JP2001345035A - Protecting element - Google Patents

Protecting element

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JP2001345035A
JP2001345035A JP2000161754A JP2000161754A JP2001345035A JP 2001345035 A JP2001345035 A JP 2001345035A JP 2000161754 A JP2000161754 A JP 2000161754A JP 2000161754 A JP2000161754 A JP 2000161754A JP 2001345035 A JP2001345035 A JP 2001345035A
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JP
Japan
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insulating resin
lower insulating
melting point
resin films
low melting
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JP2000161754A
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Japanese (ja)
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Tokihiro Yoshikawa
時弘 吉川
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NEC Schott Components Corp
Original Assignee
NEC Schott Components Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To aim at obtaining a high heat-resistant property of protecting ele ment such as thermal fuse, a fuse with a resistor, a current fuse, and a fuse for the temperature and for the current or the like wherein an alloy of a low melting point is coated with flux and sealed by top/bottom insulating resin films. SOLUTION: In the protecting element wherein an alloy 3 of a low melting point is connected between leads 1, 2 and in which the alloy of a low melting point 3 is coated with a flux 4 and which is sealed with the top/bottom insulating resin films 5, 6 having flexibility, at least one of the top/bottom insulating resin films 5, 6 is formed by polyethlene naphthalate, or by a polymer blend or a polymer alloy whose main component is polyethlene naphthalate, or by insulating resin films whose main component is polyethlene naphthalate and into which fillers such as fiber, pigment and calcium carbonate or the like are added.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、保護素子に関し、
より詳細には、特定温度で溶融する低融点合金を有する
温度ヒューズや、低融点合金および抵抗体を有し抵抗体
への通電発熱により低融点合金を強制的に溶断させる抵
抗付きヒューズや、電流ヒューズまたは温度ヒューズ兼
電流ヒューズ等の保護素子に関する。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a protection element,
More specifically, a temperature fuse having a low-melting alloy that melts at a specific temperature, a fuse with a resistor that has a low-melting alloy and a resistor, and forcibly blows the low-melting alloy by energizing and heating the resistor, The present invention relates to a protection element such as a fuse or a thermal fuse and a current fuse.

【0002】[0002]

【従来の技術】電気機器や電子機器等(以下、電子機器
という)を過熱損傷から保護する保護素子として、特定
温度で動作して回路を遮断する温度ヒューズが用いられ
ている。この種の温度ヒューズには、感温材として特定
温度で溶融する絶縁性の感温ペレットを用いて、感温ペ
レットの溶融時に圧縮ばねの伸長により可動接点を固定
接点から開離する感温ペレットタイプのもの(a)と、
感温材として特定温度で溶融する低融点合金を用いて、
この低融点合金に通電し、低融点合金の溶融によって回
路を遮断する低融点合金タイプ(b)とがある。また、
低融点合金と抵抗体とを具備し、抵抗体への通電発熱に
より低融点合金を強制的に溶断させる抵抗体付きヒュー
ズと称される保護素子(c)もある。また、過電流で溶
断する電流ヒユーズ(d)もある。さらに、低融点合金
が特定温度で溶融する温度ヒューズであると同時に過電
流で溶断する電流ヒユーズでもある、いわゆる温度ヒュ
ーズ兼電流ヒユーズ(e)もある。
2. Description of the Related Art A thermal fuse that operates at a specific temperature and cuts off a circuit is used as a protection element for protecting an electric device, an electronic device, and the like (hereinafter, referred to as an electronic device) from overheat damage. This type of thermal fuse uses an insulative thermosensitive pellet that melts at a specific temperature as a thermosensitive material. When the thermosensitive pellet is melted, the movable spring is separated from the fixed contact by the extension of the compression spring. (A)
Using a low-melting alloy that melts at a specific temperature as a temperature-sensitive material,
There is a low melting point alloy type (b) in which a current is supplied to the low melting point alloy and a circuit is interrupted by melting of the low melting point alloy. Also,
There is also a protection element (c) called a fuse with a resistor that includes a low-melting alloy and a resistor, and forcibly blows the low-melting alloy by heating the current flowing through the resistor. There is also a current fuse (d) that blows due to overcurrent. Further, there is a so-called thermal fuse / current fuse (e) which is a thermal fuse in which the low melting point alloy melts at a specific temperature and is also a current fuse which melts due to overcurrent.

【0003】本発明は、前記bタイプの温度ヒューズ
や、cタイプの抵抗付きヒューズや、さらには電流ヒュ
ーズ(d)や温度ヒューズ兼電流ヒューズ(e)と称さ
れる保護素子の改良に関するものであるが、以下、bタ
イプやcタイプのものを中心に説明する。前記bタイプ
の保護素子としては、例えば実開昭57−141346
号公報に開示されている。また、cタイプの保護素子と
しては、例えば実開昭58−52848号公報に開示さ
れている。そして、前記bタイプおよびcタイプの保護
素子をセラミック等の絶縁基板を用いて薄型構造にした
ものもある。
[0003] The present invention relates to the improvement of the b-type thermal fuse, the c-type fuse with resistor, and the protection element called a current fuse (d) or a thermal fuse / current fuse (e). There will be described below mainly those of the b type and the c type. Examples of the b-type protection element include, for example, Japanese Utility Model Laid-Open No. 57-141346.
No. 6,086,045. The c-type protection element is disclosed in, for example, Japanese Utility Model Laid-Open No. 58-52848. In addition, there is a type in which the b-type and c-type protection elements have a thin structure using an insulating substrate such as a ceramic.

【0004】まず、前記bタイプの薄型温度ヒューズと
称される保護素子Dについて、図10および図11を用
いて説明する。図10は、従来の薄型温度ヒューズと称
される保護素子Dの一部を切り開いた平面図を示し、図
11はその長手方向の中心線に沿う縦断面図を示す。図
10および図11において、61はアルミナセラミック
等よりなる矩形状の絶縁基板で、その長手方向の両端
に、銀(以下Ag)ペースト,銀−パラジウム(以下A
g−Pd)ペーストまたは銀−白金(以下Ag−Pt)
ペースト等の導電ペーストを塗布焼成して一対の電極6
2,63が形成されている。前記電極62,63の各外
方端には、リード64,65が半田66,67により接
続されている。また、前記電極62,63の内方端にま
たがって、特定温度で溶融する低融点合金68が溶接等
により接続され、この低融点合金68の表面をフラック
ス69で被覆している。そして、このフラックス69の
上方からセラミックやエポキシ樹脂等の絶縁材料で成形
した絶縁キャップ70を被せて、エポキシ樹脂等の封止
樹脂71により封止されている。
First, a protection element D called a b-type thin thermal fuse will be described with reference to FIGS. 10 and 11. FIG. FIG. 10 is a plan view in which a part of a protection element D called a conventional thin thermal fuse is cut open, and FIG. 11 is a longitudinal sectional view along a center line in the longitudinal direction. 10 and 11, reference numeral 61 denotes a rectangular insulating substrate made of alumina ceramic or the like, and a silver (hereinafter, Ag) paste and a silver-palladium (hereinafter, A) are provided at both ends in the longitudinal direction.
g-Pd) paste or silver-platinum (hereinafter Ag-Pt)
A conductive paste such as a paste is applied and fired to form a pair of electrodes 6.
2, 63 are formed. Leads 64 and 65 are connected to the outer ends of the electrodes 62 and 63 by solders 66 and 67, respectively. Further, a low melting point alloy 68 that melts at a specific temperature is connected to the inner ends of the electrodes 62 and 63 by welding or the like, and the surface of the low melting point alloy 68 is covered with a flux 69. The flux 69 is covered with an insulating cap 70 formed of an insulating material such as ceramic or epoxy resin from above, and sealed with a sealing resin 71 such as epoxy resin.

【0005】この保護素子Dは、例えばリード64,6
5を電子機器に直列に接続することにより、リード64
−電極62−低融点合金68−電極63−リード65を
通って、電子機器に通電する。電子機器の異常により、
周囲温度が上昇すると、まず、フラックス69が溶融し
て、低融点合金68の表面を清浄化および活性化して、
低融点合金68の溶融に備える。周囲温度がさらに上昇
して低融点合金68の融点に達すると、低融点合金68
が溶融し、表面張力によって電極62,63に引き寄せ
られて、球状化した低融点合金68a,68bとなる
(図示省略)ため、回路が遮断され、電子機器への通電
が遮断される。これによって、周囲温度が下降しても、
球状化した低融点合金68a,68bは、元の形状には
復元しないため、回路は遮断されたままとなり、いわゆ
る非復帰型の保護素子として機能する。
The protection element D includes, for example, leads 64 and 6
5 is connected to the electronic device in series, so that the lead 64 is connected.
-Electricity is supplied to the electronic device through the electrode 62-the low melting point alloy 68-the electrode 63-the lead 65. Due to an abnormality in electronic equipment,
When the ambient temperature rises, first, the flux 69 melts and cleans and activates the surface of the low melting point alloy 68,
Prepare for melting of low melting point alloy 68. When the ambient temperature further rises and reaches the melting point of the low melting point alloy 68, the low melting point alloy 68
Is melted and attracted to the electrodes 62 and 63 by surface tension to become spheroidized low-melting alloys 68a and 68b (not shown), so that the circuit is cut off and the power supply to the electronic device is cut off. As a result, even if the ambient temperature drops,
The spheroidized low-melting alloys 68a and 68b do not restore their original shape, so that the circuit remains interrupted and functions as a so-called non-return type protection element.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】電子機器の軽薄短小化
が著しい昨今にあって、温度ヒューズ等の保護素子の軽
薄短小化も要求されている。しかしながら、上記温度ヒ
ューズと称される保護素子Dにおいては、絶縁基板61
や絶縁キャップ70がセラミックや絶縁樹脂による成形
体で形成されているため、機械的強度確保のためにそれ
らの薄型化には限度があり、200〜300μmが限界
であった。そのため、必然的に保護素子D全体の厚さも
絶縁基板61の厚さや絶縁キャップ70の高さによって
決まることになり、薄型化に限度があるという問題点が
あった。
In recent years, there has been a remarkable reduction in the size and weight of electronic devices, and there has been a demand for a reduction in the size and size of protection elements such as thermal fuses. However, in the protection element D called a thermal fuse, the insulating substrate 61
Since the insulating cap 70 and the insulating cap 70 are formed of a molded body made of ceramic or insulating resin, their thickness reduction is limited to ensure mechanical strength, and the limit is 200 to 300 μm. Therefore, the thickness of the entire protection element D is inevitably determined by the thickness of the insulating substrate 61 and the height of the insulating cap 70, and there is a problem that the reduction in thickness is limited.

【0007】上記の問題点は、上記した温度ヒューズと
称される保護素子Dのみならず、絶縁基板に導電ペース
トを塗布焼成して形成した電極間にまたがって低融点合
金を接続するとともに、抵抗体を設けて、抵抗体への通
電による発熱により、前記低融点合金を強制的に溶断さ
せるようにした,いわゆる抵抗付きヒューズと称される
保護素子においても、同様に発生していた。
[0007] The above-mentioned problem is caused not only by the above-mentioned protection element D called a thermal fuse, but also by connecting a low melting point alloy between electrodes formed by applying and baking a conductive paste on an insulating substrate, Similarly, a protection element called a fuse with a resistance, in which a body is provided and the low-melting alloy is forcibly blown off by heat generated by energization of the resistor, similarly occurs.

【0008】また、絶縁基板に導電ペーストを塗布焼成
して形成した電極間にまたがって低融点合金を接続し、
所定以上の電流が流れると低融点合金が自己発熱で溶断
する電流ヒューズと称される保護素子においても、同様
であった。さらに、低融点合金が周囲温度によって溶断
する温度ヒューズであると同時に、所定以上の過電流に
よって溶断する電流ヒューズでもある、いわゆる温度ヒ
ューズ兼電流ヒューズにおいても同様であった。
In addition, a low melting point alloy is connected across electrodes formed by applying and firing a conductive paste on an insulating substrate,
The same applies to a protection element called a current fuse in which a low-melting-point alloy melts by self-heating when a predetermined current or more flows. Further, the same applies to a so-called thermal fuse / current fuse which is a thermal fuse which is blown by an overcurrent exceeding a predetermined level, at the same time as a thermal fuse which blows a low melting point alloy due to an ambient temperature.

【0009】そこで、実開昭64−233号公報等に
は、セラミックや絶縁樹脂の成形体よりなる絶縁基板や
絶縁キャップに代えて、可撓性を有する絶縁樹脂フィル
ムを用いることが提案されている。しかしながら、前記
実開昭64−233号公報に記載されたものは、耐熱性
を有する内層フィルムと自己接着性を有する外装フィル
ムとを積層形成したものであり、構造が複雑で、薄型化
にも限度があり、さらに原価も高いという問題点があっ
た。そこで、本発明は、リード間にまたがって接続した
低融点合金をフラックスで被覆し、上下から可撓性を有
する樹脂フィルムで封止した温度ヒューズ,抵抗付きヒ
ューズ,電流ヒューズ等の保護素子において、より薄型
化を図ることを目的とする。
Therefore, Japanese Utility Model Application Laid-Open No. 64-233 and the like have proposed using a flexible insulating resin film instead of an insulating substrate or an insulating cap made of a molded body of ceramic or insulating resin. I have. However, the structure described in Japanese Utility Model Application Laid-Open No. 64-233 is formed by laminating an inner layer film having heat resistance and an outer film having self-adhesiveness. There was a problem that there was a limit and the cost was high. Therefore, the present invention provides a protective element such as a temperature fuse, a fuse with a resistor, or a current fuse in which a low-melting alloy connected between leads is covered with a flux and sealed from above and below with a flexible resin film. The purpose is to achieve a reduction in thickness.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】本発明は、セラミックよ
りなる絶縁基板や絶縁キャップに代えて、可撓性を有す
る上下絶縁樹脂フィルムを用い、一対のリード間に低融
点合金を接続し、この低融点合金をフラックスで被覆
し、前記可撓性を有する上下絶縁樹脂フィルムを接着ま
たは融着した保護素子において、前記可撓性を有する上
下絶縁樹脂フィルムの少なくとも一方がポリエチレンナ
フタレートからなることを特徴とする保護素子である。
The present invention uses a flexible upper and lower insulating resin film instead of an insulating substrate or insulating cap made of ceramic, and connects a low melting point alloy between a pair of leads. In a protection element in which a low melting point alloy is coated with a flux and the flexible upper and lower insulating resin films are bonded or fused, at least one of the flexible upper and lower insulating resin films is made of polyethylene naphthalate. It is a protection element characterized by the following.

【0011】本発明の請求項1記載の発明は、可撓性を
有する上下絶縁樹脂フィルムと、これらの上下絶縁樹脂
フィルムによって挟持された一対のリードと、これらの
リード間にまたがって接続された低融点合金と、この低
融点合金を被覆するフラックスとを有し、前記上下絶縁
樹脂フィルムが接着ないし融着封止されている保護素子
において、前記上下絶縁樹脂フィルムの少なくとも一方
がポリエチレンナフタレートからなることを特徴とする
保護素子である。このように、可撓性を有する上下絶縁
樹脂フィルムとしてポリエチレンナフタレートを用いる
と、これらフィルムの厚さをセラミック製の絶縁基板や
絶縁キャップに比較して数分の一にできることによっ
て、保護素子の薄型化ができる。のみならず、ポリエチ
レンナフタレートは、ポリエチレンテレフタレート等に
比較して耐熱性が高く、高温域の保護素子まで製造でき
る。
According to the first aspect of the present invention, a flexible upper and lower insulating resin film, a pair of leads sandwiched between the upper and lower insulating resin films, and a connection astride between the leads are provided. A low-melting alloy and a flux covering the low-melting alloy, wherein the upper and lower insulating resin films are bonded or fused and sealed, and at least one of the upper and lower insulating resin films is made of polyethylene naphthalate. A protection element characterized in that: As described above, when polyethylene naphthalate is used as the flexible upper and lower insulating resin films, the thickness of these films can be reduced to a fraction of the thickness of a ceramic insulating substrate or insulating cap. The thickness can be reduced. In addition, polyethylene naphthalate has higher heat resistance than polyethylene terephthalate and the like, and can be manufactured up to a high-temperature protection element.

【0012】本発明の請求項2記載の発明は、可撓性を
有する上下絶縁樹脂フィルムと、これらの上下絶縁樹脂
フィルムによって挟持された一対のリードと、これらの
リード間にまたがって接続された低融点合金と、この低
融点合金を被覆するフラックスとを有し、前記上下絶縁
樹脂フィルムが接着ないし融着封止されている保護素子
において、前記可撓性を有する上下絶縁樹脂フィルムの
少なくとも一方が、ポリエチレンナフタレートを主成分
とし、これに1種以上のポリマーを混合させたポリマー
ブレンドまたはポリマーアロイからなることを特徴とす
る保護素子である。このように、ポリエチレンナフタレ
ートを主成分とし、これに1種以上のポリマーを混合さ
せると、ポリエチレンナフタレートの耐熱性を維持した
まま、他の特性を改善できる。
According to a second aspect of the present invention, a flexible upper and lower insulating resin film, a pair of leads sandwiched between the upper and lower insulating resin films, and a connection extending between the leads. At least one of the flexible upper and lower insulating resin films is a protective element having a low melting point alloy and a flux covering the low melting point alloy, wherein the upper and lower insulating resin films are bonded or fused and sealed. Is a protection element characterized by comprising a polymer blend or a polymer alloy containing polyethylene naphthalate as a main component and one or more polymers mixed therein. As described above, when polyethylene naphthalate is used as a main component and one or more polymers are mixed with the main component, other properties can be improved while maintaining the heat resistance of polyethylene naphthalate.

【0013】本発明の請求項3記載の発明は、可撓性を
有する上下絶縁樹脂フィルムと、これらの上下絶縁樹脂
フィルムによって挟持された一対のリードと、これらの
リード間にまたがって接続された低融点合金と、この低
融点合金を被覆するフラックスとを有し、前記上下絶縁
樹脂フィルムが接着ないし融着封止されている保護素子
において、前記上下絶縁樹脂フィルムの少なくとも一方
が、ポリエチレンナフタレートを主成分とし、これに充
填材を添加したものであることを特徴とする保護素子で
ある。このように、ポリエチレンナフタレートを主成分
とし、これに1種以上の充填材を混合させると、ポリエ
チレンナフタレートの耐熱性を維持したまま、他の特性
を改善できる。
According to a third aspect of the present invention, an upper and lower insulating resin film having flexibility, a pair of leads sandwiched by the upper and lower insulating resin films, and a connection astride between the leads. In a protective element having a low melting point alloy and a flux covering the low melting point alloy, wherein the upper and lower insulating resin films are bonded or fused and sealed, at least one of the upper and lower insulating resin films is made of polyethylene naphthalate. Is a main component, and a filler is added thereto. As described above, when polyethylene naphthalate is used as a main component and one or more fillers are mixed with the main component, other characteristics can be improved while maintaining the heat resistance of polyethylene naphthalate.

【0014】本発明の請求項4記載の発明は、可撓性を
有する上下絶縁樹脂フィルムと、これらの上下絶縁樹脂
フィルムによって挟持された一対のリードと、これらの
リード間にまたがって接続された低融点合金と、この低
融点合金を被覆するフラックスとを有し、前記上下絶縁
樹脂フィルムが接着ないし融着封止されている保護素子
において、前記上下絶縁樹脂フィルムの両方が、ポリエ
チレンナフタレート、ポリエチレンナフタレートを主成
分としこれに1種以上のポリマーを混合させたポリマー
ブレンドまたはポリマーアロイ、およびポリエチレンナ
フタレートを主成分としこれに充填材を添加したものか
ら選択されたいずれかであることを特徴とする保護素子
である。このように、上下絶縁樹脂フィルムの両方を、
同一の材料で形成することにより、材料の種類が少なく
なり、材料の保管が容易になるのみならず、材料の使用
ミスもなくなる。
According to a fourth aspect of the present invention, an upper and lower insulating resin film having flexibility, a pair of leads sandwiched by the upper and lower insulating resin films, and a connection astride between the leads. A protective element having a low melting point alloy and a flux covering the low melting point alloy, wherein the upper and lower insulating resin films are bonded or fused and sealed, both of the upper and lower insulating resin films are polyethylene naphthalate, A polymer blend or a polymer alloy containing polyethylene naphthalate as a main component and one or more polymers mixed therein, or a material selected from polyethylene naphthalate as a main component and a filler added thereto. It is a protection element characterized by the following. In this way, both the upper and lower insulating resin films
The use of the same material reduces the number of types of materials, facilitates storage of the materials, and eliminates erroneous use of the materials.

【0015】本発明の請求項5記載の発明は、前記低融
点合金およびフラックスが、可撓性を有する枠状の中間
絶縁フィルムによって囲撓されていることを特徴とする
請求項1ないし4に記載の保護素子である。このよう
に、低融点合金およびフラックスが、可撓性を有する枠
状の中間絶縁フィルムによって囲撓されていると、フラ
ックス塗布時にフラックスの必要以上の流れ広がりが防
止でき、フラックスの使用量を必要最低限にできるのみ
ならず、上下絶縁樹脂フィルムの接着ないし融着封止面
積が十分取れて封止性が向上し、高い耐湿性が得られ
る。しかも低融点合金の溶融時には、介在した中間絶縁
フィルムの厚みによって溶融した低融点合金の流動空間
が確保されて、低融点合金の溶断動作が確実になる。
The invention according to claim 5 of the present invention is characterized in that the low melting point alloy and the flux are surrounded by a flexible frame-shaped intermediate insulating film. It is a protection element of description. As described above, when the low-melting alloy and the flux are surrounded by the flexible frame-shaped intermediate insulating film, the flux can be prevented from spreading more than necessary at the time of applying the flux, and the amount of the flux used is required. Not only can it be minimized, but also the adhesion or fusion sealing area of the upper and lower insulating resin films can be sufficiently obtained to improve the sealing property and obtain high moisture resistance. In addition, when the low melting point alloy is melted, the flow space of the melted low melting point alloy is secured by the thickness of the interposed intermediate insulating film, and the fusing operation of the low melting point alloy is ensured.

【0016】本発明の請求項6記載の発明は、前記リー
ドが、銅またはニッケル製であることを特徴とする請求
項1ないし4のいずれかに記載の保護素子である。この
ように、銅製リードの場合は、ネジ止め等の機械的な接
続はもちろんのこと、はんだ付けによる接続が可能にな
る。また、ニッケル製リードの場合は、ネジ止め等の機
械的な接続はもちろんのこと、溶接による接続が可能に
なり、リードの接続作業の高速化が図れる。
The invention according to claim 6 of the present invention is the protection element according to any one of claims 1 to 4, wherein the lead is made of copper or nickel. Thus, in the case of a copper lead, not only mechanical connection such as screwing, but also connection by soldering becomes possible. In the case of a lead made of nickel, not only mechanical connection such as screwing, but also connection by welding becomes possible, and the connection work of the lead can be sped up.

【0017】本発明の請求項7記載の発明は、前記保護
素子が、温度ヒューズ、抵抗付きヒューズ、電流ヒュー
ズまたは温度ヒューズ兼電流ヒューズのいずれかである
ことを特徴とする請求項1ないし5のいずれかに記載の
保護素子である。このようにすれば、耐熱性に優れ薄型
化された温度ヒューズ、抵抗付きヒューズ、電流ヒュー
ズまたは温度ヒューズ兼電流ヒューズが得られる。
The invention according to claim 7 of the present invention is characterized in that the protection element is any one of a thermal fuse, a fuse with a resistor, a current fuse, and a thermal fuse and a current fuse. A protection element according to any one of the above. In this way, a thermal fuse, a fuse with a resistor, a current fuse, or a thermal fuse and a current fuse having excellent heat resistance and a reduced thickness can be obtained.

【0018】本発明の実施態様について、以下、図面を
参照して説明する。
An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【実施態様1】図1は本発明の第1実施態様の温度ヒュ
ーズからなる保護素子Aの一部を切り開いた平面図を示
し、図2は図1の長手方向の中心線に沿う断面図であ
る。図1および図2において、1、2は銅製またはニッ
ケル製で板状のリードで、これらのリード1、2の内方
端間にまたがって所定温度で溶融する板状の低融点合金
3が溶接等により接続されている。この低融点合金3の
全面およびリード1、2の内方端部は、フラックス4で
被覆されている。5、6はそれぞれポリエチレンナフタ
レート(PEN)からなる可撓性を有する上下絶縁樹脂
フィルムで、前記低融点合金3を被覆するフラックス4
およびリード1、2の内方端部分を上下から覆って、上
下絶縁樹脂フィルム5および6の当接面に形成された接
着剤層同士が接着されるか、または上下絶縁樹脂フィル
ム5および6の当接面間に介在形成された接着剤により
接着されるか、さらには上下絶縁樹脂フィルム5および
6の周辺部の加熱により融着されて封止されている。
FIG. 1 is a plan view of a protection element A comprising a thermal fuse according to a first embodiment of the present invention, in which a part of the protection element A is cut out, and FIG. 2 is a sectional view taken along a longitudinal center line in FIG. is there. 1 and 2, reference numerals 1 and 2 denote plate-like leads made of copper or nickel, and a plate-like low-melting alloy 3 which melts at a predetermined temperature across the inner ends of these leads 1 and 2 is welded. And so on. The entire surface of the low melting point alloy 3 and the inner ends of the leads 1 and 2 are covered with a flux 4. Reference numerals 5 and 6 denote flexible upper and lower insulating resin films made of polyethylene naphthalate (PEN), respectively.
The adhesive layers formed on the contact surfaces of the upper and lower insulating resin films 5 and 6 are adhered to each other by covering the inner end portions of the leads 1 and 2 from above and below, or It is sealed by an adhesive interposed between the contact surfaces, or is further sealed by heating the peripheral portions of the upper and lower insulating resin films 5 and 6.

【0019】前記リード1、2の全面または少なくとも
内方端部分には、低融点合金3の接続に先立って、例え
ばAg層やはんだ層を形成しておいてもよい。そのよう
にすると、リード1、2の内方端への低融点合金3の接
続が容易になり接続強度が大きくなるとともに、接続抵
抗を小さくでき保護素子としての内部抵抗を小さくでき
るという利点がある。特に、リード1、2を下絶縁樹脂
フィルム6に固着後に、リード1、2の内方端に低融点
合金3を接続する場合は、リード1、2の全面または少
なくとも内方端部分に例えばAg層やはんだ層を形成し
ておくと、低融点合金3の接続温度を低くしたり、加熱
時間を短縮できるために、下絶縁樹脂フィルム6の損傷
がなくなるし、生産性を向上できる。
Prior to the connection of the low melting point alloy 3, for example, an Ag layer or a solder layer may be formed on the entire surfaces of the leads 1 and 2 or at least on the inner ends thereof. By doing so, there is an advantage that the connection of the low melting point alloy 3 to the inner ends of the leads 1 and 2 is facilitated, the connection strength is increased, the connection resistance can be reduced, and the internal resistance as a protection element can be reduced. . Particularly, when the low melting point alloy 3 is connected to the inner ends of the leads 1 and 2 after the leads 1 and 2 are fixed to the lower insulating resin film 6, for example, Ag is applied to the entire surface of the leads 1 and 2 or at least the inner end. By forming a layer or a solder layer, the connection temperature of the low melting point alloy 3 can be lowered and the heating time can be shortened, so that the lower insulating resin film 6 is not damaged, and the productivity can be improved.

【0020】上記の保護素子Aを、そのリード1、2を
電子機器の端子に、ネジ止め、はんだ付け、溶接等によ
り接続することにより、電子機器に直列に接続するとと
もに、電子機器の異常温度上昇を検知したい個所に設置
しておけば、保護素子Aを介して電子機器に通電するこ
とができる。また、電子機器の短絡等に起因する異常発
生によって、電子機器の温度が低融点合金3の融点近く
まで上昇すれば、低融点合金3の全面を被覆しているフ
ラックス4が溶融して、低融点合金3の表面を清浄化お
よび活性化して、低融点合金3の溶融の準備状態にな
る。さらに温度が過昇すると、低融点合金3が溶融し、
その表面張力によって球状化し、リード1、2に引き寄
せられる。この結果、リード1、2間は非導通状態にな
り、回路が開放される。それによって、電子機器への通
電が停止されて、電子機器のそれ以上の温度上昇が阻止
され、電子機器の過熱損傷あるいはそれに起因する火災
発生が未然に防止される。また、電子機器への通電停止
により、電子機器の温度が低下しても、球状化した低融
点合金は元の状態には復帰しないので、いわゆる,無復
帰型の保護素子として機能し安全である。すなわち、こ
の保護素子Aは、従来の保護素子と同様の作用を営む。
The above-mentioned protection element A is connected in series with the electronic equipment by connecting its leads 1 and 2 to the terminals of the electronic equipment by means of screws, soldering, welding, etc. If the electronic device is installed at a location where the rise is desired to be detected, the electronic device can be energized via the protection element A. Further, if the temperature of the electronic device rises to near the melting point of the low melting point alloy 3 due to the occurrence of an abnormality due to a short circuit or the like of the electronic device, the flux 4 covering the entire surface of the low melting point alloy 3 melts, The surface of the melting point alloy 3 is cleaned and activated, and the low melting point alloy 3 is ready for melting. When the temperature further rises, the low melting point alloy 3 melts,
It is made spherical by the surface tension and drawn to the leads 1 and 2. As a result, the leads 1 and 2 become non-conductive, and the circuit is opened. As a result, the power supply to the electronic device is stopped, and a further rise in the temperature of the electronic device is prevented, so that overheating damage to the electronic device or a fire resulting therefrom is prevented. In addition, even if the temperature of the electronic device is lowered by stopping the power supply to the electronic device, the low melting point alloy that has been made into a spherical shape does not return to its original state, so that it functions as a so-called non-return type protection element and is safe. . That is, the protection element A performs the same operation as the conventional protection element.

【0021】また、上記のように、上下絶縁樹脂フィル
ム5および6をポリエチレンナフタレートで形成する
と、図10および図11に示すセラミック製の絶縁基板
61および絶縁キャップ70を用いた保護素子Dに比較
して、上下絶縁樹脂フィルム5および6の厚さをそれぞ
れ50μm程度と、1/4ないし1/6程度にできるこ
とによって、保護素子A全体の厚さを400μm程度と
薄型化することができる。
When the upper and lower insulating resin films 5 and 6 are made of polyethylene naphthalate as described above, the upper and lower insulating resin films 5 and 6 can be compared with the protective element D using the ceramic insulating substrate 61 and the insulating cap 70 shown in FIGS. The thickness of the upper and lower insulating resin films 5 and 6 can be reduced to about 50 μm and about 、 to 1 /, respectively, so that the thickness of the entire protection element A can be reduced to about 400 μm.

【0022】さらに、上記のように、上下絶縁樹脂フィ
ルム5および6をポリエチレンナフタレートで形成する
と、ポリエチレンナフタレートの優れた耐熱性によっ
て、低融点合金3の溶融時に、上下絶縁樹脂フィルム
5、6が溶融することがなく、溶融状態の高温の低融点
合金3が上下絶縁樹脂フィルム5、6の溶融によって生
じた孔から外部に噴出して、電子機器の導体間を短絡さ
せたり、絶縁被覆部材を溶融させて絶縁不良を生じると
いったことがなくなる。あるいは、従来のポリエチレン
テレフタレート等の上下絶縁樹脂フィルムでは実現でき
なかった、高温動作域の保護素子が得られる。
Furthermore, when the upper and lower insulating resin films 5 and 6 are formed of polyethylene naphthalate as described above, the upper and lower insulating resin films 5, 6 are melted when the low melting point alloy 3 is melted due to the excellent heat resistance of polyethylene naphthalate. Does not melt, and the molten high-temperature low-melting-point alloy 3 squirts out of the holes formed by the melting of the upper and lower insulating resin films 5 and 6 to short-circuit the conductors of the electronic device, Is melted to cause insulation failure. Alternatively, a protection element in a high-temperature operation region, which cannot be realized by conventional upper and lower insulating resin films such as polyethylene terephthalate, can be obtained.

【0023】次に、表1により、ポリエチレンナフタレ
ート(PEN)の融点や熱変形温度等の諸特性につい
て、従来のポリエチレンテレフタレート(PET)と対
比して説明する。
Next, various characteristics such as melting point and heat deformation temperature of polyethylene naphthalate (PEN) will be described with reference to Table 1 in comparison with conventional polyethylene terephthalate (PET).

【0024】[0024]

【表1】 [Table 1]

【0025】上記表1から、本発明のポリエチレンナフ
タレート(PEN)は、従来のポリエチレンテレフタレ
ート(PET)と比較して、融点は26℃高く、熱変形
温度は30℃高く、ガラス転移点は51℃も高い。これ
らのデータから、ポリエチレンナフタレート(PEN)
の耐熱性が優れていることが分かる。また、酸素透過
度、強度保持率、熱収縮率等の諸特性でも、ポリエチレ
ンナフタレート(PEN)が格段に優れていることが分
かる。
From Table 1 above, the polyethylene naphthalate (PEN) of the present invention has a melting point 26 ° C. higher, a heat distortion temperature 30 ° C. higher, and a glass transition point of 51 ° C. as compared with conventional polyethylene terephthalate (PET). ° C is also high. From these data, it was found that polyethylene naphthalate (PEN)
It can be seen that the heat resistance is excellent. Further, it is understood that polyethylene naphthalate (PEN) is remarkably excellent in various properties such as oxygen permeability, strength retention and heat shrinkage.

【0026】[0026]

【実施例】次に、本発明の実施例の保護素子について説
明する。幅3mm×厚さ0.1mmの銅製のリード1、
2の内方端間に、幅1mm×厚さ0.2mmで融点が1
83℃の低融点合金3(Sn:63重量%、Pb:37
重量%)を溶接により接続し、フラックス4を塗布し
て、厚さが150μmのポリエチレンナフタレート(P
EN)よりなる上下絶縁樹脂フィルム5、6で融着封止
した本発明の保護素子Aと、上下絶縁樹脂フィルムがポ
リエチレンテレフタレート(PET)よりなる他は同一
条件の比較例の保護素子とを、それぞれ10個用意し、
オーブン中で1℃/分の速度で温度上昇させて低融点合
金3を溶融させた動作試験を行ったところ、上下絶縁樹
脂フィルム5、6に孔が開いて溶融状態の低融点合金3
が噴出してきたものは、本発明の保護素子Aでは0個で
あったのに対し、比較例では3個あった。このように、
耐熱性に大きな差が出たのは、前述のとおり、本発明の
ポリエチレンナフタレート(PEN)が、従来のポリエ
チレンテレフタレート(PET)と比較して、融点およ
び熱変形温度が高いためである。以上のように、本発明
は可撓性を有する上下絶縁樹脂フィルム5および6とし
て、耐熱性の優れたポリエチレンナフタレート(PE
N)を採用しているので、従来のポリエチレンテレフタ
レート(PET)製の絶縁フィルムでは実現できなかっ
た高温動作域の保護素子を提供することができる。
Next, a protection element according to an embodiment of the present invention will be described. Copper lead 1, 3mm wide x 0.1mm thick,
2 between the inner ends, width 1 mm x thickness 0.2 mm, melting point 1
83 ° C. low melting point alloy 3 (Sn: 63% by weight, Pb: 37
Wt.%) By welding, applying flux 4, and applying a 150 μm thick polyethylene naphthalate (P
EN), a protection element A of the present invention fused and sealed with upper and lower insulating resin films 5 and 6, and a protection element of a comparative example under the same conditions except that the upper and lower insulating resin films are made of polyethylene terephthalate (PET). Prepare 10 each,
An operation test was conducted in which the low-melting point alloy 3 was melted by raising the temperature at a rate of 1 ° C./min in an oven.
In the protection element A of the present invention, the number of spouts was 0, whereas in the comparative example, 3 was ejected. in this way,
The large difference in heat resistance is due to the fact that the polyethylene naphthalate (PEN) of the present invention has a higher melting point and higher heat distortion temperature than the conventional polyethylene terephthalate (PET), as described above. As described above, the present invention provides the flexible upper and lower insulating resin films 5 and 6 as polyethylene naphthalate (PE) having excellent heat resistance.
Since N) is employed, it is possible to provide a protection element in a high-temperature operation region, which cannot be realized by a conventional insulating film made of polyethylene terephthalate (PET).

【0027】ここで、前記上下絶縁樹脂フィルム5およ
び6は、前述のポリエチレンナフタレート(PEN)の
みならず、ポリエチレンナフタレート(PEN)を主成
分とし、それに他の1種以上のポリマーを混合したポリ
マーブレンドまたはポリマーアロイを用いてもよい。さ
らには、ポリエチレンナフタレート(PEN)を主成分
とし、それに繊維(耐熱性、強度改善)、顔料(着
色)、炭酸カルシウム(成形性改善)等の充填材の1種
以上を添加したものでもよい。特に、ガラス繊維や炭素
繊維を添加したものでは、熱変形温度が300℃以上に
も達するし、顔料による着色は、例えば保護素子の動作
温度に応じて色彩を変えることにより、一目で動作温度
の判別が可能になり、多数の保護素子を一括包装する場
合に、異品種混入を防止しやすいとともに、万一異品種
が混入していれば、その色彩の違いから瞬時に検出でき
るし、電子機器への組み込み時も、動作温度が異なるも
のを誤って組み込むことが防止できる。さらには、上記
実施態様では、上下絶縁樹脂フィルム5および6に同一
の材料を用いる場合について説明したが、上絶縁樹脂フ
ィルム5と下絶縁樹脂フィルム6とに異なる材料を用い
てもよい。
Here, the upper and lower insulating resin films 5 and 6 contain not only the above-mentioned polyethylene naphthalate (PEN) but also polyethylene naphthalate (PEN) as a main component and a mixture of one or more other polymers. A polymer blend or polymer alloy may be used. Further, a material containing polyethylene naphthalate (PEN) as a main component and one or more fillers such as fiber (improved heat resistance and strength), pigment (colored), and calcium carbonate (improved moldability) may be added. . In particular, in the case where glass fiber or carbon fiber is added, the heat deformation temperature reaches 300 ° C. or more, and coloring with a pigment can be performed at a glance by, for example, changing the color according to the operating temperature of the protective element. This makes it easy to distinguish different types of products when a large number of protective elements are packaged together, and if different types of products are mixed, it can be instantly detected from the difference in color. Also at the time of assembling, it is possible to prevent components having different operating temperatures from being incorporated by mistake. Further, in the above embodiment, the case where the same material is used for the upper and lower insulating resin films 5 and 6 has been described, but different materials may be used for the upper insulating resin film 5 and the lower insulating resin film 6.

【0028】なお、リード1、2を銅製とした場合は、
リードを電子機器にネジ止め等により機械的に接続でき
ることはもちろん、はんだ付けによって接続することが
できる。また、リード1、2をニッケル製とした場合
は、リードを電子機器にネジ止め等により機械的に接続
できることはもちろん、抵抗溶接により短時間で接続す
ることができ、リード接続時の熱で低融点合金3が誤溶
融することが防止できるのみならず、保護素子の生産性
を向上できる。
When the leads 1 and 2 are made of copper,
The lead can be mechanically connected to the electronic device by screwing or the like, or can be connected by soldering. When the leads 1 and 2 are made of nickel, the leads can be mechanically connected to the electronic device by screwing or the like, but can be connected in a short time by resistance welding, and the heat generated when the leads are connected is low. Not only can the melting point alloy 3 be prevented from being erroneously melted, but also the productivity of the protective element can be improved.

【0029】また、本発明は、従来よりも耐熱性に優れ
かつ薄型化された保護素子を提供することを主たる目的
とするものであるが、保護素子の薄型化よりも取り付け
面積を小さくすることを優先したい場合は、断面形状が
丸型または偏平型等の低融点合金を用いてもよい。
It is another object of the present invention to provide a protective element which is more excellent in heat resistance and thinner than the conventional one, but has a smaller mounting area than a thinner protective element. If a higher priority is given, a low melting point alloy having a round or flat cross section may be used.

【0030】[0030]

【実施態様2】次に、本発明の第2実施態様の保護素子
Bについて説明する。本第2実施態様の保護素子Bは、
上下絶縁樹脂フィルムの他に枠状の中間絶縁樹脂フィル
ムを用いたものである。図3は本第2実施態様の保護素
子Bの一部を切り開いた平面図で、図4は図3の長手方
向の中心線に沿う断面図である。図3および図4におい
て、11、12は銅製またはニッケル製の板状のリード
で、その内方端間に低融点合金13が溶接等により接続
されている。この低融点合金13の全面はフラックス1
4によって被覆されている。このフラックス14の周囲
は、可撓性を有する枠状の中間絶縁樹脂フィルム15に
よって取り囲まれている。そして、この中間絶縁樹脂フ
ィルム15の上下から、前記同様に、ポリエチレンナフ
タレート(PEN)、またはポリエチレンナフタレート
(PEN)を主成分とし、それに他の1種以上のポリマ
ーを混合したポリマーブレンドまたはポリマーアロイ、
またはポリエチレンナフタレート(PEN)を主成分と
し、それに繊維(耐熱性、強度改善)、顔料(着色)、
炭酸カルシウム(成形性改善)等の充填材の1種以上を
添加した可撓性を有する上下絶縁樹脂フィルム16およ
び17で覆って、接着または融着により封止されてい
る。
Embodiment 2 Next, a protection element B according to a second embodiment of the present invention will be described. The protection element B according to the second embodiment includes:
A frame-shaped intermediate insulating resin film is used in addition to the upper and lower insulating resin films. FIG. 3 is a plan view in which a part of the protection element B of the second embodiment is cut out, and FIG. 4 is a cross-sectional view along a longitudinal center line in FIG. 3 and 4, reference numerals 11 and 12 denote plate-like leads made of copper or nickel, and a low melting point alloy 13 is connected between inner ends thereof by welding or the like. The entire surface of this low melting point alloy 13 is flux 1
4. The periphery of the flux 14 is surrounded by a frame-shaped intermediate insulating resin film 15 having flexibility. Then, from above and below the intermediate insulating resin film 15, similarly to the above, a polymer blend or polymer containing polyethylene naphthalate (PEN) or polyethylene naphthalate (PEN) as a main component and mixed with one or more other polymers Alloy,
Or polyethylene naphthalate (PEN) as the main component, fiber (heat resistance, strength improvement), pigment (coloring),
It is covered with flexible upper and lower insulating resin films 16 and 17 to which one or more fillers such as calcium carbonate (improved formability) are added, and sealed by adhesion or fusion.

【0031】上記の構成によれば、上記第1実施態様の
保護素子Aと同様の動作が得られるのみならず、枠状の
中間絶縁樹脂フィルム15を具備することによって、例
えば、この中間絶縁樹脂フィルム15をフラックス14
の塗布前に下側絶縁樹脂フィルム17に接着しておく製
造方法を採用すれば、フラックス14をこの枠状の中間
絶縁樹脂フィルム15によって形成される凹部に流し込
むことにより、フラックス14を必要以上に流れ広がら
せることなく塗布できるため、フラックスの使用量を必
要最低限にできるのみならず、流れ広がったフラックス
によって上下絶縁樹脂フィルム5、6の封止性が損なわ
れることがない。しかも、製品である保護素子Bとして
は、枠状の中間絶縁樹脂フィルム15の存在によって、
低融点合金13の周囲に溶融した低融点合金13の流動
空間を確保して、低融点合金13の溶断を確実にするこ
とができる。上記枠状の中間絶縁樹脂フィルム15は、
上下絶縁樹脂フィルム15、16と同一の材料であるこ
とが望ましいが、例えば接着性等に富む他の材料でもよ
い。
According to the above configuration, not only the same operation as the protection element A of the first embodiment can be obtained, but also the provision of the frame-shaped intermediate insulating resin film 15 enables Film 15 with flux 14
By adopting a manufacturing method in which the flux 14 is adhered to the lower insulating resin film 17 before application, the flux 14 is poured into the concave portion formed by the frame-shaped intermediate insulating resin film 15 so that the flux 14 becomes unnecessary. Since the coating can be performed without spreading, the amount of the flux used can be minimized, and the sealing property of the upper and lower insulating resin films 5 and 6 is not impaired by the spread flux. Moreover, as the protection element B as a product, the presence of the frame-shaped intermediate insulating resin film 15
The flow space of the molten low melting point alloy 13 is secured around the low melting point alloy 13, and the low melting point alloy 13 can be reliably blown. The frame-shaped intermediate insulating resin film 15 is
The upper and lower insulating resin films 15 and 16 are preferably made of the same material, but may be made of another material having high adhesiveness or the like.

【0032】[0032]

【実施態様3】次に、本発明の第3実施態様の保護素子
Cについて説明する。本第3実施態様の保護素子Cは、
低融点合金と通電発熱によりこの低融点合金を強制的に
溶断させる抵抗体とを具備する,いわゆる抵抗付きヒュ
ーズに関するものである。図5は、本第3実施態様の保
護素子Cの一部を切り開いた平面図で、図6は図5のX
−X線に沿う断面図、図7は一部を切り開いた下面図で
ある。
Embodiment 3 Next, a protection element C according to a third embodiment of the present invention will be described. The protection element C according to the third embodiment includes:
The present invention relates to a so-called fuse with resistance, comprising a low-melting alloy and a resistor for forcibly blowing the low-melting alloy by current generation. FIG. 5 is a plan view in which a part of the protection element C according to the third embodiment is cut out, and FIG.
FIG. 7 is a cross-sectional view taken along X-ray, and FIG.

【0033】図5ないし図7において、21は前述のポ
リエチレンナフタレート(PEN)またはそれを主成分
とする可撓性を有する絶縁ベースフィルムで、その長手
方向の両端近傍の偏芯した位置に透孔22,23が穿設
されている。前記絶縁ベースフィルム21の表面の一方
端の前記透孔、23を含まない位置、他方端の透孔22
を含む位置、および一方端の透孔23を含む位置に、そ
れぞれ銅,ニッケル,銅合金,ニッケル合金等よりなる
電極24,25、26が形成されている。また、前記絶
縁ベースフィルム21の裏面の長手方向の両端には、そ
れぞれ前記透孔22,23を含む位置に銅,ニッケル,
銅合金,ニッケル合金等よりなる電極27,28が形成
されている。なお、前記各電極24,25,26,2
7,28の上には、それぞれ金層やはんだ層が形成され
てもよい。
In FIGS. 5 to 7, reference numeral 21 denotes the above-mentioned polyethylene naphthalate (PEN) or a flexible insulating base film containing the same as a main component, and is disposed at eccentric positions near both ends in the longitudinal direction. Holes 22 and 23 are formed. One end of the surface of the insulating base film 21, the position not including the through hole 23, and the other end of the through hole 22.
And electrodes including copper, nickel, a copper alloy, a nickel alloy, and the like, are formed at the position including the through hole 23 and the position including the through hole 23 at one end. In addition, copper, nickel, and copper are located at positions including the through holes 22 and 23 at both ends of the back surface of the insulating base film 21 in the longitudinal direction.
Electrodes 27 and 28 made of a copper alloy, a nickel alloy or the like are formed. The electrodes 24, 25, 26, 2
A gold layer or a solder layer may be formed on each of the layers 7 and 28.

【0034】ここで、前記絶縁ベースフィルム21の表
面側の電極25と裏面側の電極27とは透孔22内の導
電体を介して接続されており、また、絶縁ベースフィル
ム21の表面側の電極26と裏面側の電極28とは透孔
23内の導電体を介して接続されている。なお、前記透
孔22,23を絶縁ベースフィルム21の表裏両面側か
らまたはそのいずれか一方側からテーパ状に形成してお
き、透孔22,23をウェットブラストまたはウェット
ホーニングにより粗面化し、Pd等のめっき触媒で置換
しておいて、無電解めっき法で銅めっき層を形成し、そ
の上に電解めっき法で銅めっき層を積層形成することに
より、電極24,25,26,27,28を形成するよ
うにすれば、絶縁ベースフィルム21の表面側の電極2
4,25,26と、裏面側の電極27,28とを同時に
形成できるとともに、これら表裏両面の電極を透孔2
2,23内で接続する接続導電体をも同時に形成するこ
とができる。
Here, the electrode 25 on the front side of the insulating base film 21 and the electrode 27 on the back side are connected via a conductor in the through-hole 22. The electrode 26 and the electrode 28 on the back side are connected via a conductor in the through hole 23. The through holes 22 and 23 are tapered from both sides of the insulating base film 21 or from either side thereof, and the through holes 22 and 23 are roughened by wet blasting or wet honing. The electrodes 24, 25, 26, 27, and 28 are formed by forming a copper plating layer by electroless plating and then forming a copper plating layer on the copper plating layer by electrolytic plating. Is formed, the electrode 2 on the surface side of the insulating base film 21 is formed.
4, 25, 26 and the electrodes 27, 28 on the back side can be formed at the same time.
Connection conductors connected in the insides 2 and 23 can be formed at the same time.

【0035】前記絶縁ベースフイルム21の裏面の電極
27,28間にまたがって、例えば酸化ルテニウム(R
uO)等を蒸着,スパッタまたはめっきして膜状の抵抗
体29が形成されている。なお、この抵抗体29に代え
てチップ抵抗を用いることもできる。
For example, ruthenium oxide (R) extends across the electrodes 27 and 28 on the back surface of the insulating base film 21.
uO) or the like is deposited, sputtered or plated to form a film-shaped resistor 29. Note that a chip resistor can be used instead of the resistor 29.

【0036】再び表面側に戻って、前記電極24ないし
26には、それぞれ銅板材またはニッケル板材等よりな
るリード30、31、32がはんだ付け等によって固着
接続されている。また、前記リード30、31の内方端
間にまたがって、低融点合金33が溶接等により接続さ
れている。さらに、前記低融点合金33の表面は、フラ
ックス34によって被覆されている。
Returning to the front side again, leads 30, 31, 32 made of a copper plate material or a nickel plate material are fixedly connected to the electrodes 24 to 26 by soldering or the like. Further, a low melting point alloy 33 is connected between the inner ends of the leads 30 and 31 by welding or the like. Further, the surface of the low melting point alloy 33 is covered with a flux 34.

【0037】そして、前記フラックス34の上方から
と、前記抵抗体29の下方からは、それぞれ上下絶縁樹
脂フィルム35と36とが被せられ、これら上下絶縁樹
脂フィルム35、36の周縁同士を接着剤により接着す
るか、熱圧着等により融着封止してある。なお、リード
30、31、32の部分は、上下絶縁樹脂フィルム3
5、36で融着封止できないので、樹脂接着剤等により
接着封止される。
The upper and lower insulating resin films 35 and 36 are covered from above the flux 34 and from below the resistor 29, respectively, and the peripheral edges of the upper and lower insulating resin films 35 and 36 are bonded with an adhesive. It is bonded or fused and sealed by thermocompression bonding or the like. The leads 30, 31, and 32 correspond to the upper and lower insulating resin films 3 respectively.
Since fusion sealing cannot be performed at steps 5 and 36, the sealing is performed using a resin adhesive or the like.

【0038】本第3実施態様の保護素子Cにおいても、
絶縁ベースフイルム21および上下絶縁樹脂フィルム3
5、36をポリエチレンナフタレート、ポリエチレンナ
フタレートを主成分とし、ポリマーを混合したポリマー
ブレンドまたはポリマーアロイ、およびポリエチレンナ
フタレートを主成分とし、充填材を添加したもののいず
れかよりなる可撓性を有する樹脂フィルムにしたので、
本発明の所期の保護素子の高耐熱性かつ薄型化という作
用効果が得られるのみならず、抵抗体29への通電発熱
により、低融点合金33を強制的に溶断させることがで
きるので、低融点合金33の融点は前記第1実施態様や
第2実施態様の保護素子A,Bにおける周囲温度に応答
する低融点合金3、13ほど厳密な溶断精度が要求され
なくなるので、低融点合金33の選択範囲が広くなり、
入手容易な安価な材料を採用できるのみならず、温度ヒ
ューズが使用できなかった新たな用途にも適用できると
いう特有の作用効果を奏する。
In the protection element C of the third embodiment,
Insulating base film 21 and upper and lower insulating resin film 3
5 and 36 are made of either polyethylene naphthalate or a polymer blend or polymer alloy containing polyethylene naphthalate as a main component and a polymer, or a material containing polyethylene naphthalate as a main component and a filler added, and having flexibility. Because I made it a resin film,
The intended effect of the protective element of the present invention is not only high heat resistance and thinness, but also the low melting point alloy 33 can be forcibly blown off by the heat generated by energization of the resistor 29, so The melting point of the low melting point alloy 33 is not required to be as strict as that of the low melting point alloys 3 and 13 which respond to the ambient temperature in the protection elements A and B of the first and second embodiments. The selection range becomes wider,
In addition to being able to use easily available and inexpensive materials, the present invention has a specific function and effect that it can be applied to a new use in which a thermal fuse cannot be used.

【0039】次に、上記第3実施態様の保護素子Cの使
用方法例について説明する。図8は、上記の保護素子C
の等価回路図を示す。図8において、40、41、42
は端子で、それぞれリード30、31、32に対応して
いる。また、Fはヒューズ素子で低融点合金33に対応
しており、前記端子40(30)、41(31)間に接
続されている。さらに、Rは抵抗で抵抗体29に対応し
ており、前記端子41(31)、42(32)間に接続
されている。
Next, an example of how to use the protection element C of the third embodiment will be described. FIG. 8 shows the protection element C described above.
The equivalent circuit diagram of FIG. 8, 40, 41, 42
Denotes terminals, which correspond to the leads 30, 31, and 32, respectively. F is a fuse element corresponding to the low melting point alloy 33, and is connected between the terminals 40 (30) and 41 (31). Further, R is a resistor corresponding to the resistor 29 and is connected between the terminals 41 (31) and 42 (32).

【0040】図9は前記抵抗付きヒューズよりなる保護
素子Cを、リチウムイオン二次電池の過充電防止に適用
した場合の回路図を示す。図9において、51,52は
正負直流入力端子で、53,54は正負直流出力端子で
ある。前記正直流入力端子51には保護素子Cの端子4
0(30)が接続され、正直流出力端子53には保護素
子Cの端子41(31)が接続されている。したがっ
て、前記正直流入力端子51と正直流出力端子53間に
は保護素子Cのヒューズ素子F(可溶合金33)が接続
されている。また、負直流入力端子52は負出力端子5
4に接続されている。55は端子電圧を検知する電圧検
知手段で、図示例は電圧検知素子の一例としてのツェナ
ダイオード56と電流制限抵抗57の直列接続によって
構成され、ツェナダイオード56のカソードが正直流出
力端子53に接続されている。さらに、58は前記電圧
検知手段55の電圧検知によって導通状態となるスイッ
チング手段で、図示例はトランジスタ58によって構成
されている。このトランジスタ58のコレクタは、前記
保護素子Cの端子42(32)に接続され、エミッタは
負直流入力端子52(負直流出力端子54)に接続され
ている。前記電圧検知手段45の電流制限抵抗47の他
端は、前記トランジスタ58の制御端子であるベースに
接続されている。
FIG. 9 is a circuit diagram in the case where the protection element C composed of the fuse with a resistor is applied to prevent overcharge of a lithium ion secondary battery. In FIG. 9, reference numerals 51 and 52 denote positive and negative DC input terminals, and 53 and 54 denote positive and negative DC output terminals. The positive DC input terminal 51 is connected to the terminal 4 of the protection element C.
0 (30) is connected, and the positive direct current output terminal 53 is connected to the terminal 41 (31) of the protection element C. Therefore, the fuse element F (fusible alloy 33) of the protection element C is connected between the positive DC input terminal 51 and the positive DC output terminal 53. The negative DC input terminal 52 is connected to the negative output terminal 5.
4 is connected. Reference numeral 55 denotes voltage detecting means for detecting a terminal voltage. In the illustrated example, a zener diode 56 as an example of a voltage detecting element and a current limiting resistor 57 are connected in series, and the cathode of the zener diode 56 is connected to the positive DC output terminal 53. Have been. Reference numeral 58 denotes a switching unit which is brought into a conductive state by the voltage detection of the voltage detection unit 55, and is constituted by a transistor 58 in the illustrated example. The collector of the transistor 58 is connected to the terminal 42 (32) of the protection element C, and the emitter is connected to the negative DC input terminal 52 (negative DC output terminal 54). The other end of the current limiting resistor 47 of the voltage detecting means 45 is connected to a base which is a control terminal of the transistor 58.

【0041】前記図9のように保護素子Cを接続する場
合に、リード30、31が一直線状に導出されており、
かつ幅広状であるのに対して、リード32のみが異なる
位置から導出されており、かつ幅狭状であるので、これ
らリード30,31,32、すなわち,端子40、4
1、42の判別が容易で、誤接続することがない。
When the protection element C is connected as shown in FIG. 9, the leads 30 and 31 are led out in a straight line.
In contrast to the wide shape, only the lead 32 is derived from a different position and is narrow, so that these leads 30, 31, 32, that is, the terminals 40, 4
It is easy to discriminate 1, 42, and there is no erroneous connection.

【0042】前記図9の回路構成において、正負直流入
力端子51、52に電源、例えば充電器59を接続する
とともに、正負直流出力端子53,54に、負荷である
リチウムイオン二次電池60を接続する。すると、充電
器59−端子51−端子40(30)−ヒューズ素子F
(低融点合金33)−端子41(31)−端子53−リ
チウムイオン二次電池60−端子54−端子52−充電
器59の経路で電流が流れて、リチウムイオン二次電池
60が充電される。充電時間の経過とともに、リチウム
イオン二次電池60の端子電圧は次第に上昇していく。
そうして、ついにリチウムイオン二次電池60の端子電
圧がツェナダイオード56のツェナ電圧に達すると、ツ
ェナダイオード56が導通し、トランジスタ58のベー
ス−エミッタ間にバイアス電流が流れ、トランジスタ5
8がオン状態となる。すると、充電器59−端子51−
端子40(30)−ヒューズ素子F(低融点合金33)
−端子41(31)−抵抗R(抵抗体29)−端子42
(32)−トランジスタ58−端子52−充電器59の
経路で電流が流れ、抵抗R(抵抗体29)が発熱する。
この抵抗R(抵抗体29)の発熱は、絶縁ベースフィル
ム21を介して表面側の低融点合金33(ヒューズ素子
F)に伝達され、低融点合金33(ヒューズ素子F)が
溶断する。すると、リチウムイオン二次電池60の充電
が停止されて、過充電が防止されるとともに、抵抗R
(抵抗体29)がヒューズ素子F(可溶合金33)の2
次側に接続されているので、抵抗R(抵抗体29)への
通電も停止される。
In the circuit configuration shown in FIG. 9, a power source, for example, a charger 59 is connected to the positive and negative DC input terminals 51 and 52, and a lithium ion secondary battery 60 as a load is connected to the positive and negative DC output terminals 53 and 54. I do. Then, the charger 59-the terminal 51-the terminal 40 (30)-the fuse element F
Current flows through the path of (low melting point alloy 33), terminal 41 (31), terminal 53, lithium ion secondary battery 60, terminal 54, terminal 52, and charger 59, and the lithium ion secondary battery 60 is charged. . As the charging time elapses, the terminal voltage of the lithium ion secondary battery 60 gradually increases.
When the terminal voltage of the lithium ion secondary battery 60 finally reaches the Zener voltage of the Zener diode 56, the Zener diode 56 conducts, a bias current flows between the base and the emitter of the transistor 58, and the transistor 5
8 is turned on. Then, the charger 59-terminal 51-
Terminal 40 (30) -Fuse element F (low melting point alloy 33)
-Terminal 41 (31)-resistor R (resistor 29)-terminal 42
A current flows through the path of (32) -transistor 58-terminal 52-charger 59, and the resistor R (resistor 29) generates heat.
The heat generated by the resistor R (resistor 29) is transmitted to the low-melting alloy 33 (fuse element F) on the front surface via the insulating base film 21, and the low-melting alloy 33 (fuse element F) is blown. Then, charging of the lithium ion secondary battery 60 is stopped, overcharging is prevented, and the resistance R
(Resistor 29) is the fuse element F (fusible alloy 33) 2
Since it is connected to the next side, the current supply to the resistor R (the resistor 29) is also stopped.

【0043】なお、本発明の上記各実施態様は、特定の
構造のものについて説明したが、本発明は上記実施例に
示した構造に限定されるものではなく、本発明の精神を
逸脱しない範囲で、各種の変形が可能であることはいう
までもない。
Although each of the above embodiments of the present invention has been described with reference to a specific structure, the present invention is not limited to the structure shown in the above embodiment, and does not depart from the spirit of the present invention. It goes without saying that various modifications are possible.

【0044】例えば、図1および図2に示す第1実施態
様の保護素子Aにおいて、リード1、2を上下絶縁樹脂
フィルム5および6間から導出しないで、下絶縁樹脂フ
ィルム6に透孔を形成し、下側絶縁樹脂フィルム6の裏
面に電極を形成するとともに表裏面の電極を透孔内の導
電体で接続して、この裏面の電極にリードを接続するよ
うにしてもよい。あるいは、下絶縁樹脂フィルム6に透
孔を形成し、この透孔を介してリード1、2を下絶縁樹
脂フィルム6の裏面に導出してもよい。そのようにする
と、上下絶縁樹脂フィルム5および6の封止部分にリー
ドが介在されないので、上下絶縁樹脂フィルム5および
6の封止が確実になり、耐湿性が向上するという特徴が
ある。
For example, in the protection element A of the first embodiment shown in FIGS. 1 and 2, the leads 1 and 2 are not led out from between the upper and lower insulating resin films 5 and 6, but the through holes are formed in the lower insulating resin film 6. Then, an electrode may be formed on the back surface of the lower insulating resin film 6, and the electrodes on the front and back surfaces may be connected by a conductor in the through-hole, and a lead may be connected to the electrode on the back surface. Alternatively, a through hole may be formed in the lower insulating resin film 6, and the leads 1 and 2 may be led out to the back surface of the lower insulating resin film 6 through the through hole. In this case, since the leads are not interposed in the sealing portions of the upper and lower insulating resin films 5 and 6, the sealing of the upper and lower insulating resin films 5 and 6 is ensured and the moisture resistance is improved.

【0045】さらに、図1ないし図7に示す第1、第
2、第3実態様の保護素子A、B、Cにおいて、上下絶
縁樹脂フィルム5、6、16、17、35、36は、別
々の2枚のものを用いる場合の他に、1枚の絶縁樹脂フ
ィルムを折り返して形成することができる。そのように
すると、2枚のものを用いる場合に比較して、上下絶縁
樹脂フィルムの位置決めが容易になるのみならず、上下
絶縁樹脂フィルムの接着ないし融着部が1辺分少なくで
きるので、封止性が向上するという特長がある。
Further, in the protection elements A, B, and C of the first, second, and third embodiments shown in FIGS. 1 to 7, the upper and lower insulating resin films 5, 6, 16, 17, 35, and 36 are separately provided. In addition to the case where two sheets are used, one insulating resin film can be formed by folding back. By doing so, not only is it easier to position the upper and lower insulating resin films compared to the case where two sheets are used, but also it is possible to reduce the number of bonded or fused portions of the upper and lower insulating resin films by one side. There is a feature that the stopping performance is improved.

【0046】さらにまた、図5ないし図7に示す第3実
施態様の保護素子Cにおいては、抵抗体29を絶縁ベー
スフィルム21の低融点合金33の接続固着面側と反対
側に設ける場合について説明したが、低融点合金33の
固着面側と同一面側に設けてもよい。この場合、抵抗体
29の表面に絶縁層を形成し、この絶縁層の上に低融点
合金33を形成することが望ましい。そのような構成に
よれば、抵抗体29の発熱は薄い絶縁層を介して低融点
合金33に速やかに伝達されるので、抵抗体29への通
電開始後、短時間で低融点合金33を溶断させることが
できるという特長がある。換言すれば、抵抗体29のよ
り小さな発熱で低融点合金33を溶断できるという特長
がある。その場合、当然、絶縁ベースフィルム21の透
孔22,23や絶縁ベースフィルム21の裏面側の電極
27,28は不要である。場合によっては、絶縁ベース
フィルム21をも省略することができる。
Further, in the protection element C according to the third embodiment shown in FIGS. 5 to 7, a description will be given of a case where the resistor 29 is provided on the side opposite to the side of the insulating base film 21 where the low melting point alloy 33 is connected and fixed. However, it may be provided on the same surface side as the fixing surface side of the low melting point alloy 33. In this case, it is desirable to form an insulating layer on the surface of the resistor 29 and form the low melting point alloy 33 on the insulating layer. According to such a configuration, the heat generated by the resistor 29 is quickly transmitted to the low-melting alloy 33 via the thin insulating layer. There is a feature that it can be done. In other words, there is a feature that the low-melting-point alloy 33 can be blown with less heat generated by the resistor 29. In this case, naturally, the through holes 22 and 23 of the insulating base film 21 and the electrodes 27 and 28 on the back surface side of the insulating base film 21 are unnecessary. In some cases, the insulating base film 21 can be omitted.

【0047】また、リード1,2、11,12および3
0ないし32は、電流容量を損なわない限り、上下絶縁
樹脂フィルムによる封止部分を幅狭状にするか、封止部
分に透孔またはスリットを形成するかして、上下絶縁樹
脂フィルム同士の接着または融着封止面積を増大するこ
とが望ましい。場合によっては、リード1,2、11,
12および30ないし32の封止部分に、エムボスまた
はハーフエッチングによる凹部を設けて、封止界面を凹
凸状にして、封止性を向上するようにしてもよい。
Also, leads 1, 2, 11, 12, and 3
0 to 32, as long as the current capacity is not impaired, the upper and lower insulating resin films are bonded to each other by narrowing the sealing portion by the upper and lower insulating resin films or by forming through holes or slits in the sealing portion. Alternatively, it is desirable to increase the fusion sealing area. In some cases, leads 1, 2, 11,
A recessed portion by embossing or half-etching may be provided in the sealing portions 12 and 30 to 32 to make the sealing interface uneven so as to improve the sealing property.

【0048】[0048]

【発明の効果】本発明は以上のように、可撓性を有する
上下絶縁樹脂フィルムと、これらの上下絶縁樹脂フィル
ムによって挟持された一対のリードと、これらのリード
間にまたがって接続された低融点合金と、この低融点合
金を被覆するフラックスとを有し、前記上下絶縁フィル
ムが接着ないし融着封止されている保護素子において、
前記上下絶縁樹脂フィルムの少なくとも一方がポリエチ
レンナフタレートからなることを特徴とする保護素子で
あるから、従来のポリエチレンテレフタレート等からな
る絶縁樹脂フィルムを用いた保護素子に比較して、耐熱
性に優れた保護素子が得られる。
As described above, the present invention provides a flexible upper and lower insulating resin film, a pair of leads sandwiched between these upper and lower insulating resin films, and a low-powered cable connected between these leads. A protective element having a melting point alloy and a flux covering the low melting point alloy, wherein the upper and lower insulating films are bonded or fused and sealed.
Since the protection element is characterized in that at least one of the upper and lower insulating resin films is made of polyethylene naphthalate, compared to a protection element using an insulating resin film made of conventional polyethylene terephthalate or the like, it has excellent heat resistance. A protection element is obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明の第1実施態様の保護素子Aの一部を
切り開いた平面図
FIG. 1 is a plan view in which a part of a protection element A according to a first embodiment of the present invention is cut away.

【図2】 本発明の第1実施態様の保護素子Aの長手方
向の中心線に沿う断面図
FIG. 2 is a sectional view taken along a longitudinal center line of the protection element A according to the first embodiment of the present invention.

【図3】 本発明の第2実施態様の保護素子Bの一部を
切り開いた平面図
FIG. 3 is a plan view of a protection element B according to a second embodiment of the present invention, which is partially cut away.

【図4】 本発明の第2実施態様の保護素子Bの長手方
向の中心線に沿う断面図
FIG. 4 is a sectional view taken along a longitudinal center line of a protection element B according to a second embodiment of the present invention.

【図5】 本発明の第3実施態様の保護素子Cの一部を
切り開いた平面図
FIG. 5 is a plan view of a protection element C according to a third embodiment of the present invention, which is partially cut away.

【図6】 本発明の第3実施態様の保護素子CのX−X
線に沿う断面図
FIG. 6 is a cross-sectional view of the protection element C according to the third embodiment of the present invention, taken along line XX.
Sectional view along the line

【図7】 本発明の第3実施態様の保護素子Cの一部を
切り開いた下面図
FIG. 7 is a bottom view in which a part of the protection element C according to the third embodiment of the present invention is cut out.

【図8】 本発明の第3実施態様の保護素子Cの等価回
路図
FIG. 8 is an equivalent circuit diagram of a protection element C according to a third embodiment of the present invention.

【図9】 本発明の第3実施態様の保護素子Cをリチウ
ムイオン二次電池の過充電防止に適用した過充電防止回
路の回路図
FIG. 9 is a circuit diagram of an overcharge prevention circuit in which a protection element C according to a third embodiment of the present invention is applied to prevent overcharge of a lithium ion secondary battery.

【図10】 従来の薄型保護素子Dの一部を切り開いた
平面図
FIG. 10 is a plan view in which a part of a conventional thin protection element D is cut open.

【図11】 従来の薄型保護素子Dの長手方向の中心線
に沿う断面図
FIG. 11 is a cross-sectional view of a conventional thin protection element D taken along a longitudinal center line.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1、2、11、12、30、31、32 リード 3、13、33 低融点合金 4、14、34 フラックス 5、6、16、17、35、36 上下絶縁樹脂フィル
ム 15 中間絶縁樹脂フィルム 21 絶縁ベースフィルム 22、23 透孔 24、25、26、27、28 電極 29 抵抗体(抵抗膜) 40、41、42 端子 51、52 正負直流入力端子 53、54 正負直流出力端子 55 電圧検知手段 56 電圧検知素子(ツェナダイオード) 57 電流制限抵抗 58 スイッチング手段(トランジスタ) 59 充電器 60 リチウムイオン二次電池 F ヒューズ素子 R 抵抗
1, 2, 11, 12, 30, 31, 32 Lead 3, 13, 33 Low melting point alloy 4, 14, 34 Flux 5, 6, 16, 17, 35, 36 Upper and lower insulating resin film 15 Intermediate insulating resin film 21 Insulation Base film 22, 23 Through hole 24, 25, 26, 27, 28 Electrode 29 Resistor (resistive film) 40, 41, 42 Terminal 51, 52 Positive / negative DC input terminal 53, 54 Positive / negative DC output terminal 55 Voltage detecting means 56 Voltage Sensing element (Zener diode) 57 Current limiting resistor 58 Switching means (transistor) 59 Charger 60 Lithium ion secondary battery F Fuse element R Resistance

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】可撓性を有する上下絶縁樹脂フィルムと、
これらの上下絶縁樹脂フィルムによって挟持された一対
のリードと、これらのリード間にまたがって接続された
低融点合金と、この低融点合金を被覆するフラックスと
を有し、前記上下絶縁フィルムが接着ないし融着封止さ
れている保護素子において、 前記上下絶縁樹脂フィルムの少なくとも一方がポリエチ
レンナフタレートからなることを特徴とする保護素子。
An upper and lower insulating resin film having flexibility,
A pair of leads sandwiched by these upper and lower insulating resin films, a low-melting alloy connected across these leads, and a flux covering the low-melting alloy, wherein the upper and lower insulating films do not adhere to each other. A protective element which is fusion-sealed, wherein at least one of the upper and lower insulating resin films is made of polyethylene naphthalate.
【請求項2】可撓性を有する上下絶縁樹脂フィルムと、
これらの上下絶縁樹脂フィルムによって挟持された一対
のリードと、これらのリード間にまたがって接続された
低融点合金と、この低融点合金を被覆するフラックスと
を有し、前記上下絶縁樹脂フィルムが接着ないし融着封
止されている保護素子において、 前記上下絶縁樹脂フィルムの少なくとも一方が、ポリエ
チレンナフタレートを主成分とし、これに1種以上のポ
リマーを混合させたポリマーブレンドまたはポリマーア
ロイからなることを特徴とする保護素子。
2. An upper and lower insulating resin film having flexibility,
A pair of leads sandwiched by these upper and lower insulating resin films, a low melting point alloy connected between these leads, and a flux covering the low melting point alloy, wherein the upper and lower insulating resin films are bonded. In the protective element which is sealed by fusion bonding, at least one of the upper and lower insulating resin films is mainly composed of polyethylene naphthalate, and is made of a polymer blend or a polymer alloy in which one or more polymers are mixed. Characteristic protection element.
【請求項3】可撓性を有する上下絶縁樹脂フィルムと、
これらの上下絶縁樹脂フィルムによって挟持された一対
のリードと、これらのリード間にまたがって接続された
低融点合金と、この低融点合金を被覆するフラックスと
を有し、前記上下絶縁樹脂フィルムが接着ないし融着封
止されている保護素子において、 前記上下絶縁樹脂フィルムの少なくとも一方が、ポリエ
チレンナフタレートを主成分とし、これに充填材を添加
したものであることを特徴とする保護素子。
3. An upper and lower insulating resin film having flexibility,
A pair of leads sandwiched by these upper and lower insulating resin films, a low melting point alloy connected between these leads, and a flux covering the low melting point alloy, wherein the upper and lower insulating resin films are bonded. A protective element, wherein at least one of the upper and lower insulating resin films is mainly composed of polyethylene naphthalate and a filler is added thereto.
【請求項4】可撓性を有する上下絶縁樹脂フィルムと、
これらの上下絶縁樹脂フィルムによって挟持された一対
のリードと、これらのリード間にまたがって接続された
低融点合金と、この低融点合金を被覆するフラックスと
を有し、前記上下絶縁樹脂フィルムが接着ないし融着封
止されている保護素子において、 前記上下絶縁樹脂フィルムの両方が、ポリエチレンナフ
タレート,ポリエチレンナフタレートを主成分としこれ
に1種以上のポリマを混合させたポリマーブレンドまた
はポリマーアロイ、およびポリエチレンナフタレートを
主成分としこれに充填材を添加したものから選択された
いずれかであることを特徴とする保護素子。
4. An upper and lower insulating resin film having flexibility,
A pair of leads sandwiched by these upper and lower insulating resin films, a low melting point alloy connected between these leads, and a flux covering the low melting point alloy, wherein the upper and lower insulating resin films are bonded. Or a fusion-sealed protective element, wherein both of the upper and lower insulating resin films are polyethylene naphthalate, a polymer blend or polymer alloy containing polyethylene naphthalate as a main component and one or more polymers mixed therein, and A protection element characterized in that the element is selected from those containing polyethylene naphthalate as a main component and a filler added thereto.
【請求項5】前記低融点合金およびフラックスが、可撓
性を有する枠状の中間絶縁フィルムによって囲撓されて
いることを特徴とする請求項1ないし4のいずれかに記
載の保護素子。
5. The protection element according to claim 1, wherein the low melting point alloy and the flux are surrounded by a flexible frame-shaped intermediate insulating film.
【請求項6】前記リードが、銅またはニッケル製である
ことを特徴とする請求項1ないし4のいずれかに記載の
保護素子。
6. The protection element according to claim 1, wherein said lead is made of copper or nickel.
【請求項7】前記保護素子が、温度ヒューズ、抵抗付き
ヒューズ、電流ヒューズまたは温度ヒューズ兼電流ヒュ
ーズのいずれかであることを特徴とする請求項1ないし
5のいずれかに記載の保護素子。
7. The protection element according to claim 1, wherein the protection element is one of a thermal fuse, a fuse with a resistor, a current fuse, and a thermal fuse and a current fuse.
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