JP2000294950A

JP2000294950A - 高周波装置

Info

Publication number: JP2000294950A
Application number: JP11102261A
Authority: JP
Inventors: Tadashi Kobayashi; 忠史小林; Hitoshi Hirano; 人司平野; Nobuhiro Kani; 伸弘可児; Motoki Sugiyama; 基樹杉山
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1999-04-09
Filing date: 1999-04-09
Publication date: 2000-10-20

Abstract

(57)【要約】【課題】高周波装置の生産性の向上を図る。【解決手段】少なくとも一方が開口するとともに、略
四角形をした金属製のフレーム２１と、前記開口を塞ぐ
金属製のカバー３７，３８と、フレーム２１内に装着さ
れるとともに、電子部品２３が実装されたプリント基板
２２と、フレーム２１内を仕切る金属製の仕切板２７
と、この仕切板２７とフレーム２１で囲まれて形成され
た区画室２８〜３２とを備え、前記プリント基板２２に
金属製のシールドケース３３，３４を設けるとともに、
このシールドケース３３，３４は、前記区画室２８〜３
２の大半の面積を占める構成としたものである。これに
より、高周波装置の生産性を向上させることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ケーブルテレビジ
ョン放送あるいは地上波テレビジョン放送波等を受信す
る高周波装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】以下、従来の高周波装置について説明す
る。従来の高周波装置は、図５及び図６に示すように、
上方と下方とが開口するとともに、長方形をした金属製
のフレーム１と、開口を塞ぐ金属製の上カバー２および
下カバー１１（図６参照）と、フレーム１内に装着され
るとともに電子回路が実装されたプリント基板９と、フ
レーム１内を仕切る金属製の仕切板３と、この仕切板３
とフレーム１とで囲まれる区画室４とを備えた構成にな
っていた。また、フレーム１と上カバー２あるいは下カ
バー１１との間にはシールド性を高めるべく、内カバー
５，１２が挿入され図６に示すようにフレーム１に設け
られた爪６を内カバー５の孔７と上カバー２の孔８を貫
通して、図６に示すようにしっかりとカシメていた。な
お、図６において、９は電子部品１０が装着されたプリ
ント基板であり、フレーム１内に装着されている。ま
た、１１は下カバーであり、１２は、フレーム１と下カ
バー１１との間に挿入された内カバーである。そして、
上カバー２と同様にシールド性を高めるべく、爪１３で
しっかりとカシメていた。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながらこのよう
な従来の構成では、フレーム１に設けられた爪６を内カ
バー５に設けられた孔７と上カバー２に設けられた孔８
を貫通してしっかりとカシメなければならなかった。し
かも、このカシメ箇所は一箇所ではなく十数箇所もカシ
メなければならず、その工数は大変なものであった。さ
らにまた、上カバー２をカシメた後は、次に下カバー１
１に設けられた爪１３も同様に十数箇所カシメなければ
ならず、その工数は更に大変なものであり高周波装置の
生産性を著しく阻害していた。

【０００４】そこで本発明は、この問題を解決するもの
で、カシメをなくして生産性の向上を図った高周波装置
を提供することを目的としたものである。

【０００５】

【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の高周波装置は、少なくとも一方が開口すると
ともに、略四角形をした金属製のフレームと、前記開口
を塞ぐ金属製のカバーと、前記フレーム内に装着される
とともに、電子回路が実装されたプリント基板と、前記
フレーム内を仕切る金属製の仕切板と、この仕切板と前
記フレームとで囲まれて形成された区画室とを備え、前
記プリント基板に金属製のシールドケースを設けるとと
もに、このシールドケースは、前記区画室の大半の面積
を占める構成としたものである。

【０００６】これにより、高周波装置の生産性を向上さ
せることができる。

【０００７】

【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、少なくとも一方が開口するとともに、略四角形をし
た金属製のフレームと、前記開口を塞ぐ金属製のカバー
と、前記フレーム内に装着されるとともに、電子回路が
実装されたプリント基板と、前記フレーム内を仕切る金
属製の仕切板と、この仕切板と前記フレームとで囲まれ
て形成された区画室とを備え、前記プリント基板に金属
製のシールドケースを設けるとともに、このシールドケ
ースは、前記区画室の大半の面積を占める高周波装置で
あり、このように高周波装置のシールド性能を得るため
にプリント基板上に専用のシールドケースを設けている
ので、フレームとカバーとの間のシールド性はそれほど
要求されるものではない。従って、カバーはフレームに
簡単に装着できるもので良いので、従来のようにカシメ
る必要はなく生産性を向上させることができる。

【０００８】また、シールドケースは、区画室の大半の
面積を占める構成としているので、プリント基板のグラ
ンドとシールドケースのグランドをしっかり取ることに
より、プリント基板とフレームとのグランドを従来のよ
うに確実に取らなくとも高周波性能が得られるので、プ
リント基板のグランドを熱容量の大きなフレームにはん
だ付けする必要がなく、高周波性能を確保しつつ生産性
を向上させることができる。

【０００９】請求項２に記載の発明は、フレーム及び仕
切板とシールドケースとの間に微少の空隙を有する請求
項１に記載の高周波装置であり、この空間を有するため
に例え振動があったとしても、フレームや仕切板にシー
ルドケースが接触したり離れたりして高周波性能を不安
定にすることはない。

【００１０】請求項３に記載の発明は、シールドケース
の一部を延長してフレームに半田付けした請求項１に記
載の高周波装置であり、シールドケースの一部をフレー
ムに接続しているので、グランドが強化されるとともに
シールド性能も強化される。

【００１１】請求項４に記載の発明は、略四角形をした
シールドケースの対角線上に実装用の孔を設けた請求項
１に記載の高周波装置であり、この実装用の孔により、
シールドケースのプリント基板への挿入を自動化するこ
とができ生産性が向上する。

【００１２】請求項５に記載の発明のシールドケースは
一体成形された請求項１に記載の高周波装置であり、シ
ールドケースの生産が容易になり生産性が向上する。ま
た、一体化することにより、低価格のシールドケースが
実現できる。

【００１３】請求項６に記載の発明は、電子回路を形成
する電子部品とシールドケースの天面との空隙は、前記
シールドケースの天面とカバーとの空隙より大きくした
請求項１に記載の高周波装置であり、電子部品とシール
ドケース間の距離が大きいので、シールドケースのグラ
ンド電位の近接による電子部品の性能を劣化させること
はない。また、シールドケースとカバーとの距離は小さ
いので、高周波装置の薄型化を図ることができる。

【００１４】請求項７に記載の発明の電子回路には発振
回路を有するとともに少なくともこの発振回路をシール
ドケース内に設けた請求項１に記載の高周波装置であ
り、発振回路がシールドされているので、この発振回路
で発生する発振周波数が空中伝搬して、他の回路に妨害
を与えることはない。

【００１５】請求項８に記載の発明のフレームの材厚は
シールドケースの材厚より厚くした請求項１に記載の高
周波装置であり、フレームの材厚が厚いので機構的に頑
丈である。また、シールドケースの材厚は薄いので、電
気的なシールド効果を有するとともに全体として軽量化
が実現できる。

【００１６】請求項９に記載の発明において、フレーム
内に設けられた電子回路は、入力端子と、この入力端子
に接続されたアンテナ回路と、このアンテナ回路の出力
に接続された高周波増幅回路と、この高周波増幅回路の
出力に接続されるとともに第１の局部発振回路の発振周
波数により前記入力端子からの入力周波数より高い周波
数に変換される第１の周波数変換回路と、この第１の周
波数変換回路の出力に接続されるとともに中間周波数を
通過させるバンドパスフィルタ回路と、このバンドパス
フィルタ回路の出力に接続されるとともに第２の局部発
振回路の発振周波数により前記中間周波数より低い周波
数に変換される第２の周波数変換回路と、この第２の周
波数変換回路の出力が供給される出力端子とから成り、
前記第１の周波数変換回路と前記第２の周波数変換回路
とは仕切板で分離されるとともに前記第１の周波数変換
回路と前記第１の局部発振回路とはシールドケースでシ
ールドされた請求項１から８の何れか一つに記載の高周
波装置であり、一番強力な発振出力を有する第１の発振
回路をシールドケース内に設けており、この発振出力が
他の回路に妨害を与えないので、カバーのフレームへの
装着は簡易で良く、生産性の高いダブルスーパーヘテロ
ダイン変換方式の高周波装置を実現することができる。
また、周波数の高い第１の局部発振回路をシールドケー
ス内に設けているので、入力端子等の入力部へ妨害を与
えることはない。

【００１７】請求項１０に記載の発明において、第２の
周波数変換回路と第２の局部発振回路とはシールドケー
スでシールドされた請求項９に記載の高周波装置であ
り、第２の局部発振回路もシールドされているので、こ
の第２の発振回路の発振出力が他の回路に妨害を与える
ことはなく、さらに妨害性能に優れた高周波装置が実現
できる。

【００１８】請求項１１に記載の発明は、フレームの一
方の縦側面に設けられた入力端子と、前記縦側面を一辺
とする第１の区画室に設けられたアンテナ回路と、前記
第１の区画室に隣接した第２の区画室に設けられた高周
波増幅回路と、前記第１の区画室と前記第２の区画室に
共に隣接した第３の区画室に設けられた第１の周波数変
換回路及び第１の局部発振回路と、前記第２の区画室に
隣接した第４の区画室に設けられたバンドパスフィルタ
回路と、この第４の区画室と前記第３の区画室とに隣接
するとともに前記フレームの他方の縦側面を一辺とする
第５の区画室に設けられた第２の周波数変換回路及び第
２の局部発振回路とを有する請求項９或いは請求項１０
に記載の高周波装置であり、このように配置することに
より、小型で且つ生産性の高いダブルスーパーヘテロダ
イン変換方式の高周波装置を実現することができる。

【００１９】請求項１２に記載の発明は、電子回路の一
部を集積回路で形成するとともに、この集積回路のグラ
ンド端子の近傍にシールドケースの脚を設けた請求項１
に記載の高周波装置であり、シールドケースにより、集
積回路のグランドを強化できるとともに集積回路から発
生する熱をシールドケースを介して放熱することができ
る。

【００２０】以下、図面に従って本発明の実施の形態を
説明する。

【００２１】（実施の形態１）図１において、２１は長
方形をした金属製のフレームであり、その上面と下面は
開口している。２２は電子部品２３が実装されたプリン
ト基板であり、フレーム２１内に装着されている。２４
は、フレーム２１の一方の縦側面に設けられた入力端子
であり、２５はその隣接する下側面に設けられた端子で
ある。この端子２５は親プリント基板に挿入されて、親
プリント基板に設けられた他の回路に接続される。２６
はフレーム２１の両縦側面を下方に延在して形成された
脚であり、親プリント基板に挿入されて、本高周波装置
を固定するものである。また、２７は、金属製の仕切板
であり、フレーム２１を仕切ることにより、五つの区画
室を形成している。すなわち、フレーム２１の一方の縦
側面を一辺とする第１の区画室２８と、この第１の区画
室２８に隣接した第２の区画室２９と、第１の区画室２
８と第２の区画室２９に共に隣接した第３の区画室３０
と、第２の区画室２９に隣接した第４の区画室３１と、
この第４の区画室３１と第３の区画室３０とに隣接する
とともにフレーム２１の他方の縦側面を一辺とする第５
の区画室３２である。

【００２２】３３は略正方形をしたシールドケースであ
り第３の区画室３０内に設けられている。また、３４も
略正方形をしたシールドケースであり第５の区画室３２
内に設けられている。これらのシールドケース３３，３
４はそれぞれの区画室３０，３２内の大半を占める大き
さである。このことにより、シールドケース３３，３４
内の電子回路と外部とを完全に遮蔽している。また、こ
のシールドケース３３，３４とフレーム２１あるいは仕
切板２７との間には略１mmの隙間を設け、例え振動があ
っても接触したり離れたりして電気性能を不安定にさせ
ないように配慮している。また、３５はシールドケース
３３の略対角線上に形成された２つの孔であり、このシ
ールドケース３３を自動挿入するときに使用するもので
ある。３６も同様にシールドケース３４の略対角線上に
形成された２つの孔であり、このシールドケース３４を
自動挿入するときに使用するものである。

【００２３】図２は高周波装置の断面図である。図２に
おいて、３７はフレーム２１の上面の開口を塞ぐ上カバ
ーであり、３８はフレーム２１の下面の開口を塞ぐ下カ
バーである。この上カバー３７、下カバー３８とも金属
製のものを用いている。また、フレーム２１内には電子
部品２３が装着されたプリント基板２２にシールドケー
ス３３，３４が被せられているので、上カバー３７とフ
レーム２１との結合、下カバー３８とフレーム２１との
結合は簡単なもので良い。本実施の形態では、単に辺を
折り曲げただけの簡単なものを使用している。このこと
により、上カバー３７と、下カバー３８とをフレーム２
１に装着する工数が従来に比べて著しく少なくなり、大
幅な生産性の向上が図れる。

【００２４】ここで、フレーム２１と仕切板２７とは、
ともに厚さ０．５mmの冷間圧延鋼（この他に、鉄、アル
ミニューム、銅合金等を使用しても良い）を用いてい
る。また、上カバー３７と、下カバー３８と、シールド
ケース３３及び３４はともに厚さ０．３mmの冷間圧延鋼
（この他に、鉄、アルミニューム、銅合金等を使用して
も良い）を使用している。このように、フレーム２１と
仕切板２７とは厚い部材を用いているので、機構的に高
い強度が得られる。また、上カバー３７と下カバー３８
とシールドケース３３及び３４には薄い部材を用いてい
るので、電気的なシールド効果を得つつ軽量な高周波装
置を得ることができる。また、プリント基板２２からシ
ールドケース３３，３４までの距離３９を５．５mm（電
子部品２３からは２．５mm）とし、シールドケース３
３，３４から上カバー３７までの距離４０を２mmにして
いる。このようにして、電子部品２３にシールドケース
３３，３４によるグランドを近づけないことが電子部品
の性能を引き出すのに重要なことである。特に電子部品
２３がコイルや、パターンで形成されたインダクタンス
やキャパシタンスのときにその影響は顕著になる。ま
た、シールドケース３３，３４と上カバー３７との距離
４０を小さくすることにより、薄型化が実現できる。

【００２５】また、シールドケース３３，３４は区画室
３０，３２の面積の大半（９０％以上）を占めている。
このシールドケース３３，３４の区画室３０，３２での
占有面積は大きいほど能率が良く電子部品２３をシール
ドすることができ、少なくとも５０％以上あることが望
ましい。このように設定することにより、シールドケー
ス３３，３４とフレーム２１あるいは仕切板２７との間
隔を狭くすることができる。従って、プリント基板２２
のグランドと材厚の薄いシールドケース３３，３４とを
しっかりはんだ付けすれば確実なシールドがとれてグラ
ンドが強化されるので、材厚の厚いフレーム２１や仕切
板２７とプリント基板２２のグランドとのはんだ付けが
少なくても良い。このような配慮は生産性向上のために
重要なことである。

【００２６】図３は、本発明のダブルスーパーチューナ
（高周波装置の一例として用いた）のブロック図であ
る。図３において、本発明のダブルスーパーチューナは
ケーブルテレビジョン放送波や地上波テレビジョン放送
波（略５０ＭHzから８８０ＭHz）が入力される入力端子
２４と、この入力端子２４に接続されたハイパスフィル
タ４２と、このハイパスフィルタ４２の出力に接続され
たダイプレクサ４３と、このダイプレクサ４３の出力に
接続された分配回路４４と、この分配回路４４の出力に
接続されたローパスフィルタ４５と、このローパスフィ
ルタ４５の出力に接続された自動利得制御回路（以下Ａ
ＧＣという）４６と、このＡＧＣ４６の出力に接続され
た高周波増幅回路４７と、この高周波増幅回路４７の出
力に接続された減衰回路（以下ＡＴＴという）およびロ
ーパスフィルタ４８と、このＡＴＴおよびローパスフィ
ルタ４８の出力が一方の入力に接続されるとともに他方
の入力には第１の局部発振回路４９の出力が接続された
第１の周波数変換回路５０と、この第１の周波数変換回
路５０の出力が接続されたバンドパスフィルタ５１と、
このバンドパスフィルタ５１の出力に接続された中間周
波数増幅回路５２と、この中間周波数増幅回路５２の出
力に接続されたバンドパスフィルタ５３と、このバンド
パスフィルタ５３の出力が一方の入力に接続されるとと
もに他方の入力には第２の局部発振回路５４の出力が接
続された第２の周波数変換回路５５と、この第２の周波
数変換回路５５の出力が接続されたバンドパスフィルタ
５６と、このバンドパスフィルタ５６の出力が接続され
た増幅回路５７と、この増幅回路５７の出力が接続され
たＡＴＴ５８と、このＡＴＴ５８の出力に接続された出
力端子５９とで構成されている。

【００２７】また、ダイプレクサ４３には送信信号の入
力端子６０が接続され、分配回路４４には分配出力端子
６１が設けられている。第１の局部発振回路４９にはＰ
ＬＬ回路６２がループ接続されており、第２の局部発振
回路５４にもＰＬＬ回路６３がループ接続されている。
なお、第１の局部発振回路４９と第１の周波数変換回路
５０とは集積回路６４で一つのパッケージに集積されて
いる。また、第２の局部発振回路５４とＰＬＬ回路６３
と第２の周波数変換回路５５とは集積回路６５で一つの
パッケージに集積されている。そしてこの集積回路６４
のグランド端子の近傍にシールドケース３３の脚を設け
ている。このことにより、集積回路６４のグランドが強
化されるとともに集積回路６４からの発熱をシールドケ
ース３３から放熱することができる。同様に、集積回路
６５のグランド端子の近傍にシールドケース３４の脚を
設けている。このことにより、集積回路６５のグランド
が強化されるとともに集積回路６５からの発熱をシール
ドケース３４から放熱することができる。

【００２８】また、ハイパスフィルタ４２からＡＧＣ４
６までをアンテナ回路６６として図１に示す第１の区画
室２８に実装している。以下高周波増幅回路４７とＡＴ
Ｔおよびローパスフィルタ４８を第２の区画室２９に実
装し、ＰＬＬ回路６２と集積回路６４にはシールドケー
ス３３を被せるとともに第３の区画室３０に収納し、バ
ンドパスフィルタ５１からバンドパスフィルタ５３まで
を第４の区画室３１に収納し、集積回路６５からＡＴＴ
５８までをシールドケース３４を被せるとともに第５の
区画室３２に収納している。このように配置することに
より、それぞれの接続が短くなって良好な高周波性能が
得られるとともに小型化を図ることができる。

【００２９】以上のように構成されたダブルスーパーチ
ューナについて以下にその動作を説明する。入力端子２
４に入力されたテレビジョン信号は、アンテナ回路６６
内のハイパスフィルタ４２とローパスフィルタ４５とで
構成されるバンドパスフィルタで大まかに入力周波数が
決定される。次に、高周波増幅回路４７で増幅した後、
第１の周波数変換回路５０で１４００ＭHz帯の中間周波
数に変換される。このようにアップコンバートすること
により、イメージ妨害をなくすことができる。また、こ
の周波数変換回路５０はＰＬＬ回路６２に入力されるデ
ータに基づいて第１の局部発振回路４９の周波数を制御
することにより選局するものである。このようにして選
局された第１の周波数変換回路５０の出力は中間周波数
（１４００ＭHz帯）は、バンドパスフィルタ５１，５３
と中間周波数増幅回路５２を介して第２の周波数変換回
路５５で略５０ＭHzにダウンコンバートされる。そし
て、この信号は出力端子５９から出力される訳である。
また、図３において、ダイプレクサ４３と分配回路４４
とはオプション６７である。即ち、端子６０に上り電文
を入力することにより、その信号は入力端子２４から出
力される。また、端子６１からは下り電文を取り出すこ
とができる。ここで、オプション６７をハイパスフィル
タ４２とローパスフィルタ４５との間に挿入している理
由は、このオプション６７を挿入することによって他の
回路に影響を与えないための配慮である。

【００３０】（実施の形態２）図４は、実施の形態２に
おける高周波装置（ダブルスーパーチューナ）の平面図
である。本実施の形態２において実施の形態１と異なる
ところは、第５の区画室にシールドケース３４が装着さ
れていないことである。これは第５の区画室３２に実装
される第２の周波数変換回路５５で信号の周波数が略５
０ＭHzと低くなることによるものである。このようにシ
ールドケース３４を省くことにより生産工数を削減し生
産性を向上させることができる。

【００３１】また、第３の区画室３０に設けられたシー
ルドカバー７０は、一方の側面７１を延在してフレーム
２１の横側面にはんだ７２，７３で接続している。これ
により、グランドの強化と、シールド性能の向上が図れ
る。

【００３２】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、プリント
基板に金属製のシールドケースを設けるとともに、この
シールドケースは、区画室の大半の面積を占めるもので
あり、このように高周波装置のシールド性能を得るため
にプリント基板上に専用のシールドケースを設けている
ので、フレームとカバーとの間のシールド性はそれほど
要求されるものではない。従って、カバーはフレームに
簡単に装着できるもので良いので、従来のようにカシメ
る必要はなく生産性を向上させることができる。

【００３３】また、シールドケースは、区画室の大半の
面積を占める構成としているので、プリント基板のグラ
ンドとシールドケースのグランドをしっかり取ることに
より、プリント基板とフレームとのグランドを従来のよ
うに確実に取らなくとも高周波性能が得られるので、プ
リント基板のグランドを熱容量の大きなフレームにはん
だ付けする必要がなく、高周波性能を確保しつつ生産性
を向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態１による高周波装置の平面
図

【図２】同、断面図

【図３】同、高周波装置のブロック図

【図４】本発明の実施の形態２による高周波装置の平面
図

【図５】従来の高周波装置の分解斜視図

【図６】同、断面図

【符号の説明】

２１フレーム２２プリント基板２３電子部品２７仕切板２８第１の区画室２９第２の区画室３０第３の区画室３１第４の区画室３２第５の区画室３３シールドケース３７上カバー３８下カバー

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者可児伸弘大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内 (72)発明者杉山基樹大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内Ｆターム(参考） 4E360 AB14 AB54 AB59 BA08 BC06 CA02 EA12 EA18 EA24 EA27 ED03 ED23 ED27 FA02 FA08 GA06 GA53 GB02 GC03 GC04 5E321 AA02 AA05 AA11 CC02 GG05 GH03

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】少なくとも一方が開口するとともに、略
四角形をした金属製のフレームと、前記開口を塞ぐ金属
製のカバーと、前記フレーム内に装着されるとともに、
電子回路が実装されたプリント基板と、前記フレーム内
を仕切る金属製の仕切板と、この仕切板と前記フレーム
とで囲まれて形成された区画室とを備え、前記プリント
基板に金属製のシールドケースを設けるとともに、この
シールドケースは、前記区画室の大半の面積を占める高
周波装置。
【請求項２】フレーム及び仕切板とシールドケースと
の間に微少の空隙を有する請求項１に記載の高周波装
置。
【請求項３】シールドケースの一部を延長してフレー
ムに半田付けした請求項１に記載の高周波装置。
【請求項４】略四角形をしたシールドケースの対角線
上に実装用の孔を設けた請求項１に記載の高周波装置。
【請求項５】シールドケースは一体成形された請求項
１に記載の高周波装置。
【請求項６】電子回路を形成する電子部品とシールド
ケースの天面との空隙は、前記シールドケースの天面と
カバーとの空隙より大きくした請求項１に記載の高周波
装置。
【請求項７】電子回路には発振回路を有するとともに
少なくともこの発振回路をシールドケース内に設けた請
求項１に記載の高周波装置。
【請求項８】フレームの材厚はシールドケースの材厚
より厚くした請求項１に記載の高周波装置。
【請求項９】フレーム内に設けられた電子回路は、入
力端子と、この入力端子に接続されたアンテナ回路と、
このアンテナ回路の出力に接続された高周波増幅回路
と、この高周波増幅回路の出力に接続されるとともに第
１の局部発振回路の発振周波数により前記入力端子から
の入力周波数より高い周波数に変換される第１の周波数
変換回路と、この第１の周波数変換回路の出力に接続さ
れるとともに中間周波数を通過させるバンドパスフィル
タ回路と、このバンドパスフィルタ回路の出力に接続さ
れるとともに第２の局部発振回路の発振周波数により前
記中間周波数より低い周波数に変換される第２の周波数
変換回路と、この第２の周波数変換回路の出力が供給さ
れる出力端子とから成り、前記第１の周波数変換回路と
前記第２の周波数変換回路とは仕切板で分離されるとと
もに前記第１の周波数変換回路と前記第１の局部発振回
路とはシールドケースでシールドされた請求項１から８
の何れか一つに記載の高周波装置。
【請求項１０】第２の周波数変換回路と第２の局部発
振回路とはシールドケースでシールドされた請求項９に
記載の高周波装置。
【請求項１１】フレームの一方の縦側面に設けられた
入力端子と、前記縦側面を一辺とする第１の区画室に設
けられたアンテナ回路と、前記第１の区画室に隣接した
第２の区画室に設けられた高周波増幅回路と、前記第１
の区画室と前記第２の区画室に共に隣接した第３の区画
室に設けられた第１の周波数変換回路及び第１の局部発
振回路と、前記第２の区画室に隣接した第４の区画室に
設けられたバンドパスフィルタ回路と、この第４の区画
室と前記第３の区画室とに隣接するとともに前記フレー
ムの他方の縦側面を一辺とする第５の区画室に設けられ
た第２の周波数変換回路及び第２の局部発振回路とを有
する請求項９或いは請求項１０に記載の高周波装置。
【請求項１２】電子回路の一部を集積回路で形成する
とともに、この集積回路のグランド端子の近傍にシール
ドケースの脚を設けた請求項１に記載の高周波装置。