JP2000294853A - ホールセンサ - Google Patents

ホールセンサ

Info

Publication number
JP2000294853A
JP2000294853A JP11099702A JP9970299A JP2000294853A JP 2000294853 A JP2000294853 A JP 2000294853A JP 11099702 A JP11099702 A JP 11099702A JP 9970299 A JP9970299 A JP 9970299A JP 2000294853 A JP2000294853 A JP 2000294853A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrodes
hall
hall sensor
parallel
chip
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP11099702A
Other languages
English (en)
Inventor
Eiichi Kunitake
栄一 国武
Genta Koizumi
玄太 小泉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Cable Ltd
Original Assignee
Hitachi Cable Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Cable Ltd filed Critical Hitachi Cable Ltd
Priority to JP11099702A priority Critical patent/JP2000294853A/ja
Publication of JP2000294853A publication Critical patent/JP2000294853A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Measuring Magnetic Variables (AREA)
  • Hall/Mr Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ホールチップの電極間での放電を抑制したホ
ールセンサを提供する。 【解決手段】 基板6の上に十字状の感磁部7を形成
し、この十字状の腕のそれぞれに電極8を形成したホー
ルチップ2を使用するホールセンサにおいて、隣り合う
電極8、8間における対向部9、10を平行させ、これ
ら対向部9、10の平行する長さaを40μmから対向
部9、10間の距離bを差し引いた値以上の寸法に設定
する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、ホールセンサに関
し、特に、静電気を原因とした電極間放電の起こりにく
いホールセンサに関する。
【0002】
【従来の技術】磁束密度を電圧に変換することのできる
ホールセンサは、DCブラシレスモータ等の磁気センサ
として活用されている。図3は、ホールセンサの構成を
示したもので、1はリードフレーム、2はリードフレー
ム1の上に搭載されたホールチップを示す。ホールチッ
プ2は、ガリウム砒素等の半導体より構成される感磁部
を有する。3はボンディングワイヤ4によってホールチ
ップ2の電極に接続された端子、5は以上の各構成要素
を封止した樹脂モールドを示す。
【0003】図4は、従来のホールセンサに使用されて
いるホールチップの構造を示す。半絶縁性ガリウム砒素
の基板6の上に感磁部7を十字状に形成し、十字の各腕
に電極8を設けた構成を有する。ホールチップ2は、ホ
ールセンサの小型化およびコスト減の観点からできるだ
け小さく構成することが有利であり、従って、1枚のウ
エハから数多く切り出される傾向にある。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のホール
センサによると、ホールチップ2の小チップ化が進むに
伴い、電極8と8の間の距離cが極小化し、このため、
人体等に発生する静電気が原因して電極8の間に放電が
生じ、その際の衝撃によってセンサ機能が破壊されるこ
とがある。放電は、角部11のように電界が集中する部
分おいて特に発生しやすい。
【0005】図5および図6に、ホールチップの静電耐
量試験方法とその実施結果を示す。図5は、MIL−S
TD−833C−3015.7 Notice8に準拠
して構成された静電耐量試験器の回路図を示したもので
ある。
【0006】1MΩ程度の保護抵抗12を介して可変電
圧電源13により100pFのコンデンサ14を充電し
た後、スイッチ15を切り替え、1.5kΩの抵抗16
を介してコンデンサ14から蓄積した電荷をホールセン
サ17に付加するもので、これによりホールセンサ17
に組み込まれたホールチップ2の隣り合う電極8、8の
間に放電を発生させる。
【0007】一般的な電気部品においては、この試験に
おいて2kV以上の静電耐量により電気特性が破壊され
なかったものを合格とし、2kV未満で破壊されたもの
を不合格としており、ホールセンサの場合にもこの基準
によって判定される。
【0008】図6は、図4のホールチップ2の電極8、
8間の距離cと耐圧の関係を示したものである。距離c
が大きくなるにしたがって耐圧は上昇し、40μmが2
kVにおける合否の別れ目となる。従って、従来のホー
ルセンサにおいては、電極間の距離を40μmより大き
く設定するのが普通であり、このことからくる設計上の
制約あるいは小型化の限界があった。
【0009】従って、本発明の目的は、ホールチップの
電極間での放電を抑制したホールセンサを提供すること
にある。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の目的を
達成するため、基板と、前記基板に形成された感磁部
と、前記感磁部に形成された複数の電極から構成される
ホールチップを備えたホールセンサにおいて、前記複数
の電極の隣り合う電極間における対向部を互いに平行さ
せ、前記対向部の平行する長さを、40μmから前記対
向部の間の距離を差し引いた値以上の寸法に設定するこ
とを特徴とするホールセンサを提供するものである。
【0011】隣り合う電極間における対向部は、同じ長
さとは限らない。一方が他方よりも短くてもよく、その
場合には、短い方の長さが本発明にいう平行する長さと
なる。対向部は平行に形成されていればよく、従って、
直線とはかぎらない。
【0012】
【発明の実施の形態】次に、本発明によるホールセンサ
の実施の形態を説明する。図3に示されるホールセンサ
において、本実施の形態におけるホールチップ2の構成
を以下に説明する。
【0013】図1において、6は半絶縁性ガリウム砒素
の基板、7は基板6の上に十字状に形成されたガリウム
砒素の感磁部、8は十字の各腕にそれぞれ形成された電
極を示す。電極8は、隣り合う電極間における対向部
9、10が平行に構成されている。
【0014】対向部9と10は長さが異なり、従って、
長さの短い対向部9の長さにおいて両者の間に平行関係
が成立している。図2は、2kVの静電耐量特性におい
て、対向部9、10に平行関係が成立している長さaと
電極8と8の間の距離bとの関係を示したグラフであ
る。
【0015】長さaを「40μm−b」未満に設定した
例である21〜23の場合には、いずれも不合格である
のに比べ、本発明において長さaの下限値とする「40
μm−b」に設定されたサンプル24〜26の場合に
は、いずも合格していることが認められる。
【0016】さらに、「40μm−b」を超えて長さa
を設定した27〜36の例においてもいずれも合格を示
しており、従って、隣り合う電極間における対向部9、
10を平行に構成し、平行な長さaを40μm−bに構
成することによる効果は明確である。
【0017】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によるホー
ルセンサによれば、使用するホールチップの隣り合う電
極間における対向部を互いに平行させ、これら対向部の
平行する長さを40μmから対向部の間の距離を差し引
いた値以上の寸法に設定し、これによって電極間の放電
を抑制するものであり、その有用性は大である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明によるホールセンサの実施の形態におい
て使用されたホールチップを示す説明図。
【図2】図1のホールチップの静電耐量特性において、
平行関係が成立する対向部の長さと電極の間の距離との
関係を示す説明図。
【図3】ホールセンサの構成を示す説明図。
【図4】従来のホールセンサにおけるホールチップの構
成を示す説明図。
【図5】静電耐量試験器の回路を示す説明図。
【図6】従来のホールセンサの電極間の距離と耐圧との
関係を示す説明図。
【符号の説明】
1 リードフレーム 2 ホールチップ 3 端子 4 ボンディングワイヤ 5 樹脂モールド 6 基板 7 感磁部 8 電極 9、10 対向部

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】基板と、前記基板に形成された感磁部と、
    前記感磁部に形成された複数の電極から構成されるホー
    ルチップを備えたホールセンサにおいて、 前記複数の電極の隣り合う電極間における対向部を互い
    に平行させ、 前記対向部の平行する長さを、40μmから前記対向部
    の間の距離を差し引いた値以上の寸法に設定することを
    特徴とするホールセンサ。
JP11099702A 1999-04-07 1999-04-07 ホールセンサ Pending JP2000294853A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11099702A JP2000294853A (ja) 1999-04-07 1999-04-07 ホールセンサ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11099702A JP2000294853A (ja) 1999-04-07 1999-04-07 ホールセンサ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2000294853A true JP2000294853A (ja) 2000-10-20

Family

ID=14254401

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP11099702A Pending JP2000294853A (ja) 1999-04-07 1999-04-07 ホールセンサ

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2000294853A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014011343A (ja) * 2012-06-29 2014-01-20 Asahi Kasei Electronics Co Ltd ホール素子およびホール素子を用いた半導体装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014011343A (ja) * 2012-06-29 2014-01-20 Asahi Kasei Electronics Co Ltd ホール素子およびホール素子を用いた半導体装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5023684A (en) Composite semiconductor device having function for overcurrent detection
US7576964B2 (en) Overvoltage protection circuit of output MOS transistor
KR100272496B1 (ko) 공급 전압범위를 넘는 입력 요구 동작용 정전방전 보호
JP6350422B2 (ja) 電力変換装置
EP0649176A2 (en) Insulated-gate bipolar transistor
US11519941B2 (en) Current sensing device having an integrated electrical shield
JP2002083931A (ja) 半導体集積回路装置
US6724599B2 (en) Power semiconductor device
US4325097A (en) Four terminal pulse suppressor
JPH0794373A (ja) パッケージ型固体電解コンデンサ
JP2000294853A (ja) ホールセンサ
CN111819358B (zh) 开关控制电路、点火器
JPH07240520A (ja) 絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ
CN112567619B (zh) 功率半导体装置
US20110043959A1 (en) Method for limiting an un-mirrored current and circuit therefor
JP4795613B2 (ja) 半導体装置
JPH06325988A (ja) パッケージ型固体電解コンデンサー
US11387174B2 (en) Semiconductor device
WO2022172606A1 (ja) 半導体モジュール
JPH02244752A (ja) 半導体集積回路の静電気保護回路
JP3471582B2 (ja) ソリッドステートリレー
JPS6042502Y2 (ja) 多電源電力増幅回路の保護装置
JPH08213542A (ja) 半導体装置
JPH01170867A (ja) 半導体集積回路の信頼性試験方法
JPH01281770A (ja) 半導体装置