JP2000276988A - Chip resistor with fuse - Google Patents
Chip resistor with fuseInfo
- Publication number
- JP2000276988A JP2000276988A JP11085332A JP8533299A JP2000276988A JP 2000276988 A JP2000276988 A JP 2000276988A JP 11085332 A JP11085332 A JP 11085332A JP 8533299 A JP8533299 A JP 8533299A JP 2000276988 A JP2000276988 A JP 2000276988A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ceramic substrate
- film resistor
- fuse
- thermal fuse
- thick
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Fuses (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明はヒューズを搭載した
ヒューズ付きチップ抵抗器に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a chip resistor provided with a fuse and having a fuse.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来より、電気回路装置の過電流や異常
発熱に対する保護手段として、ヒューズが用いられてい
る。このヒューズは、電流ヒューズと温度ヒューズに大
別される。電流ヒューズは、自身に流れる電流で自己発
熱して過電流時に自らの発熱により溶断され、温度ヒュ
ーズは、トランジスタ等の発熱源の近傍に設置されて、
異常発熱が発生した時に溶断される。2. Description of the Related Art Conventionally, fuses have been used as protection means against overcurrent and abnormal heat generation of electric circuit devices. This fuse is roughly classified into a current fuse and a thermal fuse. The current fuse is self-heated by the current flowing through itself, and is blown by its own heat at the time of overcurrent, and the temperature fuse is installed near a heat source such as a transistor.
Fused when abnormal heat generation occurs.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかし、電流ヒューズ
は、効率良く自己発熱させるために非常に低い抵抗値に
設定されているため、定格電流設定のための抵抗値の管
理が面倒であるという欠点がある。また、温度ヒューズ
は、トランジスタ等の部品に密着させる必要があり、し
かも、溶断時間を短くするために比較的低い温度（共晶
半田の溶融温度以下）で溶断させる必要があるため、温
度ヒューズをチップ抵抗器のようなリフロー半田付け可
能なチップ部品にすることができなかった。このため、
温度ヒューズをマザーボード等の回路基板に半田付けす
る作業を人手により行わなければならず、温度ヒューズ
の実装作業が甚だ面倒であった。However, since the current fuse is set to a very low resistance value for efficient self-heating, it is troublesome to manage the resistance value for setting the rated current. There is. In addition, the thermal fuse must be closely attached to components such as a transistor, and must be blown at a relatively low temperature (below the melting temperature of eutectic solder) in order to shorten the fusing time. Reflow solderable chip components such as chip resistors could not be formed. For this reason,
The work of soldering the thermal fuse to a circuit board such as a motherboard has to be performed manually, and the work of mounting the thermal fuse is extremely troublesome.
【０００４】本発明はこのような事情を考慮してなされ
たものであり、従ってその目的は、定格電流の設定が容
易で、且つリフロー半田付けが可能なヒューズ付きチッ
プ抵抗器を提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to provide a chip resistor with a fuse which can easily set a rated current and can be reflow-soldered. is there.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の請求項１のヒューズ付きチップ抵抗器は、
セラミック基板の両側部に端子電極を形成し、該セラミ
ック基板の上面に厚膜抵抗体を形成すると共に、該セラ
ミック基板上に厚膜抵抗体に近接して温度ヒューズを搭
載し、この温度ヒューズを前記厚膜抵抗体に直列に接続
したものである。これにより、温度ヒューズを搭載した
チップ抵抗器が構成され、マザーボード等の回路基板へ
の温度ヒューズ（チップ抵抗器）の実装をリフロー半田
付けにより行うことができる。しかも、温度ヒューズを
加熱するヒータを厚膜抵抗体で構成したので、定格電流
設定のための抵抗値の調整をレーザトリミング等のトリ
ミング技術により容易且つ精度良く行うことができ、温
度ヒューズの溶断特性のばらつきを少なくすることがで
きる。In order to achieve the above object, a chip resistor with a fuse according to claim 1 of the present invention comprises:
Terminal electrodes are formed on both sides of the ceramic substrate, a thick film resistor is formed on the upper surface of the ceramic substrate, and a thermal fuse is mounted on the ceramic substrate in proximity to the thick film resistor. The thick-film resistor is connected in series. As a result, a chip resistor equipped with a thermal fuse is formed, and the thermal fuse (chip resistor) can be mounted on a circuit board such as a motherboard by reflow soldering. In addition, since the heater for heating the thermal fuse is made of a thick film resistor, the resistance value for setting the rated current can be easily and accurately adjusted by a trimming technique such as laser trimming. Can be reduced.
【０００６】この場合、セラミック基板は、アルミナ等
の焼成温度の高いセラミックで形成しても良いが、請求
項２のように、セラミック基板をガラスセラミックで形
成することが好ましい。ガラスセラミックは、アルミナ
よりも熱伝導率が低いため、厚膜抵抗体で発生した熱が
セラミック基板を熱伝導して外部に放熱する割合を少な
くできて、厚膜抵抗体の発熱で温度ヒューズを効率良く
加熱することができ、過電流に対する温度ヒューズの溶
断時間を短縮することができる。In this case, the ceramic substrate may be formed of a ceramic such as alumina having a high firing temperature, but it is preferable that the ceramic substrate is formed of a glass ceramic. Glass ceramic has a lower thermal conductivity than alumina.Thus, the rate of heat generated by the thick film resistor can be reduced by conducting heat through the ceramic substrate and radiating it to the outside. Heating can be performed efficiently, and the blowing time of the thermal fuse against overcurrent can be shortened.
【０００７】また、請求項３のように、セラミック基板
を多層基板で形成しても良い。このようにすれば、厚膜
抵抗体と温度ヒューズとの直列回路からセラミック基板
の両側部の端子電極までの配線を立体化することがで
き、セラミック基板を小型化することができる。Further, the ceramic substrate may be formed of a multilayer substrate. With this configuration, the wiring from the series circuit of the thick film resistor and the thermal fuse to the terminal electrodes on both sides of the ceramic substrate can be made three-dimensional, and the size of the ceramic substrate can be reduced.
【０００８】[0008]
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態を図面
に基づいて説明する。セラミック基板１１はガラスセラ
ミック（低温焼成セラミック）の２層基板により構成さ
れている。ガラスセラミックは、例えばＣａＯ−Ａｌ2
Ｏ3 −ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 系ガラス粉末：５０〜６５重
量％（好ましくは６０重量％）とＡｌ2 Ｏ3 粉末：５０
〜３５重量％（好ましくは４０重量％）との混合物が用
いられている。これ以外にも、例えばＭｇＯ−Ａｌ2 Ｏ
3 −ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 系のガラス粉末とＡｌ2 Ｏ3 粉
末との混合物を用いたり、ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 系のガラ
ス粉末とＡｌ2 Ｏ3 粉末との混合物を用いたり、結晶化
ガラス系を用いても良く、要は、８００〜１０００℃で
焼成できるガラスセラミックを用いれば良い。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. The ceramic substrate 11 is formed of a two-layer glass ceramic (low-temperature fired ceramic) substrate. Glass ceramic is, for example, CaO-Al 2
O 3 -SiO 2 -B 2 O 3 based glass powder: 50-65% by weight (preferably 60 wt%) and Al 2 O 3 powder: 50
A mixture with 35% by weight (preferably 40% by weight) is used. Other than this, for example, MgO-Al 2 O
3 or using -SiO 2 -B 2 O 3 based mixture of the glass powder and the Al 2 O 3 powder, or with a mixture of glass powder and Al 2 O 3 powder of SiO 2 -B 2 O 3 based, A crystallized glass system may be used. In short, a glass ceramic which can be fired at 800 to 1000 ° C may be used.
【０００９】２層のセラミック基板１１は、例えばグリ
ーンシート積層法により２枚のグリーンシートを積層し
て形成され、該セラミック基板１１の両側部には、端子
電極１２，１３が形成されている。各端子電極１２，１
３は、セラミック基板１１の焼成後に例えばＡｇ／Ｐ
ｄ、Ａｇ／Ｐｔ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ等の低融点金属の導
体ペーストを印刷して焼成したものである。The two-layer ceramic substrate 11 is formed by laminating two green sheets by, for example, a green sheet laminating method. Terminal electrodes 12 and 13 are formed on both sides of the ceramic substrate 11. Each terminal electrode 12, 1
3 is, for example, Ag / P after firing the ceramic substrate 11.
d, Ag / Pt, Ag, Au, Cu, and other low melting point metal conductor pastes are printed and fired.
【００１０】セラミック基板１１の各層のセラミック層
１１ａ，１１ｂには、ビアホール１４が２個ずつ形成さ
れ、各ビアホール１４内には、ビア導体１５〜１８が充
填されている。下層のセラミック層１１ａの上面には、
内層配線パターン１９，２０が形成され、上層のセラミ
ック層１１ｂの上面には、３個の導体ランド２１〜２３
が形成されている。これらビア導体１５〜１８、内層配
線パターン１９，２０及び導体ランド２１〜２３は、例
えばＡｇ／Ｐｄ、Ａｇ／Ｐｔ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ等の低
融点金属の導体ペーストを印刷して８００〜１０００℃
でセラミック基板１１と同時焼成したものである。尚、
導体ランド２１〜２３は、セラミック基板１１の焼成後
に、印刷して後焼成しても良い。Two via holes 14 are formed in each of the ceramic layers 11 a and 11 b of the ceramic substrate 11, and the via holes 14 are filled with via conductors 15 to 18. On the upper surface of the lower ceramic layer 11a,
Inner layer wiring patterns 19 and 20 are formed, and three conductor lands 21 to 23 are formed on the upper surface of upper ceramic layer 11b.
Are formed. The via conductors 15 to 18, the inner layer wiring patterns 19 and 20, and the conductor lands 21 to 23 are formed by printing a conductor paste of a low melting point metal such as Ag / Pd, Ag / Pt, Ag, Au, or Cu, for example, to 800 to 1000. ° C
And fired simultaneously with the ceramic substrate 11. still,
The conductor lands 21 to 23 may be printed and post-fired after the firing of the ceramic substrate 11.
【００１１】左側の端子電極１２は、下層左側のビア導
体１５、内層配線パターン１９及び上層左側のビア導体
１７を介して内側の導体ランド２１に導通し、右側の端
子電極１３は、下層右側のビア導体１６、内層配線パタ
ーン２０及び上層右側のビア導体１８を介して右側の導
体ランド２３に導通している。The left terminal electrode 12 is electrically connected to the inner conductor land 21 via the lower left via conductor 15, the inner wiring pattern 19, and the upper left via conductor 17, and the right terminal electrode 13 is connected to the lower right electrode. It is electrically connected to the right conductor land 23 via the via conductor 16, the inner layer wiring pattern 20, and the upper layer right via conductor 18.
【００１２】セラミック基板１１の上面には、２つの導
体ランド２１，２２に跨がって厚膜抵抗体２４が形成さ
れている。この厚膜抵抗体２４は、例えばＲｕＯ2 等の
抵抗体ペーストを印刷し、セラミック基板１１と同時焼
成しても良いし、後焼成しても良い。この厚膜抵抗体２
４の抵抗値を調整する場合は、定格電流に応じてレーザ
トリミング等のトリミング技術により厚膜抵抗体２４に
適宜の大きさのトリミング溝２５を形成することで、厚
膜抵抗体２４の抵抗値を調整する。On the upper surface of the ceramic substrate 11, a thick film resistor 24 is formed so as to extend over the two conductor lands 21 and 22. The thick film resistor 24 may be printed with a resistor paste such as RuO 2 and fired simultaneously with the ceramic substrate 11 or fired afterwards. This thick film resistor 2
In the case of adjusting the resistance value of the thick film resistor 24, a trimming groove 25 of an appropriate size is formed in the thick film resistor 24 by a trimming technique such as laser trimming according to the rated current. To adjust.
【００１３】更に、左端の導体ランド２２と右端の導体
ランド２３とに跨がって温度ヒューズ２６が高温半田２
７，２８によって接続され、該温度ヒューズ２６が厚膜
抵抗体２４と直列に接続されている。この温度ヒューズ
２６は、厚膜抵抗体２４の発熱で加熱されやすいよう
に、厚膜抵抗体２４の上面に近接した位置に配置されて
いる。Further, the temperature fuse 26 is connected to the leftmost conductor land 22 and the rightmost conductor land 23 by the high-temperature solder 2.
The thermal fuse 26 is connected in series with the thick film resistor 24. The thermal fuse 26 is arranged at a position close to the upper surface of the thick-film resistor 24 so that it is easily heated by the heat generated by the thick-film resistor 24.
【００１４】また、温度ヒューズ２６を導体ランド２
２，２３に接続する高温半田２７，２８は、溶融温度が
共晶半田の溶融温度（１８３℃）より高く、例えば２４
０℃以上の溶融温度であり、リフロー半田付け工程でも
高温半田２７，２８が溶融しないようになっている。ま
た、温度ヒューズ２６の溶断時の切れを良くするため
に、温度ヒューズ２６にはフラックスが塗布されてい
る。尚、セラミック基板１１上には、温度ヒューズ２６
等を覆うように耐熱プラスチック製のキャップ２９が被
せられている。The thermal fuse 26 is connected to the conductor land 2.
The high-temperature solders 27 and 28 connected to the high-temperature solders 2 and 23 have melting temperatures higher than the melting temperature of the eutectic solder (183 ° C.), for example, 24
The melting temperature is 0 ° C. or higher, so that the high-temperature solders 27 and 28 do not melt even in the reflow soldering process. In addition, a flux is applied to the thermal fuse 26 in order to improve the disconnection of the thermal fuse 26 at the time of blowing. Note that a thermal fuse 26 is provided on the ceramic substrate 11.
A cap 29 made of heat-resistant plastic is covered so as to cover the like.
【００１５】以上のように構成したヒューズ付きチップ
抵抗器は、マザーボードにリフロー半田付けにより実装
される。そして、回路の動作中は、電源から供給される
電流が厚膜抵抗体２４と温度ヒューズ２６との直列回路
を介してマザーボード上の回路素子に流れる。この際、
厚膜抵抗体２４に電源電流が流れることで、厚膜抵抗体
２４が発熱して温度ヒューズ２６が加熱されるが、電源
電流が定格電流以下であれば、厚膜抵抗体２４の発熱量
は温度ヒューズ２６を溶断するまでには至らず、電源電
流が流れ続ける。The chip resistor with a fuse configured as described above is mounted on a motherboard by reflow soldering. Then, during operation of the circuit, a current supplied from a power supply flows to a circuit element on the motherboard via a series circuit of the thick film resistor 24 and the thermal fuse 26. On this occasion,
When a power supply current flows through the thick-film resistor 24, the thick-film resistor 24 generates heat and heats the temperature fuse 26. If the power-supply current is equal to or less than the rated current, the amount of heat generated by the thick-film resistor 24 is reduced. The power supply current continues to flow without blowing the thermal fuse 26.
【００１６】もし、電源電流が定格電流を越えれば、厚
膜抵抗体２４の発熱量が温度ヒューズ２６を溶断させる
のに必要な発熱量を越え、温度ヒューズ２６が溶断さ
れ、電源電流が遮断されてマザーボード上の回路素子が
保護される。尚、厚膜抵抗体２４をトランジスタ等の回
路素子の電流制限抵抗として用いても良い。If the power supply current exceeds the rated current, the calorific value of the thick film resistor 24 exceeds the calorific value required to blow the thermal fuse 26, the thermal fuse 26 is blown, and the power supply current is cut off. Thus, circuit elements on the motherboard are protected. The thick film resistor 24 may be used as a current limiting resistor of a circuit element such as a transistor.
【００１７】以上説明した本実施形態によれば、温度ヒ
ューズ２６を厚膜抵抗体２４と組み合わせてチップ部品
化し、温度ヒューズ２６を高温半田２７，２８で組み付
けたので、マザーボードへの温度ヒューズ２６（チップ
抵抗器）の実装をリフロー半田付けにより行うことが可
能となり、他のチップ部品と同様に、チップマウントシ
ステムを用いて温度ヒューズ２６を極めて能率良くマザ
ーボードに実装することができる。しかも、温度ヒュー
ズ２６を加熱するヒータを厚膜抵抗体２４で構成したの
で、定格電流設定のための厚膜抵抗体２４の抵抗値の調
整をレーザトリミング等のトリミング技術により容易且
つ精度良く行うことができ、温度ヒューズ２６の溶断特
性のばらつきを少なくすることができて、温度ヒューズ
２６としての品質、信頼性を向上できる。According to the present embodiment described above, the thermal fuse 26 is combined with the thick film resistor 24 to form a chip component, and the thermal fuse 26 is assembled with the high-temperature solders 27 and 28. Therefore, the thermal fuse 26 ( The chip resistor can be mounted by reflow soldering, and the temperature fuse 26 can be mounted on the motherboard very efficiently using a chip mount system, similarly to other chip components. Moreover, since the heater for heating the thermal fuse 26 is constituted by the thick film resistor 24, the resistance value of the thick film resistor 24 for setting the rated current can be easily and accurately adjusted by a trimming technique such as laser trimming. Thus, variation in the fusing characteristics of the thermal fuse 26 can be reduced, and the quality and reliability of the thermal fuse 26 can be improved.
【００１８】更に、温度ヒューズ２６の搭載基板として
セラミック基板１１を用いているので、厚膜抵抗体２４
が高温になっても、該基板１１の発煙・発火を防止でき
る。しかも、セラミック基板１１を、アルミナよりも熱
伝導率が低いガラスセラミックで形成しているため、厚
膜抵抗体２４で発生した熱がセラミック基板１１を熱伝
導してマザーボード側に放熱する割合を少なくできて、
厚膜抵抗体２４の発熱で温度ヒューズ２６を効率良く加
熱することができる。これにより、過電流に対する温度
ヒューズ２６の溶断時間を短縮することができて、過電
流発生時にそれを速やかに遮断できる。但し、本発明
は、セラミック基板１１をアルミナ等の焼成温度の高い
セラミックで形成しても良く、この場合でも、本発明の
所期の目的を十分に達成することができる。Further, since the ceramic substrate 11 is used as a mounting substrate for the thermal fuse 26, the thick film resistor 24
Even when the temperature of the substrate 11 becomes high, it is possible to prevent the substrate 11 from emitting smoke or firing. In addition, since the ceramic substrate 11 is formed of glass ceramic having a lower thermal conductivity than alumina, the rate at which heat generated by the thick film resistor 24 conducts through the ceramic substrate 11 and dissipates heat toward the motherboard is reduced. Done,
The heat generated by the thick film resistor 24 can heat the thermal fuse 26 efficiently. As a result, the time required to blow the thermal fuse 26 against overcurrent can be shortened, and when overcurrent occurs, it can be quickly cut off. However, in the present invention, the ceramic substrate 11 may be formed of a ceramic having a high firing temperature such as alumina. Even in this case, the intended object of the present invention can be sufficiently achieved.
【００１９】また、本実施形態では、セラミック基板１
１を２層基板で形成したので、厚膜抵抗体２４と温度ヒ
ューズ２６との直列回路からセラミック基板１１の両側
部の端子電極１２，１３までの配線を立体化することが
でき、セラミック基板１１を小型化することができ、チ
ップ部品の小型化（高密度実装化）の要求を満たすこと
ができる。尚、セラミック基板１１を３層以上の多層基
板で形成しても良いことは言うまでもない。勿論、セラ
ミック基板１１を単層基板で形成しても良く、この場合
でも、本発明の所期の目的を十分に達成することができ
る。In this embodiment, the ceramic substrate 1
1 is formed on a two-layer substrate, the wiring from the series circuit of the thick film resistor 24 and the thermal fuse 26 to the terminal electrodes 12 and 13 on both sides of the ceramic substrate 11 can be made three-dimensional. Can be miniaturized, and the demand for miniaturization of chip components (high-density mounting) can be satisfied. Needless to say, the ceramic substrate 11 may be formed of a multilayer substrate having three or more layers. Of course, the ceramic substrate 11 may be formed of a single-layer substrate, and even in this case, the intended object of the present invention can be sufficiently achieved.
【００２０】また、セラミック基板１１を多層化する製
法は、グリーンシート積層法に限定されず、１層目のグ
リーンシートの内層配線パターン上にセラミックのペー
ストを印刷して２層目のセラミック層を形成する多層印
刷法を用いても良い。The method of forming the ceramic substrate 11 into multiple layers is not limited to the green sheet laminating method, and a ceramic paste is printed on the inner wiring pattern of the first green sheet to form the second ceramic layer. A multi-layer printing method to be formed may be used.
【００２１】[0021]
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
の請求項１では、温度ヒューズを厚膜抵抗体と組み合わ
せてチップ部品化したので、マザーボード等の回路基板
への温度ヒューズの実装をリフロー半田付けにより行う
ことができ、温度ヒューズの実装性を向上できると共
に、定格電流設定のための抵抗値の調整をレーザトリミ
ング等のトリミング技術により容易且つ精度良く行うこ
とができ、温度ヒューズの溶断特性のばらつきを少なく
することができて、温度ヒューズとしての品質、信頼性
を向上できる。As is apparent from the above description, in the first aspect of the present invention, the thermal fuse is combined with a thick-film resistor to form a chip component, so that the thermal fuse is mounted on a circuit board such as a motherboard. It can be performed by reflow soldering, and the mountability of the thermal fuse can be improved, and the resistance value for setting the rated current can be easily and accurately adjusted by a trimming technique such as laser trimming. Variations in characteristics can be reduced, and the quality and reliability of the thermal fuse can be improved.
【００２２】しかも、請求項２では、セラミック基板
を、アルミナよりも熱伝導率が低いガラスセラミックで
形成したので、厚膜抵抗体で発生した熱の放熱割合を少
なくできて、温度ヒューズを効率良く加熱することがで
き、過電流発生時にそれを速やかに遮断できる。Further, in the second aspect, the ceramic substrate is formed of a glass ceramic having a lower thermal conductivity than alumina, so that the rate of radiating heat generated by the thick-film resistor can be reduced and the thermal fuse can be efficiently used. It can be heated, and when an overcurrent occurs, it can be quickly shut off.
【００２３】また、請求項３では、セラミック基板を多
層基板で形成したので、セラミック基板を小型化して、
ヒューズ付きチップ抵抗器を小型化することができる。In the third aspect, since the ceramic substrate is formed of a multilayer substrate, the size of the ceramic substrate can be reduced.
The chip resistor with a fuse can be reduced in size.
【図１】本発明の一実施形態を示すヒューズ付きチップ
抵抗器の縦断面図FIG. 1 is a longitudinal sectional view of a chip resistor with a fuse showing one embodiment of the present invention.
【図２】図１のＡ−Ａ線に沿って示す横断面図FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line AA of FIG.
【図３】ヒューズ付きチップ抵抗器の電気回路図FIG. 3 is an electric circuit diagram of a chip resistor with a fuse.
１１…セラミック基板、１１ａ，１１ｂ…セラミック
層、１２，１３…端子電極、１５〜１８…ビア導体、１
９，２０…内層配線パターン、２１〜２３…導体ラン
ド、２４…厚膜抵抗体、２５…トリミング溝、２６…温
度ヒューズ、２７，２８…高温半田、２９…キャップ。11 ceramic substrate, 11a, 11b ceramic layer, 12, 13 terminal electrode, 15-18 via conductor, 1
9, 20: inner layer wiring pattern, 21 to 23: conductor land, 24: thick film resistor, 25: trimming groove, 26: thermal fuse, 27, 28: high temperature solder, 29: cap.
Claims (3)
ク基板と、 前記セラミック基板の上面に形成された厚膜抵抗体と、 前記セラミック基板上に前記厚膜抵抗体に近接して搭載
され、前記厚膜抵抗体に直列に接続された温度ヒューズ
とを備えたヒューズ付きチップ抵抗器。A ceramic substrate having terminal electrodes formed on both sides thereof; a thick film resistor formed on an upper surface of the ceramic substrate; a ceramic substrate mounted on the ceramic substrate in proximity to the thick film resistor; A chip resistor with a fuse, comprising: a thermal fuse connected in series to the thick film resistor.
クで形成されていることを特徴とする請求項１に記載の
ヒューズ付きチップ抵抗器。2. The chip resistor with a fuse according to claim 1, wherein the ceramic substrate is formed of glass ceramic.
されていることを特徴とする請求項１又は２に記載のヒ
ューズ付きチップ抵抗器。3. The chip resistor with a fuse according to claim 1, wherein the ceramic substrate is formed of a multilayer substrate.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11085332A JP2000276988A (en) | 1999-03-29 | 1999-03-29 | Chip resistor with fuse |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11085332A JP2000276988A (en) | 1999-03-29 | 1999-03-29 | Chip resistor with fuse |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000276988A true JP2000276988A (en) | 2000-10-06 |
Family
ID=13855693
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11085332A Withdrawn JP2000276988A (en) | 1999-03-29 | 1999-03-29 | Chip resistor with fuse |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000276988A (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008112735A (en) * | 2007-12-11 | 2008-05-15 | Nec Schott Components Corp | Protection device using temperature fuse |
| JP2012074179A (en) * | 2010-09-28 | 2012-04-12 | Kyocera Corp | Ceramic fuse and substrate for ceramic fuse |
| JP2014049553A (en) * | 2012-08-30 | 2014-03-17 | Nichicon Corp | Solid electrolytic capacitor |
| CN115295262A (en) * | 2022-07-14 | 2022-11-04 | 捷群电子科技(淮安)有限公司 | Anti-vulcanization thick film sheet type fixed resistor and use method thereof |
| CN115910697A (en) * | 2022-12-29 | 2023-04-04 | 深圳市良胜电子有限公司 | Three-terminal fuse preparation method and three-terminal fuse |
-
1999
- 1999-03-29 JP JP11085332A patent/JP2000276988A/en not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008112735A (en) * | 2007-12-11 | 2008-05-15 | Nec Schott Components Corp | Protection device using temperature fuse |
| JP4573865B2 (en) * | 2007-12-11 | 2010-11-04 | エヌイーシー ショット コンポーネンツ株式会社 | Protective device using temperature fuse |
| JP2012074179A (en) * | 2010-09-28 | 2012-04-12 | Kyocera Corp | Ceramic fuse and substrate for ceramic fuse |
| JP2014049553A (en) * | 2012-08-30 | 2014-03-17 | Nichicon Corp | Solid electrolytic capacitor |
| CN115295262A (en) * | 2022-07-14 | 2022-11-04 | 捷群电子科技(淮安)有限公司 | Anti-vulcanization thick film sheet type fixed resistor and use method thereof |
| CN115910697A (en) * | 2022-12-29 | 2023-04-04 | 深圳市良胜电子有限公司 | Three-terminal fuse preparation method and three-terminal fuse |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2004185960A (en) | Circuit protection element and its manufacturing method | |
| CN107004538B (en) | The manufacturing method of fixing body, the installation method of temperature fuse device and temperature fuse device | |
| JP2008311161A (en) | Protective element | |
| WO2017163765A1 (en) | Protection element | |
| WO2021044939A1 (en) | Protective element | |
| JP2000276988A (en) | Chip resistor with fuse | |
| JP2002184282A (en) | Fuse element and chip fuse | |
| US20210265085A1 (en) | Self-Limiting Heater | |
| CA2255587A1 (en) | Thermally fused resistor | |
| TWI623012B (en) | Switch circuit, and switch control method using same | |
| WO2021039426A1 (en) | Fuse element, fuse device, and protection device | |
| JP5511501B2 (en) | Resistance thermal fuse and resistance thermal fuse package | |
| WO2016072253A1 (en) | Circuit element and method for manufacturing circuit element | |
| KR101950623B1 (en) | Switch element | |
| JP6959964B2 (en) | Protective element | |
| JPH0787129B2 (en) | Substrate type resistance / temperature fuse composite | |
| JP6711704B2 (en) | Protective device with bypass electrode | |
| JP2000260280A (en) | Protecting element and its manufacture | |
| JP3747530B2 (en) | Resistor | |
| JP2004363630A (en) | Packaging method of protective element | |
| JP2012134113A (en) | Fuse device | |
| JP4234818B2 (en) | Resistance thermal fuse and manufacturing method thereof | |
| JPH11339615A (en) | Substrate type resistor thermal fuse | |
| JPH10162714A (en) | Chip fuse element | |
| JP2023126322A (en) | circuit module |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20040623 |
|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20060606 |