JP2000258375A - ガスセンサ - Google Patents
ガスセンサInfo
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- JP2000258375A JP2000258375A JP11062160A JP6216099A JP2000258375A JP 2000258375 A JP2000258375 A JP 2000258375A JP 11062160 A JP11062160 A JP 11062160A JP 6216099 A JP6216099 A JP 6216099A JP 2000258375 A JP2000258375 A JP 2000258375A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】基板への密着性が良好で、且つ、応答感度の良
好な酸化物半導体膜を素子部に用いたガスセンサを提供
する。 【構成】Ｚｎ2ＳｎＯ4を含むＳｎＯ2とＺｎＯを主体と
する２元系酸化物半導体からなる感ガス体を、アルミナ
基板上に形成したくしの歯状の電極の上に形成するす
る。前記アルミナ基板には素子特性を制御するための厚
膜式或いは薄膜式のヒータが内蔵されている。前記２元
系酸化物半導体には、検出感度を向上させる目的でＰ
ｄ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ａｕ等の金属を添加することが
できる。
好な酸化物半導体膜を素子部に用いたガスセンサを提供
する。 【構成】Ｚｎ2ＳｎＯ4を含むＳｎＯ2とＺｎＯを主体と
する２元系酸化物半導体からなる感ガス体を、アルミナ
基板上に形成したくしの歯状の電極の上に形成するす
る。前記アルミナ基板には素子特性を制御するための厚
膜式或いは薄膜式のヒータが内蔵されている。前記２元
系酸化物半導体には、検出感度を向上させる目的でＰ
ｄ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ａｕ等の金属を添加することが
できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、耐振動性、耐衝撃性が
要求されるガスセンサに関する。絶えず振動や衝撃が加
わる自動車等の移動体に搭載されるガスセンサに好適で
ある。特には、自動車等の移動体空調の内外気導入の自
動切り替えシステム用のガスセンサとして好適なもので
ある。
要求されるガスセンサに関する。絶えず振動や衝撃が加
わる自動車等の移動体に搭載されるガスセンサに好適で
ある。特には、自動車等の移動体空調の内外気導入の自
動切り替えシステム用のガスセンサとして好適なもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】ガスセンサは、測定雰囲気中のガス濃度
に応じた電気信号を出力する。例えば、ガスセンサの出
力値がある一定値以上になったときに、警告を発し、或
いは気体の流入経路を閉鎖するシステムに用いられる。
に応じた電気信号を出力する。例えば、ガスセンサの出
力値がある一定値以上になったときに、警告を発し、或
いは気体の流入経路を閉鎖するシステムに用いられる。
【０００３】ガスセンサの代表的なものは、酸化物半導
体をガス検出素子として用いたものである。検出原理
は、該酸化物半導体のガス濃度による抵抗値の変化を、
ガスセンサの出力電圧の変化として捉えるものである。
体をガス検出素子として用いたものである。検出原理
は、該酸化物半導体のガス濃度による抵抗値の変化を、
ガスセンサの出力電圧の変化として捉えるものである。
【０００４】用いる酸化物半導体の種類としては、Ｓｎ
Ｏ２やＺｎＯが一般的である。ＳｎＯ２やＺｎＯはＣＯ
ガス、ＨＣガス（都市ガスやプロパンガスといった炭化
水素系のガス）等の可燃性ガスが接触することにより抵
抗値が低くなる特性を示す、いわゆるｎ型半導体であ
る。係る特性を利用して、ガス漏れ警報機等に利用され
ている。ＳｎＯ２やＺｎＯからなる感ガス体は、例え
ば、基板上にスクリーン印刷等の方法で印刷、焼き付け
を行ういわゆる厚膜法にて形成される。
Ｏ２やＺｎＯが一般的である。ＳｎＯ２やＺｎＯはＣＯ
ガス、ＨＣガス（都市ガスやプロパンガスといった炭化
水素系のガス）等の可燃性ガスが接触することにより抵
抗値が低くなる特性を示す、いわゆるｎ型半導体であ
る。係る特性を利用して、ガス漏れ警報機等に利用され
ている。ＳｎＯ２やＺｎＯからなる感ガス体は、例え
ば、基板上にスクリーン印刷等の方法で印刷、焼き付け
を行ういわゆる厚膜法にて形成される。
【０００５】しかし、厚膜法にて形成したＳｎＯ２やＺ
ｎＯからなる感ガス体は、基板に対する密着力が弱いた
め、熱衝撃、熱サイクル或いは振動等によってはがれや
すい問題があった。そのため、絶えず振動、衝撃等に晒
される自動車や電車等の移動体搭載用のガスセンサに用
いるには信頼性の面で検討の余地があった。
ｎＯからなる感ガス体は、基板に対する密着力が弱いた
め、熱衝撃、熱サイクル或いは振動等によってはがれや
すい問題があった。そのため、絶えず振動、衝撃等に晒
される自動車や電車等の移動体搭載用のガスセンサに用
いるには信頼性の面で検討の余地があった。
【０００６】酸化物半導体の基板への密着力を上げる方
法として、ガラスを添加して焼き付けるいわゆるガラス
ボンド法が用いられるが、この場合、酸化物半導体の感
度が大幅に低下する問題があった。
法として、ガラスを添加して焼き付けるいわゆるガラス
ボンド法が用いられるが、この場合、酸化物半導体の感
度が大幅に低下する問題があった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】絶えず振動、衝撃等に
晒される自動車や電車等の移動体搭載用に用いても十分
な信頼性と実用的な感度及び応答性が両立可能なガスセ
ンサを提供する。特には、自動車等の移動体空調の内外
気導入の自動切り替えシステムに好適なガスセンサを提
供する。
晒される自動車や電車等の移動体搭載用に用いても十分
な信頼性と実用的な感度及び応答性が両立可能なガスセ
ンサを提供する。特には、自動車等の移動体空調の内外
気導入の自動切り替えシステムに好適なガスセンサを提
供する。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、基板
の表面に形成されたくしの歯状の電極の表面に、ＳｎＯ
2とＺｎＯとＺｎ2ＳｎＯ4とからなる感ガス体を形成し
たガスセンサを要旨とする。ＳｎＯ2とＺｎＯとからな
る二元系酸化物半導体に、Ｚｎ2ＳｎＯ4からなる複合酸
化物を含有させることで、感ガス体の基板への密着強度
を上げることができる。Ｚｎ2ＳｎＯ4は、粉末としてＳ
ｎＯ2とＺｎＯとともに添加、混合しても良いが、Ｓｎ
Ｏ2とＺｎＯとの混合物の反応焼結によってＺｎ2ＳｎＯ
4を生成させる方法が好ましい。
の表面に形成されたくしの歯状の電極の表面に、ＳｎＯ
2とＺｎＯとＺｎ2ＳｎＯ4とからなる感ガス体を形成し
たガスセンサを要旨とする。ＳｎＯ2とＺｎＯとからな
る二元系酸化物半導体に、Ｚｎ2ＳｎＯ4からなる複合酸
化物を含有させることで、感ガス体の基板への密着強度
を上げることができる。Ｚｎ2ＳｎＯ4は、粉末としてＳ
ｎＯ2とＺｎＯとともに添加、混合しても良いが、Ｓｎ
Ｏ2とＺｎＯとの混合物の反応焼結によってＺｎ2ＳｎＯ
4を生成させる方法が好ましい。
【０００９】請求項２の発明は、前記感ガス体１００重
量部に含まれるＺｎ成分の含有量がＺｎＯ換算値で１０
〜５０重量部であるガスセンサを要旨とする。ＳｎＯ2
とＺｎＯとＺｎ2ＳｎＯ4からなる感ガス体に含まれるＺ
ｎ成分のＺｎＯ換算値での含有量を係る範囲に規定する
ことで、ガスセンサとしての感度を低下させることな
く、感ガス体の基板への密着強度を上げることができ
る。
量部に含まれるＺｎ成分の含有量がＺｎＯ換算値で１０
〜５０重量部であるガスセンサを要旨とする。ＳｎＯ2
とＺｎＯとＺｎ2ＳｎＯ4からなる感ガス体に含まれるＺ
ｎ成分のＺｎＯ換算値での含有量を係る範囲に規定する
ことで、ガスセンサとしての感度を低下させることな
く、感ガス体の基板への密着強度を上げることができ
る。
【００１０】Ｚｎ成分のＺｎＯ換算値での含有量が１０
重量部以下では、感ガス体の密着強度が低く、簡単に剥
がれてしまう。一方、Ｚｎ成分のＺｎＯ換算値での含有
量が５０重量部以上では、ガスセンサとしての応答性が
劣化する。感ガス体の密着強度と応答性のバランスか
ら、Ｚｎ成分のＺｎＯ換算値での含有量のより好ましい
範囲は２０〜４０重量部、更に好ましくは２０〜３０重
量部である。
重量部以下では、感ガス体の密着強度が低く、簡単に剥
がれてしまう。一方、Ｚｎ成分のＺｎＯ換算値での含有
量が５０重量部以上では、ガスセンサとしての応答性が
劣化する。感ガス体の密着強度と応答性のバランスか
ら、Ｚｎ成分のＺｎＯ換算値での含有量のより好ましい
範囲は２０〜４０重量部、更に好ましくは２０〜３０重
量部である。
【００１１】請求項３の発明は、上記感ガス体にＰｄ、
Ｐｔ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ａｕのうち少なくとも１種を添加し
たガスセンサを要旨とする。これらの金属種の少なくと
も１種を感ガス体１００重量部に対して０．１〜５重量
部添加することで、感ガス体の感度がさらに向上でき、
大気中の微量なガスを検知することが可能となる。ま
た、妨害ガスの影響の低減を図ることができる。これら
の金属種の添加は、感ガス体の基板への密着強度を低下
させることもない。金属種の添加の形態は、パラジウム
（Ｐｄ）を例にすれば、金属Ｐｄ、ＰｄＣｌ2、或いは
コロイド溶液といった状態で添加可能である。
Ｐｔ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ａｕのうち少なくとも１種を添加し
たガスセンサを要旨とする。これらの金属種の少なくと
も１種を感ガス体１００重量部に対して０．１〜５重量
部添加することで、感ガス体の感度がさらに向上でき、
大気中の微量なガスを検知することが可能となる。ま
た、妨害ガスの影響の低減を図ることができる。これら
の金属種の添加は、感ガス体の基板への密着強度を低下
させることもない。金属種の添加の形態は、パラジウム
（Ｐｄ）を例にすれば、金属Ｐｄ、ＰｄＣｌ2、或いは
コロイド溶液といった状態で添加可能である。
【００１２】
【実施例】（実施例１） （１）発熱体付きアルミナ基板の作製 アルミナ（純度９２％）を主成分とするセラミックグリ
ーンシートを公知のドクターブレード法にて作製する。
ガスセンサの第１層目をなすセラミックグリーンシート
上に、アルミナ粉末を３重量部添加した白金ペーストを
用いてスクリーン印刷法にて発熱体パターンを印刷形成
する。ガスセンサの第２層目をなすセラミックグリーン
シートに金型を用いてスルーホールを形成する。白金を
主体とする導体ペーストを上記スルーホール内に充填す
る。ガスセンサの第２層目をなすセラミックグリーンシ
ート上に、白金ペーストを用いてスクリーン印刷法にて
一対のくしの歯状の電極パターンを印刷形成する。白金
線（１３％ＰＲ線、φ０．２ｍｍ）を発熱体の電極取り
出し部とセンサ出力用の電極取り出し部にセットし、第
１層目と第２層目のセラミックグリーンシートを圧着し
て一体化する。個々のガスセンサに切断した後、樹脂抜
きを行う。そして、大気中にて１５００℃で焼成し、発
熱体付きアルミナ基板を完成する。
ーンシートを公知のドクターブレード法にて作製する。
ガスセンサの第１層目をなすセラミックグリーンシート
上に、アルミナ粉末を３重量部添加した白金ペーストを
用いてスクリーン印刷法にて発熱体パターンを印刷形成
する。ガスセンサの第２層目をなすセラミックグリーン
シートに金型を用いてスルーホールを形成する。白金を
主体とする導体ペーストを上記スルーホール内に充填す
る。ガスセンサの第２層目をなすセラミックグリーンシ
ート上に、白金ペーストを用いてスクリーン印刷法にて
一対のくしの歯状の電極パターンを印刷形成する。白金
線（１３％ＰＲ線、φ０．２ｍｍ）を発熱体の電極取り
出し部とセンサ出力用の電極取り出し部にセットし、第
１層目と第２層目のセラミックグリーンシートを圧着し
て一体化する。個々のガスセンサに切断した後、樹脂抜
きを行う。そして、大気中にて１５００℃で焼成し、発
熱体付きアルミナ基板を完成する。
【００１３】（２）感ガス体ペースト及びガスセンサの
作製 ＳｎＯ2とＺｎＯの粉末（比較例である試料番号１３で
は、さらにガラスフリットを５重量部添加）を表１に示
す配合比で秤量し、石川式乳鉢にて２０分間乾式混合を
行った後、アセトンを５０ｍｌ加えて更に２時間湿式混
合した。次いで、ブチルカルビトールアセテート及びエ
チルセルロースからなる有機バインダを添加し、更に３
時間混合してアセトンを揮発、除去して感ガス体ペース
トを完成する。感ガス体ペーストを上記の発熱体付きア
ルミナ基板上にスクリーン印刷法にて印刷形成する。樹
脂抜き後、９００℃×１時間の条件で焼き付けを行い、
ガスセンサを完成する。
作製 ＳｎＯ2とＺｎＯの粉末（比較例である試料番号１３で
は、さらにガラスフリットを５重量部添加）を表１に示
す配合比で秤量し、石川式乳鉢にて２０分間乾式混合を
行った後、アセトンを５０ｍｌ加えて更に２時間湿式混
合した。次いで、ブチルカルビトールアセテート及びエ
チルセルロースからなる有機バインダを添加し、更に３
時間混合してアセトンを揮発、除去して感ガス体ペース
トを完成する。感ガス体ペーストを上記の発熱体付きア
ルミナ基板上にスクリーン印刷法にて印刷形成する。樹
脂抜き後、９００℃×１時間の条件で焼き付けを行い、
ガスセンサを完成する。
【００１４】図１は、本実施例のガスセンサの斜視図で
ある。図２は、ガスセンサの最表面層１３上に形成した
くしの歯状の電極パターン９を示す説明図である。図３
はガスセンサの最表面層１３上に形成したくしの歯状の
電極パターン９上に感ガス体４を形成した状態を示す説
明図である。図４は、ガスセンサの内層１４上に形成し
た発熱体パターン１２を示す説明図である。図５は、図
２及び図３に示す切断面Ａ−Ａ’における断面図であ
る。
ある。図２は、ガスセンサの最表面層１３上に形成した
くしの歯状の電極パターン９を示す説明図である。図３
はガスセンサの最表面層１３上に形成したくしの歯状の
電極パターン９上に感ガス体４を形成した状態を示す説
明図である。図４は、ガスセンサの内層１４上に形成し
た発熱体パターン１２を示す説明図である。図５は、図
２及び図３に示す切断面Ａ−Ａ’における断面図であ
る。
【００１５】（３）感ガス体の微小ＸＲＤによる分析結
果 ガスセンサの感ガス体部を切断、鏡面研磨し、当該断面
部を微小ＸＲＤ分析装置により分析した。ＸＲＤチャー
ト図を図６に示す。図６より、Ｚｎ2ＳｎＯ4が反応焼結
により生成していることがわかる。
果 ガスセンサの感ガス体部を切断、鏡面研磨し、当該断面
部を微小ＸＲＤ分析装置により分析した。ＸＲＤチャー
ト図を図６に示す。図６より、Ｚｎ2ＳｎＯ4が反応焼結
により生成していることがわかる。
【００１６】（４）ガスセンサの特性評価 上記方法にて作製したガスセンサについて、感ガス体の
密着強度、感度、応答性を評価する。
密着強度、感度、応答性を評価する。
【００１７】感ガス体の密着強度は、テープを貼り付け
て剥がした際の剥離面積で評価する。剥離面積で５０％
以上剥離したものを×、剥離面積で２０％以上５０％未
満剥離したものを△、剥離面積で２０％未満のものを○
として表１に結果を示す。
て剥がした際の剥離面積で評価する。剥離面積で５０％
以上剥離したものを×、剥離面積で２０％以上５０％未
満剥離したものを△、剥離面積で２０％未満のものを○
として表１に結果を示す。
【００１８】感度は、ガスセンサをネジをきった治具に
無機系接着剤にて固定し、ガス導入可能なチャンバー内
でガス温２５℃にて測定する。装置の概略図を図７に示
す。評価回路を図８に示す。測定条件は、ガス流量１２
Ｌ／分、酸素濃度２１％、Ｈ 2Ｏ１．５％、Ｎ2バランス
でＣＯ（一酸化炭素）の濃度（単位；ｐｐｍ）を０、１
０、１００、１５０ｐｐｍになるようにして測定する。
結果を図９に示す。
無機系接着剤にて固定し、ガス導入可能なチャンバー内
でガス温２５℃にて測定する。装置の概略図を図７に示
す。評価回路を図８に示す。測定条件は、ガス流量１２
Ｌ／分、酸素濃度２１％、Ｈ 2Ｏ１．５％、Ｎ2バランス
でＣＯ（一酸化炭素）の濃度（単位；ｐｐｍ）を０、１
０、１００、１５０ｐｐｍになるようにして測定する。
結果を図９に示す。
【００１９】センサ出力は、ガスセンサに１Ｖの電圧
（図８のＥ）を印加し、オペアンプ回路（図８のＯＰ）
を介して電圧出力（図８のＲ2）として検出する。ガス
センサ毎に電圧出力が最適になるように、図８の抵抗Ｒ
1の値をガスセンサのＣＯ未添加時の初期抵抗値を基に
選定する。ガスセンサは、感ガス体が３５０℃になるよ
うに発熱体に安定化電源で定電圧を印加する。結果を図
１０に示す。
（図８のＥ）を印加し、オペアンプ回路（図８のＯＰ）
を介して電圧出力（図８のＲ2）として検出する。ガス
センサ毎に電圧出力が最適になるように、図８の抵抗Ｒ
1の値をガスセンサのＣＯ未添加時の初期抵抗値を基に
選定する。ガスセンサは、感ガス体が３５０℃になるよ
うに発熱体に安定化電源で定電圧を印加する。結果を図
１０に示す。
【００２０】応答性は、容量７Ｌのチャンバーに流量１
２Ｌ／分でガスを送り、１００ｐｐｍのＣＯを添加した
際の９０％応答時間を測定した。結果を図１１に示す。
２Ｌ／分でガスを送り、１００ｐｐｍのＣＯを添加した
際の９０％応答時間を測定した。結果を図１１に示す。
【００２１】
【表１】
【００２２】本発明の実施例である試料番号３乃至試料
番号７では、密着強度、感度、応答性の全てにおいて良
好な結果が得られる。一方、ＺｎＯを未添加の比較例で
ある試料番号１では、密着強度が無く全面剥離となる。
番号７では、密着強度、感度、応答性の全てにおいて良
好な結果が得られる。一方、ＺｎＯを未添加の比較例で
ある試料番号１では、密着強度が無く全面剥離となる。
【００２３】また、ＺｎＯを未添加、且つ、ガラスフリ
ットを５重量部添加した比較例である試料番号１３で
は、密着強度は良好なものの、感度が殆ど得られない。
ＺｎＯの添加量が５０％を越える比較例である試料番号
８乃至試料番号１２では、ＺｎＯの添加量の増加に伴い
応答性が劣化する。
ットを５重量部添加した比較例である試料番号１３で
は、密着強度は良好なものの、感度が殆ど得られない。
ＺｎＯの添加量が５０％を越える比較例である試料番号
８乃至試料番号１２では、ＺｎＯの添加量の増加に伴い
応答性が劣化する。
【００２４】（実施例２）実施例２は、ＺｎＯを３０重
量部添加した感ガス体への金属種の添加による感度変化
を調査する。 （１）発熱体付きアルミナ基板の作製 実施例１と同様の方法で作製する。
量部添加した感ガス体への金属種の添加による感度変化
を調査する。 （１）発熱体付きアルミナ基板の作製 実施例１と同様の方法で作製する。
【００２５】（２）感ガス体ペースト及びガスセンサの
作製 実施例１と同様に、ＳｎＯ2３．５ｇにＺｎＯ１．５ｇ
を添加、混合してペースト化する。また、金属種添加の
効果を見るために、ＳｎＯ2３．５ｇ、ＺｎＯ１．５
ｇ、さらにＰｄＣｌ2を０．５重量部になるように添
加、混合してペースト化する。実施例１と同様に印刷、
焼き付けを行い、ガスセンサを作製する。
作製 実施例１と同様に、ＳｎＯ2３．５ｇにＺｎＯ１．５ｇ
を添加、混合してペースト化する。また、金属種添加の
効果を見るために、ＳｎＯ2３．５ｇ、ＺｎＯ１．５
ｇ、さらにＰｄＣｌ2を０．５重量部になるように添
加、混合してペースト化する。実施例１と同様に印刷、
焼き付けを行い、ガスセンサを作製する。
【００２６】（３）ガスセンサの特性評価 実施例１と同様の方法で感ガス体の密着強度及び感度の
測定を行う。センサ出力の結果を図１２に示す。感度の
結果を図１３に示す。
測定を行う。センサ出力の結果を図１２に示す。感度の
結果を図１３に示す。
【００２７】感ガス体の密着強度はともに剥離が発生せ
ず良好である。一方、図１３に示すように、ＣＯに対す
る感度は、Ｐｄを０．５重量部添加した感ガス体を用い
たガスセンサの方が良好であることがわかる。
ず良好である。一方、図１３に示すように、ＣＯに対す
る感度は、Ｐｄを０．５重量部添加した感ガス体を用い
たガスセンサの方が良好であることがわかる。
【００２８】
【発明の効果】本発明によれば、感ガス体の密着強度が
良好で、感度、応答性に優れるガスセンサが提供でき
る。絶えず振動、衝撃等に晒される自動車や電車等の移
動体搭載用に用いても十分な信頼性と実用的な感度及び
応答性が両立可能なガスセンサとして有用である。特に
は、自動車等の移動体空調の内外気導入の自動切り替え
システムに好適なガスセンサに好適である。
良好で、感度、応答性に優れるガスセンサが提供でき
る。絶えず振動、衝撃等に晒される自動車や電車等の移
動体搭載用に用いても十分な信頼性と実用的な感度及び
応答性が両立可能なガスセンサとして有用である。特に
は、自動車等の移動体空調の内外気導入の自動切り替え
システムに好適なガスセンサに好適である。
【図１】ガスセンサ１の斜視図。
【図２】ガスセンサ１の最表面１３の正面図。
【図３】ガスセンサ１の最表面１３の正面図（感ガス体
無し）。
無し）。
【図４】ガスセンサ１の内層１４の正面図。
【図５】ガスセンサ１の断面図（断面Ａ−Ａ’）。
【図６】感ガス体のＸＲＤ分析チャート図。
【図７】ガスセンサの特性評価装置の概略図。
【図８】ガスセンサの評価回路図。
【図９】ガスセンサのＺｎＯ添加量に対する感度の変化
を示すグラフ。
を示すグラフ。
【図１０】ガスセンサのＺｎＯ添加量に対する抵抗値の
変化を示すグラフ。
変化を示すグラフ。
【図１１】ガスセンサのＺｎＯ添加量に対する応答性の
変化を示すグラフ。
変化を示すグラフ。
【図１２】Ｐｄ添加の感ガス体と無添加の感ガス体の抵
抗値を比較するグラフ。
抗値を比較するグラフ。
【図１３】Ｐｄ添加の感ガス体と無添加の感ガス体の感
度を比較するグラフ。
度を比較するグラフ。
１ ガスセンサ ２ 基板 ３ くしの歯状の電極パターン用配線 ４ 感ガス体 ５ センサ用端子 ６ センサ用端子 ７ 発熱体用端子 ８ 発熱体用端子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 井上 隆治 愛知県名古屋市瑞穂区高辻町14番18号 日 本特殊陶業株式会社内 (72)発明者 大島 崇文 愛知県名古屋市瑞穂区高辻町14番18号 日 本特殊陶業株式会社内 Ｆターム(参考） 2G046 AA02 BA01 BB02 BC04 BE03 EA02 FB02 FC02 FE09 FE11 FE29 FE31
Claims (3)
- 【請求項１】 被検雰囲気中に含まれる可燃性ガスの濃
度を、酸化物半導体を主体とする感ガス体を用いて電気
信号として検出するガスセンサであって、 発熱体を一体化した絶縁基板と、 該基板の表面に形成された一対のくしの歯状の電極と、 該電極の表面に形成されたＳｎＯ2とＺｎＯとＺｎ2Ｓｎ
Ｏ4とからなる感ガス体とを有することを特徴とするガ
スセンサ。 - 【請求項２】 請求項１に記載のガスセンサであって、 前記感ガス体１００重量部に含まれるＺｎ成分の含有量
がＺｎＯ換算値で１０〜５０重量部であることを特徴と
するガスセンサ。 - 【請求項３】 請求項１又は請求項２のいずれかに記載
のガスセンサであって、 前記感ガス体１００重量部中に含まれるＰｄ、Ｐｔ、Ｃ
ｏ、Ｃｕ、Ａｕのうち少なくとも１種の含有量が０．１
〜５重量部であることを特徴とするガスセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11062160A JP2000258375A (ja) | 1999-03-09 | 1999-03-09 | ガスセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11062160A JP2000258375A (ja) | 1999-03-09 | 1999-03-09 | ガスセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000258375A true JP2000258375A (ja) | 2000-09-22 |
Family
ID=13192097
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11062160A Pending JP2000258375A (ja) | 1999-03-09 | 1999-03-09 | ガスセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000258375A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100480504B1 (ko) * | 2000-10-20 | 2005-04-06 | 학교법인 포항공과대학교 | 일산화탄소 가스를 선택적으로 감지하는 방법 |
| US20110001136A1 (en) * | 2007-11-15 | 2011-01-06 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Oxide semiconductor material, method for manufacturing oxide semiconductor material, electronic device and field effect transistor |
-
1999
- 1999-03-09 JP JP11062160A patent/JP2000258375A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100480504B1 (ko) * | 2000-10-20 | 2005-04-06 | 학교법인 포항공과대학교 | 일산화탄소 가스를 선택적으로 감지하는 방법 |
| US20110001136A1 (en) * | 2007-11-15 | 2011-01-06 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Oxide semiconductor material, method for manufacturing oxide semiconductor material, electronic device and field effect transistor |
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