JP2000260280A - Protecting element and its manufacture - Google Patents

Protecting element and its manufacture

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JP2000260280A
JP2000260280A JP11060266A JP6026699A JP2000260280A JP 2000260280 A JP2000260280 A JP 2000260280A JP 11060266 A JP11060266 A JP 11060266A JP 6026699 A JP6026699 A JP 6026699A JP 2000260280 A JP2000260280 A JP 2000260280A
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JP
Japan
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resistor
insulator layer
protection element
fusible alloy
insulating substrate
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JP11060266A
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Japanese (ja)
Inventor
Tokihiro Yoshikawa
時弘 吉川
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Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Kansai Nippon Electric Co Ltd
Original Assignee
Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Kansai Nippon Electric Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a protecting element including a fusible alloy and a resistance to melt the alloy with heat generating caused by the carrying of the current, allowing optimum setting of the resistance and capable of melting the alloy in short time with the heat emitted by the resistance. SOLUTION: A resistance 64 is formed straddling electrodes 56 and 57 formed apart on the obverse surface of an insulated board 51 and covered with a insulator layer 65, which is irradiated with laser, and the resistance 64 is trimmed and a cut or cuts 64a/64c is formed so that the resistance is set to the optimum value, and a soluble alloy is connected fast in such a way as straddling electrodes formed on the insulator layer 65. This is further covered with flux, covered with an insulating cap, and secured sealedly with adhesive.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、保護素子に関し、
より詳細には、可溶合金および通電発熱によりこの可溶
合金を強制的に溶断させる抵抗体を備える保護素子に関
する。本発明はまた、保護素子の製造方法に関し、より
詳細には、可溶合金および通電発熱によりこの可溶合金
を強制的に溶断させる抵抗体を備える保護素子における
抵抗体の抵抗値のトリミング方法およびこの抵抗体と可
溶合金との配置関係ならびに形成工程順序に関する。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a protection element,
More particularly, the present invention relates to a protective element including a fusible alloy and a resistor for forcibly blowing the fusible alloy by heat generated by electric current. The present invention also relates to a method for manufacturing a protection element, and more particularly, to a method for trimming a resistance value of a resistor in a protection element including a fusible alloy and a resistor forcibly blowing the fusible alloy by energizing heat generation and It relates to the arrangement relationship between the resistor and the fusible alloy and the order of the forming steps.

【0002】[0002]

【従来の技術】最近、電子機器の保護および電子機器の
過熱に起因する火災から家財等を保護するために、保護
素子が用いられている。この種の保護素子として、特定
温度で溶融する可溶合金を用いた温度ヒューズがある。
この温度ヒューズは、正常温度時は可溶合金を通して通
電しておき、異常温度時は可溶合金の溶融によって、回
路を開放するものである。また、上記温度ヒューズ以外
に、任意温度で溶融する可溶合金と、この可溶合金を加
熱するための抵抗体とを備え、抵抗体への通電による発
熱で可溶合金を強制的に溶断させることにより回路を開
放する複合型の保護素子がある。このような複合型の保
護素子として、例えば、実開昭58−5257号公報に
は、チップ型のものが開示されている。以下、このチッ
プ型の保護素子について、図面を用いて説明する。
2. Description of the Related Art In recent years, protection devices have been used to protect electronic devices and household goods from fire caused by overheating of the electronic devices. As this kind of protection element, there is a thermal fuse using a fusible alloy that melts at a specific temperature.
This thermal fuse is designed to energize through a fusible alloy at a normal temperature, and open the circuit by melting the fusible alloy at an abnormal temperature. Further, in addition to the above-mentioned temperature fuse, a fusible alloy that melts at an arbitrary temperature and a resistor for heating the fusible alloy are provided, and the fusible alloy is forcibly blown off by heat generated by energizing the resistor. There is a composite type protection element that opens a circuit by opening the circuit. As such a composite type protection element, for example, Japanese Utility Model Laid-Open No. 58-5257 discloses a chip type protection element. Hereinafter, this chip-type protection element will be described with reference to the drawings.

【0003】図12は従来の保護素子の平面図を示し、
図13は保護素子の縦断面図を示す。図12および図1
3において、81はアルミナセラミック等の耐熱性絶縁
材料からなる矩形状の絶縁基板で、その長手方向の離隔
した位置に銀ペースト等の塗布焼成により形成した3つ
の電極82,83,84を有する。前記一対の電極8
2,83の間には、抵抗ペーストを塗布焼成してなる抵
抗体85が形成されており、前記他の一対の電極83,
84の間には、特定温度で溶融する可溶合金86が接続
固着されている。
FIG. 12 shows a plan view of a conventional protection element.
FIG. 13 shows a longitudinal sectional view of the protection element. FIG. 12 and FIG.
In 3, a rectangular insulating substrate 81 made of a heat-resistant insulating material such as alumina ceramic has three electrodes 82, 83, 84 formed by applying and baking silver paste or the like at positions separated in the longitudinal direction. The pair of electrodes 8
A resistor 85 formed by applying and baking a resistance paste is formed between the pair of electrodes 83 and 83.
Between 84, a fusible alloy 86 that melts at a specific temperature is connected and fixed.

【0004】次に、上記保護素子の使用方法例について
説明する。前記図12には、上記保護素子の使用方法例
を示す回路図も併示されている。すなわち、上記保護素
子の電極82,83を介して抵抗体85を電気回路87
に接続するとともに、電極83,84を介して可溶合金
86を遮断用保護回路88に接続する。この遮断用保護
回路88は、リレー89とその2つの接点a,bを有
し、前記リレー89と可溶合金86を直列にして、電源
端子T1,T2に接続されている。前記2つの接点a,
bは、それぞれ前記電源端子T1,T2と電気回路87
との間に介挿されている。
Next, an example of a method of using the above-described protection element will be described. FIG. 12 also shows a circuit diagram illustrating an example of how to use the protection element. That is, the resistor 85 is connected to the electric circuit 87 via the electrodes 82 and 83 of the protection element.
And the fusible alloy 86 is connected to the shutoff protection circuit 88 via the electrodes 83 and 84. This shutoff protection circuit 88 has a relay 89 and its two contacts a and b, and connects the relay 89 and the fusible alloy 86 in series and connected to power terminals T1 and T2. The two contacts a,
b denotes the power terminals T1 and T2 and the electric circuit 87, respectively.
And is interposed between them.

【0005】上記保護素子の使用例において、正常時は
可溶合金86を介してリレー89に電流が流れて、その
接点a,bが閉じられており、電気回路87に給電され
ている。ところが、異常時には電気回路87に過電流が
流れて、抵抗体85が異常発熱するため、この発熱が絶
縁基板81を介して可溶合金86に伝達されて、可溶合
金86が溶断することにより、保護回路88のリレー8
9が動作を停止して、その接点a,bを開放するため、
電気回路87への給電を停止し、電気回路87を保護す
る。
In the above-mentioned example of use of the protection element, a current flows to the relay 89 via the fusible alloy 86 in a normal state, the contacts a and b are closed, and power is supplied to the electric circuit 87. However, when an abnormality occurs, an overcurrent flows through the electric circuit 87, and the resistor 85 generates abnormal heat. This heat is transmitted to the fusible alloy 86 via the insulating substrate 81, and the fusible alloy 86 melts. , Relay 8 of protection circuit 88
9 stops its operation and opens its contacts a and b.
The power supply to the electric circuit 87 is stopped to protect the electric circuit 87.

【0005】しかしながら、上記の保護素子において、
抵抗体85は、例えば抵抗体ペーストを塗布焼成して形
成するので、その抵抗値は最適値に設定するのが困難で
ある。また、抵抗体85と可溶合金86が、絶縁基板の
一方側面に併置形成されているので、抵抗体85への通
電開始後、可溶合金86の溶断までに比較的長時間を要
するという問題点がある。
[0005] However, in the above protection element,
Since the resistor 85 is formed by applying and baking a resistor paste, for example, it is difficult to set the resistance to an optimum value. In addition, since the resistor 85 and the fusible alloy 86 are formed side by side on the one side of the insulating substrate, it takes a relatively long time to start melting the fusible alloy 86 after the resistor 85 is energized. There is a point.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明は、可
溶合金および抵抗体を備える保護素子において、抵抗体
の抵抗値を最適値に設定できるとともに、抵抗体への通
電開始から短時間で可溶合金を確実に溶断可能な保護素
子を提供することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, the present invention provides a protective element having a fusible alloy and a resistor, which can set the resistance of the resistor to an optimum value, and can shorten the time from the start of energization to the resistor. An object of the present invention is to provide a protection element capable of reliably blowing a fusible alloy.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明の保護素子は、絶
縁基板と、前記絶縁基板の一方の面側に形成された抵抗
体と、この抵抗体の上に被覆形成された絶縁体層と、前
記絶縁基板の他方の面側に形成された可溶合金とを有
し、前記抵抗体はトリミングを施されており、前記可溶
合金は前記抵抗体のトリミング部近傍の電流路上位置に
対応して形成されていることを特徴とするものである。
本発明の保護素子の製造方法は、絶縁基板に可溶合金と
通電発熱によりこの可溶合金を強制的に溶断させる抵抗
体とを有する保護素子の製造方法であって、絶縁基板に
抵抗体を形成する工程と、抵抗体の上に絶縁体層を形成
する工程と、この絶縁体層の上からレーザを照射するこ
とによって抵抗体をトリミングする工程とを含むことを
特徴とするものである。
According to the present invention, there is provided a protection element comprising: an insulating substrate; a resistor formed on one surface of the insulating substrate; and an insulator layer coated on the resistor. A fusible alloy formed on the other surface side of the insulating substrate, wherein the resistor is trimmed, and the fusible alloy corresponds to a position on a current path near a trimming portion of the resistor. It is characterized by being formed.
The method for manufacturing a protection element according to the present invention is a method for manufacturing a protection element having a fusible alloy on an insulating substrate and a resistor forcibly blowing the fusible alloy by energizing heat. The method is characterized by including a step of forming, a step of forming an insulator layer on the resistor, and a step of trimming the resistor by irradiating a laser from above the insulator layer.

【0010】[0010]

【発明の実施の形態】本発明の請求項1記載の発明は、
絶縁基板と、前記絶縁基板の一方の面側に形成された抵
抗体と、この抵抗体の上に被覆形成された絶縁体層と、
前記絶縁基板の他方の面側に形成された可溶合金とを有
し、前記抵抗体はトリミングを施されており、前記可溶
合金は前記抵抗体のトリミング部近傍の電流路上位置に
対応して形成されていることを特徴とする保護素子であ
る。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
An insulating substrate, a resistor formed on one surface side of the insulating substrate, and an insulator layer coated on the resistor,
A fusible alloy formed on the other surface side of the insulating substrate, wherein the resistor is trimmed, and the fusible alloy corresponds to a position on a current path near a trimming portion of the resistor. This is a protection element characterized by being formed by:

【0011】本発明の請求項2記載の発明は、絶縁基板
と、前記絶縁基板の一方の面側に形成された抵抗体と、
この抵抗体の上に形成された絶縁体層と、この絶縁体層
の上に形成された可溶合金とを有し、前記抵抗体はトリ
ミングを施されており、前記可溶合金は前記抵抗体のト
リミング部近傍の電流路上位置に対応して形成されてい
ることを特徴とする保護素子である。
According to a second aspect of the present invention, there is provided an insulating substrate, and a resistor formed on one surface side of the insulating substrate;
An insulator layer formed on the resistor, and a fusible alloy formed on the insulator layer, the resistor is trimmed, and the fusible alloy is A protection element formed corresponding to a position on a current path near a trimming portion of a body.

【0012】本発明の請求項3記載の発明は、前記抵抗
体のトリミングが、その電流方向に直交する方向に施さ
れていることを特徴とする請求項1ないし2記載の保護
素子である。
The invention according to claim 3 of the present invention is the protection element according to claims 1 or 2, wherein the trimming of the resistor is performed in a direction orthogonal to the current direction.

【0013】本発明の請求項4記載の発明は、前記抵抗
体のトリミングが、前記抵抗体の複数個所で施されてい
ることを特徴とする請求項3記載の保護素子である。
The invention according to claim 4 of the present invention is the protection element according to claim 3, wherein the trimming of the resistor is performed at a plurality of positions of the resistor.

【0014】本発明の請求項5記載の発明は、前記抵抗
体のトリミングが、前記絶縁体層の上から施されている
ことを特徴とする請求項4記載の保護素子である。
The invention according to claim 5 of the present invention is the protection element according to claim 4, wherein the trimming of the resistor is performed on the insulating layer.

【0015】本発明の請求項6記載の発明は、前記抵抗
体のトリミング後の絶縁体層の上が、さらに絶縁体層で
被覆されていることを特徴とする請求項5記載の保護素
子である。
According to a sixth aspect of the present invention, in the protection element according to the fifth aspect, the insulator layer after trimming of the resistor is further covered with an insulator layer. is there.

【0016】本発明の請求項7記載の発明は、絶縁基板
に可溶合金と通電発熱によりこの可溶合金を強制的に溶
断させる抵抗体とを有する保護素子の製造方法であっ
て、絶縁基板に抵抗体を形成する工程と、抵抗体の上に
絶縁体層を形成する工程と、この絶縁体層の上からレー
ザを照射することによって抵抗体をトリミングする工程
とを含むことを特徴とする保護素子の製造方法である。
According to a seventh aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a protective element having a fusible alloy and a resistor for forcibly blowing the fusible alloy by energizing heat generation on the insulating substrate. Forming a resistor on the resistor, forming an insulator layer on the resistor, and trimming the resistor by irradiating a laser from above the insulator layer. It is a manufacturing method of a protection element.

【0017】本発明の請求項7記載の発明は、前記抵抗
体のトリミング後の絶縁体層の上が、それよりも低融点
の絶縁体層で被覆されていることを特徴とする請求項6
記載の保護素子である
According to a seventh aspect of the present invention, the insulator layer after trimming the resistor is covered with an insulator layer having a lower melting point than the insulator layer.
It is a protection element described in

【0018】本発明の請求項8記載の発明は、絶縁基板
に可溶合金と通電発熱によりこの可溶合金を強制的に溶
断させる抵抗体とを有する保護素子の製造方法であっ
て、絶縁基板に抵抗体を形成する工程と、抵抗体の上に
絶縁体層を形成する工程と、この絶縁体層の上からレー
ザを照射することによって抵抗体をトリミングする工程
と、前記絶縁体層の上にさらに絶縁体層を形成する工程
とを含むことを特徴とする保護素子の製造方法である。
The invention according to claim 8 of the present invention is a method for manufacturing a protection element having a fusible alloy and a resistor for forcibly blowing the fusible alloy by energizing heat generation on an insulating substrate, the method comprising: Forming a resistor on the resistor, forming an insulator layer on the resistor, trimming the resistor by irradiating a laser from above the insulator layer, And a step of forming an insulator layer.

【0019】本発明の請求項10記載の発明は、絶縁基
板に可溶合金と通電発熱によりこの可溶合金を強制的に
溶断させる抵抗体とを有する保護素子の製造方法であっ
て、絶縁基板に抵抗体を形成する工程と、抵抗体の上に
絶縁体層を形成する工程と、この絶縁体層の上からレー
ザを照射することによって抵抗体をトリミングする工程
と、前記絶縁体層の上にそれよりも低融点の絶縁体層を
形成する工程と、トリミングされた抵抗体の電流路上に
対応する位置に可溶合金を接続固着する工程とを含むこ
とを特徴とする保護素子の製造方法である。
According to a tenth aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a protective element having a fusible alloy and a resistor for forcibly blowing the fusible alloy by energizing heat generation on an insulating substrate. Forming a resistor on the resistor, forming an insulator layer on the resistor, trimming the resistor by irradiating a laser from above the insulator layer, Forming an insulator layer having a lower melting point than the above, and a step of connecting and fixing a fusible alloy at a position corresponding to a current path of the trimmed resistor. It is.

【0020】[0020]

【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。図
1は本発明の第1実施例の保護素子Aの長手方向の中心
軸に沿う縦断面図で、図2は図1の保護素子Aにおける
絶縁材およびフラックスを除去して内部構造が見えるよ
うにした状態の平面図、図3は図1の保護素子Aにおけ
る下面図である。以下、図1ないし図3を参照して、説
明する。まず、1はアルミナ等のセラミックよりなる略
矩形状の絶縁基板で、図1および図2に示すように、一
方の面の長手方向の両端部に、例えば銀ペーストや銀−
パラジウムペースト等の導電材料を塗布焼成して形成さ
れた電極2,3を有し、他方の面の長手方向の両端部に
前記同様の導電材料を塗布焼成して形成された端子部
4,5を有する。前記絶縁基板1の一方の面には、前記
電極2,3の内方端および外方端が露出するように、ア
ルミナ等のセラミックよりなる梯子状の絶縁枠体6が一
体に形成されている。一方、前記絶縁基板1の他方の面
の端子部4,5の内方端間にまたがって、例えばガラス
ペースト中に酸化ルテニウム等の抵抗体微粒子を混入し
た抵抗ペーストを塗布焼成して形成された抵抗体7を有
する。この抵抗体7は、例えばガラスペースト等の塗布
焼成による絶縁体層8により被覆されている。この絶縁
体層8は、前記抵抗体7が、プリント基板等の取付体
(図示省略)における端子部や配線層、または搭載部品
等と短絡や絶縁耐圧不良を生じるのを防止するためのも
のである。
Embodiments of the present invention will be described below. FIG. 1 is a longitudinal sectional view of a protection element A according to a first embodiment of the present invention along a central axis in the longitudinal direction. FIG. 2 shows the protection element A of FIG. FIG. 3 is a bottom view of the protection element A in FIG. Hereinafter, description will be made with reference to FIGS. First, reference numeral 1 denotes a substantially rectangular insulating substrate made of a ceramic such as alumina. As shown in FIGS. 1 and 2, for example, a silver paste or a silver paste is provided on both ends of one surface in the longitudinal direction.
Electrodes 2 and 3 formed by applying and firing a conductive material such as palladium paste, and terminal portions 4 and 5 formed by applying and firing the same conductive material as described above at both ends in the longitudinal direction of the other surface. Having. A ladder-shaped insulating frame 6 made of ceramic such as alumina is integrally formed on one surface of the insulating substrate 1 so that the inner and outer ends of the electrodes 2 and 3 are exposed. . On the other hand, it is formed by coating and baking a resistor paste in which resistor particles such as ruthenium oxide are mixed in, for example, a glass paste, over the inner ends of the terminal portions 4 and 5 on the other surface of the insulating substrate 1. It has a resistor 7. The resistor 7 is covered with an insulator layer 8 formed by applying and baking a glass paste or the like, for example. The insulator layer 8 is for preventing the resistor 7 from causing a short circuit or a withstand voltage failure with a terminal portion, a wiring layer, a mounted component, or the like in a mounting body (not shown) such as a printed circuit board. is there.

【0021】前記抵抗体7は、絶縁体層8の形成後、抵
抗値の調整のために絶縁体層8の上からレーザを照射し
て、トリミングが施される。図3における7a,7b
は、抵抗体7のトリミングにより抵抗体7に形成された
切れ目を示すものである。なお、このように、絶縁体層
8の形成後に抵抗体7のトリミングを実施するのは、次
の理由による。すなわち、抵抗体7の形成後に抵抗体7
に直接レーザを照射してトリミングを実施すると、トリ
ミング個所の抵抗体7が溶融して除去されると同時に、
そのトリミング個所に隣接する部分の抵抗体7も溶融し
て表面張力で凝集するため、シャープな切れ目の形成が
困難になり、抵抗値の調整が困難になる。これに対し
て、抵抗体7の上に絶縁体層8を形成して、絶縁体層8
の上からレーザを照射してトリミングを実施すると、ト
リミング個所に隣接する抵抗体7が溶融しようとして
も、その上の絶縁体層8の存在によって、熱が奪われる
ことにより溶融が阻止され、あるいは仮に溶融してもそ
の上の絶縁体層8の存在によって凝集が阻止されて、シ
ャープな切れ目の形成が可能になり、抵抗値の調整が容
易になる。したがって、抵抗体のトリミングは、絶縁体
層8の形成後に実施することが望ましい。なお、絶縁体
層8の上から抵抗体7のトリミングを実施すると、抵抗
体7を構成する抵抗体成分が溶融して飛散し、トリミン
グによる切れ目7a,7bの近傍部の絶縁体層8上に付
着することがあるので、トリミング実施後の絶縁体層8
の上(図1の下面)には、再度絶縁体層8よりも低融点
のガラスやエポキシ樹脂等による絶縁体層を形成してお
くことが望ましい。
After the formation of the insulator layer 8, the resistor 7 is trimmed by irradiating a laser from above the insulator layer 8 to adjust the resistance value. 7a, 7b in FIG.
Indicates a cut formed in the resistor 7 by trimming the resistor 7. The reason why the resistor 7 is trimmed after the formation of the insulator layer 8 is as follows. That is, after the resistor 7 is formed, the resistor 7
When the trimming is performed by directly irradiating the laser with the resistor, the resistor 7 at the trimming location is melted and removed, and at the same time,
Since the resistor 7 in the portion adjacent to the trimming portion also melts and agglomerates by surface tension, it is difficult to form a sharp cut, and it is difficult to adjust the resistance value. On the other hand, the insulator layer 8 is formed on the resistor 7 so that the insulator layer 8
When the trimming is performed by irradiating a laser from above, even if the resistor 7 adjacent to the trimming portion attempts to melt, the presence of the insulating layer 8 prevents heat from being taken out, thereby preventing melting. Even if it melts, the presence of the insulator layer 8 on top of it prevents the aggregation, so that a sharp cut can be formed and the resistance value can be easily adjusted. Therefore, it is desirable to perform the trimming of the resistor after the formation of the insulator layer 8. When the resistor 7 is trimmed from above the insulator layer 8, the resistor component constituting the resistor 7 is melted and scattered, and the resistor component is formed on the insulator layer 8 near the cuts 7 a and 7 b due to the trimming. Since the insulating layer 8 may adhere, the insulating layer 8 after the trimming is performed.
It is desirable that an insulating layer made of glass, epoxy resin, or the like having a lower melting point than the insulating layer 8 is formed again on the lower surface (the lower surface in FIG. 1).

【0022】また、図2に示すように、前記絶縁基板1
の一方の面の絶縁枠体6の窓部6aに露出する、前記電
極2,3の内方端間にまたがって、可溶合金9が接続固
着されている。この可溶合金9は、前記抵抗体7のトリ
ミングによる切れ目7a,7b部近傍の電流路に対応す
る位置,すなわちトリミングによる切れ目7a,7b間
に対応する位置に接続固着されている。なお、前記可溶
合金9は、温度ヒューズ用の可溶合金と異なり、周囲温
度に応答して溶融するものではなく、前記抵抗体7の通
電加熱により強制的に溶断させるものであるため、低温
半田と称される低融点のものから高温半田と称される高
融点のものまで、幅広い融点を有する材料の中から選択
できる。この可溶合金9は、全面がフラックス10によ
って被覆されている。このフラックス10は、常時は可
溶合金9を被覆保護するとともに、抵抗体7の通電発熱
の際には軟化溶融して可溶合金9の表面を活性化して、
正確な温度で可溶合金9を溶断させるためのもので、可
溶合金9よりも軟化点ないし溶融点が若干低いものを選
定使用する。
Further, as shown in FIG.
A fusible alloy 9 is connected and fixed between the inner ends of the electrodes 2 and 3 which are exposed at the window 6a of the insulating frame 6 on one side. The fusible alloy 9 is connected and fixed to a position corresponding to a current path near the cuts 7a and 7b by trimming of the resistor 7, that is, a position corresponding to a gap between the cuts 7a and 7b by trimming. Unlike the fusible alloy for the thermal fuse, the fusible alloy 9 does not melt in response to the ambient temperature, but is forcibly blown by energizing heating of the resistor 7. It can be selected from materials having a wide range of melting points, from a low melting point called solder to a high melting point called high temperature solder. The entire surface of the fusible alloy 9 is covered with the flux 10. This flux 10 always covers and protects the fusible alloy 9, and softens and melts to activate the surface of the fusible alloy 9 when the resistor 7 is energized and heated,
It is intended to melt the fusible alloy 9 at an accurate temperature and select and use one having a slightly lower softening point or melting point than the fusible alloy 9.

【0023】前記絶縁基板1の裏面の端子部4,5に
は、それぞれ表面実装のための低融点半田層11,12
が形成されている。ここで、これらの低融点半田層1
1,12は、その融点が前記可溶合金9やフラツクス1
0の融点よりも低く、かつその高さが、前記抵抗体7を
被覆する絶縁体層8の下面よりも突出するような高さ寸
法に形成されている。
Terminal portions 4 and 5 on the back surface of the insulating substrate 1 have low melting point solder layers 11 and 12 for surface mounting, respectively.
Are formed. Here, these low melting point solder layers 1
The melting points of the fusible alloy 9 and the flux 1
It is formed in a height dimension lower than the melting point of 0 and the height thereof protrudes from the lower surface of the insulator layer 8 covering the resistor 7.

【0024】絶縁基板1の一方の面の絶縁枠体6の切欠
部6b,6cから露出する電極2,3の外方端には、そ
れぞれ板状のリード13,14が接続されている。
Plate-shaped leads 13 and 14 are connected to the outer ends of the electrodes 2 and 3 exposed from the cutouts 6b and 6c of the insulating frame 6 on one surface of the insulating substrate 1, respectively.

【0025】また、前記絶縁枠体6の上方は、アルミナ
等のセラミックや樹脂等よりなる絶縁キャップ15で被
覆されており、さらに、前記各リード13,14の電極
2,3の外方端との接続部分である、絶縁基板1,絶縁
枠体6の切欠部6a,6cおよび絶縁キャップ15で形
成される凹部には、封止樹脂16,17が充填封止され
ている。
The upper portion of the insulating frame 6 is covered with an insulating cap 15 made of ceramic or resin such as alumina, and is further connected to the outer ends of the electrodes 2 and 3 of the leads 13 and 14. Sealing resins 16 and 17 are filled and sealed in recesses formed by the cutouts 6a and 6c of the insulating substrate 1 and the insulating frame 6 and the insulating cap 15, which are the connection portions of.

【0026】なお、図2には参考的に、図1に示す保護
素子Aの縦断面図の切断位置である絶縁基板1の長手方
向の中心軸Xおよびその断面を見る矢視方向A−Aが併
示されている。
2, the central axis X in the longitudinal direction of the insulating substrate 1 at the cutting position in the longitudinal sectional view of the protection element A shown in FIG. Are also shown.

【0027】上記の構成の保護素子Aによれば、抵抗体
7にトリミングを施して、その抵抗値を容易かつ最適値
に調整できるので、所望の抵抗値を有する抵抗体を具備
する保護素子が得られる。しかも、抵抗体7を流れる電
流は、前記抵抗体7のトリミングによる切れ目7a,7
b間に集中して流れ、それにより抵抗体7はこのトリミ
ングによる切れ目7a,7b間で特に発熱量が高くなる
が、前記可溶合金9は、抵抗体7の最大の発熱部である
前記トリミングによる切れ目7a,7b部間に対応する
位置に形成しているので、可溶合金9を抵抗体7の通電
開始後、短時間で、かつ確実に溶断できるという作用効
果を奏する。
According to the protection element A having the above-described configuration, the resistance can be easily and optimally adjusted by trimming the resistor 7, so that the protection element having the resistor having a desired resistance can be used. can get. Moreover, the current flowing through the resistor 7 is reduced by the cuts 7a, 7
b, the resistor 7 has a particularly high calorific value between the cuts 7a and 7b due to the trimming. However, the fusible alloy 9 is a part of the trimming which is the largest heat generating portion of the resistor 7. Since the fusible alloy 9 is formed at the position corresponding to the gap 7a, 7b, the fusible alloy 9 can be reliably melted in a short time after the energization of the resistor 7 is started.

【0028】次に、本発明の第2実施例の保護素子Bに
ついて説明する。図4は保護素子Bの縦断面図で、図5
は保護素子Bの絶縁材およびフラックスを除去して内部
構造が見えるようにした平面図、図6は保護素子Bの下
面図である。図4ないし図6において、21はアルミナ
等のセラミックよりなる略矩形状の絶縁基板で、4隅に
円弧状の切欠部22,23,24,25を有する。この
絶縁基板21の表面の離隔した位置に銀ペーストや銀−
パラジウムペースト等の導電材料を塗布焼成して一対の
電極26,27が形成されている。これらの電極26,
27は、それぞれ前記一組の対角に位置する切欠部2
2,23に向かって形成され、さらに切欠部22,23
の端面に延在して形成されている。
Next, a protection element B according to a second embodiment of the present invention will be described. FIG. 4 is a longitudinal sectional view of the protection element B, and FIG.
6 is a plan view in which the insulating material and the flux of the protection element B are removed so that the internal structure can be seen. FIG. 6 is a bottom view of the protection element B. 4 to 6, reference numeral 21 denotes a substantially rectangular insulating substrate made of ceramic such as alumina, and has arc-shaped cutouts 22, 23, 24 and 25 at four corners. A silver paste or a silver paste
A pair of electrodes 26 and 27 are formed by applying and baking a conductive material such as palladium paste. These electrodes 26,
27 is a pair of notch portions 2 located at the opposite corners, respectively.
2, 23, and further cutouts 22, 23
Is formed so as to extend to the end face.

【0029】絶縁基板21の裏面には、前記切欠部2
2,23,24,25の近傍に、銀ペーストや銀−パラ
ジウムペースト等の導電材料を塗布焼成して形成された
端子部28,29,30,31を有する。前記一組の対
角に位置する切欠部22,23の近傍に形成されたそれ
ぞれの端子部28,29は、前記切欠部22,23の端
面に延在して形成された導電層を介して表面の電極2
6,27と接続されている。また、前記他の一組の対角
に位置する切欠部24,25の近傍に形成された端子部
30,31は、絶縁基板21の裏面中央部で離隔して相
対する延在部30a,31aを有する。そして、これら
の延在部30a,31aにまたがって、ガラスペースト
中に酸化ルテニウム等の抵抗体微粒子を混入した抵抗ペ
ーストを塗布焼成してなる抵抗体32が形成されてい
る。さらに、この抵抗体32は、ガラスペースト等の塗
布焼成による絶縁体層33によって被覆されている。
On the back surface of the insulating substrate 21, the notch 2
Terminal portions 28, 29, 30, and 31 formed by applying and baking a conductive material such as a silver paste or a silver-palladium paste are provided in the vicinity of 2, 23, 24, and 25. The respective terminal portions 28 and 29 formed in the vicinity of the pair of diagonally located notches 22 and 23 are interposed through conductive layers formed on the end faces of the notches 22 and 23. Surface electrode 2
6, 27 are connected. Further, the terminal portions 30 and 31 formed near the other pair of notch portions 24 and 25 located at the opposite corners are separated from each other at the central portion of the back surface of the insulating substrate 21 so as to face the extending portions 30a and 31a. Having. A resistor 32 formed by applying and firing a resistor paste in which resistor particles such as ruthenium oxide are mixed in a glass paste is formed over the extending portions 30a and 31a. Further, the resistor 32 is covered with an insulator layer 33 formed by applying and firing a glass paste or the like.

【0030】前記抵抗体32は、絶縁体層33の上から
レーザを照射してトリミングが施されており、切れ目3
2a,32bを有する。このトリミングにより、絶縁体
層33の上に抵抗体32を構成する抵抗ペースト成分が
付着することがあるので、このトリミング実施後の絶縁
体層33の上に、再度、絶縁体層33よりも低融点のガ
ラスやエポキシ樹脂等よりなる絶縁体層を形成しておく
ことが望ましい。
The resistor 32 is trimmed by irradiating a laser from above the insulator layer 33, and cuts 3
2a and 32b. Due to this trimming, a resistance paste component constituting the resistor 32 may adhere to the insulator layer 33. Therefore, a lower layer than the insulator layer 33 is again formed on the insulator layer 33 after the trimming. It is desirable to form an insulating layer made of glass, epoxy resin, or the like having a melting point.

【0031】再び、絶縁基板21の表面側に戻って、一
対の電極26,27の内方端間にまたがって可溶合金3
4が接続固着されている。そして、この可溶合金34
は、フラックス35により被覆されている。さらに、フ
ラックス35の上方は、セラミックまたは樹脂等の成型
体よりなる箱型の絶縁キャップ36によって被覆され、
接着剤37によって絶縁基板21に固着封止されてい
る。
Returning to the front side of the insulating substrate 21 again, the fusible alloy 3 extends between the inner ends of the pair of electrodes 26 and 27.
4 is fixedly connected. And this fusible alloy 34
Is covered with the flux 35. Further, the upper part of the flux 35 is covered with a box-shaped insulating cap 36 made of a molded body such as ceramic or resin.
The adhesive 37 is fixedly sealed to the insulating substrate 21.

【0032】再び、絶縁基板21の裏面側に戻って、前
記端子部28,29,30,31には、それぞれ半田層
38,39,40,41が被着形成されている。これら
の半田層38,39,40,41は、保護素子Bをプリ
ント基板等の取付体の端子部に表面実装法により接続固
着するためのものであり、それぞれの高さは、図4から
明らかなように、抵抗体32を被覆する絶縁体層33よ
りも高くなる(図4では下方に突出する)ように形成さ
れている。
Returning to the back side of the insulating substrate 21, solder layers 38, 39, 40, and 41 are formed on the terminals 28, 29, 30, and 31, respectively. These solder layers 38, 39, 40 and 41 are for connecting and fixing the protection element B to the terminal portion of the mounting body such as a printed circuit board by a surface mounting method, and their respective heights are apparent from FIG. In this way, it is formed so as to be higher than the insulator layer 33 covering the resistor 32 (projected downward in FIG. 4).

【0033】上記の本発明の保護素子Bによれば、前記
第1実施例の保護素子Aと同様に、抵抗体32にトリミ
ングを施しているので、抵抗体32の抵抗値を容易かつ
最適値に調整できる。のみならず、保護素子Aに比較し
て、リードレス構造にしたので、リード(13,14)
が不要になり、材料費が低減できるし、絶縁基板21の
表面電極26,27にリード(13,14)接続のため
のスペースが不要になり、保護素子B全体を小型化でき
る。さらに、表面実装により全端子部28,29,3
0,31を、同時にプリント基板等の取付体に組み付け
できるという特長がある。
According to the protection element B of the present invention described above, since the resistor 32 is trimmed similarly to the protection element A of the first embodiment, the resistance of the resistor 32 can be easily and optimally adjusted. Can be adjusted. In addition, since the leadless structure is adopted as compared with the protection element A, the lead (13, 14)
Is unnecessary, the material cost can be reduced, and a space for connecting the leads (13, 14) to the surface electrodes 26, 27 of the insulating substrate 21 becomes unnecessary, and the entire protection element B can be downsized. Furthermore, all terminal portions 28, 29, 3
There is a feature that 0 and 31 can be simultaneously assembled to a mounting body such as a printed circuit board.

【0034】図7は本発明の第3実施例の保護素子Cの
縦断面図を示す。図8ないし図10は、保護素子Cの各
工程段階の絶縁基板等の平面図を示す。図11は保護素
子Cの下面図を示す。以下、図7ないし図11を参照し
て、保護素子Cについて説明する。図において、51は
アルミナセラミック等よりなる略矩形状の絶縁基板で、
4隅に円弧状の切欠部52,53,54,55を有す
る。この絶縁基板51の表面の離隔した位置に、銀ペー
ストや銀−パラジウムペースト等の導電材料を塗布焼成
して一対の電極56,57が形成されている。これらの
電極56,57は、それぞれ前記一組の対角位置の切欠
部52,53に向かって延在して形成され、さらにそれ
ぞれの切欠部52,53の端面に延在して形成されてい
る。前記残りの一組の対角位置の切欠部54,55の近
傍には、同様に銀ペーストや銀−パラジウムペースト等
の導電材料を塗布焼成して一対の電極58,59が形成
されており、これらの電極58,59はそれぞれの切欠
部54,55の端面にまで延在して形成されている。
FIG. 7 is a longitudinal sectional view of a protection element C according to a third embodiment of the present invention. 8 to 10 show plan views of the insulating substrate and the like in each process step of the protection element C. FIG. 11 shows a bottom view of the protection element C. Hereinafter, the protection element C will be described with reference to FIGS. In the figure, reference numeral 51 denotes a substantially rectangular insulating substrate made of alumina ceramic or the like.
At four corners, arc-shaped notches 52, 53, 54 and 55 are provided. A pair of electrodes 56 and 57 are formed by applying and baking a conductive material such as a silver paste or a silver-palladium paste at spaced positions on the surface of the insulating substrate 51. These electrodes 56 and 57 are formed so as to extend toward the notch portions 52 and 53 at the pair of diagonal positions, and are formed to extend to the end surfaces of the respective notch portions 52 and 53. I have. A pair of electrodes 58 and 59 are formed by applying and baking a conductive material such as a silver paste or a silver-palladium paste similarly in the vicinity of the notch portions 54 and 55 at the other pair of diagonal positions. These electrodes 58 and 59 are formed to extend to the end faces of the respective cutouts 54 and 55.

【0035】図11は、絶縁基板51の下面図を示し、
前記4隅の切欠部52,53,54,55の近傍に銀ペ
ーストや銀−パラジウムペースト等の導電材料を塗布焼
成して形成した端子部60,61,62,63を有す
る。そして、前記各端子部60,61,62,63は、
それぞれ前記切欠部52,53,54,55の端面に形
成された導電層を介して表面側の電極56,57,5
8,59に接続されている。ここで、前記各電極56,
57,58,59および各端子部60,61,62,6
3は、工程的には同時に塗布焼成して形成することがで
きる。
FIG. 11 is a bottom view of the insulating substrate 51.
Terminal portions 60, 61, 62, 63 formed by applying and baking a conductive material such as a silver paste or a silver-palladium paste near the cutouts 52, 53, 54, 55 at the four corners. The terminal portions 60, 61, 62, 63
The electrodes 56, 57, and 5 on the front side through the conductive layers formed on the end faces of the notches 52, 53, 54, and 55, respectively.
8,59. Here, each of the electrodes 56,
57, 58, 59 and terminal portions 60, 61, 62, 6
3 can be formed by coating and firing simultaneously in the process.

【0036】再び絶縁基板51の表面側に戻って、図8
に示すように、前記電極56,57にまたがってガラス
ペースト中に酸化ルテニウム等の抵抗体微粒子を混入し
た抵抗ペーストを塗布焼成して抵抗体64が形成され
る。
Returning to the front side of the insulating substrate 51 again, FIG.
As shown in FIG. 5, a resistor paste in which resistor particles such as ruthenium oxide are mixed in a glass paste is applied over the electrodes 56 and 57 to form a resistor 64 by firing.

【0037】前記各電極56,57および抵抗体64
は、図9に示すように、ガラスペースト等の塗布焼成に
よる絶縁体層65によつて被覆される。そして、この絶
縁体層65の上からレーザを照射して抵抗体64にトリ
ミングを施す。図9の抵抗体64は、トリミング後の状
態を示し、抵抗体64の短手方向の一側端から切れ目6
4aを、反対側端から切れ目64bを、再度一側端から
切れ目64cを千鳥状に形成してある。これによって、
抵抗体64を流れる電流は、前記各切れ目64aないし
64cを回避して蛇行して流れる。なお、トリミング実
施後の絶縁体層65の上には、前記と同一理由で、再度
絶縁体層を形成しておくことが望ましい。この再度形成
する絶縁体層は、下層の電極,抵抗体および絶縁体層よ
りも低融点のガラスペースト等で形成することが望まし
い。
Each of the electrodes 56 and 57 and the resistor 64
Is covered with an insulator layer 65 by applying and baking a glass paste or the like, as shown in FIG. Then, laser is irradiated from above the insulator layer 65 to trim the resistor 64. The resistor 64 in FIG. 9 shows a state after trimming, and a cut 6 from one side end of the resistor 64 in the short direction.
4a, a cut 64b from the opposite end, and a cut 64c from the one end again are formed in a staggered manner. by this,
The current flowing through the resistor 64 is meandering around the cuts 64a to 64c. It is desirable that an insulator layer is formed again on the insulator layer 65 after the trimming for the same reason as described above. The insulating layer to be formed again is desirably formed of a lower electrode, a resistor, and a glass paste having a lower melting point than the insulating layer.

【0038】図10は、抵抗体64を被覆する絶縁体層
65の上に離隔して形成された一対の電極66,67
と、これらの電極66,67間にまたがって形成された
可溶合金68とを示す平面図である。ここで、前記各電
極66,67は、切欠部54,55に向かって延在して
形成され、切欠部54,55の近傍に形成されている電
極58,59と接続されている。したがって、これらの
電極58,59は、切欠部54,55の端面に延在して
形成された導電層を介して、裏面の端子部62,63と
接続されている。
FIG. 10 shows a pair of electrodes 66 and 67 formed separately on an insulator layer 65 covering the resistor 64.
FIG. 9 is a plan view showing a fusible alloy 68 formed between these electrodes 66 and 67. Here, the electrodes 66 and 67 are formed to extend toward the cutouts 54 and 55 and are connected to the electrodes 58 and 59 formed near the cutouts 54 and 55. Therefore, these electrodes 58 and 59 are connected to the terminal portions 62 and 63 on the back surface via the conductive layers formed to extend to the end surfaces of the notches 54 and 55.

【0039】図7に戻って、前記可溶合金68の上は、
フラックス69で被覆されている。このフラックス69
の上方は、セラミックまたは樹脂等の成型体よりなる箱
型の絶縁キャップ70により被覆され、この絶縁キャッ
プ70の周辺下端は、接着剤71により絶縁基板51に
固着封止されている。
Returning to FIG. 7, on the fusible alloy 68,
Coated with flux 69. This flux 69
Is covered by a box-shaped insulating cap 70 made of a molded body such as ceramic or resin, and the lower end of the periphery of the insulating cap 70 is fixedly sealed to the insulating substrate 51 by an adhesive 71.

【0040】再度、図11に戻って、絶縁基板51の裏
面の各端子部60,61,62,63には、半田層7
2,73,74,75が被着されている。この半田層7
2,73,74,75は、保護素子Cをプリント基板等
の取付体(図示省略)の端子部に表面実装法により接続
固着するためのものである。
Returning to FIG. 11, the solder layers 7 are applied to the terminal portions 60, 61, 62 and 63 on the back surface of the insulating substrate 51.
2, 73, 74, 75 are applied. This solder layer 7
Reference numerals 2, 73, 74, and 75 are for connecting and fixing the protection element C to a terminal portion of an attachment (not shown) such as a printed circuit board by a surface mounting method.

【0041】上記実施例の保護素子Cによれば、抵抗体
64をトリミングして形成した切れ目64aないし64
cにより抵抗値を調整しているので、前記各実施例と同
様に、抵抗体64の抵抗値を容易に最適値に設定でき、
また、抵抗体64のトリミングによる切れ目64aない
し64cの近傍の電流路の上方位置に、可溶合金68を
接続固着しているので、抵抗体64の通電による発熱が
効率よくその上の可溶合金68に伝達され、抵抗体64
の通電開始から短時間で可溶合金68が確実に溶断して
回路を開放できるという特長がある。さらに、絶縁基板
51の一方面側に、電極56,57、抵抗体64、絶縁
体層65、可溶合金68およびフラックス69を積層形
成しているので、図1ないし図3に示す保護素子Aや図
4ないし図6に示す保護素子Bに比較して、抵抗体64
の通電による発熱が、絶縁基板1,21よりも薄い絶縁
体層65を介して、効率よくその上の可溶合金68に伝
達され、抵抗体64の通電開始から短時間で可溶合金6
8が溶断して回路を開放できるという特長がある。
According to the protection element C of the above embodiment, the cuts 64 a to 64 formed by trimming the resistor 64.
Since the resistance value is adjusted by c, the resistance value of the resistor 64 can be easily set to the optimum value, as in the above-described embodiments.
In addition, since the fusible alloy 68 is connected and fixed above the current path near the cuts 64a to 64c due to the trimming of the resistor 64, the heat generated by energization of the resistor 64 is efficiently increased. 68 to the resistor 64
The feature is that the fusible alloy 68 is surely melted and the circuit can be opened in a short time from the start of current supply. Further, since the electrodes 56 and 57, the resistor 64, the insulator layer 65, the fusible alloy 68 and the flux 69 are formed on one side of the insulating substrate 51, the protection element A shown in FIGS. 4 and FIG. 4 to FIG.
Is efficiently transmitted to the fusible alloy 68 thereon through the insulating layer 65 thinner than the insulating substrates 1 and 21, and the fusible alloy 6
8 has a feature that the circuit can be opened by fusing.

【0042】なお、上記各実施例は、本発明の特定の構
造の実施例について説明したものであるが、本発明の精
神を逸脱しない範囲で各種の変形が可能であることはも
ちろんである。例えば、上記各実施例において、絶縁基
板1,21,51を暗色系統の色(黒色)に形成すると
ともに、絶縁キャップ15,36,70を白系統の色
(白色)に形成すると、表面実装時に赤外線リフロー炉
を通して実装しても、絶縁キャップ15,36,70の
熱吸収が小さく、絶縁基板1,21,51の熱吸収が大
きいので、内部の可溶合金9,34,68が誤溶融する
ことなく、表面実装を行うことができ、温度上昇が速や
かに行え、かつ効率の高い赤外線リフロー炉の採用が可
能になり、実装方法の制限がなくなるという特長があ
る。
Although each of the above embodiments has been described with reference to a specific structure of the present invention, it is needless to say that various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention. For example, in each of the above-described embodiments, when the insulating substrates 1, 21, 51 are formed in a dark system color (black) and the insulating caps 15, 36, 70 are formed in a white system color (white), the surface mounting is performed during surface mounting. Even when mounted through an infrared reflow furnace, the heat absorption of the insulating caps 15, 36, 70 is small and the heat absorption of the insulating substrates 1, 21, 51 is large, so that the internal fusible alloy 9, 34, 68 is erroneously melted. Surface mounting can be performed without any problem, the temperature can be quickly raised, and an infrared reflow furnace with high efficiency can be adopted, and the mounting method is not limited.

【0043】さらに、上記各実施例においては、フラッ
クス10,35,69の上方に空間を設けて成型体より
なる板状または箱型の絶縁キャップ15,36,70で
被覆して固着封止したものについて説明したが、このよ
うな構造によれば、可溶合金9,34,68およびフラ
ックス10,35,69が溶融した時に、それらが自由
に流動できるため、可溶合金9,34,68が確実に溶
断して、信頼性の高い保護素子が提供できる利点がある
が、十分な厚さのフラックスの上を樹脂等よりなる絶縁
被覆層で被覆するようにしてもよい。
Further, in each of the above-mentioned embodiments, a space is provided above the fluxes 10, 35, 69 and covered with the plate-shaped or box-shaped insulating caps 15, 36, 70 made of a molded body and fixedly sealed. According to such a structure, when the fusible alloys 9, 34, 68 and the fluxes 10, 35, 69 can be melted, they can flow freely, so that the fusible alloys 9, 34, 68 Has the advantage that it can be reliably blown to provide a highly reliable protection element. However, a sufficiently thick flux may be covered with an insulating coating layer made of resin or the like.

【0044】さらにまた、上記実施例には示していない
が、可溶合金を複数個設けて多回路を制御するようにし
たり、抵抗体を複数個設けて可溶合金の溶断の信頼性を
高めて、保護素子の信頼性を向上することもできる。
Further, although not shown in the above embodiment, a plurality of fusible alloys are provided to control a multi-circuit, or a plurality of resistors are provided to improve the reliability of fusing of the fusible alloy. Thus, the reliability of the protection element can be improved.

【0045】[0045]

【発明の効果】本発明は以上のように、絶縁基板と、前
記絶縁基板の一方の面側に形成された抵抗体と、この抵
抗体の上に被覆形成された絶縁体層と、前記絶縁基板の
他方の面側に形成された可溶合金とを有し、前記抵抗体
はトリミングを施されており、前記可溶合金は前記抵抗
体のトリミング部近傍の電流路上位置に対応して形成さ
れていることを特徴とする保護素子であるから、抵抗体
の抵抗値を最適値に設定でき、しかも抵抗体の発熱が効
率よく可溶合金に伝達されて、抵抗体の通電開始から短
時間で可溶合金を溶断できる保護素子を提供できる。本
発明はまた、絶縁基板に可溶合金と通電発熱によりこの
可溶合金を強制的に溶断させる抵抗体とを有する保護素
子の製造方法であって、絶縁基板に抵抗体を形成する工
程と、抵抗体の上に絶縁体層を形成する工程と、この絶
縁体層の上からレーザを照射することによって抵抗体を
トリミングする工程とを含むことを特徴とする保護素子
の製造方法であるから、抵抗体の抵抗値を容易かつ確実
に最適値に設定できる保護素子の製造方法が提供でき
る。
As described above, the present invention provides an insulating substrate, a resistor formed on one surface side of the insulating substrate, an insulator layer coated on the resistor, A fusible alloy formed on the other surface side of the substrate, wherein the resistor is trimmed, and the fusible alloy is formed corresponding to a position on a current path near a trimming portion of the resistor. The protection element is characterized in that the resistance value of the resistor can be set to the optimum value, and the heat generated by the resistor is efficiently transmitted to the fusible alloy, and a short time after the start of energization of the resistor Thus, it is possible to provide a protection element capable of fusing the fusible alloy. The present invention is also a method for manufacturing a protective element having a fusible alloy on an insulating substrate and a resistor forcibly blowing the fusible alloy by energizing heat generation, the step of forming a resistor on the insulating substrate, A method of manufacturing a protective element, which includes a step of forming an insulator layer on the resistor and a step of trimming the resistor by irradiating a laser from above the insulator layer, A method of manufacturing a protection element that can easily and reliably set the resistance value of a resistor to an optimum value can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明の第1実施例の保護素子Aにおける絶
縁基板の長手方向の中心軸に沿う縦断面図
FIG. 1 is a longitudinal sectional view of a protection element A according to a first embodiment of the present invention, taken along a longitudinal central axis of an insulating substrate.

【図2】 本発第1実施例の保護素子Aにおけるフラッ
クスの塗布前,すなわち絶縁キャップおよびフラックス
を除去して内部構造が見えるようにした状態の平面図
FIG. 2 is a plan view of the protection element A according to the first embodiment of the present invention before the application of the flux, that is, in a state where the insulating cap and the flux are removed so that the internal structure is visible.

【図3】 本発明の第1実施例の保護素子Aにおける下
面図
FIG. 3 is a bottom view of the protection element A according to the first embodiment of the present invention.

【図4】 本発明の第2実施例の保護素子Bにおける長
手方向の中心軸に沿う縦断面図
FIG. 4 is a longitudinal sectional view along a central axis in a longitudinal direction of a protection element B according to a second embodiment of the present invention.

【図5】 本発明の第2実施例の保護素子Bにおけるフ
ラックスの塗布前,すなわち絶縁キャップおよびフラッ
クスを除去して内部構造が見えるようにした状態の平面
FIG. 5 is a plan view of a protective element B according to a second embodiment of the present invention before the application of flux, that is, a state in which the insulating cap and the flux are removed so that the internal structure is visible.

【図6】 本発明の第2実施例の保護素子Bにおける一
部を切り開いた状態の下面図
FIG. 6 is a bottom view of the protection element B according to the second embodiment of the present invention in a state where a part is cut away.

【図7】 本発明の第3実施例の保護素子Cにおける長
手方向の中心軸に沿う縦断面図
FIG. 7 is a longitudinal sectional view of a protection element C according to a third embodiment of the present invention, taken along a central axis in a longitudinal direction.

【図8】 本発明の第3実施例の保護素子Cにおける絶
縁キャップ,フラツクス,電極および絶縁体層を除去し
て内部構造が見えるようにした状態の平面図
FIG. 8 is a plan view of a protection element C according to a third embodiment of the present invention in which an insulating cap, flux, electrodes, and an insulating layer are removed so that the internal structure can be seen.

【図9】 本発明の第3実施例の保護素子Cにおける絶
縁キャップ,フラックス,可溶合金および電極を除去し
た状態の平面図
FIG. 9 is a plan view of a protection element C according to a third embodiment of the present invention in a state where an insulating cap, a flux, a fusible alloy, and an electrode are removed.

【図10】 本発明の第3実施例の保護素子Cにおける
フラックスの塗布前,すなわち絶縁キャップおよびフラ
ックスを除去して内部構造が見えるようにした状態の平
面図
FIG. 10 is a plan view of a protective element C according to a third embodiment of the present invention before flux application, that is, a state in which the insulating cap and the flux are removed so that the internal structure is visible.

【図11】 本発明の第3実施例の保護素子Cにおける
下面図
FIG. 11 is a bottom view of a protection element C according to a third embodiment of the present invention.

【図12】 従来の保護素子の平面図およびその使用方
法を示す回路図
FIG. 12 is a plan view of a conventional protection element and a circuit diagram illustrating a method of using the protection element.

【図13】 従来の保護素子の縦断面図FIG. 13 is a longitudinal sectional view of a conventional protection element.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1、21、51 絶縁基板 2、3、26、27、56、57、58、59、66、
67 電極 4、5、28、29、30、31、60、61、62、
63 端子部 6 絶縁枠体 7、32、64 抵抗体 7a、7b、32a、32b、64a、64b、64c
トリミングによる切れ目 8、33、65 絶縁体層 9、34、68 可溶合金 10、35、69 フラックス 11、12、38、39、40、41、72、73、7
4、75 半田層 15、36、70 絶縁キャップ 16、17 封止樹脂 22、23、24、25、52、53、54、55 切
欠部 37、71 接着剤
1, 21, 51 insulating substrates 2, 3, 26, 27, 56, 57, 58, 59, 66,
67 electrodes 4, 5, 28, 29, 30, 31, 60, 61, 62,
63 terminal 6 insulating frame 7, 32, 64 resistor 7a, 7b, 32a, 32b, 64a, 64b, 64c
Cut by trimming 8, 33, 65 Insulator layer 9, 34, 68 Soluble alloy 10, 35, 69 Flux 11, 12, 38, 39, 40, 41, 72, 73, 7
4, 75 Solder layer 15, 36, 70 Insulating cap 16, 17 Sealing resin 22, 23, 24, 25, 52, 53, 54, 55 Notch 37, 71 Adhesive

─────────────────────────────────────────────────────
────────────────────────────────────────────────── ───

【手続補正書】[Procedure amendment]

【提出日】平成11年3月12日(1999.3.1
2)
[Submission date] March 12, 1999 (1999.3.1.
2)

【手続補正1】[Procedure amendment 1]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0016[Correction target item name] 0016

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction contents]

【0016】本発明の請求項7記載の発明は、前記抵抗
体のトリミング後の絶縁体層の上が、それよりも低融点
の絶縁体層で被覆されていることを特徴とする請求項6
記載の保護素子である。
The invention according to claim 7 of the present invention is characterized in that said resistor
Lower melting point above insulator layer after body trimming
7. The semiconductor device according to claim 6, wherein said insulating layer is coated with said insulating layer.
It is a protection element of description.

【手続補正2】[Procedure amendment 2]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0017[Correction target item name] 0017

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction contents]

【0017】本発明の請求項8記載の発明は、絶縁基板
に可溶合金と通電発熱によりこの可溶合金を強制的に溶
断させる抵抗体とを有する保護素子の製造方法であっ
て、絶縁基板に抵抗体を形成する工程と、抵抗体の上に
絶縁体層を形成する工程と、この絶縁体層の上からレー
ザを照射することによって抵抗体をトリミングする工程
とを含むことを特徴とする保護素子の製造方法である。
The invention according to claim 8 of the present invention provides an insulating substrate
The fusible alloy is forcibly melted by
A method of manufacturing a protection element having a resistor to be turned off.
Forming a resistor on the insulating substrate,
Forming an insulating layer, and laminating the insulating layer from above;
Of trimming the resistor by irradiating the
And a method for manufacturing a protection element.

【手続補正3】[Procedure amendment 3]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0018[Correction target item name] 0018

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction contents]

【0018】本発明の請求項記載の発明は、絶縁基板
に可溶合金と通電発熱によりこの可溶合金を強制的に溶
断させる抵抗体とを有する保護素子の製造方法であっ
て、絶縁基板に抵抗体を形成する工程と、抵抗体の上に
絶縁体層を形成する工程と、この絶縁体層の上からレー
ザを照射することによって抵抗体をトリミングする工程
と、前記絶縁体層の上にさらに絶縁体層を形成する工程
とを含むことを特徴とする保護素子の製造方法である。
According to a ninth aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a protective element having a fusible alloy and a resistor for forcibly blowing the fusible alloy by energizing and heating the insulating substrate. Forming a resistor on the resistor, forming an insulator layer on the resistor, trimming the resistor by irradiating a laser from above the insulator layer, And a step of forming an insulator layer.

【手続補正4】[Procedure amendment 4]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0045[Correction target item name] 0045

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction contents]

【0045】[0045]

【発明の効果】本発明は以上のように、絶縁基板と、前
記絶縁基板の一方の面側に形成された抵抗体と、この抵
抗体の上に被覆形成された絶縁体層と、前記絶縁基板の
他方の面側に形成された可溶合金とを有し、前記抵抗体
はトリミングを施されており、前記可溶合金は前記抵抗
体のトリミング部近傍の電流路上位置に対応して形成さ
れていることを特徴とする保護素子であるから、抵抗体
の抵抗値を最適値に設定でき、しかも抵抗体の発熱が効
率よく可溶合金に伝達されて、抵抗体の通電開始から短
時間で可溶合金を溶断できる保護素子を提供できる。
発明はまた、絶縁基板と、前記絶縁基板の一方の面側に
形成された抵抗体と、この抵抗体の上に被覆形成された
絶縁体層と、この絶縁体層の上に形成された可溶合金と
を有し、前記抵抗体はトリミングを施されており、前記
可溶合金は前記抵抗体のトリミング部近傍の電流路上位
置に対応して形成されていることを特徴とする保護素子
であるから、抵抗体の抵抗値を最適値に設定でき、しか
も抵抗体の発熱が絶縁基板を介することなく効率よく可
溶合金に伝達されて、抵抗体の通電開始から短時間で可
溶合金を溶断できる保護素子を提供できる。本発明は
らに、絶縁基板に可溶合金と通電発熱によりこの可溶合
金を強制的に溶断させる抵抗体とを有する保護素子の製
造方法であって、絶縁基板に抵抗体を形成する工程と、
抵抗体の上に絶縁体層を形成する工程と、この絶縁体層
の上からレーザを照射することによって抵抗体をトリミ
ングする工程とを含むことを特徴とする保護素子の製造
方法であるから、抵抗体の抵抗値を容易かつ確実に最適
値に設定できる保護素子の製造方法が提供できる。
As described above, the present invention provides an insulating substrate, a resistor formed on one surface side of the insulating substrate, an insulator layer coated on the resistor, A fusible alloy formed on the other surface side of the substrate, wherein the resistor is trimmed, and the fusible alloy is formed corresponding to a position on a current path near a trimming portion of the resistor. The protection element is characterized in that the resistance value of the resistor can be set to the optimum value, and the heat generated by the resistor is efficiently transmitted to the fusible alloy, and a short time after the start of energization of the resistor Thus, it is possible to provide a protection element capable of fusing the fusible alloy. Book
The invention also includes an insulating substrate, and one surface side of the insulating substrate.
The formed resistor and the coating formed on this resistor
An insulator layer and a fusible alloy formed on the insulator layer;
Wherein the resistor has been trimmed,
The fusible alloy is the upper current path near the trimming part of the resistor.
Protection element characterized in that it is formed corresponding to the location
Therefore, the resistance value of the resistor can be set to the optimum value.
Can efficiently generate heat from the resistor without going through the insulating substrate
It is transmitted to the molten alloy and is possible in a short time from the start of energizing the resistor.
A protective element capable of fusing the molten alloy can be provided. According to the present invention
Further, a method for manufacturing a protective element having a fusible alloy on the insulating substrate and a resistor forcibly blowing the fusible alloy by energizing heat generation, a step of forming a resistor on the insulating substrate,
A method of manufacturing a protective element, which includes a step of forming an insulator layer on the resistor and a step of trimming the resistor by irradiating a laser from above the insulator layer, A method of manufacturing a protection element that can easily and reliably set the resistance value of a resistor to an optimum value can be provided.

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】絶縁基板と、前記絶縁基板の一方の面側に
形成された抵抗体と、この抵抗体の上に被覆形成された
絶縁体層と、前記絶縁基板の他方の面側に形成された可
溶合金とを有し、前記抵抗体はトリミングを施されてお
り、前記可溶合金は前記抵抗体のトリミング部近傍の電
流路上位置に対応して形成されていることを特徴とする
保護素子。
1. An insulating substrate, a resistor formed on one surface of the insulating substrate, an insulator layer coated on the resistor, and a resistor formed on the other surface of the insulating substrate. Wherein the resistor is trimmed, and the fusible alloy is formed corresponding to a position on a current path near a trimming portion of the resistor. Protection element.
【請求項2】絶縁基板と、前記絶縁基板の一方の面側に
形成された抵抗体と、この抵抗体の上に形成された絶縁
体層と、この絶縁体層の上に形成された可溶合金とを有
し、前記抵抗体はトリミングを施されており、前記可溶
合金は前記抵抗体のトリミング部近傍の電流路上位置に
対応して形成されていることを特徴とする保護素子。
2. An insulating substrate, a resistor formed on one surface of the insulating substrate, an insulator layer formed on the resistor, and a resistor formed on the insulator layer. And a fusible alloy, wherein the resistor is trimmed, and the fusible alloy is formed corresponding to a position on a current path near a trimming portion of the resistor.
【請求項3】前記抵抗体のトリミングが、その電流方向
に直交する方向に施されていることを特徴とする請求項
1ないし2記載の保護素子。
3. The protection element according to claim 1, wherein the trimming of the resistor is performed in a direction orthogonal to a current direction of the resistor.
【請求項4】前記抵抗体のトリミングが、前記抵抗体の
複数個所で施されていることを特徴とする請求項3記載
の保護素子。
4. The protection element according to claim 3, wherein said resistor is trimmed at a plurality of positions on said resistor.
【請求項5】前記抵抗体のトリミングが、前記絶縁体層
の上から施されていることを特徴とする請求項4記載の
保護素子。
5. The protection element according to claim 4, wherein the trimming of the resistor is performed on the insulator layer.
【請求項6】前記抵抗体のトリミング後の絶縁体層の上
が、さらに絶縁体層で被覆されていることを特徴とする
請求項5記載の保護素子。
6. The protection element according to claim 5, wherein an upper portion of the insulator layer after trimming the resistor is further covered with an insulator layer.
【請求項7】前記抵抗体のトリミング後の絶縁体層の上
が、さらにそれよりも低融点の絶縁体層で被覆されてい
ることを特徴とする請求項6記載の保護素子。
7. The protection element according to claim 6, wherein the insulator layer after trimming of the resistor is further covered with an insulator layer having a lower melting point.
【請求項8】絶縁基板に可溶合金と通電発熱によりこの
可溶合金を強制的に溶断させる抵抗体とを有する保護素
子の製造方法であって、絶縁基板に抵抗体を形成する工
程と、抵抗体の上に絶縁体層を形成する工程と、この絶
縁体層の上からレーザを照射することによって抵抗体を
トリミングする工程とを含むことを特徴とする保護素子
の製造方法。
8. A method for manufacturing a protection element having a fusible alloy on an insulating substrate and a resistor forcibly blowing the fusible alloy by energizing heat, comprising: forming a resistor on the insulating substrate; A method for manufacturing a protective element, comprising: a step of forming an insulator layer on a resistor; and a step of trimming the resistor by irradiating a laser from above the insulator layer.
【請求項9】絶縁基板に可溶合金と通電発熱によりこの
可溶合金を強制的に溶断させる抵抗体とを有する保護素
子の製造方法であって、絶縁基板に抵抗体を形成する工
程と、抵抗体の上に絶縁体層を形成する工程と、この絶
縁体層の上からレーザを照射することによって抵抗体を
トリミングする工程と、前記絶縁体層の上にさらに絶縁
体層を形成する工程とを含むことを特徴とする保護素子
の製造方法。
9. A method for manufacturing a protection element having a fusible alloy on an insulating substrate and a resistor for forcibly blowing the fusible alloy by energization and heat generation, comprising: forming a resistor on the insulating substrate; A step of forming an insulator layer on the resistor, a step of trimming the resistor by irradiating a laser from above the insulator layer, and a step of further forming an insulator layer on the insulator layer A method for manufacturing a protection element, comprising:
【請求項10】絶縁基板に可溶合金と通電発熱によりこ
の可溶合金を強制的に溶断させる抵抗体とを有する保護
素子の製造方法であって、絶縁基板に抵抗体を形成する
工程と、抵抗体の上に絶縁体層を形成する工程と、この
絶縁体層の上からレーザを照射することによって抵抗体
をトリミングする工程と、前記絶縁体層の上にそれより
も低融点の絶縁体層を形成する工程と、トリミングされ
た抵抗体の電流路上に対応する位置に可溶合金を接続固
着する工程とを含むことを特徴とする保護素子の製造方
法。
10. A method of manufacturing a protective element having a fusible alloy on an insulating substrate and a resistor for forcibly blowing the fusible alloy by heat generated by current flow, comprising: forming a resistor on the insulating substrate; A step of forming an insulator layer on the resistor, a step of trimming the resistor by irradiating a laser from above the insulator layer, and an insulator having a lower melting point than the insulator on the insulator layer. A method of manufacturing a protection element, comprising: forming a layer; and connecting and fixing a fusible alloy at a position corresponding to a current path of a trimmed resistor.
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