JP2000281992A - Sheet for fixing semiconductor wafer - Google Patents
Sheet for fixing semiconductor waferInfo
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は合成樹脂シートを基
材とした半導体ウエハ固定用シートに係り、特に半導体
ウエハをダイシングした際のチッピング(半導体ウエハ
のチップに欠けを生じさせること)を防止でき、歩留ま
りの向上、ダイシング速度向上を可能にした半導体ウエ
ハ固定用シートに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a sheet for fixing a semiconductor wafer using a synthetic resin sheet as a base material, and in particular, can prevent chipping (breaking of chips of a semiconductor wafer) when dicing a semiconductor wafer. The present invention relates to a semiconductor wafer fixing sheet capable of improving yield and dicing speed.
【0002】[0002]
【従来の技術】本出願人は、チッピングを防止する半導
体ウエハ固定用シートとして、基材と粘着剤層の間にプ
ライマ層を積層し、該プライマ層にチッピング防止効果
を持たせた手段を開示している(特願平10−8815
8号)。BACKGROUND OF THE INVENTION The present applicant discloses a semiconductor wafer fixing sheet for preventing chipping in which a primer layer is laminated between a base material and an adhesive layer, and the primer layer has an effect of preventing chipping. (Japanese Patent Application No. 10-8815)
No. 8).
【0003】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この半
導体ウエハ固定用シートにあっては、アンカー性(粘着
剤の基材への密着力)向上やポリ塩化ビニル基材に対し
ての可塑剤移行率低下については優れた手段であるが、
細かくみるとダイシング時にはチッピングが生じてしま
っていた。However, in this semiconductor wafer fixing sheet, the anchoring property (adhesive strength of the adhesive to the substrate) is improved and the transfer rate of the plasticizer to the polyvinyl chloride substrate is increased. It's a great way to do it,
Looking closely, chipping had occurred during dicing.
【0004】したがって、本発明の目的は、半導体ウエ
ハダイシング時にチッピングが生じない半導体ウエハ固
定用シートを提供することにある。Accordingly, an object of the present invention is to provide a semiconductor wafer fixing sheet which does not cause chipping during semiconductor wafer dicing.
【0005】[0005]
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記に鑑み
鋭意検討を行った結果、基材としての加熱透過シート
と、該基材上に積層された粘着剤層を有する半導体ウエ
ハ固定用シートにおいて、該基材と粘着剤層の間にチッ
ピング防止層を積層し、該チッピング防止層がベースポ
リマ100重量部、加熱重合性化合物10〜200重量
部及び加熱重合開始剤0.1〜10重量部を備え、該チ
ッピング防止層の弾性率を5.0×105〜1.0×1
011dyn/cm2とし、該チッピング防止層の厚みを
5〜25μmにしたことによって、上記課題を解決でき
ることを見出だし、本発明を完成した。The present inventors have made intensive studies in view of the above, and as a result, have found that a heat permeable sheet as a base material and a semiconductor wafer fixing adhesive layer having an adhesive layer laminated on the base material are provided. In the sheet, an anti-chipping layer is laminated between the base material and the pressure-sensitive adhesive layer, and the anti-chipping layer is composed of 100 parts by weight of the base polymer, 10 to 200 parts by weight of the heat-polymerizable compound, and 0.1 to 10 parts of the heat-polymerization initiator. And an elastic modulus of the anti-chipping layer of 5.0 × 10 5 to 1.0 × 1.
It has been found that the above problem can be solved by setting the thickness to 0 11 dyn / cm 2 and the thickness of the anti-chipping layer to 5 to 25 μm, thereby completing the present invention.
【0006】[0006]
【発明の実施の形態】本発明にあっては、粘着剤層と基
材の間にチッピング防止層を設け、このチッピング防止
層の弾性率と層厚を限定することにより、上記チッピン
グを防止するものである。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION In the present invention, the above-mentioned chipping is prevented by providing an anti-chipping layer between a pressure-sensitive adhesive layer and a substrate, and limiting the elastic modulus and layer thickness of the anti-chipping layer. Things.
【0007】このチッピング防止層は、ベースポリマ1
00重量部、加熱重合性化合物10〜200重量部及び
加熱重合開始剤0.1〜10重量部を備えたものであ
る。該加熱重合性化合物を配合したのは、加熱された加
熱重合開始剤によってチッピング防止層全体の凝集力を
高めるものであり、この配合比はあまりに少ないと加熱
されても硬化される部分が少なくなり凝集力の向上に寄
与せず、あまりに多いとチッピング層が硬くなり貼り合
わせ時にチッピング防止層が割れてしまったりエキスパ
ンドできなくてピックアップ不良が生じるため、好まし
くは10〜200重量部、さらに好ましくは20〜10
0重量部がよい。該チッピング防止層の弾性率は、あま
りに低いと裏面チッピング、すなわちチップの欠けが生
じ、あまりに高いとウエハとの貼り合わせ時、チッピン
グ防止層が硬くなり貼り合わせ時にチッピング防止層が
割れてしまったりエキスパンドできなくてピックアップ
不良が生じるため、5.0×105〜1.0×1011d
yn/cm2が好ましく、さらに好ましくは1.0×1
07〜1.0×1010dyn/cm2がよい。また、該チ
ッピング防止層の厚みはあまりに薄いとチッピング防止
効果が出ず、あまりに厚いと貼り合わせがうまくいかな
いため、好ましくは厚みで5〜25μmがよく、さらに
好ましくは10〜20μmがよい。This anti-chipping layer is made of base polymer 1
00 parts by weight, 10 to 200 parts by weight of a heat-polymerizable compound, and 0.1 to 10 parts by weight of a heat-polymerization initiator. The compounding of the heat-polymerizable compound is to increase the cohesive force of the entire anti-chipping layer by the heated heat-polymerization initiator, and if the compounding ratio is too small, the portion hardened even when heated is reduced. It does not contribute to the improvement of cohesion, and if it is too much, the chipping layer becomes hard, and the chipping prevention layer is broken at the time of bonding, or it cannot be expanded, resulting in poor pickup. Therefore, preferably 10 to 200 parts by weight, more preferably 20 parts by weight -10
0 parts by weight is good. If the modulus of elasticity of the anti-chipping layer is too low, chipping of the back surface, that is, chipping occurs, and if it is too high, the anti-chipping layer becomes hard at the time of bonding with the wafer, and the anti-chipping layer breaks or expands at the time of bonding. 5.0 × 10 5 to 1.0 × 10 11 d
yn / cm 2 , more preferably 1.0 × 1
0 7 to 1.0 × good 10 10 dyn / cm 2. If the thickness of the anti-chipping layer is too small, the effect of preventing chipping will not be obtained, and if it is too thick, bonding will not be successful. Therefore, the thickness is preferably 5 to 25 μm, more preferably 10 to 20 μm.
【0008】該加熱重合性化合物は、加熱された加熱重
合開始剤によって三次元網状化し、いこれにより可塑剤
の移行を阻止するものである。三次元網状化しうる分子
内に重合性炭素−炭素二重結合を少なくとも二個以上有
する低分子量化合物が好ましく、具体的にはアクリレー
ト系化合物、ウレタンアクリレート、ウレタンアクリレ
ート系オリゴマ及び/又はモノマ、エポキシアクリレー
ト、ポリエステルアクリレートウレタン等の単体又は混
合系がある。また、該加熱重合性化合物にあっては、特
に限定するわけではないが、300〜30000の分子
量のものがよい。The heat-polymerizable compound is formed into a three-dimensional network by a heated heat-polymerization initiator, thereby preventing migration of the plasticizer. A low molecular weight compound having at least two polymerizable carbon-carbon double bonds in a molecule capable of forming a three-dimensional network is preferable, and specifically, an acrylate compound, urethane acrylate, urethane acrylate oligomer and / or monomer, epoxy acrylate , Polyester acrylate urethane and the like. The heat-polymerizable compound is not particularly limited, but preferably has a molecular weight of 300 to 30,000.
【0009】前記アクリレート系化合物としては、例え
ばトリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメ
チロールメタンテトラアクリレート、ペンタエリスリト
ールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラア
クリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペ
ンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアク
リレートあるいは1,4−ブチレングリコールジアクリ
レート、1,6−ヘキサンジオールジアクリレート、ポ
リエチレングリコールジアクリレート、オリゴエステル
アクリレート等がある。The acrylate compound includes, for example, trimethylolpropane triacrylate, tetramethylol methane tetraacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, dipentaerythritol monohydroxypentaacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate or 1,4 -Butylene glycol diacrylate, 1,6-hexanediol diacrylate, polyethylene glycol diacrylate, oligoester acrylate and the like.
【0010】前記ウレタンアクリレートとしては、例え
ばポリエステルウレタンアクリレート、ポリエーテルウ
レタンアクリレート、4官能ウレタンアクリレート、6
官能ウレタンアクリレート等がある。The urethane acrylate includes, for example, polyester urethane acrylate, polyether urethane acrylate, 4-functional urethane acrylate,
There is a functional urethane acrylate.
【0011】該ウレタンアクリレート系オリゴマは、炭
素−炭素二重結合を少なくとも二個以上有する加熱重合
性化合物であり、例えば、ポリエステル型又はポリエー
テル型等のポリオール化合物と、多価イソシアネート化
合物、例えば(2,4−トリレンジイソシアナート、
2,6−トリレンジイソシアナート、1,3−キシリレ
ンジイソシアナート、1,4−キシリレンジイソシアナ
ート、ジフエニルメタン4,4−ジイソシアナート等)
を反応させて得られる端末イソシアナートウレタンプレ
ポリマに、ヒドロキシル基を有するアクリレートあるい
はメタクリレート(例えば2−ヒドロキシエチルアクリ
レート、2−ヒドロキシエチルメタクリレート、2−ヒ
ドロキシプロピルアクリレート、2−ヒドロキシプロピ
ルメタクリレート、ポリエチレングリコールアクリレー
ト、ポリエチレングリコールメタクリレート等)を反応
させて得られるものがある。The urethane acrylate oligomer is a heat-polymerizable compound having at least two carbon-carbon double bonds, for example, a polyol compound of polyester type or polyether type and a polyvalent isocyanate compound such as ( 2,4-tolylene diisocyanate,
2,6-tolylene diisocyanate, 1,3-xylylene diisocyanate, 1,4-xylylene diisocyanate, diphenylmethane 4,4-diisocyanate, etc.)
Is reacted with a terminal isocyanate urethane prepolymer to give an acrylate or methacrylate having a hydroxyl group (for example, 2-hydroxyethyl acrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate, 2-hydroxypropyl acrylate, 2-hydroxypropyl methacrylate, polyethylene glycol acrylate). , Polyethylene glycol methacrylate, etc.).
【0012】上記エポキシアクリレートとしては、エポ
キシ基とアクリル酸又はメタクリル酸との反応によって
合成されるものであり、ビスフエノールA型、ビスフエ
ノールS型、ビスフエノールF型、エポキシ油化型、フ
エノールノボラツク型、脂環型等がある。The above-mentioned epoxy acrylate is synthesized by reacting an epoxy group with acrylic acid or methacrylic acid, and includes bisphenol A type, bisphenol S type, bisphenol F type, epoxy oil type, and phenol novo. There are rack type, alicyclic type and the like.
【0013】上記ポリエステルアクリレートは、ジオー
ル、ポリオールと2塩基酸より合成したポリエステル骨
格に残ったOH基に、アクリル酸を縮合してアクリレー
トにしたものであり、例えば無水フタル酸/プロピレン
オキサイドジオール/アクリル酸、アジピン酸/1,6
−ヘキサンジオール/アクリル酸、トリメリツト酸/ジ
エチレングリコール/アクリル酸等がある。The above-mentioned polyester acrylate is obtained by condensing acrylic acid to an OH group remaining on a polyester skeleton synthesized from a diol, a polyol and a dibasic acid to form an acrylate. For example, phthalic anhydride / propylene oxide diol / acrylic Acid, adipic acid / 1,6
-Hexanediol / acrylic acid, trimellitic acid / diethylene glycol / acrylic acid and the like.
【0014】本発明における上記加熱重合開始剤は、加
熱を受けた際に上記加熱重合性化合物と反応点での結合
を増やすことによりチッピング防止層全体の凝集力を高
めるためのものであり、この配合比はあまりに少ないと
硬化が遅く作業性に劣り、あまりに多いと未反応の開始
剤が残り汚染が生じてしまうため、好ましくは0.1〜
10重量部、さらに好ましくは1〜5重量部がよい。In the present invention, the heat polymerization initiator is used to increase the cohesive force of the entire anti-chipping layer by increasing the bonding at the reaction point with the heat polymerizable compound when heated. If the compounding ratio is too small, the curing is slow and the workability is inferior, and if the compounding ratio is too large, unreacted initiator remains and contamination occurs.
10 parts by weight, more preferably 1 to 5 parts by weight.
【0015】該加熱重合開始剤としては、有機過酸化物
誘導体、アゾ系重合開始剤があり、アゾ系重合開始剤は
加熱時に窒素が発生するため有機過酸化物誘導体の方が
好ましい。該加熱重合開始剤の具体的な例としては、ケ
トンパーオキサイド、パーオキシケタール、ハイドロパ
ーオキサイド、ジアルキルパーオキサイド、ジアシルパ
ーオキサイド、パーオキシエステル、パーオキシジカー
ボネート、アゾビスイソブチロニトリル等がある。ま
た、必要に応じてトリエチルアミン、テトラエチルペン
タアミン、ジメチルアミノエーテル等のアミン化合物を
重合促進剤として併用しても良い。As the heat polymerization initiator, there are an organic peroxide derivative and an azo polymerization initiator, and the azo polymerization initiator is more preferably an organic peroxide derivative because nitrogen is generated during heating. Specific examples of the heat polymerization initiator include ketone peroxide, peroxyketal, hydroperoxide, dialkyl peroxide, diacyl peroxide, peroxyester, peroxydicarbonate, azobisisobutyronitrile and the like. is there. If necessary, an amine compound such as triethylamine, tetraethylpentamine, or dimethylaminoether may be used in combination as a polymerization accelerator.
【0016】加熱のタイミングは、チッピング防止層塗
布後の乾燥工程において同時に行われる。The heating is performed simultaneously in the drying step after the application of the anti-chipping layer.
【0017】本発明にかかる半導体ウエハ固定用シート
の粘着剤としては、従来公知の一般型粘着剤を使用でき
る。該一般型粘着剤としてはアクリル系ポリマ、エラス
トマ、紫外線硬化性粘着剤(例えば特開平9−3286
63号公報記載の粘着剤)、加熱硬化性粘着剤(例えば
特開平10−25456号公報記載の粘着剤)等があ
る。As the pressure-sensitive adhesive for the semiconductor wafer fixing sheet according to the present invention, a conventionally known general-type pressure-sensitive adhesive can be used. Examples of the general-type pressure-sensitive adhesive include acrylic polymers, elastomers, and UV-curable pressure-sensitive adhesives (for example, JP-A-9-3286).
No. 63) and a heat-curable pressure-sensitive adhesive (for example, a pressure-sensitive adhesive described in JP-A-10-25456).
【0018】本発明における基材としては、該基材外側
からの加熱をチッピング防止層にまで届かせるものがよ
く、例えばポリ塩化ビニル、ポリブテン、ポリブタジエ
ン、ポリウレタン、エチレン−酢酸ビニルコポリマ、ポ
リエチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポリプロピ
レン等の単独層、複合層又は複数層を採用できる。ま
た、チッピング防止層積層面とは反対の面に他の素材の
シートを積層したものであっても良い。なお、一般に半
導体ウエハ固定用シートの基材の厚みは10〜500μ
mの範囲内から選択される。The substrate in the present invention is preferably one that allows heat from the outside of the substrate to reach the anti-chipping layer, for example, polyvinyl chloride, polybutene, polybutadiene, polyurethane, ethylene-vinyl acetate copolymer, polyethylene terephthalate, A single layer, a composite layer, or a plurality of layers of polyethylene, polypropylene, or the like can be employed. Further, a sheet of another material may be laminated on the surface opposite to the surface on which the anti-chipping layer is laminated. The thickness of the base material of the semiconductor wafer fixing sheet is generally 10 to 500 μm.
m.
【0019】なお、本発明にかかる半導体ウエハ固定用
シートは、必要に応じて粘着剤上にポリエチレンラミネ
ート紙、剥離処理プラスチツクフイルム等の剥離紙又は
剥離シートを密着させて保存される。The sheet for fixing a semiconductor wafer according to the present invention is stored by adhering release paper or a release sheet such as polyethylene laminated paper or release-treated plastic film on an adhesive as required.
【0020】本発明にあっては、基材としての紫外線透
過シートと、該基材上に積層された粘着剤層を有する半
導体ウエハ固定用シートにおいて、該基材と粘着剤層の
間にチッピング防止層を積層し、該チッピング防止層が
ベースポリマ100重量部、紫外線硬化性化合物10〜
200重量部及び紫外線硬化開始剤0.1〜10重量部
を備え、該チッピング防止層の弾性率を5.0×105
〜1.0×1011dyn/cm2とし、該チッピング防
止層の厚みを5〜25μmにしたことを特徴とし、これ
により細かいチッピングが生じない。According to the present invention, in a sheet for fixing a semiconductor wafer having an ultraviolet ray transmitting sheet as a substrate and an adhesive layer laminated on the substrate, chipping is performed between the substrate and the adhesive layer. An anti-chipping layer is laminated, and the anti-chipping layer is 100 parts by weight of the base polymer, and the ultraviolet curable compound 10
200 parts by weight and 0.1 to 10 parts by weight of an ultraviolet curing initiator, and the elastic modulus of the anti-chipping layer is 5.0 × 10 5
1.01.0 × 10 11 dyn / cm 2, and the thickness of the anti-chipping layer is 5 to 25 μm, so that fine chipping does not occur.
【0021】[0021]
【実施例】本発明にかかる半導体ウエハ固定用シートの
各実施例を比較例と比較しつつ、表1を用いて詳細に説
明する。EXAMPLES Examples of the semiconductor wafer fixing sheet according to the present invention will be described in detail with reference to Table 1 while comparing them with comparative examples.
【0022】各実施例及び各比較例にかかる半導体ウエ
ハ固定用シートは、厚さ70μmのポリ塩化ビニル製の
シート状基材と、該基材上に積層されたチッピング防止
層と、該チッピング防止層上に積層された厚さ10μm
の一般的なアクリル系粘着剤を備えるものである。ここ
で、チッピング防止層は、表1に示した加熱重合性化合
物、加熱重合開始剤の他、ベースポリマとしてのポリア
クリル100重量部配合したものである。該表1の加熱
重合性化合物は6官能性ウレタンアクリレートオリゴ
マ、加熱重合開始剤はパーオキシ・ジ・カーボネートを
採用した。なお、表1の加熱重合性化合物、加熱重合開
始剤における数字は重量部であり、ダイシング後の加熱
量は100℃×10分である。The semiconductor wafer fixing sheet according to each of the examples and the comparative examples includes a sheet substrate made of polyvinyl chloride having a thickness of 70 μm, an anti-chipping layer laminated on the substrate, and an anti-chipping layer. 10 μm thickness laminated on the layer
Of the general acrylic pressure-sensitive adhesive. Here, the anti-chipping layer contains 100 parts by weight of polyacryl as a base polymer in addition to the heat-polymerizable compound and the heat-polymerization initiator shown in Table 1. The heat-polymerizable compound in Table 1 employs a hexafunctional urethane acrylate oligomer, and the heat polymerization initiator employs peroxy dicarbonate. The numbers in the heat-polymerizable compound and the heat-polymerization initiator in Table 1 are parts by weight, and the heating amount after dicing is 100 ° C. × 10 minutes.
【0023】[0023]
【表1】 [Table 1]
【0024】表1における「弾性率」は、環境温度23
℃、周波数1Hzの条件下で測定器RDA−II(レオ
メトリック社)で測定したものであり、「チツピング
性」は半導体固定用シート上に厚さ400μmのシリコ
ンウエハを貼り付けてから20分後に3.8mm×7.
0mm角チツプへフルカツトしたチツプを200倍の顕
微鏡で見て任意に抽出したサンプル30個全てに15μ
m以上の大きさの欠けが1個もなかった場合を○、そう
でない場合を×とした。「エキスパンド性」は50%延
伸したときにシート上のチップ間隔が初期の設定通りに
開いたものを○、そうでないものを×とし、「汚染性」
はピックアックしたチップの裏面を200倍の顕微鏡で
見た際に粘着剤が見つからなかったものを○、見つかっ
たものを×とした。The "elastic modulus" in Table 1 indicates the ambient temperature 23
The temperature was measured with a measuring instrument RDA-II (Rheometrics) under the conditions of a temperature of 1 ° C. and a frequency of 1 Hz, and “chipping property” was measured 20 minutes after a 400 μm-thick silicon wafer was pasted on a semiconductor fixing sheet. 3.8mm × 7.
The chip, which was fully cut into a 0 mm square chip, was observed under a microscope of 200 times magnification, and 15 μm was added to all 30 randomly extracted samples.
When there was no chip having a size of m or more, it was evaluated as ○, and when it was not, evaluated as ×. The “expandability” was evaluated as “good” when the chip interval on the sheet was expanded as initially set when stretched by 50%, and as “x” when the chip interval was not so.
When the back surface of the picked-up chip was observed with a 200 × microscope, no adhesive was found when the adhesive was found, and × when the adhesive was found.
【0025】チッピング防止層の加熱重合性化合物が少
ない比較例1では軟らかくなりすぎチッピング性に問題
があり、多くした比較例2では硬くなりすぎエキスパン
ド性に問題があった。In Comparative Example 1 in which the amount of the heat-polymerizable compound in the anti-chipping layer was small, the composition became too soft and had a problem in chipping property, and in Comparative Example 2 in which the content was increased, it was too hard and there was a problem in expandability.
【0026】加熱重合開始剤が少ない比較例3では軟ら
かくなりすぎチッピング性に問題があり、加熱重合性化
合物を多く配合した比較例4では汚染性に問題があっ
た。Comparative Example 3 containing a small amount of the heat polymerization initiator was too soft and had a problem in chipping property, and Comparative Example 4 containing a large amount of the heat polymerizable compound had a problem in contamination.
【0027】チッピング防止層の厚みを少なくした比較
例5ではチッピング性に問題があり、厚みを50μmに
した比較例6(表への記載省略)では貼り合わせに不具
合が生じた。In Comparative Example 5 in which the thickness of the anti-chipping layer was reduced, there was a problem in chipping properties, and in Comparative Example 6 in which the thickness was 50 μm (not shown in the table), there was a problem in bonding.
【0028】また、弾性率が低すぎるとエキスパンド性
に問題があり(比較例2参照)、弾性率が高すぎるとチ
ッピング性に問題があった(比較例5参照)。If the elastic modulus is too low, there is a problem in the expandability (see Comparative Example 2), and if the elastic modulus is too high, there is a problem in the chipping property (see Comparative Example 5).
【0029】[0029]
【発明の効果】本発明にかかる半導体ウエハ固定用シー
トは、基材としての加熱透過シートと、該基材上に積層
された粘着剤層を有する半導体ウエハ固定用シートにお
いて、該基材と粘着剤層の間にチッピング防止層を積層
し、該チッピング防止層がベースポリマ100重量部、
加熱重合性化合物10〜200重量部及び加熱重合開始
剤0.1〜10重量部を備え、該チッピング防止層の弾
性率を5.0×105〜1.0×1011dyn/cm2と
し、該チッピング防止層の厚みを5〜25μmにしたこ
とを特徴とし、これによりダイシング時にはチッピング
が生じない。The semiconductor wafer fixing sheet according to the present invention comprises a heat permeable sheet as a base material and a semiconductor wafer fixing sheet having an adhesive layer laminated on the base material. An anti-chipping layer between the agent layers, wherein the anti-chipping layer is 100 parts by weight of the base polymer;
The composition is provided with 10 to 200 parts by weight of the heat-polymerizable compound and 0.1 to 10 parts by weight of the heat-polymerization initiator, and the elasticity of the anti-chipping layer is set to 5.0 × 10 5 to 1.0 × 10 11 dyn / cm 2. The thickness of the anti-chipping layer is set to 5 to 25 μm, so that chipping does not occur during dicing.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 和田 茂 神奈川県鎌倉市台2丁目13番1号 東洋化 学株式会社内 (72)発明者 久米 雅士 神奈川県鎌倉市台2丁目13番1号 東洋化 学株式会社内 Fターム(参考) 4J004 AA05 AA10 AB01 AB07 CA05 CC02 CC04 CD05 CD06 DA02 DB02 FA05 FA08 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Shigeru Wada 2-3-1-1, Kamakura-shi, Kanagawa Prefecture Inside Toyo Kagaku Co., Ltd. (72) Inventor Masashi Kume 2-3-1-1, Kamakura-shi, Kanagawa Toyo F-term in Chemical Co., Ltd. (reference) 4J004 AA05 AA10 AB01 AB07 CA05 CC02 CC04 CD05 CD06 DA02 DB02 FA05 FA08
Claims (1)
た粘着剤層を有する半導体ウエハ固定用シートにおい
て、該基材と粘着剤層の間にチッピング防止層を積層
し、該チッピング防止層がベースポリマ100重量部、
加熱重合性化合物10〜200重量部及び加熱重合開始
剤0.1〜10重量部を備え、該チッピング防止層の弾
性率を5.0×105〜1.0×1011dyn/cm2と
し、該チッピング防止層の厚みを5〜25μmにしたこ
とを特徴とする半導体ウエハ固定用シート。1. A semiconductor wafer fixing sheet having a sheet-like substrate and an adhesive layer laminated on the substrate, wherein an anti-chipping layer is laminated between the substrate and the adhesive layer. 100 parts by weight of the base polymer,
The composition is provided with 10 to 200 parts by weight of the heat-polymerizable compound and 0.1 to 10 parts by weight of the heat-polymerization initiator, and the elasticity of the anti-chipping layer is set to 5.0 × 10 5 to 1.0 × 10 11 dyn / cm 2. A semiconductor wafer fixing sheet wherein the thickness of the anti-chipping layer is 5 to 25 μm.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8851399A JP4148590B2 (en) | 1999-03-30 | 1999-03-30 | Semiconductor wafer fixing sheet |
Applications Claiming Priority (1)
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