JP2000261274A - 可変減衰器、複合可変減衰器及び移動体通信機器 - Google Patents
可変減衰器、複合可変減衰器及び移動体通信機器Info
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 連続的に減衰量を制御可能な可変減衰器、複
合可変減衰器及び移動体通信機器を提供する。 【解決手段】 電磁結合した第１及び第２の線路からな
る第１のコムライン１３と、電磁結合した第３及び第４
の線路からなる第２のコムライン１６と、第２のコムラ
インを構成する第３及び第４の線路に接続される第１及
び第２のダイオードＤ１，Ｄ２とを含む。第１、第２の
線路のそれぞれの一端には端子Ｐ１、Ｐ２が接続され
る。第３、第４の線路の一端とグランドとの間に、アノ
ードが第３及び第４の線路側になるようにダイオードＤ
１，Ｄ２が接続される。第１の線路の他端と第３の線路
の他端との接続点、及び第２の線路の他端と第４の線路
の他端との接続点に抵抗Ｒ１，Ｒ２を介して第１及び第
２のダイオードＤ１、Ｄ２のオン・オフを制御するため
の制御端子Ｖｃ１，Ｖｃ２が接続される。
合可変減衰器及び移動体通信機器を提供する。 【解決手段】 電磁結合した第１及び第２の線路からな
る第１のコムライン１３と、電磁結合した第３及び第４
の線路からなる第２のコムライン１６と、第２のコムラ
インを構成する第３及び第４の線路に接続される第１及
び第２のダイオードＤ１，Ｄ２とを含む。第１、第２の
線路のそれぞれの一端には端子Ｐ１、Ｐ２が接続され
る。第３、第４の線路の一端とグランドとの間に、アノ
ードが第３及び第４の線路側になるようにダイオードＤ
１，Ｄ２が接続される。第１の線路の他端と第３の線路
の他端との接続点、及び第２の線路の他端と第４の線路
の他端との接続点に抵抗Ｒ１，Ｒ２を介して第１及び第
２のダイオードＤ１、Ｄ２のオン・オフを制御するため
の制御端子Ｖｃ１，Ｖｃ２が接続される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、可変減衰器、複合
可変減衰器及び移動体通信機器に関する。
可変減衰器及び移動体通信機器に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、携帯電話器等の移動体通信機器
では、高周波信号を可変減衰させるために、異なった減
衰量を有する複数の減衰器を切換器により切り換える可
変減衰器が使用される。
では、高周波信号を可変減衰させるために、異なった減
衰量を有する複数の減衰器を切換器により切り換える可
変減衰器が使用される。
【０００３】図８は、マイクロ波帯において使用される
従来の可変減衰器である。可変減衰器７０は、入力端子
７１、出力端子７２、入出力間の導通あるいは遮断を切
り換える電界効果トランジスタ（以下、ＦＥＴとす
る。）７３１〜７３３，７４１〜７４３、及びそれぞれ
の減衰量がＡ（ｄＢ），Ｂ（ｄＢ），Ｃ（ｄＢ）である
Ｔ型抵抗減衰器７５１〜７５３を含む。そして、その構
成は、入力側の切換器であるＦＥＴ７３１〜７３３のド
レイン電極ＤがそれぞれコンデンサＣ７１を介して入力
端子７１に接続され、出力側の切換器であるＦＥＴ７４
１〜７４３のドレイン電極ＤがそれぞれコンデンサＣ７
２を介して出力端子７２に接続される。また、ＦＥＴ７
３１〜７３３のソース電極ＳがコンデンサＣ７３〜Ｃ７
５を介してＴ型抵抗減衰器７５１〜７５３の抵抗Ｒ７１
〜Ｒ７３の一端に、ＦＥＴ７４１〜７４３のソース電極
ＳがコンデンサＣ７６〜Ｃ７８を介してＴ型抵抗減衰器
７５１〜７５３の抵抗Ｒ７４〜Ｒ７６の一端に接続され
る。さらに、Ｔ型抵抗減衰器７５１〜７５３のＲ７１〜
Ｒ７３の他端とＲ７４〜Ｒ７６の他端とがそれぞれ接続
され、それらの接続点が抵抗Ｒ７７〜Ｒ７９を介して接
地される。さらに、ＦＥＴ７３１〜７３３，７４１〜７
４３のゲート電極ＧがコンデンサＣ７９〜Ｃ８４を介し
て接地されるとともに、高周波阻止用のインダクタＬ７
１〜Ｌ７６を介して制御端子Ｖｃ７１〜Ｖｃ７６に接続
される。
従来の可変減衰器である。可変減衰器７０は、入力端子
７１、出力端子７２、入出力間の導通あるいは遮断を切
り換える電界効果トランジスタ（以下、ＦＥＴとす
る。）７３１〜７３３，７４１〜７４３、及びそれぞれ
の減衰量がＡ（ｄＢ），Ｂ（ｄＢ），Ｃ（ｄＢ）である
Ｔ型抵抗減衰器７５１〜７５３を含む。そして、その構
成は、入力側の切換器であるＦＥＴ７３１〜７３３のド
レイン電極ＤがそれぞれコンデンサＣ７１を介して入力
端子７１に接続され、出力側の切換器であるＦＥＴ７４
１〜７４３のドレイン電極ＤがそれぞれコンデンサＣ７
２を介して出力端子７２に接続される。また、ＦＥＴ７
３１〜７３３のソース電極ＳがコンデンサＣ７３〜Ｃ７
５を介してＴ型抵抗減衰器７５１〜７５３の抵抗Ｒ７１
〜Ｒ７３の一端に、ＦＥＴ７４１〜７４３のソース電極
ＳがコンデンサＣ７６〜Ｃ７８を介してＴ型抵抗減衰器
７５１〜７５３の抵抗Ｒ７４〜Ｒ７６の一端に接続され
る。さらに、Ｔ型抵抗減衰器７５１〜７５３のＲ７１〜
Ｒ７３の他端とＲ７４〜Ｒ７６の他端とがそれぞれ接続
され、それらの接続点が抵抗Ｒ７７〜Ｒ７９を介して接
地される。さらに、ＦＥＴ７３１〜７３３，７４１〜７
４３のゲート電極ＧがコンデンサＣ７９〜Ｃ８４を介し
て接地されるとともに、高周波阻止用のインダクタＬ７
１〜Ｌ７６を介して制御端子Ｖｃ７１〜Ｖｃ７６に接続
される。
【０００４】制御端子Ｖｃ７１〜Ｖｃ７６からは、例え
ば、制御すべきＦＥＴのピンチオフ電圧と同程度の負電
圧あるいは０Ｖ電圧を選択的に印加する。すなわち、第
１経路に含まれる制御端子Ｖｃ７１，Ｖｃ７４に０Ｖ、
第２及び第３経路に含まれる制御端子Ｖｃ７２，Ｖｃ７
５，Ｖｃ７３，Ｖｃ７６にそれぞれ制御すべきＦＥＴ７
３２，７４２，７３３，７４３のピンチオフ電圧と同程
度の負電圧を印加すると、ＦＥＴ７３１，７４１のドレ
イン−ソース間のチャネル抵抗は、Ｔ型抵抗減衰器７５
１の特性インピーダンスよりも十分に小さくなる。一
方、ＦＥＴ７３２，７４２，７３３，７４３のドレイン
−ソース間のチャネル抵抗は、チャネル内に空乏層が拡
がるため、極めて大きくなる。その結果、入力端子７１
から入力するマイクロ波は、Ｔ型抵抗減衰器７５１を含
む第１経路のみを通過し、Ｔ型抵抗減衰器７５２，７５
３を含む第２及び第３経路は遮断状態となる。したがっ
て、入力端子７１と出力端子７２との間の減衰量はＡ
（ｄＢ）となる。
ば、制御すべきＦＥＴのピンチオフ電圧と同程度の負電
圧あるいは０Ｖ電圧を選択的に印加する。すなわち、第
１経路に含まれる制御端子Ｖｃ７１，Ｖｃ７４に０Ｖ、
第２及び第３経路に含まれる制御端子Ｖｃ７２，Ｖｃ７
５，Ｖｃ７３，Ｖｃ７６にそれぞれ制御すべきＦＥＴ７
３２，７４２，７３３，７４３のピンチオフ電圧と同程
度の負電圧を印加すると、ＦＥＴ７３１，７４１のドレ
イン−ソース間のチャネル抵抗は、Ｔ型抵抗減衰器７５
１の特性インピーダンスよりも十分に小さくなる。一
方、ＦＥＴ７３２，７４２，７３３，７４３のドレイン
−ソース間のチャネル抵抗は、チャネル内に空乏層が拡
がるため、極めて大きくなる。その結果、入力端子７１
から入力するマイクロ波は、Ｔ型抵抗減衰器７５１を含
む第１経路のみを通過し、Ｔ型抵抗減衰器７５２，７５
３を含む第２及び第３経路は遮断状態となる。したがっ
て、入力端子７１と出力端子７２との間の減衰量はＡ
（ｄＢ）となる。
【０００５】この入力端子７１と出力端子７２との間の
減衰量をＢ（ｄＢ）に切り換える場合には、第２経路に
含まれる制御端子Ｖｃ７２，Ｖｃ７５に０Ｖ、第１及び
第３経路に含まれる制御端子Ｖｃ７１，Ｖｃ７４，Ｖｃ
７３，Ｖｃ７６にそれぞれ制御すべきＦＥＴ７３１，７
４１，７３３，７４３のピンチオフ電圧と同程度の負電
圧を印加してＴ型抵抗減衰器７５２を含む第２経路のみ
を通過状態にする。減衰量をＣ（ｄＢ）に切り換える場
合にも同様の操作によって実現できる。以上の動作によ
り、複数の減衰量を不連続的に可変制御することができ
る。
減衰量をＢ（ｄＢ）に切り換える場合には、第２経路に
含まれる制御端子Ｖｃ７２，Ｖｃ７５に０Ｖ、第１及び
第３経路に含まれる制御端子Ｖｃ７１，Ｖｃ７４，Ｖｃ
７３，Ｖｃ７６にそれぞれ制御すべきＦＥＴ７３１，７
４１，７３３，７４３のピンチオフ電圧と同程度の負電
圧を印加してＴ型抵抗減衰器７５２を含む第２経路のみ
を通過状態にする。減衰量をＣ（ｄＢ）に切り換える場
合にも同様の操作によって実現できる。以上の動作によ
り、複数の減衰量を不連続的に可変制御することができ
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記の従来
の可変減衰器においては、異なった減衰量を有する複数
の減衰器を切換器により切り換える構成のため、減衰量
を連続的に可変制御することができないという問題があ
った。
の可変減衰器においては、異なった減衰量を有する複数
の減衰器を切換器により切り換える構成のため、減衰量
を連続的に可変制御することができないという問題があ
った。
【０００７】また、各経路に含まれる切換器を構成する
ＦＥＴが、可変する減衰量の数の倍数だけ必要となるた
め、部品点数が多くなり、切換器の構成、さらには可変
減衰器そのものの構成が複雑となり、可変減衰器が大型
化するとともに、その製造コストが増大するという問題
もあった。
ＦＥＴが、可変する減衰量の数の倍数だけ必要となるた
め、部品点数が多くなり、切換器の構成、さらには可変
減衰器そのものの構成が複雑となり、可変減衰器が大型
化するとともに、その製造コストが増大するという問題
もあった。
【０００８】本発明は、このような問題点を解決するた
めになされたものであり、連続的に減衰量を可変制御す
ることができる小型の可変減衰器、複合可変減衰器及び
移動体通信機器を提供することを目的とする。
めになされたものであり、連続的に減衰量を可変制御す
ることができる小型の可変減衰器、複合可変減衰器及び
移動体通信機器を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上述する問題点を解決す
るため本発明の可変減衰器は、電磁結合した第１及び第
２の線路からなる第１のコムラインと、電磁結合した第
３及び第４の線路からなる第２のコムラインと、該第２
のコムラインをなす前記第３及び第４の線路に接続され
る第１及び第２のダイオードとを備え、前記第１の線路
の一端に第１の端子、前記第２の線路の一端に第２の端
子、前記第３及び第４の線路の一端とグランドとの間
に、アノードが前記第３及び第４の線路の一端側となる
ように前記第１及び第２のダイオードが接続され、かつ
前記第１の線路の他端と前記第３の線路の他端、前記第
２の線路の他端と前記第４の線路の他端とがそれぞれ接
続されるとともに、前記第１の線路の他端と前記第３の
線路の他端との接続点に前記第１のダイオードのオン・
オフを制御するための第１の制御端子、前記第２の線路
の他端と前記第４の線路の他端との接続点に前記第２の
ダイオードのオン・オフを制御するための第２の制御端
子が接続されることを特徴とする。
るため本発明の可変減衰器は、電磁結合した第１及び第
２の線路からなる第１のコムラインと、電磁結合した第
３及び第４の線路からなる第２のコムラインと、該第２
のコムラインをなす前記第３及び第４の線路に接続され
る第１及び第２のダイオードとを備え、前記第１の線路
の一端に第１の端子、前記第２の線路の一端に第２の端
子、前記第３及び第４の線路の一端とグランドとの間
に、アノードが前記第３及び第４の線路の一端側となる
ように前記第１及び第２のダイオードが接続され、かつ
前記第１の線路の他端と前記第３の線路の他端、前記第
２の線路の他端と前記第４の線路の他端とがそれぞれ接
続されるとともに、前記第１の線路の他端と前記第３の
線路の他端との接続点に前記第１のダイオードのオン・
オフを制御するための第１の制御端子、前記第２の線路
の他端と前記第４の線路の他端との接続点に前記第２の
ダイオードのオン・オフを制御するための第２の制御端
子が接続されることを特徴とする。
【００１０】また、セラミックスからなる複数のシート
層を積層してなるセラミック基板を備え、該セラミック
基板に前記第１のコムラインを構成する第１及び第２の
線路、並びに前記第２のコムラインを構成する第３及び
第４の線路をなすストリップ電極を内蔵し、前記セラミ
ック基板に前記第１及び第２のダイオードを搭載するこ
とを特徴とする。
層を積層してなるセラミック基板を備え、該セラミック
基板に前記第１のコムラインを構成する第１及び第２の
線路、並びに前記第２のコムラインを構成する第３及び
第４の線路をなすストリップ電極を内蔵し、前記セラミ
ック基板に前記第１及び第２のダイオードを搭載するこ
とを特徴とする。
【００１１】本発明の複合可変減衰器は、上述の可変減
衰器を複数個用い、隣同士となる可変減衰器の第２の線
路の一端と第１の線路の一端とを接続することにより、
前記複数の可変減衰器を縦列接続したことを特徴とす
る。
衰器を複数個用い、隣同士となる可変減衰器の第２の線
路の一端と第１の線路の一端とを接続することにより、
前記複数の可変減衰器を縦列接続したことを特徴とす
る。
【００１２】本発明の移動体通信機器は、上述の可変減
衰器を用いたことを特徴とする。
衰器を用いたことを特徴とする。
【００１３】また、上述の複合可変減衰器を用いたこと
を特徴とする。
を特徴とする。
【００１４】本発明の可変減衰器によれば、第２のコム
ラインをなす第３及び第４の線路の他端とグランドとの
間に第１及び第２のダイオードが接続されるため、第１
及び第２の制御端子から第１及び第２のダイオードに印
加する印加電圧を可変制御することで、第１及び第２の
ダイオードの抵抗を可変制御することができ、その結
果、第１のコムラインを構成する第１及び第２の線路、
並びに第２のコムラインを構成する第３及び第４の線路
の損失を可変制御することができる。
ラインをなす第３及び第４の線路の他端とグランドとの
間に第１及び第２のダイオードが接続されるため、第１
及び第２の制御端子から第１及び第２のダイオードに印
加する印加電圧を可変制御することで、第１及び第２の
ダイオードの抵抗を可変制御することができ、その結
果、第１のコムラインを構成する第１及び第２の線路、
並びに第２のコムラインを構成する第３及び第４の線路
の損失を可変制御することができる。
【００１５】本発明の複合可変減衰器によれば、複数の
可変減衰器を縦列接続するため、減衰量の可変制御でき
る範囲を大きくすることができる。
可変減衰器を縦列接続するため、減衰量の可変制御でき
る範囲を大きくすることができる。
【００１６】本発明の移動体通信機器によれば、小型の
可変減衰器、あるいは複合可変減衰器を用いるため、受
信系の受信バランスを保ちながら、小型の移動体通信機
器を実現することができる。
可変減衰器、あるいは複合可変減衰器を用いるため、受
信系の受信バランスを保ちながら、小型の移動体通信機
器を実現することができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施例を説明する。図１は、本発明に係る可変減衰器の一
実施例の回路図である。可変減衰器１０は、結合度Ｍで
電磁結合した第１及び第２の線路１１，１２からなる第
１のコムライン１３と、結合度Ｍで電磁結合した第３及
び第４の線路１４，１５からなる第２のコムライン１６
と、第２のコムライン１６を構成する第３及び第４の線
路１４，１５に接続される第１及び第２のダイオードＤ
１，Ｄ２とを含む。
施例を説明する。図１は、本発明に係る可変減衰器の一
実施例の回路図である。可変減衰器１０は、結合度Ｍで
電磁結合した第１及び第２の線路１１，１２からなる第
１のコムライン１３と、結合度Ｍで電磁結合した第３及
び第４の線路１４，１５からなる第２のコムライン１６
と、第２のコムライン１６を構成する第３及び第４の線
路１４，１５に接続される第１及び第２のダイオードＤ
１，Ｄ２とを含む。
【００１８】第１のコムライン１３を構成する第１の線
路１１の一端には第１の端子Ｐ１が接続され、第２の線
路１２の一端には第２の端子Ｐ２が接続される。また、
第２のコムライン１６を構成する第３の線路１４の一端
とグランドとの間に、アノードが第３の線路１４の一端
側になるように第１のダイオードＤ１が接続され、第４
の線路１５の一端とグランドとの間に、アノードが第４
の線路１５の一端側になるように第２のダイオードＤ２
が接続される。
路１１の一端には第１の端子Ｐ１が接続され、第２の線
路１２の一端には第２の端子Ｐ２が接続される。また、
第２のコムライン１６を構成する第３の線路１４の一端
とグランドとの間に、アノードが第３の線路１４の一端
側になるように第１のダイオードＤ１が接続され、第４
の線路１５の一端とグランドとの間に、アノードが第４
の線路１５の一端側になるように第２のダイオードＤ２
が接続される。
【００１９】さらに、第１のコムライン１３を構成する
第１の線路１１の他端と第２のコムライン１６を構成す
る第３の線路１４の他端とが接続され、その接続点に抵
抗Ｒ１を介して第１のダイオードＤ１のオン・オフを制
御するための第１の制御端子Ｖｃ１が接続される。
第１の線路１１の他端と第２のコムライン１６を構成す
る第３の線路１４の他端とが接続され、その接続点に抵
抗Ｒ１を介して第１のダイオードＤ１のオン・オフを制
御するための第１の制御端子Ｖｃ１が接続される。
【００２０】また、第１のコムライン１３を構成する第
２の線路１２の他端と第２のコムライン１６を構成する
第４の線路１５の他端とが接続され、その接続点に抵抗
Ｒ２を介して第２のダイオードＤ２のオン・オフを制御
するための第２の制御端子Ｖｃ２が接続される。
２の線路１２の他端と第２のコムライン１６を構成する
第４の線路１５の他端とが接続され、その接続点に抵抗
Ｒ２を介して第２のダイオードＤ２のオン・オフを制御
するための第２の制御端子Ｖｃ２が接続される。
【００２１】上述の回路構成を備えた可変減衰器１０の
動作を説明する。ダイオードＤ１，Ｄ２に第１及び第２
の制御端子Ｖｃ１，Ｖｃ２から印加電圧として正の電圧
を印加することにより、第１及び第２のダイオードＤ
１，Ｄ２の抵抗は小さくなり、第１のコムライン１３を
構成する第１及び第２の線路１１，１２の結合度、並び
に第２のコムライン１６を構成する第３及び第４の線路
１４，１５の結合度が小さくなる。その結果、第１の端
子Ｐ１を入力、第２の端子Ｐ２を出力とすると、第１の
端子Ｐ１から第１及び第２のコムライン１３，１６を経
由して第２の端子Ｐ２に送られる高周波信号の量が少な
くなり、可変減衰器１０の減衰量は大きくなる。
動作を説明する。ダイオードＤ１，Ｄ２に第１及び第２
の制御端子Ｖｃ１，Ｖｃ２から印加電圧として正の電圧
を印加することにより、第１及び第２のダイオードＤ
１，Ｄ２の抵抗は小さくなり、第１のコムライン１３を
構成する第１及び第２の線路１１，１２の結合度、並び
に第２のコムライン１６を構成する第３及び第４の線路
１４，１５の結合度が小さくなる。その結果、第１の端
子Ｐ１を入力、第２の端子Ｐ２を出力とすると、第１の
端子Ｐ１から第１及び第２のコムライン１３，１６を経
由して第２の端子Ｐ２に送られる高周波信号の量が少な
くなり、可変減衰器１０の減衰量は大きくなる。
【００２２】すなわち、第１及び第２の制御端子Ｖｃ
１，Ｖｃ２から第１及び第２のダイオードＤ１，Ｄ２に
印加する印加電圧としての正の電圧を０Ｖから徐々に大
きくしていくと、第１及び第２のダイオードＤ１，Ｄ２
の抵抗が徐々に小さくなる。その結果、入力である第１
の端子Ｐ１から第１及び第２のコムライン１３，１６を
経由して出力である第２の端子Ｐ２に送られる高周波信
号の量が徐々に少なくなり、可変減衰器１０の減衰量は
徐々に大きくなる。
１，Ｖｃ２から第１及び第２のダイオードＤ１，Ｄ２に
印加する印加電圧としての正の電圧を０Ｖから徐々に大
きくしていくと、第１及び第２のダイオードＤ１，Ｄ２
の抵抗が徐々に小さくなる。その結果、入力である第１
の端子Ｐ１から第１及び第２のコムライン１３，１６を
経由して出力である第２の端子Ｐ２に送られる高周波信
号の量が徐々に少なくなり、可変減衰器１０の減衰量は
徐々に大きくなる。
【００２３】したがって、第１及び第２の制御端子Ｖｃ
１，Ｖｃ２から印加する印加電圧を可変制御することに
より、第１及び第２のダイオードＤ１，Ｄ２の抵抗を可
変制御でき、第１のコムライン１３を構成する第１及び
第２の線路１１，１２の結合度、並びに第２のコムライ
ン１６を構成する第３及び第４の線路１４，１５の結合
度を可変制御できる。その結果、入力である第１の端子
Ｐ１から第１及び第２のコムライン１３，１６を経由し
て出力である第２の端子Ｐ２へ送られる高周波信号の量
を可変制御できるため、可変減衰器１０の減衰量を可変
制御することが可能となる。
１，Ｖｃ２から印加する印加電圧を可変制御することに
より、第１及び第２のダイオードＤ１，Ｄ２の抵抗を可
変制御でき、第１のコムライン１３を構成する第１及び
第２の線路１１，１２の結合度、並びに第２のコムライ
ン１６を構成する第３及び第４の線路１４，１５の結合
度を可変制御できる。その結果、入力である第１の端子
Ｐ１から第１及び第２のコムライン１３，１６を経由し
て出力である第２の端子Ｐ２へ送られる高周波信号の量
を可変制御できるため、可変減衰器１０の減衰量を可変
制御することが可能となる。
【００２４】なお、可変減衰器１０が減衰できる周波数
は、第１のコムライン１３を構成する第１の線路１１
（第２の線路１２）と第２のコムライン１６を構成する
第３の線路１４（第４の線路１５）との合計の長さの波
長を備えたものとなる。したがって、第１の線路１１
（第２の線路１２）と第３の線路１４（第４の線路１
５）との合計の長さを変えることにより、可変減衰器１
０が減衰できる周波数を制御することができる。
は、第１のコムライン１３を構成する第１の線路１１
（第２の線路１２）と第２のコムライン１６を構成する
第３の線路１４（第４の線路１５）との合計の長さの波
長を備えたものとなる。したがって、第１の線路１１
（第２の線路１２）と第３の線路１４（第４の線路１
５）との合計の長さを変えることにより、可変減衰器１
０が減衰できる周波数を制御することができる。
【００２５】図２は、図１の高周波複合部品の一部分解
透視斜視図である。可変減衰器１０は、第１のコムライ
ンを構成する第１及び第２の線路、並びに第２のコムラ
インを構成する第３及び第４の線路をなすストリップラ
イン電極及びグランド電極（図示せず）を内蔵したセラ
ミック基板１７を備える。
透視斜視図である。可変減衰器１０は、第１のコムライ
ンを構成する第１及び第２の線路、並びに第２のコムラ
インを構成する第３及び第４の線路をなすストリップラ
イン電極及びグランド電極（図示せず）を内蔵したセラ
ミック基板１７を備える。
【００２６】セラミック基板１７の上面には、第１及び
第２のダイオードＤ１，Ｄ２、抵抗Ｒ１，Ｒ２が搭載さ
れる。また、セラミック基板１７の側面から下面に架け
て外部端子Ｔ１〜Ｔ８が設けられる。
第２のダイオードＤ１，Ｄ２、抵抗Ｒ１，Ｒ２が搭載さ
れる。また、セラミック基板１７の側面から下面に架け
て外部端子Ｔ１〜Ｔ８が設けられる。
【００２７】この際、外部端子Ｔ１，Ｔ３は第１及び第
２の端子Ｐ１，Ｐ２、外部端子Ｔ５，Ｔ７は第１及び第
２の制御端子Ｖｃ１，Ｖｃ２、外部端子Ｔ２，Ｔ４，Ｔ
６，Ｔ８はグランド端子となる。
２の端子Ｐ１，Ｐ２、外部端子Ｔ５，Ｔ７は第１及び第
２の制御端子Ｖｃ１，Ｖｃ２、外部端子Ｔ２，Ｔ４，Ｔ
６，Ｔ８はグランド端子となる。
【００２８】図３（ａ）〜図３（ｆ）及び図４（ａ）〜
図４（ｄ）は、図２の可変減衰器のセラミック基板を構
成する各誘電体層の上面図及び下面図である。セラミッ
ク基板１７は例えば、８５０℃〜１０００℃の温度で焼
成可能な酸化バリウム、酸化アルミニウム、シリカを主
成分とする低温焼成セラミッスからなる第１〜第９のシ
ート層ａ〜ｉを順次積層し、焼成することによって形成
される。
図４（ｄ）は、図２の可変減衰器のセラミック基板を構
成する各誘電体層の上面図及び下面図である。セラミッ
ク基板１７は例えば、８５０℃〜１０００℃の温度で焼
成可能な酸化バリウム、酸化アルミニウム、シリカを主
成分とする低温焼成セラミッスからなる第１〜第９のシ
ート層ａ〜ｉを順次積層し、焼成することによって形成
される。
【００２９】第１のシート層ａの上面には第１及び第２
のダイオードＤ１，Ｄ２、抵抗Ｒ１，Ｒ２を実装するた
めのランドＬａが形成される。また、第２のシート層ｂ
の上面には配線パターンＬｉが形成される。
のダイオードＤ１，Ｄ２、抵抗Ｒ１，Ｒ２を実装するた
めのランドＬａが形成される。また、第２のシート層ｂ
の上面には配線パターンＬｉが形成される。
【００３０】さらに、第３、第６及び第９のシート層
ｃ，ｆ，ｉの上面にはグランド電極Ｇ１〜Ｇ３がそれぞ
れ形成される。また、第４、第５、第７、第８のシート
層ｄ，ｅ，ｇ，ｈの上面にはストリップライン電極ＳＴ
１〜ＳＴ４がそれぞれ形成される。さらに、第９のシー
ト層の下面（図４（ｄ）中において、ｉｕと符号を付
す）には外部端子Ｔ１〜Ｔ８が形成される。さらに、第
１〜第８のシート層ａ〜ｈには、各シートａ〜ｈを貫通
するようにビアホール電極Ｖｈが形成される。
ｃ，ｆ，ｉの上面にはグランド電極Ｇ１〜Ｇ３がそれぞ
れ形成される。また、第４、第５、第７、第８のシート
層ｄ，ｅ，ｇ，ｈの上面にはストリップライン電極ＳＴ
１〜ＳＴ４がそれぞれ形成される。さらに、第９のシー
ト層の下面（図４（ｄ）中において、ｉｕと符号を付
す）には外部端子Ｔ１〜Ｔ８が形成される。さらに、第
１〜第８のシート層ａ〜ｈには、各シートａ〜ｈを貫通
するようにビアホール電極Ｖｈが形成される。
【００３１】この際、ストリップライン電極ＳＴ１で第
２のコムライン１６を構成する第３の線路１４を、スト
リップライン電極ＳＴ２で第２のコムライン１６を構成
する第４の線路１５を、ストリップライン電極ＳＴ３で
第１のコムライン１３を構成する第１の線路１１を、ス
トリップライン電極ＳＴ４で第１のコムライン１３を構
成する第２の線路１２をそれぞれ構成する。
２のコムライン１６を構成する第３の線路１４を、スト
リップライン電極ＳＴ２で第２のコムライン１６を構成
する第４の線路１５を、ストリップライン電極ＳＴ３で
第１のコムライン１３を構成する第１の線路１１を、ス
トリップライン電極ＳＴ４で第１のコムライン１３を構
成する第２の線路１２をそれぞれ構成する。
【００３２】また、第１乃至第４の線路１１，１２，１
４，１５、第１及び第２のダイオードＤ１，Ｄ２、抵抗
Ｒ１，Ｒ２は、セラミック基板１４の内部で配線パター
ンＬｉやビアホール電極Ｖｈにより接続される。
４，１５、第１及び第２のダイオードＤ１，Ｄ２、抵抗
Ｒ１，Ｒ２は、セラミック基板１４の内部で配線パター
ンＬｉやビアホール電極Ｖｈにより接続される。
【００３３】図５は、図１の可変減衰器の減衰量及び反
射損失の変化を示す図である。この場合には、第１及び
第２の制御端子Ｖｃ１，Ｖｃ２から第１及び第２のダイ
オードＤ１，Ｄ２に印加する印加電圧を０〜４．５
（Ｖ）の範囲で変化させ、ダイオードＤ１，Ｄ２の抵抗
値を変化させている。
射損失の変化を示す図である。この場合には、第１及び
第２の制御端子Ｖｃ１，Ｖｃ２から第１及び第２のダイ
オードＤ１，Ｄ２に印加する印加電圧を０〜４．５
（Ｖ）の範囲で変化させ、ダイオードＤ１，Ｄ２の抵抗
値を変化させている。
【００３４】なお、図５の横軸は、これらのダイオード
Ｄ１，Ｄ２に印加する印加電圧を示している。また、反
射損失は、ＶＳＷＲ（電圧定在波比）が１．５以下のと
きを示している。
Ｄ１，Ｄ２に印加する印加電圧を示している。また、反
射損失は、ＶＳＷＲ（電圧定在波比）が１．５以下のと
きを示している。
【００３５】図５から、第１及び第２の制御端子Ｖｃ
１，Ｖｃ２から第１及び第２のダイオードＤ１，Ｄ２に
印加する印加電圧を０〜４．５（Ｖ）の範囲で制御し
て、第１及び第２のダイオードＤ１，Ｄ２の抵抗値を制
御することにより、可変減衰器１０の減衰量を−１．５
〜−２１．１（ｄＢ）の範囲で制御できるとともに、Ｖ
ＳＷＲが１．５以下のときの反射損失を−１３（ｄＢ）
以下にできることが解る。
１，Ｖｃ２から第１及び第２のダイオードＤ１，Ｄ２に
印加する印加電圧を０〜４．５（Ｖ）の範囲で制御し
て、第１及び第２のダイオードＤ１，Ｄ２の抵抗値を制
御することにより、可変減衰器１０の減衰量を−１．５
〜−２１．１（ｄＢ）の範囲で制御できるとともに、Ｖ
ＳＷＲが１．５以下のときの反射損失を−１３（ｄＢ）
以下にできることが解る。
【００３６】上述の実施例の可変減衰器によれば、第２
のコムラインをなす第３及び第４の線路の他端とグラン
ドとの間に第１及び第２のダイオードが接続されるた
め、第１及び第２のダイオードに印加する印加電圧を可
変制御することで、第１及び第２のダイオードの抵抗を
可変制御することができ、その結果、第１のコムライン
をなす第１及び第２の線路の結合度Ｍ、並びに第２のコ
ムラインをなす第３及び第４の線路の結合度Ｍを可変制
御することができる。したがって、入力である第１の端
子から第１及び第２のコムラインを経由して出力である
第２の端子へ送られる高周波信号の量を可変制御できる
ため、可変減衰器の減衰量を可変制御することが可能に
なるとともに、ＶＳＷＲが１．５以下のときの反射損失
を−１３（ｄＢ）以下にすることができる。
のコムラインをなす第３及び第４の線路の他端とグラン
ドとの間に第１及び第２のダイオードが接続されるた
め、第１及び第２のダイオードに印加する印加電圧を可
変制御することで、第１及び第２のダイオードの抵抗を
可変制御することができ、その結果、第１のコムライン
をなす第１及び第２の線路の結合度Ｍ、並びに第２のコ
ムラインをなす第３及び第４の線路の結合度Ｍを可変制
御することができる。したがって、入力である第１の端
子から第１及び第２のコムラインを経由して出力である
第２の端子へ送られる高周波信号の量を可変制御できる
ため、可変減衰器の減衰量を可変制御することが可能に
なるとともに、ＶＳＷＲが１．５以下のときの反射損失
を−１３（ｄＢ）以下にすることができる。
【００３７】また、第１のコムラインをなす第１及び第
２の線路の一端に第１及び第２の端子が接続され、第２
のコムラインをなす第３及び第４の線路の他端とグラン
ドとの間に第１及び第２のダイオードが接続されるた
め、第１及び第２の端子と第１及び第２のダイオードと
は、異なるコムラインに接続される。したがって、第１
及び第２のダイオードのオン時、オフ時ともに、第１及
び第２の端子からみた第１及び第２のコムラインのイン
ピーダンスをこの可変減衰器が搭載される移動体通信機
器の高周波回路部の特性インピーダンスに容易に一致さ
せることが可能となる。
２の線路の一端に第１及び第２の端子が接続され、第２
のコムラインをなす第３及び第４の線路の他端とグラン
ドとの間に第１及び第２のダイオードが接続されるた
め、第１及び第２の端子と第１及び第２のダイオードと
は、異なるコムラインに接続される。したがって、第１
及び第２のダイオードのオン時、オフ時ともに、第１及
び第２の端子からみた第１及び第２のコムラインのイン
ピーダンスをこの可変減衰器が搭載される移動体通信機
器の高周波回路部の特性インピーダンスに容易に一致さ
せることが可能となる。
【００３８】さらに、可変減衰器が、第１及び第２のコ
ムラインと第１及び第２のダイオードとで構成されるた
め、可変減衰器の構成が簡単となり、その結果、可変減
衰器が小型化できるとももに、その製造コストを減少す
ることができる。
ムラインと第１及び第２のダイオードとで構成されるた
め、可変減衰器の構成が簡単となり、その結果、可変減
衰器が小型化できるとももに、その製造コストを減少す
ることができる。
【００３９】また、セラミックスからなる複数のシート
層を積層してなるセラミック基板を備え、そのセラミッ
ク基板に第１のコムラインを構成する第１及び第２の線
路、並びに第２のコムライン構成する第３及び第４の線
路をなす銅からなるストリップ電極を内蔵しているた
め、セラミック基板による波長短縮効果、及び銅による
損失の低減により１ＧＨｚ以上の高周波帯域への対応が
可能となる。
層を積層してなるセラミック基板を備え、そのセラミッ
ク基板に第１のコムラインを構成する第１及び第２の線
路、並びに第２のコムライン構成する第３及び第４の線
路をなす銅からなるストリップ電極を内蔵しているた
め、セラミック基板による波長短縮効果、及び銅による
損失の低減により１ＧＨｚ以上の高周波帯域への対応が
可能となる。
【００４０】さらに、セラミック基板に第１のコムライ
ンと第２のコムラインとを高さ方向に重なるように配置
しているため、可変減衰器の実装面積を小さくすること
が可能となる。ちなみに、本実施例の場合の実装面積
は、４．５×３．２ｍｍであった。
ンと第２のコムラインとを高さ方向に重なるように配置
しているため、可変減衰器の実装面積を小さくすること
が可能となる。ちなみに、本実施例の場合の実装面積
は、４．５×３．２ｍｍであった。
【００４１】図６は、本発明に係る複合可変減衰器の一
実施例の回路図である。複合可変減衰器２０は、２つの
可変減衰器１０（図１）が縦列接続されている。すなわ
ち、可変減衰器１０１の第１のコムライン１３を構成す
る第２の線路１２の一端と可変減衰器１０２の第１のコ
ムライン１３を構成する第１の線路１１の一端とが接続
されることにより、可変減衰器１０１，１０２は縦列接
続されることになる。
実施例の回路図である。複合可変減衰器２０は、２つの
可変減衰器１０（図１）が縦列接続されている。すなわ
ち、可変減衰器１０１の第１のコムライン１３を構成す
る第２の線路１２の一端と可変減衰器１０２の第１のコ
ムライン１３を構成する第１の線路１１の一端とが接続
されることにより、可変減衰器１０１，１０２は縦列接
続されることになる。
【００４２】そして、可変減衰器１０１の第１のコムラ
イン１３の第１の線路１１の一端には第１の端子Ｐ１が
接続され、可変減衰器１０２の第１のコムライン１３の
第２の線路１２の一端には第２の端子Ｐ２がそれぞれ接
続される。
イン１３の第１の線路１１の一端には第１の端子Ｐ１が
接続され、可変減衰器１０２の第１のコムライン１３の
第２の線路１２の一端には第２の端子Ｐ２がそれぞれ接
続される。
【００４３】上述の複合可変減衰器によれば、複数の可
変減衰器を縦列接続するため、減衰量が可変制御できる
範囲を大きくすることができる。したがって、この複合
可変減衰器を搭載する移動体通信機器の部品点数を減ら
すことができ、その結果、移動体通信機器の小型化が可
能となる。
変減衰器を縦列接続するため、減衰量が可変制御できる
範囲を大きくすることができる。したがって、この複合
可変減衰器を搭載する移動体通信機器の部品点数を減ら
すことができ、その結果、移動体通信機器の小型化が可
能となる。
【００４４】図７は、移動体通信機器の１つであるＷ−
ＣＤＭＡ（Wideband Code DivisionMultiple Access）
用携帯電話器のブロック図である。この携帯電話器３０
は、受信専用のアンテナ３１、アンテナ３１に対応する
第１の受信系３２、送受信用のアンテナ３３、アンテナ
３３に接続されるデュプレクサ３４、及びアンテナ３３
に対応する送信系３５、第２の受信系３６を備える。
ＣＤＭＡ（Wideband Code DivisionMultiple Access）
用携帯電話器のブロック図である。この携帯電話器３０
は、受信専用のアンテナ３１、アンテナ３１に対応する
第１の受信系３２、送受信用のアンテナ３３、アンテナ
３３に接続されるデュプレクサ３４、及びアンテナ３３
に対応する送信系３５、第２の受信系３６を備える。
【００４５】第１及び第２の受信系３２，３６には、低
雑音増幅器ＬＮＡ１，ＬＮＡ２、帯域通過フィルタＢＰ
Ｆ１，ＢＰＦ２、減衰器Ａｔｔ１，Ａｔｔ２及びミキサ
ＭＩＸ１，ＭＩＸ２が含まれ、送信系３５には、高出力
増幅器ＰＡ、帯域通過フィルタＢＰＦ３及びミキサＭＩ
Ｘ３が含まれる。この際、減衰器Ａｔｔ１，Ａｔｔ２は
受信バランスを一定にするために用いられている。
雑音増幅器ＬＮＡ１，ＬＮＡ２、帯域通過フィルタＢＰ
Ｆ１，ＢＰＦ２、減衰器Ａｔｔ１，Ａｔｔ２及びミキサ
ＭＩＸ１，ＭＩＸ２が含まれ、送信系３５には、高出力
増幅器ＰＡ、帯域通過フィルタＢＰＦ３及びミキサＭＩ
Ｘ３が含まれる。この際、減衰器Ａｔｔ１，Ａｔｔ２は
受信バランスを一定にするために用いられている。
【００４６】そして、この構成において、第１及び第２
の受信系３２，３６に含まれる減衰器Ａｔｔ１，Ａｔｔ
２に、図１に示した小型の可変減衰器１０、あるいは図
６に示した小型の複合可変減衰器２０を用いれば、受信
系の受信バランスを一定に保ちながら、小型の携帯電話
器を実現することができる。
の受信系３２，３６に含まれる減衰器Ａｔｔ１，Ａｔｔ
２に、図１に示した小型の可変減衰器１０、あるいは図
６に示した小型の複合可変減衰器２０を用いれば、受信
系の受信バランスを一定に保ちながら、小型の携帯電話
器を実現することができる。
【００４７】なお、上述の可変減衰器及び複合可変減衰
器の実施例では、第１のコムラインを構成する第１及び
第２の線路の一端が直接第１及び第２の端子に接続され
る場合について説明したが、コンデンサを介して接続さ
れていてもよい。
器の実施例では、第１のコムラインを構成する第１及び
第２の線路の一端が直接第１及び第２の端子に接続され
る場合について説明したが、コンデンサを介して接続さ
れていてもよい。
【００４８】また、第１の端子が入力、第２の端子が出
力となる場合について説明したが、第１の端子が出力、
第２の端子が入力となっても同様の効果が得られる。
力となる場合について説明したが、第１の端子が出力、
第２の端子が入力となっても同様の効果が得られる。
【００４９】さらに、上述の複合可変減衰器の実施例で
は、２つの可変減衰器を縦列接続する場合について説明
したが、３つ以上の可変減衰器を縦列接続してもよい。
この場合には、可変減衰器の数が増加するにともない、
減衰量が可変制御できる範囲を大きくすることができ
る。
は、２つの可変減衰器を縦列接続する場合について説明
したが、３つ以上の可変減衰器を縦列接続してもよい。
この場合には、可変減衰器の数が増加するにともない、
減衰量が可変制御できる範囲を大きくすることができ
る。
【００５０】
【発明の効果】請求項１の可変減衰器によれば、第２の
コムラインをなす第３及び第４の線路の他端とグランド
との間に第１及び第２のダイオードが接続されるため、
第１及び第２のダイオードに印加する印加電圧を可変制
御することで、第１及び第２のダイオードの抵抗を可変
制御することができ、その結果、第１のコムラインをな
す第１及び第２の線路の結合度Ｍ、並びに第２のコムラ
インをなす第３及び第４の線路の結合度Ｍを可変制御す
ることができる。したがって、第１の端子から第１及び
第２のコムラインを経由して第２の端子へ送られる高周
波信号の量、あるいは第２の端子から第２及び第１のコ
ムラインを経由して第１の端子へ送られる高周波信号の
量を可変制御できるため、可変減衰器の減衰量を可変制
御することが可能になるとともに、ＶＳＷＲが１．５以
下のときの反射損失を−１３（ｄＢ）以下にすることが
できる。
コムラインをなす第３及び第４の線路の他端とグランド
との間に第１及び第２のダイオードが接続されるため、
第１及び第２のダイオードに印加する印加電圧を可変制
御することで、第１及び第２のダイオードの抵抗を可変
制御することができ、その結果、第１のコムラインをな
す第１及び第２の線路の結合度Ｍ、並びに第２のコムラ
インをなす第３及び第４の線路の結合度Ｍを可変制御す
ることができる。したがって、第１の端子から第１及び
第２のコムラインを経由して第２の端子へ送られる高周
波信号の量、あるいは第２の端子から第２及び第１のコ
ムラインを経由して第１の端子へ送られる高周波信号の
量を可変制御できるため、可変減衰器の減衰量を可変制
御することが可能になるとともに、ＶＳＷＲが１．５以
下のときの反射損失を−１３（ｄＢ）以下にすることが
できる。
【００５１】また、第１のコムラインをなす第１及び第
２の線路の一端に第１及び第２の端子が接続され、第２
のコムラインをなす第３及び第４の線路の他端とグラン
ドとの間に第１及び第２のダイオードが接続されるた
め、第１及び第２の端子と第１及び第２のダイオードと
は、異なるコムラインに接続される。したがって、第１
及び第２のダイオードのオン時、オフ時ともに、第１及
び第２の端子からみた第１及び第２のコムラインのイン
ピーダンスをこの可変減衰器が搭載される移動体通信機
器の高周波回路部の特性インピーダンスに容易に一致さ
せることが可能となる。
２の線路の一端に第１及び第２の端子が接続され、第２
のコムラインをなす第３及び第４の線路の他端とグラン
ドとの間に第１及び第２のダイオードが接続されるた
め、第１及び第２の端子と第１及び第２のダイオードと
は、異なるコムラインに接続される。したがって、第１
及び第２のダイオードのオン時、オフ時ともに、第１及
び第２の端子からみた第１及び第２のコムラインのイン
ピーダンスをこの可変減衰器が搭載される移動体通信機
器の高周波回路部の特性インピーダンスに容易に一致さ
せることが可能となる。
【００５２】さらに、可変減衰器が、第１及び第２のコ
ムラインと第１及び第２のダイオードとで構成されるた
め、可変減衰器の構成が簡単となり、その結果、可変減
衰器が小型化できるとももに、その製造コストを減少す
ることができる。
ムラインと第１及び第２のダイオードとで構成されるた
め、可変減衰器の構成が簡単となり、その結果、可変減
衰器が小型化できるとももに、その製造コストを減少す
ることができる。
【００５３】請求項２の可変減衰器によれば、セラミッ
クスからなる複数のシート層を積層してなるセラミック
基板を備え、そのセラミック基板に第１のコムラインを
構成する第１及び第２の線路、並びに第２のコムライン
構成する第３及び第４の線路をなすストリップ電極を内
蔵しているため、セラミック基板による波長短縮効果に
より高周波帯域への対応が可能となる。
クスからなる複数のシート層を積層してなるセラミック
基板を備え、そのセラミック基板に第１のコムラインを
構成する第１及び第２の線路、並びに第２のコムライン
構成する第３及び第４の線路をなすストリップ電極を内
蔵しているため、セラミック基板による波長短縮効果に
より高周波帯域への対応が可能となる。
【００５４】請求項３の複合可変減衰器によれば、複数
の可変減衰器を縦列接続するため、減衰量が可変制御で
きる範囲を大きくすることができる。したがって、この
複合可変減衰器を搭載する移動体通信機器の部品点数を
減らすことができ、その結果、移動体通信機器の小型化
が可能となる。
の可変減衰器を縦列接続するため、減衰量が可変制御で
きる範囲を大きくすることができる。したがって、この
複合可変減衰器を搭載する移動体通信機器の部品点数を
減らすことができ、その結果、移動体通信機器の小型化
が可能となる。
【００５５】請求項４の移動体通信機器によれば、小型
の可変減衰器を用いるため、受信系の受信バランスを保
ちながら、小型の移動体通信機器を実現することができ
る。
の可変減衰器を用いるため、受信系の受信バランスを保
ちながら、小型の移動体通信機器を実現することができ
る。
【００５６】請求項５の移動体通信機器によれば、小型
の複合可変減衰器を用いるため、受信系の受信バランス
を保ちながら、小型の移動体通信機器を実現することが
できる。
の複合可変減衰器を用いるため、受信系の受信バランス
を保ちながら、小型の移動体通信機器を実現することが
できる。
【図１】本発明の可変減衰器に係る一実施例の回路図で
ある。
ある。
【図２】図１の可変減衰器の一部分解透視斜視図であ
る。
る。
【図３】図１の可変減衰器のセラミック基板を構成する
（ａ）第１のシート層〜（ｆ）第６のシート層の上面図
である。
（ａ）第１のシート層〜（ｆ）第６のシート層の上面図
である。
【図４】図１の可変減衰器のセラミック基板を構成する
（ａ）第７のシート層〜（ｃ）第９のシート層の上面図
及び（ｄ）第９のシート層の下面図である。
（ａ）第７のシート層〜（ｃ）第９のシート層の上面図
及び（ｄ）第９のシート層の下面図である。
【図５】図１の可変減衰器の減衰量及び反射損失を示す
図である。
図である。
【図６】本発明の複合可変減衰器に係る一実施例の回路
図である。
図である。
【図７】移動体通信機器の１つである携帯電話器のブロ
ック図である。
ック図である。
【図８】従来の可変減衰器を示す回路図である。
１０，１０１，１０２ 可変減衰器 １１ 第１の線路 １２ 第２の線路 １３ 第１のコムライン １４ 第３の線路 １５ 第４の線路 １６ 第２のコムライン ３０ 移動体通信機器（携帯電話器） Ｄ１ 第１のダイオード Ｄ２ 第２のダイオード Ｐ１ 第１の端子 Ｐ２ 第２の端子 Ｖｃ１ 第１の制御端子 Ｖｃ２ 第２の制御端子
Claims (5)
- 【請求項１】 電磁結合した第１及び第２の線路からな
る第１のコムラインと、電磁結合した第３及び第４の線
路からなる第２のコムラインと、該第２のコムラインを
なす前記第３及び第４の線路に接続される第１及び第２
のダイオードとを備え、 前記第１の線路の一端に第１の端子、前記第２の線路の
一端に第２の端子、前記第３及び第４の線路の一端とグ
ランドとの間に、アノードが前記第３及び第４の線路の
一端側となるように前記第１及び第２のダイオードが接
続され、かつ前記第１の線路の他端と前記第３の線路の
他端、前記第２の線路の他端と前記第４の線路の他端と
がそれぞれ接続されるとともに、 前記第１の線路の他端と前記第３の線路の他端との接続
点に前記第１のダイオードのオン・オフを制御するため
の第１の制御端子、前記第２の線路の他端と前記第４の
線路の他端との接続点に前記第２のダイオードのオン・
オフを制御するための第２の制御端子が接続されること
を特徴とする可変減衰器。 - 【請求項２】 セラミックスからなる複数のシート層を
積層してなるセラミック基板を備え、該セラミック基板
に前記第１のコムラインを構成する第１及び第２の線
路、並びに前記第２のコムラインを構成する第３及び第
４の線路をなすストリップ電極を内蔵し、前記セラミッ
ク基板に前記第１及び第２のダイオードを搭載すること
を特徴とする請求項１に記載の可変減衰器。 - 【請求項３】 請求項１あるいは請求項２の可変減衰器
を複数個用い、隣同士となる可変減衰器の第２の線路の
一端と第１の線路の一端とを接続することにより、前記
複数の可変減衰器を縦列接続したことを特徴とする複合
可変減衰器。 - 【請求項４】 請求項１あるいは請求項２に記載の可変
減衰器を用いたことを特徴とする移動体通信機器。 - 【請求項５】 請求項３に記載の複合可変減衰器を用い
たことを特徴とする移動体通信機器。
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