示されている。この図示のＡＲＣ層１３０は、
半導体基板１１０とレジスト層１７０の間に設けられ
る。このレジスト層１７０は、例えばリソグラフィにお
いて汎用的に使用されるものであってもよい。そのよう
なレジストは、ポジ型レジストまたはネガ型レジストで
あってもよい。
ＲＣ層が示されている。この図示のＡＲＣ層１３０は、
半導体基板１１０とレジスト層１７０の間に設けられ
る。このレジスト層１７０は、例えばリソグラフィにお
いて汎用的に使用されるものであってもよい。そのよう
なレジストは、ポジ型レジストまたはネガ型レジストで
あってもよい。
【００２３】半導体基板は例えばシリコンウエハからな
る。その他の基板のタイプ、例えばヒ化ガリウム、ゲル
マニウム、シリコンオンインシュレータなどからなる半
導体や、他の半導体材料ないし非半導体材料も使用可能
である。またこの基板はプロセスシーケンスの種々異な
るステップでも可能である。例えば基板はプロセスシー
ケンスの開始時であってもよい（フィーチャーを含んだ
プロセス）。このフィーチャーは、例えばＤＲＡＭなど
の集積回路やその他のタイプの集積回路または電気機械
的デバイスの形成のために使用される。当該説明の中で
はこの“基板”とは基本的には複数のステップのプロセ
スの流れで形成される基板に関して用いられる。
る。その他の基板のタイプ、例えばヒ化ガリウム、ゲル
マニウム、シリコンオンインシュレータなどからなる半
導体や、他の半導体材料ないし非半導体材料も使用可能
である。またこの基板はプロセスシーケンスの種々異な
るステップでも可能である。例えば基板はプロセスシー
ケンスの開始時であってもよい（フィーチャーを含んだ
プロセス）。このフィーチャーは、例えばＤＲＡＭなど
の集積回路やその他のタイプの集積回路または電気機械
的デバイスの形成のために使用される。当該説明の中で
はこの“基板”とは基本的には複数のステップのプロセ
スの流れで形成される基板に関して用いられる。
【００２４】無機ＡＲＣ層１３０は、基板上に形成され
る。この無機ＡＲＣ層は、例えば誘電性ＡＲＣ（以下で
はＤＡＲＣとも称する）、金属性ＡＲＣ、あるいはその
他の無機反射防止材料からなる。１つの実施例では、こ
の無機ＡＲＣがシリコン窒化物（ＳｉxＮy)、シリコン
オキシニトリド（ＳｉＮxＯy)、ハイドロジェネティッ
ク・シリコン・オキシニトリドもしくはその他のタイプ
の誘電性反射防止材料からなる。有利な実施例では、Ｄ
ＡＲＣがシリコン・オキシニトリドからなっている。無
機ＡＲＣ層は従来の技法、例えば化学蒸着法（ＣＶＤ）
を用いてデポジットされる。
る。この無機ＡＲＣ層は、例えば誘電性ＡＲＣ（以下で
はＤＡＲＣとも称する）、金属性ＡＲＣ、あるいはその
他の無機反射防止材料からなる。１つの実施例では、こ
の無機ＡＲＣがシリコン窒化物（ＳｉxＮy)、シリコン
オキシニトリド（ＳｉＮxＯy)、ハイドロジェネティッ
ク・シリコン・オキシニトリドもしくはその他のタイプ
の誘電性反射防止材料からなる。有利な実施例では、Ｄ
ＡＲＣがシリコン・オキシニトリドからなっている。無
機ＡＲＣ層は従来の技法、例えば化学蒸着法（ＣＶＤ）
を用いてデポジットされる。
【００２５】レジストは、ＡＲＣ層の上に形成される。
この場合従来のレジスト材料が用いられてもよい。典型
的にはこのレジスト材料は、値ｎ例えば１.７４からな
る。このレジストは従来技法によって形成される。この
レジストの厚みは、ＡＲＣオープンプロセスのためのエ
ッチングマスクとしての使用に十分耐えられるものであ
る。典型的にはレジスト層の厚みは約０.２μｍ〜１０
μｍである。
この場合従来のレジスト材料が用いられてもよい。典型
的にはこのレジスト材料は、値ｎ例えば１.７４からな
る。このレジストは従来技法によって形成される。この
レジストの厚みは、ＡＲＣオープンプロセスのためのエ
ッチングマスクとしての使用に十分耐えられるものであ
る。典型的にはレジスト層の厚みは約０.２μｍ〜１０
μｍである。
【００２６】本発明の１つの実施例によれば、無機ＡＲ
Ｃ層が第１のセクション１３５と第２のセクション１４
０からなっている。第１の無機ＡＲＣセクション１３５
は、吸収モードにおいて機能する。第２の無機ＡＲＣセ
クションは、第１の無機ＡＲＣセクションとホトレジス
トの間の屈折率の差を低減する。そのようなレジスト内
の反射率低減コンフィグレーションは結果的にＣＤ制御
の改善に結び付けられる。
Ｃ層が第１のセクション１３５と第２のセクション１４
０からなっている。第１の無機ＡＲＣセクション１３５
は、吸収モードにおいて機能する。第２の無機ＡＲＣセ
クションは、第１の無機ＡＲＣセクションとホトレジス
トの間の屈折率の差を低減する。そのようなレジスト内
の反射率低減コンフィグレーションは結果的にＣＤ制御
の改善に結び付けられる。
【００２７】有利な実施例によれば、第１の無機ＡＲＣ
セクション１３５が基板とコンタクトされる。この第１
の無機ＡＲＣセクションは、吸収モードで機能する。基
板はその能力への影響なしで特徴付けられる。
セクション１３５が基板とコンタクトされる。この第１
の無機ＡＲＣセクションは、吸収モードで機能する。基
板はその能力への影響なしで特徴付けられる。
【００２８】第１の無機ＡＲＣセクションは実質的にそ
の中を等化したもしくはそこで反射した全ての光を吸収
する。有利な実施例では、この第１の無機セクション
は、少なくとも約０.２有利には０.５の消光係数ｋを有
する。屈折率はこの消光係数ｋに依存する。さらに別の
実施例では、第１の無機ＡＲＣセクションの消光係数ｋ
が約０.５６で、屈折率ｎが約２.１である。
の中を等化したもしくはそこで反射した全ての光を吸収
する。有利な実施例では、この第１の無機セクション
は、少なくとも約０.２有利には０.５の消光係数ｋを有
する。屈折率はこの消光係数ｋに依存する。さらに別の
実施例では、第１の無機ＡＲＣセクションの消光係数ｋ
が約０.５６で、屈折率ｎが約２.１である。
【００２９】所定の消光係数ｋに対する第１の無機ＡＲ
Ｃセクションの厚みは、その中を透過したりそこで反射
された光を吸収するのに十分であるべきである。有利な
実施例では、この厚みは約５〜１５０ｎｍである。もち
ろんこの厚みは消光係数ｋの阿智と第２のＡＲＣセクシ
ョンが吸収に必要とする光の量に依存して変動してもよ
い。
Ｃセクションの厚みは、その中を透過したりそこで反射
された光を吸収するのに十分であるべきである。有利な
実施例では、この厚みは約５〜１５０ｎｍである。もち
ろんこの厚みは消光係数ｋの阿智と第２のＡＲＣセクシ
ョンが吸収に必要とする光の量に依存して変動してもよ
い。
【００３０】第２の無機ＡＲＣセクション１４０（これ
は第１の無機ＡＲＣセクションの上に設けられる）は、
２つの層、すなわちレジスト層と第１の無機ＡＲＣセク
ションの間の屈折率の差を低減するのに用いられる。図
からは第１の無機ＡＲＣセクションとレジスト層の間の
屈折率の差分が約０.３６である（すなわち２.１−１.
７４）ことが示されている。第２の無機ＡＲＣセクショ
ンはこの差分の大きさ（０.３６）を低減し、ひいては
レジスト内の反射率を低減させる。２つの層の屈折率の
間の差分の低減のために、第２の無機ＡＲＣセクション
の屈折率ｎは、これらの２つの層の屈折率の間の値を有
すべく選択される。
は第１の無機ＡＲＣセクションの上に設けられる）は、
２つの層、すなわちレジスト層と第１の無機ＡＲＣセク
ションの間の屈折率の差を低減するのに用いられる。図
からは第１の無機ＡＲＣセクションとレジスト層の間の
屈折率の差分が約０.３６である（すなわち２.１−１.
７４）ことが示されている。第２の無機ＡＲＣセクショ
ンはこの差分の大きさ（０.３６）を低減し、ひいては
レジスト内の反射率を低減させる。２つの層の屈折率の
間の差分の低減のために、第２の無機ＡＲＣセクション
の屈折率ｎは、これらの２つの層の屈折率の間の値を有
すべく選択される。
【００３１】有利な実施例では、第２の無機ＡＲＣセク
ションがグレーデッドインデックスを有している。この
グレーデッドインデックスは、第１の無機ＡＲＣセクシ
ョンとレジストの屈折率の間の差分を低減させる。１つ
の実施例では、このグレーデッドインデックスが当該第
２の無機ＡＲＣセクションの底面から上面にむけて、第
１の無機ＡＲＣセクションにほぼ等しい値からレジスト
にほぼ等しい値まで低減している。
ションがグレーデッドインデックスを有している。この
グレーデッドインデックスは、第１の無機ＡＲＣセクシ
ョンとレジストの屈折率の間の差分を低減させる。１つ
の実施例では、このグレーデッドインデックスが当該第
２の無機ＡＲＣセクションの底面から上面にむけて、第
１の無機ＡＲＣセクションにほぼ等しい値からレジスト
にほぼ等しい値まで低減している。
【００３２】図２のａには、第２の無機ＡＲＣセクショ
ンの屈折率が線グラフで示されている。この図からは第
１のセクションの屈折率ｎの値が約２.１で、レジスト
層の屈折率ｎの値が約１.７４であることが見て取れ
る。これらの値は吸収モードで機能する第１の無機ＡＲ
Ｃセクションと従来のレジストに対して典型的な値であ
る。もちろん第１の無機ＡＲＣセクションとレジストは
それ以外の屈折率の値ｎを有していてもよい。
ンの屈折率が線グラフで示されている。この図からは第
１のセクションの屈折率ｎの値が約２.１で、レジスト
層の屈折率ｎの値が約１.７４であることが見て取れ
る。これらの値は吸収モードで機能する第１の無機ＡＲ
Ｃセクションと従来のレジストに対して典型的な値であ
る。もちろん第１の無機ＡＲＣセクションとレジストは
それ以外の屈折率の値ｎを有していてもよい。
【００３３】第１の無機ＡＲＣセクションと第２の無機
ＡＲＣセクションの界面では、第２の無機ＡＲＣセクシ
ョンの屈折率の値がほぼ第１のＡＲＣセクションの値に
等しい。このｎの値は、第２の無機ＡＲＣセクション内
においてこの第２の無機ＡＲＣセクションを通過してレ
ジスト層方向に移動するのに伴って低減される。すなわ
ちこの第２の無機ＡＲＣセクションの屈折率の値ｎは、
第２の無機ＡＲＣセクションとレジスト層の間の境界面
においてほぼレジスト層の屈折率の値に等しい値まで低
減する。
ＡＲＣセクションの界面では、第２の無機ＡＲＣセクシ
ョンの屈折率の値がほぼ第１のＡＲＣセクションの値に
等しい。このｎの値は、第２の無機ＡＲＣセクション内
においてこの第２の無機ＡＲＣセクションを通過してレ
ジスト層方向に移動するのに伴って低減される。すなわ
ちこの第２の無機ＡＲＣセクションの屈折率の値ｎは、
第２の無機ＡＲＣセクションとレジスト層の間の境界面
においてほぼレジスト層の屈折率の値に等しい値まで低
減する。
【００３４】消光係数はこの屈折率の値ｎに依存してい
る。つまり値ｎが低減すれば、消光係数ｋも低減する。
図２のｂには、図２のａにプロットされている屈折率ｎ
に相応した第２の無機ＡＲＣセクションの消光係数ｋの
関係が表されている。図からも明らかなように、層の組
成内容に付随して消光係数ｋも屈折率ｎの変化に伴って
急激に低減している。
る。つまり値ｎが低減すれば、消光係数ｋも低減する。
図２のｂには、図２のａにプロットされている屈折率ｎ
に相応した第２の無機ＡＲＣセクションの消光係数ｋの
関係が表されている。図からも明らかなように、層の組
成内容に付随して消光係数ｋも屈折率ｎの変化に伴って
急激に低減している。
【００３５】第２の無機ＡＲＣセクションのグレーデッ
ドインデックスは、スムーズな遷移特性として図２のａ
に示されている。段階的なステップを有したグレーデッ
ドインデックスを有する第２の無機ＡＲＣセクションは
図３に示されている。
ドインデックスは、スムーズな遷移特性として図２のａ
に示されている。段階的なステップを有したグレーデッ
ドインデックスを有する第２の無機ＡＲＣセクションは
図３に示されている。
【００３６】図からも明らかなように、図２のａと同じ
ように屈折率の値ｎは、第２の無機ＡＲＣセクションの
下方部位にてほぼ第１の無機ＡＲＣセクションの値に等
しい値でスタートして上方部位ではほぼレジストの屈折
率に等しい値まで低減する。この屈折率の値ｎは、第２
の無機ＡＲＣセクションの各部位において変動し得る。
例えばｎは、第２の無機ＡＲＣセクションの下方部位と
上方部位の間でそれぞれ第１の無機ＡＲＣセクションの
値またはレジストの値よりも大きくまたは小さくなり続
けることが可能である。さらに屈折率のレベルは、種々
異なるパラメータ、例えば第１の無機ＡＲＣセクション
とレジストの間の屈折率の差分の大きさや厚みに依存し
て変化させることも可能である。第１の無機ＡＲＣセク
ションとレジストの間の屈折率の差分値が低減されるな
らば、レジストの反射率の低減も達成される。
ように屈折率の値ｎは、第２の無機ＡＲＣセクションの
下方部位にてほぼ第１の無機ＡＲＣセクションの値に等
しい値でスタートして上方部位ではほぼレジストの屈折
率に等しい値まで低減する。この屈折率の値ｎは、第２
の無機ＡＲＣセクションの各部位において変動し得る。
例えばｎは、第２の無機ＡＲＣセクションの下方部位と
上方部位の間でそれぞれ第１の無機ＡＲＣセクションの
値またはレジストの値よりも大きくまたは小さくなり続
けることが可能である。さらに屈折率のレベルは、種々
異なるパラメータ、例えば第１の無機ＡＲＣセクション
とレジストの間の屈折率の差分の大きさや厚みに依存し
て変化させることも可能である。第１の無機ＡＲＣセク
ションとレジストの間の屈折率の差分値が低減されるな
らば、レジストの反射率の低減も達成される。
【００３７】反射は、異なる屈折率の２つの層を有して
いる場合に生じる。下位層が吸収モードで機能している
場合には、下位層底面の境界面は上位相における反射率
に寄与しないものとなり得る。そのような上位層におけ
る反射率は以下の関係式で表される。
いる場合に生じる。下位層が吸収モードで機能している
場合には、下位層底面の境界面は上位相における反射率
に寄与しないものとなり得る。そのような上位層におけ
る反射率は以下の関係式で表される。
【００３８】 Ｒ＝Ｉref／Ｉin＝［（ｎ1−ｎ2)／(ｎ1＋ｎ2）］2 この場合前記Ｒは、反射率であり、前記Ｉrefは、反射
光の強度、前記Ｉinは、入射光の強度、前記ｎ1は、下
位層の屈折率、前記ｎ2は、上位相の屈折率である。
光の強度、前記Ｉinは、入射光の強度、前記ｎ1は、下
位層の屈折率、前記ｎ2は、上位相の屈折率である。
【００３９】図４には本発明の別の実施例が示されてい
る。ここでは第２の無機ＡＲＣセクション１４０が第１
の無機ＡＲＣセクション１３５とレジスト１７０の間で
付加的な境界面１４１を備えたグレーデッドインデック
スを有している。レジスト内の反射率は、吸収モードで
動作する第１の無機ＡＲＣセクション１３５を用いて以
下の関係式によって得られる。
る。ここでは第２の無機ＡＲＣセクション１４０が第１
の無機ＡＲＣセクション１３５とレジスト１７０の間で
付加的な境界面１４１を備えたグレーデッドインデック
スを有している。レジスト内の反射率は、吸収モードで
動作する第１の無機ＡＲＣセクション１３５を用いて以
下の関係式によって得られる。
【００４０】 ＲR ＝ Ｒ2＋Ｒ1 ＝ ［（ｎ2−ｎR)／(ｎ2＋ｎR）］2＋［（ｎ1−ｎ2)／(ｎ1＋ｎ2）］2 この場合前記ＲRは、レジスト１７０内の反射率、前記
Ｒ2は、第２の無機ＡＲＣの上方部位１３９内の反射
率、前記Ｒ1は、第２の無機ＡＲＣの下方部位１３７内
の反射率、前記ｎRは、レジスト層１７０内の屈折率、
前記ｎ2は、第２の無機ＡＲＣの上方部位１３９内の屈
折率、前記ｎ1は、第２の無機ＡＲＣの下方部位１３７
内の屈折率である。
Ｒ2は、第２の無機ＡＲＣの上方部位１３９内の反射
率、前記Ｒ1は、第２の無機ＡＲＣの下方部位１３７内
の反射率、前記ｎRは、レジスト層１７０内の屈折率、
前記ｎ2は、第２の無機ＡＲＣの上方部位１３９内の屈
折率、前記ｎ1は、第２の無機ＡＲＣの下方部位１３７
内の屈折率である。
【００４１】反射率と屈折率の間の非線形的（すなわち
二次的）な関係のために、付加的な境界面によって提供
される隣接層の間の屈折率の間の差分の低減が上位層内
の反射率における総括的な低減を引き起こす。
二次的）な関係のために、付加的な境界面によって提供
される隣接層の間の屈折率の間の差分の低減が上位層内
の反射率における総括的な低減を引き起こす。
【００４２】別の実施例では、第２の無機ＡＲＣセクシ
ョンがステップ関数であるグレーデッドインデックスを
有している。そのようなグレーデッドインデックスは、
第２の無機ＡＲＣセクション内に複数のサブセクション
を形成し得る。それらの各々は隣接するサブセクション
間の屈折率の値の差分を低減すべく選択された種々異な
る値ｎを有している。ｘ個のサブセクションを有する第
２の無機ＡＲＣセクションと吸収モードで動作する第１
の無機ＡＲＣセクションを有するレジスト層の反射率は
以下の関係式に従って得られる。
ョンがステップ関数であるグレーデッドインデックスを
有している。そのようなグレーデッドインデックスは、
第２の無機ＡＲＣセクション内に複数のサブセクション
を形成し得る。それらの各々は隣接するサブセクション
間の屈折率の値の差分を低減すべく選択された種々異な
る値ｎを有している。ｘ個のサブセクションを有する第
２の無機ＡＲＣセクションと吸収モードで動作する第１
の無機ＡＲＣセクションを有するレジスト層の反射率は
以下の関係式に従って得られる。
【００４３】ＲR＝Ｒ1＋Ｒ2………＋Ｒx この場合前記ＲRは、レジスト内の反射率、前記Ｒ1は、
レジスト下方の第２の無機ＡＲＣセクションのサブセク
ション内の反射率、前記Ｒ2は、第２の無機ＡＲＣセク
ションの前記Ｒ1よりも下位のサブセクション内の反射
率、前記Ｒxは、第２の無機ＡＲＣセクションの第１の
無機ＡＲＣセクションとコンタクトしているサブセクシ
ョン内の反射率である。
レジスト下方の第２の無機ＡＲＣセクションのサブセク
ション内の反射率、前記Ｒ2は、第２の無機ＡＲＣセク
ションの前記Ｒ1よりも下位のサブセクション内の反射
率、前記Ｒxは、第２の無機ＡＲＣセクションの第１の
無機ＡＲＣセクションとコンタクトしているサブセクシ
ョン内の反射率である。
【００４４】一連の境界面を有している場合には、隣接
するサブセクション間の屈折率の差分が低減され、これ
によってレジスト内の反射率も低減する。第２の無機Ａ
ＲＣセクション内のサブセクションの数の増加は、基本
的に隣接するサブセクション間の屈折率の値の差分もさ
らに低減し、ひいてはレジスト内の総括的反射率におけ
るより一層の低減を引き起こす。隣接するサブセクショ
ン間の屈折率の値の差分がゼロに近付くか無限小であ
り、この場合のグレーデッドインデックスも連続的にか
つなめらかであるならば、上位相またはレジスト内の総
括的反射率もゼロに近付く。
するサブセクション間の屈折率の差分が低減され、これ
によってレジスト内の反射率も低減する。第２の無機Ａ
ＲＣセクション内のサブセクションの数の増加は、基本
的に隣接するサブセクション間の屈折率の値の差分もさ
らに低減し、ひいてはレジスト内の総括的反射率におけ
るより一層の低減を引き起こす。隣接するサブセクショ
ン間の屈折率の値の差分がゼロに近付くか無限小であ
り、この場合のグレーデッドインデックスも連続的にか
つなめらかであるならば、上位相またはレジスト内の総
括的反射率もゼロに近付く。
【００４５】既に前述したように、第２の無機ＡＲＣセ
クションは、第１の無機ＡＲＣセクションとレジストの
屈折率の間の差分における所期の低減を生ぜしめるため
に、種々異なる数の層とグレードを有するグレーデッド
インデックス値で形成されていてもよい。また前記層の
数または特有のグレーデッド値インデックスは、特有の
プロセスのための最適化もしくは必要性に即して選択し
てもよい。さらに第２の無機ＡＲＣセクションまたはサ
ブセクション全体の厚みには必ずしも何らかの限定を加
える必要はない。しかしながら、実際上の理由から、第
２の無機ＡＲＣセクションは、消費とコストの関係でレ
ジスト低減のために比較的薄い方がよい。つまり隣接す
るサブセクションの屈折率の変更を同じにする必要はな
い。さらに、第２の無機ＡＲＣセクションと第２の無機
ＡＲＣセクションは同じタイプの無機ＡＲＣからなる必
要もない。第１の無機ＡＲＣセクションとレジストの間
の屈折率の低減達成のために、異なる無機ＡＲＣセクシ
ョンを、第１の無機ＡＲＣセクションと第２の無機ＡＲ
Ｃセクションの形成に用いることもできる。すなわち有
利には第１の無機ＡＲＣセクションを無機ＡＲＣに取換
えることも可能である。
クションは、第１の無機ＡＲＣセクションとレジストの
屈折率の間の差分における所期の低減を生ぜしめるため
に、種々異なる数の層とグレードを有するグレーデッド
インデックス値で形成されていてもよい。また前記層の
数または特有のグレーデッド値インデックスは、特有の
プロセスのための最適化もしくは必要性に即して選択し
てもよい。さらに第２の無機ＡＲＣセクションまたはサ
ブセクション全体の厚みには必ずしも何らかの限定を加
える必要はない。しかしながら、実際上の理由から、第
２の無機ＡＲＣセクションは、消費とコストの関係でレ
ジスト低減のために比較的薄い方がよい。つまり隣接す
るサブセクションの屈折率の変更を同じにする必要はな
い。さらに、第２の無機ＡＲＣセクションと第２の無機
ＡＲＣセクションは同じタイプの無機ＡＲＣからなる必
要もない。第１の無機ＡＲＣセクションとレジストの間
の屈折率の低減達成のために、異なる無機ＡＲＣセクシ
ョンを、第１の無機ＡＲＣセクションと第２の無機ＡＲ
Ｃセクションの形成に用いることもできる。すなわち有
利には第１の無機ＡＲＣセクションを無機ＡＲＣに取換
えることも可能である。
【００４６】グレーデッドインデックスを生成するため
に第２の無機ＡＲＣセクションのデポジットは、所期の
屈折率ｎを有する無機ＡＲＣの調整によって達成でき
る。例えば第１の無機ＡＲＣセクションのデポジットが
完了した後で、第２の無機ＡＲＣセクションのＣＶＤデ
ポジット期間中にプレカーサーガス流を連続的に変化さ
せ、屈折率ｎを適切に変化させてもよい。ガス流は例え
ば、屈折率変化においてスムーズな遷移特性もしくは段
階的な遷移特性を形成するためにコントロールしてもよ
い。また第２の無機ＡＲＣセクションの屈折率の変更の
ためにその他の技法が採り入れられてもよい。
に第２の無機ＡＲＣセクションのデポジットは、所期の
屈折率ｎを有する無機ＡＲＣの調整によって達成でき
る。例えば第１の無機ＡＲＣセクションのデポジットが
完了した後で、第２の無機ＡＲＣセクションのＣＶＤデ
ポジット期間中にプレカーサーガス流を連続的に変化さ
せ、屈折率ｎを適切に変化させてもよい。ガス流は例え
ば、屈折率変化においてスムーズな遷移特性もしくは段
階的な遷移特性を形成するためにコントロールしてもよ
い。また第２の無機ＡＲＣセクションの屈折率の変更の
ためにその他の技法が採り入れられてもよい。
【００４７】レジスト汚染は、いくつかのケースで生じ
得る可能性があり、詳細には窒素からなる無機ＡＲＳセ
クションと共に起こり得る。
得る可能性があり、詳細には窒素からなる無機ＡＲＳセ
クションと共に起こり得る。
【００４８】窒素はレジストと相互作用して現れ、レジ
ストの物理的特性に不所望な影響を与える。別の実施例
では、窒素の汚染を避けるために、窒素フリーのあるい
は低減された無機ＡＲＣサブセクションが第２の無機Ａ
ＲＣセクションの上方部位に設けられている。例えばシ
リコン・オキシニトリドのケースでは、窒素の除去が、
レジストと相互作用しないシリコン・リッチオキシドを
生じさせる。窒素の低減されたサブセクションまたは窒
素フリーのサブセクションの厚みは、レジスト汚染防止
能力をまだ備えているので薄くできる。この厚さは例え
ば１ｎｍかそれ以下である。
ストの物理的特性に不所望な影響を与える。別の実施例
では、窒素の汚染を避けるために、窒素フリーのあるい
は低減された無機ＡＲＣサブセクションが第２の無機Ａ
ＲＣセクションの上方部位に設けられている。例えばシ
リコン・オキシニトリドのケースでは、窒素の除去が、
レジストと相互作用しないシリコン・リッチオキシドを
生じさせる。窒素の低減されたサブセクションまたは窒
素フリーのサブセクションの厚みは、レジスト汚染防止
能力をまだ備えているので薄くできる。この厚さは例え
ば１ｎｍかそれ以下である。
【００４９】いくつかの適用例では、無機ＡＲＣは、ハ
ードマスクの品質特性を備えている。そのような品質特
性は例えばデュアルダマシーン技法において有利であ
る。ハードマスク品質特性を提供するために、第２の無
機ＡＲＣセクションの上方部位は無機ＡＲＣハードマス
クサブセクションで形成される。このハードマスクサブ
セクションの厚さは、比較的薄くでき、例えば約１ｎｍ
かそれ以下である。
ードマスクの品質特性を備えている。そのような品質特
性は例えばデュアルダマシーン技法において有利であ
る。ハードマスク品質特性を提供するために、第２の無
機ＡＲＣセクションの上方部位は無機ＡＲＣハードマス
クサブセクションで形成される。このハードマスクサブ
セクションの厚さは、比較的薄くでき、例えば約１ｎｍ
かそれ以下である。
【００５０】別の実施例では無機ＡＲＣハードマスクサ
ブセクションが、シリコン・リッチ材料からなる。ハー
ドマスクサブセクションは、例えばシリコンベースのＤ
ＡＲＣから形成されていてもよい。そのようなシリコン
ベースのＤＡＲＣには、例えばシリコン窒化物、シリコ
ン・オキシニトリド、やシリコンを含むその他のタイプ
のＤＲＡＣが含まれる。別の実施例ではハードマスク部
位が、シリコン・オキシニトリドを含みこれはその窒素
成分がデポジット過程中に低減されるか除去されたもの
である。シリコン・リッチ材料は、有利には、ハードマ
スクにもレジスト汚染の低減ないし回避にも用いること
ができる。
ブセクションが、シリコン・リッチ材料からなる。ハー
ドマスクサブセクションは、例えばシリコンベースのＤ
ＡＲＣから形成されていてもよい。そのようなシリコン
ベースのＤＡＲＣには、例えばシリコン窒化物、シリコ
ン・オキシニトリド、やシリコンを含むその他のタイプ
のＤＲＡＣが含まれる。別の実施例ではハードマスク部
位が、シリコン・オキシニトリドを含みこれはその窒素
成分がデポジット過程中に低減されるか除去されたもの
である。シリコン・リッチ材料は、有利には、ハードマ
スクにもレジスト汚染の低減ないし回避にも用いること
ができる。
【００５１】前述したように本発明を種々の実施例と図
面に基づいて説明してきたが、この分野の熟練した当業
者にとっては、本発明の適用範囲から外れることなく本
発明の修正と変更を行い得ることは明らかである。従っ
て本発明の適用範囲は、上述の説明だけに基づくのでは
なく、本発明に等価する全ての範囲とともに、従属請求
項をも参照して定められるものである。
面に基づいて説明してきたが、この分野の熟練した当業
者にとっては、本発明の適用範囲から外れることなく本
発明の修正と変更を行い得ることは明らかである。従っ
て本発明の適用範囲は、上述の説明だけに基づくのでは
なく、本発明に等価する全ての範囲とともに、従属請求
項をも参照して定められるものである。
【図１】本発明の実施例を示した図である。
【図２】ａ〜ｂは、本発明の１つの実施例による無機Ａ
ＲＣの屈折率、消光係数のグラフである。
ＲＣの屈折率、消光係数のグラフである。
【図３】本発明の別の実施例による無機ＡＲＣの屈折率
のグラフである。
のグラフである。
【図４】本発明の実施例をさらに示した図である。
１１０ 半導体基板 １３０ ＡＲＣ層 １３５ 第２のセクション １４０ 第２のセクション １７０ レジスト層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (71)出願人 399035836 1730 Ｎｏｒｔｈ Ｆｉｒｓｔ Ｓｔｒｅ ｅｔ、Ｓａｎ Ｊｏｓｅ、ＣＡ、ＵＳＡ (72)発明者 ディルク テッベン アメリカ合衆国 ニューヨーク フィッシ ュキル ベイベリー サークル 12 (72)発明者 ジル ヨン リー アメリカ合衆国 ニューヨーク フィッシ ュキル シカモア コート 19 (72)発明者 チージャン ルー アメリカ合衆国 ニューヨーク ポーキー プシー マロニー ロード 510
Claims (6)
- 【請求項１】 リソグラフィにおけるレジスト内の反射
率低減のための方法において、 基板上に反射防止コーティング（ＡＲＣ）層をデポジッ
トし、 前記ＡＲＣ層上にレジスト層をデポジットし、 前記ＡＲＣ層は第１のセクションと第２のセクションか
らなり、 前記第１のセクションは、吸収モードで動作し、前記第
２のセクションは、前記第１のセクションの屈折率とレ
ジストの屈折率の間の差分を低減するような、屈折率を
有していることを特徴とする方法。 - 【請求項２】 前記第１のＡＲＣセクションは、基板に
亘ってデポジットされ、前記第２のＡＲＣセクションは
第１のＡＲＣセクションに亘ってデポジットされる、請
求項１記載の方法。 - 【請求項３】 前記第１のＡＲＣセクションは、少なく
とも０.２の値の消光係数を有している、請求項２記載
の方法。 - 【請求項４】 前記第２のＡＲＣセクションは、無機Ａ
ＲＣからなっている、請求項１記載の方法。 - 【請求項５】 前記第２のＡＲＣセクションは、前記第
１のＡＲＣセクションの屈折率とレジストの屈折率の間
の屈折率を有している、請求項４記載の方法。 - 【請求項６】 前記第２のＡＲＣセクションは、グレー
デッドリフラクティブインデックスを有しており、この
グレーデッドインデックスは、当該第２のＡＲＣセクシ
ョンの下方面ではほぼ第１のＡＲＣセクションの屈折率
に等しく、また前記グレーデッドインデックスは、当該
第２のＡＲＣセクションの上方面では、ほぼレジストの
屈折率に等しい、請求項１記載の方法。
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Cited By (3)
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|---|---|---|---|---|
| KR100909644B1 (ko) | 2002-06-28 | 2009-07-27 | 후지쯔 마이크로일렉트로닉스 가부시키가이샤 | 반도체 장치의 제조 방법 및 패턴의 형성 방법 |
| JP2012506642A (ja) * | 2008-10-21 | 2012-03-15 | アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド | 傾斜型の光学的特性を有するｂａｒｃを用いるフォトリソグラフィを実行するための方法 |
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