JP2000266805A - ベアチップのバーンイン方法およびバーンイン用基板 - Google Patents

ベアチップのバーンイン方法およびバーンイン用基板

Info

Publication number
JP2000266805A
JP2000266805A JP11069042A JP6904299A JP2000266805A JP 2000266805 A JP2000266805 A JP 2000266805A JP 11069042 A JP11069042 A JP 11069042A JP 6904299 A JP6904299 A JP 6904299A JP 2000266805 A JP2000266805 A JP 2000266805A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
burn
bare chip
substrate
bonding
bare
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP11069042A
Other languages
English (en)
Inventor
Masahiro Yoshimura
雅弘 吉村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP11069042A priority Critical patent/JP2000266805A/ja
Publication of JP2000266805A publication Critical patent/JP2000266805A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】 【課題】 通電不良や、チップ上に形成された回路や電
極パッドの損傷を防止して、ベアチップに対し信頼性の
高いバーンインを行う。 【解決手段】 バーンイン装置4に電気的に接続される
端子3を有し、かつ、ほぼ中央部にベアチップ5を吸着
固定するための透孔6が設けられた基板本体2と、この
基板本体2上面の外縁部に形成され端子3に電気的に接
続された複数のボンディングパッド7を備えたバーンイ
ン用基板1の透孔6上に、電極パッド5aを有するベア
チップ5を吸着固定するとともに、ベアチップ5の電極
パッド5aとバーンイン用基板1のボンディングパッド
7とをボンディングワイヤにより接続し、所望の端子3
に電圧を印加してベアチップ5のバーンインを行う。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、IC(Integrated
Circuit)チップの特性の安定化や初期段階での不良を排
除する目的で行われるベアチップのバーンイン方法およ
びバーンイン用基板に関する。
【0002】
【従来の技術】一般に、ICチップは、ウェハ上に多数
の素子を形成した後、各ICチップごとに分割(ダイシ
ング)し、次いでチップ上の各素子の電極とパッケージ
のリード電極とをボンディングした後、チップを金属や
プラスチックなどでパッケージングして製造されてい
る。
【0003】ところで、このように製造されるICチッ
プにおいては、従来より、特性の安定化を図り、かつ、
初期段階での不良を取り除くため、ウェハ段階で、すな
わちウェハを個々のICチップに分割する前に、いわゆ
るバーンインと称する1 種の通電試験が行われている。
すなわち、このバーンインは、温度や電圧などのストレ
スを加えることにより、潜在的な不良個所の顕在化を加
速させ、その後の作動試験などにより不良製品を排除し
ようとするものである。
【0004】しかしながら、ウェハ段階で行うバーンイ
ンは、ダイソートテストなどでも用いられているような
プローブカードにウェハを組み込み、これをバーンイン
装置にセットして行うものであるため、高温時のウェハ
とプローブカードとの熱膨張差やプローブの高さのばら
つきなどが原因で、接触不良や、ウェハ上に形成された
回路やパッドの損傷が起きるおそれがあった。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
のベアチップに対するバーンインは、ウェハ状態でプロ
ーブカードを用いて行われているため、接触不良や、ウ
ェハ上に形成された回路やパッドの損傷を招くおそれが
あった。
【0006】本発明はこのような問題を解決するために
なされたもので、ベアチップに対し上記のような不都合
が生ずることがなく信頼性の高いバーンインを安定して
行うことができるベアチップのバーンイン方法およびバ
ーンイン用基板を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明のベアチップのバ
ーンイン方法は、バーンイン装置に電気的に接続される
端子を有し、かつ、ほぼ中央部にベアチップを吸着固定
するための透孔が設けられた基板本体と、この基板本体
上面の外縁部に形成され前記端子に電気的に接続された
複数のボンディングパッドとを備えたバーンイン用基板
の前記透孔上に、電極パッドを有するベアチップを吸着
固定するとともに、前記ベアチップの電極パッドと前記
バーンイン用基板のボンディングパッドとをボンディン
グワイヤにより接続する工程と、所望の前記端子に電圧
を印加して前記ベアチップのバーンインを行う工程とを
具備したことを特徴としている。
【0008】また、本発明のバーンイン用基板は、ベア
チップを搭載してバーンイン装置に取り付けられるバー
ンイン用基板において、前記バーンイン装置に電気的に
接続される端子を有し、かつ、ほぼ中央部にベアチップ
を吸着固定するための透孔が設けられた基板本体と、こ
の基板本体上面の外縁部に形成され前記端子に電気的に
接続された複数のボンディングパッドを備えてなること
を特徴としている。
【0009】これらの構成によれば、ベアチップの電極
パッドとバーンイン用基板のボンディングパッドとがボ
ンディングワイヤにより接続されるため、プローブを用
いた場合のような、接触不良や熱膨張差に起因するベア
チップの回路や電極パッドの損傷が防止される。したが
って信頼性の高いバーンインを繰り返し行うことができ
る。また、バーンイン用基板の適用性が広がり、ベアチ
ップのサイズや電極パッドの位置などが変わっても柔軟
に対応可能で、1種類の基板を数種類のベアチップに適
用することができ、コストの削減を図ることができる。
【0010】なお、本発明においては、バーンイン用基
板のボンディングパッドが、基板上に実装し得るベアチ
ップのうち、電極パッドが最多のものと同等乃至より多
く設けられていることが望ましい。これにより、バーン
イン用基板の汎用性がさらに広がり、電極パッド数の異
なるベアチップにも適用することが可能になり、多種類
のベアチップのバーンインを単一のバーンイン用基板を
用いて実施可能とすることができ、コストのいっそうの
削減を図ることができる。
【0011】また、本発明においては、バーンイン用基
板のボンディングパッドとベアチップの電極パッドとの
ワイヤボンディングを、ベアチップの電極パッド上にボ
ンディングワイヤによりボールボンディングを行い、そ
のボンディングワイヤをバーンイン用基板のボンディン
グパッドに接続する構成とすることが望ましい。このよ
うに構成することにより、バーンイン後、ボンディング
ワイヤを切断する際、ボール部分を残して切断すること
により、このボール部分を、実用時のフリップチップ方
式などの実装技術に利用することが可能となる。
【0012】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照しながら詳細に説明する。なお、以下の実施の形
態において同一の要素には同一符号を付して重複する説
明を省略する。
【0013】図1は、本発明の第1の実施形態に係るバ
ーンイン用基板にベアチップを搭載した実装体をバーン
イン装置に装着した状態を概略的に示す断面図である。
【0014】図1において、1は、ベアチップのバーン
イン用基板を示し、このバーンイン用基板1は、例えば
セラミックなどからなる矩形状の基板本体2と、この基
板本体2の下面に突設された端子3とを有する。端子3
は、バーンイン装置4の電圧印加手段乃至必要な場合に
は電気特性測定手段(以上、いずれも図示なし)に電気
的に接続されている。基板本体2の中央には、ベアチッ
プ5を吸着固定するための透孔6が穿設されており、ベ
アチップ5は、この透孔6に接続した真空吸引装置( 図
示なし) で吸引することにより基板本体2の上面中央に
吸着固定されるようになっている。なお、透孔6は単数
個に限らず複数個設けられていてもよい。このようなベ
アチップ5搭載部の周囲、すなわち基板本体2の各辺縁
部上面には、端子3に対応して多数のボンディングパッ
ド7が形成されており、それぞれ端子3に電気的に接続
され、所望の端子3を介して所要の電圧が各ボンディン
グパッド7に印加され、また、必要な場合には、端子3
を介してボンディングパッド7の電気信号を検出できる
ようになっている。ボンディングパッド7は、ベアチッ
プ5搭載部の面積を制限せず、かつ、パッド機能を損な
わない範囲でできるだけ多く設けることが望ましい。こ
れにより多様なベアチップの搭載が可能となる。
【0015】このように構成されるバーンイン用基板1
においては、まず、多数の電極パッド5aが形成された
ベアチップ5を、基板本体2の透孔6上に裁置し、真空
吸引装置により吸引して吸着固定する。次いで、ベアチ
ップ5の各電極パッド5aを、バーンイン用基板1の所
望の電極パッド7にそれぞれワイヤボンディングにより
接続する。この状態でバーンイン装置4を作動させ、ベ
アチップ5の各電極パッド5aに所要の電圧を印加しバ
ーンインを行う。
【0016】なお、ワイヤボンディング終了後、バーン
イン装置4には、ベアチップ5と、バーンイン用基板1
が機械的に接続されているので、バーンイン装置4から
バーンイン用基板1を抜いて別の図示しないバーンイン
装置乃至電気特性評価装置に端子3を接続して、バーン
イン乃至電気特性評価を行うことができる。
【0017】また、上記のワイヤボンディングは、バー
ンイン装置4にバーンイン用基板1を装着して行うだけ
でなく、真空吸引機能を持つ実装装置上でワイヤボンデ
ィングを行った後、バーンイン装置4に移動させてもよ
い。
【0018】さらに、上記ワイヤボンディングは、図面
に示すようにベアチップ5の電極パッド5a上にボール
ボンディングによりボール8aを形成し、このボール8
aからボンディングワイヤ8bを伸ばして、バーンイン
用基板1のボンディングパッド7に接続するボールボン
ディング法の他、ボールをバーンイン用基板1のボンデ
ィングパッド7上に形成して、そのボールからボンディ
ングワイヤを、ベアチップ5の電極パッド5a上に接続
する方法、ウエッジボンディングによりボンディングワ
イヤの両端をそれぞれベアチップ5の電極パッド5aお
よびバーンイン用基板1のボンディングパッド7上に接
続する方法などを用いることができる。特に、ベアチッ
プ5の電極パッド5a上にボール8aを形成して接続し
た場合には、バーンイン後、ボンディングワイヤ8bを
切断する際、ボール部分を残して切断することにより、
このボール部分を、実用時のフリップチップ実装時のボ
ールバンプとして利用することができる。
【0019】このような方法においては、従来のように
プローブを用いず、ベアチップ5の電極パッド5aとバ
ーンイン用基板1のボンディングパッド7とをボンディ
ングワイヤ8bにより接続し、このボンディングワイヤ
8bを介して電極パッド5aに電圧が印加されるように
したので、接触不良や、チップ上に形成された回路や電
極パッド5aの損傷が起きるおそれがなく、信頼性の高
いバーンインを繰り返し行うことができる。
【0020】また、バーンイン用基板1のボンディング
パッド7を十分に数多く設けておけば、ベアチップ5の
サイズや電極パッド5aの数、配置が変わってもバーン
イン用基板1を再製作せずに十分に対応可能である。例
えば、図2(a)、(b)は、電極パッド5aの数が異
なる2種類のベアチップ5を上記バーンイン用基板1に
それぞれ搭載した状態を示した上面図で、(a)は電極
パッド数が14のベアチップ5を搭載した例、(b)は
電極パッド数が10のベアチップを搭載した例である。
各電極パッド5aはバーンイン用基板1のボンディング
パッド7に適宜ワイヤボンディングにより接続されてい
る。
【0021】次に、図3に示す本発明の第2の実施形態
について説明する。
【0022】本実施形態は、上記バーンイン用基板1に
代えて図3に示すようなソケット11を用いたものであ
る。
【0023】すなわち、このソケット11は、図3に示
すように、下面に端子3が設けられたソケット本体12
と、このソケット本体12上に搭載されたベアチップ5
上に当接配置される押え板13と、ソケット本体12の
両側面にヒンジにより枢着され、ベアチップ5を押え板
13を介してソケット本体12に向けて押圧固定する、
両側に開閉可能な一対の固定部材14a、14bとから
構成される。
【0024】ソケット本体12の上面には、ベアチップ
5を、電極パッド5a側を下方に向けて嵌入可能な凹部
12aが設けられており、その凹部12aの底面には、
ベアチップ5の電極パッド5aに対応する位置にそれぞ
れ端子3に電気的に接続された電極ピン15が固着され
ている。電極ピン15は、ベアチップ5を電極パッド5
a側を下方に向けて嵌め込んだとき対応する電極パッド
5aとそれぞれ接触し、電気的導通が得られるようにな
っている。
【0025】上記ソケット11を利用してベアチップ5
のバーンインを行うには、バーンイン装置4に取り付け
るべきソケット本体12の凹部12aに、ベアチップ5
を電極パッド5a側を下方に向けて嵌め込み、その上に
押え板13を配し、固定部材14a、14bで固定する
ことにより実装体を得ればよい。これにより、電極パッ
ド5aと電極ピン15とが接触して電気的に導通するよ
うになり、以下、前述した実施形態の場合と同様に、こ
の実装体を装着してバーンイン装置4を作動させ、ベア
チップ5の各電極パッド5aに所要の電圧を印加するこ
とによりバーンインが行われる。
【0026】このような方法においては、前述したバー
ンイン用基板1を用いる場合に比べ、ベアチップ5の種
類ごとにソケット11を、そのベアチップ5に対応する
ものに変える必要があり、かつ、電極パッド5aと電極
ピン15との接触抵抗は、ワイヤボンディングの場合に
比べバラツキが大きいという問題はあるものの、従来方
法に比べ、通電不良やベアチップの電極パッドの損傷の
発生を抑制することができる。
【0027】以上、ベアチップ5をバーンイン用基板1
上に搭載しあるいはソケット11内に固定し、その電極
パッド5aにバーンイン用基板1あるいはソケット11
の端子3を電気的に接続した実装体を用いて、ベアチッ
プ5のバーンインを行う方法、並びにそれに用いるバー
ンイン用基板1およびソケット11について記載した
が、これらの実装体の用途は、バーンインに限られるこ
とはなく、電気特性測定を行う場合にも、ウェハプロー
バを用いて行う場合と比較して精度の高い測定を行い得
ることは、上記の記載から明らかである。
【0028】すなわち、上記の実装体を用いれば、(1)
ベアチップ5を上記の方法で装着して実装体を得る、
(2) 実装体の端子3を電気特性測定器に挿入し、初期電
気特性を測定する、(3) 実装体の端子3をバーンイン装
置4に挿入し、バーンインを行う、(4) 実装体の端子3
を電気特性測定器に挿入し、バーンイン後の電気特性を
測定する、(5) バーンイン前後の電気特性を比較してベ
アチップの良否を判断する、(6) 良品のベアチップのみ
を実装体から剥離し、所望の外囲器内に実装し、IC製
品を得る、工程が可能となる。
【0029】特に、上記の本発明の第1の実施形態に係
る実装体では、上記(6) の工程で、ベアチップ5を実装
体から剥離する際に、図1に示した状態で、透孔6から
真空吸引しつつボンディングワイヤ8bを除去し、その
後、真空吸引を停止することにより、あるいはそれと同
時に透孔6の下部から図示しない押上げ棒により、ベア
チップ5をわずかに押上げることにより、ベアチップ5
を上部から図示しないチップ吸着治具(コレット)に吸
着して移設することができる。上記の第1の実施形態に
係る実装体を用いたバーンイン方法によれば、ベアチッ
プを扱う工程で、ベアチップの表面に損傷を与えるおそ
れが非常に小さく、バーンイン後に特性変動が生ずるお
それが少ない。
【0030】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のベアチッ
プ実装体のバーンイン方法およびバーンイン用基板によ
れば、従来のプローブを用いた場合のような、接触不良
や熱膨張差に起因するベアチップの回路や電極パッドの
損傷が防止され、ベアチップに対し、信頼性の高いバー
ンインを繰り返し行うことができる。また、1種類の基
板を多種類のベアチップに適用することができるため、
多種類の基板を作製する必要がなく、コストの削減を図
ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施形態に係るバーンイン用基
板にベアチップを搭載してバーンイン装置に装着した状
態を概略的に示す断面図。
【図2】電極パッド数の異なる2種類のベアチップを図
1に示す本発明のバーンイン用基板にそれぞれ搭載した
状態を概略的に示す上面図。
【図3】本発明の第2の実施形態に係るベアチップの搭
載状態を概略的に示す断面図。
【符号の説明】 1…バーンイン用基板 2…基板本体 3…端子
4…バーンイン装置 5…ベアチップ 5a…電極パッド 6…透孔 7…ボンディングパッド 8a…ボール 8b…ボ
ンディングワイヤ 出願人 株式会社 東芝代理人 弁理士 須
山 佐 一

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 バーンイン装置に電気的に接続される端
    子を有し、かつ、ほぼ中央部にベアチップを吸着固定す
    るための透孔が設けられた基板本体と、この基板本体上
    面の外縁部に形成され前記端子に電気的に接続された複
    数のボンディングパッドとを備えたバーンイン用基板の
    前記透孔上に、電極パッドを有するベアチップを吸着固
    定するとともに、前記ベアチップの電極パッドと前記バ
    ーンイン用基板のボンディングパッドとをボンディング
    ワイヤにより接続する工程と、所望の前記端子に電圧を
    印加して前記ベアチップのバーンインを行う工程とを具
    備したベアチップのバーンイン方法。
  2. 【請求項2】 前記ボンディングワイヤにより接続する
    工程は、ベアチップの電極パッド上にボンディングワイ
    ヤの一部からなるボールを形成する工程と、そのボンデ
    ィングワイヤを前記バーンイン用基板のボンディングパ
    ッドに接続する工程とから成ることを特徴とする請求項
    1記載のベアチップのバーンイン方法。
  3. 【請求項3】 前記バーンインを行う工程の後に、前記
    ボンディングワイヤを除去し、前記ベアチップを単離す
    る工程を有することを特徴とする請求項1または2記載
    のベアチップのバーンイン方法。
  4. 【請求項4】 ベアチップを搭載してバーンイン装置に
    取り付けられるバーンイン用基板において、前記バーン
    イン装置に電気的に接続される端子を有し、かつ、ほぼ
    中央部にベアチップを吸着固定するための透孔が設けら
    れた基板本体と、この基板本体上面の外縁部に形成され
    前記端子に電気的に接続された複数のボンディングパッ
    ドを備えてなることを特徴とするバーンイン用基板。
JP11069042A 1999-03-15 1999-03-15 ベアチップのバーンイン方法およびバーンイン用基板 Withdrawn JP2000266805A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11069042A JP2000266805A (ja) 1999-03-15 1999-03-15 ベアチップのバーンイン方法およびバーンイン用基板

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11069042A JP2000266805A (ja) 1999-03-15 1999-03-15 ベアチップのバーンイン方法およびバーンイン用基板

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2000266805A true JP2000266805A (ja) 2000-09-29

Family

ID=13391147

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP11069042A Withdrawn JP2000266805A (ja) 1999-03-15 1999-03-15 ベアチップのバーンイン方法およびバーンイン用基板

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2000266805A (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5123850A (en) Non-destructive burn-in test socket for integrated circuit die
US5663654A (en) Universal wafer carrier for wafer level die burn-in
US5172050A (en) Micromachined semiconductor probe card
JP3014338B2 (ja) パッケージングされない半導体チップのテスト装置
US5539324A (en) Universal wafer carrier for wafer level die burn-in
KR100681772B1 (ko) 반도체 시험 방법 및 반도체 시험 장치
JPH07115113A (ja) 半導体ウエハの試験装置および試験方法
JP2000292485A (ja) Bgaパッケージの電気的検査のためのソケット及びこれを用いた検査方法
JPH08330372A (ja) 半導体装置の検査方法
JPH08504036A (ja) エリアアレイ配線チップのtabテスト
JP4592885B2 (ja) 半導体基板試験装置
WO1999054932A1 (en) Leadless array package
US5942907A (en) Method and apparatus for testing dies
KR950013605B1 (ko) 번인 테스트용 칩 홀딩장치 및 그 제조방법
JP2877011B2 (ja) ベアチップテストキャリア
JPH09229963A (ja) 電子部品検査用接触体とその製造方法およびそれを用いた検査方法
JPH08148533A (ja) 半導体ウェハの試験装置及び試験方法
US20070285115A1 (en) Universal wafer carrier for wafer level die burn-in
JP2000266805A (ja) ベアチップのバーンイン方法およびバーンイン用基板
JPH0521544A (ja) バンプ付き半導体素子の測定方法および測定装置
JP3036486B2 (ja) 集積回路の故障解析方法および故障集積回路組立体
JP2851778B2 (ja) ソケット装置
JPH0611541A (ja) バーンインソケット
JPH05206233A (ja) 半導体のエージング装置
KR0151836B1 (ko) 웨이퍼 레벨 번인 및 테스트 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20060606