JP2000286367A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体チップと、樹脂パッケージ内に形成さ
れた複数の内部リードとがワイヤを介して導通接続され
た形態の半導体装置において、ワイヤと内部リードや、
ワイヤと半導体チップとの間の応力集中を適切に回避す
る。 【解決手段】 半導体チップ３と、この半導体チップ３
とワイヤ４を介して導通接続された複数の内部リード50
と、半導体チップ３、ワイヤ４および複数の内部リード
50を封入するようにして形成された樹脂パッケージ６
と、この樹脂パッケージ６の外部において各内部リード
50に導通するようにして設けられた複数の外部接続用端
子51と、を有する半導体装置１において、複数ある内部
リード50とワイヤ４との接続部位のうちの少なくとも一
部を、樹脂７ａによって封止した。好ましくは、内部リ
ード50とワイヤ４との接続部位を封止する樹脂７ａの熱
膨張率を、内部リード50よりも大きく、かつ樹脂パッケ
ージ６よりも小さくする。
れた複数の内部リードとがワイヤを介して導通接続され
た形態の半導体装置において、ワイヤと内部リードや、
ワイヤと半導体チップとの間の応力集中を適切に回避す
る。 【解決手段】 半導体チップ３と、この半導体チップ３
とワイヤ４を介して導通接続された複数の内部リード50
と、半導体チップ３、ワイヤ４および複数の内部リード
50を封入するようにして形成された樹脂パッケージ６
と、この樹脂パッケージ６の外部において各内部リード
50に導通するようにして設けられた複数の外部接続用端
子51と、を有する半導体装置１において、複数ある内部
リード50とワイヤ４との接続部位のうちの少なくとも一
部を、樹脂７ａによって封止した。好ましくは、内部リ
ード50とワイヤ４との接続部位を封止する樹脂７ａの熱
膨張率を、内部リード50よりも大きく、かつ樹脂パッケ
ージ６よりも小さくする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本願発明は、半導体チップと
内部リードとがワイヤを介して接続され、これらが樹脂
パッケージ内に封入された形態の半導体装置に関する。
内部リードとがワイヤを介して接続され、これらが樹脂
パッケージ内に封入された形態の半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体装置の一例として、図１０
に示した構造のものがある。この種の半導体装置１Ａ
は、金属板を打ち抜きあるいはエッチング処理するなど
して得られる、いわゆるリードフレームから製造された
ものである。すなわち、ダイパッド２上に実装された半
導体チップ３と、樹脂パッケージ６Ａ内に形成された複
数の内部リード５０とがワイヤ４を介して導通接続さ
れ、樹脂パッケージ６Ａの外部においては、各内部リー
ド５０に一体的に連続して外部リード（外部接続用端
子）５１が複数設けられた構成とされている。
に示した構造のものがある。この種の半導体装置１Ａ
は、金属板を打ち抜きあるいはエッチング処理するなど
して得られる、いわゆるリードフレームから製造された
ものである。すなわち、ダイパッド２上に実装された半
導体チップ３と、樹脂パッケージ６Ａ内に形成された複
数の内部リード５０とがワイヤ４を介して導通接続さ
れ、樹脂パッケージ６Ａの外部においては、各内部リー
ド５０に一体的に連続して外部リード（外部接続用端
子）５１が複数設けられた構成とされている。
【０００３】このような構成の半導体装置１は、通常、
回路基板などに実装して使用されるが、その実装方法に
は、ハンダリフローの手法が一般的に採用される。この
方法では、外部リード５１にクリームハンダを予め塗布
しておき、半導体装置１を回路基板などにおける所定の
部位に位置決め載置した状態で、リフロー炉に搬入して
クリームハンダを再溶融し、これを固化させることによ
って半導体装置１が回路基板などに実装される。
回路基板などに実装して使用されるが、その実装方法に
は、ハンダリフローの手法が一般的に採用される。この
方法では、外部リード５１にクリームハンダを予め塗布
しておき、半導体装置１を回路基板などにおける所定の
部位に位置決め載置した状態で、リフロー炉に搬入して
クリームハンダを再溶融し、これを固化させることによ
って半導体装置１が回路基板などに実装される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ハンダリフローの手法
では、回路基板などとともにリフロー炉内に半導体装置
１が搬入されるが、このときに半導体チップ３、各内部
リード５０および樹脂パッケージ６Ａが膨張し、これら
がハンダを固化させる際に収縮する。ところが、内部リ
ード５０（リードフレーム２Ａ）はニッケルなどの金属
によって、半導体チップ３は主としてシリコンなどによ
って形成されており、また樹脂パッケージ６Ａはエポキ
シ樹脂などによって形成されているため、加熱時におい
ては、内部リード５０や半導体チップ３に比べて熱膨張
率の高い樹脂パッケージ６Ａのほうがより膨張量が大き
い。したがって、各内部リード５０と樹脂パッケージ６
Ａとの間の界面、ひいては各内部リード５０と樹脂パッ
ケージ６Ａとの接続部分に応力が集中しやすく、また半
導体チップ３とワイヤ４との接続部分においても応力が
集中しやすい。さらに、半導体装置１を回路基板などに
実装して駆動させた場合には、半導体装置１自体の温度
が１００℃程度にまで上昇することがあり、このときに
も同様な理由からワイヤ４と各内部リード５０や、ワイ
ヤ４と半導体チップ３との間の接続部分に応力が集中し
やすい。
では、回路基板などとともにリフロー炉内に半導体装置
１が搬入されるが、このときに半導体チップ３、各内部
リード５０および樹脂パッケージ６Ａが膨張し、これら
がハンダを固化させる際に収縮する。ところが、内部リ
ード５０（リードフレーム２Ａ）はニッケルなどの金属
によって、半導体チップ３は主としてシリコンなどによ
って形成されており、また樹脂パッケージ６Ａはエポキ
シ樹脂などによって形成されているため、加熱時におい
ては、内部リード５０や半導体チップ３に比べて熱膨張
率の高い樹脂パッケージ６Ａのほうがより膨張量が大き
い。したがって、各内部リード５０と樹脂パッケージ６
Ａとの間の界面、ひいては各内部リード５０と樹脂パッ
ケージ６Ａとの接続部分に応力が集中しやすく、また半
導体チップ３とワイヤ４との接続部分においても応力が
集中しやすい。さらに、半導体装置１を回路基板などに
実装して駆動させた場合には、半導体装置１自体の温度
が１００℃程度にまで上昇することがあり、このときに
も同様な理由からワイヤ４と各内部リード５０や、ワイ
ヤ４と半導体チップ３との間の接続部分に応力が集中し
やすい。
【０００５】本願発明は、上記した事情のもとで考え出
されたものであって、半導体チップと、樹脂パッケージ
内に形成された複数の内部リードとがワイヤを介して導
通接続された形態の半導体装置において、ワイヤと内部
リードや、ワイヤと半導体チップとの間の応力集中を適
切に回避することをその課題としている。
されたものであって、半導体チップと、樹脂パッケージ
内に形成された複数の内部リードとがワイヤを介して導
通接続された形態の半導体装置において、ワイヤと内部
リードや、ワイヤと半導体チップとの間の応力集中を適
切に回避することをその課題としている。
【０００６】
【発明の開示】上記の課題を解決するため、本願発明で
は、次の技術的手段を講じている。すなわち、本願発明
により提供される半導体装置は、半導体チップと、この
半導体チップとワイヤを介して導通接続された複数の内
部リードと、上記半導体チップ、上記ワイヤおよび上記
複数の内部リードを封入するようにして形成された樹脂
パッケージと、この樹脂パッケージの外部において上記
各内部リードに導通するようにして設けられた複数の外
部接続用端子と、を有する半導体装置であって、複数あ
る上記内部リードと上記ワイヤとの接続部位のうちの少
なくとも一部は、樹脂によって封止されていることを特
徴としている。
は、次の技術的手段を講じている。すなわち、本願発明
により提供される半導体装置は、半導体チップと、この
半導体チップとワイヤを介して導通接続された複数の内
部リードと、上記半導体チップ、上記ワイヤおよび上記
複数の内部リードを封入するようにして形成された樹脂
パッケージと、この樹脂パッケージの外部において上記
各内部リードに導通するようにして設けられた複数の外
部接続用端子と、を有する半導体装置であって、複数あ
る上記内部リードと上記ワイヤとの接続部位のうちの少
なくとも一部は、樹脂によって封止されていることを特
徴としている。
【０００７】上記構成では、ワイヤと内部リードとの接
続部位（以下、適宜「第１接続部位」という）が樹脂に
よって封止されていることから、第１接続部位が封止樹
脂によって保護された恰好とされている。そして、加熱
・冷却によって樹脂パッケージが膨張・収縮したとして
も、樹脂パッケージから第１接続部位に対して直接的に
応力が作用することはなく、封止樹脂を介して間接的に
応力が作用するにすぎずない。このため、本願発明の半
導体装置では、樹脂パッケージの膨張・収縮が、第１接
続部位に与える影響は極めて小さい。
続部位（以下、適宜「第１接続部位」という）が樹脂に
よって封止されていることから、第１接続部位が封止樹
脂によって保護された恰好とされている。そして、加熱
・冷却によって樹脂パッケージが膨張・収縮したとして
も、樹脂パッケージから第１接続部位に対して直接的に
応力が作用することはなく、封止樹脂を介して間接的に
応力が作用するにすぎずない。このため、本願発明の半
導体装置では、樹脂パッケージの膨張・収縮が、第１接
続部位に与える影響は極めて小さい。
【０００８】好ましい実施の形態においては、第１接続
部位を封止する樹脂は、その熱膨張率が樹脂パッケージ
のそれよりも小さく、内部リードのそれよりも大きくな
される。
部位を封止する樹脂は、その熱膨張率が樹脂パッケージ
のそれよりも小さく、内部リードのそれよりも大きくな
される。
【０００９】上述したように、本願発明では第１接続部
位が封止樹脂によって覆われた構成であるから、樹脂パ
ッケージの膨張・収縮は、第１接続部位に対して間接的
に影響を与えるにすぎない。一方、封止樹脂の膨張・収
縮したならば、その影響が第１接続部位に対して直接的
に与えられることとなる。
位が封止樹脂によって覆われた構成であるから、樹脂パ
ッケージの膨張・収縮は、第１接続部位に対して間接的
に影響を与えるにすぎない。一方、封止樹脂の膨張・収
縮したならば、その影響が第１接続部位に対して直接的
に与えられることとなる。
【００１０】ところで、本願発明では、封止樹脂の熱膨
張率が、樹脂パッケージのそれよりも小さくなされてい
るため、加熱・冷却時における封止樹脂の膨張・収縮量
は、樹脂パッケージのそれよりも小さい。したがって、
第１接続部位が樹脂パッケージによって直接的に覆われ
ている場合と比較して、封止樹脂によって覆われている
場合のほうが、膨張・収縮時において第１接続部位に対
して直接的に与えられる影響（応力）が小さい。
張率が、樹脂パッケージのそれよりも小さくなされてい
るため、加熱・冷却時における封止樹脂の膨張・収縮量
は、樹脂パッケージのそれよりも小さい。したがって、
第１接続部位が樹脂パッケージによって直接的に覆われ
ている場合と比較して、封止樹脂によって覆われている
場合のほうが、膨張・収縮時において第１接続部位に対
して直接的に与えられる影響（応力）が小さい。
【００１１】また、本願発明では、封止樹脂の熱膨張率
が内部リードよりも大きく、かつ樹脂パッケージよりも
小さくなされていることから、樹脂パッケージと封止樹
脂との熱膨張率の差は、樹脂パッケージと内部リードと
の熱膨張率の差よりも小さい。このため、樹脂パッケー
ジや封止樹脂の膨張・収縮の際に、樹脂パッケージと封
止樹脂との間の界面に集中する応力は、樹脂パッケージ
と内部リードとの間の界面に集中する応力がよりも小さ
い。つまり、樹脂パッケージの膨張・収縮が封止樹脂に
対して直接的に与える影響は、第１接続部位が樹脂パッ
ケージによって直接的に覆われている場合と比較して小
さく、樹脂パッケージがが封止樹脂を介して第１接続部
位に対して間接的に与える影響はさらに小さい。
が内部リードよりも大きく、かつ樹脂パッケージよりも
小さくなされていることから、樹脂パッケージと封止樹
脂との熱膨張率の差は、樹脂パッケージと内部リードと
の熱膨張率の差よりも小さい。このため、樹脂パッケー
ジや封止樹脂の膨張・収縮の際に、樹脂パッケージと封
止樹脂との間の界面に集中する応力は、樹脂パッケージ
と内部リードとの間の界面に集中する応力がよりも小さ
い。つまり、樹脂パッケージの膨張・収縮が封止樹脂に
対して直接的に与える影響は、第１接続部位が樹脂パッ
ケージによって直接的に覆われている場合と比較して小
さく、樹脂パッケージがが封止樹脂を介して第１接続部
位に対して間接的に与える影響はさらに小さい。
【００１２】結局、封止樹脂が直接的に第１接続部位に
与える影響と、樹脂パッケージが間接的に第１接続部位
に与える影響とを総じても、従来において樹脂パッケー
ジの膨張・収縮が第１接続部位に対して直接的に与えて
いた影響よりも小さい。つまり、第１接続部位の周りに
おいては、封止樹脂が樹脂パッケージと内部リードとの
間のバッファー的な役割を果たし、これによって第１接
続部位に作用する応力が緩和される。
与える影響と、樹脂パッケージが間接的に第１接続部位
に与える影響とを総じても、従来において樹脂パッケー
ジの膨張・収縮が第１接続部位に対して直接的に与えて
いた影響よりも小さい。つまり、第１接続部位の周りに
おいては、封止樹脂が樹脂パッケージと内部リードとの
間のバッファー的な役割を果たし、これによって第１接
続部位に作用する応力が緩和される。
【００１３】好ましい実施の形態においては、半導体チ
ップ上には、内部リードの数に対応し、ワイヤとの接続
部位（以下、適宜「第２接続部位」という）が複数設け
られており、これらの第２接続部位のうちの少なくとも
一部は、樹脂によって封止されている。
ップ上には、内部リードの数に対応し、ワイヤとの接続
部位（以下、適宜「第２接続部位」という）が複数設け
られており、これらの第２接続部位のうちの少なくとも
一部は、樹脂によって封止されている。
【００１４】好ましい実施の形態においてはさらに、半
導体チップとワイヤとの接続部位を封止する樹脂は、そ
の熱膨張率が半導体チップよりも大きく、かつ樹脂パッ
ケージよりも小さい。
導体チップとワイヤとの接続部位を封止する樹脂は、そ
の熱膨張率が半導体チップよりも大きく、かつ樹脂パッ
ケージよりも小さい。
【００１５】このような構成においては、先に説明した
第１接続部位と同様な理由によって第２接続部位が保護
され、これに作用する応力が緩和されている。
第１接続部位と同様な理由によって第２接続部位が保護
され、これに作用する応力が緩和されている。
【００１６】好ましい実施の形態においては、各第１接
続部位は、隣り合う第１接続部位どうしを繋ぐようにし
て一連に樹脂封止されている。
続部位は、隣り合う第１接続部位どうしを繋ぐようにし
て一連に樹脂封止されている。
【００１７】隣り合う第１接続部位どうしを一連に樹脂
封止すれば、各内部リードの位置が封止樹脂によって固
定された恰好となり、加熱・冷却時において隣り合う内
部リードどうしの間が広狭することが回避される。この
ような構成を採用することによっても、第１接続部位に
作用する応力が緩和される。
封止すれば、各内部リードの位置が封止樹脂によって固
定された恰好となり、加熱・冷却時において隣り合う内
部リードどうしの間が広狭することが回避される。この
ような構成を採用することによっても、第１接続部位に
作用する応力が緩和される。
【００１８】なお、各内部リードやこれに導通する外部
接続用端子の形態は種々に変更可能である。たとえば、
各内部リードや外部接続用端子を、金属板を加工するこ
とによって得られるリードフレームを用いて一体的に形
成してもよいし、各内部リードを、絶縁基板の上面にお
いて、導体によってパターン形成してもよく、この場
合、各外部接続用端子を、絶縁基板の下面側において、
ハンダによってボール状に形成してもよい。
接続用端子の形態は種々に変更可能である。たとえば、
各内部リードや外部接続用端子を、金属板を加工するこ
とによって得られるリードフレームを用いて一体的に形
成してもよいし、各内部リードを、絶縁基板の上面にお
いて、導体によってパターン形成してもよく、この場
合、各外部接続用端子を、絶縁基板の下面側において、
ハンダによってボール状に形成してもよい。
【００１９】本願発明のその他の特徴および利点は、添
付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より
明らかとなろう。
付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より
明らかとなろう。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、本願発明の好ましい実施の
形態を、図面を参照して具体的に説明する。図１は、本
願発明に係る半導体装置の一例を表す全体斜視図、図２
は、図１のII−II線に沿う断面図、図３は、図１および
図２に示した半導体装置の要部を拡大した平面図であっ
て、当該要部の一部を透視した平面図である。
形態を、図面を参照して具体的に説明する。図１は、本
願発明に係る半導体装置の一例を表す全体斜視図、図２
は、図１のII−II線に沿う断面図、図３は、図１および
図２に示した半導体装置の要部を拡大した平面図であっ
て、当該要部の一部を透視した平面図である。
【００２１】本実施形態の半導体装置１は、ダイパッド
２上に半導体チップ３が実装され、この半導体チップ３
と複数のリード５との間がワイヤ４を介して導通接続さ
れている。そして、ダイパッド２、半導体チップ３、ワ
イヤ４などが樹脂パッケージ６によって封止されてい
る。
２上に半導体チップ３が実装され、この半導体チップ３
と複数のリード５との間がワイヤ４を介して導通接続さ
れている。そして、ダイパッド２、半導体チップ３、ワ
イヤ４などが樹脂パッケージ６によって封止されてい
る。
【００２２】リード５は、樹脂パッケージ６内に封入さ
れた内部リード５０と、この内部リード５０に連続する
とともに樹脂パッケージ６の外部に設けられた外部リー
ド５０とを有している。外部リード５０は、クランク状
に折り曲げられており、その先端部が樹脂パッケージ６
の底面と同一高さ位置において水平に延びるようになさ
れている。すなわち、上記構成の半導体装置１では、水
平状とされた部分において回路基板と接続され、実装さ
れるようになされている。
れた内部リード５０と、この内部リード５０に連続する
とともに樹脂パッケージ６の外部に設けられた外部リー
ド５０とを有している。外部リード５０は、クランク状
に折り曲げられており、その先端部が樹脂パッケージ６
の底面と同一高さ位置において水平に延びるようになさ
れている。すなわち、上記構成の半導体装置１では、水
平状とされた部分において回路基板と接続され、実装さ
れるようになされている。
【００２３】そして、本実施形態においては、ワイヤ４
と内部リード５０との間の接続部位が樹脂によって封止
されて第１封止樹脂部７ａが形成されており、ワイヤ４
と半導体チップ３との間の接続部位も樹脂によって封止
されて第２封止樹脂部７ｂが形成されている。これら第
１および第２封止樹脂部７ａ，７ｂは、たとえば樹脂パ
ッケージ６よりも熱膨張率が小さく、内部リード５０よ
りも熱膨張率の大きな樹脂によって形成される。
と内部リード５０との間の接続部位が樹脂によって封止
されて第１封止樹脂部７ａが形成されており、ワイヤ４
と半導体チップ３との間の接続部位も樹脂によって封止
されて第２封止樹脂部７ｂが形成されている。これら第
１および第２封止樹脂部７ａ，７ｂは、たとえば樹脂パ
ッケージ６よりも熱膨張率が小さく、内部リード５０よ
りも熱膨張率の大きな樹脂によって形成される。
【００２４】以上のような構成とされた半導体装置１で
は、ワイヤ４と内部リード５０との接続部位（第１接続
部位）が第１封止樹脂部によって覆われていることか
ら、加熱・冷却によって樹脂パッケージ６が膨張・収縮
したとしても、樹脂パッケージ６から第１接続部位に対
して直接的に応力が作用することはなく、第１封止樹脂
部７ａを介して間接的に応力が作用するにすぎずない。
一方、第１封止樹脂部７ａが膨張・収縮したならば、そ
の影響が第１接続部位に対して直接的に与えられること
となるが、第１封止樹脂部７ａの熱膨張率が、樹脂パッ
ケージ６のそれよりも小さくされていれば、加熱・冷却
時における第１封止樹脂７ａの膨張・収縮量は、樹脂パ
ッケージ６のそれよりも小さい。したがって、第１接続
部位が樹脂パッケージ６によって直接的に覆われている
場合と比較して、第１封止樹脂部７ａによって覆われて
いる場合のほうが、膨張・収縮時において第１接続部位
に対して直接的に与えられる影響（応力）が小さい。
は、ワイヤ４と内部リード５０との接続部位（第１接続
部位）が第１封止樹脂部によって覆われていることか
ら、加熱・冷却によって樹脂パッケージ６が膨張・収縮
したとしても、樹脂パッケージ６から第１接続部位に対
して直接的に応力が作用することはなく、第１封止樹脂
部７ａを介して間接的に応力が作用するにすぎずない。
一方、第１封止樹脂部７ａが膨張・収縮したならば、そ
の影響が第１接続部位に対して直接的に与えられること
となるが、第１封止樹脂部７ａの熱膨張率が、樹脂パッ
ケージ６のそれよりも小さくされていれば、加熱・冷却
時における第１封止樹脂７ａの膨張・収縮量は、樹脂パ
ッケージ６のそれよりも小さい。したがって、第１接続
部位が樹脂パッケージ６によって直接的に覆われている
場合と比較して、第１封止樹脂部７ａによって覆われて
いる場合のほうが、膨張・収縮時において第１接続部位
に対して直接的に与えられる影響（応力）が小さい。
【００２５】また、第１封止樹脂部７ａの熱膨張率が内
部リード５０よりも大きく、かつ樹脂パッケージ６より
も小さくなされていれば、樹脂パッケージ６と第１封止
樹脂部７ａとの熱膨張率の差は、樹脂パッケージ６と内
部リード５０との熱膨張率の差よりも小さい。このた
め、樹脂パッケージ６や第１封止樹脂部７ａの膨張・収
縮の際に、樹脂パッケージ６と第１封止樹脂部７ａとの
間の界面に集中する応力は、樹脂パッケージ６と内部リ
ード５０との間の界面に集中する応力がよりも小さい。
つまり、樹脂パッケージ６の膨張・収縮が第１封止樹脂
部７ａに対して直接的に与える影響は第１接続部位が樹
脂パッケージ６によって直接的に覆われている場合と比
較して小さく、樹脂パッケージ６が第１封止樹脂部７ａ
を介して第１接続部位に対して間接的に与える影響はさ
らに小さい。
部リード５０よりも大きく、かつ樹脂パッケージ６より
も小さくなされていれば、樹脂パッケージ６と第１封止
樹脂部７ａとの熱膨張率の差は、樹脂パッケージ６と内
部リード５０との熱膨張率の差よりも小さい。このた
め、樹脂パッケージ６や第１封止樹脂部７ａの膨張・収
縮の際に、樹脂パッケージ６と第１封止樹脂部７ａとの
間の界面に集中する応力は、樹脂パッケージ６と内部リ
ード５０との間の界面に集中する応力がよりも小さい。
つまり、樹脂パッケージ６の膨張・収縮が第１封止樹脂
部７ａに対して直接的に与える影響は第１接続部位が樹
脂パッケージ６によって直接的に覆われている場合と比
較して小さく、樹脂パッケージ６が第１封止樹脂部７ａ
を介して第１接続部位に対して間接的に与える影響はさ
らに小さい。
【００２６】結局、樹脂パッケージ６が間接的に第１接
続部位に与える影響と、第１封止樹脂部７ａが直接的に
第１接続部位に与える影響とを総じても、従来において
樹脂パッケージの膨張・収縮が第１接続部位に対して直
接的に与えていた影響よりも小さい。つまり、第１接続
部位の周りにおいては、第１封止樹脂部７ａが樹脂パッ
ケージ６と内部リード５０との間のバッファー的な役割
を果たし、これによって第１接続部位に作用する応力が
緩和される。
続部位に与える影響と、第１封止樹脂部７ａが直接的に
第１接続部位に与える影響とを総じても、従来において
樹脂パッケージの膨張・収縮が第１接続部位に対して直
接的に与えていた影響よりも小さい。つまり、第１接続
部位の周りにおいては、第１封止樹脂部７ａが樹脂パッ
ケージ６と内部リード５０との間のバッファー的な役割
を果たし、これによって第１接続部位に作用する応力が
緩和される。
【００２７】もちろん、第２封止樹脂部７ｂも、第１封
止樹脂部７ａと同様な役割を果たすため、ワイヤ４と半
導体チップ３との間の接続部位に作用する応力は格段に
緩和される。
止樹脂部７ａと同様な役割を果たすため、ワイヤ４と半
導体チップ３との間の接続部位に作用する応力は格段に
緩和される。
【００２８】次に、本願発明に係る半導体装置１の製造
方法を、図４ないし図８を参照して説明する。なお、上
記半導体装置１の製造に使用されるリードフレームにつ
いて、図４を参照して先に説明する。
方法を、図４ないし図８を参照して説明する。なお、上
記半導体装置１の製造に使用されるリードフレームにつ
いて、図４を参照して先に説明する。
【００２９】図４に示したように、リードフレーム２Ａ
は、長手方向に延びる一対のサイドメンバ２０，２０の
間が、幅方向に延びるようにして一定間隔毎に設けられ
た複数のクロスメンバ２１によって掛け渡されている。
各サイドメンバ２０および隣合うクロスメンバ２１，２
１によって囲まれる領域２Ｂ内には、後において半導体
装置１の構成要素となるべきダイパッド２、内部リード
５０および外部リード５１が形成されている。また、上
記領域２Ｂ内には、４つのダムバー２２を四辺とする矩
形領域２Ｃが規定されており、この矩形領域２Ｃ内にダ
イパッド２の四隅部がサポートリード２３を介して支持
されている。各内部リード５０は、各ダムバー２２から
ダイパッド２側に向けて先端部が延びるようにして形成
されており、各外部リード５１は、各内部リード５０に
連続して矩形領域２Ｃの外方側に形成されている。
は、長手方向に延びる一対のサイドメンバ２０，２０の
間が、幅方向に延びるようにして一定間隔毎に設けられ
た複数のクロスメンバ２１によって掛け渡されている。
各サイドメンバ２０および隣合うクロスメンバ２１，２
１によって囲まれる領域２Ｂ内には、後において半導体
装置１の構成要素となるべきダイパッド２、内部リード
５０および外部リード５１が形成されている。また、上
記領域２Ｂ内には、４つのダムバー２２を四辺とする矩
形領域２Ｃが規定されており、この矩形領域２Ｃ内にダ
イパッド２の四隅部がサポートリード２３を介して支持
されている。各内部リード５０は、各ダムバー２２から
ダイパッド２側に向けて先端部が延びるようにして形成
されており、各外部リード５１は、各内部リード５０に
連続して矩形領域２Ｃの外方側に形成されている。
【００３０】上記のような形態とされたリードフレーム
２Ａを用いる場合には、まずダイパッド２上に半導体チ
ップ３が実装される。具体的には、まずシリンジなどか
ら粘液状とされた接着剤を吐出させてこれをダイパッド
２上に塗布し、この接着剤上に半導体チップ３を載置し
た後に、接着剤を硬化させることによって半導体チップ
３が実装される。なお、接着剤としては、エポキシ樹脂
などの熱硬化性樹脂を含むものが好適に採用される。も
ちろん、接着剤としては、シート状された固体接着剤を
使用してもよいし、また常温硬化性の接着剤を用いても
よい。また、半導体チップ３は、たとえばＩＣやＬＳＩ
などのベアチップであり、半導体装置１の用途に応じて
適宜選択される。
２Ａを用いる場合には、まずダイパッド２上に半導体チ
ップ３が実装される。具体的には、まずシリンジなどか
ら粘液状とされた接着剤を吐出させてこれをダイパッド
２上に塗布し、この接着剤上に半導体チップ３を載置し
た後に、接着剤を硬化させることによって半導体チップ
３が実装される。なお、接着剤としては、エポキシ樹脂
などの熱硬化性樹脂を含むものが好適に採用される。も
ちろん、接着剤としては、シート状された固体接着剤を
使用してもよいし、また常温硬化性の接着剤を用いても
よい。また、半導体チップ３は、たとえばＩＣやＬＳＩ
などのベアチップであり、半導体装置１の用途に応じて
適宜選択される。
【００３１】次いで、半導体チップ３の上面に形成され
た各端子部（図示略）と、それぞれの端子部に対応する
各内部リード５０との間がワイヤ４によって結線され、
図５に示したような状態とされる。この工程は、半導体
チップ３の端子部について行われるファーストボンディ
ング工程と、内部リード５０について行われるセカンド
ボンディング工程とからなるが、既存のワイヤボンディ
ング装置を用いた公知の方法によって行なわれる。
た各端子部（図示略）と、それぞれの端子部に対応する
各内部リード５０との間がワイヤ４によって結線され、
図５に示したような状態とされる。この工程は、半導体
チップ３の端子部について行われるファーストボンディ
ング工程と、内部リード５０について行われるセカンド
ボンディング工程とからなるが、既存のワイヤボンディ
ング装置を用いた公知の方法によって行なわれる。
【００３２】さらに、図６に示したように、ワイヤ４と
内部リード５０との接続部位、およびワイヤ４と半導体
チップ３の端子部との接続部位のそれぞれを、樹脂によ
って個別に封止して第１および第２封止樹脂部７ａ，７
ｂを形成する。この工程は、たとえばダイパッド２上に
接着剤を塗布する場合と同様に、シリンジなどから粘液
状とされた樹脂を吐出させるなどして行なわれる。な
お、各封止樹脂部７ａ，７ｂを形成する樹脂は、樹脂パ
ッケージ６を構成する樹脂よりも熱膨張率が小さく、内
部リード５０よりも熱膨張率の大きなものが好適に使用
される。この場合、樹脂パッケージ６と各封止樹脂部７
ａ，７ｂとを全く性質の異なる樹脂によって形成しても
よく、また同種類の樹脂を用いるとともにその樹脂内に
混入されるフィラの量を調整することによって樹脂パッ
ケージ６と封止樹脂部７ａ，７ｂとで熱膨張率に差を設
けてもよい。
内部リード５０との接続部位、およびワイヤ４と半導体
チップ３の端子部との接続部位のそれぞれを、樹脂によ
って個別に封止して第１および第２封止樹脂部７ａ，７
ｂを形成する。この工程は、たとえばダイパッド２上に
接着剤を塗布する場合と同様に、シリンジなどから粘液
状とされた樹脂を吐出させるなどして行なわれる。な
お、各封止樹脂部７ａ，７ｂを形成する樹脂は、樹脂パ
ッケージ６を構成する樹脂よりも熱膨張率が小さく、内
部リード５０よりも熱膨張率の大きなものが好適に使用
される。この場合、樹脂パッケージ６と各封止樹脂部７
ａ，７ｂとを全く性質の異なる樹脂によって形成しても
よく、また同種類の樹脂を用いるとともにその樹脂内に
混入されるフィラの量を調整することによって樹脂パッ
ケージ６と封止樹脂部７ａ，７ｂとで熱膨張率に差を設
けてもよい。
【００３３】なお、図６に示したように、ワイヤ４と内
部リード５０との接続部位を個別に樹脂封止するのでは
なく、図７に示したように、隣接する幾つかの接続部位
を、一連に樹脂によって封止して封止樹脂部７Ａを形成
してもよく、また、ワイヤ４と半導体チップ３の端子部
との接続部位についても、幾つかの接続部位を一連に樹
脂によって封止して封止樹脂部７Ｂを形成してもよい。
部リード５０との接続部位を個別に樹脂封止するのでは
なく、図７に示したように、隣接する幾つかの接続部位
を、一連に樹脂によって封止して封止樹脂部７Ａを形成
してもよく、また、ワイヤ４と半導体チップ３の端子部
との接続部位についても、幾つかの接続部位を一連に樹
脂によって封止して封止樹脂部７Ｂを形成してもよい。
【００３４】次に、ダイパッド２、半導体チップ３、ワ
イヤ４および内部リード５０が樹脂パッケージ６によっ
て封止される。この工程は、図８に示したように、たと
えば型締め状態においてキャビティ空間８０を形成する
上下の金型８Ａ，８Ｂを用いたトランスファーモールド
法などが採用される。この方法では、キャビティ空間８
０内を粘液状化された樹脂が流動し、この流動樹脂によ
って各内部リード５０に応力が作用するが、本実施形態
ではワイヤ４の接続部位が樹脂封止されていることか
ら、このような応力に対しても対応することができる。
イヤ４および内部リード５０が樹脂パッケージ６によっ
て封止される。この工程は、図８に示したように、たと
えば型締め状態においてキャビティ空間８０を形成する
上下の金型８Ａ，８Ｂを用いたトランスファーモールド
法などが採用される。この方法では、キャビティ空間８
０内を粘液状化された樹脂が流動し、この流動樹脂によ
って各内部リード５０に応力が作用するが、本実施形態
ではワイヤ４の接続部位が樹脂封止されていることか
ら、このような応力に対しても対応することができる。
【００３５】そして、ダムバーカットやリードカット工
程、リードフォーミング工程、標印工程などを経て図１
ないし図３に示したような半導体装置１が得られる。
程、リードフォーミング工程、標印工程などを経て図１
ないし図３に示したような半導体装置１が得られる。
【００３６】もちろん、本願発明は、リードフレームか
ら製造された半導体装置１ばかりでなく、図９に示した
ように、内部リード５０ａがパターン形成された絶縁基
板２ａ上に半導体チップ３が実装され、この半導体チッ
プ３と各内部リード５０ａとがワイヤ４を介して導通接
続されるとともに、ハンダなどによってボール状の外部
端子５１ａが形成された形態の半導体装置１０について
も適用可能である。
ら製造された半導体装置１ばかりでなく、図９に示した
ように、内部リード５０ａがパターン形成された絶縁基
板２ａ上に半導体チップ３が実装され、この半導体チッ
プ３と各内部リード５０ａとがワイヤ４を介して導通接
続されるとともに、ハンダなどによってボール状の外部
端子５１ａが形成された形態の半導体装置１０について
も適用可能である。
【図１】本願発明に係る半導体装置の一例を表す全体斜
視図である。
視図である。
【図２】図１のII−II線に沿う断面図である。
【図３】図１および図２に示した半導体装置の要部を拡
大した平面図であって、当該要部の一部を透視した平面
図である。
大した平面図であって、当該要部の一部を透視した平面
図である。
【図４】図１および図２に示した半導体装置の製造に使
用されるリードフレームの平面図である。
用されるリードフレームの平面図である。
【図５】図４に示したリードフレームに、ダイボンディ
ングおよびワイヤボンディングをした状態を表す平面図
である。
ングおよびワイヤボンディングをした状態を表す平面図
である。
【図６】ワイヤとリードフレームの内部リードとの接続
部分、およびワイヤと半導体チップとの接続部分を樹脂
封止した状態を表す要部拡大図である。
部分、およびワイヤと半導体チップとの接続部分を樹脂
封止した状態を表す要部拡大図である。
【図７】図６とは異なる樹脂封止形態を表す要部拡大図
である。
である。
【図８】樹脂パッケージング工程を説明するための断面
図である。
図である。
【図９】本願発明の他の実施形態に係る半導体装置を表
す全体斜視図である。
す全体斜視図である。
【図１０】従来の半導体装置の一例を表す断面図であ
る。
る。
１ 半導体装置 ３ 半導体チップ ４ ワイヤ ６ 樹脂パッケージ ７ａ 第１封止樹脂部 ７ｂ 第２封止樹脂部 ７Ａ，７Ｂ 封止樹脂部（変形例の） ５０ 内部リード ５１ 外部リード（外部接続用端子としての） ２ａ 絶縁基板（他の実施形態の） ５０ａ 内部リード（他の実施形態の） ５１ａ 外部接続用端子（他の実施形態の）
Claims (8)
- 【請求項１】 半導体チップと、この半導体チップとワ
イヤを介して導通接続された複数の内部リードと、上記
半導体チップ、上記ワイヤおよび上記複数の内部リード
を封入するようにして形成された樹脂パッケージと、こ
の樹脂パッケージの外部において上記各内部リードに導
通するようにして設けられた複数の外部接続用端子と、
を有する半導体装置であって、 複数ある上記内部リードと上記ワイヤとの接続部位のう
ちの少なくとも一部は、樹脂によって封止されているこ
とを特徴とする、半導体装置。 - 【請求項２】 上記内部リードと上記ワイヤとの接続部
位を封止した樹脂は、その熱膨張率が上記内部リードよ
りも大きく、かつ上記樹脂パッケージよりも小さい、請
求項１に記載の半導体装置。 - 【請求項３】 上記半導体チップ上には、上記複数の内
部リードに対応して上記ワイヤとの接続部位が複数設け
られており、これらの接続部位のうちの少なくとも一部
は、樹脂によって封止されている、請求項１または２に
記載の半導体装置。 - 【請求項４】 上記半導体チップと上記ワイヤとの接続
部位を封止する樹脂は、その熱膨張率が上記半導体チッ
プよりも大きく、かつ上記樹脂パッケージよりも小さ
い、請求項３に記載の半導体装置。 - 【請求項５】 上記内部リードと上記ワイヤとの接続部
位は、隣り合う接続部位どうしを繋ぐようにして一連に
樹脂封止されている、請求項１ないし４のいずれかに記
載の半導体装置。 - 【請求項６】 上記各内部リードおよびこれに導通する
外部接続用端子は、金属板を加工することによって得ら
れるリードフレームを用いて一体的に形成されている、
請求項１ないし５のいずれかに記載の半導体装置。 - 【請求項７】 上記各内部リードは、絶縁基板の上面に
おいて、導体によってパターン形成されたものである、
請求項１ないし５のいずれかに記載の半導体装置。 - 【請求項８】 上記各外部接続用端子は、上記絶縁基板
の下面側において、ハンダによってボール状に形成され
たものである、請求項７に記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08741799A JP3825197B2 (ja) | 1999-03-30 | 1999-03-30 | 半導体装置 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08741799A JP3825197B2 (ja) | 1999-03-30 | 1999-03-30 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000286367A true JP2000286367A (ja) | 2000-10-13 |
| JP3825197B2 JP3825197B2 (ja) | 2006-09-20 |
Family
ID=13914311
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP08741799A Expired - Fee Related JP3825197B2 (ja) | 1999-03-30 | 1999-03-30 | 半導体装置 |
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|---|---|
| JP (1) | JP3825197B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011163211A (ja) * | 2010-02-09 | 2011-08-25 | Denso Corp | 燃料供給装置 |
| JP2011179409A (ja) * | 2010-03-01 | 2011-09-15 | Denso Corp | 燃料供給装置 |
| JP2012174996A (ja) * | 2011-02-23 | 2012-09-10 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
| US8869775B2 (en) | 2010-02-09 | 2014-10-28 | Denso Corporation | Fuel supply apparatus |
| JP2017157672A (ja) * | 2016-03-01 | 2017-09-07 | 株式会社デンソー | 回路装置 |
| FR3058260A1 (fr) * | 2016-11-03 | 2018-05-04 | Stmicroelectronics (Grenoble 2) Sas | Procede de realisation d'une connexion electrique entre une puce electronique et une plaque de support et dispositif electronique |
| US10224306B2 (en) | 2016-11-03 | 2019-03-05 | Stmicroelectronics (Grenoble 2) Sas | Method for forming an electrical connection between an electronic chip and a carrier substrate and electronic device |
-
1999
- 1999-03-30 JP JP08741799A patent/JP3825197B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| FR3058260A1 (fr) * | 2016-11-03 | 2018-05-04 | Stmicroelectronics (Grenoble 2) Sas | Procede de realisation d'une connexion electrique entre une puce electronique et une plaque de support et dispositif electronique |
| EP3319115A1 (fr) * | 2016-11-03 | 2018-05-09 | STMicroelectronics (Grenoble 2) SAS | Procédé de réalisation d'une connexion électrique entre une puce électronique et une plaque de support et dispositif électronique |
| US10224306B2 (en) | 2016-11-03 | 2019-03-05 | Stmicroelectronics (Grenoble 2) Sas | Method for forming an electrical connection between an electronic chip and a carrier substrate and electronic device |
| US10643970B2 (en) | 2016-11-03 | 2020-05-05 | Stmicroelectronics (Grenoble 2) Sas | Method for forming an electrical connection between an electronic chip and a carrier substrate and electronic device |
| US11557566B2 (en) | 2016-11-03 | 2023-01-17 | Stmicroelectronics (Grenoble 2) Sas | Method for forming an electrical connection between an electronic chip and a carrier substrate and electronic device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3825197B2 (ja) | 2006-09-20 |
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