JP2000269576A - 固体レーザ装置 - Google Patents
固体レーザ装置Info
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- JP2000269576A JP2000269576A JP7349399A JP7349399A JP2000269576A JP 2000269576 A JP2000269576 A JP 2000269576A JP 7349399 A JP7349399 A JP 7349399A JP 7349399 A JP7349399 A JP 7349399A JP 2000269576 A JP2000269576 A JP 2000269576A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明は、レーザロッドの励起分布を均一に調
整できて、対称な強度分布のレーザ光を安定して取り足
すことができる。 【解決手段】各半導体レーザ２〜７から出力される励起
光をレーザロッド１に照射したときのレーザロッド１の
励起分布をモニタ用ミラー２８からモニタ光学系２９を
通してモニタ用ＣＣＤカメラ３０によりモニタし、この
モニタされたレーザロッド１の励起分布に基づいて出力
・波長制御回路３１によって各半導体レーザ２〜７のそ
れぞれに並列接続された各可変抵抗２２〜２７を調整
し、各半導体レーザ２〜７個々の出力や波長を制御す
る。
整できて、対称な強度分布のレーザ光を安定して取り足
すことができる。 【解決手段】各半導体レーザ２〜７から出力される励起
光をレーザロッド１に照射したときのレーザロッド１の
励起分布をモニタ用ミラー２８からモニタ光学系２９を
通してモニタ用ＣＣＤカメラ３０によりモニタし、この
モニタされたレーザロッド１の励起分布に基づいて出力
・波長制御回路３１によって各半導体レーザ２〜７のそ
れぞれに並列接続された各可変抵抗２２〜２７を調整
し、各半導体レーザ２〜７個々の出力や波長を制御す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、固体レーザ媒質を
光励起してレーザ光を発生する固体レーザ装置に関す
る。
光励起してレーザ光を発生する固体レーザ装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】一般に半導体レーザ励起固体レーザ装置
は、固体レーザ媒質としてのレーザロッドを有し、この
レーザロッドを光励起することによりレーザ光を発生す
るもので、このレーザロッドを光共振器内に配置するこ
とによりレーザロッドから発生した光を光共振器によっ
て増幅し、発振出力するものとなっている。
は、固体レーザ媒質としてのレーザロッドを有し、この
レーザロッドを光励起することによりレーザ光を発生す
るもので、このレーザロッドを光共振器内に配置するこ
とによりレーザロッドから発生した光を光共振器によっ
て増幅し、発振出力するものとなっている。
【０００３】このような固体レーザ装置においてレーザ
ロッドを光励起する励起光源としては、例えばアークラ
ンプ、フラッシュランプ或いは半導体レーザ（ＬＤ）が
知られており、最近では、レーザロッドに吸収される所
定の波長の励起光を出力することのできる半導体レーザ
が用いられることが多くなっている。この半導体レーザ
を用いることによりレーザロッドの光励起を効率よく行
うことが可能となっている。
ロッドを光励起する励起光源としては、例えばアークラ
ンプ、フラッシュランプ或いは半導体レーザ（ＬＤ）が
知られており、最近では、レーザロッドに吸収される所
定の波長の励起光を出力することのできる半導体レーザ
が用いられることが多くなっている。この半導体レーザ
を用いることによりレーザロッドの光励起を効率よく行
うことが可能となっている。
【０００４】ところが、半導体レーザの波長は、半導体
レーザの出力及び半導体レーザに対する冷却温度によっ
て著しく変化することから半導体レーザに対する出力制
御及び温度制御が必要となる。
レーザの出力及び半導体レーザに対する冷却温度によっ
て著しく変化することから半導体レーザに対する出力制
御及び温度制御が必要となる。
【０００５】そこで、半導体レーザの出力制御について
は、例えば特開平８−３２１６５１号公報に記載されて
いるように半導体レーザの出力を制御するために個々の
半導体レーザを駆動するトランジスタをＣＰＵによって
制御するものがある。
は、例えば特開平８−３２１６５１号公報に記載されて
いるように半導体レーザの出力を制御するために個々の
半導体レーザを駆動するトランジスタをＣＰＵによって
制御するものがある。
【０００６】又、半導体レーザの温度制御については、
例えば特開平８−２０４２６３号公報に記載されている
ように冷却手段として空冷ファンを使用して半導体レー
ザの温度が一定になるように制御し、固体レーザ装置の
出力の安定化を図るものがある。
例えば特開平８−２０４２６３号公報に記載されている
ように冷却手段として空冷ファンを使用して半導体レー
ザの温度が一定になるように制御し、固体レーザ装置の
出力の安定化を図るものがある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、個々の
半導体レーザを独立に制御するためには、個々の半導体
レーザそれぞれに対して電源から配線を行う必要が生
じ、特に多数の半導体レーザを使用する場合には、多数
の電源及び配線が必要となり、装置全体が大型化すると
いう欠点がある。
半導体レーザを独立に制御するためには、個々の半導体
レーザそれぞれに対して電源から配線を行う必要が生
じ、特に多数の半導体レーザを使用する場合には、多数
の電源及び配線が必要となり、装置全体が大型化すると
いう欠点がある。
【０００８】例えば、図６は複数の半導体レーザに対す
る電源系統の構成の一例を示しており、レーザロッド１
の外周側には、複数の半導体レーザ２〜７がレーザロッ
ド１の直径方向に円周上に配置されるとともに、さらに
この円周上に配置したものを１組としてレーザロッドの
長手方向に複数組配置されている。そして、これら半導
体レーザ２〜７の１個１個には、それぞれ各直流定電流
電源８〜１３が接続されている。このような電源系統で
は、多数の直流定電流電源８〜１３及びその配線が必要
となり、装置全体が大型化するという欠点がある。
る電源系統の構成の一例を示しており、レーザロッド１
の外周側には、複数の半導体レーザ２〜７がレーザロッ
ド１の直径方向に円周上に配置されるとともに、さらに
この円周上に配置したものを１組としてレーザロッドの
長手方向に複数組配置されている。そして、これら半導
体レーザ２〜７の１個１個には、それぞれ各直流定電流
電源８〜１３が接続されている。このような電源系統で
は、多数の直流定電流電源８〜１３及びその配線が必要
となり、装置全体が大型化するという欠点がある。
【０００９】電源の数を少なくするために例えば図７に
示すような電源系統がある。この電源系統は、各半導体
レーザ２〜７のうち２つの半導体レーザ２と５、３と
６、４と７それぞれ毎に１つの直流定電流電源１４、１
５、１６を接続した構成となっている。しかしながら、
このような構成でも各半導体レーザ２〜７個々の制御が
できないばかりか３つの直流定電流電源１４、１５、１
６が必要となって図６に示す装置同様に装置全体が大型
化するという欠点がある。
示すような電源系統がある。この電源系統は、各半導体
レーザ２〜７のうち２つの半導体レーザ２と５、３と
６、４と７それぞれ毎に１つの直流定電流電源１４、１
５、１６を接続した構成となっている。しかしながら、
このような構成でも各半導体レーザ２〜７個々の制御が
できないばかりか３つの直流定電流電源１４、１５、１
６が必要となって図６に示す装置同様に装置全体が大型
化するという欠点がある。
【００１０】そこで、図８に示すように各半導体レーザ
２〜７を直列に直流定電流電源１７に接続した電源系統
がある。このような構成であれば、１つの直流定電流電
源１７を用いるのみで装置全体の小型化が図れるが、各
半導体レーザ２〜７から出力されるレーザ光の光量にば
らつきがあると、各半導体レーザ２〜７個々の制御がで
きないので、レーザロッド１の励起分布が不均一となっ
てしまい、対称な形状のレーザ光を安定して取り足すこ
とができず、これを改善しようと各半導体レーザ２〜７
の出力を制御しようとしても困難な構成となっている。
２〜７を直列に直流定電流電源１７に接続した電源系統
がある。このような構成であれば、１つの直流定電流電
源１７を用いるのみで装置全体の小型化が図れるが、各
半導体レーザ２〜７から出力されるレーザ光の光量にば
らつきがあると、各半導体レーザ２〜７個々の制御がで
きないので、レーザロッド１の励起分布が不均一となっ
てしまい、対称な形状のレーザ光を安定して取り足すこ
とができず、これを改善しようと各半導体レーザ２〜７
の出力を制御しようとしても困難な構成となっている。
【００１１】そして、さらに特開平８−３２１６５１号
公報の技術では、レーザロッドの光励起むらの問題につ
いて言及しておらず熱にあまり強くないトランジスタ素
子を用いている。
公報の技術では、レーザロッドの光励起むらの問題につ
いて言及しておらず熱にあまり強くないトランジスタ素
子を用いている。
【００１２】そこで本発明は、レーザロッドの励起分布
を均一に調整できて、対称な形状のレーザ光を安定して
取り足すことができる固体レーザ装置を提供することを
目的とする。
を均一に調整できて、対称な形状のレーザ光を安定して
取り足すことができる固体レーザ装置を提供することを
目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の本発明
は、複数の半導体レーザから出力される励起光を固体レ
ーザ媒質に照射することにより固体レーザ媒質を励起し
てレーザ光を発生する固体レーザ装置において、複数の
半導体レーザ個々の少なくとも出力を制御する出力制御
手段を備えた固体レーザ装置である。
は、複数の半導体レーザから出力される励起光を固体レ
ーザ媒質に照射することにより固体レーザ媒質を励起し
てレーザ光を発生する固体レーザ装置において、複数の
半導体レーザ個々の少なくとも出力を制御する出力制御
手段を備えた固体レーザ装置である。
【００１４】請求項２記載の本発明は、請求項１記載の
固体レーザ装置において、出力制御手段は、固体レーザ
媒質の励起分布をモニタするモニタ手段と、このモニタ
手段によりモニタされた固体レーザ媒質の励起分布に基
づいて複数の半導体レーザ個々の少なくとも出力を制御
する出力制御手段と、を有するものである。
固体レーザ装置において、出力制御手段は、固体レーザ
媒質の励起分布をモニタするモニタ手段と、このモニタ
手段によりモニタされた固体レーザ媒質の励起分布に基
づいて複数の半導体レーザ個々の少なくとも出力を制御
する出力制御手段と、を有するものである。
【００１５】請求項３記載の本発明は、請求項１記載の
固体レーザ装置において、出力制御手段は、固体レーザ
媒質の励起分布をモニタするモニタ手段と、複数の半導
体レーザに対してそれぞれに並列接続された複数の可変
抵抗と、モニタ手段によりモニタされた固体レーザ媒質
の励起分布に基づいて複数の可変抵抗を調整し、複数の
半導体レーザ個々の少なくとも出力を制御する出力制御
回路と、を有するものである。
固体レーザ装置において、出力制御手段は、固体レーザ
媒質の励起分布をモニタするモニタ手段と、複数の半導
体レーザに対してそれぞれに並列接続された複数の可変
抵抗と、モニタ手段によりモニタされた固体レーザ媒質
の励起分布に基づいて複数の可変抵抗を調整し、複数の
半導体レーザ個々の少なくとも出力を制御する出力制御
回路と、を有するものである。
【００１６】請求項４記載の本発明は、請求項１、２又
は３記載の固体レーザ装置において、複数の半導体レー
ザは、直列接続されている。
は３記載の固体レーザ装置において、複数の半導体レー
ザは、直列接続されている。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施の形態につ
いて図面を参照して説明する。
いて図面を参照して説明する。
【００１８】図１は固体レーザ装置の全体構成図であ
る。
る。
【００１９】レーザロッド１の長手方向側（光軸方向
側）には、それぞれ全反射鏡２０と出力鏡２１とが配置
されてレーザ共振器が形成されている。このレーザロッ
ド１の外周側には、上記同様に複数の半導体レーザ２〜
７がレーザロッド１の直径方向に円周上に配置されると
ともに、さらにこの円周上に配置したものを１組として
レーザロッド１の長手方向に複数組配置されている。
側）には、それぞれ全反射鏡２０と出力鏡２１とが配置
されてレーザ共振器が形成されている。このレーザロッ
ド１の外周側には、上記同様に複数の半導体レーザ２〜
７がレーザロッド１の直径方向に円周上に配置されると
ともに、さらにこの円周上に配置したものを１組として
レーザロッド１の長手方向に複数組配置されている。
【００２０】これら半導体レーザ２〜７には、これら半
導体レーザ２〜７について個々の出力や波長を制御する
ための出力制御手段を構成するための各可変抵抗２２〜
２７が各半導体レーザ２〜７に対してそれぞれ並列接続
されている。
導体レーザ２〜７について個々の出力や波長を制御する
ための出力制御手段を構成するための各可変抵抗２２〜
２７が各半導体レーザ２〜７に対してそれぞれ並列接続
されている。
【００２１】そして、これら半導体レーザ２〜７には、
半導体レーザ電源（直流定電流電源）１７が接続されて
いる。
半導体レーザ電源（直流定電流電源）１７が接続されて
いる。
【００２２】一方、レーザ共振器から発振されるレーザ
光Ｑの光路上には、レーザロッド１の励起分布をモニタ
するモニタ手段を構成するためのモニタ用ミラー２８が
配置され、このモニタ用ミラー２８の反射光路上にモニ
タ光学系２９を介してモニタ用ＣＣＤカメラ３０が設け
られている。
光Ｑの光路上には、レーザロッド１の励起分布をモニタ
するモニタ手段を構成するためのモニタ用ミラー２８が
配置され、このモニタ用ミラー２８の反射光路上にモニ
タ光学系２９を介してモニタ用ＣＣＤカメラ３０が設け
られている。
【００２３】このモニタ用ＣＣＤカメラ３０は、レーザ
ロッド１の励起分布をモニタするもので、このモニタの
際すなわち半導体レーザ２〜７について個々の出力及び
波長を調整するためのに各可変抵抗２２〜２７を設定す
る際には、図２に示すようにレーザ共振器を形成する全
反射鏡２０及び出力鏡２１が取り外されるものとなって
いる。
ロッド１の励起分布をモニタするもので、このモニタの
際すなわち半導体レーザ２〜７について個々の出力及び
波長を調整するためのに各可変抵抗２２〜２７を設定す
る際には、図２に示すようにレーザ共振器を形成する全
反射鏡２０及び出力鏡２１が取り外されるものとなって
いる。
【００２４】出力・波長制御回路３１は、モニタ用ＣＣ
Ｄカメラ３０によりモニタされたレーザロッド１の励起
分布に基づいて各可変抵抗２２〜２７をそれぞれ個別に
調整し、各半導体レーザ２〜７について個々の出力及び
波長をフィードバック制御する機能を有している。
Ｄカメラ３０によりモニタされたレーザロッド１の励起
分布に基づいて各可変抵抗２２〜２７をそれぞれ個別に
調整し、各半導体レーザ２〜７について個々の出力及び
波長をフィードバック制御する機能を有している。
【００２５】次に上記の如く構成された装置の作用につ
いて説明する。
いて説明する。
【００２６】各半導体レーザ２〜７の出力及び波長を調
整するために各可変抵抗２２〜２７の抵抗値を設定する
際には、図２に示すようにレーザ共振器を形成する全反
射鏡２０及び出力鏡２１が取り外される。
整するために各可変抵抗２２〜２７の抵抗値を設定する
際には、図２に示すようにレーザ共振器を形成する全反
射鏡２０及び出力鏡２１が取り外される。
【００２７】この状態に半導体レーザ電源１７から各半
導体レーザ２〜７に電力が供給され、これら半導体レー
ザ２〜７からそれぞれ励起光が出力されてレーザロッド
１に照射される。これにより、レーザロッド１は、励起
されて発光する。
導体レーザ２〜７に電力が供給され、これら半導体レー
ザ２〜７からそれぞれ励起光が出力されてレーザロッド
１に照射される。これにより、レーザロッド１は、励起
されて発光する。
【００２８】このレーザロッド１で発光された光は、モ
ニタ用ミラー２８で反射し、モニタ光学系２９でモニタ
用ＣＣＤカメラ３０に結像する。このモニタ用ＣＣＤカ
メラ３０は、レーザロッド１からの光を撮像し、レーザ
ロッド１の励起分布の画像データを出力・波長制御回路
３１に送る。
ニタ用ミラー２８で反射し、モニタ光学系２９でモニタ
用ＣＣＤカメラ３０に結像する。このモニタ用ＣＣＤカ
メラ３０は、レーザロッド１からの光を撮像し、レーザ
ロッド１の励起分布の画像データを出力・波長制御回路
３１に送る。
【００２９】この出力・波長制御回路３１は、モニタ用
ＣＣＤカメラ３０によりモニタされたレーザロッド１の
励起分布に基づいてこのレーザロッド１の励起分布が均
一となるように各可変抵抗２２〜２７に対してそれぞれ
各制御信号を送出する。これにより、各半導体レーザ２
〜７について個々の出力や波長がフィードバック制御さ
れ、レーザロッド１の励起分布が均一となる。
ＣＣＤカメラ３０によりモニタされたレーザロッド１の
励起分布に基づいてこのレーザロッド１の励起分布が均
一となるように各可変抵抗２２〜２７に対してそれぞれ
各制御信号を送出する。これにより、各半導体レーザ２
〜７について個々の出力や波長がフィードバック制御さ
れ、レーザロッド１の励起分布が均一となる。
【００３０】これら半導体レーザ２〜７について個々の
出力や波長の制御の後、レーザロッド１の光軸上にレー
ザ共振器を形成する全反射鏡２０及び出力鏡２１が取り
付けられる。
出力や波長の制御の後、レーザロッド１の光軸上にレー
ザ共振器を形成する全反射鏡２０及び出力鏡２１が取り
付けられる。
【００３１】ここで、半導体レーザ２〜７の特性につい
て説明する。
て説明する。
【００３２】図３は半導体レーザ動作電流に対する出力
の関係を示しており、半導体レーザ２〜７はしきい値を
超えるとほぼ線形に出力が増加する特性を有している。
の関係を示しており、半導体レーザ２〜７はしきい値を
超えるとほぼ線形に出力が増加する特性を有している。
【００３３】又、図４は半導体レーザ電流に対する半導
体レーザ波長との典型的な関係を示している。半導体レ
ーザ波長は、半導体レーザパッケージ温度が１０℃上昇
すると約３ｎｍ長くなる。すなわち、半導体レーザに流
れる電流値が大きくなると、半導体レーザパッケージ温
度も高くなるので、半導体レーザ波長も長くなる傾向を
有している。よって、少なくとも電流値の制御で波長の
制御も可能となる。
体レーザ波長との典型的な関係を示している。半導体レ
ーザ波長は、半導体レーザパッケージ温度が１０℃上昇
すると約３ｎｍ長くなる。すなわち、半導体レーザに流
れる電流値が大きくなると、半導体レーザパッケージ温
度も高くなるので、半導体レーザ波長も長くなる傾向を
有している。よって、少なくとも電流値の制御で波長の
制御も可能となる。
【００３４】一方、レーザロッド１の半導体レーザ波長
に対する吸収係数は、波長によって著しく異なる性質を
持っている。図５はレーザロッド１としてＮｄ：ＹＡＧ
結晶の場合の吸収係数を示す。
に対する吸収係数は、波長によって著しく異なる性質を
持っている。図５はレーザロッド１としてＮｄ：ＹＡＧ
結晶の場合の吸収係数を示す。
【００３５】以上のような特性を有する半導体レーザ２
〜７として、例えば市販の半導体レーザには、出力や波
長にばらつきがあり、同一電流、同一冷却温度では、レ
ーザロッド１に均一で対称な励起分布を得ることは難し
い。
〜７として、例えば市販の半導体レーザには、出力や波
長にばらつきがあり、同一電流、同一冷却温度では、レ
ーザロッド１に均一で対称な励起分布を得ることは難し
い。
【００３６】このような実情から上記の如くレーザロッ
ド１の励起分布に基づいてこのレーザロッド１の励起分
布が均一となるように各可変抵抗２２〜２７を設定し、
各半導体レーザ２〜７個々の出力や波長をフィードバッ
ク制御する必要がある。
ド１の励起分布に基づいてこのレーザロッド１の励起分
布が均一となるように各可変抵抗２２〜２７を設定し、
各半導体レーザ２〜７個々の出力や波長をフィードバッ
ク制御する必要がある。
【００３７】具体的な数値をもって説明すると、各半導
体レーザ２〜７に対して並列に可変抵抗２２〜２７を接
続して各半導体レーザ２〜７に流れる電流値を制御する
方式なので、各半導体レーザ２〜７の抵抗値は、連続出
力２０Ｗの素子の場合、高々０．０２Ωであり、定格動
作電流は３０Ａ程度である。各可変抵抗２２〜２７によ
り投入電流３Ａの制御を行う場合、これら可変抵抗２２
〜２７の値は０．２Ωとすればよい。又、このとき各可
変抵抗２２〜２７での消費電力は、高々１．８Ｗであ
り、市販の可変抵抗で十分に対応することが可能であ
る。
体レーザ２〜７に対して並列に可変抵抗２２〜２７を接
続して各半導体レーザ２〜７に流れる電流値を制御する
方式なので、各半導体レーザ２〜７の抵抗値は、連続出
力２０Ｗの素子の場合、高々０．０２Ωであり、定格動
作電流は３０Ａ程度である。各可変抵抗２２〜２７によ
り投入電流３Ａの制御を行う場合、これら可変抵抗２２
〜２７の値は０．２Ωとすればよい。又、このとき各可
変抵抗２２〜２７での消費電力は、高々１．８Ｗであ
り、市販の可変抵抗で十分に対応することが可能であ
る。
【００３８】このように上記一実施の形態においては、
各半導体レーザ２〜７から出力される励起光をレーザロ
ッド１に照射したときのレーザロッド１の励起分布をモ
ニタし、このモニタされたレーザロッド１の励起分布に
基づいて各半導体レーザ２〜７個々の出力や波長を制御
するので、多くの電源やその配線が不必要となり、装置
全体も大型化することなく、レーザロッド１の励起分布
を均一に調整でき、対称な形状のレーザ光を安定して取
り出すことができる。
各半導体レーザ２〜７から出力される励起光をレーザロ
ッド１に照射したときのレーザロッド１の励起分布をモ
ニタし、このモニタされたレーザロッド１の励起分布に
基づいて各半導体レーザ２〜７個々の出力や波長を制御
するので、多くの電源やその配線が不必要となり、装置
全体も大型化することなく、レーザロッド１の励起分布
を均一に調整でき、対称な形状のレーザ光を安定して取
り出すことができる。
【００３９】なお、本発明は、上記一実施の形態に限定
されるものでなく次の通り変形してもよい。
されるものでなく次の通り変形してもよい。
【００４０】例えば、レーザロッド１の励起分布をモニ
タする手段は、レーザ共振器を構成する全反射鏡２０と
出力鏡２１との間にモニタ用ミラー２８を挿入してモニ
タするようにしてもよい。
タする手段は、レーザ共振器を構成する全反射鏡２０と
出力鏡２１との間にモニタ用ミラー２８を挿入してモニ
タするようにしてもよい。
【００４１】
【発明の効果】以上詳記したように本発明によれば、レ
ーザロッドの励起分布を均一に調整できて、対称な強度
分布をもったレーザ光を安定して取り足すことができる
固体レーザ装置を提供できる。
ーザロッドの励起分布を均一に調整できて、対称な強度
分布をもったレーザ光を安定して取り足すことができる
固体レーザ装置を提供できる。
【図１】本発明に係わる固体レーザ装置の一実施の形態
を示す全体構成図。
を示す全体構成図。
【図２】同装置における半導体レーザの出力及び波長の
調整時の構成を示す図。
調整時の構成を示す図。
【図３】半導体レーザ動作電流に対する出力の関係を示
す図。
す図。
【図４】半導体レーザ電流に対する半導体レーザ波長と
の典型的な関係を示す図。
の典型的な関係を示す図。
【図５】レーザロッドとしてＮｄ：ＹＡＧ結晶の場合の
吸収係数を示す図。
吸収係数を示す図。
【図６】従来における固体レーザ装置に用いる電源系統
の構成図。
の構成図。
【図７】従来における固体レーザ装置に用いる電源系統
の他の構成図。
の他の構成図。
【図８】従来における固体レーザ装置に用いる電源系統
の他の構成図。
の他の構成図。
１：レーザロッド、 ２〜７：半導体レーザ、 ２０：全反射鏡、 ２１：出力鏡、 ２２〜２７：可変抵抗、 ２８：モニタ用ミラー、 ２９：モニタ光学系、 ３０：モニタ用ＣＣＤカメラ、 ３１：出力・波長制御回路。
Claims (4)
- 【請求項１】 複数の半導体レーザから出力される励起
光を固体レーザ媒質に照射することにより前記固体レー
ザ媒質を励起してレーザ光を発生する固体レーザ装置に
おいて、 複数の前記半導体レーザ個々の少なくとも出力を制御す
る出力制御手段、を具備したことを特徴とする固体レー
ザ装置。 - 【請求項２】 前記出力制御手段は、前記固体レーザ媒
質の励起分布をモニタするモニタ手段と、 このモニタ手段によりモニタされた前記固体レーザ媒質
の励起分布に基づいて複数の前記半導体レーザ個々の少
なくとも出力を制御する出力制御手段と、を有すること
を特徴とする請求項１記載の固体レーザ装置。 - 【請求項３】 前記出力制御手段は、前記固体レーザ媒
質の励起分布をモニタするモニタ手段と、 複数の前記半導体レーザに対してそれぞれに並列接続さ
れた複数の可変抵抗と、 前記モニタ手段によりモニタされた前記固体レーザ媒質
の励起分布に基づいて複数の前記可変抵抗を調整し、複
数の前記半導体レーザ個々の少なくとも出力を制御する
出力制御回路と、を有することを特徴とする請求項１記
載の固体レーザ装置。 - 【請求項４】 複数の前記半導体レーザは、直列接続さ
れたことを特徴とする請求項１、２又は３記載の固体レ
ーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7349399A JP2000269576A (ja) | 1999-03-18 | 1999-03-18 | 固体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7349399A JP2000269576A (ja) | 1999-03-18 | 1999-03-18 | 固体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000269576A true JP2000269576A (ja) | 2000-09-29 |
Family
ID=13519858
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7349399A Pending JP2000269576A (ja) | 1999-03-18 | 1999-03-18 | 固体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000269576A (ja) |
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-
1999
- 1999-03-18 JP JP7349399A patent/JP2000269576A/ja active Pending
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