JP4019546B2 - 狭ピッチ用コネクタ、マイクロマシン、圧電アクチュエータ、静電アクチュエータ、インクジェットヘッド、インクジェットプリンタ、液晶パネル、電子機器 - Google Patents

狭ピッチ用コネクタ、マイクロマシン、圧電アクチュエータ、静電アクチュエータ、インクジェットヘッド、インクジェットプリンタ、液晶パネル、電子機器 Download PDF

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    • B41J2/00Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
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    • B41J2002/14491Electrical connection

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  • Particle Formation And Scattering Control In Inkjet Printers (AREA)
  • Combinations Of Printed Boards (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、狭ピッチ用コネクタ、マイクロマシン、圧電アクチュエータ、静電アクチュエータ、インクジェットヘッド、インクジェットプリンタ、液晶パネル、電子機器に係り、特に半導体基板に形成される端子電極に対しての狭ピッチ用コネクタ、マイクロマシン、圧電アクチュエータ、静電アクチュエータ、インクジェットヘッド、インクジェットプリンタ、液晶パネル、電子機器に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、圧電素子を内蔵しこの圧電素子の振動にてインクの吹出をなすプリンタヘッド(以下、プリンタエンジン部と称す)や、液晶パネルのLCDセルなどにおいては、外部基板となる駆動回路(図示せず)を接続するためにフレキシブル基板からなるコネクタが取り付けられ、当該コネクタにて配線パターンのピッチ変換をなし前記駆動回路との接続を行うようにしている。
【0003】
図7は、接続対象物とフレキシブル基板からなるコネクタとの要部拡大図である。同図に示すようにプリンタエンジン部や、液晶パネルのLCDセルなどの接続対象物1においては、その表面に素子につながる配線2が複数引き回され、接続対象物1の端部に端子電極3が形成されている。
【0004】
一方、接続対象物1に対して接続をなすコネクタ4は、その材質がポリイミドからなるフレキシブル基板となっている。そしてこの基板の一端には前記接続対象物1の端部に形成された端子電極3と重ね合わせが可能な端子電極5が形成されるとともに、この端子電極5が形成される反対側端部には、当該端子電極5よりも幅広で且つ幅広な間隔を有した端子電極6が形成されている。なお端子電極5と端子電極6との間には接続対象物1の駆動をなすための半導体装置6Aが設けられている。そして当該半導体装置6Aは、コネクタ4のほぼ中央部に設けられた穴部(デバイスホール)に収納されており、端子電極5および端子電極6を形成する配線の他方端部側を穴部より突出させ、これをインナリードとし、当該インナリードと半導体装置6Aに設けられた端子とを接続させることで、端子電極5および端子電極6と、半導体装置6Aとの導通を図るようにしている。
【0005】
図8は、接続対象物1とコネクタ4とを接続する手順を示す説明図である。同図に示すように、前述した接続対象物1とコネクタ4とを接続する場合には、まずボンディングステージ7上に接続対象物1を端子電極3が上面側に位置するよう設置する。次いでコネクタ4に設けられた端子電極5と前記端子電極3との位置合わせを行い、両者を重ね合わせる。なお端子電極3と端子電極5との間には導電性粒子を含んだ接着剤が塗布されており、導電性粒子を介して両電極の導通を図るようにしている。
【0006】
ここで両電極が重ね合わされた上方、すなわちコネクタ4における端子電極5の上方には、昇降を可能とするボンディングツール8が設けられている。なおボンディングツール8の内部にはヒータ9が内蔵されており、このヒータ9を稼働させることで、ボンディングツール8の先端部を加熱させることが可能となっている。
【0007】
そしてこのようなボンディングツール8を下降させることで、導電性粒子と両電極との密着を図るとともに、加熱による接着剤の乾燥時間の短縮を図り、両電極の接続を行うようにしている。
【0008】
なお上述した従来の接合技術は、圧電素子を用いたプリンタヘッド(プリンタエンジン部)や液晶パネルのLCDセルを取り上げて説明を行ったが、基板上に微細な運動機構部が形成され、この運動機構部にエネルギ伝達をなす(電圧の印加をなす)配線が引き出されたマイクロマシンや、圧電素子を用いた圧電アクチュエータ、静電振動子を用いた静電アクチュエータ、および静電アクチュエータを用いたプリンタヘッドや、これらアクチュエータを用いたプリンタ、そしてこれら機器を搭載する電子機器も同様の技術によって接合がなされる。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
しかし上述したコネクタ等においては下記に示すような問題点があった。
【0010】
図9は図8におけるCC断面図を示す。同図に示すようにプリンタエンジン部や、液晶パネルのLCDセルなどの接続対象物1においては年々微細化が進み、この微細化に対応して端子電極3の間隔10は狭いものになっている。このため接続対象物1を構成する材質(主にシリコン)と、コネクタ4を構成する材質(主にポリイミド)との熱膨張係数が異なると、両者を接続させるためにボンディングツール8を接近させた場合、当該ボンディングツール8に内蔵されたヒータ9の影響を受け両者が膨張し始める。そして同図(2)に示すようにコネクタ4側の熱膨張が大きくなり、端子電極3に対する端子電極5の位置が変動し、両端子間の抵抗値増大や接合不良あるいは隣接する端子との短絡といった不具合が生じるおそれがあった。なお発明者が行った種々の検討においては、従来のポリイミド材を用いたコネクタでは配線ピッチが60μm付近が限度であることが確認されている。
【0011】
ところでコネクタ4の後段に接続される駆動回路には、半導体装置6Aに接続する(半導体装置6Aを駆動させるための)種々の半導体装置(コントローラ用ICや電源供給用ICなど)が実装されている。このため駆動回路の実装面積が増大し、駆動回路の大型化が問題になっていた。
【0012】
またマイクロマシンおよびマイクロマシニング技術を用いて製造されるアクチュエータ等においては、外部基板との接続はフレキシブル基板あるいはワイヤボンディング、または電線ケーブルの半田付け等の方法により接続されている為、運動機構部あるいはアクチュエータ部分と比較して、配線端子面積が増大してしまうという問題があった。そして運動機構部あるいはアクチュエータ類を形成するためには異方性エッチングに代表されるような精密な加工を必要とするとともに、高価な材料や高価な機械を必要とするために配線端子部の面積を極小面積化することで効率よく製造することが望まれている。
【0013】
本発明は上記従来の問題点に着目し、熱的ストレスが加わっても端子の位置ずれを小さくすることができるとともに、接続対象物の駆動をなす複数の半導体装置を搭載し、後段となる外部基板の実装面積の低減を図ることのできる狭ピッチ用コネクタ、およびマイクロマシン、圧電アクチュエータ、静電アクチュエータ、インクジェットヘッド、インクジェットプリンタ、液晶パネル、電子機器を提供することを目的とする。
【0014】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る狭ピッチ用コネクタは、基板上に素子が形成された接続対象物と、前記素子の制御駆動をなす外部基板との間に設けられる狭ピッチ用コネクタであって、コネクタ本体をシリコンで形成し、前記コネクタ本体の表面に絶縁層を設け、この絶縁層の上側に共通配線層と配線パターンとを層間絶縁膜を挟んで設けるとともに、前記層間絶縁膜の表面に前記素子駆動用の半導体装置を複数配置し、これら半導体装置における共通信号の受け渡しをなす共通端子を前記共通配線層に接続し、前記半導体装置における他の信号の受け渡しをなす端子を前記配線パターンに接続するとともに、前記共通配線層と前記配線パターンに外部との接続をなす端子部を設けるよう構成した。そして前記半導体装置は、前記素子の駆動をなすドライバICと、当該ドライバICの制御をなすコントローラICと、であることが望ましく、さらには前記半導体装置に安定化電源を供給するレギュレータ用ICを含むことが望ましい。
【0015】
なお前記接続対象物を構成する前記基板と、前記コネクタ本体を構成する部材とがシリコンであることが好ましい。
【0016】
本発明に係る狭ピッチ用コネクタによれば、シリコンでコネクタ本体を構成したので、両者の端子電極を加圧を加熱とで接続する場合、両者がほぼ同じ量だけ伸び、重ね合わされた端子電極同士の相対位置が変動するのを最小限に抑えることができる。そしてコネクタを構成する部材をシリコンとすれば、半導体装置を形成する手順と同様の手法で当該コネクタを形成することができるとともに、熱膨張率を小さくすることができる。
【0017】
なお接続対象部を構成する基板とコネクタとの材料を同一にすれば、重ね合わされた端子電極同士の相対位置の変動を理論上無くすことができる。そして接続対象部を構成する基板とコネクタとの材料を伝熱性の高いシリコンとすれば、放熱効果を一層高めることが可能となり、半導体装置の発熱による温度上昇を防止することができる。
【0018】
また上記作用に加え、コネクタ本体の面積内に複数の半導体装置が配置しユニットを形成するようにしたので(ユニット化したので)、コネクタに接続される外部基板にこれら複数の半導体装置を実装する必要が無くなる。このため外部基板の実装面積を低減させることが可能となり、小型化を達成することができる。そしてコネクタ本体に実装された複数の半導体装置の共通端子同士を共通配線層に接続し、半導体装置における他の信号の受け渡しをなす端子を配線パターンに接続したので、例えば電源やグランド(GND)に代表されるような半導体装置の共通端子をまとめることができ、端子部の個数低減をなすことが可能になる。
【0019】
本発明に係るマイクロマシンは、微小に形成された運動機構部とこの運動機構部から引き出されその一部を端子電極とする複数の配線とを表面に形成した第1基板と、シリコンで形成されその表面に絶縁層とこの絶縁層の上側に共通配線層と配線パターンとを層間絶縁膜を挟んで設けるとともに前記層間絶縁膜の表面に前記素子駆動用の半導体装置を複数配置しこれら半導体装置における共通信号の受け渡しをなす共通端子を前記共通配線層に接続し前記半導体装置における他の信号の受け渡しをなす端子を前記配線パターンに接続するとともに、前記共通配線層と前記配線パターンに外部との接続をなす端子部を設けた第2基板とを有するよう構成した。
【0020】
本発明に係るマイクロマシンによれば、運動機構部が形成される第1基板と、外部への接続をなす第2基板とを別体に構成したことから、第1基板の面積を最小限にすることができる。また端子電極と接合部とを接合する際は、第1基板と第2基板の熱膨張係数が略等しくもしくは第2基板側の熱膨張係数が小さくなっていることから、接合の際における両者の相対位置の変動を防止することができるとともに、配線端子面積を小さくすることが可能になる。また上記作用に加え、第2基板の面積内に複数の半導体装置を配置しユニットを形成するようにしたので(ユニット化したので)、第2基板に接続される外部基板にこれら複数の半導体装置を実装する必要が無くなる。このため外部基板の実装面積を低減させることが可能となり、小型化を達成することができる。そして第2基板に実装された複数の半導体装置の共通端子同士を共通配線層に接続し、半導体装置における他の信号の受け渡しをなす端子を配線パターンに接続したので、例えば電源やグランド(GND)に代表されるような半導体装置の共通端子をまとめることができ、端子部の個数低減をなすことが可能になる。
【0021】
本発明に係る圧電アクチュエータは、電圧の印加に応じて変位が生じる圧電素子と当該圧電素子から引き出されその一部を端子電極とする複数の配線とを表面に形成した第1基板と、シリコンで形成されその表面に絶縁層とこの絶縁層の上側に共通配線層と配線パターンとを層間絶縁膜を挟んで設けるとともに前記層間絶縁膜の表面に前記素子駆動用の半導体装置を複数配置しこれら半導体装置における共通信号の受け渡しをなす共通端子を前記共通配線層に接続し前記半導体装置における他の信号の受け渡しをなす端子を前記配線パターンに接続するとともに、前記共通配線層と前記配線パターンに外部との接続をなす端子部を設けた第2基板とを有するよう構成した。
【0022】
本発明に係る圧電アクチュエータによれば、圧電素子が形成される第1基板と、外部への接続をなす第2基板とを別体に構成したことから、第1基板の面積を最小限にすることができる。また端子電極と接合部とを接合する際は、第1基板と第2基板の熱膨張係数が略等しくもしくは第2基板側の熱膨張係数が小さくなっていることから、接合の際における両者の相対位置の変動を防止することができるとともに、配線端子面積を小さくすることが可能になる。また上記作用に加え、第2基板の面積内に複数の半導体装置を配置しユニットを形成するようにしたので(ユニット化したので)、第2基板に接続される外部基板にこれら複数の半導体装置を実装する必要が無くなる。このため外部基板の実装面積を低減させることが可能となり、小型化を達成することができる。そして第2基板に実装された複数の半導体装置の共通端子同士を共通配線層に接続し、半導体装置における他の信号の受け渡しをなす端子を配線パターンに接続したので、例えば電源やグランド(GND)に代表されるような半導体装置の共通端子をまとめることができ、端子部の個数低減をなすことが可能になる。
【0023】
本発明に係る静電アクチュエータは、電圧の印加に応じた静電容量の変化により振動子を弾性変形内で可動させる静電振動子と当該静電振動子から引き出されその一部を端子電極とする複数の配線とを表面に形成した第1基板と、シリコンで形成されその表面に絶縁層とこの絶縁層の上側に共通配線層と配線パターンとを層間絶縁膜を挟んで設けるとともに前記層間絶縁膜の表面に前記素子駆動用の半導体装置を複数配置しこれら半導体装置における共通信号の受け渡しをなす共通端子を前記共通配線層に接続し前記半導体装置における他の信号の受け渡しをなす端子を前記配線パターンに接続するとともに、前記共通配線層と前記配線パターンに外部との接続をなす端子部を設けた第2基板とを有するよう構成した。
【0024】
本発明に係る静電アクチュエータによれば、静電振動子が形成される第1基板と、外部への接続をなす第2基板とを別体に構成したことから、第1基板の面積を最小限にすることができる。また端子電極と接合部とを接合する際は、第1基板と第2基板の熱膨張係数が略等しくもしくは第2基板側の熱膨張係数が小さくなっていることから、接合の際における両者の相対位置の変動を防止することができるとともに、配線端子面積を小さくすることが可能になる。また上記作用に加え、第2基板の面積内に複数の半導体装置を配置しユニットを形成するようにしたので(ユニット化したので)、第2基板に接続される外部基板にこれら複数の半導体装置を実装する必要が無くなる。このため外部基板の実装面積を低減させることが可能となり、小型化を達成することができる。そして第2基板に実装された複数の半導体装置の共通端子同士を共通配線層に接続し、半導体装置における他の信号の受け渡しをなす端子を配線パターンに接続したので、例えば電源やグランド(GND)に代表されるような半導体装置の共通端子をまとめることができ、端子部の個数低減をなすことが可能になる。
【0025】
また本発明に係るインクジェットヘッドは、圧電および静電アクチュエータを用いたこととし、本発明に係るインクジェットプリンタは圧電および静電アクチュエータを搭載したインクジェットヘッドを用いることとした。さらに本発明に係る電子機器は、マイクロマシン、圧電アクチュエータ、静電アクチュエータ、インクジェットヘッド、インクジェットプリンタ、液晶パネルのいずれかを用いることとした。
【0026】
本発明に係るインクジェットヘッド、インクジェットプリンタ、電子機器においても、運動機構部や圧電素子あるいは静電振動子が形成される第1基板と、外部への接続をなす第2基板とを別体に構成したことから、第1基板の面積を最小限にすることができる。また端子電極と接合部とを接合する際は、第1基板と第2基板の熱膨張係数が略等しくなっていることから、接合の際における両者の相対位置の変動を防止することができるとともに、配線端子面積を小さくすることが可能になる。また上記作用に加え、第2基板の面積内に複数の半導体装置を配置しユニットを形成するようにしたので(ユニット化したので)、第2基板に接続される外部基板にこれら複数の半導体装置を実装する必要が無くなる。このため外部基板の実装面積を低減させることが可能となり、小型化を達成することができる。そして第2基板に実装された複数の半導体装置の共通端子同士を共通配線層に接続し、半導体装置における他の信号の受け渡しをなす端子を配線パターンに接続したので、例えば電源やグランド(GND)に代表されるような半導体装置の共通端子をまとめることができ、端子部の個数低減をなすことが可能になる。
【0027】
本発明に係る液晶パネルは、液晶を挟み込むとともに当該液晶に電圧を印加し前記液晶の表示変化をなす複数の配線を表面に設けた第1基板と、シリコンで形成されその表面に絶縁層とこの絶縁層の上側に共通配線層と配線パターンとを層間絶縁膜を挟んで設けるとともに前記層間絶縁膜の表面に前記素子駆動用の半導体装置を複数配置しこれら半導体装置における共通信号の受け渡しをなす共通端子を前記共通配線層に接続し前記半導体装置における他の信号の受け渡しをなす端子を前記配線パターンに接続するとともに、前記共通配線層と前記配線パターンに外部との接続をなす端子部を設けた第2基板とを有するよう構成した。
【0028】
本発明に係る液晶パネルによれば、第1基板における配線端子面積を最小限に抑えることができるので、第1基板における液晶の面積を最大限に設定することができ、液晶表示部分を大きくすることができる。また端子電極と接合部とを接合する際は、第1基板と第2基板の熱膨張係数が略等しくなっていることから、接合の際における両者の相対位置の変動を防止することができる。また上記作用に加え、第2基板の面積内に複数の半導体装置を配置しユニットを形成するようにしたので(ユニット化したので)、第2基板に接続される外部基板にこれら複数の半導体装置を実装する必要が無くなる。このため外部基板の実装面積を低減させることが可能となり、小型化を達成することができる。そして第2基板に実装された複数の半導体装置の共通端子同士を共通配線層に接続し、半導体装置における他の信号の受け渡しをなす端子を配線パターンに接続したので、例えば電源やグランド(GND)に代表されるような半導体装置の共通端子をまとめることができ、端子部の個数低減をなすことが可能になる。
【0029】
【発明の実施の形態】
以下に本発明に係る狭ピッチ用コネクタ、マイクロマシン、圧電アクチュエータ、静電アクチュエータ、インクジェットヘッド、インクジェットプリンタ、液晶パネル、電子機器に好適な具体的実施の形態を図面を参照して詳細に説明する。
【0030】
図1は、本実施の形態に係る狭ピッチ用コネクタと、このコネクタが接続される接続対象物の端子部分を示した正面図である。同図に示すように本実施の形態に係る狭ピッチ用コネクタ20は、コネクタ本体22の表面に複数の半導体装置が実装された形態となっている。なおこれら半導体装置は、図中左側より接続対象物30に設けられた素子(図示せず)の駆動をなすドライバIC24と、当該ドライバIC24の動作用となるコントローラIC26と、これらICに定電圧を供給するためのレギュレータ用IC28とから構成され、これら半導体装置を狭ピッチ用コネクタ20上でユニット化するようにしている。このようにユニット化を行うことで、狭ピッチ用コネクタ20につながる外部基板(後述する)との回路上の役割分担が明確になり、仕様の異なる外部基板に対しても共通の狭ピッチ用コネクタ20を接続するなどが可能になる。
【0031】
コネクタ本体22は長方形状の単結晶シリコンからなり、半導体装置をその表面に形成するための半導体ウェハを格子状に切り出して製作したものである。そして図中左側の縁部22A側には、接続対象物30に設けられた端子電極32と重なり合わせが可能な接合部となる端子電極34が形成されている(端子電極34は端子電極32とピッチが同一)。そして端子電極34からは金属配線35が引き出され、当該金属配線35の先端部は、ドライバIC24の端子部分に接続されている。一方、端子電極34が形成された反対側の端部22B側には、端子電極34側より少数の電極数であるが、その幅とピッチとが拡大された端子電極36が形成されている。なお当該端子電極36は、接続対象物30を狭ピッチ用コネクタ20を介して駆動させるための外部基板38に設けられた端子電極40と重ね合わせが可能になるよう、当該端子電極40と電極部分の幅およびピッチが同一に設定されている。
【0032】
ところで端子電極36からドライバIC24に至るまでの間には配線パターン領域42が設定され、当該配線パターン領域42内に位置する各半導体装置の共通信号の受け渡しをなす端子以外の端子(他の信号の受け渡しをなす端子)がそれぞれ金属配線によって接続され回路形成をなし、外部基板38からの信号によって接続対象物30側の駆動を可能にしている。また前記金属配線の下層には層間絶縁膜を介して共通配線層となる電源層とグランド層(以下、GND層と称す)とがそれぞれ設けられ、半導体装置における共通信号の受け渡しをなす共通端子、および電源ラインやGNDラインに相当する端子電極36はスルーホールを介してこれら電源層およびGND層に接続されている。
【0033】
図2は、ドライバIC24およびコントローラIC26における電源端子が電源層およびレギュレータ用IC28を介して端子電極36に接続される状態を示す模式断面図である。同図に示すように、半導体ウェハ46の表面には絶縁層50が形成され、当該絶縁層50の上方にはGND層47、第1層間絶縁膜49A、電源層48、第2層間絶縁膜49Bが順に設けられている。そして第2層間絶縁膜49Bの表面には、ドライバIC24とコントローラIC26とが実装されるとともに、これらICに設けられた電源端子51は、第2層間絶縁膜49Bの表面に形成された金属配線52と、コンタクトホール54に充填されたタングステンプラグ56を介して電源層48に接続される。また当該電源層48は、タングステンプラグ56とレギュレータ用IC28を介して端子電極36に接続されているので、複数の半導体装置の電源端子51を一つの端子電極にまとめることができる。なお端子電極36と、ドライバIC24およびコントローラIC26との間にはレギュレータ用IC28が存在しているので、端子電極36における電圧が変動してもドライバIC24とコントローラIC26に加わる電圧を一定に保つことができる。
【0034】
また同様の理由により、電源層48の下層に位置するGND層47についても図示しないスルーホールを介して接続が可能であり、一つの端子電極にまとめることができる。
【0035】
このようにコネクタ本体22の内側に複数の半導体装置を搭載したことから、狭ピッチ用コネクタ20の後段、すなわち端子電極36側に接続される外部基板38にこれら半導体装置を実装する必要が無くなり、このため実装面積の低減が図れ、装置自体の小型化が達成される。また金属配線の下層に電源層とGND層を設けたことから各半導体装置における電源端子およびGND端子をそれぞれ集約させることができ、このため端子電極36の総端子数を低減させることが可能になる。
【0036】
なお端子電極32が形成される接続対象物30は、シリコン基板上に圧電素子が設けられ、この圧電素子の振動にてインクの吹出をなすプリンタヘッド(以下、プリンタエンジン部と称す)となっており、端子電極32に電圧を印加することで接続対象物30に設けられた圧電素子を稼働(振動)できるようにしている。
【0037】
このように構成された狭ピッチ用コネクタ20を接続対象物30に接続する手順を説明する。
【0038】
図3は、接続対象物30と狭ピッチ用コネクタ20とを接続する手順を示す説明図であり、図4は、図3におけるd部拡大図であり、図5は、図3におけるBB断面図である。
【0039】
これらの図に示すように、狭ピッチ用コネクタ20を接続対象物30に接続する際には、まずボンディングステージ41Aの上面に接続対象物30を設置する。なおボンディングステージ41Aの内部には下部ヒータ41Bが設けられており、当該下部ヒータ41Bを稼働させることにより接続対象物30等への加熱を行えるようにしている。
【0040】
ボンディングステージ41Aの上面に設置された接続対象物30の上方には、端子電極32に端子電極34が重なるようコネクタ20が配置される。なお端子電極32と端子電極34との間には、図3に示すように導電性粒子41Cを含んだ接着剤41Dが塗布されており、コネクタ20の背面側から当該コネクタ20を加圧することで導電性粒子41Cが端子電極32や端子電極34と接触し、これら端子電極同士は、導電性粒子41Cを介して導通がなされる。また導電性粒子41Cを含んだ接着剤41Dは、下部ヒータ41Bや後述するボンディングツールに内蔵されたヒータの稼働によって硬化が促進されるようになっている。
【0041】
端子電極34の上方、すなわち狭ピッチ用コネクタ20の上方には、ボンディングツール42が設けられる。当該ボンディングツール42は、図示しないリニアガイドに取り付けられ、ボンディングツール42自体をリニアガイドに沿って昇降可能にしている。そしてボンディングツール42を下降させることで、狭ピッチ用コネクタ20を背面側から押圧し、重ね合わされた端子電極32と端子電極34とを密着させるようにしている。またボンディングツール42には上部ヒータ44が内蔵されており、当該上部ヒータ44を稼働させることで、ボンディングツール42の先端を加熱し、狭ピッチ用コネクタ20側の加熱を行えるようにしている。
【0042】
ところで上部ヒータ44と下部ヒータ41Bにおいては、ボンディングツール42を下降させ、当該ボンディングツール42の先端がコネクタ本体22の背面側を押圧した際、端子電極32と端子電極34との境界線を中心としてその周囲の温度が均一になるよう、すなわちコネクタ本体22と接続対象物30との間に温度差が生じないように温度の設定がなされる。なお上部ヒータ44と下部ヒータ41Bにおける設定温度は、接着剤41Dの硬化促進を図るだけの温度以上に設定されていることはいうまでもない。
【0043】
このように上部ヒータ44および下部ヒータ41Bの温度設定がなされた後は、図5(1)に示す状態から図5(2)に示す状態に至るように、ボンディングツール42を下降させ、端子電極32と端子電極34との接続を行う。そしてこの接続の際、コネクタ本体22と接続対象物30の加熱温度が等しく、両者の間に温度差が生じないようになっているので、同一の材料で構成されたコネクタ本体22と接続対象物30は、加熱による伸び率が等しくなり、端子電極32と端子電極34との相対位置が変動することがない。このため両端子電極の接合を確実に行うことが可能となり、電極接続時に生じる抵抗値増大や接合不良あるいは隣接する端子との短絡といった不具合が生じるのを防止することができる。なお本実施の形態では、コネクタ本体22と接続対象物30を構成する材料をシリコンとして説明したが、発明者による種々の検討によれば、配線ピッチが25μm以下の接続においても確実に接続ができることが確認されている(配線ピッチが15μm程度でも確実に接続可能であり、配線ピッチが15μm以下の接続においても接続分解能の範囲によって接続可能となる)。
【0044】
また本実施の形態では、コネクタ本体22と接続対象物30の材質を同一のものとして説明したが、この形態に限定されることもなく、両者の材質が異なりこの異種材質に伴う熱膨張係数に差が有っても、コネクタ本体22と接続対象物30との確実な接合を行うことが可能である。すなわちこの場合は、上部ヒータ44および下部ヒータ41Bの出力値を変動させ、コネクタ本体22と接続対象物30との間に積極的に温度差を生じさせる。具体的には、熱膨張係数の小さい側に配置されるヒータの温度を高温側になるよう設定し、熱膨張係数の大きい側に配置されるヒータの温度を低温側になるよう設定する。このように積極的に温度差を生じさせることで、熱膨張係数の違いによる伸び率を吸収し、両端子電極の相対位置を等しくすれば、確実な接合が可能となり電極接続時に生じる抵抗値増大や接合不良あるいは隣接する端子との短絡といった不具合が生じるのを防止することができる。
【0045】
図6は、マイクロマシニング技術を用いて製作された静電アクチュエータの構造を示す説明図である。同図に示すように、静電アクチュエータ56は、インクジェットプリンタにおけるインクジェットヘッドに用いられるものであり、マイクロマシニング技術による微細加工技術を用いて形成された微小構造のアクチュエータである。
【0046】
このような微小構造のアクチュエータとしては、その駆動源として静電気力を用いている。当該静電気力を利用してインク液滴58の吐出を行うインクジェットヘッド60は、ノズル62に連通するインク流路64の底面が、弾性変形可能な振動子となる振動板66として形成され、当該振動板66には一定の間隔(図中、寸法qを参照)で、基板68が対向配置され、これら振動板66および基板68の表面にはそれぞれ対向電極90が配置されている。
【0047】
そして対向電極に電圧を印加すると、それらの間に発生する静電気力によって振動板66は基板68の側に静電吸引され振動する。この振動板66の振動によって、発生するインク流路64の内圧変動により、ノズル62からインク液滴58が吐出される。
【0048】
ところでインクジェットヘッド60は、シリコン基板70を挟み、上側に同じくシリコン製のノズルプレート72を有するとともに、下側にはホウ珪酸ガラス製のガラス基板74がそれぞれ積層された3層構造になっている。
【0049】
ここで中央のシリコン基板70には、その表面からエッチングを施すことにより、独立した5つのインク室76と、この5つのインク室76を結ぶ1つの共通インク室78と、この共通インク室78と各インク室76に連通するインク供給路80として機能する溝が加工されている。
【0050】
これらの溝が、ノズルプレート72によって塞がれ、各部分が区画形成されている。またシリコン基板70の裏側からエッチングを施すことにより独立した5つの振動室71を形成する。
【0051】
ノズルプレート72には、各インク室76の先端部に対応する位置にノズル62が形成され各インク室76に連通する。
【0052】
また共通インク室78には図示しないインクタンクから、インクがインク供給口82を通り供給される。
【0053】
なお封止部84は、対向電極90とシリコン基板70とで形成される微細な隙間を封止する。
【0054】
また、それぞれのガラス基板74の対向電極90は、図中左側の端部側に引き出され、端子電極86を形成してなり、本実施の形態に係る第2基板を基材とする狭ピッチコネクタ88に接続される。
【0055】
以上によれば狭ピッチでの接続が可能となり、インク室の全幅が狭く形成されていても接続が可能となる効果を有することとなる。
【0056】
なお上述した場合では、静電アクチュエータを用いて説明を行ったが、この形態に限定される必要もなく、幅広い電子機器への対応が可能となる。
【0057】
例えば、上記インクジェットヘッドに用いられている静電アクチュエータに代えて、圧電アクチュエータを用いるようにしてもよく、さらに本発明は、これらインクジェットヘッドを搭載したインクジェットプリンタにも適用される。
【0058】
さらに上述の場合では、インクジェットプリンタに関する適用について説明を行ったが、この形態に限定される必要もなく、例えば液晶パネルにおける接続部分にも適用することが可能である。
【0059】
すなわち液晶パネルにおいては、一対のガラス基板で液晶を挟み込み、挟み込まれた液晶の外部に配線を引き回し、この配線に電圧を印加することで(エネルギを与えることで)液晶の配列を変化させ、液晶表示を行うこととしているが、本発明に係る狭ピッチコネクタを用いれば、接合部分の面積を最小限にすることができる。このため上記効果に加え、ガラス基板における表示部の面積を最大限確保することができるので視認性に優れた液晶パネルを製作することが可能になる。
【0060】
【発明の効果】
以下説明したように本発明に係る狭ピッチ用コネクタによれば、基板上に素子が形成された接続対象物と、前記素子の制御駆動をなす外部基板との間に設けられる狭ピッチ用コネクタであって、コネクタ本体を前記接続対象物を構成する前記基板と熱膨張係数が略等しい部材、もしくは前記基板よりも熱膨張係数が小さい部材で形成し、前記コネクタ本体の表面に絶縁層を設け、この絶縁層の上側に共通配線層と配線パターンとを層間絶縁膜を挟んで設けるとともに、前記層間絶縁膜の表面に前記素子駆動用の半導体装置を複数配置し、これら半導体装置における共通信号の受け渡しをなす共通端子を前記共通配線層に接続し、前記半導体装置における他の信号の受け渡しをなす端子を前記配線パターンに接続するとともに、前記共通配線層と前記配線パターンに外部との接続をなす端子部を設けたことから、熱的ストレスが加わっても端子の位置ずれを小さくすることができ、両端子間の抵抗値増大や接合不良あるいは隣接する端子との短絡といった不具合を防止することができる。さらに上記効果に加え、接続対象物の駆動をなす複数の半導体装置を搭載できるので、外部基板における実装面積の低減を図ることのでき、装置全体の小型化を達成することができる。
【0061】
また本発明に係るマイクロマシンによれば、微小に形成された運動機構部とこの運動機構部から引き出されその一部を端子電極とする複数の配線とを表面に形成した第1基板と、当該第1基板と熱膨張係数が略等しい部材、もしくは前記基板よりも熱膨張係数が小さい部材で形成されその表面に絶縁層とこの絶縁層の上側に共通配線層と配線パターンとを層間絶縁膜を挟んで設けるとともに前記層間絶縁膜の表面に前記素子駆動用の半導体装置を複数配置しこれら半導体装置における共通信号の受け渡しをなす共通端子を前記共通配線層に接続し前記半導体装置における他の信号の受け渡しをなす端子を前記配線パターンに接続するとともに、前記共通配線層と前記配線パターンに外部との接続をなす端子部を設けた第2基板とを有したことから、第1基板を最小限にすることができるとともに、熱的ストレスが加わっても端子の位置ずれを小さくすることができ、両端子間の抵抗値増大や接合不良あるいは隣接する端子との短絡といった不具合を防止することができる。さらに上記効果に加え、接続対象物の駆動をなす複数の半導体装置を搭載できるので、外部基板における実装面積の低減を図ることのでき、装置全体の小型化を達成することができる。
【0062】
本発明に係る圧電アクチュエータによれば、電圧の印加に応じて変位が生じる圧電素子と当該圧電素子から引き出されその一部を端子電極とする複数の配線とを表面に形成した第1基板と、当該第1基板と熱膨張係数が略等しい部材、もしくは前記基板よりも熱膨張係数が小さい部材で形成されその表面に絶縁層とこの絶縁層の上側に共通配線層と配線パターンとを層間絶縁膜を挟んで設けるとともに前記層間絶縁膜の表面に前記素子駆動用の半導体装置を複数配置しこれら半導体装置における共通信号の受け渡しをなす共通端子を前記共通配線層に接続し前記半導体装置における他の信号の受け渡しをなす端子を前記配線パターンに接続するとともに、前記共通配線層と前記配線パターンに外部との接続をなす端子部を設けた第2基板とを有したことから、第1基板を最小限にすることができるとともに、熱的ストレスが加わっても端子の位置ずれを小さくすることができ、両端子間の抵抗値増大や接合不良あるいは隣接する端子との短絡といった不具合を防止することができる。さらに上記効果に加え、接続対象物の駆動をなす複数の半導体装置を搭載できるので、外部基板における実装面積の低減を図ることのでき、装置全体の小型化を達成することができる。
【0063】
本発明に係る静電アクチュエータによれば、電圧の印加に応じた静電容量の変化により振動子を弾性変形内で可動させる静電振動子と当該静電振動子から引き出されその一部を端子電極とする複数の配線とを表面に形成した第1基板と、当該第1基板と熱膨張係数が略等しい部材、もしくは前記基板よりも熱膨張係数が小さい部材で形成されその表面に絶縁層とこの絶縁層の上側に共通配線層と配線パターンとを層間絶縁膜を挟んで設けるとともに前記層間絶縁膜の表面に前記素子駆動用の半導体装置を複数配置しこれら半導体装置における共通信号の受け渡しをなす共通端子を前記共通配線層に接続し前記半導体装置における他の信号の受け渡しをなす端子を前記配線パターンに接続するとともに、前記共通配線層と前記配線パターンに外部との接続をなす端子部を設けた第2基板とを有したことから、第1基板を最小限にすることができるとともに、熱的ストレスが加わっても端子の位置ずれを小さくすることができ、両端子間の抵抗値増大や接合不良あるいは隣接する端子との短絡といった不具合を防止することができる。さらに上記効果に加え、接続対象物の駆動をなす複数の半導体装置を搭載できるので、外部基板における実装面積の低減を図ることのでき、装置全体の小型化を達成することができる。
【0064】
本発明に係る液晶パネルによれば、液晶を挟み込むとともに当該液晶に電圧を印加し前記液晶の表示変化をなす複数の配線を表面に設けた第1基板と、当該第1基板と熱膨張係数が略等しい部材、もしくは前記基板よりも熱膨張係数が小さい部材で形成されその表面に絶縁層とこの絶縁層の上側に共通配線層と配線パターンとを層間絶縁膜を挟んで設けるとともに前記層間絶縁膜の表面に前記素子駆動用の半導体装置を複数配置しこれら半導体装置における共通信号の受け渡しをなす共通端子を前記共通配線層に接続し前記半導体装置における他の信号の受け渡しをなす端子を前記配線パターンに接続するとともに、前記共通配線層と前記配線パターンに外部との接続をなす端子部を設けた第2基板とを有したことから、第1基板における配線端子面積を最小限に抑えることができる。また端子電極と接合部とを接合する際は、第1基板と第2基板の熱膨張係数が略等しくなっていることから、接合の際における両者の相対位置の変動を防止とともに短絡が生じるのを防ぐことができる。さらに上記効果に加えることとして、接続対象物の駆動をなす複数の半導体装置を搭載できるので、外部基板における実装面積の低減を図ることのでき、装置全体の小型化を達成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本実施の形態に係る狭ピッチ用コネクタと、このコネクタが接続される接続対象物の端子部分を示した正面図である。
【図2】ドライバIC24およびコントローラIC26における電源端子が電源層を介して端子電極36に接続される状態を示す模式断面図である。
【図3】接続対象物30と狭ピッチ用コネクタ20とを接続する手順を示す説明図である。
【図4】図2におけるd部拡大図である。
【図5】図2におけるBB断面図である。
【図6】マイクロマシニング技術を用いて製作された静電アクチュエータの構造を示す説明図である。
【図7】接続対象物とフレキシブル基板からなるコネクタとの要部拡大図である。
【図8】接続対象物1とコネクタ4とを接続する手順を示す説明図である。
【図9】図8におけるCC断面図を示す。
【符号の説明】
1 接続対象物
2 配線
3 端子電極
4 コネクタ
5 端子電極
6 端子電極
6A 半導体装置
7 ボンディングステージ
8 ボンディングツール
9 ヒータ
10 間隔
20 狭ピッチ用コネクタ
22 コネクタ本体
22A 縁部
22B 縁部
24 ドライバIC
26 コントローラIC
28 レギュレータ用IC
30 接続対象物
32 端子電極
34 端子電極
35 金属配線
36 端子電極
38 外部基板
40 端子電極
41A ボンディングステージ
41B 下部ヒータ
41C 導電性粒子
41D 接着剤
42 ボンディングツール
44 上部ヒータ
46 半導体ウェハ
47 GND層
48 電源層
49A 第1層間絶縁膜
49B 第2層間絶縁膜
50 絶縁層
51 電源端子
52 金属配線
56 静電アクチュエータ
58 インク液滴
60 インクジェットヘッド
62 ノズル
64 インク流路
66 振動板
68 基板
70 シリコン基板
71 振動室
72 ノズルプレート
74 ガラス基板
76 インク室
78 共通インク室
80 インク供給路
82 インク供給口
84 封止部
86 端子電極
88 狭ピッチコネクタ
90 対向電極

Claims (13)

  1. 基板上に素子が形成された接続対象物と、前記素子の制御駆動をなす外部基板との間に設けられる狭ピッチ用コネクタであって、コネクタ本体をシリコンで形成し、前記コネクタ本体の表面に絶縁層を設け、この絶縁層の上側に共通配線層と配線パターンとを層間絶縁膜を挟んで設けるとともに、前記層間絶縁膜の表面に前記素子駆動用の半導体装置を複数配置し、これら半導体装置における共通信号の受け渡しをなす共通端子を前記共通配線層に接続し、前記半導体装置における他の信号の受け渡しをなす端子を前記配線パターンに接続するとともに、前記共通配線層と前記配線パターンに外部との接続をなす端子部を設けたことを特徴とする狭ピッチ用コネクタ。
  2. 前記半導体装置は、前記素子の駆動をなすドライバICと、当該ドライバICの制御をなすコントローラICと、であることを特徴とする請求項1に記載の狭ピッチ用コネクタ。
  3. 請求項2に記載の半導体装置に安定化電源を供給するレギュレータ用ICを含むことを特徴とする請求項2に記載の狭ピッチ用コネクタ。
  4. 前記接続対象物を構成する前記基板と、前記コネクタ本体を構成する部材とがシリコンであることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の狭ピッチ用コネクタ。
  5. 微小に形成された運動機構部とこの運動機構部から引き出されその一部を端子電極とする複数の配線とを表面に形成した第1基板と、シリコンで形成されその表面に絶縁層とこの絶縁層の上側に共通配線層と配線パターンとを層間絶縁膜を挟んで設けるとともに前記層間絶縁膜の表面に前記素子駆動用の半導体装置を複数配置しこれら半導体装置における共通信号の受け渡しをなす共通端子を前記共通配線層に接続し前記半導体装置における他の信号の受け渡しをなす端子を前記配線パターンに接続するとともに、前記共通配線層と前記配線パターンに外部との接続をなす端子部を設けた第2基板とを有したことを特徴とするマイクロマシン。
  6. 電圧の印加に応じて変位が生じる圧電素子と当該圧電素子から引き出されその一部を端子電極とする複数の配線とを表面に形成した第1基板と、シリコンで形成されその表面に絶縁層とこの絶縁層の上側に共通配線層と配線パターンとを層間絶縁膜を挟んで設けるとともに前記層間絶縁膜の表面に前記素子駆動用の半導体装置を複数配置しこれら半導体装置における共通信号の受け渡しをなす共通端子を前記共通配線層に接続し前記半導体装置における他の信号の受け渡しをなす端子を前記配線パターンに接続するとともに、前記共通配線層と前記配線パターンに外部との接続をなす端子部を設けた第2基板とを有したことを特徴とする圧電アクチュエータ。
  7. 電圧の印加に応じた静電容量の変化により振動子を弾性変形内で可動させる静電振動子と当該静電振動子から引き出されその一部を端子電極とする複数の配線とを表面に形成した第1基板と、シリコンで形成されその表面に絶縁層とこの絶縁層の上側に共通配線層と配線パターンとを層間絶縁膜を挟んで設けるとともに前記層間絶縁膜の表面に前記素子駆動用の半導体装置を複数配置しこれら半導体装置における共通信号の受け渡しをなす共通端子を前記共通配線層に接続し前記半導体装置における他の信号の受け渡しをなす端子を前記配線パターンに接続するとともに、前記共通配線層と前記配線パターンに外部との接続をなす端子部を設けた第2基板とを有したことを特徴とする静電アクチュエータ。
  8. 請求項6に記載の圧電アクチュエータを用いたことを特徴とするインクジェットヘッド。
  9. 請求項7に記載の静電アクチュエータを用いたことを特徴とするインクジェットヘッド。
  10. 請求項8に記載のインクジェットヘッドを用いたことを特徴とするインクジェットプリンタ。
  11. 請求項9に記載のインクジェットヘッドを用いたことを特徴とするインクジェットプリンタ。
  12. 液晶を挟み込むとともに当該液晶に電圧を印加し前記液晶の表示変化をなす複数の配線を表面に設けた第1基板と、シリコンで形成されその表面に絶縁層とこの絶縁層の上側に共通配線層と配線パターンとを層間絶縁膜を挟んで設けるとともに前記層間絶縁膜の表面に前記素子駆動用の半導体装置を複数配置しこれら半導体装置における共通信号の受け渡しをなす共通端子を前記共通配線層に接続し前記半導体装置における他の信号の受け渡しをなす端子を前記配線パターンに接続するとともに、前記共通配線層と前記配線パターンに外部との接続をなす端子部を設けた第2基板とを有したことを特徴とする液晶パネル。
  13. 請求項5に記載のマイクロマシン、または請求項6に記載の圧電アクチュエータ、または請求項7に記載の静電アクチュエータ、または請求項8に記載のインクジェットヘッド、または請求項9に記載のインクジェットヘッド、または請求項10に記載のインクジェットプリンタ、または請求項11に記載のインクジェットプリンタ、または請求項12に記載の液晶パネルを用いたことを特徴とする電子機器。
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