JP2000277651A - 基板へのバンプ形成方法及び接続方法 - Google Patents

基板へのバンプ形成方法及び接続方法

Info

Publication number
JP2000277651A
JP2000277651A JP11084420A JP8442099A JP2000277651A JP 2000277651 A JP2000277651 A JP 2000277651A JP 11084420 A JP11084420 A JP 11084420A JP 8442099 A JP8442099 A JP 8442099A JP 2000277651 A JP2000277651 A JP 2000277651A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
solder
electrode
connection
bump
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP11084420A
Other languages
English (en)
Inventor
Satoshi Kuwazaki
聡 桑崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ricoh Co Ltd
Original Assignee
Ricoh Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ricoh Co Ltd filed Critical Ricoh Co Ltd
Priority to JP11084420A priority Critical patent/JP2000277651A/ja
Publication of JP2000277651A publication Critical patent/JP2000277651A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/153—Connection portion
    • H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/35—Mechanical effects
    • H01L2924/351—Thermal stress
    • H01L2924/3511—Warping

Landscapes

  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】モジュール基板に反りがある場合でもハンダバ
ンプの頂点の高さが同一平面内に位置するようにハンダ
バンプを形成することができ、またモジュール構造の基
板の接続用ハンダバンプの頂点の高さにバラツキがあっ
ても不完全接続（オープン）やショートなどの接続不良
を生じることなしに他の基板（マザー基板）に良好に接
続できるように、ハンダバンプの形成法、モジュール基
板の他の基板（マザー基板）への接続法を工夫するこ
と。 【解決手段】モジュール基板の電極上にクリームハンダ
をディスペンサーで計量吐出することにより供給し、そ
の後リフローすることで接続用のハンダバンプを形成す
ること、または、マザー基板電極上にクリームハンダを
ディスペンサーにより計量吐出することにより供給し、
その後、基板を搭載し、リフローを行うこと。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体部品を基板へ
実装するためのバンプ形成方法及び接続方法に関するも
のであり、表面に複数の電子部品が接続されているモジ
ュール構造の基板の裏面に、他の基板（マザー基板）に
接続するためのハンダバンプを形成する方法、及びモジ
ュール構造の基板（モジュール基板）を上記他の基板に
接続する方法について、基板に反りがある場合でもハン
ダバンプの頂点の高さが同一平面内に位置するハンダバ
ンプを形成することができ、あるいは、基板の接続用ハ
ンダバンプの頂点の高さにバラツキがあっても不完全接
続（オープン）あるいはショートなどの接続不良を生じ
ることなく上記他の基板に接続することができるように
したものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体部品の実装密度の高度化に対応す
るための接続技術について様々な工夫がなされており、
そのための半導体パッケージとしてＯＭＰＡＣ（オーバ
ー・モールデッド・プラスチック・アレイ・キャリア）
がある。このＯＭＰＡＣの製造方法の概略は図４に示す
次のとおりのものである。この製造方法では、先ず図４
（ａ）に示すように、プリント基板２上に半導体素子１
を搭載し、プリント基板２の配線パターンと半導体素子
１の電極部とをワイヤーボンディングする。なお、この
配線パターンは、プリント基板２の裏面側こマトリック
ス状に形成された複数の電極ランドのうち該当する電極
ランドに接続されている。次いで、図４（ｂ）に示すよ
うに、半導体素子１が搭載されたプリント基板２の上面
部をトランスファーモールドによりモールドすることに
より半導体素子１を気密封止し、図４（ｃ）に示すよう
に、プリント基板２の裏面にマトリックス状に設けられ
電極ランドに、治具４を用いて粘着性フラックス５を転
写し、次いで、各電極ランドの位置に対応するようにマ
トリックス状に配置されたハンダーボール７を治具６に
より吸着し、図４（ｄ）に示すように、粘着性フラック
ス５が設けられた電極ランド上に配置する。これにより
図４（ｅ）に示すパッケージが得られる。
【０００３】次いで、図４（ｅ）に示すＢＧＡパッケー
ジをリフロー炉に入れ、ハンダボール７を溶融させてプ
リント基板２の裏面の電極ランドと接合させる。この
時、溶融したハンダの表面張力により、図４（ｆ）に示
すように、突出したハンダボールの電極部を形成するこ
とができる。以上のようにして製造されるＯＭＰＡＣ
は、基板裏面にマトリックス状に電極を形成することが
できるため、１．０〜１．５ｍｍという広いピッチにし
た場合であっても多ピン化が可能である。
【０００４】このようなＢＧＡ（ボール・グリッド・ア
レイ）の実装に際しては特殊な工程を新たに設ける必要
はない。したがって、通常の他の電子部品と一緒に、印
刷工程、搭載工程、リフロー工程を経てプリント基板に
実装することができる。このリフロー工程では、溶融し
たハンダボ一ルの表面張力と、ＢＧＡ基板、Ｓｉチップ
及び封止樹脂の合計の重量とが釣り合うようにハンダボ
ールが変形する一方で、ＢＧＡ基板（半導体パッケー
ジ）が実装用のプリント基板の表面より持ち上がった状
態でハンダボールと該プリント基板の配線とが接合され
る。
【０００５】しかし、以上のＢＧＡではつぎのような理
由から更なる多ピン化やパッケージサイズの小型化の実
現が困難で、次のような問題があることが特開平１０ー
２４７７００号公報において指摘されている。すなわ
ち、互いに熱膨張係数（熱膨脹率）の異なる構成部材、
すなわち、基板、半導体素子（例えばＳｉチップ）、封
止樹脂等からなる複合材をリフロー炉に入れ、常温から
２００〜２４０℃に急激に昇温し、さらに冷却する工程
により、ハンダボールをＢＧＡ基板の電極ランドと接合
させるために、各構成部材の熱膨張係数の差によりＢＧ
Ａ基板の端部が０．０５〜０．２ｍｍも反ってしまい、
そのため、同一の量のハンダボールでは、接合後のハン
ダボールの頂点の高さが均一にならず、ＢＧＡ基板をプ
リント基板に実装する際にプリント基板の電極ランドと
接触してぬれることができないハンダボールが生じ、当
該ハンダボールにおいて接合が不安定（不完全接合）に
なるという問題がある。
【０００６】１つのＢＧＡ基板に着目すると、ＢＧＡ基
板の中央部から端部に至る反りと、端部の手前から端部
に至る反りとでは、前者の方が反り量が大きい。したが
って、ＢＧＡ基板の裏面全面にハンダボールを配置した
フルマトリックス型のＢＧＡと、外周周辺部に数列のハ
ンダボールを配置したペリフェラル型のＢＧＡとでは、
前者の方がハンダボールの高さの差が顕著になる。一
方、ＢＧＡの大きさが異なる場合は、大きなＢＧＡの方
が基板の仮り量を大きくするためハンダボ一ル間の高さ
の差が大きくなる。さらに、ＢＧＡの大きさが同じ場合
は、ハンダボール（ピン）の数を増やすと、各ハンダボ
ールに作用するＢＧＡ基板、Ｓｉチップ、封止樹脂等の
構成部材の重量の釣り合いの不均衡が小さくなり、プリ
ント基板にＢＧＡを接合する際の各ハンダボ一ルの変形
量が小さくなる。また、ハンダボールの個数を同一にし
て、パッケージサイズを小型化すると、１つのハンダボ
ールに作用する重量の不均衡が小さくなり、プリント基
板にＢＧＡを接合する際の各ハンダボールの変形量が小
さくなる。したがって、多ピン化した時やフルマトリッ
クス化によってパッケージを小型化した場合、リフロー
工程においてハンダボールが変形することにより該ハン
ダボールの高さの不均一性が吸収される可能性は小さ
く、ＢＧＡをプリント基板に接合する際の安定性が損な
われる。
【０００７】以上の問題を解消することを目的とした発
明が上記特開平１０−２４７７００号公報に記載されて
いるが、この公開公報に記載されたもの（以下これを
「従来技術」という）は、ＢＧＡパッケージ裏面に形成
する接続用バンプの頂点が接する仮想平面を平坦化する
ために、リフロー工程で発生するＢＧＡ基板の反りに対
応させてバンプの大きさを変えるものであり、ＢＧＡパ
ッケージをマザー基板に実装する際、バンプの頂点の高
さに対応させてマザー基板に印刷するクリームハンダの
量を調整するものである。
【０００８】この従来技術は、径が異なるハンダボール
を搭載してリフローを行い、パンケージ裏面に半田バン
プを形成することによって、ＢＧＡパッケージの基板に
反りが生じても半田バンプの頂点が同一平面内にあるよ
うにハンダバンプを形成することができ、また、ＢＧＡ
パッケージを実装する基板に印刷するクリームハンダの
高さと量を、印刷マスクの厚さ及び当該印刷マスクの吐
出開口部の径をパッケージの半田バンプの頂点の高さの
バラツキに対応して変えることで、接続不良を生じるこ
となくＢＧＡパッケージをマザー基板に実装できるとい
う利点を有する。しかしこれには次のとおりの問題も残
されている。 ．電極パターンやハンダボールの径に応じてハンダボ
ール搭載用のトレイを幾つも用意する必要がある。 ．径の異なるハンダボールを使用する場合は、トレイ
開口部にハンダボールを搭載するための動作を繰り返し
行う必要がある。 ．径の異なるハンダボールをＢＧＡパッケージ電極に
搭載する場合、小さい径のハンダボールが吸着治具に残
ってしまう可能性がある。 ．基板の電極パターンに対応させて幾つもの印刷用マ
スクを準備する必要がある。 ．ＢＧＡパッケージを実装する基板上に他部品が既に
実装されている場合や、パッケージのみをリペアーする
場合には、マスクによる印刷法は使えない。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、従来技術の
上記の不具合点を解消することを目的とし、表面に複数
の電子部品が接続されているモジュール構造の基板の裏
面に、他の基板（マザー基板）に接続するためのハンダ
バンプを形成する方法、およびそのモジュール基板を他
の基板（マザー基板）に接続する方法について、モジュ
ール基板に反りがある場合でもハンダバンプの頂点の高
さが同一平面内に位置するようにハンダバンプを形成す
ることができ、またモジュール構造の基板の接続用ハン
ダバンプの頂点の高さにバラツキがあっても不完全接続
（オープン）やショートなどの接続不良を生じることな
しに他の基板（マザー基板）に良好に接続できるよう
に、ハンダバンプの形成法、モジュール基板の他の基板
（マザー基板）への接続法を工夫することをその課題と
するものである。
【００１０】
【課題を解決するために講じた手段】
【ハンダバンプの形成法についての手段】ハンダバンプ
の形成法について上記課題解決のために講じた手段は、
モジュール基板の電極上にクリームハンダをディスペン
サーで計量吐出することにより供給し、その後リフロー
することで接続用のハンダバンプを形成することであ
る。
【００１１】
【作用】クリームハンダをディスペンサーで計量吐出す
ることにより基板上に供給するから、個々のクリームハ
ンダの供給量を簡単、精緻に調整することができる。し
たがって、一つのディスペンサーで電極パターンに簡
単、容易に的確に対応することが可能である。また、モ
ジュール基板の反りに応じてバンプサイズを様々に変え
る場合も、ディスペンサーの制御プログラムの調整（デ
ィスペンサーに供給する空気圧力、圧力空気の供給時間
等の調整）によって計量吐出量を容易、容易に的確に調
整してこれに対応することができる。なお、ディスペン
サーは従来公知のものであり、シリンダ内に空気を圧入
し、その空気圧で内容物を微小ノズルから押し出すもの
であって、上記空気圧力、及び空気供給時間を調整する
ことによって微小ノズルからの内容物の吐出量を微細に
調整できるものである（詳細は、特開平６ー１０６１１
１号公報を参照されたい）。
【００１２】
【実施態様１】上記のハンダバンプの形成法についての
手段の実施態様は、上記基板に反りがある場合、リフロ
ー後のハンダバンプの頂点が同一平面内に位置するよ
う、基板の反りに対応してクリームハンダの計量供給量
を調整することである。
【００１３】
【マザー基板への接続法についての手段】マザー基板へ
の接続法についての手段は、マザー基板電極上にクリー
ムハンダをディスペンサーにより計量吐出することによ
り供給し、その後、基板を搭載し、リフローを行うこと
である。
【００１４】
【作用】これにより、様々なパターンの電極に対応する
ことが可能である。また、モジュール基板の反りによっ
て裏面のハンダバンプ頂点の高さにバラツキが生じて
も、クリームハンダのディスペンサーからの吐出量を上
記バラツキに対応して変えることでマザー基板に良好に
接続できる。
【００１５】
【実施態様２】上記マザー基板への接続法についての手
段の実施態様は、上記の電子部品が接続されている基板
の裏面電極上に形成されたハンダバンプの頂点の高さの
バラツキに対応してクリームハンダの供給量を調整する
ことである。
【００１６】
【実施例】次いで、本発明の実施例を説明する。まず、
ハンダバンプの形成法についての実施例１を図１を参照
しつつ説明する。表面に電子部品１０が実装されたモジ
ュール基板１１の裏面電極にディスペンサー１２により
クリームハンダ１３を計量吐出して供給する。この時、
この後のリフロー工程においてモジュール基板１１に反
りが発生する場合は、リフロー後に形成されるハンダバ
ンプ１４の頂点が同一平面内に位置するように、モジュ
ール基板１１の反りに対応させて計量供給するクリーム
ハンダ１３の量を様々に変える。例えば、モジュール基
板１１の裏面電極がピッチ１．２７mm、直径０．６mmの
場合には１電極あたり約０．０２ｇのクリームハンダ１
３を供給し、発生する反り量５０μｍに対して０．００
５ｇ前後の量を増減させる。クリームハンダ１３の供給
が終ったら、リフローを行ってハンダバンプ１４を形成
する（図１（ｂ））。リフロー工程はリフロー炉または
光ビーム装置など一般的に用いられている方法でよい。
このようにして得られたハンダバンプ１４は頂点が同一
平面内に位置するので、その後マザー基板に接続しても
オープン（不完全接続等）、ショート等の不良は発生し
ない。またモジュール基板を変更する場合には、ディス
ペンサー１２のニ一ドル径、加圧空気圧、加圧時間（吐
出時間）を変更することで、計量吐出量を調整したこれ
に容易、的確に対応することができる。
【００１７】次いで、マザー基板への接続に関する実施
例２を図２を参照しつつ説明する。マザー基板１５の電
極上にディスペンサー１２でクリームハンダ１６を計量
供給する。モジュール基板１１の反りによって、基板裏
面に形成されたハンダバンプ１４の頂点の高さにバラツ
キがある場合（図２（ｃ））は、上記実施例１と同様に
ハンダバンプ１４頂点の高さに対応した形で、クリーム
ハンダ１６の吐出量を適宜変えて供給する（図２
（ｃ））。その後、モジュール基板１１を搭載してリフ
ローを行う。クリームハンダ１６の計量供給量を変える
ことで、モジュール基板１１の全てのハンダバンプ１４
がマザー基板１５上のクリームハンダ１６と確実に接触
する（図２（ｃ））ので、その後のリフロー工程でオー
プン不良（不完全接続）を生じることはない（図２
（ｄ））。
【００１８】因みに、クリームハンダの供給を通常のメ
タルマスクにより印刷して行った揚合は、図３に示すよ
うにハンダバンプ１４の頂点がマザー基板１５上のクリ
ームハンダ１７に接触せず、このためリフロー後にオー
プン等の接続不良となる可能性がある。
【００１９】
【発明の効果】以上のとおりであるが、発明の効果は各
請求項に係る発明毎に次ぎように整理される。 １．請求項１に係る発明について ディスペンサーでクリームハンダを計量供給することに
よって個々の吐出供給量の調整を容易、精緻にに行える
ので、任意の電極パターンおよび電極サイズに的確に対
応させてハンダバンプを形成することができる。
【００２０】２．請求項２に係る発明について ディスペンサーでクリームハンダを計量供給することに
よって吐出供給量の調整を容易、精緻に行えるので、反
りの生じた基板においてリフロー後のハンダバンプの頂
点が同一平面上に位置するように、容易にハンダ量を調
整することができる。
【００２１】３．請求項３に係る発明について 請求項１に係る発明による上記効果に加え、ディスペン
サーでクリームハンダを計量供給することで、マザー基
板上に他部品が予め接続されている場合やリペアー後の
接続の場合でも、他の部品に干渉することがない。
【００２２】４．請求項４に係る発明について 反りによってモジュール基板のハンダバンプの頂点の高
さにバラツキがある場合でも、マザー基板にディスペン
サーでクリームハンダを計量供給することで、モジュー
ル基板のハンダバンプの頂点の高さのバラツキに対応さ
せて、マザー基板への上記クリームハンダの供給量を容
易に精緻にかつ的確に調整することができる。
【００２３】５．請求項５に係る発明について モジュール基板に複数の電子部品が接続されているた
め、モジュール構造のサイズが比較的大きくそのため反
りが大きい基板であっても、モジュール基板にディスペ
ンサーでクリームハンダを計量供給することで、当該基
板に頂点が同一平面内に位置するようにハンダバンプを
形成することが容易であり、サイズが比較的大きくて反
りが大きい基板でもマザー基板に確実に接続することが
できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）はハンダバンプの形成法についての実施
例１の手順を示す正面図であり、（ｂ）は同実施例１に
よる、モジュール基板上のクリームハンダの形成状態を
示す正面図であり、さらに（ｃ）は同実施例１によるモ
ジュール基板の正面図である。
【図２】（ａ）はマザー基板への接続についての実施例
２の手順を示す正面図であり、（ｂ）は同実施例２によ
るマザー基板上のクリームハンダの形成状態を示す正面
図であり、（ｃ）は同実施例２によるマザー基板上のク
リームハンダとモジュール基板裏面のハンダバンプとの
接触状態を示す正面図であり、さらに（ｄ）は同実施例
２によりマザー基板上にモジュール基板が接続された状
態を示す正面図である。
【図３】（ａ）はクリームハンダの供給を通常のメタル
マスクにより印刷して行った揚合の、モジュール基板の
ハンダバンプの頂点とマザー基板１５上のクリームハン
ダとの位置関係を示す正面図であり、（ｂ）はクリーム
ハンダの供給を通常のメタルマスクにより印刷して行っ
た揚合（比較例）の、モジュール基板のハンダバンプの
頂点とマザー基板１５との接続状態を示す正面図であ
る。
【図４】（ａ）乃至（ｆ）は従来の電子部品実装方法の
手順を示す正面図である。 図１乃至図３における符号の説明 １０：電子部品 １１：モジュール基板 １２：ディスペンサー １３，１６，１７：クリームハンダ １４：ハンダバンプ

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】表面に電子部品が接続されている基板の裏
    面電極に他の基板との接続用のバンプを形成する方法に
    おいて、電極上にクリームハンダをデイスペンサーによ
    り計量吐出して供給し、その後リフローを行うことを特
    徴とするハンダバンプの形成方法。
  2. 【請求項２】上記基板に反りがある場合、リフロー後の
    ハンダバンプの頂点が同一平面内に位置するよう、基板
    の反りに対応してクリームハンダの計量供給量を調整す
    ることを特徴とする請求項１のハンダバンプ形成方法。
  3. 【請求項３】表面に電子部品が接続されている基板を裏
    面電極上に形成されたハンダバンプにより他の基板上に
    接続する方法において、前記他の基板の電極上にクリー
    ムハンダをディスペンサーにより計量吐出して供給し、
    その後、基板を搭載し、リフローを行うことを特徴とす
    る接続方法。
  4. 【請求項４】上記の電子部品が接続されている基板の裏
    面電極上に形成されたハンダバンプの頂点の高さのバラ
    ツキに対応してクリームハンダの供給量を調整すること
    を特徴とする請求項３の接続方法。
  5. 【請求項５】表面に電子部品が接続されている基板が、
    複数の電子部品が接続されているモジュール構造である
    ことを特徴とする請求項１乃至請求項４のバンプ形成方
    法又は他の基板への接続方法。
JP11084420A 1999-03-26 1999-03-26 基板へのバンプ形成方法及び接続方法 Pending JP2000277651A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11084420A JP2000277651A (ja) 1999-03-26 1999-03-26 基板へのバンプ形成方法及び接続方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11084420A JP2000277651A (ja) 1999-03-26 1999-03-26 基板へのバンプ形成方法及び接続方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2000277651A true JP2000277651A (ja) 2000-10-06

Family

ID=13830103

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP11084420A Pending JP2000277651A (ja) 1999-03-26 1999-03-26 基板へのバンプ形成方法及び接続方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2000277651A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019009470A (ja) * 2018-10-09 2019-01-17 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 実装構造体

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019009470A (ja) * 2018-10-09 2019-01-17 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 実装構造体

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7275676B2 (en) Apparatus for locating conductive spheres utilizing screen and hopper of solder balls
US6293456B1 (en) Methods for forming solder balls on substrates
US6991965B2 (en) Production method for manufacturing a plurality of chip-size packages
US20130020379A1 (en) Method of controlling bump printing apparatus
US8607446B2 (en) Method of manufacturing an electronic component
JP2006202991A (ja) 回路基板及びその製造方法、並びに半導体パッケージ及びその製造方法
JPH10247700A (ja) 電子部品及びその実装方法並びにマスク
JPH06124953A (ja) 半導体装置のバンプ形成方法
JPH11297886A (ja) はんだバンプ形成方法
US11515181B2 (en) Device for attaching conductive ball to substrate with plurality of separately controlled plates
US20040080033A1 (en) Flip chip assembly and method for producing the same
JP2000277651A (ja) 基板へのバンプ形成方法及び接続方法
CN110739228B (zh) 一种快速贴装bga芯片的方法
JPH0897322A (ja) 半導体パッケージ
US20030189245A1 (en) Flip chip assembly and method for producing the same
JP2003243818A (ja) 半導体電子部品の実装方法
JP2003086629A (ja) Ｃｏｆ型半導体装置及びその製造方法
JP2000022031A (ja) 導電性ボールの実装方法
JP2000353717A (ja) 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置
JPH11186454A (ja) Ｂｇａ型集積回路部品、その製造方法およびその実装方法
JP5851719B2 (ja) マスクを用いてワークに導電性ボールを搭載する方法
JP2002329812A (ja) 半導体パッケージ装置および半導体パッケージ装置実装用基板
JP2001119114A (ja) 実装構造及び実装方法
KR100651517B1 (ko) 인쇄회로기판의 플립칩 범프 형성방법
JPH11345831A (ja) 半導体装置、実装基板および実装方法