JP2000260379A - 走査形電子顕微鏡 - Google Patents
走査形電子顕微鏡Info
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- JP2000260379A JP2000260379A JP11062708A JP6270899A JP2000260379A JP 2000260379 A JP2000260379 A JP 2000260379A JP 11062708 A JP11062708 A JP 11062708A JP 6270899 A JP6270899 A JP 6270899A JP 2000260379 A JP2000260379 A JP 2000260379A
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- scanning electron
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Abstract
(57)【要約】
【課題】断面観察にてフォーカスを合わせを行う場合、
試料全体における観察位置の関係を把握することが難し
いため、高倍率観察において観察位置を誤判断する場合
があった。 【解決手段】観察画像と一緒に観察範囲全体画像が表示
され、観察範囲全体画像の画面と試料ステージ制御が連
動するので、試料全体における観察位置の関係を容易に
把握できる。
試料全体における観察位置の関係を把握することが難し
いため、高倍率観察において観察位置を誤判断する場合
があった。 【解決手段】観察画像と一緒に観察範囲全体画像が表示
され、観察範囲全体画像の画面と試料ステージ制御が連
動するので、試料全体における観察位置の関係を容易に
把握できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は走査電子顕微鏡に関
わり、特にインレンズ形の走査電子顕微鏡での電子光学
系および試料ステージに関する。
わり、特にインレンズ形の走査電子顕微鏡での電子光学
系および試料ステージに関する。
【０００２】
【従来の技術】インレンズ方式の走査形電子顕微鏡では
図２に示すように電子銃１で発生したビーム２を第１収
束レンズ３および第２収束レンズ４および対物レンズ５
で制御し、偏向コイル６によって試料７上を走査させ、
試料から放出される２次電子，反射電子，Ｘ線などの二
次信号をそれぞれ専用の検出器９で検出し、映像信号に
変換して表示装置１３に表示する。試料はＸ軸，Ｙ軸，
Ｚ軸方向の移動、およびＸ軸周りに回転可能な試料ステ
ージ８に搭載され、対物レンズの上磁極と下磁極の間に
配置される。
図２に示すように電子銃１で発生したビーム２を第１収
束レンズ３および第２収束レンズ４および対物レンズ５
で制御し、偏向コイル６によって試料７上を走査させ、
試料から放出される２次電子，反射電子，Ｘ線などの二
次信号をそれぞれ専用の検出器９で検出し、映像信号に
変換して表示装置１３に表示する。試料はＸ軸，Ｙ軸，
Ｚ軸方向の移動、およびＸ軸周りに回転可能な試料ステ
ージ８に搭載され、対物レンズの上磁極と下磁極の間に
配置される。
【０００３】試料ステージ８は、観察点が常にビーム走
査中心に位置するように制御される。インレンズ方式の
走査形電子顕微鏡では、試料は対物レンズの中に挿入さ
れるため、焦点距離が短くレンズの収差を小さくできる
ので、高分解能観察用に用いられる。しかし、試料は対
物レンズの中に挿入されるので、数mm角の大きさに制限
される。
査中心に位置するように制御される。インレンズ方式の
走査形電子顕微鏡では、試料は対物レンズの中に挿入さ
れるため、焦点距離が短くレンズの収差を小さくできる
ので、高分解能観察用に用いられる。しかし、試料は対
物レンズの中に挿入されるので、数mm角の大きさに制限
される。
【０００４】試料の観察には、図３のように第１収束レ
ンズと第２収束レンズで試料にフォーカスを合わせる方
式（低励磁モード）と、図４のように第１収束レンズと
第２収束レンズと対物レンズで試料にフォーカスを合わ
せる方式（強励磁モード）がある。前者のスポット径は
次式で表わされ、低倍率観察に用いられる。低励磁モー
ドでは焦点深度が深く、広い視野の観察に利用される。
ンズと第２収束レンズで試料にフォーカスを合わせる方
式（低励磁モード）と、図４のように第１収束レンズと
第２収束レンズと対物レンズで試料にフォーカスを合わ
せる方式（強励磁モード）がある。前者のスポット径は
次式で表わされ、低倍率観察に用いられる。低励磁モー
ドでは焦点深度が深く、広い視野の観察に利用される。
【０００５】
【数１】ｄ＝ｄ0・Ｍ1・Ｍ2 ｄ：最終スポット径 ｄ0 ：電子源 縮小率：Ｍ1＝ｂ1／ａ1，Ｍ2＝ｂ2／ａ2 後者のスポット径は次式で表わされ、高倍率観察に用い
られる。より高分解能な観察に利用されるが、低励磁に
比べ焦点深度が浅くなる。
られる。より高分解能な観察に利用されるが、低励磁に
比べ焦点深度が浅くなる。
【０００６】
【数２】ｄ＝ｄ0・Ｍ1・Ｍ2・Ｍ3 ｄ：最終スポット径 ｄ0 ：電子源 縮小率：Ｍ1＝ｂ1／ａ1，Ｍ2＝ｂ2／ａ2，Ｍ3＝ｂ3／ａ
3 また、より広い視野を得る手法として、試料の観察範囲
を複数の領域に分割し、各領域の中心点をビーム走査中
心に移動させ、各領域で低倍率の画像を取得し、画像合
成により極低倍率画像を作成する手法がある。
3 また、より広い視野を得る手法として、試料の観察範囲
を複数の領域に分割し、各領域の中心点をビーム走査中
心に移動させ、各領域で低倍率の画像を取得し、画像合
成により極低倍率画像を作成する手法がある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】近年半導体技術の進歩
に伴い、試料の断面観察のニーズが高まっている。しか
し断面試料は厚みが１mm未満程度で、数mm角の平面試料
と異なり試料厚み方向の観察範囲は非常に狭くなる。ま
た、ウエハーなどを断面観察する場合には、手作業でウ
エハーを割って試料を切出すため、観察面は必ずしもフ
ラットにはならない。
に伴い、試料の断面観察のニーズが高まっている。しか
し断面試料は厚みが１mm未満程度で、数mm角の平面試料
と異なり試料厚み方向の観察範囲は非常に狭くなる。ま
た、ウエハーなどを断面観察する場合には、手作業でウ
エハーを割って試料を切出すため、観察面は必ずしもフ
ラットにはならない。
【０００８】これらのため、高倍率で断面観察を行う場
合、上記従来技術では、観察すべき断面部を正確に走査
領域に位置させることが困難なため、試料の観察面に対
してフォーカスを合わせているのか、あるいはその周囲
の試料搭載部に対してフォーカスを合わせているのか判
断が難しく、試料搭載部を誤って断面試料の観察面と判
断してしまう場合があった。
合、上記従来技術では、観察すべき断面部を正確に走査
領域に位置させることが困難なため、試料の観察面に対
してフォーカスを合わせているのか、あるいはその周囲
の試料搭載部に対してフォーカスを合わせているのか判
断が難しく、試料搭載部を誤って断面試料の観察面と判
断してしまう場合があった。
【０００９】また低励磁モードでは、広い視野により観
察位置の判断が比較的容易であるが、強励磁モードに切
替える際に視野ずれが発生することがあり、切替え時に
視野合わせを行う必要があった。さらに低励磁モードで
も低倍率側の視野限界があり、観察範囲全体を一度に観
察することができないため、試料ステージと観察範囲全
体画像を連動して制御する手段は用いられず、観察位置
を把握することが難しかった。
察位置の判断が比較的容易であるが、強励磁モードに切
替える際に視野ずれが発生することがあり、切替え時に
視野合わせを行う必要があった。さらに低励磁モードで
も低倍率側の視野限界があり、観察範囲全体を一度に観
察することができないため、試料ステージと観察範囲全
体画像を連動して制御する手段は用いられず、観察位置
を把握することが難しかった。
【００１０】本発明の目的は、これらの問題を解決し、
特に高倍率観察時の断面試料観察面の位置設定を容易に
し、試料全体における観察位置の関係を容易に把握でき
る走査形電子顕微鏡を提供することにある。
特に高倍率観察時の断面試料観察面の位置設定を容易に
し、試料全体における観察位置の関係を容易に把握でき
る走査形電子顕微鏡を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記問題を解決するため
に、試料ホールダ上の基準高さとなる平面上に基準マー
クを設け、基準マークをビーム走査領域に移動させる第
一の手順と、強励磁モードにより基準マークの画像を検
出して、基準マークがビームの走査中心に位置するとき
のステージ座標を登録する第二の手順と、低励磁モード
により基準マークの画像を検出し、基準マーク画像が第
一の手順で検出した基準マークの画像位置と、同じ位置
になるようにビームの走査領域を補正する第三の手順
と、低励磁モードにより、予め指定された試料領域を複
数の領域に分割して画像を取り込む第四の手順と、第四
の手順で取り込まれた複数画像における指定位置から対
応する試料ステージの座標を計算する第五の手順と、第
五の手順で得られた座標に試料ステージを移動させる第
六の手順からなる試料ステージの制御法を有することを
特徴とする走査形電子顕微鏡を提供する。
に、試料ホールダ上の基準高さとなる平面上に基準マー
クを設け、基準マークをビーム走査領域に移動させる第
一の手順と、強励磁モードにより基準マークの画像を検
出して、基準マークがビームの走査中心に位置するとき
のステージ座標を登録する第二の手順と、低励磁モード
により基準マークの画像を検出し、基準マーク画像が第
一の手順で検出した基準マークの画像位置と、同じ位置
になるようにビームの走査領域を補正する第三の手順
と、低励磁モードにより、予め指定された試料領域を複
数の領域に分割して画像を取り込む第四の手順と、第四
の手順で取り込まれた複数画像における指定位置から対
応する試料ステージの座標を計算する第五の手順と、第
五の手順で得られた座標に試料ステージを移動させる第
六の手順からなる試料ステージの制御法を有することを
特徴とする走査形電子顕微鏡を提供する。
【００１２】このような走査電子顕微鏡の提供により、
観察位置を容易に把握することができるので、特に高倍
率観察時の断面試料観察におけるフォーカス合わせが容
易になる。
観察位置を容易に把握することができるので、特に高倍
率観察時の断面試料観察におけるフォーカス合わせが容
易になる。
【００１３】
【発明の実施の形態】強励磁モードと低励磁モードにお
いて、基準マークを利用してフォーカス合わせと視野合
わせが行われ、さらに低励磁モードにおいて、分割され
た観察画像から観察範囲全体画像が作成および表示さ
れ、観察範囲全体画像にリンクして試料ステージが制御
される。
いて、基準マークを利用してフォーカス合わせと視野合
わせが行われ、さらに低励磁モードにおいて、分割され
た観察画像から観察範囲全体画像が作成および表示さ
れ、観察範囲全体画像にリンクして試料ステージが制御
される。
【００１４】以下本発明の実施例を、図１〜図１０によ
り説明する。
り説明する。
【００１５】図２は本発明の一実施例を示す構成図であ
る。電子銃１より発生したビーム２は第１収束レンズ
３，第２収束レンズ４および対物レンズ５により収束さ
れ、偏向コイル６によってビーム２が試料７の表面上を
走査する。試料７から発生した二次電子は、検出器９に
よって検出され、増幅器１０で増幅され、処理装置１２
により映像信号に変換され、表示装置１３に表示され
る。試料７は試料ステージ８に装着され、対物レンズ５
の内部に配置される。
る。電子銃１より発生したビーム２は第１収束レンズ
３，第２収束レンズ４および対物レンズ５により収束さ
れ、偏向コイル６によってビーム２が試料７の表面上を
走査する。試料７から発生した二次電子は、検出器９に
よって検出され、増幅器１０で増幅され、処理装置１２
により映像信号に変換され、表示装置１３に表示され
る。試料７は試料ステージ８に装着され、対物レンズ５
の内部に配置される。
【００１６】図５は、試料ステージ８内の試料を搭載す
る試料ホールダ先端部である。試料ホールダ１５は、Ｘ
Ｙ平面上がフォーカス位置になるように設定され、試料
７の観察面は概ねこのＸＹ平面上に搭載される。試料７
の近傍には、基準マーク１６を設ける。図６のように、
基準マーク１６は切片１７上に複数形成されている。基
準マーク詳細１８に示すように、各基準マーク１６はフ
ォーカス合わせの目印となる中心マーク１８ａを含む複
数のパターンから構成され、中心マーク18ａにはＸＹ平
面の座標情報を予め設定しておく。また、基準マーク１
６は数十倍から数百倍の倍率で観察し易いように、概ね
傷の無い導電性板に、幅・深さとも数μｍの線や形状を
エッチングで作成する。
る試料ホールダ先端部である。試料ホールダ１５は、Ｘ
Ｙ平面上がフォーカス位置になるように設定され、試料
７の観察面は概ねこのＸＹ平面上に搭載される。試料７
の近傍には、基準マーク１６を設ける。図６のように、
基準マーク１６は切片１７上に複数形成されている。基
準マーク詳細１８に示すように、各基準マーク１６はフ
ォーカス合わせの目印となる中心マーク１８ａを含む複
数のパターンから構成され、中心マーク18ａにはＸＹ平
面の座標情報を予め設定しておく。また、基準マーク１
６は数十倍から数百倍の倍率で観察し易いように、概ね
傷の無い導電性板に、幅・深さとも数μｍの線や形状を
エッチングで作成する。
【００１７】導電性板には、シリコンウエハーなどエッ
チングが可能で走査形電子顕微鏡用の観察に耐えうる材
料を用いる。本例では中心マーク１８ａに十字マークを
配置し、中心マーク１８ａの周囲に矩形マーク１８ｂを
配置した例であるが、長さが測定できるように目盛り等
を描いておいても良い。また別例として、図７のよう
に、基準マーク１６を試料ホールダ１５上に直接形成し
ても良い。基準マーク詳細１８のように、切削加工や刻
印によって目印となる中心マーク１８ａを形成する。
チングが可能で走査形電子顕微鏡用の観察に耐えうる材
料を用いる。本例では中心マーク１８ａに十字マークを
配置し、中心マーク１８ａの周囲に矩形マーク１８ｂを
配置した例であるが、長さが測定できるように目盛り等
を描いておいても良い。また別例として、図７のよう
に、基準マーク１６を試料ホールダ１５上に直接形成し
ても良い。基準マーク詳細１８のように、切削加工や刻
印によって目印となる中心マーク１８ａを形成する。
【００１８】以上のような構成において、図１の処理フ
ローに従い処理する。
ローに従い処理する。
【００１９】予め基準マーク１６がビーム走査中心に配
置するように設定された座標（以下、基準マーク中心座
標と略す）により、試料ステージ８を制御して、基準マ
ーク１６をビーム走査領域に移動する（処理１０１）。
置するように設定された座標（以下、基準マーク中心座
標と略す）により、試料ステージ８を制御して、基準マ
ーク１６をビーム走査領域に移動する（処理１０１）。
【００２０】次に図４の強励磁モードにおいて、基準マ
ーク１６上をビーム２で走査させながら、予め設定され
た第１収束レンズ３と第２収束レンズ４および対物レン
ズ５のフォーカス条件で信号を順次検出し、基準マーク
のフォーカスが合うレンズ制御条件を導出する。
ーク１６上をビーム２で走査させながら、予め設定され
た第１収束レンズ３と第２収束レンズ４および対物レン
ズ５のフォーカス条件で信号を順次検出し、基準マーク
のフォーカスが合うレンズ制御条件を導出する。
【００２１】この時に取得される画像から、画像処理に
より基準マーク１６の中心マーク１８ａを抽出し、視野
中心からのＸ，Ｙ方向の位置ずれ量を求め、この位置ず
れ量に対応する補正値を既に登録されていた基準マーク
中心座標にフィードバックして、基準マーク中心座標を
更新および登録する（処理１０２）。
より基準マーク１６の中心マーク１８ａを抽出し、視野
中心からのＸ，Ｙ方向の位置ずれ量を求め、この位置ず
れ量に対応する補正値を既に登録されていた基準マーク
中心座標にフィードバックして、基準マーク中心座標を
更新および登録する（処理１０２）。
【００２２】次に図３の低励磁モードにおいて、基準マ
ーク１６上をビーム２で走査させながら、予め設定され
た第１収束レンズ３と第２収束レンズ４のフォーカス条
件で信号を順次検出し、基準マークのフォーカスが合う
レンズ制御条件を導出して、このレンズ制御条件で画像
を取得する。
ーク１６上をビーム２で走査させながら、予め設定され
た第１収束レンズ３と第２収束レンズ４のフォーカス条
件で信号を順次検出し、基準マークのフォーカスが合う
レンズ制御条件を導出して、このレンズ制御条件で画像
を取得する。
【００２３】ここで、図８のように、画像処理で強励磁
モードの観察画像１９と低励磁モードの観察画像２０か
ら中心マーク１８ａを抽出し、中心マーク１８ａのＸ方
向の位置ずれ量（Ｘ1−Ｘ2）とＹ方向の位置ずれ量（Ｙ
1−Ｙ2）を求め、この位置ずれ量に対応する補正値を偏
向コイル６にフィードバックして、ビーム２の走査位置
を移動させ、登録された強励磁モードの視野に概ね一致
するように合わせる（処理１０３）。なお、強励磁モー
ドと、低励磁モードの観察倍率が異なる場合には、倍率
を補正した位置ずれ量を求めて視野合わせを行う。
モードの観察画像１９と低励磁モードの観察画像２０か
ら中心マーク１８ａを抽出し、中心マーク１８ａのＸ方
向の位置ずれ量（Ｘ1−Ｘ2）とＹ方向の位置ずれ量（Ｙ
1−Ｙ2）を求め、この位置ずれ量に対応する補正値を偏
向コイル６にフィードバックして、ビーム２の走査位置
を移動させ、登録された強励磁モードの視野に概ね一致
するように合わせる（処理１０３）。なお、強励磁モー
ドと、低励磁モードの観察倍率が異なる場合には、倍率
を補正した位置ずれ量を求めて視野合わせを行う。
【００２４】次に低励磁モードにおいて、試料ステージ
８を制御し、図９のように予め設定された分割領域２
１，２２，２３，２４の各中心位置を順次ビーム走査中
心に移動させ、それぞれ得られる画像を登録し、各画像
を合成して観察範囲全体画像２５を作成する（処理１０
４）。本例では４分割だが分割数等は条件の設定で変更
できる。
８を制御し、図９のように予め設定された分割領域２
１，２２，２３，２４の各中心位置を順次ビーム走査中
心に移動させ、それぞれ得られる画像を登録し、各画像
を合成して観察範囲全体画像２５を作成する（処理１０
４）。本例では４分割だが分割数等は条件の設定で変更
できる。
【００２５】次に、図１０のように表示画面２６に観察
範囲全体画像２５を表示し、観察位置２８を観察範囲全
体画像２５上に表示させる。操作者は、観察位置２８の
位置情報を観察範囲全体画像２５上で確認しながら入力
装置１４で入力すると、処理装置１２で指定位置に対応
する座標が計算される（処理１０５）。
範囲全体画像２５を表示し、観察位置２８を観察範囲全
体画像２５上に表示させる。操作者は、観察位置２８の
位置情報を観察範囲全体画像２５上で確認しながら入力
装置１４で入力すると、処理装置１２で指定位置に対応
する座標が計算される（処理１０５）。
【００２６】最後に、処理１０５で計算された座標よ
り、処理装置１２から制御装置１１へ制御信号が送ら
れ、試料ステージ８が制御される（処理１０６）。
り、処理装置１２から制御装置１１へ制御信号が送ら
れ、試料ステージ８が制御される（処理１０６）。
【００２７】フォーカス合わせや視野合わせに用いられ
る基準マーク１６は、ビーム２の照射により、コンタミ
ネーションの付着やダメージを受けるので、やがて使用
できなくなる。
る基準マーク１６は、ビーム２の照射により、コンタミ
ネーションの付着やダメージを受けるので、やがて使用
できなくなる。
【００２８】このため、操作者は複数の基準マークの中
から、フォーカス合わせや視野合わせに使用できる基準
マーク１個を選択する。なお、すべての基準マーク１６
が使用不可能になった時は、クリーニングか、もしくは
図６の切片１７を交換する。
から、フォーカス合わせや視野合わせに使用できる基準
マーク１個を選択する。なお、すべての基準マーク１６
が使用不可能になった時は、クリーニングか、もしくは
図６の切片１７を交換する。
【００２９】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、低励磁
モードと強励磁モードで視野合わせが行われ、低倍率か
ら高倍率まで視野ずれなく観察できるのでフォーカス合
わせが容易になる。また、観察画像と一緒に観察範囲全
体画像が表示され、観察範囲全体画像の画面と試料ステ
ージ制御が連動するので、試料全体における観察位置
（特に断面試料）の判断が容易になる。
モードと強励磁モードで視野合わせが行われ、低倍率か
ら高倍率まで視野ずれなく観察できるのでフォーカス合
わせが容易になる。また、観察画像と一緒に観察範囲全
体画像が表示され、観察範囲全体画像の画面と試料ステ
ージ制御が連動するので、試料全体における観察位置
（特に断面試料）の判断が容易になる。
【００３０】また基準マークは複数個あるので、一つの
基準マークがダメージを受けても、他の基準マークを選
択できる。
基準マークがダメージを受けても、他の基準マークを選
択できる。
【図１】本発明の走査形電子顕微鏡の操作処理フローチ
ャート。
ャート。
【図２】走査形電子顕微鏡構成を示す図。
【図３】低励磁モードのビーム軌道を示す図。
【図４】強励磁モードのビーム軌道を示す図。
【図５】試料ホールダ先端部を示す図。
【図６】基準マークを示す図。
【図７】基準マークを示す図。
【図８】視野合わせを示す図。
【図９】観察範囲全体像の作成を示す図。
【図１０】表示装置画面を示す図。
１…電子銃、２…ビーム、３…第１収束レンズ、４…第
２収束レンズ、５…対物レンズ、６…偏向コイル、７…
試料、８…試料ステージ、９…検出器、１０…増幅器、
１１…制御装置、１２…処理装置、１３…表示装置、１
４…入力装置、１５…試料ホールダ、１６…基準マー
ク、１７…切片、１８…基準マーク詳細、１８ａ…中心
マーク、１８ｂ…矩形マーク、１９…強励磁モードの観
察画像、２０…低励磁モードの観察画像、２１，２２，
２３，２４…分割観察領域、２５…観察範囲全体画像、
２６…表示装置画面、２７…観察画面、２８…観察位
置。
２収束レンズ、５…対物レンズ、６…偏向コイル、７…
試料、８…試料ステージ、９…検出器、１０…増幅器、
１１…制御装置、１２…処理装置、１３…表示装置、１
４…入力装置、１５…試料ホールダ、１６…基準マー
ク、１７…切片、１８…基準マーク詳細、１８ａ…中心
マーク、１８ｂ…矩形マーク、１９…強励磁モードの観
察画像、２０…低励磁モードの観察画像、２１，２２，
２３，２４…分割観察領域、２５…観察範囲全体画像、
２６…表示装置画面、２７…観察画面、２８…観察位
置。
Claims (5)
- 【請求項１】ビームを発生する電子銃と、ビーム光軸上
にビームを細く絞る第１収束レンズと第２収束レンズお
よび対物レンズと、該ビームを試料上で走査および偏向
させる偏向コイルと、該対物レンズ中に該試料を試料ホ
ールダで保持し、ビーム光軸と直交するＸ軸方向、Ｘ軸
と直交するＹ軸方向、およびＺ軸方向（ビーム光軸方
向）に移動、およびＸ軸周りに回転可能な試料ステージ
と、該試料から発生した二次信号を検出する手段と、検
出した二次信号を映像信号に変換して表示する手段と、
これらの装置を制御する手段を具備したインレンズ方式
の走査形電子顕微鏡において、 該試料ホールダ上の基準高さとなる平面上に基準マーク
を設け、該電子銃より発生したビームを第１収束レンズ
と、第２収束レンズおよび対物レンズで制御する動作モ
ード（以下、強励磁モードと略す）と、該電子銃より発
生したビームを第１収束レンズと、第２収束レンズで制
御する動作モード（以下、低励磁モードと略す）を有
し、該基準マークを該ビームの走査領域に移動させる第
一の手順と、前記強励磁モードにより前記基準マークの
画像を検出して、該基準マークが該ビームの走査中心に
位置するときのステージ座標を登録する第二の手順と、
前記低励磁モードにより前記基準マークの画像を検出
し、該基準マーク画像が第一の手順で検出した基準マー
クの画像位置と同じ位置になるように、該ビームの走査
領域を補正する第三の手順と、前記低励磁モードによ
り、予め指定された試料領域を複数の領域に分割して画
像を取り込む第四の手順と、第四の手順で取り込まれた
複数画像における指定位置から対応する試料ステージの
座標を計算する第五の手順と、第五の手順で得られた座
標に試料ステージを移動させる第六の手順からなる試料
ステージの制御法を有することを特徴とする走査電子顕
微鏡。 - 【請求項２】請求項１に記載の走査形電子顕微鏡におい
て、前記第三の手順は、画像処理により基準マークの位
置ずれを検出して、低励磁モードにおける前記走査領域
を補正することを特徴とする走査形電子顕微鏡。 - 【請求項３】請求項１又は２に記載の走査形電子顕微鏡
において、前記試料ホールダ上に設けられた基準マーク
は、試料搭載部の周囲に複数点配置することを特徴とす
る走査形電子顕微鏡。 - 【請求項４】請求項１から３のいずれか１項に記載の走
査形電子顕微鏡において、前記試料ホールダ上に設けら
れた基準マークは、導電性板上にエッチングで形成され
たパターンであることを特徴とする走査形電子顕微鏡。 - 【請求項５】請求項１から３のいずれか１項に記載の走
査形電子顕微鏡において、前記試料ホールダ上に設けら
れた基準マークは、試料ホールダ上に、切削あるいは刻
印により直接形成されたパターンであることを特徴とす
る走査形電子顕微鏡。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11062708A JP2000260379A (ja) | 1999-03-10 | 1999-03-10 | 走査形電子顕微鏡 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11062708A JP2000260379A (ja) | 1999-03-10 | 1999-03-10 | 走査形電子顕微鏡 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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ID=13208101
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11062708A Pending JP2000260379A (ja) | 1999-03-10 | 1999-03-10 | 走査形電子顕微鏡 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000260379A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8907303B2 (en) | 2011-06-09 | 2014-12-09 | Hitachi High-Technologies Corporation | Stage device and control method for stage device |
| JP2017069024A (ja) * | 2015-09-30 | 2017-04-06 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | 試料位置合わせ方法および荷電粒子ビーム装置 |
-
1999
- 1999-03-10 JP JP11062708A patent/JP2000260379A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8907303B2 (en) | 2011-06-09 | 2014-12-09 | Hitachi High-Technologies Corporation | Stage device and control method for stage device |
| JP2017069024A (ja) * | 2015-09-30 | 2017-04-06 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | 試料位置合わせ方法および荷電粒子ビーム装置 |
| KR20170038666A (ko) * | 2015-09-30 | 2017-04-07 | 가부시키가이샤 히다치 하이테크 사이언스 | 시료 위치 맞춤 방법 및 하전 입자 빔 장치 |
| KR102496895B1 (ko) | 2015-09-30 | 2023-02-07 | 가부시키가이샤 히다치 하이테크 사이언스 | 시료 위치 맞춤 방법 및 하전 입자 빔 장치 |
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