JP2000277368A - 積層セラミックコンデンサ - Google Patents
積層セラミックコンデンサInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 セラミックグリーンシートに用いる紛体の粒
度分布、比表面積を制御することにより、構造欠陥がな
く、ショート率の低い高信頼性の積層セラミックコンデ
ンサを提供する。 【解決手段】 内部電極を挟む有効層に用いるセラミッ
クグリーンシートとして、レーザー回折方式等の粒度分
布計で測定された５０％累積度数分布粒子径（Ｄ５０）
で表される平均粒径が、有効層厚みの１／５以下の大き
さで成る誘電体粉末で構成されたものを用いることによ
り焼成時のグレインの成長を抑制し、均一な焼結体とす
ることができ、有効層を薄膜化してもショート不良やク
ラック、デラミネーション等の構造欠陥の少ない信頼性
の高い積層セラミックコンデンサを得ることができる。
度分布、比表面積を制御することにより、構造欠陥がな
く、ショート率の低い高信頼性の積層セラミックコンデ
ンサを提供する。 【解決手段】 内部電極を挟む有効層に用いるセラミッ
クグリーンシートとして、レーザー回折方式等の粒度分
布計で測定された５０％累積度数分布粒子径（Ｄ５０）
で表される平均粒径が、有効層厚みの１／５以下の大き
さで成る誘電体粉末で構成されたものを用いることによ
り焼成時のグレインの成長を抑制し、均一な焼結体とす
ることができ、有効層を薄膜化してもショート不良やク
ラック、デラミネーション等の構造欠陥の少ない信頼性
の高い積層セラミックコンデンサを得ることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は内部電極とセラミッ
クグリーンシートが交互に積層された積層セラミックコ
ンデンサに関する。
クグリーンシートが交互に積層された積層セラミックコ
ンデンサに関する。
【０００２】
【従来の技術】積層セラミックコンデンサは、内部電極
とセラミックグリーンシートを交互に複数枚積層した積
層体を所定形状に切断した後一体焼成されて構成されて
いる。この積層体の構成において、近年、携帯電話、パ
ーソナルコンピュータ等の普及に伴い、積層セラミック
コンデンサは大容量化、小型化の需要が高まってきてお
り、より一層有効層部分の薄膜化、高積層化が進んでい
る。
とセラミックグリーンシートを交互に複数枚積層した積
層体を所定形状に切断した後一体焼成されて構成されて
いる。この積層体の構成において、近年、携帯電話、パ
ーソナルコンピュータ等の普及に伴い、積層セラミック
コンデンサは大容量化、小型化の需要が高まってきてお
り、より一層有効層部分の薄膜化、高積層化が進んでい
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、有効層
の薄膜化、高積層化が行われると、有効層間にボイド、
ポア等の欠陥の比率が高くなってしまい電極間のショー
ト不良が多くなり、良品歩留まりの低下を招く。また、
耐電圧性が低くなることから、信頼性の確保が困難にな
ってしまう等の問題があった。そこでこれらの課題を克
服するため、一般に用いる原料をできるだけ微紛化する
必要がある。このとき、単に何の制御もされない微紛原
料は、高積層体を形成し焼成する際、バインダー除去が
不十分と成り、内部歪が生じ易く、クラック、デラミネ
ーション等の構造欠陥が発生しやすいという問題があっ
た。
の薄膜化、高積層化が行われると、有効層間にボイド、
ポア等の欠陥の比率が高くなってしまい電極間のショー
ト不良が多くなり、良品歩留まりの低下を招く。また、
耐電圧性が低くなることから、信頼性の確保が困難にな
ってしまう等の問題があった。そこでこれらの課題を克
服するため、一般に用いる原料をできるだけ微紛化する
必要がある。このとき、単に何の制御もされない微紛原
料は、高積層体を形成し焼成する際、バインダー除去が
不十分と成り、内部歪が生じ易く、クラック、デラミネ
ーション等の構造欠陥が発生しやすいという問題があっ
た。
【０００４】本発明は、薄層化、高積層化してもショー
ト不良やクラック、デラミネーション等の構造欠陥の少
ない信頼性の高い積層セラミックコンデンサを提供する
ことを目的とする。
ト不良やクラック、デラミネーション等の構造欠陥の少
ない信頼性の高い積層セラミックコンデンサを提供する
ことを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に本発明の積層セラミックコンデンサは、内部電極を挟
む有効層に用いるセラミックグリーンシートとして、レ
ーザー回折方式等の粒度分布計で測定された５０％累積
度数分布粒子径（Ｄ５０）で表される平均粒径が有効層
厚みの１／５以下の大きさで成る誘電体粉末で構成した
ものである。
に本発明の積層セラミックコンデンサは、内部電極を挟
む有効層に用いるセラミックグリーンシートとして、レ
ーザー回折方式等の粒度分布計で測定された５０％累積
度数分布粒子径（Ｄ５０）で表される平均粒径が有効層
厚みの１／５以下の大きさで成る誘電体粉末で構成した
ものである。
【０００６】これにより、均一な焼結体が得られ、薄層
化、高積層化してもショート不良やクラック、デラミネ
ーション等の構造欠陥の少ない信頼性の高い積層セラミ
ックコンデンサを得ることができる。
化、高積層化してもショート不良やクラック、デラミネ
ーション等の構造欠陥の少ない信頼性の高い積層セラミ
ックコンデンサを得ることができる。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、内部電極を挟む有効層に用いるセラミックグリーン
シートとして、レーザー回折方式等の粒度分布計で測定
された５０％累積度数分布粒子径（Ｄ５０）で表される
平均粒径が、有効層厚みの１／５以下の大きさで成る誘
電体粉末で構成されたものを用いた積層セラミックコン
デンサで有り、誘電体粉末の平均粒径を有効層厚みの１
／５以下の大きさの粉体を用いることにより、焼成時の
グレインの成長を抑制し均一な焼結体とすることがで
き、有効層を薄膜化してもショート不良やクラック、デ
ラミネーション等の構造欠陥の少ない信頼性の高い積層
セラミックコンデンサを得ることができる。
は、内部電極を挟む有効層に用いるセラミックグリーン
シートとして、レーザー回折方式等の粒度分布計で測定
された５０％累積度数分布粒子径（Ｄ５０）で表される
平均粒径が、有効層厚みの１／５以下の大きさで成る誘
電体粉末で構成されたものを用いた積層セラミックコン
デンサで有り、誘電体粉末の平均粒径を有効層厚みの１
／５以下の大きさの粉体を用いることにより、焼成時の
グレインの成長を抑制し均一な焼結体とすることがで
き、有効層を薄膜化してもショート不良やクラック、デ
ラミネーション等の構造欠陥の少ない信頼性の高い積層
セラミックコンデンサを得ることができる。
【０００８】本発明の請求項２に記載の発明は、有効層
に用いるセラミックグリーンシートが、レーザー回折方
式等の粒度分布計で測定された１０％累積度数分布粒子
径（Ｄ１０）、５０％累積度数分布粒子径（Ｄ５０）、
９０％累積度数分布粒子径（Ｄ９０）の比率においてＤ
１０／Ｄ５０が０．５以上、Ｄ９０／Ｄ５０が１．４５
以下の粒度分布をもつ誘電体粉末で構成されたものを用
いた請求項１に記載の積層セラミックコンデンサであ
り、これにより、有効層グリーンシート中の粉体の充填
性が良好となり、均一な焼結が得られるため有効層を薄
膜化しても、焼結体中のボイド、ポア等の欠陥の発生を
抑えることが可能となり、ショートやクラック等の構造
欠陥が少なく信頼性の高い積層セラミックコンデンサを
得ることができる。
に用いるセラミックグリーンシートが、レーザー回折方
式等の粒度分布計で測定された１０％累積度数分布粒子
径（Ｄ１０）、５０％累積度数分布粒子径（Ｄ５０）、
９０％累積度数分布粒子径（Ｄ９０）の比率においてＤ
１０／Ｄ５０が０．５以上、Ｄ９０／Ｄ５０が１．４５
以下の粒度分布をもつ誘電体粉末で構成されたものを用
いた請求項１に記載の積層セラミックコンデンサであ
り、これにより、有効層グリーンシート中の粉体の充填
性が良好となり、均一な焼結が得られるため有効層を薄
膜化しても、焼結体中のボイド、ポア等の欠陥の発生を
抑えることが可能となり、ショートやクラック等の構造
欠陥が少なく信頼性の高い積層セラミックコンデンサを
得ることができる。
【０００９】本発明の請求項３に記載の発明は、有効層
に用いるセラミックグリーンシートが、比表面積測定値
が５０％累積度数分布粒子径を用いて計算される理論比
表面積値の３．０倍以下の誘電体粉末で構成されたもの
を用いた請求項１または２に記載の積層セラミックコン
デンサであり、これにより充填性が良好となり、有効層
を薄膜化しても焼結体中のボイド、ポア等の欠陥の発生
を抑制することが可能となり、ショートやクラック等の
構造欠陥が少なく信頼性の高い積層セラミックコンデン
サを得ることができる。
に用いるセラミックグリーンシートが、比表面積測定値
が５０％累積度数分布粒子径を用いて計算される理論比
表面積値の３．０倍以下の誘電体粉末で構成されたもの
を用いた請求項１または２に記載の積層セラミックコン
デンサであり、これにより充填性が良好となり、有効層
を薄膜化しても焼結体中のボイド、ポア等の欠陥の発生
を抑制することが可能となり、ショートやクラック等の
構造欠陥が少なく信頼性の高い積層セラミックコンデン
サを得ることができる。
【００１０】以下に本発明の実施の形態について説明す
る。
る。
【００１１】（実施の形態１）先ず、出発原料として、
ＢａＴｉＯ3を主成分として９５％以上含む組成の原料
を所定の組成で秤量配合し、これらの出発原料に対して
純水を加え、イットリア部分安定化ＺｒＯ2ボールを媒
体としてボールミルで１７時間湿式混合粉砕を行った
後、脱水乾燥する。この脱水した混合材料を解砕し、３
２メッシュ篩を全通させた後、アルミナ質の坩堝に入
れ、１０５０℃の温度で２時間保持し仮焼した。
ＢａＴｉＯ3を主成分として９５％以上含む組成の原料
を所定の組成で秤量配合し、これらの出発原料に対して
純水を加え、イットリア部分安定化ＺｒＯ2ボールを媒
体としてボールミルで１７時間湿式混合粉砕を行った
後、脱水乾燥する。この脱水した混合材料を解砕し、３
２メッシュ篩を全通させた後、アルミナ質の坩堝に入
れ、１０５０℃の温度で２時間保持し仮焼した。
【００１２】次いで、この仮焼済み原料を通常湿式ジェ
ットミルと呼ばれる高圧ポンプを利用しダイアモンドノ
ズル中で粉砕される粉砕機（以降湿式ジェットミルと呼
ぶ）、ならびにボールミル等を用い（表１）に示す紛体
特性となるように粉砕し、その後、これらの粉砕したス
ラリーを脱水乾燥した後、３２メッシュ篩を全通させ誘
電体材料を作製した。このときの（表１）に示す粒度分
布の値は、レーザー回折方式の粒度分布計を測定して得
られた値である。作製した各誘電体材料にバインダーと
してポリビニルブチラール樹脂、溶剤として酢酸ｎブチ
ル、可塑材としてフタル酸ジブチルを加え、イットリア
部分安定化ＺｒＯ2ボールと共にボールミルで７２時間
混合しスラリーを作製した。
ットミルと呼ばれる高圧ポンプを利用しダイアモンドノ
ズル中で粉砕される粉砕機（以降湿式ジェットミルと呼
ぶ）、ならびにボールミル等を用い（表１）に示す紛体
特性となるように粉砕し、その後、これらの粉砕したス
ラリーを脱水乾燥した後、３２メッシュ篩を全通させ誘
電体材料を作製した。このときの（表１）に示す粒度分
布の値は、レーザー回折方式の粒度分布計を測定して得
られた値である。作製した各誘電体材料にバインダーと
してポリビニルブチラール樹脂、溶剤として酢酸ｎブチ
ル、可塑材としてフタル酸ジブチルを加え、イットリア
部分安定化ＺｒＯ2ボールと共にボールミルで７２時間
混合しスラリーを作製した。
【００１３】
【表１】
【００１４】得られた各スラリーを、ドクターブレード
法を用いてポリエステル上に成形し、誘電体セラミック
グリーンシート（以降グリーンシートと称する）を（表
１）に示す厚みに作製した。
法を用いてポリエステル上に成形し、誘電体セラミック
グリーンシート（以降グリーンシートと称する）を（表
１）に示す厚みに作製した。
【００１５】作製した各セラミックグリーンシートの表
面にＮｉを主成分とする内部電極ペーストをスクリーン
で印刷し、乾燥を行った。このＮｉ内部電極ペーストを
印刷したグリーンシートを、公知の積層セラミックコン
デンサ製造方法に従って１００枚積み重ねて熱圧着し、
グリーン積層体を形成した後、３．３ｍｍ×１．７ｍｍ
の形状に切断し積層セラミックコンデンサのグリーンチ
ップ（以降グリーンチップと称する）を得た。
面にＮｉを主成分とする内部電極ペーストをスクリーン
で印刷し、乾燥を行った。このＮｉ内部電極ペーストを
印刷したグリーンシートを、公知の積層セラミックコン
デンサ製造方法に従って１００枚積み重ねて熱圧着し、
グリーン積層体を形成した後、３．３ｍｍ×１．７ｍｍ
の形状に切断し積層セラミックコンデンサのグリーンチ
ップ（以降グリーンチップと称する）を得た。
【００１６】これらのグリーンチップをジルコニア敷紛
と混ぜ合わせアルミナ質のさやに入れ、４００℃の温度
で１２時間窒素混合空気雰囲気中でバインダー除去を行
った後、引続き窒素、水素の混合グリーンガスを用い、
酸素濃度が調整されＮｉが酸化されない還元性雰囲気中
で１３１０℃で２時間保持し焼結を行った。その後、降
温冷却過程の９００℃の温度で、窒素、水素、酸素で調
整された雰囲気で１時間保持し焼結体の再酸化を行った
後、室温まで冷却し積層セラミックコンデンサの焼結体
を作製した。
と混ぜ合わせアルミナ質のさやに入れ、４００℃の温度
で１２時間窒素混合空気雰囲気中でバインダー除去を行
った後、引続き窒素、水素の混合グリーンガスを用い、
酸素濃度が調整されＮｉが酸化されない還元性雰囲気中
で１３１０℃で２時間保持し焼結を行った。その後、降
温冷却過程の９００℃の温度で、窒素、水素、酸素で調
整された雰囲気で１時間保持し焼結体の再酸化を行った
後、室温まで冷却し積層セラミックコンデンサの焼結体
を作製した。
【００１７】次に、得られた積層セラミックコンデンサ
の焼結体をバレル研磨したあと、焼結体の端面に露出し
た内部電極と電気的に接続するように、焼結体端面にＣ
ｕを主成分とする外部電極ペーストの塗布を行い、窒素
と水素の混合グリーンガスで酸素濃度を調整した雰囲気
中において、８５０℃で１５分間焼き付けを行い外部電
極を形成した。
の焼結体をバレル研磨したあと、焼結体の端面に露出し
た内部電極と電気的に接続するように、焼結体端面にＣ
ｕを主成分とする外部電極ペーストの塗布を行い、窒素
と水素の混合グリーンガスで酸素濃度を調整した雰囲気
中において、８５０℃で１５分間焼き付けを行い外部電
極を形成した。
【００１８】形成した外部電極の表面に、電解メッキ法
を用いてニッケル膜、さらにニッケル膜の表面に半田膜
を形成し積層セラミックコンデンサを完成した。
を用いてニッケル膜、さらにニッケル膜の表面に半田膜
を形成し積層セラミックコンデンサを完成した。
【００１９】得られた積層セラミックコンデンサの初期
のショート率を測定し、また、加速寿命試験として１２
５℃の温度下で、所定の電圧を２５０時間連続印加した
後の絶縁抵抗劣化状況（ＩＲが１×１０7Ω以下に劣化
したものを不良としてカウントした）を測定し（表２）
に示した。
のショート率を測定し、また、加速寿命試験として１２
５℃の温度下で、所定の電圧を２５０時間連続印加した
後の絶縁抵抗劣化状況（ＩＲが１×１０7Ω以下に劣化
したものを不良としてカウントした）を測定し（表２）
に示した。
【００２０】
【表２】
【００２１】（表２）から明らかなように、（Ｄ５０）
で表される平均粒径が有効層厚みの１／５以下で作製さ
れた有効層を用いたものはショート率も少なく寿命特性
も優れている。これに対して、平均粒径が有効層の１／
５を超えるものは、焼結性が均一ではなく、焼成後のシ
ョート率が高く寿命特性も劣る。これは、粒子径が有効
層厚みに対して大きすぎるため、焼成時の反応が均一で
はなく、その結果、ボイド、ポア等の発生が多くなるた
めである。尚、誘電体粉末の径の調整の仕方は、本実施
の形態に限られるものではなく、他の方法でも本発明の
請求項１に記載した紛体の条件を満たしていれば同様な
結果が得られるものである。
で表される平均粒径が有効層厚みの１／５以下で作製さ
れた有効層を用いたものはショート率も少なく寿命特性
も優れている。これに対して、平均粒径が有効層の１／
５を超えるものは、焼結性が均一ではなく、焼成後のシ
ョート率が高く寿命特性も劣る。これは、粒子径が有効
層厚みに対して大きすぎるため、焼成時の反応が均一で
はなく、その結果、ボイド、ポア等の発生が多くなるた
めである。尚、誘電体粉末の径の調整の仕方は、本実施
の形態に限られるものではなく、他の方法でも本発明の
請求項１に記載した紛体の条件を満たしていれば同様な
結果が得られるものである。
【００２２】（実施の形態２）実施の形態１と同様、出
発原料として、ＢａＴｉＯ3を主成分として９５％以上
含む組成の原料を所定の組成で秤量配合し、これらの出
発原料に対して純水を加え、イットリア部分安定化Ｚｒ
Ｏ2ボールを媒体としてボールミルで１７時間湿式混合
粉砕を行った後、脱水乾燥する。この脱水した混合材料
を解砕し、３２メッシュ篩を全通させた後、アルミナ質
の坩堝に入れ、１０５０℃の温度で２時間保持し仮焼し
た。
発原料として、ＢａＴｉＯ3を主成分として９５％以上
含む組成の原料を所定の組成で秤量配合し、これらの出
発原料に対して純水を加え、イットリア部分安定化Ｚｒ
Ｏ2ボールを媒体としてボールミルで１７時間湿式混合
粉砕を行った後、脱水乾燥する。この脱水した混合材料
を解砕し、３２メッシュ篩を全通させた後、アルミナ質
の坩堝に入れ、１０５０℃の温度で２時間保持し仮焼し
た。
【００２３】この仮焼済み原料を、イットリア部分安定
化ジルコニアボールを媒体としたボールミルおよび湿式
ジェットミルを用い（表３）の紛体特性となるように粉
砕し紛体を作製した。（このときの粒度分布は実施の形
態１と同様、レーザー回折方式の粒度分布計を用いて測
定した。）この紛体を実施の形態１と同条件で積層チッ
プコンデンサを積層し焼成した。尚、有効層は、５μ×
１５０層とした。
化ジルコニアボールを媒体としたボールミルおよび湿式
ジェットミルを用い（表３）の紛体特性となるように粉
砕し紛体を作製した。（このときの粒度分布は実施の形
態１と同様、レーザー回折方式の粒度分布計を用いて測
定した。）この紛体を実施の形態１と同条件で積層チッ
プコンデンサを積層し焼成した。尚、有効層は、５μ×
１５０層とした。
【００２４】
【表３】
【００２５】得られた焼結体の外観を金属顕微鏡で観察
し、クラックの発生の有無を評価した。また、エポキシ
樹脂中に素子を埋め込み研磨後、デラミネーションの発
生を評価した。これらの結果を（表４）に示した。
し、クラックの発生の有無を評価した。また、エポキシ
樹脂中に素子を埋め込み研磨後、デラミネーションの発
生を評価した。これらの結果を（表４）に示した。
【００２６】
【表４】
【００２７】この結果より、紛体特性の粒度分布がＤ１
０／Ｄ５０，Ｄ９０／Ｄ５０がそれぞれ０．５以上、Ｄ
９０／Ｄ５０が１．４５以下であり、比表面積測定値
（ＢＥＴ値）がＤ５０の値を元に一つ一つの粉を真球と
して計算値から求められる理論比表面積値（理論ＢＥＴ
値）の３倍以下のものは、クリック、デラミネーション
の発生がなく、構造欠陥のない優れた積層セラミックコ
ンデンサが得られた。これに対して、Ｄ１０／Ｄ５０が
０．５未満、Ｄ９０／Ｄ５０が１．５を超えるもの、比
表面積測定値（ＢＥＴ値）が理論比表面積値（理論ＢＥ
Ｔ値）の３倍を超えるものは、紛体形状のばらつきが大
きすぎることからセラミックグリーンシート中の紛体の
充填性が不均一であり、そのため積層時に内部歪が大き
く、セラミックの焼結が不均一になり、デラミネーショ
ン、クラック等の構造欠陥を発生した。
０／Ｄ５０，Ｄ９０／Ｄ５０がそれぞれ０．５以上、Ｄ
９０／Ｄ５０が１．４５以下であり、比表面積測定値
（ＢＥＴ値）がＤ５０の値を元に一つ一つの粉を真球と
して計算値から求められる理論比表面積値（理論ＢＥＴ
値）の３倍以下のものは、クリック、デラミネーション
の発生がなく、構造欠陥のない優れた積層セラミックコ
ンデンサが得られた。これに対して、Ｄ１０／Ｄ５０が
０．５未満、Ｄ９０／Ｄ５０が１．５を超えるもの、比
表面積測定値（ＢＥＴ値）が理論比表面積値（理論ＢＥ
Ｔ値）の３倍を超えるものは、紛体形状のばらつきが大
きすぎることからセラミックグリーンシート中の紛体の
充填性が不均一であり、そのため積層時に内部歪が大き
く、セラミックの焼結が不均一になり、デラミネーショ
ン、クラック等の構造欠陥を発生した。
【００２８】以上の結果から、紛体粒度分布のＤ１０／
Ｄ５０，Ｄ９０／Ｄ５０を制御し、ＢＥＴ値の増大を防
ぐことによりショートやクラック等の構造欠陥の発生を
防ぐことができた。
Ｄ５０，Ｄ９０／Ｄ５０を制御し、ＢＥＴ値の増大を防
ぐことによりショートやクラック等の構造欠陥の発生を
防ぐことができた。
【００２９】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、セラミ
ックグリーンシートにレーザー回折方式等の粒度分布計
で測定された５０％累積度数分布粒子径（Ｄ５０）で表
される平均粒径が、有効層厚みの１／５以下の大きさで
成る誘電体粉末で構成されたものを用いることにより、
焼成時のグレインの成長を抑制し均一な焼結体とするこ
とができ、有効層を薄膜化してもショート不良やクラッ
ク、デラミネーション等の構造欠陥の少ない信頼性の高
い積層セラミックコンデンサを得ることができる。
ックグリーンシートにレーザー回折方式等の粒度分布計
で測定された５０％累積度数分布粒子径（Ｄ５０）で表
される平均粒径が、有効層厚みの１／５以下の大きさで
成る誘電体粉末で構成されたものを用いることにより、
焼成時のグレインの成長を抑制し均一な焼結体とするこ
とができ、有効層を薄膜化してもショート不良やクラッ
ク、デラミネーション等の構造欠陥の少ない信頼性の高
い積層セラミックコンデンサを得ることができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4G030 AA10 AA12 AA16 AA17 BA09 CA08 GA11 4G031 AA06 AA08 AA11 AA12 BA09 CA08 GA03 5E001 AB03 AE00 AE02 AE03
Claims (3)
- 【請求項１】 内部電極を挟む有効層に用いるセラミッ
クグリーンシートとして、レーザー回折方式等の粒度分
布計で測定された５０％累積度数分布粒子径（Ｄ５０）
で表される平均粒径が有効層厚みの１／５以下の大きさ
で成る誘電体粉末で構成されたものを用いた積層セラミ
ックコンデンサ。 - 【請求項２】 有効層に用いるセラミックグリーンシー
トが、レーザー回折方式等の粒度分布計で測定された１
０％累積度数分布粒子径（Ｄ１０）、５０％累積度数分
布粒子径（Ｄ５０）、９０％累積度数分布粒子径（Ｄ９
０）の比率においてＤ１０／Ｄ５０が０．５以上、Ｄ９
０／Ｄ５０が１．４５以下の粒度分布をもつ誘電体粉末
で構成されたものを用いた請求項１に記載の積層セラミ
ックコンデンサ。 - 【請求項３】 有効層に用いるセラミックグリーンシー
トが、比表面積測定値が５０％累積度数分布粒子径を用
いて計算される理論比表面積値の３．０倍以下の誘電体
粉末で構成されたものを用いた請求項１または２に記載
の積層セラミックコンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11077411A JP2000277368A (ja) | 1999-03-23 | 1999-03-23 | 積層セラミックコンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11077411A JP2000277368A (ja) | 1999-03-23 | 1999-03-23 | 積層セラミックコンデンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000277368A true JP2000277368A (ja) | 2000-10-06 |
Family
ID=13633198
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11077411A Pending JP2000277368A (ja) | 1999-03-23 | 1999-03-23 | 積層セラミックコンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000277368A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002338344A (ja) * | 2001-05-21 | 2002-11-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 耐還元性誘電体組成物及びそれを用いたセラミック電子部品 |
| WO2004038743A1 (ja) * | 2002-10-28 | 2004-05-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 積層セラミックコンデンサの製造方法 |
| EP1583114A1 (en) * | 2004-03-31 | 2005-10-05 | TDK Corporation | Multilayer ceramic capacitor |
| EP1583113A1 (en) * | 2004-03-31 | 2005-10-05 | TDK Corporation | Multilayer ceramic capacitor |
| JP2006282483A (ja) * | 2005-04-04 | 2006-10-19 | Tdk Corp | 電子部品、誘電体磁器組成物およびその製造方法 |
| US7131174B2 (en) * | 2002-03-07 | 2006-11-07 | Tdk Corporation | Ceramic electronic device and method of production of same |
| JP2008247657A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-16 | Tdk Corp | 誘電体磁器組成物および電子部品 |
| JP2010150082A (ja) * | 2008-12-25 | 2010-07-08 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 誘電体セラミックス材料の製造方法 |
-
1999
- 1999-03-23 JP JP11077411A patent/JP2000277368A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002338344A (ja) * | 2001-05-21 | 2002-11-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 耐還元性誘電体組成物及びそれを用いたセラミック電子部品 |
| US7131174B2 (en) * | 2002-03-07 | 2006-11-07 | Tdk Corporation | Ceramic electronic device and method of production of same |
| WO2004038743A1 (ja) * | 2002-10-28 | 2004-05-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 積層セラミックコンデンサの製造方法 |
| US6947276B2 (en) | 2002-10-28 | 2005-09-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Process for producing laminated ceramic capacitor |
| JPWO2004038743A1 (ja) * | 2002-10-28 | 2006-02-23 | 松下電器産業株式会社 | 積層セラミックコンデンサの製造方法 |
| JP4622518B2 (ja) * | 2002-10-28 | 2011-02-02 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサの製造方法 |
| EP1583114A1 (en) * | 2004-03-31 | 2005-10-05 | TDK Corporation | Multilayer ceramic capacitor |
| EP1583113A1 (en) * | 2004-03-31 | 2005-10-05 | TDK Corporation | Multilayer ceramic capacitor |
| JP2006282483A (ja) * | 2005-04-04 | 2006-10-19 | Tdk Corp | 電子部品、誘電体磁器組成物およびその製造方法 |
| JP2008247657A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-16 | Tdk Corp | 誘電体磁器組成物および電子部品 |
| JP2010150082A (ja) * | 2008-12-25 | 2010-07-08 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 誘電体セラミックス材料の製造方法 |
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