JP2000285992A - 狭ピッチ用コネクタ、マイクロマシン、圧電アクチュエータ、静電アクチュエータ、インクジェットヘッド、インクジェットプリンタ、液晶パネル、電子機器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 熱的ストレスが加わっても端子の位置ずれを
小さくすることのできる狭ピッチ用コネクタ、およびマ
イクロマシン、圧電アクチュエータ、静電アクチュエー
タ、インクジェットヘッド、インクジェットプリンタ、
液晶パネル、電子機器と提供する。 【解決手段】 コネクタ本体２２を接続対象物３０を構
成する基板と熱膨張係数が略等しい部材で形成し、コネ
クタ本体２２の表面に複数の半導体装置を設け、これら
の半導体装置に接続される配線パターンおよび共通配線
層を設ける。そしてこの配線パターンの他端側および共
通配線層に端子電極３８に重ね合わせ可能な端子電極３
６を設ける。このような狭ピッチ用コネクタ２０では、
加熱による接続対象物３０との位置ずれが小さくなり、
且つ外部基板の実装面積の低減を図ることが可能にな
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、狭ピッチ用コネク
タ、マイクロマシン、圧電アクチュエータ、静電アクチ
ュエータ、インクジェットヘッド、インクジェットプリ
ンタ、液晶パネル、電子機器に係り、特に半導体基板に
形成される端子電極に対しての狭ピッチ用コネクタ、マ
イクロマシン、圧電アクチュエータ、静電アクチュエー
タ、インクジェットヘッド、インクジェットプリンタ、
液晶パネル、電子機器に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、圧電素子を内蔵しこの圧電素子の
振動にてインクの吹出をなすプリンタヘッド（以下、プ
リンタエンジン部と称す）や、液晶パネルのＬＣＤセル
などにおいては、外部基板となる駆動回路（図示せず）
を接続するためにフレキシブル基板からなるコネクタが
取り付けられ、当該コネクタにて配線パターンのピッチ
変換をなし前記駆動回路との接続を行うようにしてい
る。

【０００３】図７は、接続対象物とフレキシブル基板か
らなるコネクタとの要部拡大図である。同図に示すよう
にプリンタエンジン部や、液晶パネルのＬＣＤセルなど
の接続対象物１においては、その表面に素子につながる
配線２が複数引き回され、接続対象物１の端部に端子電
極３が形成されている。

【０００４】一方、接続対象物１に対して接続をなすコ
ネクタ４は、その材質がポリイミドからなるフレキシブ
ル基板となっている。そしてこの基板の一端には前記接
続対象物１の端部に形成された端子電極３と重ね合わせ
が可能な端子電極５が形成されるとともに、この端子電
極５が形成される反対側端部には、当該端子電極５より
も幅広で且つ幅広な間隔を有した端子電極６が形成され
ている。なお端子電極５と端子電極６との間には接続対
象物１の駆動をなすための半導体装置６Ａが設けられて
いる。そして当該半導体装置６Ａは、コネクタ４のほぼ
中央部に設けられた穴部（デバイスホール）に収納され
ており、端子電極５および端子電極６を形成する配線の
他方端部側を穴部より突出させ、これをインナリードと
し、当該インナリードと半導体装置６Ａに設けられた端
子とを接続させることで、端子電極５および端子電極６
と、半導体装置６Ａとの導通を図るようにしている。

【０００５】図８は、接続対象物１とコネクタ４とを接
続する手順を示す説明図である。同図に示すように、前
述した接続対象物１とコネクタ４とを接続する場合に
は、まずボンディングステージ７上に接続対象物１を端
子電極３が上面側に位置するよう設置する。次いでコネ
クタ４に設けられた端子電極５と前記端子電極３との位
置合わせを行い、両者を重ね合わせる。なお端子電極３
と端子電極５との間には導電性粒子を含んだ接着剤が塗
布されており、導電性粒子を介して両電極の導通を図る
ようにしている。

【０００６】ここで両電極が重ね合わされた上方、すな
わちコネクタ４における端子電極５の上方には、昇降を
可能とするボンディングツール８が設けられている。な
おボンディングツール８の内部にはヒータ９が内蔵され
ており、このヒータ９を稼働させることで、ボンディン
グツール８の先端部を加熱させることが可能となってい
る。

【０００７】そしてこのようなボンディングツール８を
下降させることで、導電性粒子と両電極との密着を図る
とともに、加熱による接着剤の乾燥時間の短縮を図り、
両電極の接続を行うようにしている。

【０００８】なお上述した従来の接合技術は、圧電素子
を用いたプリンタヘッド（プリンタエンジン部）や液晶
パネルのＬＣＤセルを取り上げて説明を行ったが、基板
上に微細な運動機構部が形成され、この運動機構部にエ
ネルギ伝達をなす（電圧の印加をなす）配線が引き出さ
れたマイクロマシンや、圧電素子を用いた圧電アクチュ
エータ、静電振動子を用いた静電アクチュエータ、およ
び静電アクチュエータを用いたプリンタヘッドや、これ
らアクチュエータを用いたプリンタ、そしてこれら機器
を搭載する電子機器も同様の技術によって接合がなされ
る。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかし上述したコネク
タ等においては下記に示すような問題点があった。

【００１０】図９は図８におけるＣＣ断面図を示す。同
図に示すようにプリンタエンジン部や、液晶パネルのＬ
ＣＤセルなどの接続対象物１においては年々微細化が進
み、この微細化に対応して端子電極３の間隔１０は狭い
ものになっている。このため接続対象物１を構成する材
質（主にシリコン）と、コネクタ４を構成する材質（主
にポリイミド）との熱膨張係数が異なると、両者を接続
させるためにボンディングツール８を接近させた場合、
当該ボンディングツール８に内蔵されたヒータ９の影響
を受け両者が膨張し始める。そして同図（２）に示すよ
うにコネクタ４側の熱膨張が大きくなり、端子電極３に
対する端子電極５の位置が変動し、両端子間の抵抗値増
大や接合不良あるいは隣接する端子との短絡といった不
具合が生じるおそれがあった。なお発明者が行った種々
の検討においては、従来のポリイミド材を用いたコネク
タでは配線ピッチが６０μm付近が限度であることが確
認されている。

【００１１】ところでコネクタ４の後段に接続される駆
動回路には、半導体装置６Ａに接続する（半導体装置６
Ａを駆動させるための）種々の半導体装置（コントロー
ラ用ＩＣや電源供給用ＩＣなど）が実装されている。こ
のため駆動回路の実装面積が増大し、駆動回路の大型化
が問題になっていた。

【００１２】またマイクロマシンおよびマイクロマシニ
ング技術を用いて製造されるアクチュエータ等において
は、外部基板との接続はフレキシブル基板あるいはワイ
ヤボンディング、または電線ケーブルの半田付け等の方
法により接続されている為、運動機構部あるいはアクチ
ュエータ部分と比較して、配線端子面積が増大してしま
うという問題があった。そして運動機構部あるいはアク
チュエータ類を形成するためには異方性エッチングに代
表されるような精密な加工を必要とするとともに、高価
な材料や高価な機械を必要とするために配線端子部の面
積を極小面積化することで効率よく製造することが望ま
れている。

【００１３】本発明は上記従来の問題点に着目し、熱的
ストレスが加わっても端子の位置ずれを小さくすること
ができるとともに、接続対象物の駆動をなす複数の半導
体装置を搭載し、後段となる外部基板の実装面積の低減
を図ることのできる狭ピッチ用コネクタ、およびマイク
ロマシン、圧電アクチュエータ、静電アクチュエータ、
インクジェットヘッド、インクジェットプリンタ、液晶
パネル、電子機器を提供することを目的とする。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明に係る狭ピッチ用
コネクタは、基板上に素子が形成された接続対象物と、
前記素子の制御駆動をなす外部基板との間に設けられる
狭ピッチ用コネクタであって、コネクタ本体を前記接続
対象物を構成する前記基板と熱膨張係数が略等しい部
材、もしくは前記基板よりも熱膨張係数が小さい部材で
形成し、前記コネクタ本体の表面に絶縁層を設け、この
絶縁層の上側に共通配線層と配線パターンとを層間絶縁
膜を挟んで設けるとともに、前記層間絶縁膜の表面に前
記素子駆動用の半導体装置を複数配置し、これら半導体
装置における共通信号の受け渡しをなす共通端子を前記
共通配線層に接続し、前記半導体装置における他の信号
の受け渡しをなす端子を前記配線パターンに接続すると
ともに、前記共通配線層と前記配線パターンに外部との
接続をなす端子部を設けるよう構成した。そして前記半
導体装置は、前記素子の駆動をなすドライバＩＣと、当
該ドライバＩＣの制御をなすコントローラＩＣと、であ
ることが望ましく、さらには前記半導体装置に安定化電
源を供給するレギュレータ用ＩＣを含むことが望まし
い。また前記コネクタを構成する部材の材料は、シリコ
ンであることが好ましい。

【００１５】なお前記接続対象物を構成する前記基板
と、前記コネクタ本体を構成する部材とが同一材料であ
ることが望ましく、そして前記接続対象物を構成する前
記基板と、前記コネクタ本体を構成する部材の材料は、
シリコンであることが好ましい。

【００１６】本発明に係る狭ピッチ用コネクタによれ
ば、接続対象部を構成する基板の熱膨張係数に略等しい
材料、もしくは前記基板よりも熱膨張係数が小さい部材
でコネクタ本体を構成したので、両者の端子電極を加圧
を加熱とで接続する場合、両者がほぼ同じ量だけ伸び、
重ね合わされた端子電極同士の相対位置が変動するのを
最小限に抑えることができる。そしてコネクタを構成す
る部材をシリコンとすれば、半導体装置を形成する手順
と同様の手法で当該コネクタを形成することができると
ともに、熱膨張率を小さくすることができる。

【００１７】なお接続対象部を構成する基板とコネクタ
との材料を同一にすれば、重ね合わされた端子電極同士
の相対位置の変動を理論上無くすことができる。そして
接続対象部を構成する基板とコネクタとの材料を伝熱性
の高いシリコンとすれば、放熱効果を一層高めることが
可能となり、半導体装置の発熱による温度上昇を防止す
ることができる。

【００１８】また上記作用に加え、コネクタ本体の面積
内に複数の半導体装置が配置しユニットを形成するよう
にしたので（ユニット化したので）、コネクタに接続さ
れる外部基板にこれら複数の半導体装置を実装する必要
が無くなる。このため外部基板の実装面積を低減させる
ことが可能となり、小型化を達成することができる。そ
してコネクタ本体に実装された複数の半導体装置の共通
端子同士を共通配線層に接続し、半導体装置における他
の信号の受け渡しをなす端子を配線パターンに接続した
ので、例えば電源やグランド（ＧＮＤ）に代表されるよ
うな半導体装置の共通端子をまとめることができ、端子
部の個数低減をなすことが可能になる。

【００１９】本発明に係るマイクロマシンは、微小に形
成された運動機構部とこの運動機構部から引き出されそ
の一部を端子電極とする複数の配線とを表面に形成した
第１基板と、当該第１基板と熱膨張係数が略等しい部
材、もしくは前記基板よりも熱膨張係数が小さい部材で
形成されその表面に絶縁層とこの絶縁層の上側に共通配
線層と配線パターンとを層間絶縁膜を挟んで設けるとと
もに前記層間絶縁膜の表面に前記素子駆動用の半導体装
置を複数配置しこれら半導体装置における共通信号の受
け渡しをなす共通端子を前記共通配線層に接続し前記半
導体装置における他の信号の受け渡しをなす端子を前記
配線パターンに接続するとともに、前記共通配線層と前
記配線パターンに外部との接続をなす端子部を設けた第
２基板とを有するよう構成した。

【００２０】本発明に係るマイクロマシンによれば、運
動機構部が形成される第１基板と、外部への接続をなす
第２基板とを別体に構成したことから、第１基板の面積
を最小限にすることができる。また端子電極と接合部と
を接合する際は、第１基板と第２基板の熱膨張係数が略
等しくもしくは第２基板側の熱膨張係数が小さくなって
いることから、接合の際における両者の相対位置の変動
を防止することができるとともに、配線端子面積を小さ
くすることが可能になる。また上記作用に加え、第２基
板の面積内に複数の半導体装置を配置しユニットを形成
するようにしたので（ユニット化したので）、第２基板
に接続される外部基板にこれら複数の半導体装置を実装
する必要が無くなる。このため外部基板の実装面積を低
減させることが可能となり、小型化を達成することがで
きる。そして第２基板に実装された複数の半導体装置の
共通端子同士を共通配線層に接続し、半導体装置におけ
る他の信号の受け渡しをなす端子を配線パターンに接続
したので、例えば電源やグランド（ＧＮＤ）に代表され
るような半導体装置の共通端子をまとめることができ、
端子部の個数低減をなすことが可能になる。

【００２１】本発明に係る圧電アクチュエータは、電圧
の印加に応じて変位が生じる圧電素子と当該圧電素子か
ら引き出されその一部を端子電極とする複数の配線とを
表面に形成した第１基板と、当該第１基板と熱膨張係数
が略等しい部材、もしくは前記基板よりも熱膨張係数が
小さい部材で形成されその表面に絶縁層とこの絶縁層の
上側に共通配線層と配線パターンとを層間絶縁膜を挟ん
で設けるとともに前記層間絶縁膜の表面に前記素子駆動
用の半導体装置を複数配置しこれら半導体装置における
共通信号の受け渡しをなす共通端子を前記共通配線層に
接続し前記半導体装置における他の信号の受け渡しをな
す端子を前記配線パターンに接続するとともに、前記共
通配線層と前記配線パターンに外部との接続をなす端子
部を設けた第２基板とを有するよう構成した。

【００２２】本発明に係る圧電アクチュエータによれ
ば、圧電素子が形成される第１基板と、外部への接続を
なす第２基板とを別体に構成したことから、第１基板の
面積を最小限にすることができる。また端子電極と接合
部とを接合する際は、第１基板と第２基板の熱膨張係数
が略等しくもしくは第２基板側の熱膨張係数が小さくな
っていることから、接合の際における両者の相対位置の
変動を防止することができるとともに、配線端子面積を
小さくすることが可能になる。また上記作用に加え、第
２基板の面積内に複数の半導体装置を配置しユニットを
形成するようにしたので（ユニット化したので）、第２
基板に接続される外部基板にこれら複数の半導体装置を
実装する必要が無くなる。このため外部基板の実装面積
を低減させることが可能となり、小型化を達成すること
ができる。そして第２基板に実装された複数の半導体装
置の共通端子同士を共通配線層に接続し、半導体装置に
おける他の信号の受け渡しをなす端子を配線パターンに
接続したので、例えば電源やグランド（ＧＮＤ）に代表
されるような半導体装置の共通端子をまとめることがで
き、端子部の個数低減をなすことが可能になる。

【００２３】本発明に係る静電アクチュエータは、電圧
の印加に応じた静電容量の変化により振動子を弾性変形
内で可動させる静電振動子と当該静電振動子から引き出
されその一部を端子電極とする複数の配線とを表面に形
成した第１基板と、当該第１基板と熱膨張係数が略等し
い部材、もしくは前記基板よりも熱膨張係数が小さい部
材で形成されその表面に絶縁層とこの絶縁層の上側に共
通配線層と配線パターンとを層間絶縁膜を挟んで設ける
とともに前記層間絶縁膜の表面に前記素子駆動用の半導
体装置を複数配置しこれら半導体装置における共通信号
の受け渡しをなす共通端子を前記共通配線層に接続し前
記半導体装置における他の信号の受け渡しをなす端子を
前記配線パターンに接続するとともに、前記共通配線層
と前記配線パターンに外部との接続をなす端子部を設け
た第２基板とを有するよう構成した。

【００２４】本発明に係る静電アクチュエータによれ
ば、静電振動子が形成される第１基板と、外部への接続
をなす第２基板とを別体に構成したことから、第１基板
の面積を最小限にすることができる。また端子電極と接
合部とを接合する際は、第１基板と第２基板の熱膨張係
数が略等しくもしくは第２基板側の熱膨張係数が小さく
なっていることから、接合の際における両者の相対位置
の変動を防止することができるとともに、配線端子面積
を小さくすることが可能になる。また上記作用に加え、
第２基板の面積内に複数の半導体装置を配置しユニット
を形成するようにしたので（ユニット化したので）、第
２基板に接続される外部基板にこれら複数の半導体装置
を実装する必要が無くなる。このため外部基板の実装面
積を低減させることが可能となり、小型化を達成するこ
とができる。そして第２基板に実装された複数の半導体
装置の共通端子同士を共通配線層に接続し、半導体装置
における他の信号の受け渡しをなす端子を配線パターン
に接続したので、例えば電源やグランド（ＧＮＤ）に代
表されるような半導体装置の共通端子をまとめることが
でき、端子部の個数低減をなすことが可能になる。

【００２５】また本発明に係るインクジェットヘッド
は、圧電および静電アクチュエータを用いたこととし、
本発明に係るインクジェットプリンタは圧電および静電
アクチュエータを搭載したインクジェットヘッドを用い
ることとした。さらに本発明に係る電子機器は、マイク
ロマシン、圧電アクチュエータ、静電アクチュエータ、
インクジェットヘッド、インクジェットプリンタ、液晶
パネルのいずれかを用いることとした。

【００２６】本発明に係るインクジェットヘッド、イン
クジェットプリンタ、電子機器においても、運動機構部
や圧電素子あるいは静電振動子が形成される第１基板
と、外部への接続をなす第２基板とを別体に構成したこ
とから、第１基板の面積を最小限にすることができる。
また端子電極と接合部とを接合する際は、第１基板と第
２基板の熱膨張係数が略等しくなっていることから、接
合の際における両者の相対位置の変動を防止することが
できるとともに、配線端子面積を小さくすることが可能
になる。また上記作用に加え、第２基板の面積内に複数
の半導体装置を配置しユニットを形成するようにしたの
で（ユニット化したので）、第２基板に接続される外部
基板にこれら複数の半導体装置を実装する必要が無くな
る。このため外部基板の実装面積を低減させることが可
能となり、小型化を達成することができる。そして第２
基板に実装された複数の半導体装置の共通端子同士を共
通配線層に接続し、半導体装置における他の信号の受け
渡しをなす端子を配線パターンに接続したので、例えば
電源やグランド（ＧＮＤ）に代表されるような半導体装
置の共通端子をまとめることができ、端子部の個数低減
をなすことが可能になる。

【００２７】本発明に係る液晶パネルは、液晶を挟み込
むとともに当該液晶に電圧を印加し前記液晶の表示変化
をなす複数の配線を表面に設けた第１基板と、当該第１
基板と熱膨張係数が略等しい部材、もしくは前記基板よ
りも熱膨張係数が小さい部材で形成されその表面に絶縁
層とこの絶縁層の上側に共通配線層と配線パターンとを
層間絶縁膜を挟んで設けるとともに前記層間絶縁膜の表
面に前記素子駆動用の半導体装置を複数配置しこれら半
導体装置における共通信号の受け渡しをなす共通端子を
前記共通配線層に接続し前記半導体装置における他の信
号の受け渡しをなす端子を前記配線パターンに接続する
とともに、前記共通配線層と前記配線パターンに外部と
の接続をなす端子部を設けた第２基板とを有するよう構
成した。

【００２８】本発明に係る液晶パネルによれば、第１基
板における配線端子面積を最小限に抑えることができる
ので、第１基板における液晶の面積を最大限に設定する
ことができ、液晶表示部分を大きくすることができる。
また端子電極と接合部とを接合する際は、第１基板と第
２基板の熱膨張係数が略等しくなっていることから、接
合の際における両者の相対位置の変動を防止することが
できる。また上記作用に加え、第２基板の面積内に複数
の半導体装置を配置しユニットを形成するようにしたの
で（ユニット化したので）、第２基板に接続される外部
基板にこれら複数の半導体装置を実装する必要が無くな
る。このため外部基板の実装面積を低減させることが可
能となり、小型化を達成することができる。そして第２
基板に実装された複数の半導体装置の共通端子同士を共
通配線層に接続し、半導体装置における他の信号の受け
渡しをなす端子を配線パターンに接続したので、例えば
電源やグランド（ＧＮＤ）に代表されるような半導体装
置の共通端子をまとめることができ、端子部の個数低減
をなすことが可能になる。

【００２９】

【発明の実施の形態】以下に本発明に係る狭ピッチ用コ
ネクタ、マイクロマシン、圧電アクチュエータ、静電ア
クチュエータ、インクジェットヘッド、インクジェット
プリンタ、液晶パネル、電子機器に好適な具体的実施の
形態を図面を参照して詳細に説明する。

【００３０】図１は、本実施の形態に係る狭ピッチ用コ
ネクタと、このコネクタが接続される接続対象物の端子
部分を示した正面図である。同図に示すように本実施の
形態に係る狭ピッチ用コネクタ２０は、コネクタ本体２
２の表面に複数の半導体装置が実装された形態となって
いる。なおこれら半導体装置は、図中左側より接続対象
物３０に設けられた素子（図示せず）の駆動をなすドラ
イバＩＣ２４と、当該ドライバＩＣ２４の動作用となる
コントローラＩＣ２６と、これらＩＣに定電圧を供給す
るためのレギュレータ用ＩＣ２８とから構成され、これ
ら半導体装置を狭ピッチ用コネクタ２０上でユニット化
するようにしている。このようにユニット化を行うこと
で、狭ピッチ用コネクタ２０につながる外部基板（後述
する）との回路上の役割分担が明確になり、仕様の異な
る外部基板に対しても共通の狭ピッチ用コネクタ２０を
接続するなどが可能になる。

【００３１】コネクタ本体２２は長方形状の単結晶シリ
コンからなり、半導体装置をその表面に形成するための
半導体ウェハを格子状に切り出して製作したものであ
る。そして図中左側の縁部２２Ａ側には、接続対象物３
０に設けられた端子電極３２と重なり合わせが可能な接
合部となる端子電極３４が形成されている（端子電極３
４は端子電極３２とピッチが同一）。そして端子電極３
４からは金属配線３５が引き出され、当該金属配線３５
の先端部は、ドライバＩＣ２４の端子部分に接続されて
いる。一方、端子電極３４が形成された反対側の端部２
２Ｂ側には、端子電極３４側より少数の電極数である
が、その幅とピッチとが拡大された端子電極３６が形成
されている。なお当該端子電極３６は、接続対象物３０
を狭ピッチ用コネクタ２０を介して駆動させるための外
部基板３８に設けられた端子電極４０と重ね合わせが可
能になるよう、当該端子電極４０と電極部分の幅および
ピッチが同一に設定されている。

【００３２】ところで端子電極３６からドライバＩＣ２
４に至るまでの間には配線パターン領域４２が設定さ
れ、当該配線パターン領域４２内に位置する各半導体装
置の共通信号の受け渡しをなす端子以外の端子（他の信
号の受け渡しをなす端子）がそれぞれ金属配線によって
接続され回路形成をなし、外部基板３８からの信号によ
って接続対象物３０側の駆動を可能にしている。また前
記金属配線の下層には層間絶縁膜を介して共通配線層と
なる電源層とグランド層（以下、ＧＮＤ層と称す）とが
それぞれ設けられ、半導体装置における共通信号の受け
渡しをなす共通端子、および電源ラインやＧＮＤライン
に相当する端子電極３６はスルーホールを介してこれら
電源層およびＧＮＤ層に接続されている。

【００３３】図２は、ドライバＩＣ２４およびコントロ
ーラＩＣ２６における電源端子が電源層およびレギュレ
ータ用ＩＣ２８を介して端子電極３６に接続される状態
を示す模式断面図である。同図に示すように、半導体ウ
ェハ４６の表面には絶縁層５０が形成され、当該絶縁層
５０の上方にはＧＮＤ層４７、第１層間絶縁膜４９Ａ、
電源層４８、第２層間絶縁膜４９Ｂが順に設けられてい
る。そして第２層間絶縁膜４９Ｂの表面には、ドライバ
ＩＣ２４とコントローラＩＣ２６とが実装されるととも
に、これらＩＣに設けられた電源端子５１は、第２層間
絶縁膜４９Ｂの表面に形成された金属配線５２と、コン
タクトホール５４に充填されたタングステンプラグ５６
を介して電源層４８に接続される。また当該電源層４８
は、タングステンプラグ５６とレギュレータ用ＩＣ２８
を介して端子電極３６に接続されているので、複数の半
導体装置の電源端子５１を一つの端子電極にまとめるこ
とができる。なお端子電極３６と、ドライバＩＣ２４お
よびコントローラＩＣ２６との間にはレギュレータ用Ｉ
Ｃ２８が存在しているので、端子電極３６における電圧
が変動してもドライバＩＣ２４とコントローラＩＣ２６
に加わる電圧を一定に保つことができる。

【００３４】また同様の理由により、電源層４８の下層
に位置するＧＮＤ層４７についても図示しないスルーホ
ールを介して接続が可能であり、一つの端子電極にまと
めることができる。

【００３５】このようにコネクタ本体２２の内側に複数
の半導体装置を搭載したことから、狭ピッチ用コネクタ
２０の後段、すなわち端子電極３６側に接続される外部
基板３８にこれら半導体装置を実装する必要が無くな
り、このため実装面積の低減が図れ、装置自体の小型化
が達成される。また金属配線の下層に電源層とＧＮＤ層
を設けたことから各半導体装置における電源端子および
ＧＮＤ端子をそれぞれ集約させることができ、このため
端子電極３６の総端子数を低減させることが可能にな
る。

【００３６】なお端子電極３２が形成される接続対象物
３０は、シリコン基板上に圧電素子が設けられ、この圧
電素子の振動にてインクの吹出をなすプリンタヘッド
（以下、プリンタエンジン部と称す）となっており、端
子電極３２に電圧を印加することで接続対象物３０に設
けられた圧電素子を稼働（振動）できるようにしてい
る。

【００３７】このように構成された狭ピッチ用コネクタ
２０を接続対象物３０に接続する手順を説明する。

【００３８】図３は、接続対象物３０と狭ピッチ用コネ
クタ２０とを接続する手順を示す説明図であり、図４
は、図３におけるｄ部拡大図であり、図５は、図３にお
けるＢＢ断面図である。

【００３９】これらの図に示すように、狭ピッチ用コネ
クタ２０を接続対象物３０に接続する際には、まずボン
ディングステージ４１Ａの上面に接続対象物３０を設置
する。なおボンディングステージ４１Ａの内部には下部
ヒータ４１Ｂが設けられており、当該下部ヒータ４１Ｂ
を稼働させることにより接続対象物３０等への加熱を行
えるようにしている。

【００４０】ボンディングステージ４１Ａの上面に設置
された接続対象物３０の上方には、端子電極３２に端子
電極３４が重なるようコネクタ２０が配置される。なお
端子電極３２と端子電極３４との間には、図３に示すよ
うに導電性粒子４１Ｃを含んだ接着剤４１Ｄが塗布され
ており、コネクタ２０の背面側から当該コネクタ２０を
加圧することで導電性粒子４１Ｃが端子電極３２や端子
電極３４と接触し、これら端子電極同士は、導電性粒子
４１Ｃを介して導通がなされる。また導電性粒子４１Ｃ
を含んだ接着剤４１Ｄは、下部ヒータ４１Ｂや後述する
ボンディングツールに内蔵されたヒータの稼働によって
硬化が促進されるようになっている。

【００４１】端子電極３４の上方、すなわち狭ピッチ用
コネクタ２０の上方には、ボンディングツール４２が設
けられる。当該ボンディングツール４２は、図示しない
リニアガイドに取り付けられ、ボンディングツール４２
自体をリニアガイドに沿って昇降可能にしている。そし
てボンディングツール４２を下降させることで、狭ピッ
チ用コネクタ２０を背面側から押圧し、重ね合わされた
端子電極３２と端子電極３４とを密着させるようにして
いる。またボンディングツール４２には上部ヒータ４４
が内蔵されており、当該上部ヒータ４４を稼働させるこ
とで、ボンディングツール４２の先端を加熱し、狭ピッ
チ用コネクタ２０側の加熱を行えるようにしている。

【００４２】ところで上部ヒータ４４と下部ヒータ４１
Ｂにおいては、ボンディングツール４２を下降させ、当
該ボンディングツール４２の先端がコネクタ本体２２の
背面側を押圧した際、端子電極３２と端子電極３４との
境界線を中心としてその周囲の温度が均一になるよう、
すなわちコネクタ本体２２と接続対象物３０との間に温
度差が生じないように温度の設定がなされる。なお上部
ヒータ４４と下部ヒータ４１Ｂにおける設定温度は、接
着剤４１Ｄの硬化促進を図るだけの温度以上に設定され
ていることはいうまでもない。

【００４３】このように上部ヒータ４４および下部ヒー
タ４１Ｂの温度設定がなされた後は、図５（１）に示す
状態から図５（２）に示す状態に至るように、ボンディ
ングツール４２を下降させ、端子電極３２と端子電極３
４との接続を行う。そしてこの接続の際、コネクタ本体
２２と接続対象物３０の加熱温度が等しく、両者の間に
温度差が生じないようになっているので、同一の材料で
構成されたコネクタ本体２２と接続対象物３０は、加熱
による伸び率が等しくなり、端子電極３２と端子電極３
４との相対位置が変動することがない。このため両端子
電極の接合を確実に行うことが可能となり、電極接続時
に生じる抵抗値増大や接合不良あるいは隣接する端子と
の短絡といった不具合が生じるのを防止することができ
る。なお本実施の形態では、コネクタ本体２２と接続対
象物３０を構成する材料をシリコンとして説明したが、
発明者による種々の検討によれば、配線ピッチが２５μ
m以下の接続においても確実に接続ができることが確認
されている（配線ピッチが１５μm程度でも確実に接続
可能であり、配線ピッチが１５μm以下の接続において
も接続分解能の範囲によって接続可能となる）。

【００４４】また本実施の形態では、コネクタ本体２２
と接続対象物３０の材質を同一のものとして説明した
が、この形態に限定されることもなく、両者の材質が異
なりこの異種材質に伴う熱膨張係数に差が有っても、コ
ネクタ本体２２と接続対象物３０との確実な接合を行う
ことが可能である。すなわちこの場合は、上部ヒータ４
４および下部ヒータ４１Ｂの出力値を変動させ、コネク
タ本体２２と接続対象物３０との間に積極的に温度差を
生じさせる。具体的には、熱膨張係数の小さい側に配置
されるヒータの温度を高温側になるよう設定し、熱膨張
係数の大きい側に配置されるヒータの温度を低温側にな
るよう設定する。このように積極的に温度差を生じさせ
ることで、熱膨張係数の違いによる伸び率を吸収し、両
端子電極の相対位置を等しくすれば、確実な接合が可能
となり電極接続時に生じる抵抗値増大や接合不良あるい
は隣接する端子との短絡といった不具合が生じるのを防
止することができる。

【００４５】図６は、マイクロマシニング技術を用いて
製作された静電アクチュエータの構造を示す説明図であ
る。同図に示すように、静電アクチュエータ５６は、イ
ンクジェットプリンタにおけるインクジェットヘッドに
用いられるものであり、マイクロマシニング技術による
微細加工技術を用いて形成された微小構造のアクチュエ
ータである。

【００４６】このような微小構造のアクチュエータとし
ては、その駆動源として静電気力を用いている。当該静
電気力を利用してインク液滴５８の吐出を行うインクジ
ェットヘッド６０は、ノズル６２に連通するインク流路
６４の底面が、弾性変形可能な振動子となる振動板６６
として形成され、当該振動板６６には一定の間隔（図
中、寸法ｑを参照）で、基板６８が対向配置され、これ
ら振動板６６および基板６８の表面にはそれぞれ対向電
極９０が配置されている。

【００４７】そして対向電極に電圧を印加すると、それ
らの間に発生する静電気力によって振動板６６は基板６
８の側に静電吸引され振動する。この振動板６６の振動
によって、発生するインク流路６４の内圧変動により、
ノズル６２からインク液滴５８が吐出される。

【００４８】ところでインクジェットヘッド６０は、シ
リコン基板７０を挟み、上側に同じくシリコン製のノズ
ルプレート７２を有するとともに、下側にはホウ珪酸ガ
ラス製のガラス基板７４がそれぞれ積層された３層構造
になっている。

【００４９】ここで中央のシリコン基板７０には、その
表面からエッチングを施すことにより、独立した５つの
インク室７６と、この５つのインク室７６を結ぶ１つの
共通インク室７８と、この共通インク室７８と各インク
室７６に連通するインク供給路８０として機能する溝が
加工されている。

【００５０】これらの溝が、ノズルプレート７２によっ
て塞がれ、各部分が区画形成されている。またシリコン
基板７０の裏側からエッチングを施すことにより独立し
た５つの振動室７１を形成する。

【００５１】ノズルプレート７２には、各インク室７６
の先端部に対応する位置にノズル６２が形成され各イン
ク室７６に連通する。

【００５２】また共通インク室７８には図示しないイン
クタンクから、インクがインク供給口８２を通り供給さ
れる。

【００５３】なお封止部８４は、対向電極９０とシリコ
ン基板７０とで形成される微細な隙間を封止する。

【００５４】また、それぞれのガラス基板７４の対向電
極９０は、図中左側の端部側に引き出され、端子電極８
６を形成してなり、本実施の形態に係る第２基板を基材
とする狭ピッチコネクタ８８に接続される。

【００５５】以上によれば狭ピッチでの接続が可能とな
り、インク室の全幅が狭く形成されていても接続が可能
となる効果を有することとなる。

【００５６】なお上述した場合では、静電アクチュエー
タを用いて説明を行ったが、この形態に限定される必要
もなく、幅広い電子機器への対応が可能となる。

【００５７】例えば、上記インクジェットヘッドに用い
られている静電アクチュエータに代えて、圧電アクチュ
エータを用いるようにしてもよく、さらに本発明は、こ
れらインクジェットヘッドを搭載したインクジェットプ
リンタにも適用される。

【００５８】さらに上述の場合では、インクジェットプ
リンタに関する適用について説明を行ったが、この形態
に限定される必要もなく、例えば液晶パネルにおける接
続部分にも適用することが可能である。

【００５９】すなわち液晶パネルにおいては、一対のガ
ラス基板で液晶を挟み込み、挟み込まれた液晶の外部に
配線を引き回し、この配線に電圧を印加することで（エ
ネルギを与えることで）液晶の配列を変化させ、液晶表
示を行うこととしているが、本発明に係る狭ピッチコネ
クタを用いれば、接合部分の面積を最小限にすることが
できる。このため上記効果に加え、ガラス基板における
表示部の面積を最大限確保することができるので視認性
に優れた液晶パネルを製作することが可能になる。

【００６０】

【発明の効果】以下説明したように本発明に係る狭ピッ
チ用コネクタによれば、基板上に素子が形成された接続
対象物と、前記素子の制御駆動をなす外部基板との間に
設けられる狭ピッチ用コネクタであって、コネクタ本体
を前記接続対象物を構成する前記基板と熱膨張係数が略
等しい部材、もしくは前記基板よりも熱膨張係数が小さ
い部材で形成し、前記コネクタ本体の表面に絶縁層を設
け、この絶縁層の上側に共通配線層と配線パターンとを
層間絶縁膜を挟んで設けるとともに、前記層間絶縁膜の
表面に前記素子駆動用の半導体装置を複数配置し、これ
ら半導体装置における共通信号の受け渡しをなす共通端
子を前記共通配線層に接続し、前記半導体装置における
他の信号の受け渡しをなす端子を前記配線パターンに接
続するとともに、前記共通配線層と前記配線パターンに
外部との接続をなす端子部を設けたことから、熱的スト
レスが加わっても端子の位置ずれを小さくすることがで
き、両端子間の抵抗値増大や接合不良あるいは隣接する
端子との短絡といった不具合を防止することができる。
さらに上記効果に加え、接続対象物の駆動をなす複数の
半導体装置を搭載できるので、外部基板における実装面
積の低減を図ることのでき、装置全体の小型化を達成す
ることができる。

【００６１】また本発明に係るマイクロマシンによれ
ば、微小に形成された運動機構部とこの運動機構部から
引き出されその一部を端子電極とする複数の配線とを表
面に形成した第１基板と、当該第１基板と熱膨張係数が
略等しい部材、もしくは前記基板よりも熱膨張係数が小
さい部材で形成されその表面に絶縁層とこの絶縁層の上
側に共通配線層と配線パターンとを層間絶縁膜を挟んで
設けるとともに前記層間絶縁膜の表面に前記素子駆動用
の半導体装置を複数配置しこれら半導体装置における共
通信号の受け渡しをなす共通端子を前記共通配線層に接
続し前記半導体装置における他の信号の受け渡しをなす
端子を前記配線パターンに接続するとともに、前記共通
配線層と前記配線パターンに外部との接続をなす端子部
を設けた第２基板とを有したことから、第１基板を最小
限にすることができるとともに、熱的ストレスが加わっ
ても端子の位置ずれを小さくすることができ、両端子間
の抵抗値増大や接合不良あるいは隣接する端子との短絡
といった不具合を防止することができる。さらに上記効
果に加え、接続対象物の駆動をなす複数の半導体装置を
搭載できるので、外部基板における実装面積の低減を図
ることのでき、装置全体の小型化を達成することができ
る。

【００６２】本発明に係る圧電アクチュエータによれ
ば、電圧の印加に応じて変位が生じる圧電素子と当該圧
電素子から引き出されその一部を端子電極とする複数の
配線とを表面に形成した第１基板と、当該第１基板と熱
膨張係数が略等しい部材、もしくは前記基板よりも熱膨
張係数が小さい部材で形成されその表面に絶縁層とこの
絶縁層の上側に共通配線層と配線パターンとを層間絶縁
膜を挟んで設けるとともに前記層間絶縁膜の表面に前記
素子駆動用の半導体装置を複数配置しこれら半導体装置
における共通信号の受け渡しをなす共通端子を前記共通
配線層に接続し前記半導体装置における他の信号の受け
渡しをなす端子を前記配線パターンに接続するととも
に、前記共通配線層と前記配線パターンに外部との接続
をなす端子部を設けた第２基板とを有したことから、第
１基板を最小限にすることができるとともに、熱的スト
レスが加わっても端子の位置ずれを小さくすることがで
き、両端子間の抵抗値増大や接合不良あるいは隣接する
端子との短絡といった不具合を防止することができる。
さらに上記効果に加え、接続対象物の駆動をなす複数の
半導体装置を搭載できるので、外部基板における実装面
積の低減を図ることのでき、装置全体の小型化を達成す
ることができる。

【００６３】本発明に係る静電アクチュエータによれ
ば、電圧の印加に応じた静電容量の変化により振動子を
弾性変形内で可動させる静電振動子と当該静電振動子か
ら引き出されその一部を端子電極とする複数の配線とを
表面に形成した第１基板と、当該第１基板と熱膨張係数
が略等しい部材、もしくは前記基板よりも熱膨張係数が
小さい部材で形成されその表面に絶縁層とこの絶縁層の
上側に共通配線層と配線パターンとを層間絶縁膜を挟ん
で設けるとともに前記層間絶縁膜の表面に前記素子駆動
用の半導体装置を複数配置しこれら半導体装置における
共通信号の受け渡しをなす共通端子を前記共通配線層に
接続し前記半導体装置における他の信号の受け渡しをな
す端子を前記配線パターンに接続するとともに、前記共
通配線層と前記配線パターンに外部との接続をなす端子
部を設けた第２基板とを有したことから、第１基板を最
小限にすることができるとともに、熱的ストレスが加わ
っても端子の位置ずれを小さくすることができ、両端子
間の抵抗値増大や接合不良あるいは隣接する端子との短
絡といった不具合を防止することができる。さらに上記
効果に加え、接続対象物の駆動をなす複数の半導体装置
を搭載できるので、外部基板における実装面積の低減を
図ることのでき、装置全体の小型化を達成することがで
きる。

【００６４】本発明に係る液晶パネルによれば、液晶を
挟み込むとともに当該液晶に電圧を印加し前記液晶の表
示変化をなす複数の配線を表面に設けた第１基板と、当
該第１基板と熱膨張係数が略等しい部材、もしくは前記
基板よりも熱膨張係数が小さい部材で形成されその表面
に絶縁層とこの絶縁層の上側に共通配線層と配線パター
ンとを層間絶縁膜を挟んで設けるとともに前記層間絶縁
膜の表面に前記素子駆動用の半導体装置を複数配置しこ
れら半導体装置における共通信号の受け渡しをなす共通
端子を前記共通配線層に接続し前記半導体装置における
他の信号の受け渡しをなす端子を前記配線パターンに接
続するとともに、前記共通配線層と前記配線パターンに
外部との接続をなす端子部を設けた第２基板とを有した
ことから、第１基板における配線端子面積を最小限に抑
えることができる。また端子電極と接合部とを接合する
際は、第１基板と第２基板の熱膨張係数が略等しくなっ
ていることから、接合の際における両者の相対位置の変
動を防止とともに短絡が生じるのを防ぐことができる。
さらに上記効果に加えることとして、接続対象物の駆動
をなす複数の半導体装置を搭載できるので、外部基板に
おける実装面積の低減を図ることのでき、装置全体の小
型化を達成することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本実施の形態に係る狭ピッチ用コネクタと、こ
のコネクタが接続される接続対象物の端子部分を示した
正面図である。

【図２】ドライバＩＣ２４およびコントローラＩＣ２６
における電源端子が電源層を介して端子電極３６に接続
される状態を示す模式断面図である。

【図３】接続対象物３０と狭ピッチ用コネクタ２０とを
接続する手順を示す説明図である。

【図４】図２におけるｄ部拡大図である。

【図５】図２におけるＢＢ断面図である。

【図６】マイクロマシニング技術を用いて製作された静
電アクチュエータの構造を示す説明図である。

【図７】接続対象物とフレキシブル基板からなるコネク
タとの要部拡大図である。

【図８】接続対象物１とコネクタ４とを接続する手順を
示す説明図である。

【図９】図８におけるＣＣ断面図を示す。

【符号の説明】

１ 接続対象物 ２ 配線 ３ 端子電極 ４ コネクタ ５ 端子電極 ６ 端子電極 ６Ａ 半導体装置 ７ ボンディングステージ ８ ボンディングツール ９ ヒータ １０ 間隔 ２０ 狭ピッチ用コネクタ ２２ コネクタ本体 ２２Ａ 縁部 ２２Ｂ 縁部 ２４ ドライバＩＣ ２６ コントローラＩＣ ２８ レギュレータ用ＩＣ ３０ 接続対象物 ３２ 端子電極 ３４ 端子電極 ３５ 金属配線 ３６ 端子電極 ３８ 外部基板 ４０ 端子電極 ４１Ａ ボンディングステージ ４１Ｂ 下部ヒータ ４１Ｃ 導電性粒子 ４１Ｄ 接着剤 ４２ ボンディングツール ４４ 上部ヒータ ４６ 半導体ウェハ ４７ ＧＮＤ層 ４８ 電源層 ４９Ａ 第１層間絶縁膜 ４９Ｂ 第２層間絶縁膜 ５０ 絶縁層 ５１ 電源端子 ５２ 金属配線 ５６ 静電アクチュエータ ５８ インク液滴 ６０ インクジェットヘッド ６２ ノズル ６４ インク流路 ６６ 振動板 ６８ 基板 ７０ シリコン基板 ７１ 振動室 ７２ ノズルプレート ７４ ガラス基板 ７６ インク室 ７８ 共通インク室 ８０ インク供給路 ８２ インク供給口 ８４ 封止部 ８６ 端子電極 ８８ 狭ピッチコネクタ ９０ 対向電極

Claims (15)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に素子が形成された接続対象物
   と、前記素子の制御駆動をなす外部基板との間に設けら
   れる狭ピッチ用コネクタであって、コネクタ本体を前記
   接続対象物を構成する前記基板と熱膨張係数が略等しい
   部材、もしくは前記基板よりも熱膨張係数が小さい部材
   で形成し、前記コネクタ本体の表面に絶縁層を設け、こ
   の絶縁層の上側に共通配線層と配線パターンとを層間絶
   縁膜を挟んで設けるとともに、前記層間絶縁膜の表面に
   前記素子駆動用の半導体装置を複数配置し、これら半導
   体装置における共通信号の受け渡しをなす共通端子を前
   記共通配線層に接続し、前記半導体装置における他の信
   号の受け渡しをなす端子を前記配線パターンに接続する
   とともに、前記共通配線層と前記配線パターンに外部と
   の接続をなす端子部を設けたことを特徴とする狭ピッチ
   用コネクタ。
2. 【請求項２】 前記半導体装置は、前記素子の駆動をな
   すドライバＩＣと、当該ドライバＩＣの制御をなすコン
   トローラＩＣと、であることを特徴とする請求項１に記
   載の狭ピッチ用コネクタ。
3. 【請求項３】 請求項２に記載の半導体装置に安定化電
   源を供給するレギュレータ用ＩＣを含むことを特徴とす
   る請求項２に記載の狭ピッチ用コネクタ。
4. 【請求項４】 前記コネクタを構成する部材の材料は、
   シリコンであることを特徴とする請求項１乃至請求項３
   のいずれかに記載の狭ピッチ用コネクタ。
5. 【請求項５】 前記接続対象物を構成する前記基板と、
   前記コネクタ本体を構成する部材とが同一材料であるこ
   とを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載
   の狭ピッチ用コネクタ。
6. 【請求項６】 前記接続対象物を構成する前記基板と、
   前記コネクタ本体を構成する部材の材料は、シリコンで
   あることを特徴とする請求項５に記載の狭ピッチ用コネ
   クタ。
7. 【請求項７】 微小に形成された運動機構部とこの運動
   機構部から引き出されその一部を端子電極とする複数の
   配線とを表面に形成した第１基板と、当該第１基板と熱
   膨張係数が略等しい部材、もしくは前記基板よりも熱膨
   張係数が小さい部材で形成されその表面に絶縁層とこの
   絶縁層の上側に共通配線層と配線パターンとを層間絶縁
   膜を挟んで設けるとともに前記層間絶縁膜の表面に前記
   素子駆動用の半導体装置を複数配置しこれら半導体装置
   における共通信号の受け渡しをなす共通端子を前記共通
   配線層に接続し前記半導体装置における他の信号の受け
   渡しをなす端子を前記配線パターンに接続するととも
   に、前記共通配線層と前記配線パターンに外部との接続
   をなす端子部を設けた第２基板とを有したことを特徴と
   するマイクロマシン。
8. 【請求項８】 電圧の印加に応じて変位が生じる圧電素
   子と当該圧電素子から引き出されその一部を端子電極と
   する複数の配線とを表面に形成した第１基板と、当該第
   １基板と熱膨張係数が略等しい部材、もしくは前記基板
   よりも熱膨張係数が小さい部材で形成されその表面に絶
   縁層とこの絶縁層の上側に共通配線層と配線パターンと
   を層間絶縁膜を挟んで設けるとともに前記層間絶縁膜の
   表面に前記素子駆動用の半導体装置を複数配置しこれら
   半導体装置における共通信号の受け渡しをなす共通端子
   を前記共通配線層に接続し前記半導体装置における他の
   信号の受け渡しをなす端子を前記配線パターンに接続す
   るとともに、前記共通配線層と前記配線パターンに外部
   との接続をなす端子部を設けた第２基板とを有したこと
   を特徴とする圧電アクチュエータ。
9. 【請求項９】 電圧の印加に応じた静電容量の変化によ
   り振動子を弾性変形内で可動させる静電振動子と当該静
   電振動子から引き出されその一部を端子電極とする複数
   の配線とを表面に形成した第１基板と、当該第１基板と
   熱膨張係数が略等しい部材、もしくは前記基板よりも熱
   膨張係数が小さい部材で形成されその表面に絶縁層とこ
   の絶縁層の上側に共通配線層と配線パターンとを層間絶
   縁膜を挟んで設けるとともに前記層間絶縁膜の表面に前
   記素子駆動用の半導体装置を複数配置しこれら半導体装
   置における共通信号の受け渡しをなす共通端子を前記共
   通配線層に接続し前記半導体装置における他の信号の受
   け渡しをなす端子を前記配線パターンに接続するととも
   に、前記共通配線層と前記配線パターンに外部との接続
   をなす端子部を設けた第２基板とを有したことを特徴と
   する静電アクチュエータ。
10. 【請求項１０】 請求項８に記載の圧電アクチュエータ
    を用いたことを特徴とするインクジェットヘッド。
11. 【請求項１１】 請求項９に記載の静電アクチュエータ
    を用いたことを特徴とするインクジェットヘッド。
12. 【請求項１２】 請求項１０に記載のインクジェットヘ
    ッドを用いたことを特徴とするインクジェットプリン
    タ。
13. 【請求項１３】 請求項１１に記載のインクジェットヘ
    ッドを用いたことを特徴とするインクジェットプリン
    タ。
14. 【請求項１４】 液晶を挟み込むとともに当該液晶に電
    圧を印加し前記液晶の表示変化をなす複数の配線を表面
    に設けた第１基板と、当該第１基板と熱膨張係数が略等
    しい部材、もしくは前記基板よりも熱膨張係数が小さい
    部材で形成されその表面に絶縁層とこの絶縁層の上側に
    共通配線層と配線パターンとを層間絶縁膜を挟んで設け
    るとともに前記層間絶縁膜の表面に前記素子駆動用の半
    導体装置を複数配置しこれら半導体装置における共通信
    号の受け渡しをなす共通端子を前記共通配線層に接続し
    前記半導体装置における他の信号の受け渡しをなす端子
    を前記配線パターンに接続するとともに、前記共通配線
    層と前記配線パターンに外部との接続をなす端子部を設
    けた第２基板とを有したことを特徴とする液晶パネル。
15. 【請求項１５】 請求項７に記載のマイクロマシン、ま
    たは請求項８に記載の圧電アクチュエータ、または請求
    項９に記載の静電アクチュエータ、または請求項１０に
    記載のインクジェットヘッド、または請求項１１に記載
    のインクジェットヘッド、または請求項１２に記載のイ
    ンクジェットプリンタ、または請求項１３に記載のイン
    クジェットプリンタ、または請求項１４に記載の液晶パ
    ネルを用いたことを特徴とする電子機器。