JP2000268394A - 近視野光メモリヘッド - Google Patents
近視野光メモリヘッドInfo
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- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S977/00—Nanotechnology
- Y10S977/84—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure
- Y10S977/849—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure with scanning probe
- Y10S977/86—Scanning probe structure
- Y10S977/862—Near-field probe
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Head (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 近視野光を利用して記録媒体に情報の記録及
び／または再生を行う近視野光メモリヘッドにおいて、
コンパクトな構成かつ大量生産及びアレイ化に適した近
視野光メモリヘッドを提供する。 【解決手段】 少なくとも１つの逆錐状の穴がその頂部
を微小開口とするように貫通して形成された平面基板に
おいて、記録媒体に近視野光を生成させる近視野光生成
系、及び、生成された近視野光を前記微小開口とで相互
作用させて得られる伝搬光を受光素子に導く近視野光検
出系を一体化する。
び／または再生を行う近視野光メモリヘッドにおいて、
コンパクトな構成かつ大量生産及びアレイ化に適した近
視野光メモリヘッドを提供する。 【解決手段】 少なくとも１つの逆錐状の穴がその頂部
を微小開口とするように貫通して形成された平面基板に
おいて、記録媒体に近視野光を生成させる近視野光生成
系、及び、生成された近視野光を前記微小開口とで相互
作用させて得られる伝搬光を受光素子に導く近視野光検
出系を一体化する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、近視野光を利用し
て高密度な情報の再生及び／または記録を行う光メモリ
ヘッドに関する。
て高密度な情報の再生及び／または記録を行う光メモリ
ヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】試料表面においてナノメートルオーダの
微小な領域を観察するために走査型トンネル顕微鏡（Ｓ
ＴＭ）や原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）に代表される走査型
プローブ顕微鏡（ＳＰＭ）が用いられている。ＳＰＭ
は、先端が先鋭化されたプローブを試料表面に走査さ
せ、プローブと試料表面との間に生じるトンネル電流や
原子間力などの相互作用を観察対象として、プローブ先
端形状に依存した分解能の像を得ることができるが、比
較的、観察する試料に対する制約が厳しい。
微小な領域を観察するために走査型トンネル顕微鏡（Ｓ
ＴＭ）や原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）に代表される走査型
プローブ顕微鏡（ＳＰＭ）が用いられている。ＳＰＭ
は、先端が先鋭化されたプローブを試料表面に走査さ
せ、プローブと試料表面との間に生じるトンネル電流や
原子間力などの相互作用を観察対象として、プローブ先
端形状に依存した分解能の像を得ることができるが、比
較的、観察する試料に対する制約が厳しい。
【０００３】そこでいま、伝搬光を使用し、試料表面に
生成される近視野光とプローブとの間に生じる相互作用
を観察対象とすることで、試料表面の微小な領域の観察
を可能にした近視野光学顕微鏡が注目されている。近視
野光学顕微鏡においては、伝搬光を試料の表面に照射し
て近視野光を生成し、生成された近視野光を先端が先鋭
化されたプローブにより散乱させ、その散乱光を従来の
伝搬光検出と同様に処理することで、従来の光学顕微鏡
による観察分解能の限界を打破し、より微小な領域の観
察を可能としている。また、試料表面に照射する光の波
長を掃引することで、微小領域における試料の光学物性
の観測をも可能としている。
生成される近視野光とプローブとの間に生じる相互作用
を観察対象とすることで、試料表面の微小な領域の観察
を可能にした近視野光学顕微鏡が注目されている。近視
野光学顕微鏡においては、伝搬光を試料の表面に照射し
て近視野光を生成し、生成された近視野光を先端が先鋭
化されたプローブにより散乱させ、その散乱光を従来の
伝搬光検出と同様に処理することで、従来の光学顕微鏡
による観察分解能の限界を打破し、より微小な領域の観
察を可能としている。また、試料表面に照射する光の波
長を掃引することで、微小領域における試料の光学物性
の観測をも可能としている。
【０００４】近視野光学顕微鏡には、光ファイバを先鋭
化して周辺を金属でコーティングすることによってその
先端に微小開口を設けた光ファイバプローブを使用する
ことが多く、光ファイバプローブを近視野光と相互作用
させることによって生じた散乱光をその光ファイバプロ
ーブ内部に通過させて光検出器に導いている。また、光
ファイバプローブを通して試料に向けて光を導入させる
ことによって、光ファイバプローブの微小開口に近視野
光を生じさせ、この近視野光と試料表面の微細構造との
相互作用によって生じた散乱光を更に付加された集光系
を用いて光検出器に導き、表面観察を行うことも可能で
ある。
化して周辺を金属でコーティングすることによってその
先端に微小開口を設けた光ファイバプローブを使用する
ことが多く、光ファイバプローブを近視野光と相互作用
させることによって生じた散乱光をその光ファイバプロ
ーブ内部に通過させて光検出器に導いている。また、光
ファイバプローブを通して試料に向けて光を導入させる
ことによって、光ファイバプローブの微小開口に近視野
光を生じさせ、この近視野光と試料表面の微細構造との
相互作用によって生じた散乱光を更に付加された集光系
を用いて光検出器に導き、表面観察を行うことも可能で
ある。
【０００５】更に、顕微鏡としての利用だけでなく、光
ファイバプローブを通して試料に向けて比較的強度の大
きな光を導入させることにより、光ファイバプローブの
微小開口にエネルギー密度の高い近視野光を生成し、そ
の近視野光によって試料表面の構造または物性を局所的
に変更させる高密度な光メモリ記録としての応用も可能
である。
ファイバプローブを通して試料に向けて比較的強度の大
きな光を導入させることにより、光ファイバプローブの
微小開口にエネルギー密度の高い近視野光を生成し、そ
の近視野光によって試料表面の構造または物性を局所的
に変更させる高密度な光メモリ記録としての応用も可能
である。
【０００６】近視野光学顕微鏡に使用されるプローブと
して、例えば米国特許第5,294,790号に開示されている
ように、フォトリソグラフィ等の半導体製造技術によっ
てシリコン基板にこれを貫通する開口部を形成し、シリ
コン基板の一方の面には絶縁膜を形成して、開口部の反
対側の絶縁膜の上に円錐形状の光導波層を形成したカン
チレバー型光プローブが提案されている。このカンチレ
バー型光プローブにおいては、開口部に光ファイバを挿
入し、光導波層の先端部以外を金属膜でコーティングす
ることで形成された微小開口に光を透過させることがで
きる。
して、例えば米国特許第5,294,790号に開示されている
ように、フォトリソグラフィ等の半導体製造技術によっ
てシリコン基板にこれを貫通する開口部を形成し、シリ
コン基板の一方の面には絶縁膜を形成して、開口部の反
対側の絶縁膜の上に円錐形状の光導波層を形成したカン
チレバー型光プローブが提案されている。このカンチレ
バー型光プローブにおいては、開口部に光ファイバを挿
入し、光導波層の先端部以外を金属膜でコーティングす
ることで形成された微小開口に光を透過させることがで
きる。
【０００７】更に、上述したプローブのように先鋭化さ
れた先端をもたない平面プローブの使用が提案されてい
る。平面プローブは、シリコン基板に異方性エッチング
によって逆ピラミッド構造の開口を形成したものであ
り、特にその頂点が数十ナノメートルの径を有して貫通
されている。そのような平面プローブは、半導体製造技
術を用いて同一基板上に複数作成すること、すなわちア
レイ化が容易であり、特に近視野光を利用した光メモリ
の再生及び記録に適した光メモリヘッドとして使用でき
る。
れた先端をもたない平面プローブの使用が提案されてい
る。平面プローブは、シリコン基板に異方性エッチング
によって逆ピラミッド構造の開口を形成したものであ
り、特にその頂点が数十ナノメートルの径を有して貫通
されている。そのような平面プローブは、半導体製造技
術を用いて同一基板上に複数作成すること、すなわちア
レイ化が容易であり、特に近視野光を利用した光メモリ
の再生及び記録に適した光メモリヘッドとして使用でき
る。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、光ファ
イバプローブにおいては、先鋭化された先端を有してい
るために機械的強度が十分でなく、大量生産及びアレイ
化にも適していない。また、近視野光を乱すことで得ら
れる散乱光は非常に微弱であるため、光ファイバを通し
てその散乱光を検出する場合には、検出部において十分
な光量を得るための工夫が必要になる。また、光ファイ
バを通して十分な大きさの近視野光を生成する場合に
は、その光ファイバの微小開口部に光を集光する工夫が
必要となる。
イバプローブにおいては、先鋭化された先端を有してい
るために機械的強度が十分でなく、大量生産及びアレイ
化にも適していない。また、近視野光を乱すことで得ら
れる散乱光は非常に微弱であるため、光ファイバを通し
てその散乱光を検出する場合には、検出部において十分
な光量を得るための工夫が必要になる。また、光ファイ
バを通して十分な大きさの近視野光を生成する場合に
は、その光ファイバの微小開口部に光を集光する工夫が
必要となる。
【０００９】また、カンチレバー型光プローブにおいて
は、その開口部に光ファイバを挿入して、光導波層から
の散乱光の受光、または光導波層への伝搬光の導入を達
成するため、光導波層と光ファイバとの間において十分
な光量を損失なく伝搬することができなかった。カンチ
レバー型光プローブは、アレイ化、特に２次元に配列す
るアレイ化の実現は困難である。また、これらは元来、
顕微鏡としての利用を目的としているために光メモリの
情報記録・再生を念頭においてはおらず、記録媒体上の
高速な掃引は困難である。
は、その開口部に光ファイバを挿入して、光導波層から
の散乱光の受光、または光導波層への伝搬光の導入を達
成するため、光導波層と光ファイバとの間において十分
な光量を損失なく伝搬することができなかった。カンチ
レバー型光プローブは、アレイ化、特に２次元に配列す
るアレイ化の実現は困難である。また、これらは元来、
顕微鏡としての利用を目的としているために光メモリの
情報記録・再生を念頭においてはおらず、記録媒体上の
高速な掃引は困難である。
【００１０】しかしながら、光ファイバプローブ、カン
チレバー型光プローブ及び平面プローブを光メモリヘッ
ドとして使用する場合、これらプローブは情報記録また
は情報再生のどちらか一方に対してのみの利用を前提と
している。例えば、光ファイバプローブを記録媒体に情
報を記録するために用いた場合、その記録媒体に記録さ
れた情報を再生するには、記録媒体に近視野光を生成さ
せる近視野光生成系、及び、生成された近視野光を散乱
させてその散乱光を光検出器に導く近視野光検出系を必
要とする。従って、このようなプローブを使用して高密
度な情報記録・再生を実現するには、装置の構成が複雑
になり、コストも増大してしまう。
チレバー型光プローブ及び平面プローブを光メモリヘッ
ドとして使用する場合、これらプローブは情報記録また
は情報再生のどちらか一方に対してのみの利用を前提と
している。例えば、光ファイバプローブを記録媒体に情
報を記録するために用いた場合、その記録媒体に記録さ
れた情報を再生するには、記録媒体に近視野光を生成さ
せる近視野光生成系、及び、生成された近視野光を散乱
させてその散乱光を光検出器に導く近視野光検出系を必
要とする。従って、このようなプローブを使用して高密
度な情報記録・再生を実現するには、装置の構成が複雑
になり、コストも増大してしまう。
【００１１】更に、光ファイバプローブ、カンチレバー
型光プローブ及び平面プローブを光メモリヘッドとして
記録媒体上に記録された情報を再生するために用いた場
合には、これらプローブは記録媒体に近視野光を生成さ
せる近視野光生成用、または、生成された近視野光を散
乱させてその散乱光を光検出器に導く近視野光検出用の
どちらか一方に対してのみに利用されるのが通例であ
り、プローブのみの構成で情報再生を実現することは困
難であった。
型光プローブ及び平面プローブを光メモリヘッドとして
記録媒体上に記録された情報を再生するために用いた場
合には、これらプローブは記録媒体に近視野光を生成さ
せる近視野光生成用、または、生成された近視野光を散
乱させてその散乱光を光検出器に導く近視野光検出用の
どちらか一方に対してのみに利用されるのが通例であ
り、プローブのみの構成で情報再生を実現することは困
難であった。
【００１２】また、平面プローブに至っては、微小開口
を記録媒体に近接させた状態において、微小開口近傍と
記録媒体との間に十分な空間を有していないため、記録
媒体表面に向けて光を照射することにより同じく記録媒
体の表面に近視野光を生じさせる反射型の近視野光を利
用することができなかった。従って、本発明は、近視野
光を利用した光メモリの情報記録・再生を実現させるた
めに、コンパクトな構成かつ大量生産に適した近視野光
メモリヘッドを提供することを目的とする。また、光信
号を容易に取り出すための構造及び手段を提供する事を
目的としている。
を記録媒体に近接させた状態において、微小開口近傍と
記録媒体との間に十分な空間を有していないため、記録
媒体表面に向けて光を照射することにより同じく記録媒
体の表面に近視野光を生じさせる反射型の近視野光を利
用することができなかった。従って、本発明は、近視野
光を利用した光メモリの情報記録・再生を実現させるた
めに、コンパクトな構成かつ大量生産に適した近視野光
メモリヘッドを提供することを目的とする。また、光信
号を容易に取り出すための構造及び手段を提供する事を
目的としている。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明に係る近視野光メモリヘッドは、近視野光
を利用して記録媒体の情報の再生を行う近視野光メモリ
ヘッドにおいて、少なくとも１つの逆錐状の穴がその頂
部を微小開口とするように貫通して形成された平面基板
と、前記平面基板内に形成された光導波路と、前記光導
波路に光を入射させる光源と、を含み、前記光導波路の
一端部は前記平面基板の側端部に位置し、前記光導波路
の他端部は前記微小開口の開口縁部に位置している。
めに、本発明に係る近視野光メモリヘッドは、近視野光
を利用して記録媒体の情報の再生を行う近視野光メモリ
ヘッドにおいて、少なくとも１つの逆錐状の穴がその頂
部を微小開口とするように貫通して形成された平面基板
と、前記平面基板内に形成された光導波路と、前記光導
波路に光を入射させる光源と、を含み、前記光導波路の
一端部は前記平面基板の側端部に位置し、前記光導波路
の他端部は前記微小開口の開口縁部に位置している。
【００１４】従って、基板の側方から光導波路を介して
記録媒体に光を照射することによる近視野光の生成と、
生成された近視野光と微小開口との相互作用によって生
じる伝搬光の取り出しが、同一の基板上において実現で
きる。また、本発明に係る近視野光メモリヘッドは、前
記光導波路の一端部が前記平面基板の上面部に位置し、
前記光導波路の内側面の一部に前記光導波路を通過する
光を反射させる反射膜がさらに形成されている。
記録媒体に光を照射することによる近視野光の生成と、
生成された近視野光と微小開口との相互作用によって生
じる伝搬光の取り出しが、同一の基板上において実現で
きる。また、本発明に係る近視野光メモリヘッドは、前
記光導波路の一端部が前記平面基板の上面部に位置し、
前記光導波路の内側面の一部に前記光導波路を通過する
光を反射させる反射膜がさらに形成されている。
【００１５】従って、基板の上面から光導波路を介して
記録媒体に光を照射することによる近視野光の生成と、
生成された近視野光と微小開口との相互作用によって生
じる伝搬光の取り出しが、同一の基板上において実現で
きる。更に、本発明に係る近視野光メモリヘッドは、近
視野光を利用して記録媒体の情報の再生を行う近視野光
メモリヘッドにおいて、少なくとも１つの逆錐状の穴が
その頂部を微小開口とするように貫通して形成された平
面基板と、前記平面基板上かつ前記穴の縁部に形成され
た回折格子と、前記回折格子に照射光を入射させる光源
と、を含み、前記回折格子は前記照射光を前記平面基板
を介して前記微小開口の開口縁部に導き、前記平面基板
は前記照射光を透過させる材料からなり、前記照射光が
射出される微小開口の開口縁部を除く表面に遮光膜が形
成されている。
記録媒体に光を照射することによる近視野光の生成と、
生成された近視野光と微小開口との相互作用によって生
じる伝搬光の取り出しが、同一の基板上において実現で
きる。更に、本発明に係る近視野光メモリヘッドは、近
視野光を利用して記録媒体の情報の再生を行う近視野光
メモリヘッドにおいて、少なくとも１つの逆錐状の穴が
その頂部を微小開口とするように貫通して形成された平
面基板と、前記平面基板上かつ前記穴の縁部に形成され
た回折格子と、前記回折格子に照射光を入射させる光源
と、を含み、前記回折格子は前記照射光を前記平面基板
を介して前記微小開口の開口縁部に導き、前記平面基板
は前記照射光を透過させる材料からなり、前記照射光が
射出される微小開口の開口縁部を除く表面に遮光膜が形
成されている。
【００１６】従って、基板の上面から回折格子を介して
記録媒体に光を照射することによる近視野光の生成と、
生成された近視野光と微小開口との相互作用によって生
じる伝搬光の取り出しが、同一の基板上において実現で
きる。更に、本発明に係る近視野光メモリヘッドは、近
視野光を利用して記録媒体の情報の再生を行う近視野光
メモリヘッドにおいて、少なくとも１つの逆錐状の穴が
その頂部を微小開口とするように貫通して形成された平
面基板と、前記平面基板の側端部に形成された回折格子
と、前記回折格子に照射光を入射させる光源と、を含
み、前記回折格子は前記照射光を前記平面基板を介して
各々の前記微小開口の開口縁部に導き、前記平面基板は
前記照射光を透過させる材料からなり、前記照射光が射
出される各々の微小開口の開口縁部を除く表面に遮光膜
が形成されている。
記録媒体に光を照射することによる近視野光の生成と、
生成された近視野光と微小開口との相互作用によって生
じる伝搬光の取り出しが、同一の基板上において実現で
きる。更に、本発明に係る近視野光メモリヘッドは、近
視野光を利用して記録媒体の情報の再生を行う近視野光
メモリヘッドにおいて、少なくとも１つの逆錐状の穴が
その頂部を微小開口とするように貫通して形成された平
面基板と、前記平面基板の側端部に形成された回折格子
と、前記回折格子に照射光を入射させる光源と、を含
み、前記回折格子は前記照射光を前記平面基板を介して
各々の前記微小開口の開口縁部に導き、前記平面基板は
前記照射光を透過させる材料からなり、前記照射光が射
出される各々の微小開口の開口縁部を除く表面に遮光膜
が形成されている。
【００１７】従って、基板の側面から回折格子を介して
記録媒体の複数の異なる位置に光を照射することによる
近視野光の生成と、生成された近視野光と微小開口との
相互作用によって生じる伝搬光の取り出しが、同一の基
板上において実現できる。更に、本発明に係る近視野光
メモリヘッドは、近視野光を利用して記録媒体の情報の
記録及び／または再生を行う近視野光メモリヘッドにお
いて、少なくとも１つの逆錐状の穴がその頂部を微小開
口とするように貫通して形成された平面基板と、前記穴
の側面に沿って深さ方向に形成された光導波路と、前記
光導波路の一端部に形成された受光手段と、を含み、前
記光導波路の他端部は前記微小開口の開口縁部に位置
し、前記光導波路はその他端部を除く表面に遮光膜が形
成されている。
記録媒体の複数の異なる位置に光を照射することによる
近視野光の生成と、生成された近視野光と微小開口との
相互作用によって生じる伝搬光の取り出しが、同一の基
板上において実現できる。更に、本発明に係る近視野光
メモリヘッドは、近視野光を利用して記録媒体の情報の
記録及び／または再生を行う近視野光メモリヘッドにお
いて、少なくとも１つの逆錐状の穴がその頂部を微小開
口とするように貫通して形成された平面基板と、前記穴
の側面に沿って深さ方向に形成された光導波路と、前記
光導波路の一端部に形成された受光手段と、を含み、前
記光導波路の他端部は前記微小開口の開口縁部に位置
し、前記光導波路はその他端部を除く表面に遮光膜が形
成されている。
【００１８】従って、微小開口に向けて光を照射するこ
とにより生成される近視野光と記録媒体との相互作用に
よって生じる伝搬光が、光導波路に導入され、受光手段
において受光されることが、同一の基板上において実現
できる。更に、本発明に係る近視野光メモリヘッドは、
近視野光を利用して記録媒体の情報の記録及び／または
再生を行う近視野光メモリヘッドにおいて、少なくとも
１つの逆錐状の穴がその頂部を微小開口とするように貫
通して形成された平面基板と、前記微小開口の開口縁部
に形成されたレンズと、前記レンズの光軸上かつ前記平
面基板上に形成された受光手段と、を含み、前記平面基
板は、光を透過させる材料からなり、前記レンズ部を除
く表面に遮光膜が形成されている。
とにより生成される近視野光と記録媒体との相互作用に
よって生じる伝搬光が、光導波路に導入され、受光手段
において受光されることが、同一の基板上において実現
できる。更に、本発明に係る近視野光メモリヘッドは、
近視野光を利用して記録媒体の情報の記録及び／または
再生を行う近視野光メモリヘッドにおいて、少なくとも
１つの逆錐状の穴がその頂部を微小開口とするように貫
通して形成された平面基板と、前記微小開口の開口縁部
に形成されたレンズと、前記レンズの光軸上かつ前記平
面基板上に形成された受光手段と、を含み、前記平面基
板は、光を透過させる材料からなり、前記レンズ部を除
く表面に遮光膜が形成されている。
【００１９】従って、微小開口に向けて光を照射するこ
とにより生成される近視野光と記録媒体との相互作用に
よって生じる伝搬光が、レンズによって集光され、受光
手段において受光されることが、同一の基板上において
実現できる。更に、本発明に係る近視野光メモリヘッド
は、近視野光を利用して記録媒体の情報の記録及び／ま
たは再生を行う近視野光メモリヘッドにおいて、少なく
とも１つの逆錐状の穴がその頂部を微小開口とするよう
に貫通して形成された平面基板を含み、前記平面基板
は、前記微小開口の開口縁部において受光手段を備えて
おり、前記受光手段部を除く表面に遮光膜が形成されて
いる。
とにより生成される近視野光と記録媒体との相互作用に
よって生じる伝搬光が、レンズによって集光され、受光
手段において受光されることが、同一の基板上において
実現できる。更に、本発明に係る近視野光メモリヘッド
は、近視野光を利用して記録媒体の情報の記録及び／ま
たは再生を行う近視野光メモリヘッドにおいて、少なく
とも１つの逆錐状の穴がその頂部を微小開口とするよう
に貫通して形成された平面基板を含み、前記平面基板
は、前記微小開口の開口縁部において受光手段を備えて
おり、前記受光手段部を除く表面に遮光膜が形成されて
いる。
【００２０】従って、微小開口に向けて光を照射するこ
とにより生成される近視野光と記録媒体との相互作用に
よって生じる伝搬光が受光手段において受光されること
が、同一の基板上において実現できる。更に、本発明に
係る近視野光メモリヘッドは、近視野光を利用して記録
媒体の情報の記録及び／または再生を行う近視野光メモ
リヘッドにおいて、記録媒体に近視野光を生成させるた
めの微小開口部を有する近視野光生成手段および生成さ
れた近視野光を検出するための近視野検出手段が同一の
基板に有し、前記基板（以降：近視野光基板と呼ぶ）が
外周部の基板から突出する構成とした。
とにより生成される近視野光と記録媒体との相互作用に
よって生じる伝搬光が受光手段において受光されること
が、同一の基板上において実現できる。更に、本発明に
係る近視野光メモリヘッドは、近視野光を利用して記録
媒体の情報の記録及び／または再生を行う近視野光メモ
リヘッドにおいて、記録媒体に近視野光を生成させるた
めの微小開口部を有する近視野光生成手段および生成さ
れた近視野光を検出するための近視野検出手段が同一の
基板に有し、前記基板（以降：近視野光基板と呼ぶ）が
外周部の基板から突出する構成とした。
【００２１】従って、微小開口に向けて光を照射するこ
とにより生成される近視野光と記録媒体との相互作用に
よって生じる伝搬光が、受光手段において受光されるこ
とが、同一の基板上において実現でき、さらに記録媒体
に容易に近接でき、出力信号を容易に出力端子より取り
出すことができる。
とにより生成される近視野光と記録媒体との相互作用に
よって生じる伝搬光が、受光手段において受光されるこ
とが、同一の基板上において実現でき、さらに記録媒体
に容易に近接でき、出力信号を容易に出力端子より取り
出すことができる。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下に、本発明に係る近視野光メ
モリヘッドの実施の形態を図面に基づいて詳細に説明す
る。 ［実施の形態１］図１は、実施の形態１に係る近視野光
メモリヘッドの断面図を示している。図１の近視野光メ
モリヘッド１１において、シリコン基板２にはこれを貫
通するテーパ開口部３が微小開口４を有して形成されて
いる。微小開口４は、微小開口４の近傍に生じている近
視野光と相互作用を起こし、かつその結果得られる伝搬
光１０を取り出せるように、例えば数十ナノメートルの
径を有している。ここで、テーパ開口部３の開口縁部の
一部には、コア５及びクラッド６からなる光導波路が形
成されている。光導波路は、一端面（光入射面）を近視
野光メモリヘッド１１の端面とし、他端面（光射出面）
を微小開口４の開口縁部に位置しており、光源８によっ
てコア５の光入射面に入射される照射光９を微小開口４
の近傍に導く。更に、シリコン基板２及びテーパ開口部
３の表面には、光導波路内を通過する照射光９を光学的
に閉塞するために遮光膜７が形成されている。
モリヘッドの実施の形態を図面に基づいて詳細に説明す
る。 ［実施の形態１］図１は、実施の形態１に係る近視野光
メモリヘッドの断面図を示している。図１の近視野光メ
モリヘッド１１において、シリコン基板２にはこれを貫
通するテーパ開口部３が微小開口４を有して形成されて
いる。微小開口４は、微小開口４の近傍に生じている近
視野光と相互作用を起こし、かつその結果得られる伝搬
光１０を取り出せるように、例えば数十ナノメートルの
径を有している。ここで、テーパ開口部３の開口縁部の
一部には、コア５及びクラッド６からなる光導波路が形
成されている。光導波路は、一端面（光入射面）を近視
野光メモリヘッド１１の端面とし、他端面（光射出面）
を微小開口４の開口縁部に位置しており、光源８によっ
てコア５の光入射面に入射される照射光９を微小開口４
の近傍に導く。更に、シリコン基板２及びテーパ開口部
３の表面には、光導波路内を通過する照射光９を光学的
に閉塞するために遮光膜７が形成されている。
【００２３】テーパ開口部３、コア５及びクラッド６
は、例えば半導体製造プロセスにおけるフォトリソグラ
フィやシリコン異方性エッチングなどを用いた微細加工
によって形成される。また、遮光膜７は、例えばＡｕ／
Ｃｒ等の金属膜であり、スパッタリングや真空蒸着によ
って得られる。なお、光源８は例えば面発光レーザとし
て光入射面に直接に配置してもよい。さらに、シリコン
基板２が、照射光８の波長に対して十分な遮光性を有す
る場合には、遮光膜７を省略できる。
は、例えば半導体製造プロセスにおけるフォトリソグラ
フィやシリコン異方性エッチングなどを用いた微細加工
によって形成される。また、遮光膜７は、例えばＡｕ／
Ｃｒ等の金属膜であり、スパッタリングや真空蒸着によ
って得られる。なお、光源８は例えば面発光レーザとし
て光入射面に直接に配置してもよい。さらに、シリコン
基板２が、照射光８の波長に対して十分な遮光性を有す
る場合には、遮光膜７を省略できる。
【００２４】次に、以上に説明した近視野光メモリヘッ
ド１１を記録媒体１上に配置し、微小開口４において情
報再生を行う方法を説明する。ここで記録媒体１は、例
えば円盤状の平面基板であり、その上面に近視野光メモ
リヘッド１１が配置される。近視野光メモリヘッド１１
の微小開口４と微小開口４の近傍に生じている近視野光
とを相互作用させるために、微小開口４と記録媒体１と
の間を微小開口４の径程度まで近接させる必要がある。
そこで、近視野光メモリヘッド１１と記録媒体１との間
に潤滑剤を充填し、近視野光メモリヘッド１１を十分に
薄く形成することで、潤滑剤の表面張力を利用して近視
野光メモリヘッド１１と記録媒体１との間隔を十分に小
さく維持できる。更には、記録媒体１の撓みに対しても
追従できる。また、図示しない近視野光メモリヘッド制
御機構によって、微小開口４を記録媒体１上の所望の位
置に配置できるように近視野光メモリヘッド１１の位置
を制御できる。
ド１１を記録媒体１上に配置し、微小開口４において情
報再生を行う方法を説明する。ここで記録媒体１は、例
えば円盤状の平面基板であり、その上面に近視野光メモ
リヘッド１１が配置される。近視野光メモリヘッド１１
の微小開口４と微小開口４の近傍に生じている近視野光
とを相互作用させるために、微小開口４と記録媒体１と
の間を微小開口４の径程度まで近接させる必要がある。
そこで、近視野光メモリヘッド１１と記録媒体１との間
に潤滑剤を充填し、近視野光メモリヘッド１１を十分に
薄く形成することで、潤滑剤の表面張力を利用して近視
野光メモリヘッド１１と記録媒体１との間隔を十分に小
さく維持できる。更には、記録媒体１の撓みに対しても
追従できる。また、図示しない近視野光メモリヘッド制
御機構によって、微小開口４を記録媒体１上の所望の位
置に配置できるように近視野光メモリヘッド１１の位置
を制御できる。
【００２５】なお、近視野光メモリヘッド１１と記録媒
体１との近接状態を、上記した潤滑剤によらずに、ハー
ドディスク技術に用いられているフライングヘッドと同
様にエアベアリングによって制御してもよいし、近視野
光学顕微鏡に用いられるＡＦＭ制御を行ってもよい。記
録媒体に記録された情報の再生は、先ず、上記した制御
により、微小開口４を記録媒体１上の所望の情報再生位
置に移動させ、光源８によりコア５の光入射面に向けて
照射光９を照射する。コア５を通過して光射出面より射
出された照射光９は、再生位置となる微小開口４に近接
した記録媒体１の情報記録部を照射し、その情報記録部
において近視野光、すなわち反射型の近視野光が生成さ
れる。この近視野光と微小開口４との相互作用によっ
て、その情報記録部の記録状態に依存した強度や位相等
の特性を伴った伝搬光１０が、微小開口４を介してテー
パ開口部３上方へと取り出される。取り出された伝搬光
１０は、図示しない受光素子へと導かれて電気信号に変
換され、同じく図示しない信号処理部によって情報記録
部の記録状態が判断される。
体１との近接状態を、上記した潤滑剤によらずに、ハー
ドディスク技術に用いられているフライングヘッドと同
様にエアベアリングによって制御してもよいし、近視野
光学顕微鏡に用いられるＡＦＭ制御を行ってもよい。記
録媒体に記録された情報の再生は、先ず、上記した制御
により、微小開口４を記録媒体１上の所望の情報再生位
置に移動させ、光源８によりコア５の光入射面に向けて
照射光９を照射する。コア５を通過して光射出面より射
出された照射光９は、再生位置となる微小開口４に近接
した記録媒体１の情報記録部を照射し、その情報記録部
において近視野光、すなわち反射型の近視野光が生成さ
れる。この近視野光と微小開口４との相互作用によっ
て、その情報記録部の記録状態に依存した強度や位相等
の特性を伴った伝搬光１０が、微小開口４を介してテー
パ開口部３上方へと取り出される。取り出された伝搬光
１０は、図示しない受光素子へと導かれて電気信号に変
換され、同じく図示しない信号処理部によって情報記録
部の記録状態が判断される。
【００２６】更に、近視野光メモリヘッド１１は、従来
の半導体製造プロセスによって形成できるため、近視野
光メモリヘッド１１を同一シリコン基盤上に複数個配列
させることが容易となる。その際、光源は複数個のレー
ザー等を用いても良いし、面発光レーザーのような１チ
ップ上に複数個の光源が作製されたものを用いてもよ
い。例として、図２に、近視野光メモリヘッド１１をア
レイ状に配列した近視野光メモリヘッドアレイ１２を示
している。なお、図２においては、近視野光メモリヘッ
ドアレイ１２の構造が容易に理解されるように、図１に
示された遮光膜７を省略している。
の半導体製造プロセスによって形成できるため、近視野
光メモリヘッド１１を同一シリコン基盤上に複数個配列
させることが容易となる。その際、光源は複数個のレー
ザー等を用いても良いし、面発光レーザーのような１チ
ップ上に複数個の光源が作製されたものを用いてもよ
い。例として、図２に、近視野光メモリヘッド１１をア
レイ状に配列した近視野光メモリヘッドアレイ１２を示
している。なお、図２においては、近視野光メモリヘッ
ドアレイ１２の構造が容易に理解されるように、図１に
示された遮光膜７を省略している。
【００２７】この場合、各近視野光メモリヘッドに対し
て、それぞれ光源を用意する必要はなく、例えば図２に
示しているように、３つの近視野光メモリヘッドの微小
開口４の開口縁部からそれぞれコア５（クラッド６も含
める）を、１つの光源８に導くことができる。なお、図
２においては、１つの光源に対して３つの近視野光メモ
リヘッドに照射光を供給できるように図示されている
が、これに限らず、様々な数の組み合わせが可能であ
る。
て、それぞれ光源を用意する必要はなく、例えば図２に
示しているように、３つの近視野光メモリヘッドの微小
開口４の開口縁部からそれぞれコア５（クラッド６も含
める）を、１つの光源８に導くことができる。なお、図
２においては、１つの光源に対して３つの近視野光メモ
リヘッドに照射光を供給できるように図示されている
が、これに限らず、様々な数の組み合わせが可能であ
る。
【００２８】この近視野光メモリヘッドアレイ１２を、
同心円状の複数のトラック上に情報を記録した記録媒体
上に近接させ、近視野光メモリヘッドアレイ１２がその
記録媒体の複数のトラック上に位置するように配置する
ことによって、記録媒体上におけるヘッドの掃引を最小
限に抑え、トラッキング制御を必要としない高速な光記
録または再生が可能となる。
同心円状の複数のトラック上に情報を記録した記録媒体
上に近接させ、近視野光メモリヘッドアレイ１２がその
記録媒体の複数のトラック上に位置するように配置する
ことによって、記録媒体上におけるヘッドの掃引を最小
限に抑え、トラッキング制御を必要としない高速な光記
録または再生が可能となる。
【００２９】以上説明したように、実施の形態１によれ
ば、近視野光を利用することによって再生可能な、かつ
高密度に情報が記録された記録媒体において、その記録
された情報の再生を行うのに、記録媒体に反射型の近視
野光を生成させる近視野光生成系、及び、生成された近
視野光と相互作用して得られる伝搬光を受光素子に導く
近視野光検出系を一体化した近視野光メモリヘッド１１
が提供され、光メモリ装置全体の構成をコンパクトに
し、各構成要素の調整を不必要にしている。
ば、近視野光を利用することによって再生可能な、かつ
高密度に情報が記録された記録媒体において、その記録
された情報の再生を行うのに、記録媒体に反射型の近視
野光を生成させる近視野光生成系、及び、生成された近
視野光と相互作用して得られる伝搬光を受光素子に導く
近視野光検出系を一体化した近視野光メモリヘッド１１
が提供され、光メモリ装置全体の構成をコンパクトに
し、各構成要素の調整を不必要にしている。
【００３０】更に、本発明に係る近視野光メモリヘッド
は、半導体製造プロセスを用いて形成できるため、大量
生産に適しており、近視野光メモリヘッドのアレイ化に
対応できる。なお、上述した実施の形態１において、テ
ーパ開口部３の開口縁部に形成されるコア５及びクラッ
ド６は、テーパ開口部３の縁部全体に形成されても、部
分的に形成されてもよく、設計上適宜選択可能である。 ［実施の形態２］図３は、実施の形態２に係る近視野光
メモリヘッドの断面図を示している。なお、図１と共通
する部分には同一符号を付している。
は、半導体製造プロセスを用いて形成できるため、大量
生産に適しており、近視野光メモリヘッドのアレイ化に
対応できる。なお、上述した実施の形態１において、テ
ーパ開口部３の開口縁部に形成されるコア５及びクラッ
ド６は、テーパ開口部３の縁部全体に形成されても、部
分的に形成されてもよく、設計上適宜選択可能である。 ［実施の形態２］図３は、実施の形態２に係る近視野光
メモリヘッドの断面図を示している。なお、図１と共通
する部分には同一符号を付している。
【００３１】図３において近視野光メモリヘッド１６
は、実施の形態１に係る近視野光メモリヘッド１１のコ
ア５及びクラッド６の光入射面を近視野光メモリヘッド
１６の上面とし、近視野光メモリヘッド１６の上方に配
置された光源８から照射される照射光９をその光入射面
に導入する。また、光入射面に導入された照射光９がコ
ア１３及びクラッド１４の光射出面に損失なく導かれる
ように、反射膜１５が形成されている。
は、実施の形態１に係る近視野光メモリヘッド１１のコ
ア５及びクラッド６の光入射面を近視野光メモリヘッド
１６の上面とし、近視野光メモリヘッド１６の上方に配
置された光源８から照射される照射光９をその光入射面
に導入する。また、光入射面に導入された照射光９がコ
ア１３及びクラッド１４の光射出面に損失なく導かれる
ように、反射膜１５が形成されている。
【００３２】コア１３を通過して光射出面より射出され
た照射光９は、再生位置となる情報記録部において反射
型の近視野光を生成する。この近視野光と微小開口４と
の相互作用によって微小開口４を介して取り出された伝
搬光１０は、実施の形態１の場合と同様に、図示しない
受光素子へと導かれて電気信号に変換され、同じく図示
しない信号処理部において処理される。
た照射光９は、再生位置となる情報記録部において反射
型の近視野光を生成する。この近視野光と微小開口４と
の相互作用によって微小開口４を介して取り出された伝
搬光１０は、実施の形態１の場合と同様に、図示しない
受光素子へと導かれて電気信号に変換され、同じく図示
しない信号処理部において処理される。
【００３３】よって、光源８を近視野光メモリヘッド１
６の上方に配置できるため、実施の形態１における効果
に加え、さらに光メモリ装置全体の構成をよりコンパク
トにすることができる。また、上述した実施の形態２に
おいて、テーパ開口部３の開口縁部に形成されるコア１
３及びクラッド１４は、テーパ開口部３の縁部全体に形
成されても、部分的に形成されてもよく、設計上適宜選
択可能である。
６の上方に配置できるため、実施の形態１における効果
に加え、さらに光メモリ装置全体の構成をよりコンパク
トにすることができる。また、上述した実施の形態２に
おいて、テーパ開口部３の開口縁部に形成されるコア１
３及びクラッド１４は、テーパ開口部３の縁部全体に形
成されても、部分的に形成されてもよく、設計上適宜選
択可能である。
【００３４】さらに、以上に説明した近視野光メモリヘ
ッド１６は半導体製造プロセスを用いて形成できるた
め、大量生産に適しており、実施の形態１において説明
されたようなアレイ化に対応でき、近視野光メモリヘッ
ドアレイとしての使用が可能である。例えば、図４に示
すような２次元にアレイ化した構成も可能である。図４
において、１つの光源８から照射される照射光が、８つ
の近視野光メモリヘッドの微小開口４の開口縁部にそれ
ぞれ導かれるようにコア１３（クラッド１４も含める）
が形成されている。光源８によって照射された照射光
は、シリコン基板２の内部すなわち図３に示されたよう
なコア１３の光入射面に入射される。ここで、各近視野
光メモリヘッドの微小開口４に向けて照射光が損失なく
導かれるように、光源８の光の照射方向には反射膜１５
（図示していない）が形成されている。図４において
は、１つの光源に対して８つの近視野光メモリヘッドに
照射光を供給できるように図示されているが、これに限
らず、様々な数の組み合わせが可能である。また、図３
の実施の形態において、反射膜１５を用いずに、曲った
光導波路を用い、光導波路の一端面（光入射面）を近視
野光メモリヘッド１６の上面部とし、他端面（光出射
面）を微小開口４の開口縁部に配置することで、同様の
効果が得られる。図４の実施の形態においても同様であ
る。 ［実施の形態３］図５は、実施の形態３に係る近視野光
メモリヘッドの断面図を示している。なお、図１と共通
する部分には同一符号を付している。
ッド１６は半導体製造プロセスを用いて形成できるた
め、大量生産に適しており、実施の形態１において説明
されたようなアレイ化に対応でき、近視野光メモリヘッ
ドアレイとしての使用が可能である。例えば、図４に示
すような２次元にアレイ化した構成も可能である。図４
において、１つの光源８から照射される照射光が、８つ
の近視野光メモリヘッドの微小開口４の開口縁部にそれ
ぞれ導かれるようにコア１３（クラッド１４も含める）
が形成されている。光源８によって照射された照射光
は、シリコン基板２の内部すなわち図３に示されたよう
なコア１３の光入射面に入射される。ここで、各近視野
光メモリヘッドの微小開口４に向けて照射光が損失なく
導かれるように、光源８の光の照射方向には反射膜１５
（図示していない）が形成されている。図４において
は、１つの光源に対して８つの近視野光メモリヘッドに
照射光を供給できるように図示されているが、これに限
らず、様々な数の組み合わせが可能である。また、図３
の実施の形態において、反射膜１５を用いずに、曲った
光導波路を用い、光導波路の一端面（光入射面）を近視
野光メモリヘッド１６の上面部とし、他端面（光出射
面）を微小開口４の開口縁部に配置することで、同様の
効果が得られる。図４の実施の形態においても同様であ
る。 ［実施の形態３］図５は、実施の形態３に係る近視野光
メモリヘッドの断面図を示している。なお、図１と共通
する部分には同一符号を付している。
【００３５】図５の近視野光メモリヘッド２０におい
て、特に光を十分に透過させることが可能な透明基板１
８を使用し、これを貫通するテーパ開口部３が微小開口
４を有して形成されている。微小開口４は、実施の形態
１と同様な大きさの径を有している。ここで、テーパ開
口部３の開口縁部、かつ透明基板１８の上面に、回折格
子１９が形成されている。回折格子１９は、近視野光メ
モリヘッド２０の上方に配置された光源８によって入射
される照射光９を微小開口４の近傍に導く。更に、透明
基板１８及びテーパ開口部３の表面には、透明基板１８
内部を通過する照射光９を光学的に閉塞するために照射
光９が射出される部分を除いて、遮光膜７が形成されて
いる。回折格子１９は、例えば半導体製造プロセスにお
けるフォトリソグラフィやシリコン異方性エッチングな
どを用いた微細加工によって形成される。
て、特に光を十分に透過させることが可能な透明基板１
８を使用し、これを貫通するテーパ開口部３が微小開口
４を有して形成されている。微小開口４は、実施の形態
１と同様な大きさの径を有している。ここで、テーパ開
口部３の開口縁部、かつ透明基板１８の上面に、回折格
子１９が形成されている。回折格子１９は、近視野光メ
モリヘッド２０の上方に配置された光源８によって入射
される照射光９を微小開口４の近傍に導く。更に、透明
基板１８及びテーパ開口部３の表面には、透明基板１８
内部を通過する照射光９を光学的に閉塞するために照射
光９が射出される部分を除いて、遮光膜７が形成されて
いる。回折格子１９は、例えば半導体製造プロセスにお
けるフォトリソグラフィやシリコン異方性エッチングな
どを用いた微細加工によって形成される。
【００３６】回折格子１９を介して透明基板１８内部を
通過して光射出面から射出された照射光９は、実施の形
態１における場合と同様に処理され、記録媒体の情報の
再生が達成される。さらに、以上に説明した近視野光メ
モリヘッド２０は半導体製造プロセスを用いて形成でき
るため、大量生産に適しており、実施の形態１及び２に
おいて説明されたようなアレイ化に対応でき、近視野光
メモリヘッドアレイとしての使用が可能である。
通過して光射出面から射出された照射光９は、実施の形
態１における場合と同様に処理され、記録媒体の情報の
再生が達成される。さらに、以上に説明した近視野光メ
モリヘッド２０は半導体製造プロセスを用いて形成でき
るため、大量生産に適しており、実施の形態１及び２に
おいて説明されたようなアレイ化に対応でき、近視野光
メモリヘッドアレイとしての使用が可能である。
【００３７】例として、図６（ａ）に、近視野光メモリ
ヘッド１９をアレイ状に配列した近視野光メモリヘッド
アレイ２１を示している。図６（ｂ）は、図６（ａ）の
Ａ−Ａ’における断面図である。なお、図６（ａ）にお
いては、近視野光メモリヘッドアレイ２１の構造が容易
に理解されるように、図６（ｂ）に示されている遮光膜
７を省略している。
ヘッド１９をアレイ状に配列した近視野光メモリヘッド
アレイ２１を示している。図６（ｂ）は、図６（ａ）の
Ａ−Ａ’における断面図である。なお、図６（ａ）にお
いては、近視野光メモリヘッドアレイ２１の構造が容易
に理解されるように、図６（ｂ）に示されている遮光膜
７を省略している。
【００３８】この場合、図５において説明された近視野
光メモリヘッド２０の変形例として、回折格子１９を透
明基板１８の水平方向端面に形成し、光源８も同じく透
明基板１８の水平方向において回折格子１９に向けて照
射光９を照射する位置に配置されている。各近視野光メ
モリヘッドに対しては、それぞれ光源を用意する必要は
なく、例えば図６（ａ）に示しているように、１つの回
折格子１９によって、３つの近視野光メモリヘッドの微
小開口４の開口縁部に向けて照射光９をそれぞれ導くこ
とができる。
光メモリヘッド２０の変形例として、回折格子１９を透
明基板１８の水平方向端面に形成し、光源８も同じく透
明基板１８の水平方向において回折格子１９に向けて照
射光９を照射する位置に配置されている。各近視野光メ
モリヘッドに対しては、それぞれ光源を用意する必要は
なく、例えば図６（ａ）に示しているように、１つの回
折格子１９によって、３つの近視野光メモリヘッドの微
小開口４の開口縁部に向けて照射光９をそれぞれ導くこ
とができる。
【００３９】なお、図６（ａ）においては、１つの光源
に対して３つの近視野光メモリヘッドに照射光を供給で
きるように図示されているが、これに限らず、様々な数
の組み合わせが可能である。以上説明したように、実施
の形態３によれば、記録媒体に反射型の近視野光を生成
させる近視野光生成系、及び、生成された近視野光と相
互作用して得られる伝搬光を受光素子に導く近視野光検
出系を一体化した近視野光メモリヘッド２０が提供さ
れ、特に光を十分に透過させることが可能な透明基板と
回折格子とによる簡単な構成のため、複雑な製造過程を
必要とせず、光メモリ装置全体の構成をコンパクトに
し、各構成要素の調整を不必要にしている。 ［実施の形態４］図７は、実施の形態４に係る近視野光
メモリヘッドの断面図を示している。
に対して３つの近視野光メモリヘッドに照射光を供給で
きるように図示されているが、これに限らず、様々な数
の組み合わせが可能である。以上説明したように、実施
の形態３によれば、記録媒体に反射型の近視野光を生成
させる近視野光生成系、及び、生成された近視野光と相
互作用して得られる伝搬光を受光素子に導く近視野光検
出系を一体化した近視野光メモリヘッド２０が提供さ
れ、特に光を十分に透過させることが可能な透明基板と
回折格子とによる簡単な構成のため、複雑な製造過程を
必要とせず、光メモリ装置全体の構成をコンパクトに
し、各構成要素の調整を不必要にしている。 ［実施の形態４］図７は、実施の形態４に係る近視野光
メモリヘッドの断面図を示している。
【００４０】図７の近視野光メモリヘッド３０におい
て、シリコン基板２にはこれを貫通するテーパ開口部３
が微小開口４を有して形成されている。微小開口４は、
テーパ開口部３から導入される照射光３４によって近視
野光が生成されるように、例えば数十ナノメートルの径
を有している。ここで、図７に示すように、微小開口４
の開口縁部からテーパ開口部３のテーパに沿って光導波
路３２が形成されている。微小開口４部に生成された近
視野光と記録媒体１の情報記録部との相互作用により生
じた伝搬光（散乱光）３５は、光導波路３２を通して光
導波路３２の上端部、すなわち光導波路３２において伝
搬光３５が入射される端部と反対側の端部、に形成され
た受光素子３３に導かれる。ここで、光導波路３２はコ
アとクラッドから構成されている。更に、シリコン基板
２、テーパ開口部３及び受光素子３３の表面には、光導
波路３２を伝搬光３５の入射部以外を光学的に閉塞する
ために遮光膜３１が形成されている。
て、シリコン基板２にはこれを貫通するテーパ開口部３
が微小開口４を有して形成されている。微小開口４は、
テーパ開口部３から導入される照射光３４によって近視
野光が生成されるように、例えば数十ナノメートルの径
を有している。ここで、図７に示すように、微小開口４
の開口縁部からテーパ開口部３のテーパに沿って光導波
路３２が形成されている。微小開口４部に生成された近
視野光と記録媒体１の情報記録部との相互作用により生
じた伝搬光（散乱光）３５は、光導波路３２を通して光
導波路３２の上端部、すなわち光導波路３２において伝
搬光３５が入射される端部と反対側の端部、に形成され
た受光素子３３に導かれる。ここで、光導波路３２はコ
アとクラッドから構成されている。更に、シリコン基板
２、テーパ開口部３及び受光素子３３の表面には、光導
波路３２を伝搬光３５の入射部以外を光学的に閉塞する
ために遮光膜３１が形成されている。
【００４１】テーパ開口部３、光導波路３２及び受光素
子３３は、例えば半導体製造プロセスにおけるフォトリ
ソグラフィやシリコン異方性エッチングなどを用いた微
細加工によって形成される。また、遮光膜３１は、例え
ばＡｕ／Ｃｒ等の金属膜であり、スパッタリングや真空
蒸着によって得られる。次に、以上に説明した近視野光
メモリヘッド３０を記録媒体１上に配置し、微小開口４
に生成される近視野光によって情報記録及び再生を行う
方法を説明する。
子３３は、例えば半導体製造プロセスにおけるフォトリ
ソグラフィやシリコン異方性エッチングなどを用いた微
細加工によって形成される。また、遮光膜３１は、例え
ばＡｕ／Ｃｒ等の金属膜であり、スパッタリングや真空
蒸着によって得られる。次に、以上に説明した近視野光
メモリヘッド３０を記録媒体１上に配置し、微小開口４
に生成される近視野光によって情報記録及び再生を行う
方法を説明する。
【００４２】ここで記録媒体１は、例えば円盤状の平面
基板であり、その上面に近視野光メモリヘッド３０が配
置される。近視野光メモリヘッド３０の微小開口４に生
成される近視野光を記録媒体１に作用させるために、微
小開口４と記録媒体１との間を微小開口４の径程度まで
近接させる必要がある。そこで、近視野光メモリヘッド
３０と記録媒体１との間に潤滑剤を充填し、近視野光メ
モリヘッド３０を十分に薄く形成することで、潤滑剤の
表面張力を利用して近視野光メモリヘッド３０と記録媒
体１との間隔を十分に小さく維持できる。更には、記録
媒体１の撓みに対しても追従できる。また、図示しない
近視野光メモリヘッド制御機構によって、微小開口４を
記録媒体１上の所望の位置に配置できるように近視野光
メモリヘッド３０の位置が制御される。
基板であり、その上面に近視野光メモリヘッド３０が配
置される。近視野光メモリヘッド３０の微小開口４に生
成される近視野光を記録媒体１に作用させるために、微
小開口４と記録媒体１との間を微小開口４の径程度まで
近接させる必要がある。そこで、近視野光メモリヘッド
３０と記録媒体１との間に潤滑剤を充填し、近視野光メ
モリヘッド３０を十分に薄く形成することで、潤滑剤の
表面張力を利用して近視野光メモリヘッド３０と記録媒
体１との間隔を十分に小さく維持できる。更には、記録
媒体１の撓みに対しても追従できる。また、図示しない
近視野光メモリヘッド制御機構によって、微小開口４を
記録媒体１上の所望の位置に配置できるように近視野光
メモリヘッド３０の位置が制御される。
【００４３】なお、近視野光メモリヘッド３０と記録媒
体１との近接状態を、上記した潤滑剤によらずに、ハー
ドディスク技術に用いられているフライングヘッドと同
様にエアベアリングによって制御してもよいし、近視野
光学顕微鏡に用いられるＡＦＭ制御を行ってもよい。記
録媒体１は、例えば相変化記録方式を適用できる材料か
らなり、局所的な光の照射による情報記録を可能とす
る。この記録媒体１上において、微小開口４を上記した
制御により所望の情報記録位置に移動させる。続いて、
微小開口４に向けて照射光３４を照射し、微小開口４部
に近視野光を生成する。この近視野光によって記録媒体
１への微小な領域の光照射が可能となり、高密度な情報
記録が達成される。この際、近視野光を生成するための
照射光３４は、後述する情報再生の場合に使用される照
射光と比較して十分大きな強度を有している。
体１との近接状態を、上記した潤滑剤によらずに、ハー
ドディスク技術に用いられているフライングヘッドと同
様にエアベアリングによって制御してもよいし、近視野
光学顕微鏡に用いられるＡＦＭ制御を行ってもよい。記
録媒体１は、例えば相変化記録方式を適用できる材料か
らなり、局所的な光の照射による情報記録を可能とす
る。この記録媒体１上において、微小開口４を上記した
制御により所望の情報記録位置に移動させる。続いて、
微小開口４に向けて照射光３４を照射し、微小開口４部
に近視野光を生成する。この近視野光によって記録媒体
１への微小な領域の光照射が可能となり、高密度な情報
記録が達成される。この際、近視野光を生成するための
照射光３４は、後述する情報再生の場合に使用される照
射光と比較して十分大きな強度を有している。
【００４４】なお、この情報記録に関しては、本発明に
よる近視野光メモリヘッドによらずに、情報記録を行う
情報記録系を別途付加して行ってもよい。このようにし
て記録された情報の再生は、先ず、上記した制御によ
り、微小開口４を記録媒体１上の所望の情報再生位置に
移動させ、微小開口４に向けて照射光３４を照射して微
小開口４部に近視野光を生成する。この近視野光と記録
媒体１の情報記録部との相互作用によって生じた伝搬光
３５が、その情報記録部の記録状態に依存した強度や位
相等の特性を伴って光導波路３２に入射する。光導波路
３２に入射した伝搬光３５は、受光素子３３へと導かれ
て電気信号に変換され、図示しない信号線を介して同じ
く図示しない信号処理部によって情報記録部の記録状態
が判断される。
よる近視野光メモリヘッドによらずに、情報記録を行う
情報記録系を別途付加して行ってもよい。このようにし
て記録された情報の再生は、先ず、上記した制御によ
り、微小開口４を記録媒体１上の所望の情報再生位置に
移動させ、微小開口４に向けて照射光３４を照射して微
小開口４部に近視野光を生成する。この近視野光と記録
媒体１の情報記録部との相互作用によって生じた伝搬光
３５が、その情報記録部の記録状態に依存した強度や位
相等の特性を伴って光導波路３２に入射する。光導波路
３２に入射した伝搬光３５は、受光素子３３へと導かれ
て電気信号に変換され、図示しない信号線を介して同じ
く図示しない信号処理部によって情報記録部の記録状態
が判断される。
【００４５】更に、近視野光メモリヘッド３０は、従来
の半導体製造プロセスによって形成できるため、近視野
光メモリヘッド３０を同一シリコン基盤上に複数個配列
させることが容易となる。例として、図８（ａ）に、近
視野光メモリヘッド３０を２次元アレイ状に配列した近
視野光メモリヘッドアレイ３６を示している。図８
（ｂ）は、図８（ａ）のＡ−Ａ’における断面図であ
り、近視野光メモリヘッドの微小開口４が記録媒体上の
情報記録単位間隔を考慮した間隔で形成されている。な
お、図８（ａ）においては、近視野光メモリヘッドアレ
イ３６の構造が容易に理解されるように、図８（ｂ）に
示された遮光膜３１を省略している。
の半導体製造プロセスによって形成できるため、近視野
光メモリヘッド３０を同一シリコン基盤上に複数個配列
させることが容易となる。例として、図８（ａ）に、近
視野光メモリヘッド３０を２次元アレイ状に配列した近
視野光メモリヘッドアレイ３６を示している。図８
（ｂ）は、図８（ａ）のＡ−Ａ’における断面図であ
り、近視野光メモリヘッドの微小開口４が記録媒体上の
情報記録単位間隔を考慮した間隔で形成されている。な
お、図８（ａ）においては、近視野光メモリヘッドアレ
イ３６の構造が容易に理解されるように、図８（ｂ）に
示された遮光膜３１を省略している。
【００４６】この近視野光メモリヘッドアレイ３６を、
同心円状の複数のトラック上に情報を記録した記録媒体
上に近接させ、近視野光メモリヘッドアレイ３６をその
記録媒体の複数トラック上に位置するように配置するこ
とによって、記録媒体上におけるヘッドの掃引を最小限
に抑え、トラッキング制御を必要としない高速な光記録
または再生が可能となる。
同心円状の複数のトラック上に情報を記録した記録媒体
上に近接させ、近視野光メモリヘッドアレイ３６をその
記録媒体の複数トラック上に位置するように配置するこ
とによって、記録媒体上におけるヘッドの掃引を最小限
に抑え、トラッキング制御を必要としない高速な光記録
または再生が可能となる。
【００４７】以上説明したように、実施の形態４によれ
ば、近視野光を利用することによって情報記録可能な、
かつ高密度に情報が記録された記録媒体において、その
記録された情報の再生を行うのに、記録媒体に近視野光
を生成させる近視野光生成系、及び、生成された近視野
光を散乱させてその散乱光（伝搬光）を受光素子３３に
導く近視野光検出系を一体化した近視野光メモリヘッド
３０が提供され、光メモリ装置全体の構成をコンパクト
にし、各構成要素間の調整を不必要にしている。また、
散乱光を導く光導波路３２が散乱光の高い強度分布を示
す方向に沿って形成され、かつ受光素子３３がヘッドの
一部として微小開口４付近に設けられているため、損失
の少ない高効率な散乱光の検出が可能となる。
ば、近視野光を利用することによって情報記録可能な、
かつ高密度に情報が記録された記録媒体において、その
記録された情報の再生を行うのに、記録媒体に近視野光
を生成させる近視野光生成系、及び、生成された近視野
光を散乱させてその散乱光（伝搬光）を受光素子３３に
導く近視野光検出系を一体化した近視野光メモリヘッド
３０が提供され、光メモリ装置全体の構成をコンパクト
にし、各構成要素間の調整を不必要にしている。また、
散乱光を導く光導波路３２が散乱光の高い強度分布を示
す方向に沿って形成され、かつ受光素子３３がヘッドの
一部として微小開口４付近に設けられているため、損失
の少ない高効率な散乱光の検出が可能となる。
【００４８】更に、本発明に係る近視野光メモリヘッド
は、半導体製造プロセスを用いて形成できるため、大量
生産に適しており、近視野光メモリヘッドのアレイ化に
対応できる。なお、上述した実施の形態４において、テ
ーパ開口部３の開口縁部に形成される光導波路３２及び
受光素子３３は、テーパ開口部３の縁部全体に形成され
ても、部分的に形成されてもよく、設計上適宜選択可能
である。 ［実施の形態５］図９は、実施の形態５に係る近視野光
メモリヘッドの断面図を示している。なお、図７と共通
する部分には同一符号を付している。
は、半導体製造プロセスを用いて形成できるため、大量
生産に適しており、近視野光メモリヘッドのアレイ化に
対応できる。なお、上述した実施の形態４において、テ
ーパ開口部３の開口縁部に形成される光導波路３２及び
受光素子３３は、テーパ開口部３の縁部全体に形成され
ても、部分的に形成されてもよく、設計上適宜選択可能
である。 ［実施の形態５］図９は、実施の形態５に係る近視野光
メモリヘッドの断面図を示している。なお、図７と共通
する部分には同一符号を付している。
【００４９】図９において近視野光メモリヘッド３７
は、実施の形態４に係る近視野光メモリヘッド３０のシ
リコン基板２に代えて特に光を十分に透過させることが
可能な透明基板３８を使用し、更に光導波路３２に代え
てマイクロレンズ３９を形成している。マイクロレンズ
３９は、例えば、屈折率が連続的に変化した屈折率勾配
レンズであり、微小開口４の開口縁部に選択イオン交換
法を施すことによって形成される。
は、実施の形態４に係る近視野光メモリヘッド３０のシ
リコン基板２に代えて特に光を十分に透過させることが
可能な透明基板３８を使用し、更に光導波路３２に代え
てマイクロレンズ３９を形成している。マイクロレンズ
３９は、例えば、屈折率が連続的に変化した屈折率勾配
レンズであり、微小開口４の開口縁部に選択イオン交換
法を施すことによって形成される。
【００５０】情報を記録する動作については、実施の形
態４と同等であるので、ここでは説明を省略する。つぎ
に、記録媒体に記録された情報を再生する方法について
説明する。照射光３４によって微小開口４部に生成され
た近視野光は、記録媒体１の情報記録部との相互作用に
よって伝搬光３５に変換され、散乱した伝搬光３５は微
小開口４の開口縁部に設けられたマイクロレンズ３９に
よって受光素子３３に集光される。受光素子３３におい
て受光された伝搬光３５は、実施の形態４の場合と同様
に、電気信号に変換され、図示しない信号処理部におい
て処理される。
態４と同等であるので、ここでは説明を省略する。つぎ
に、記録媒体に記録された情報を再生する方法について
説明する。照射光３４によって微小開口４部に生成され
た近視野光は、記録媒体１の情報記録部との相互作用に
よって伝搬光３５に変換され、散乱した伝搬光３５は微
小開口４の開口縁部に設けられたマイクロレンズ３９に
よって受光素子３３に集光される。受光素子３３におい
て受光された伝搬光３５は、実施の形態４の場合と同様
に、電気信号に変換され、図示しない信号処理部におい
て処理される。
【００５１】よって、マイクロレンズ３９による集光の
ために、情報記録部の記録状態を判断できるだけの十分
な強度を有した伝搬光３５を受光素子３３に導くことが
可能になり、実施の形態４における効果に加え、より信
頼性の高い情報再生が実現される。また、照射光３４の
出力を低減でき、消費電力と共に照射光３４による近視
野光メモリヘッドの加熱が抑えられる。
ために、情報記録部の記録状態を判断できるだけの十分
な強度を有した伝搬光３５を受光素子３３に導くことが
可能になり、実施の形態４における効果に加え、より信
頼性の高い情報再生が実現される。また、照射光３４の
出力を低減でき、消費電力と共に照射光３４による近視
野光メモリヘッドの加熱が抑えられる。
【００５２】また、図９において説明された近視野光メ
モリヘッド３７の変形例として、図１０（ａ）に示して
いるように、光を十分に透過させることが可能な透明基
板３８にマイクロレンズ４０、例えば前述した屈折率勾
配レンズを予め形成し、続いて図１０（ｂ）に示してい
る近視野光メモリヘッド４１のように、形成されたマイ
クロレンズ４０の光軸上に微小開口４の中心が位置する
ようにテーパ開口部３を形成し、受光素子３３及び遮光
膜３１を設けることもできる。
モリヘッド３７の変形例として、図１０（ａ）に示して
いるように、光を十分に透過させることが可能な透明基
板３８にマイクロレンズ４０、例えば前述した屈折率勾
配レンズを予め形成し、続いて図１０（ｂ）に示してい
る近視野光メモリヘッド４１のように、形成されたマイ
クロレンズ４０の光軸上に微小開口４の中心が位置する
ようにテーパ開口部３を形成し、受光素子３３及び遮光
膜３１を設けることもできる。
【００５３】なお、上述したマイクロレンズは、屈折率
勾配レンズに限らず、回折格子等の他のレンズ効果を有
するものであればよい。また、上述した実施の形態５に
おいて、テーパ開口部３の開口縁部に形成されるマイク
ロレンズ及び受光素子３３は、テーパ開口部３の縁部全
体に形成されても、部分的に形成されてもよく、設計上
適宜選択可能である。 ［実施の形態６］図１１は、実施の形態６に係る近視野
光メモリヘッドの断面図を示している。なお、図７と共
通する部分には同一符号を付している。
勾配レンズに限らず、回折格子等の他のレンズ効果を有
するものであればよい。また、上述した実施の形態５に
おいて、テーパ開口部３の開口縁部に形成されるマイク
ロレンズ及び受光素子３３は、テーパ開口部３の縁部全
体に形成されても、部分的に形成されてもよく、設計上
適宜選択可能である。 ［実施の形態６］図１１は、実施の形態６に係る近視野
光メモリヘッドの断面図を示している。なお、図７と共
通する部分には同一符号を付している。
【００５４】図１１の近視野光メモリヘッド４２におい
て、シリコン基板２にはこれを貫通するテーパ開口部３
が微小開口４を有して形成されている。微小開口４は、
テーパ開口部３から導入される照射光３４によって近視
野光が生成されるように、例えば数十ナノメートルの径
を有している。ここで、図１１に示すように、微小開口
４の開口縁部において受光素子４３が形成されている。
微小開口４部に生成された近視野光と記録媒体１の情報
記録部との相互作用により生じた伝搬光（散乱光）３５
は、微小開口４の開口縁部の受光素子４３において受光
される。更に、シリコン基板２及びテーパ開口部３の表
面には、受光素子４３を伝搬光３５の入射部以外を光学
的に閉塞するために遮光膜３１が形成されている。
て、シリコン基板２にはこれを貫通するテーパ開口部３
が微小開口４を有して形成されている。微小開口４は、
テーパ開口部３から導入される照射光３４によって近視
野光が生成されるように、例えば数十ナノメートルの径
を有している。ここで、図１１に示すように、微小開口
４の開口縁部において受光素子４３が形成されている。
微小開口４部に生成された近視野光と記録媒体１の情報
記録部との相互作用により生じた伝搬光（散乱光）３５
は、微小開口４の開口縁部の受光素子４３において受光
される。更に、シリコン基板２及びテーパ開口部３の表
面には、受光素子４３を伝搬光３５の入射部以外を光学
的に閉塞するために遮光膜３１が形成されている。
【００５５】テーパ開口部３及び受光素子４３は、実施
の形態４と同様に、例えば半導体製造プロセスにおける
フォトリソグラフィやシリコン異方性エッチングなどを
用いた微細加工によって形成され、遮光膜３１は、スパ
ッタリングや真空蒸着によって、例えばＡｕ／Ｃｒ等の
金属膜として得られる。なお、シリコン基板２が微小開
口４に向けて照射される照射光３４の波長に対して十分
な遮光性を有する場合には、遮光膜３１を省略できる。
の形態４と同様に、例えば半導体製造プロセスにおける
フォトリソグラフィやシリコン異方性エッチングなどを
用いた微細加工によって形成され、遮光膜３１は、スパ
ッタリングや真空蒸着によって、例えばＡｕ／Ｃｒ等の
金属膜として得られる。なお、シリコン基板２が微小開
口４に向けて照射される照射光３４の波長に対して十分
な遮光性を有する場合には、遮光膜３１を省略できる。
【００５６】情報を記録する動作については、実施の形
態４と同等であるので、ここでは説明を省略する。つぎ
に、記録媒体に記録された情報を再生する方法について
説明する。照射光３４によって微小開口４部に生成され
た近視野光は、記録媒体１の情報記録部との相互作用に
よって伝搬光３５に変換され、散乱した伝搬光３５は微
小開口４の開口縁部に設けられた受光素子４３に入射す
る。受光素子４３において受光された伝搬光３５は、実
施の形態４の場合と同様に、電気信号に変換され、図示
しない信号処理部において処理される。
態４と同等であるので、ここでは説明を省略する。つぎ
に、記録媒体に記録された情報を再生する方法について
説明する。照射光３４によって微小開口４部に生成され
た近視野光は、記録媒体１の情報記録部との相互作用に
よって伝搬光３５に変換され、散乱した伝搬光３５は微
小開口４の開口縁部に設けられた受光素子４３に入射す
る。受光素子４３において受光された伝搬光３５は、実
施の形態４の場合と同様に、電気信号に変換され、図示
しない信号処理部において処理される。
【００５７】よって、情報記録部の記録状態を判断でき
る特性を有した伝搬光３５を直接に受光素子４３におい
て受光することが可能になり、実施の形態４及び５にお
ける効果に加え、伝搬光３５の損失のない安定した情報
再生が実現される。また、図１１において説明された近
視野光メモリヘッド４２の変形例として、図１２に示し
ている近視野光メモリヘッド４４のように、テーパ開口
部３及び微小開口４が形成される基板自体を受光素子と
した受光素子基板４５を使用して、伝搬光３５を直接に
受光してもよい。
る特性を有した伝搬光３５を直接に受光素子４３におい
て受光することが可能になり、実施の形態４及び５にお
ける効果に加え、伝搬光３５の損失のない安定した情報
再生が実現される。また、図１１において説明された近
視野光メモリヘッド４２の変形例として、図１２に示し
ている近視野光メモリヘッド４４のように、テーパ開口
部３及び微小開口４が形成される基板自体を受光素子と
した受光素子基板４５を使用して、伝搬光３５を直接に
受光してもよい。
【００５８】また、上述した実施の形態６において、テ
ーパ開口部３の開口縁部に形成される受光素子４３は、
テーパ開口部３の縁部全体に形成されても、部分的に形
成されてもよく、設計上適宜選択可能である。以上に説
明した実施の形態５及び６における近視野光メモリヘッ
ドはいずれも半導体製造プロセスを用いて形成できるた
め、大量生産に適しており、実施の形態４において説明
されたようなアレイ化に対応でき、近視野光メモリヘッ
ドアレイとしての使用が可能である。 ［実施の形態７］図１３は、実施の形態７に係る近視野
光メモリヘッド６０の斜視図を示している。
ーパ開口部３の開口縁部に形成される受光素子４３は、
テーパ開口部３の縁部全体に形成されても、部分的に形
成されてもよく、設計上適宜選択可能である。以上に説
明した実施の形態５及び６における近視野光メモリヘッ
ドはいずれも半導体製造プロセスを用いて形成できるた
め、大量生産に適しており、実施の形態４において説明
されたようなアレイ化に対応でき、近視野光メモリヘッ
ドアレイとしての使用が可能である。 ［実施の形態７］図１３は、実施の形態７に係る近視野
光メモリヘッド６０の斜視図を示している。
【００５９】記録媒体に近視野光を生成させるための微
小開口部を有する近視野光生成手段および生成された近
視野光を検出するための近視野検出手段が同一の基板に
有し、この基板を近視野光基板と呼ぶことにする。構成
は、微小開口５４部を有し光検知を行なうための機能部
があり、機能部が梁により外周部基板により支持されて
いる。近視野光メモリヘッド６０は、シリコンにより構
成される基体であり、作製方法はフォトリソグラフィ技
術を用い作製される。
小開口部を有する近視野光生成手段および生成された近
視野光を検出するための近視野検出手段が同一の基板に
有し、この基板を近視野光基板と呼ぶことにする。構成
は、微小開口５４部を有し光検知を行なうための機能部
があり、機能部が梁により外周部基板により支持されて
いる。近視野光メモリヘッド６０は、シリコンにより構
成される基体であり、作製方法はフォトリソグラフィ技
術を用い作製される。
【００６０】機能部は、微小開口５４と近視野光を検出
するため受光部がＰＩＮダイオードで構成されている。
機能部を構成するシリコン基板５２にはこれを貫通する
テーパ開口部が微小開口５４を有して形成されている。
微小開口５４は、テーパ開口部から導入される照射光に
よって近視野光が生成されるように、例えば数十ナノメ
ートルの径を有している。微小開口５４部に生成された
近視野光と記録媒体１の情報記録部との相互作用により
生じた伝搬光（散乱光）は、近接に作製した受光素子５
６により検知される。
するため受光部がＰＩＮダイオードで構成されている。
機能部を構成するシリコン基板５２にはこれを貫通する
テーパ開口部が微小開口５４を有して形成されている。
微小開口５４は、テーパ開口部から導入される照射光に
よって近視野光が生成されるように、例えば数十ナノメ
ートルの径を有している。微小開口５４部に生成された
近視野光と記録媒体１の情報記録部との相互作用により
生じた伝搬光（散乱光）は、近接に作製した受光素子５
６により検知される。
【００６１】テーパ開口部、受光素子５６は、例えば半
導体製造プロセスにおけるフォトリソグラフィやシリコ
ン異方性エッチングなどを用いた微細加工によって形成
される。また、遮光膜５５は、例えばＡｕ／Ｃｒ等の金
属膜であり、スパッタリングや真空蒸着によって得られ
る。作製プロセスを図１７及び図１６を用いて説明す
る。近視野光基板を作成するため、第１の工程で近視野
光を検出するＰＩＮダイオードをフォトリソグラフィ工
程で形成する。ＰＩＮダイオードは近視野光を検出する
ためのものである。受光素子５６であるＰＩＮダイオー
ドの配置は、本実施の形態においては、微小開口５４部
の周辺をおおう形で配置した。なお、フォトリソグラフ
ィ工程において、凹凸を形成しないように留意し平面を
得るようにした。本実施の形態では、配線材料を拡散配
線を用いることにより凹凸を形成しないようにした。つ
ぎに、第２の工程で近視野光メモリヘッド６０の近視野
光を生成するための微小開口５４を異方性エッチングで
形成した。本実施例においては、シリコンの異方性エッ
チングをもちいたが、高密度プラズマエッチングを用い
て開口部を形成してもよいし、異方性エッチングとフォ
ーカスドイオンビームの組み合わせにより微小開口５４
を形成することも可能である。第３の工程でシリコンを
変位させるための薄肉部を形成するためシリコン基板を
エッチングする。もちろん、第２の工程と同一の工程で
行ってもよい。第４の工程の近視野光基板突出および第
５工程の近視野光基板固定では、受光素子５６および微
小開口５４を有する基板を、周辺基板から突出するた
め、外力により基板を突出させたのち、樹脂等で変位を
維持させるための固化を行う。固化においては、紫外線
硬化樹脂等を用いると作業性を向上させることが可能と
なる。第５の工程で、光メモリヘッドとして完成とな
る。光メモリヘッド完成後、出力端子に非常に薄い配線
基板と接続し、微小信号が検出できるようにして、近視
野光メモリヘッド６０とした。図１６が断面図を用いた
工程を示す図である。図１６の工程図を用い説明する。
まず、半導体基板のシリコンに通常の半導体プロセスに
より、受光部５６を形成する。本実施例においてはＰＩ
Ｎ構造を形成した。次に、シリコンエッチングプロセス
により裏面よりエッチングを行い、梁部および開口部を
形成する。次の工程で、開口部に貫通孔を形成する。近
視野光基板６１を突出させる工程を次に行うが、本実施
例では、外力により変位させ、紫外線効果樹脂を用い変
位を固定した。このような工程により、近視野光ヘッド
を完成させた。
導体製造プロセスにおけるフォトリソグラフィやシリコ
ン異方性エッチングなどを用いた微細加工によって形成
される。また、遮光膜５５は、例えばＡｕ／Ｃｒ等の金
属膜であり、スパッタリングや真空蒸着によって得られ
る。作製プロセスを図１７及び図１６を用いて説明す
る。近視野光基板を作成するため、第１の工程で近視野
光を検出するＰＩＮダイオードをフォトリソグラフィ工
程で形成する。ＰＩＮダイオードは近視野光を検出する
ためのものである。受光素子５６であるＰＩＮダイオー
ドの配置は、本実施の形態においては、微小開口５４部
の周辺をおおう形で配置した。なお、フォトリソグラフ
ィ工程において、凹凸を形成しないように留意し平面を
得るようにした。本実施の形態では、配線材料を拡散配
線を用いることにより凹凸を形成しないようにした。つ
ぎに、第２の工程で近視野光メモリヘッド６０の近視野
光を生成するための微小開口５４を異方性エッチングで
形成した。本実施例においては、シリコンの異方性エッ
チングをもちいたが、高密度プラズマエッチングを用い
て開口部を形成してもよいし、異方性エッチングとフォ
ーカスドイオンビームの組み合わせにより微小開口５４
を形成することも可能である。第３の工程でシリコンを
変位させるための薄肉部を形成するためシリコン基板を
エッチングする。もちろん、第２の工程と同一の工程で
行ってもよい。第４の工程の近視野光基板突出および第
５工程の近視野光基板固定では、受光素子５６および微
小開口５４を有する基板を、周辺基板から突出するた
め、外力により基板を突出させたのち、樹脂等で変位を
維持させるための固化を行う。固化においては、紫外線
硬化樹脂等を用いると作業性を向上させることが可能と
なる。第５の工程で、光メモリヘッドとして完成とな
る。光メモリヘッド完成後、出力端子に非常に薄い配線
基板と接続し、微小信号が検出できるようにして、近視
野光メモリヘッド６０とした。図１６が断面図を用いた
工程を示す図である。図１６の工程図を用い説明する。
まず、半導体基板のシリコンに通常の半導体プロセスに
より、受光部５６を形成する。本実施例においてはＰＩ
Ｎ構造を形成した。次に、シリコンエッチングプロセス
により裏面よりエッチングを行い、梁部および開口部を
形成する。次の工程で、開口部に貫通孔を形成する。近
視野光基板６１を突出させる工程を次に行うが、本実施
例では、外力により変位させ、紫外線効果樹脂を用い変
位を固定した。このような工程により、近視野光ヘッド
を完成させた。
【００６２】実施の形態７においては、図１３に示すよ
うに、近視野光基板を４つの梁で指示する構成とした。
もちろん、２本の梁において形成してもよい。４つの梁
形成は、シリコンマイクロマシニングを用い形成した。
図１４が、近視野光メモリヘッド６０の断面図である。
近視野光基板が、梁により支持基板により支持されてい
る構成であることがわかる。また、近視野光基板が、支
持基板より突出していることがわかる。本実施の形態に
おいては、０．１ｍｍ突出させる構成とし、出力端子か
ら配線をとりだせるようにした。
うに、近視野光基板を４つの梁で指示する構成とした。
もちろん、２本の梁において形成してもよい。４つの梁
形成は、シリコンマイクロマシニングを用い形成した。
図１４が、近視野光メモリヘッド６０の断面図である。
近視野光基板が、梁により支持基板により支持されてい
る構成であることがわかる。また、近視野光基板が、支
持基板より突出していることがわかる。本実施の形態に
おいては、０．１ｍｍ突出させる構成とし、出力端子か
ら配線をとりだせるようにした。
【００６３】次に、以上に説明した近視野光メモリヘッ
ド６０を記録媒体１上に配置し、微小開口５４に生成さ
れる近視野光によって情報記録及び再生を行う方法を説
明する。図１５に近視野光メモリヘッド６０と記録媒体
１を示す。ここで記録媒体１は、例えば円盤状の平面基
板であり、その上面に近視野光メモリヘッド６０が配置
される。近視野光メモリヘッド６０の微小開口５４に生
成される近視野光を記録媒体１に作用させるために、微
小開口５４と記録媒体１との間を微小開口５４の径程度
まで近接させる必要がある。そこで、近視野光メモリヘ
ッド６０と記録媒体１との間に潤滑剤を充填し、近視野
光メモリヘッド６０を十分に薄く形成することで、潤滑
剤の表面張力を利用して近視野光メモリヘッド６０と記
録媒体１との間隔を十分に小さく維持できる。更には、
記録媒体１の撓みに対しても追従できる。また、図示し
ない近視野光メモリヘッド６０制御機構によって、微小
開口５４を記録媒体１上の所望の位置に配置できるよう
に近視野光メモリヘッド６０の位置が制御される。な
お、近視野光メモリヘッド６０と記録媒体１との近接状
態を、上記した潤滑剤によらずに、ハードディスク技術
に用いられているフライングヘッドと同様にエアベアリ
ングによって制御してもよいし、近視野光学顕微鏡に用
いられるＡＦＭ制御を行ってもよい。
ド６０を記録媒体１上に配置し、微小開口５４に生成さ
れる近視野光によって情報記録及び再生を行う方法を説
明する。図１５に近視野光メモリヘッド６０と記録媒体
１を示す。ここで記録媒体１は、例えば円盤状の平面基
板であり、その上面に近視野光メモリヘッド６０が配置
される。近視野光メモリヘッド６０の微小開口５４に生
成される近視野光を記録媒体１に作用させるために、微
小開口５４と記録媒体１との間を微小開口５４の径程度
まで近接させる必要がある。そこで、近視野光メモリヘ
ッド６０と記録媒体１との間に潤滑剤を充填し、近視野
光メモリヘッド６０を十分に薄く形成することで、潤滑
剤の表面張力を利用して近視野光メモリヘッド６０と記
録媒体１との間隔を十分に小さく維持できる。更には、
記録媒体１の撓みに対しても追従できる。また、図示し
ない近視野光メモリヘッド６０制御機構によって、微小
開口５４を記録媒体１上の所望の位置に配置できるよう
に近視野光メモリヘッド６０の位置が制御される。な
お、近視野光メモリヘッド６０と記録媒体１との近接状
態を、上記した潤滑剤によらずに、ハードディスク技術
に用いられているフライングヘッドと同様にエアベアリ
ングによって制御してもよいし、近視野光学顕微鏡に用
いられるＡＦＭ制御を行ってもよい。
【００６４】記録媒体１は、例えば相変化記録方式を適
用できる材料からなり、局所的な光の照射による情報記
録を可能とする。この記録媒体１上において、微小開口
５４を上記した制御により所望の情報記録位置に移動さ
せる。続いて、微小開口５４に向けて照射光を照射し、
微小開口５４部に近視野光を生成する。この近視野光に
よって記録媒体１への微小な領域の光照射が可能とな
り、高密度な情報記録が達成される。この際、近視野光
を生成するための照射光は、後述する情報再生の場合に
使用される照射光と比較して十分大きな強度を有してい
る。
用できる材料からなり、局所的な光の照射による情報記
録を可能とする。この記録媒体１上において、微小開口
５４を上記した制御により所望の情報記録位置に移動さ
せる。続いて、微小開口５４に向けて照射光を照射し、
微小開口５４部に近視野光を生成する。この近視野光に
よって記録媒体１への微小な領域の光照射が可能とな
り、高密度な情報記録が達成される。この際、近視野光
を生成するための照射光は、後述する情報再生の場合に
使用される照射光と比較して十分大きな強度を有してい
る。
【００６５】なお、この情報記録に関しては、本発明に
よる近視野光メモリヘッド６０によらずに、情報記録を
行う情報記録系を別途付加して行ってもよい。このよう
にして記録された情報の再生は、先ず、上記した制御に
より、微小開口５４を記録媒体１上の所望の情報再生位
置に移動させ、微小開口５４に向けて照射光を照射して
微小開口５４部に近視野光を生成する。この近視野光と
記録媒体１の情報記録部との相互作用によって生じた伝
搬光が、その情報記録部の記録状態に依存した強度や位
相等の特性を伴って入射する。入射した伝搬光は、受光
素子５６へと導かれて電気信号に変換され、図示しない
信号線を介して同じく図示しない信号処理部によって情
報記録部の記録状態が判断される。
よる近視野光メモリヘッド６０によらずに、情報記録を
行う情報記録系を別途付加して行ってもよい。このよう
にして記録された情報の再生は、先ず、上記した制御に
より、微小開口５４を記録媒体１上の所望の情報再生位
置に移動させ、微小開口５４に向けて照射光を照射して
微小開口５４部に近視野光を生成する。この近視野光と
記録媒体１の情報記録部との相互作用によって生じた伝
搬光が、その情報記録部の記録状態に依存した強度や位
相等の特性を伴って入射する。入射した伝搬光は、受光
素子５６へと導かれて電気信号に変換され、図示しない
信号線を介して同じく図示しない信号処理部によって情
報記録部の記録状態が判断される。
【００６６】更に、近視野光メモリヘッド６０は、従来
の半導体製造プロセスによって形成できるため、近視野
光メモリヘッド６０を同一シリコン基盤上に複数個配列
させることが容易となる。この近視野光メモリヘッドア
レイを、同心円状の複数のトラック上に情報を記録した
記録媒体１上に近接させ、近視野光メモリヘッドアレイ
をその記録媒体１の複数トラック上に位置するように配
置することによって、記録媒体１上におけるヘッドの掃
引を最小限に抑え、トラッキング制御を必要としない高
速な光記録または再生が可能となる。
の半導体製造プロセスによって形成できるため、近視野
光メモリヘッド６０を同一シリコン基盤上に複数個配列
させることが容易となる。この近視野光メモリヘッドア
レイを、同心円状の複数のトラック上に情報を記録した
記録媒体１上に近接させ、近視野光メモリヘッドアレイ
をその記録媒体１の複数トラック上に位置するように配
置することによって、記録媒体１上におけるヘッドの掃
引を最小限に抑え、トラッキング制御を必要としない高
速な光記録または再生が可能となる。
【００６７】以上説明したように、実施の形態７によれ
ば、近視野光を利用することによって再生可能な、かつ
高密度に情報が記録された記録媒体１において、その記
録された情報の再生を行うのに、記録媒体１に近視野光
を生成させる近視野光生成系、及び、生成された近視野
光を散乱させてその散乱光（伝搬光）を受光素子５６に
導く近視野光検出系を一体化した近視野光メモリヘッド
６０が提供され、光メモリ装置全体の構成をコンパクト
にし、各構成要素間の調整を不必要にしている。
ば、近視野光を利用することによって再生可能な、かつ
高密度に情報が記録された記録媒体１において、その記
録された情報の再生を行うのに、記録媒体１に近視野光
を生成させる近視野光生成系、及び、生成された近視野
光を散乱させてその散乱光（伝搬光）を受光素子５６に
導く近視野光検出系を一体化した近視野光メモリヘッド
６０が提供され、光メモリ装置全体の構成をコンパクト
にし、各構成要素間の調整を不必要にしている。
【００６８】更に、本発明に係る近視野光メモリヘッド
６０は、半導体製造プロセスを用いて形成できるため、
大量生産に適しており、近視野光メモリヘッド６０のア
レイ化に対応できる。 ［実施の形態８］実施の形態８においては、図示しない
近視野光基板が、薄肉部により支持基板に支持されてい
る構成で作製した。近視野光基板と支持基板との間を薄
肉化させ支持する構成とした。この構成はシリコンマイ
クロマシニングを用い形成した。この構造は、梁部を形
成することなく薄肉部を形成し、近視野光基板部のみ突
出させる方法でおこなった。本実施の形態においては、
０．１ｍｍ突出させる構成とし、出力端子から配線をと
りだせるようにした。なお、突出を継続維持するため
に、樹脂をもちい固化することにより、固定した。
６０は、半導体製造プロセスを用いて形成できるため、
大量生産に適しており、近視野光メモリヘッド６０のア
レイ化に対応できる。 ［実施の形態８］実施の形態８においては、図示しない
近視野光基板が、薄肉部により支持基板に支持されてい
る構成で作製した。近視野光基板と支持基板との間を薄
肉化させ支持する構成とした。この構成はシリコンマイ
クロマシニングを用い形成した。この構造は、梁部を形
成することなく薄肉部を形成し、近視野光基板部のみ突
出させる方法でおこなった。本実施の形態においては、
０．１ｍｍ突出させる構成とし、出力端子から配線をと
りだせるようにした。なお、突出を継続維持するため
に、樹脂をもちい固化することにより、固定した。
【００６９】
【発明の効果】以上説明したように請求項１に係わる発
明によれば、記録媒体上に反射型の近視野光を生成させ
る近視野光生成系、及び、生成された近視野光と相互作
用して得られる伝搬光を受光素子に導く近視野光検出系
を一体化しているため、光メモリ装置全体の構成をコン
パクトにし、各構成要素の調整が不必要となる。
明によれば、記録媒体上に反射型の近視野光を生成させ
る近視野光生成系、及び、生成された近視野光と相互作
用して得られる伝搬光を受光素子に導く近視野光検出系
を一体化しているため、光メモリ装置全体の構成をコン
パクトにし、各構成要素の調整が不必要となる。
【００７０】以上説明したように請求項２に係わる発明
によれば、記録媒体上に反射型の近視野光を生成させる
近視野光生成系、及び、生成された近視野光と相互作用
して得られる伝搬光を受光素子に導く近視野光検出系を
一体化しているため、光メモリ装置全体の構成をコンパ
クトにし、各構成要素の調整が不必要となる。更には、
容易にアレイ化が実現できる。また、近視野光メモリヘ
ッドの側方に光源を配置できるため、近視野光メモリヘ
ッドの上方を有効に利用できる。
によれば、記録媒体上に反射型の近視野光を生成させる
近視野光生成系、及び、生成された近視野光と相互作用
して得られる伝搬光を受光素子に導く近視野光検出系を
一体化しているため、光メモリ装置全体の構成をコンパ
クトにし、各構成要素の調整が不必要となる。更には、
容易にアレイ化が実現できる。また、近視野光メモリヘ
ッドの側方に光源を配置できるため、近視野光メモリヘ
ッドの上方を有効に利用できる。
【００７１】以上説明したように請求項３および請求項
４に係わる発明によれば、光メモリ装置全体の構成のコ
ンパクト化、各構成要素の調整の不要及びヘッドのアレ
イ化の実現に加えて、光源を近視野光メモリヘッドの上
方に配置できるため、近視野光メモリヘッドの側方を有
効に利用できる。以上説明したように請求項５に係わる
発明によれば、光メモリ装置全体の構成のコンパクト
化、各構成要素の調整の不要、ヘッドのアレイ化の実現
及び近視野光メモリヘッドの側方の有効活用に加えて、
近視野光メモリヘッドを複雑な製造過程を必要とせずに
作成できる。
４に係わる発明によれば、光メモリ装置全体の構成のコ
ンパクト化、各構成要素の調整の不要及びヘッドのアレ
イ化の実現に加えて、光源を近視野光メモリヘッドの上
方に配置できるため、近視野光メモリヘッドの側方を有
効に利用できる。以上説明したように請求項５に係わる
発明によれば、光メモリ装置全体の構成のコンパクト
化、各構成要素の調整の不要、ヘッドのアレイ化の実現
及び近視野光メモリヘッドの側方の有効活用に加えて、
近視野光メモリヘッドを複雑な製造過程を必要とせずに
作成できる。
【００７２】以上説明したように請求項６に係わる発明
によれば、光メモリ装置全体の構成のコンパクト化、各
構成要素の調整の不要及び近視野光メモリヘッドの上方
の有効活用に加えて、近視野光メモリヘッドを複雑な製
造過程を必要とせずに作成でき、特にヘッドのアレイ化
の実現が容易に行える。以上説明したように請求項７に
係わる発明によれば、少なくとも１つの逆錐状の穴がそ
の頂部を微小開口とするように貫通して形成された平面
基板において、その穴の側面に沿って深さ方向に光導波
路をその一端部が微小開口の開口縁部に位置するように
形成し、かつその光導波路の他端部に受光手段を形成し
ているため、記録媒体に近視野光を生成させる近視野光
生成系、及び、生成された近視野光を散乱させてその散
乱光（伝搬光）を受光素子に導く近視野光検出系を一体
化した近視野光メモリヘッドを提供でき、光メモリ装置
全体の構成をコンパクトにし、各構成要素間の調整を不
必要にしており、更には、容易にアレイ化が実現でき
る。
によれば、光メモリ装置全体の構成のコンパクト化、各
構成要素の調整の不要及び近視野光メモリヘッドの上方
の有効活用に加えて、近視野光メモリヘッドを複雑な製
造過程を必要とせずに作成でき、特にヘッドのアレイ化
の実現が容易に行える。以上説明したように請求項７に
係わる発明によれば、少なくとも１つの逆錐状の穴がそ
の頂部を微小開口とするように貫通して形成された平面
基板において、その穴の側面に沿って深さ方向に光導波
路をその一端部が微小開口の開口縁部に位置するように
形成し、かつその光導波路の他端部に受光手段を形成し
ているため、記録媒体に近視野光を生成させる近視野光
生成系、及び、生成された近視野光を散乱させてその散
乱光（伝搬光）を受光素子に導く近視野光検出系を一体
化した近視野光メモリヘッドを提供でき、光メモリ装置
全体の構成をコンパクトにし、各構成要素間の調整を不
必要にしており、更には、容易にアレイ化が実現でき
る。
【００７３】また、散乱光を導く光導波路が散乱光の高
い強度分布を示す方向に沿って形成され、かつ受光素子
がヘッドの一部として微小開口付近に設けられているた
め、損失の少ない高効率な散乱光の検出が可能となる。
以上説明したように請求項８に係わる発明によれば、少
なくとも１つの逆錐状の穴がその頂部を微小開口とする
ように貫通して形成された光を透過させる材料からなる
平面基板において、前記微小開口の開口縁部にレンズを
形成し、そのレンズの光軸上かつ前記平面基板上に受光
手段を形成しているため、記録媒体に近視野光を生成さ
せる近視野光生成系、及び、生成された近視野光を散乱
させてその散乱光（伝搬光）を受光素子に導く近視野光
検出系を一体化した近視野光メモリヘッドを提供でき、
光メモリ装置全体の構成をコンパクトにし、構成要素の
調整を不必要にしており、更には、容易にアレイ化が実
現できる。
い強度分布を示す方向に沿って形成され、かつ受光素子
がヘッドの一部として微小開口付近に設けられているた
め、損失の少ない高効率な散乱光の検出が可能となる。
以上説明したように請求項８に係わる発明によれば、少
なくとも１つの逆錐状の穴がその頂部を微小開口とする
ように貫通して形成された光を透過させる材料からなる
平面基板において、前記微小開口の開口縁部にレンズを
形成し、そのレンズの光軸上かつ前記平面基板上に受光
手段を形成しているため、記録媒体に近視野光を生成さ
せる近視野光生成系、及び、生成された近視野光を散乱
させてその散乱光（伝搬光）を受光素子に導く近視野光
検出系を一体化した近視野光メモリヘッドを提供でき、
光メモリ装置全体の構成をコンパクトにし、構成要素の
調整を不必要にしており、更には、容易にアレイ化が実
現できる。
【００７４】また、レンズによる集光のために、記録媒
体の情報記録部の記録状態を判断できるだけの十分な強
度を有した伝搬光を受光素子に導くことが可能になり、
より信頼性の高い情報再生が実現される。また、近視野
光を生成されるための照射光の出力を低減でき、消費電
力と共に照射光による近視野光メモリヘッドの加熱が抑
えられる。
体の情報記録部の記録状態を判断できるだけの十分な強
度を有した伝搬光を受光素子に導くことが可能になり、
より信頼性の高い情報再生が実現される。また、近視野
光を生成されるための照射光の出力を低減でき、消費電
力と共に照射光による近視野光メモリヘッドの加熱が抑
えられる。
【００７５】以上説明したように請求項９及び請求項１
０に係わる発明によれば、少なくとも１つの逆錐状の穴
がその頂部を微小開口とするように貫通して形成された
平面基板において、その微小開口の開口縁部において受
光手段が備えられているため、記録媒体に近視野光を生
成させる近視野光生成系、及び、生成された近視野光を
散乱させてその散乱光（伝搬光）を受光素子に導く近視
野光検出系を一体化した近視野光メモリヘッドを提供で
き、光メモリ装置全体の構成をコンパクトにし、構成要
素の調整を不必要にしており、更には、容易にアレイ化
が実現できる。
０に係わる発明によれば、少なくとも１つの逆錐状の穴
がその頂部を微小開口とするように貫通して形成された
平面基板において、その微小開口の開口縁部において受
光手段が備えられているため、記録媒体に近視野光を生
成させる近視野光生成系、及び、生成された近視野光を
散乱させてその散乱光（伝搬光）を受光素子に導く近視
野光検出系を一体化した近視野光メモリヘッドを提供で
き、光メモリ装置全体の構成をコンパクトにし、構成要
素の調整を不必要にしており、更には、容易にアレイ化
が実現できる。
【００７６】また、記録媒体の情報記録部の記録状態を
判断できる特性を有した伝搬光を直接に受光素子におい
て受光することが可能になり、伝搬光の損失のない安定
した情報再生が実現される。以上説明したように請求項
１１から請求項１６に係わる発明によれば、記録媒体１
に近視野光を生成させるための微小開口５４部を有する
近視野光生成手段および生成された近視野光を検出する
ための近視野検出手段が同一の基板に有し、前記基板
（近視野光基板）が外周部の基板から突出する構成とす
ることにより微小開口５４に向けて光を照射し生成され
る近視野光と記録媒体１との相互作用によって生じる伝
搬光が、受光手段において受光される、このことにより
同一の基板上において実現でき、さらに記録媒体１に容
易に近接でき、出力信号を容易に出力端子より取り出す
ことができる。
判断できる特性を有した伝搬光を直接に受光素子におい
て受光することが可能になり、伝搬光の損失のない安定
した情報再生が実現される。以上説明したように請求項
１１から請求項１６に係わる発明によれば、記録媒体１
に近視野光を生成させるための微小開口５４部を有する
近視野光生成手段および生成された近視野光を検出する
ための近視野検出手段が同一の基板に有し、前記基板
（近視野光基板）が外周部の基板から突出する構成とす
ることにより微小開口５４に向けて光を照射し生成され
る近視野光と記録媒体１との相互作用によって生じる伝
搬光が、受光手段において受光される、このことにより
同一の基板上において実現でき、さらに記録媒体１に容
易に近接でき、出力信号を容易に出力端子より取り出す
ことができる。
【００７７】また、記録媒体１の情報記録部の記録状態
を判断できる特性を有した伝搬光を直接に受光素子５６
において受光することが可能になり、伝搬光の損失のな
い安定した情報再生が実現される。以上説明したように
請求項１７に係わる発明によれば、近視野光生成系及
び、近視野光検出系を一体化した近視野光メモリヘッド
を提供でき、光メモリ装置全体の構成をコンパクトに
し、容易にアレイ化が実現できる。
を判断できる特性を有した伝搬光を直接に受光素子５６
において受光することが可能になり、伝搬光の損失のな
い安定した情報再生が実現される。以上説明したように
請求項１７に係わる発明によれば、近視野光生成系及
び、近視野光検出系を一体化した近視野光メモリヘッド
を提供でき、光メモリ装置全体の構成をコンパクトに
し、容易にアレイ化が実現できる。
【図１】本発明の実施の形態１による近視野光メモリヘ
ッドの断面図である。
ッドの断面図である。
【図２】本発明の実施の形態１による近視野光メモリヘ
ッドのアレイ化を説明する図である。
ッドのアレイ化を説明する図である。
【図３】本発明の実施の形態２による近視野光メモリヘ
ッドの断面図である。
ッドの断面図である。
【図４】本発明の実施の形態２による近視野光メモリヘ
ッドのアレイ化を説明する図である。
ッドのアレイ化を説明する図である。
【図５】本発明の実施の形態３による近視野光メモリヘ
ッドの断面図である。
ッドの断面図である。
【図６】本発明の実施の形態３による近視野光メモリヘ
ッドの変形例及びアレイ化を説明する図である。
ッドの変形例及びアレイ化を説明する図である。
【図７】本発明の実施の形態４による近視野光メモリヘ
ッドの断面図である。
ッドの断面図である。
【図８】本発明の実施の形態４による近視野光メモリヘ
ッドのアレイ化を説明する図である。
ッドのアレイ化を説明する図である。
【図９】本発明の実施の形態５による近視野光メモリヘ
ッドの断面図である。
ッドの断面図である。
【図１０】本発明の実施の形態５による近視野光メモリ
ヘッドの変形例を示す図である。
ヘッドの変形例を示す図である。
【図１１】本発明の実施の形態６による近視野光メモリ
ヘッドの断面図である。
ヘッドの断面図である。
【図１２】本発明の実施の形態６による近視野光メモリ
ヘッドの変形例を示す図である。
ヘッドの変形例を示す図である。
【図１３】本発明の実施の形態７による近視野光メモリ
ヘッドの斜視図である。
ヘッドの斜視図である。
【図１４】本発明の実施の形態７による近視野光メモリ
ヘッドの断面図である。
ヘッドの断面図である。
【図１５】本発明の実施の形態７による近視野光メモリ
ヘッドの斜視図である。
ヘッドの斜視図である。
【図１６】本発明の実施の形態７による近視野光メモリ
ヘッドの工程図である。
ヘッドの工程図である。
【図１７】本発明の実施の形態７による加工工程を示す
図である。
図である。
１ 記録媒体 ２ シリコン基板 ３ テーパ開口部 ４ 微小開口 ５，１３ コア ６，１４ クラッド ７ 遮光膜 ８ 光源 ９ 照射光 １０ 伝搬光 １１，１６，２０ 近視野光メモリヘッド １２，１７，２１ 近視野光メモリヘッドアレイ １５ 反射膜 １８ 透明基板 １９ 回折格子 ３０，３７，４１，４２，４４ 近視野光メモリヘッド ３１ 遮光膜 ３２ 光導波路 ３３，４３ 受光素子 ３４ 照射光 ３５ 伝搬光（散乱光） ３６ 近視野光メモリヘッドアレイ ３８ 透明基板 ３９，４０ マイクロレンズ ４５ 受光素子基板 ５２ シリコン基板 ５３ 開口部 ５４ 微小開口 ５５ 遮光膜 ５６ 受光素子 ５８ 照射光 ６０ 近視野光メモリヘッド ６２ 出力端子 ６３ 梁 ６４ 樹脂 ６５ 拡散配線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大海 学 千葉県千葉市美浜区中瀬１丁目８番地 セ イコーインスツルメンツ株式会社内 (72)発明者 千葉 徳男 千葉県千葉市美浜区中瀬１丁目８番地 セ イコーインスツルメンツ株式会社内 (72)発明者 加藤 健二 千葉県千葉市美浜区中瀬１丁目８番地 セ イコーインスツルメンツ株式会社内 (72)発明者 新輪 隆 千葉県千葉市美浜区中瀬１丁目８番地 セ イコーインスツルメンツ株式会社内 (72)発明者 新荻 正隆 千葉県千葉市美浜区中瀬１丁目８番地 セ イコーインスツルメンツ株式会社内 (72)発明者 中島 邦雄 千葉県千葉市美浜区中瀬１丁目８番地 セ イコーインスツルメンツ株式会社内 Ｆターム(参考） 2H047 KA04 KA12 KA15 KB08 LA01 MA01 MA07 PA21 PA24 PA30 QA07 RA04 TA00 TA01 TA43 5D119 AA38 CA12 JA36 JA64 JB02 KA04 KA28
Claims (17)
- 【請求項１】 近視野光を利用して記録媒体の情報の記
録及び／または再生を行う近視野光メモリヘッドであっ
て、 少なくとも１つの逆錐状の穴がその頂部を微小開口とす
るように貫通して形成された平面基板と、 記録媒体に近視野光を生成させるための近視野光生成手
段および生成された近視野光を検出するための近視野検
出手段が同一の前記平面基板に有することを特徴とする
近視野光メモリヘッド。 - 【請求項２】 近視野光を利用して記録媒体の情報の再
生を行う近視野光メモリヘッドであって、 少なくとも１つの逆錐状の穴がその頂部を微小開口とす
るように貫通して形成された平面基板と、 前記平面基板内に形成された光導波路と、 前記光導波路に光を入射させる光源と、を含み、 前記光導波路の一端部は前記平面基板の側端部に位置
し、 前記光導波路の他端部は前記微小開口の開口縁部に位置
していることを特徴とする近視野光メモリヘッド。 - 【請求項３】 前記光導波路の一端部は前記平面基板の
上面部に位置し、前記光導波路の内側面の一部に前記光
導波路を通過する光を反射させる反射膜がさらに形成さ
れていることを特徴とする請求項２記載の近視野光メモ
リヘッド。 - 【請求項４】 前記光導波路の一端部は前記平面基板の
上面部に位置し、 前記光導波路の他端部は前記微小開口の開口縁部に位置
していることを特徴とする請求項２記載の近視野光メモ
リヘッド。 - 【請求項５】 近視野光を利用して記録媒体の情報の再
生を行う近視野光メモリヘッドであって、 少なくとも１つの逆錐状の穴がその頂部を微小開口とす
るように貫通して形成された平面基板と、 前記平面基板上かつ前記穴の縁部に形成された回折格子
と、 前記回折格子に照射光を入射させる光源と、を含み、 前記回折格子は前記照射光を前記平面基板を介して前記
微小開口の開口縁部に導き、 前記平面基板は前記照射光を透過させる材料からなり、
前記照射光が射出される微小開口の開口縁部を除く表面
に遮光膜が形成されていることを特徴とする近視野光メ
モリヘッド。 - 【請求項６】 近視野光を利用して記録媒体の情報の再
生を行う近視野光メモリヘッドであって、 少なくとも２つの逆錐状の穴がその頂部を微小開口とす
るように貫通して形成された平面基板と、 前記平面基板の側端部に形成された回折格子と、 前記回折格子に照射光を入射させる光源と、を含み、 前記回折格子は前記照射光を前記平面基板を介して各々
の前記微小開口の開口縁部に導き、 前記平面基板は前記照射光を透過させる材料からなり、
前記照射光が射出される各々の微小開口の開口縁部を除
く表面に遮光膜が形成されていることを特徴とする近視
野光メモリヘッド。 - 【請求項７】 近視野光を利用して記録媒体の情報の記
録及び／または再生を行う近視野光メモリヘッドであっ
て、 少なくとも１つの逆錐状の穴がその頂部を微小開口とす
るように貫通して形成された平面基板と、 前記穴の側面に沿って深さ方向に形成された光導波路
と、 前記光導波路の一端部に形成された受光手段と、を含
み、 前記光導波路の他端部は前記微小開口の開口縁部に位置
し、 前記光導波路はその他端部を除く表面に遮光膜が形成さ
れていることを特徴とする近視野光メモリヘッド。 - 【請求項８】 近視野光を利用して記録媒体の情報の記
録及び／または再生を行う近視野光メモリヘッドであっ
て、 少なくとも１つの逆錐状の穴がその頂部を微小開口とす
るように貫通して形成された平面基板と、 前記微小開口の開口縁部に形成されたレンズと、 前記レンズの光軸上かつ前記平面基板上に形成された受
光手段と、を含み、 前記平面基板は、光を透過させる材料からなり、前記レ
ンズ部を除く表面に遮光膜が形成されていることを特徴
とする近視野光メモリヘッド。 - 【請求項９】 近視野光を利用して記録媒体の情報の記
録及び／または再生を行う近視野光メモリヘッドであっ
て、 少なくとも１つの逆錐状の穴がその頂部を微小開口とす
るように貫通して形成された平面基板を含み、 前記平面基板は、前記微小開口の開口縁部において受光
手段を備えており、前記受光手段部を除く表面に遮光膜
が形成されていることを特徴とする近視野光メモリヘッ
ド。 - 【請求項１０】 近視野光を利用して記録媒体の情報の
記録及び／または再生を行う近視野光メモリヘッドであ
って、 少なくとも１つの逆錐状の穴がその頂部を微小開口とす
るように貫通して形成された平面基板を含み、 前記平面基板は、受光素子基板であり、前記受光素子基
板の一部を除く表面に遮光膜が形成されていることを特
徴とする近視野光メモリヘッド。 - 【請求項１１】 近視野光を利用して記録媒体の情報の
記録及び／または再生を行う近視野光メモリヘッドであ
って、 記録媒体に近視野光を生成させるための微小開口部を有
する近視野光生成手段および生成された近視野光を検出
するための近視野検出手段が同一の基板に有し、前記基
板が外周部の基板から突出する構成を特徴とする近視野
光メモリヘッド。 - 【請求項１２】 請求項１１記載の近視野光メモリヘッ
ドにおいて、記録媒体に近視野光を生成させるための微
小開口部を有する近視野光生成手段および生成された近
視野光を検出するための近視野検出手段を有する基板
が、 前記基板を支持するための外周部基板より支持される構
成からなることを特徴とする近視野光メモリヘッド。 - 【請求項１３】 請求項１２記載の近視野光メモリヘッ
ドにおいて、記録媒体に近視野光を生成させるための微
小開口部を有する近視野光生成手段および生成された近
視野光を検出するための近視野検出手段を有する基板
が、 前記基板を支持するための外周部基板より梁により支持
される構成からなることを特徴とする近視野光メモリヘ
ッド。 - 【請求項１４】 請求項１３記載の近視野光メモリヘッ
ドにおいて、前記基板を支持するため、外周部基板より
梁により支持される構成で、前記梁が薄肉化した構造を
特徴とする近視野光メモリヘッド。 - 【請求項１５】 請求項１２記載の近視野光メモリヘッ
ドにおいて、前記基板を支持するため、外周部基板より
支持される構成で、前記基板と周辺基板の薄肉化した構
造を有し、前記薄肉部を固化し、前記基板が外周部の基
板から突出することを特徴とする近視野光メモリヘッ
ド。 - 【請求項１６】 請求項１１記載の近視野光メモリヘッ
ドにおいて、前記外周部基板に受光した光信号を電気信
号として取り出すための出力端子を有することを特徴と
する近視野光メモリヘッド。 - 【請求項１７】 請求項１〜１６のいずれかに記載の近
視野光メモリヘッドが少なくとも１つの平面基板上に複
数個配列されていることを特徴とする近視野光メモリヘ
ッド。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00680299A JP4083330B2 (ja) | 1998-02-25 | 1999-01-13 | 近視野光メモリヘッド |
| PCT/JP1999/000781 WO1999044198A1 (fr) | 1998-02-25 | 1999-02-22 | Tete de memoire optique dans le champ proche |
| US09/403,406 US6376827B1 (en) | 1998-02-25 | 1999-02-22 | Near field optical memory head |
| EP06006226A EP1684275A3 (en) | 1998-02-25 | 1999-02-22 | Near field optical memory head |
| EP99905268A EP0978829B1 (en) | 1998-02-25 | 1999-02-22 | Near field optical memory head |
| DE69936490T DE69936490T2 (de) | 1998-02-25 | 1999-02-22 | Optischer nahfeldkopf für speicher |
Applications Claiming Priority (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4371598 | 1998-02-25 | ||
| JP4371898 | 1998-02-25 | ||
| JP454899 | 1999-01-11 | ||
| JP10-43715 | 1999-01-11 | ||
| JP11-4548 | 1999-01-11 | ||
| JP10-43718 | 1999-01-11 | ||
| JP00680299A JP4083330B2 (ja) | 1998-02-25 | 1999-01-13 | 近視野光メモリヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000268394A true JP2000268394A (ja) | 2000-09-29 |
| JP4083330B2 JP4083330B2 (ja) | 2008-04-30 |
Family
ID=27454107
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP00680299A Expired - Lifetime JP4083330B2 (ja) | 1998-02-25 | 1999-01-13 | 近視野光メモリヘッド |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6376827B1 (ja) |
| EP (2) | EP1684275A3 (ja) |
| JP (1) | JP4083330B2 (ja) |
| DE (1) | DE69936490T2 (ja) |
| WO (1) | WO1999044198A1 (ja) |
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| JP2010049803A (ja) * | 2009-12-04 | 2010-03-04 | Seiko Instruments Inc | 近視野光ヘッド及びその製造方法 |
| JP2011210306A (ja) * | 2010-03-29 | 2011-10-20 | Toshiba Corp | 光ヘッド及び光記録再生装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP4162292B2 (ja) * | 1998-07-07 | 2008-10-08 | セイコーインスツル株式会社 | 情報記録媒体および情報再生装置 |
| DE69940577D1 (de) * | 1998-11-09 | 2009-04-23 | Seiko Instr Inc | Nahfeld Abtastkopf und Herstellungsverfahren dafür |
| EP1148477B1 (en) * | 2000-04-18 | 2005-01-05 | Seiko Instruments Inc. | Information recording and reproducing apparatus |
| JP4184570B2 (ja) | 2000-04-18 | 2008-11-19 | セイコーインスツル株式会社 | 情報記録再生装置 |
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| JP4236673B2 (ja) * | 2006-04-12 | 2009-03-11 | 株式会社日立製作所 | 近接場光発生器及び近接場光記録再生装置 |
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| DE3477271D1 (en) | 1984-12-28 | 1989-04-20 | Ibm | Waveguide for an optical near-field microscope |
| JP3074357B2 (ja) * | 1991-10-03 | 2000-08-07 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | 微細表面観察装置 |
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| US5354985A (en) * | 1993-06-03 | 1994-10-11 | Stanford University | Near field scanning optical and force microscope including cantilever and optical waveguide |
| EP0710370B1 (en) * | 1993-07-22 | 1998-12-02 | Btg International Limited | Intelligent sensor for near field optical device |
| JPH08103361A (ja) | 1994-06-06 | 1996-04-23 | Kunio Ichinose | 食 器 |
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| JP3618896B2 (ja) * | 1996-03-29 | 2005-02-09 | キヤノン株式会社 | 微小開口を有するプローブの作製法とそれによるプローブ、並びに該プローブを用いた走査型近接場光顕微鏡と走査型トンネル顕微鏡との複合装置、および該プローブを用いた記録再生装置 |
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| US6084848A (en) * | 1996-11-11 | 2000-07-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Two-dimensional near field optical memory head |
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1999
- 1999-01-13 JP JP00680299A patent/JP4083330B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1999-02-22 EP EP06006226A patent/EP1684275A3/en not_active Withdrawn
- 1999-02-22 DE DE69936490T patent/DE69936490T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1999-02-22 WO PCT/JP1999/000781 patent/WO1999044198A1/ja active IP Right Grant
- 1999-02-22 EP EP99905268A patent/EP0978829B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-02-22 US US09/403,406 patent/US6376827B1/en not_active Expired - Fee Related
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| JP2011210306A (ja) * | 2010-03-29 | 2011-10-20 | Toshiba Corp | 光ヘッド及び光記録再生装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69936490D1 (de) | 2007-08-23 |
| WO1999044198A1 (fr) | 1999-09-02 |
| US6376827B1 (en) | 2002-04-23 |
| EP0978829A4 (en) | 2001-01-24 |
| EP1684275A3 (en) | 2007-12-05 |
| EP0978829A1 (en) | 2000-02-09 |
| EP1684275A2 (en) | 2006-07-26 |
| JP4083330B2 (ja) | 2008-04-30 |
| EP0978829B1 (en) | 2007-07-11 |
| DE69936490T2 (de) | 2008-03-20 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20040302 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040409 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070515 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070627 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070724 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070822 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080212 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080213 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110222 Year of fee payment: 3 |
|
| RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20091108 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110222 Year of fee payment: 3 |
|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D03 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110222 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120222 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130222 Year of fee payment: 5 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |