JP2000260835A - 半導体集積回路の検査装置及び検査方法 - Google Patents
半導体集積回路の検査装置及び検査方法Info
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- JP2000260835A JP2000260835A JP5832199A JP5832199A JP2000260835A JP 2000260835 A JP2000260835 A JP 2000260835A JP 5832199 A JP5832199 A JP 5832199A JP 5832199 A JP5832199 A JP 5832199A JP 2000260835 A JP2000260835 A JP 2000260835A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体ウェハ上に形成されている複数の半導
体集積回路素子を動作させる際に、半導体ウェハの温度
を所定値に設定できるようにする。 【解決手段】 半導体ウェハの歩留まりＰに基づき、半
導体集積回路素子を動作させる周波数ｆを設定する。具
体的には、半導体ウェハの歩留まりＰと、半導体集積回
路素子を動作させる周波数ｆとの積が所定値になるよう
に、半導体集積回路素子を動作させる周波数ｆを設定す
る。
体集積回路素子を動作させる際に、半導体ウェハの温度
を所定値に設定できるようにする。 【解決手段】 半導体ウェハの歩留まりＰに基づき、半
導体集積回路素子を動作させる周波数ｆを設定する。具
体的には、半導体ウェハの歩留まりＰと、半導体集積回
路素子を動作させる周波数ｆとの積が所定値になるよう
に、半導体集積回路素子を動作させる周波数ｆを設定す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェハ上に
形成されている複数の半導体集積回路素子をウェハの状
態で同時に検査する半導体集積回路の検査装置及び検査
方法に関する。
形成されている複数の半導体集積回路素子をウェハの状
態で同時に検査する半導体集積回路の検査装置及び検査
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体集積回路装置を搭載した電
子機器の小型化及び低価格化の進歩は目ざましく、これ
に伴って、半導体集積回路装置に対する小型化及び低価
格化の要求が強くなっている。
子機器の小型化及び低価格化の進歩は目ざましく、これ
に伴って、半導体集積回路装置に対する小型化及び低価
格化の要求が強くなっている。
【０００３】通常、半導体集積回路装置は、半導体チッ
プとリードフレームとがボンディングワイヤによって電
気的に接続された後、半導体チップが樹脂又はセラミク
スにより封止された状態で供給され、プリント基板に実
装される。ところが、電子機器の小型化の要求から、半
導体集積回路装置を半導体ウェハから切り出したままの
状態（以下、この状態の半導体集積回路装置をベアチッ
プと称する）で回路基板に直接実装する方法が開発さ
れ、品質が保証されたベアチップを低価格で供給するこ
とが望まれている。
プとリードフレームとがボンディングワイヤによって電
気的に接続された後、半導体チップが樹脂又はセラミク
スにより封止された状態で供給され、プリント基板に実
装される。ところが、電子機器の小型化の要求から、半
導体集積回路装置を半導体ウェハから切り出したままの
状態（以下、この状態の半導体集積回路装置をベアチッ
プと称する）で回路基板に直接実装する方法が開発さ
れ、品質が保証されたベアチップを低価格で供給するこ
とが望まれている。
【０００４】ベアチップに対して安価に品質保証を行な
うため、半導体ウェハ上に形成されている複数の半導体
集積回路素子に対してウェハの状態でバーンインテスト
を行なう必要がある。
うため、半導体ウェハ上に形成されている複数の半導体
集積回路素子に対してウェハの状態でバーンインテスト
を行なう必要がある。
【０００５】しかし、半導体ウェハ上に形成されている
複数の半導体集積回路素子を１個又は数個ずつ何度にも
分けてバーンインテストを行なうことは多くの時間を要
するため、時間的にもコスト的にも現実的ではないの
で、全ての半導体集積回路素子に対してウェハの状態で
一括してバーンインテストを行なうことが要求される。
複数の半導体集積回路素子を１個又は数個ずつ何度にも
分けてバーンインテストを行なうことは多くの時間を要
するため、時間的にもコスト的にも現実的ではないの
で、全ての半導体集積回路素子に対してウェハの状態で
一括してバーンインテストを行なうことが要求される。
【０００６】そこで、特開平８−５６６６号公報の例え
ば図１に示されるような半導体ウェハ収納器が提案され
ている。該半導体ウェハ収納器は、半導体ウェハを保持
するウェハトレイ（保持板）と、半導体ウェハにおける
複数の半導体集積回路端子と電気的に接続される複数の
プローブ端子（バンプ）を有するプローブシートと、該
プローブシートとの間に異方性導電ゴムシートを介在さ
せるように設けられ、内部に配線を有する配線基板と、
該配線基板に、プローブシートの複数のプローブ端子と
異方性導電ゴムシート及び配線を介して電気的に接続さ
れるように設けられ、検査用の電気信号が入力される外
部電極（外部コネクタ）と、ウェハトレイに保持された
半導体ウェハの各半導体集積回路素子とプローブシート
の各プローブ端子とが電気的に接続されるように、ウェ
ハトレイと配線基板とを接近させる手段とを備えてい
る。
ば図１に示されるような半導体ウェハ収納器が提案され
ている。該半導体ウェハ収納器は、半導体ウェハを保持
するウェハトレイ（保持板）と、半導体ウェハにおける
複数の半導体集積回路端子と電気的に接続される複数の
プローブ端子（バンプ）を有するプローブシートと、該
プローブシートとの間に異方性導電ゴムシートを介在さ
せるように設けられ、内部に配線を有する配線基板と、
該配線基板に、プローブシートの複数のプローブ端子と
異方性導電ゴムシート及び配線を介して電気的に接続さ
れるように設けられ、検査用の電気信号が入力される外
部電極（外部コネクタ）と、ウェハトレイに保持された
半導体ウェハの各半導体集積回路素子とプローブシート
の各プローブ端子とが電気的に接続されるように、ウェ
ハトレイと配線基板とを接近させる手段とを備えてい
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、バーンイン
テストを行なう前に半導体ウェハについてプローブ検査
が行なわれている場合、半導体ウェハ上に形成されてい
る複数の半導体集積回路素子のうち、プローブ検査にお
いて良品と判定された半導体集積回路素子を同時に動作
させることにより、ウェハの状態でバーンインテストが
行なわれる。
テストを行なう前に半導体ウェハについてプローブ検査
が行なわれている場合、半導体ウェハ上に形成されてい
る複数の半導体集積回路素子のうち、プローブ検査にお
いて良品と判定された半導体集積回路素子を同時に動作
させることにより、ウェハの状態でバーンインテストが
行なわれる。
【０００８】このとき、所定の温度（バーンイン温度）
に保たれているバーンイン装置のチャンバー内に設置さ
れた複数枚の半導体ウェハに対して同時にバーンインテ
ストを行なう場合、各半導体ウェハの歩留まり（半導体
ウェハ１枚当たりの半導体集積回路素子の取れ数に対す
る、半導体集積回路素子の良品数の割合）と関係なく、
所定の周波数により半導体集積回路素子を動作させてい
る。
に保たれているバーンイン装置のチャンバー内に設置さ
れた複数枚の半導体ウェハに対して同時にバーンインテ
ストを行なう場合、各半導体ウェハの歩留まり（半導体
ウェハ１枚当たりの半導体集積回路素子の取れ数に対す
る、半導体集積回路素子の良品数の割合）と関係なく、
所定の周波数により半導体集積回路素子を動作させてい
る。
【０００９】その結果、半導体集積回路素子１個当たり
の加熱量が一定になること、及び各半導体ウェハの歩留
まりが互いに異なっていることにより、各半導体ウェハ
の温度が互いに異なってしまうので、各半導体ウェハの
温度を所定のバーンイン温度に保つことが困難になっ
て、バーンインテストを適切に行なえないという問題が
生じている。
の加熱量が一定になること、及び各半導体ウェハの歩留
まりが互いに異なっていることにより、各半導体ウェハ
の温度が互いに異なってしまうので、各半導体ウェハの
温度を所定のバーンイン温度に保つことが困難になっ
て、バーンインテストを適切に行なえないという問題が
生じている。
【００１０】つまり、半導体チップが樹脂等により封止
された半導体パッケージに対してバーンインテストを行
なう従来のバーンイン装置においては、バーンイン温度
に設定されたチャンバー内に設置された良品の半導体パ
ッケージ（複数個）を同一の周波数により動作させて
も、各半導体パッケージに温度差は生じなかった。とこ
ろが、バーンイン温度に設定されたチャンバー内に設置
された複数枚の半導体ウェハ上の半導体集積回路素子を
同一の周波数により動作させると、バーンインテスト時
の各半導体ウェハの温度が互いに異なってしまうため、
各半導体ウェハ上の半導体集積回路素子に対して同じ温
度においてバーンインテストを行なうことが困難にな
る。
された半導体パッケージに対してバーンインテストを行
なう従来のバーンイン装置においては、バーンイン温度
に設定されたチャンバー内に設置された良品の半導体パ
ッケージ（複数個）を同一の周波数により動作させて
も、各半導体パッケージに温度差は生じなかった。とこ
ろが、バーンイン温度に設定されたチャンバー内に設置
された複数枚の半導体ウェハ上の半導体集積回路素子を
同一の周波数により動作させると、バーンインテスト時
の各半導体ウェハの温度が互いに異なってしまうため、
各半導体ウェハ上の半導体集積回路素子に対して同じ温
度においてバーンインテストを行なうことが困難にな
る。
【００１１】図３は、半導体集積回路素子を動作させる
周波数ｆが所定値ｆC に設定された場合における、半導
体ウェハの歩留まりＰと半導体ウェハの温度Ｔとの関係
を示している。図３において、実線はＰとＴとの関係を
示している。
周波数ｆが所定値ｆC に設定された場合における、半導
体ウェハの歩留まりＰと半導体ウェハの温度Ｔとの関係
を示している。図３において、実線はＰとＴとの関係を
示している。
【００１２】図３に示すように、一定の周波数ｆc によ
り半導体集積回路素子を動作させる場合、半導体集積回
路素子１個当たりの加熱量が常に一定になるので、Ｐ
（半導体ウェハの歩留まり）が高くなるに伴って、Ｔ
（半導体ウェハの温度）が高くなる。
り半導体集積回路素子を動作させる場合、半導体集積回
路素子１個当たりの加熱量が常に一定になるので、Ｐ
（半導体ウェハの歩留まり）が高くなるに伴って、Ｔ
（半導体ウェハの温度）が高くなる。
【００１３】尚、図３において、Ｐmin 、Ｐ1 、Ｐ
2 （Ｐmin ＜Ｐ1 ＜Ｐ2 ）はそれぞれ半導体ウェハの歩
留まりを示し、Ｔmin 、Ｔ1 、Ｔ2 （Ｔmin ＜Ｔ1 ＜Ｔ
2 ）は、それぞれＰmin 、Ｐ1 、Ｐ2 に対応する半導体
ウェハの温度を示している。
2 （Ｐmin ＜Ｐ1 ＜Ｐ2 ）はそれぞれ半導体ウェハの歩
留まりを示し、Ｔmin 、Ｔ1 、Ｔ2 （Ｔmin ＜Ｔ1 ＜Ｔ
2 ）は、それぞれＰmin 、Ｐ1 、Ｐ2 に対応する半導体
ウェハの温度を示している。
【００１４】従って、互いに歩留まりが異なる複数枚の
半導体ウェハに対して同時にバーンインテストを行なう
場合、各半導体ウェハ上の半導体集積回路素子を同一の
周波数により動作させると、半導体ウェハの歩留まりに
比例して、半導体ウェハの温度が上昇する。
半導体ウェハに対して同時にバーンインテストを行なう
場合、各半導体ウェハ上の半導体集積回路素子を同一の
周波数により動作させると、半導体ウェハの歩留まりに
比例して、半導体ウェハの温度が上昇する。
【００１５】前記に鑑み、本発明は、半導体ウェハ上に
形成されている複数の半導体集積回路素子を動作させる
際に、半導体ウェハの温度を所定値に設定できるように
することを目的とする。
形成されている複数の半導体集積回路素子を動作させる
際に、半導体ウェハの温度を所定値に設定できるように
することを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
めに、本発明に係る半導体集積回路の検査装置は、複数
の半導体ウェハの電気的特性をウェハの状態で一括して
検査する半導体集積回路の検査装置を前提とし、複数の
半導体ウェハのそれぞれの歩留まりに基づき、各半導体
ウェハ上に形成されている複数の半導体集積回路素子を
動作させる周波数を設定する周波数設定手段を備えてい
る。
めに、本発明に係る半導体集積回路の検査装置は、複数
の半導体ウェハの電気的特性をウェハの状態で一括して
検査する半導体集積回路の検査装置を前提とし、複数の
半導体ウェハのそれぞれの歩留まりに基づき、各半導体
ウェハ上に形成されている複数の半導体集積回路素子を
動作させる周波数を設定する周波数設定手段を備えてい
る。
【００１７】本発明の半導体集積回路の検査装置による
と、各半導体ウェハの歩留まりに基づき、各半導体ウェ
ハ上の半導体集積回路素子を動作させる周波数が設定さ
れるため、各半導体ウェハの歩留まりに応じて、各半導
体ウェハの温度を調整できる。
と、各半導体ウェハの歩留まりに基づき、各半導体ウェ
ハ上の半導体集積回路素子を動作させる周波数が設定さ
れるため、各半導体ウェハの歩留まりに応じて、各半導
体ウェハの温度を調整できる。
【００１８】本発明の半導体集積回路の検査装置におい
て、周波数設定手段は、各半導体ウェハの歩留まりと、
各半導体ウェハ上の半導体集積回路素子を動作させる周
波数との積が所定値になるように、半導体集積回路素子
を動作させる周波数を設定する手段を有することが好ま
しい。
て、周波数設定手段は、各半導体ウェハの歩留まりと、
各半導体ウェハ上の半導体集積回路素子を動作させる周
波数との積が所定値になるように、半導体集積回路素子
を動作させる周波数を設定する手段を有することが好ま
しい。
【００１９】本発明に係る半導体集積回路の検査方法
は、複数の半導体ウェハの電気的特性をウェハの状態で
一括して検査する半導体集積回路の検査方法を前提と
し、複数の半導体ウェハのそれぞれの歩留まりに基づ
き、各半導体ウェハ上に形成されている複数の半導体集
積回路素子を動作させる周波数を設定する周波数設定工
程を備えている。
は、複数の半導体ウェハの電気的特性をウェハの状態で
一括して検査する半導体集積回路の検査方法を前提と
し、複数の半導体ウェハのそれぞれの歩留まりに基づ
き、各半導体ウェハ上に形成されている複数の半導体集
積回路素子を動作させる周波数を設定する周波数設定工
程を備えている。
【００２０】本発明の半導体集積回路の検査方法による
と、各半導体ウェハの歩留まりに基づき、各半導体ウェ
ハ上の半導体集積回路素子を動作させる周波数が設定さ
れるため、各半導体ウェハの歩留まりに応じて、各半導
体ウェハの温度を調整できる。
と、各半導体ウェハの歩留まりに基づき、各半導体ウェ
ハ上の半導体集積回路素子を動作させる周波数が設定さ
れるため、各半導体ウェハの歩留まりに応じて、各半導
体ウェハの温度を調整できる。
【００２１】本発明の半導体集積回路の検査方法におい
て、周波数設定工程は、各半導体ウェハの歩留まりと、
各半導体ウェハ上の半導体集積回路素子を動作させる周
波数との積が所定値になるように、半導体集積回路素子
を動作させる周波数を設定する工程を含むことが好まし
い。
て、周波数設定工程は、各半導体ウェハの歩留まりと、
各半導体ウェハ上の半導体集積回路素子を動作させる周
波数との積が所定値になるように、半導体集積回路素子
を動作させる周波数を設定する工程を含むことが好まし
い。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態に係る
半導体集積回路の検査装置及び検査方法について、図面
を参照しながら説明する。
半導体集積回路の検査装置及び検査方法について、図面
を参照しながら説明する。
【００２３】尚、本実施形態においては、バーンイン装
置のチャンバー内に設置された複数枚の半導体ウェハに
対して同時にバーンインテストを行なうものとする。
置のチャンバー内に設置された複数枚の半導体ウェハに
対して同時にバーンインテストを行なうものとする。
【００２４】図１は、半導体ウェハの平面構成を示して
いる。
いる。
【００２５】図１に示すように、半導体ウェハ１の主面
には複数個の半導体集積回路素子が行列状に形成されて
いる。尚、半導体ウェハ１の主面に形成された半導体集
積回路素子のうち、例えばｎ個の半導体集積回路素子Ｃ
1 〜Ｃn が、プローブ検査において良品と判定されてい
るものとする。
には複数個の半導体集積回路素子が行列状に形成されて
いる。尚、半導体ウェハ１の主面に形成された半導体集
積回路素子のうち、例えばｎ個の半導体集積回路素子Ｃ
1 〜Ｃn が、プローブ検査において良品と判定されてい
るものとする。
【００２６】本実施形態においては、複数枚の半導体ウ
ェハ１が同一のバーンイン装置のチャンバー内に設置さ
れていると共に、各半導体ウェハ１上の良品の半導体集
積回路素子（以下、単に半導体集積回路素子と称する）
を同時に動作させることにより、複数枚の半導体ウェハ
１に対してウェハの状態でバーンインテストが行なわれ
る。
ェハ１が同一のバーンイン装置のチャンバー内に設置さ
れていると共に、各半導体ウェハ１上の良品の半導体集
積回路素子（以下、単に半導体集積回路素子と称する）
を同時に動作させることにより、複数枚の半導体ウェハ
１に対してウェハの状態でバーンインテストが行なわれ
る。
【００２７】このとき、半導体集積回路素子を動作させ
る周波数が高くなるに伴って、半導体ウェハ１が生じる
発熱量が増大するので、半導体集積回路素子１個当たり
の発熱量は半導体集積回路素子を動作させる周波数に比
例するものと仮定する。
る周波数が高くなるに伴って、半導体ウェハ１が生じる
発熱量が増大するので、半導体集積回路素子１個当たり
の発熱量は半導体集積回路素子を動作させる周波数に比
例するものと仮定する。
【００２８】これにより、半導体集積回路素子１個当た
りの発熱量をｑ、半導体集積回路素子を動作させる周波
数をｆ、ｑのｆに対する比例定数をαとして、 ｑ ＝ ｆ × α …… （式１） が得られる。尚、αは、例えば、実験的に得られたｑ及
びｆの値に基づき決定される。
りの発熱量をｑ、半導体集積回路素子を動作させる周波
数をｆ、ｑのｆに対する比例定数をαとして、 ｑ ＝ ｆ × α …… （式１） が得られる。尚、αは、例えば、実験的に得られたｑ及
びｆの値に基づき決定される。
【００２９】また、半導体ウェハ１の発熱量をＱ、半導
体ウェハ１における半導体集積回路素子の良品数をｎと
して、（式１）より、 Ｑ ＝ ｎ × ｑ ＝ ｎ × ｆ × α …… （式２） が得られる。
体ウェハ１における半導体集積回路素子の良品数をｎと
して、（式１）より、 Ｑ ＝ ｎ × ｑ ＝ ｎ × ｆ × α …… （式２） が得られる。
【００３０】さらに、半導体ウェハ１からの半導体集積
回路素子の取れ数をＮ（定数）、半導体ウェハ１の歩留
まり（半導体集積回路素子の取れ数に対する、半導体集
積回路素子の良品数の割合）をＰとして、（式２）よ
り、 Ｑ ＝ Ｎ × Ｐ × ｆ × α …… （式３） が得られる。尚、（式３）において、ｎ＝Ｎ×Ｐの関係
を用いている。
回路素子の取れ数をＮ（定数）、半導体ウェハ１の歩留
まり（半導体集積回路素子の取れ数に対する、半導体集
積回路素子の良品数の割合）をＰとして、（式２）よ
り、 Ｑ ＝ Ｎ × Ｐ × ｆ × α …… （式３） が得られる。尚、（式３）において、ｎ＝Ｎ×Ｐの関係
を用いている。
【００３１】（式３）が示すように、α及びＮがそれぞ
れ定数であるので、Ｐ（半導体ウェハ１の歩留まり）に
基づきｆ（半導体集積回路素子を動作させる周波数）を
設定した場合、具体的には、Ｐとｆとの積が所定値にな
るようにｆを設定した場合、Ｑ（半導体ウェハ１の発熱
量）を所定値に設定することができる。
れ定数であるので、Ｐ（半導体ウェハ１の歩留まり）に
基づきｆ（半導体集積回路素子を動作させる周波数）を
設定した場合、具体的には、Ｐとｆとの積が所定値にな
るようにｆを設定した場合、Ｑ（半導体ウェハ１の発熱
量）を所定値に設定することができる。
【００３２】本実施形態に係る半導体集積回路の検査装
置及び検査方法の特徴は、前記の知見に基づき、複数の
半導体ウェハのそれぞれの歩留まりに基づき、各半導体
ウェハ上に形成されている複数の半導体集積回路素子を
動作させる周波数を設定することである。これにより、
各半導体ウェハの発熱量を調整できるので、各半導体ウ
ェハの温度を調整することができる。
置及び検査方法の特徴は、前記の知見に基づき、複数の
半導体ウェハのそれぞれの歩留まりに基づき、各半導体
ウェハ上に形成されている複数の半導体集積回路素子を
動作させる周波数を設定することである。これにより、
各半導体ウェハの発熱量を調整できるので、各半導体ウ
ェハの温度を調整することができる。
【００３３】このとき、複数の半導体ウェハのそれぞれ
の歩留まりと、各半導体ウェハ上の半導体集積回路素子
を動作させる周波数との積が所定値になるように、半導
体集積回路素子を動作させる周波数を設定すると、半導
体ウェハの発熱量を所定値に設定できるので、半導体ウ
ェハの温度を確実に所定値に設定することができる。
の歩留まりと、各半導体ウェハ上の半導体集積回路素子
を動作させる周波数との積が所定値になるように、半導
体集積回路素子を動作させる周波数を設定すると、半導
体ウェハの発熱量を所定値に設定できるので、半導体ウ
ェハの温度を確実に所定値に設定することができる。
【００３４】図２は、半導体ウェハの歩留まりＰと、半
導体集積回路素子を動作させる周波数ｆとの積が所定値
になるように、ｆが設定された場合における、半導体ウ
ェハの歩留まりＰと半導体ウェハの温度Ｔとの関係を示
している。図３において、実線はＰとＴとの関係を示
し、一点鎖線はＰとｆとの関係を示している。
導体集積回路素子を動作させる周波数ｆとの積が所定値
になるように、ｆが設定された場合における、半導体ウ
ェハの歩留まりＰと半導体ウェハの温度Ｔとの関係を示
している。図３において、実線はＰとＴとの関係を示
し、一点鎖線はＰとｆとの関係を示している。
【００３５】図２に示すように、Ｐ（半導体ウェハの歩
留まり）とｆ（半導体集積回路素子を動作させる周波
数）との積が所定値になるようにｆが設定されているた
め、半導体ウェハの発熱量が所定値に設定されるので、
半導体ウェハの温度Ｔが所定値ＴC に設定されている。
留まり）とｆ（半導体集積回路素子を動作させる周波
数）との積が所定値になるようにｆが設定されているた
め、半導体ウェハの発熱量が所定値に設定されるので、
半導体ウェハの温度Ｔが所定値ＴC に設定されている。
【００３６】尚、図２において、Ｐmin 、Ｐ1 、Ｐ
2 （Ｐmin ＜Ｐ1 ＜Ｐ2 ）はそれぞれ半導体ウェハの歩
留まりを示し、ｆmax 、ｆ1 、ｆ2 （ｆmax ＞ｆ1 ＞ｆ
2 ）は、それぞれＰmin 、Ｐ1 、Ｐ2 に対応する、半導
体集積回路素子を動作させる周波数を示している。
2 （Ｐmin ＜Ｐ1 ＜Ｐ2 ）はそれぞれ半導体ウェハの歩
留まりを示し、ｆmax 、ｆ1 、ｆ2 （ｆmax ＞ｆ1 ＞ｆ
2 ）は、それぞれＰmin 、Ｐ1 、Ｐ2 に対応する、半導
体集積回路素子を動作させる周波数を示している。
【００３７】本実施形態に係る半導体集積回路の検査装
置及び検査方法を用いて、半導体集積回路素子を動作さ
せる基準周波数が２ＭＨＺ、半導体ウェハの基準歩留ま
りが８０％、半導体ウェハ１枚当たりの半導体集積回路
素子の取れ数が３６０チップ、及び所望される半導体ウ
ェハの発熱量が５０ｍＷの条件下において、歩留まりが
互いに異なる複数の半導体ウェハに対して同時にバーン
インテストを行なったところ、各半導体ウェハの温度を
所定のバーンイン温度に保つことができた。
置及び検査方法を用いて、半導体集積回路素子を動作さ
せる基準周波数が２ＭＨＺ、半導体ウェハの基準歩留ま
りが８０％、半導体ウェハ１枚当たりの半導体集積回路
素子の取れ数が３６０チップ、及び所望される半導体ウ
ェハの発熱量が５０ｍＷの条件下において、歩留まりが
互いに異なる複数の半導体ウェハに対して同時にバーン
インテストを行なったところ、各半導体ウェハの温度を
所定のバーンイン温度に保つことができた。
【００３８】以上に説明したように、本実施形態に係る
半導体集積回路の検査装置及び検査方法によると、複数
の半導体ウェハのそれぞれの歩留まりに基づき、各半導
体ウェハ上に形成されている複数の半導体集積回路素子
を動作させる周波数が設定されるため、各半導体ウェハ
の歩留まりに応じて、各半導体ウェハの温度を調整でき
るので、各半導体ウェハの温度を所定値に設定にするこ
とができる。
半導体集積回路の検査装置及び検査方法によると、複数
の半導体ウェハのそれぞれの歩留まりに基づき、各半導
体ウェハ上に形成されている複数の半導体集積回路素子
を動作させる周波数が設定されるため、各半導体ウェハ
の歩留まりに応じて、各半導体ウェハの温度を調整でき
るので、各半導体ウェハの温度を所定値に設定にするこ
とができる。
【００３９】また、本実施形態に係る半導体集積回路の
検査装置及び検査方法によると、複数の半導体ウェハの
それぞれの歩留まりと、各半導体ウェハ上の半導体集積
回路素子を動作させる周波数との積が所定値になるよう
に、半導体集積回路素子を動作させる周波数が設定され
るため、各半導体ウェハの発熱量を所定値に設定できる
ので、各半導体ウェハの温度を確実に所定値に設定する
ことができる。
検査装置及び検査方法によると、複数の半導体ウェハの
それぞれの歩留まりと、各半導体ウェハ上の半導体集積
回路素子を動作させる周波数との積が所定値になるよう
に、半導体集積回路素子を動作させる周波数が設定され
るため、各半導体ウェハの発熱量を所定値に設定できる
ので、各半導体ウェハの温度を確実に所定値に設定する
ことができる。
【００４０】尚、本実施形態に係る半導体集積回路の検
査装置及び検査方法において、前記の（式３）に示す半
導体ウェハの発熱量の近似式を用いて、半導体ウェハの
歩留まりに基づき、半導体集積回路素子を動作させる周
波数を設定したが、これに限られず、他の半導体ウェハ
の発熱量の近似式を用いて、半導体ウェハの歩留まりに
基づき、半導体集積回路素子を動作させる周波数を設定
してもよい。
査装置及び検査方法において、前記の（式３）に示す半
導体ウェハの発熱量の近似式を用いて、半導体ウェハの
歩留まりに基づき、半導体集積回路素子を動作させる周
波数を設定したが、これに限られず、他の半導体ウェハ
の発熱量の近似式を用いて、半導体ウェハの歩留まりに
基づき、半導体集積回路素子を動作させる周波数を設定
してもよい。
【００４１】
【発明の効果】本発明の半導体集積回路の検査装置によ
ると、各半導体ウェハの歩留まりに基づき、各半導体ウ
ェハ上の半導体集積回路素子を動作させる周波数が設定
されるため、各半導体ウェハの歩留まりに応じて、各半
導体ウェハの温度を調整できるので、各半導体ウェハの
温度を所定値に設定することができる。
ると、各半導体ウェハの歩留まりに基づき、各半導体ウ
ェハ上の半導体集積回路素子を動作させる周波数が設定
されるため、各半導体ウェハの歩留まりに応じて、各半
導体ウェハの温度を調整できるので、各半導体ウェハの
温度を所定値に設定することができる。
【００４２】本発明の半導体集積回路の検査装置におい
て、周波数決定手段が、各半導体ウェハの歩留まりと、
各半導体ウェハ上の半導体集積回路素子を動作させる周
波数との積が所定値になるように、半導体集積回路素子
を動作させる周波数を設定する手段を有すると、各半導
体ウェハの発熱量を所定値に設定できるので、各半導体
ウェハの温度を確実に所定値に設定することができる。
て、周波数決定手段が、各半導体ウェハの歩留まりと、
各半導体ウェハ上の半導体集積回路素子を動作させる周
波数との積が所定値になるように、半導体集積回路素子
を動作させる周波数を設定する手段を有すると、各半導
体ウェハの発熱量を所定値に設定できるので、各半導体
ウェハの温度を確実に所定値に設定することができる。
【００４３】本発明の半導体集積回路の検査方法による
と、各半導体ウェハの歩留まりに基づき、各半導体ウェ
ハ上の半導体集積回路素子を動作させる周波数が設定さ
れるため、各半導体ウェハの歩留まりに応じて、各半導
体ウェハの温度を調整できるので、各半導体ウェハの温
度を所定値に設定することができる。
と、各半導体ウェハの歩留まりに基づき、各半導体ウェ
ハ上の半導体集積回路素子を動作させる周波数が設定さ
れるため、各半導体ウェハの歩留まりに応じて、各半導
体ウェハの温度を調整できるので、各半導体ウェハの温
度を所定値に設定することができる。
【００４４】本発明の半導体集積回路の検査方法におい
て、周波数決定工程が、各半導体ウェハの歩留まりと、
各半導体ウェハ上の半導体集積回路素子を動作させる周
波数との積が所定値になるように、半導体集積回路素子
を動作させる周波数を設定する工程を含むと、各半導体
ウェハの発熱量を所定値に設定できるので、各半導体ウ
ェハの温度を確実に所定値に設定することができる。
て、周波数決定工程が、各半導体ウェハの歩留まりと、
各半導体ウェハ上の半導体集積回路素子を動作させる周
波数との積が所定値になるように、半導体集積回路素子
を動作させる周波数を設定する工程を含むと、各半導体
ウェハの発熱量を所定値に設定できるので、各半導体ウ
ェハの温度を確実に所定値に設定することができる。
【図１】本発明の一実施形態に係る半導体集積回路の検
査装置及び検査方法を用いて行なわれるバーンインテス
トの対象となる半導体ウェハの平面構成を示す図であ
る。
査装置及び検査方法を用いて行なわれるバーンインテス
トの対象となる半導体ウェハの平面構成を示す図であ
る。
【図２】本発明の一実施形態に係る半導体集積回路の検
査装置及び検査方法を用いて行なわれるバーンインテス
トにおいて、半導体ウェハの歩留まりと、半導体集積回
路素子を動作させる周波数との積が所定値になるよう
に、半導体集積回路素子を動作させる周波数が設定され
た場合における、半導体ウェハの歩留まりと半導体ウェ
ハの温度との関係を示す図である。
査装置及び検査方法を用いて行なわれるバーンインテス
トにおいて、半導体ウェハの歩留まりと、半導体集積回
路素子を動作させる周波数との積が所定値になるよう
に、半導体集積回路素子を動作させる周波数が設定され
た場合における、半導体ウェハの歩留まりと半導体ウェ
ハの温度との関係を示す図である。
【図３】従来のバーンインテストにおいて、半導体集積
回路素子を動作させる周波数が所定値に設定された場合
における、半導体ウェハの歩留まりと半導体ウェハの温
度との関係を示す図である。
回路素子を動作させる周波数が所定値に設定された場合
における、半導体ウェハの歩留まりと半導体ウェハの温
度との関係を示す図である。
１ 半導体ウェハ Ｃ1 半導体集積回路素子 Ｃ2 半導体集積回路素子 Ｃn-1 半導体集積回路素子 Ｃn 半導体集積回路素子 Ｐmin 半導体ウェハの歩留まり Ｐ1 半導体ウェハの歩留まり Ｐ2 半導体ウェハの歩留まり ＴC 半導体ウェハの温度 ｆmax 半導体集積回路素子を動作させる周波数 ｆ1 半導体集積回路素子を動作させる周波数 ｆ2 半導体集積回路素子を動作させる周波数
フロントページの続き (72)発明者 真井 幹也 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 2G003 AA10 AC01 AH00 AH05 4M106 AA01 BA14 CA09 DH02 5F038 DT01 DT10 EZ20
Claims (4)
- 【請求項１】 複数の半導体ウェハの電気的特性をウェ
ハの状態で一括して検査する半導体集積回路の検査装置
であって、 前記複数の半導体ウェハのそれぞれの歩留まりに基づ
き、各半導体ウェハ上に形成されている複数の半導体集
積回路素子を動作させる周波数を設定する周波数設定手
段を備えていることを特徴とする半導体集積回路の検査
装置。 - 【請求項２】 前記周波数設定手段は、前記複数の半導
体ウェハのそれぞれの歩留まりと、前記複数の半導体集
積回路素子を動作させる周波数との積が所定値になるよ
うに、前記複数の半導体集積回路素子を動作させる周波
数を設定する手段を有することを特徴とする請求項１に
記載の半導体集積回路の検査装置。 - 【請求項３】 複数の半導体ウェハの電気的特性をウェ
ハの状態で一括して検査する半導体集積回路の検査方法
であって、 前記複数の半導体ウェハのそれぞれの歩留まりに基づ
き、各半導体ウェハ上に形成されている複数の半導体集
積回路素子を動作させる周波数を設定する周波数設定工
程を備えていることを特徴とする半導体集積回路の検査
方法。 - 【請求項４】 前記周波数設定工程は、前記複数の半導
体ウェハのそれぞれの歩留まりと、前記複数の半導体集
積回路素子を動作させる周波数との積が所定値になるよ
うに、前記複数の半導体集積回路素子を動作させる周波
数を設定する工程を含むことを特徴とする請求項３に記
載の半導体集積回路の検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5832199A JP2000260835A (ja) | 1999-03-05 | 1999-03-05 | 半導体集積回路の検査装置及び検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5832199A JP2000260835A (ja) | 1999-03-05 | 1999-03-05 | 半導体集積回路の検査装置及び検査方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000260835A true JP2000260835A (ja) | 2000-09-22 |
Family
ID=13081026
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5832199A Pending JP2000260835A (ja) | 1999-03-05 | 1999-03-05 | 半導体集積回路の検査装置及び検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000260835A (ja) |
-
1999
- 1999-03-05 JP JP5832199A patent/JP2000260835A/ja active Pending
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