JP2000253645A - 超電導回転電機の回転子 - Google Patents
超電導回転電機の回転子Info
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Abstract
磁巻線の絶縁部材における損傷可能性の低減を図った超
電導回転電機の回転子提供。 【解決手段】 超電導界磁巻線に、スリップリング、励
磁電源、遮断器を直列に接続し、保護抵抗を並列に接続
する。又、超電導界磁巻線の極間位置と保護抵抗の中間
タップを中間リード線で電気的に接続する構成とした。
Description
回転子に関し、詳しくは、超電導回転電機の回転子を構
成する超電導界磁巻線と、当該超電導界磁巻線にスリッ
プリングや電流リード線を介して界磁電流を供給する励
磁電源と、上記超電導界磁巻線と並列に接続され中間タ
ップを有する保護抵抗と、上記超電導界磁巻線にクエン
チが発生した場合に上記超電導界磁巻線及び保護抵抗の
回路と上記励磁電源とを断路する遮断器を備えた超電導
回転電機の回転子に関するものである。
88号公報に示された従来の超電導回転電機の回転子の
構造を示す断面図である。図中の1は、中空のトルクチ
ューブで、その両端の一方側は駆動側端部軸2のフラン
ジ部2aに、他方側は反駆動側端部軸3のフランジ部3
aに固定されている。4はこのトルクチューブ1の中央
部に形成された中空の巻線取付軸であり、5はこの巻線
取付軸4に巻回固定された超電導界磁巻線である。上記
巻線取付軸4の外周部にはヘリウム外筒6が配設され、
巻線取付軸4の両側面部のそれぞれには端板としてのヘ
リウム端板7が配設されて、冷媒の液溜め部としての液
体ヘリウムの液溜め部8が形成されている。9は常温ダ
ンパで、その両端の一方側は駆動側端部軸2のフランジ
部2aに、他方側は反駆動側端部軸3のフランジ部3a
に固着されており、上記トルクチューブ1と巻線取付軸
4とを包囲して配設されている。10は上記巻線取付軸
4と常温ダンパ9との間に配設された低温ダンパ、11
は駆動側端部軸2及び反駆動側端部軸3を軸支する軸
受、12はトルクチューブ1に形成あるいは配置された
熱交換器、13は巻線取付軸4の両側面部の外側のトル
クチューブ1内に設けられた側部輻射シールド、14は
真空部である。
で、反駆動側端部軸3に設けられている。16は電流リ
ード線で、ヘリウム端板7を貫通し、超電導界磁巻線5
とスリップリング15とを電気的に接続している。16
aはこの電流リード線16を収納するパイプとしての電
流リード線管である。17は反駆動側端部軸3の軸端に
取り付けられたヘリウム給排装置、18は液体ヘリウム
の液溜め部8とヘリウム給排装置17とを連通する液体
ヘリウム供給管、19は液体ヘリウムの液溜め部8と熱
交換器12とを連通するヘリウム配管、20は熱交換器
12とヘリウム給排装置17とを連通するガスヘリウム
排出管、21は電流リード線管16aとヘリウム給排装
置17とを連通するガスヘリウム排出管である。尚、図
11は上記超電導界磁巻線5の展開図である。
転子の励磁回路である。図中の5は超電導界磁巻線、1
5はスリップリング、22は励磁電源で、超電導界磁巻
線5に直列に接続されスリップリング15を介して超電
導界磁巻線5に界磁電流を供給する。23は遮断器で、
超電導界磁巻線5に直列に接続され、超電導界磁巻線5
にクエンチが発生すると開放する。24は保護抵抗で、
超電導界磁巻線5に並列に接続され、超電導界磁巻線5
にクエンチが発生すると投入される一定抵抗値Rを有す
る。
線5が超電導状態では、超電導界磁巻線5は遮断器23
を閉路して、スリップリング15を介して励磁電源22
により励磁される。超電導界磁巻線5にはクエンチと称
される現象が存在する。ワイヤムーブメント等の微小振
動による導体表面の発熱、或いは、外部磁界の変動によ
る導体内部での発熱等が生じた場合には、超電導状態が
部分的に常電導状態に転位する。この発熱が超電導界磁
巻線5の冷却剤、例えば、液体ヘリウムの冷却能力より
大きい場合には常電導部分が拡大し、伝播する。この間
も電流は流れ続けており、ジュール損失により、超電導
界磁巻線5の各部分の温度は更に上昇する。超電導界磁
巻線5のエネルギーが大きい場合には、超電導界磁巻線
5は温度上昇により焼損する可能性がある。このため、
超電導界磁巻線5のエネルギーを回転子外部に取り出
し、クエンチが発生すると遮断器23を閉路して、保護
抵抗24に電流を流すことで、保護抵抗24でエネルギ
ーを消費させ、超電導界磁巻線5の温度上昇を抑制す
る。但し、保護抵抗24に電流が流れる瞬間、超電導界
磁巻線5には電圧が発生する。超電導界磁巻線5の自己
インダクタンスL、保護抵抗24の抵抗値R、回路に流
れる電流Iの場合には、界磁電流の減衰時定数T=L/
R、超電導界磁巻線5で発生する電圧はI×Rとなる。
量化する場合、容量増大に伴い超電導界磁巻線5のイン
ダクタンスや界磁電流が何れも増大し、超電導界磁巻線
5に蓄えられるエネルギーも小容量機と比較して増大す
る。蓄積エネルギーは、例えば60万kW級発電機では
20万kW級発電機の約3倍に増大する。従って放電抵
抗値が小容量機と同一の場合には超電導界磁巻線5の温
度上昇が大きくなり、回転子外部でのエネルギー消費量
を増大するには、保護抵抗24の抵抗値を大きくする必
要がある。しかし、保護抵抗が大きくなると、遮断器2
3の投入時に、超電導界磁巻線5で発生する電圧(界磁
電流Iと保護抵抗Rの積)が数kVのレベルまで大きく
なるため、大容量化すると超電導界磁巻線5の絶縁設計
が困難になる。本発明はこのような課題の解決を目的と
する。
導界磁巻線と、当該超電導界磁巻線にスリップリングや
電流リード線を介して界磁電流を供給する励磁電源と、
上記超電導界磁巻線と並列に接続され中間タップを有す
る保護抵抗と、上記超電導界磁巻線にクエンチが発生し
た場合に上記超電導界磁巻線及び保護抵抗の回路と上記
励磁電源とを断路する遮断器を備えた超電導回転電機の
回転子において、上記超電導界磁巻線の極間位置と上記
保護抵抗の中間タップ間を電気的に接続する中間リード
線が設けられたことを特徴とする。
する巻線取付軸の外周と内周を繋ぐ貫通穴を当該巻線取
付軸に設け、当該貫通穴に前記中間リード線を固定する
と共に、上記巻線取付軸内周に取り出された中間リード
線をスリップリングに接続する軸方向導体が設けられた
ことを特徴とする。
た貫通穴に対して軸対称位置に当該貫通穴と同一形状の
第2の貫通穴を設け、当該第2の貫通穴に中間リード線
と同一重量のダミーリード線が固定されたことを特徴と
する。
インダクタンスが1/3になるように等分割した位置と
抵抗値が同一である3つの保護抵抗の中間位置が2本の
中間リード線で電気的に接続されたことを特徴とする。
超電導界磁巻線の極間位置と保護抵抗の中間タップ間を
電気的に接続する中間リード線を設けた構成としたもの
である。以下、図1に基づいて説明する。図は、2局の
超電導回転電機の回転子における励磁回路の構成図を示
す。尚、図示以外の箇所は従来例と同じである。図中の
5a、5bはそれぞれ超電導回転電機回転子のN極、S
極の磁界を発生する超電導界磁巻線、5cはN極とS極
の中間位置を示し、15はスリップリング、22は励磁
電源、24a、24bは超電導界磁巻線5a、5bに並
列接続されそれぞれ抵抗値Rを有する保護抵抗であり、
23は超電導界磁巻線5a,5bにクエンチが発生する
と励磁回路を開放する遮断器である。又、24cは保護
抵抗24a、24bの中間位置であり、25は極間位置
5cと保護抵抗24a、24bの中間位置24cとを電
気的に接続した中間リード線である。
線5a、5bが超電導状態で抵抗が零の場合には、超電
導界磁巻線5a、5bは遮断器23を閉路してスリップ
リング15を介して励磁電源22により励磁されること
は従来技術で説明した通りである。本実施の形態1にお
いては、超電導界磁巻線5a、5bが外部からの擾乱等
何らかの理由によりクエンチした場合、遮断器23にて
励磁電源22の回路を切り離し、保護抵抗24a、24
bに電流が流れることで、超電導界磁巻線5a、5b、
保護抵抗24a、24b、極間位置5cと中間位置24
cとの間を電気的に接続するように設けられた中間リー
ド線25にて、2つの閉回路が形成されるので、超電導
界磁巻線5a、5bに流れる界磁電流により蓄えられた
エネルギーが保護抵抗24a、24bで消費される。
チが発生した場合、中間リード線25で2つの閉回路が
形成されるため、自己インダクタンスLが中間リード線
25を設けない場合の1/2に減少し、超電導界磁巻線
5a、5bに流れる界磁電流の減衰時定数が1/2に減
少する。このことは、一方では外部抵抗でのエネルギー
消費量が増加していることに対応しており、超電導界磁
巻線5a、5bの温度上昇が抑制される。又、保護抵抗
24a、24bの抵抗値Rを、例えば、それぞれR/2
にした場合は、界磁電流の減衰時定数は変化しないが、
遮断器23の投入時に超電導界磁巻線5で発生する電圧
は中間リード線25がない場合の1/2に減少すること
ができ、超電導界磁巻線5の絶縁部材(図示なし)を損
傷する可能性が低減される。保護抵抗24a、24bの
抵抗値を調整することで、超電導界磁巻線5に流れる界
磁電流の減衰時定数と超電導界磁巻線5に発生する電圧
を調整することが可能となるため、大容量超電導回転電
機の界磁巻線の設計裕度が向上する。
線5a若しくは5bにクエンチが発生しない限り、電流
は流れず、又、クエンチが発生した場合についても、流
れる電流は数秒間と極めて短時間であり、ジュール損失
による発熱が小さいため、可能な限り細いリード線の適
用が可能となる。
間位置5cと中間位置24cとの間に設けられた中間リ
ード線25にて2つの閉回路を形成することで、超電導
界磁巻線5の温度上昇、絶縁部材(図示なし)の損傷可
能性が低減されることを、電気回路による機能上の説明
により示したが、ここでは、実施の形態2として、これ
を実現する具体的構造を図2乃至図5について説明す
る。尚、図2は回転子の構造を示す断面図で、図3は図
2のA−A断面図、図4は図2のB−B断面図、図5は
超電導界磁巻線の展開図である。この図2乃至図5に示
す例では、超電導界磁巻線5を巻回する巻線取付軸4に
巻線取付軸4の外周と内周とを繋ぐ貫通穴27(以下、
第1の貫通穴ともいう)を設け、この第1の貫通穴27
に中間リード線25を固定すると共に、巻線取付軸4の
内周に取り出された中間リード線25をスリップリング
15に接続する軸方向導体28を設ける構成としてあ
る。従来の超電導界磁巻線5の電流リード線16では、
磁極部分4aに設けた貫通穴29に通していたが、極間
部分4bに設けられた貫通穴27から中間リード線25
を取り出すことで、巻線取付軸4の外径側表面から渡す
必要がなくなり、簡素で信頼性の高い構造を提供でき
る。又、図5では一例として貫通穴27の軸方向位置を
超電導界磁巻線5の中心に設けているが、貫通穴27は
軸方向の任意の位置に設けても問題はない。
電導界磁巻線5を巻回する巻線取付軸4に巻線取付軸4
の外周と内周を繋ぐ貫通穴27を設けることで、当該貫
通穴27を介して中間リード線25を巻線取付軸4の外
径側から内径側に通すことが構造上可能になる場合につ
いて述べたが、この実施の形態3では、図6に示すよう
に、巻線取付軸4に設けた第1の貫通穴27の軸対称位
置に、新たに当該第1の貫通穴27と同一形状の第2の
貫通穴30を設け、当該第2の貫通穴30に前記中間リ
ード線25と同一重量のダミーリード線31を配線、こ
の例では固定した構成とした。このように構成すると、
超電導回転電機の回転子が回転する際に発生するアンバ
ランスを解消することが可能となり、軸振動特性の向上
につながる。
間位置5cと中間位置24cとを電気的に接続するよう
に設けられた中間リード線25にて2つの閉回路を形成
することで、超電導界磁巻線5の温度上昇、絶縁部材
(図示なし)の損傷可能性が低減される場合について説
明したが、この実施の形態4では、図9に示すように、
超電導界磁巻線5を自己インダクタンスが1/3になる
ように5a、5b、5cと等分割した位置5d、5eと
抵抗値が同一である保護抵抗24a、24b、24cの
中間位置24d、24eに中間リード線25a、25b
を電気的に接続する構成とした。このように構成する
と、超電導界磁巻線5a、5b、5cの何れかにクエン
チが発生した場合、中間リード線25a、25bにより
3つの閉回路が形成されるため、自己インダクタンスL
が中間リード線25がない場合の1/3に減少し、超電
導界磁巻線5a、5b、5cに流れる界磁電流の減衰時
定数が小さくなり、超電導界磁巻線5a、5b、5cの
温度上昇を抑制させる。又、保護抵抗24a、24b、
24cの抵抗値Rを、例えば、それぞれR/3にした場
合、遮断器23の投入時に超電導界磁巻線5に発生する
電圧は、中間リード線がない場合の1/3に減少し、超
電導界磁巻線5の絶縁部材(図示なし)を損傷する可能
性が低減される。以上のように、この実施の形態4によ
れば、大容量化に対する超電導界磁巻線設計の裕度が上
記実施の形態1の場合より向上する。又、上記実施の形
態3を適用して、巻線取付軸4に設けた貫通穴27の軸
対称位置に、新たに貫通穴27と同一形状の第2の貫通
穴30を設けた場合には、中間リード線が25a、25
bと2本存在することになるため、ダミーリード線31
を採用することなく、超電導回転電機の回転子が回転す
る際に発生するアンバランスを解消することが可能とな
り、軸振動特性の向上につながる。
線がクエンチした場合、保護抵抗に電流が流れること
で、中間リード線にて、2つの閉回路が形成されるの
で、超電導界磁巻線に流れる界磁電流により蓄えられた
エネルギーを保護抵抗で消費させることができる。又、
中間リード線にて2つの閉回路が形成されるため、自己
インダクタンスLが大幅に減少し、超電導界磁巻線に流
れる界磁電流の減衰時定数を大幅に減少させることがで
き、従って又、超電導界磁巻線の温度上昇を大幅に抑制
することができる。又、保護抵抗の抵抗値Rを、例え
ば、それぞれR/2にした場合は、界磁電流の減衰時定
数は変化しないが、遮断器投入時に超電導界磁巻線で発
生する電圧は中間リード線がない場合の1/2に減少す
ることができ、超電導界磁巻線の絶縁部材を損傷する可
能性が著しく低減される。又、保護抵抗の抵抗値を調整
することで、超電導界磁巻線に流れる界磁電流の減衰時
定数と超電導界磁巻線に発生する電圧を調整することが
可能となるため、大容量超電導回転電機の界磁巻線の設
計裕度が著しく向上する。又、中間リード線には、超電
導界磁巻線にクエンチが発生しない限り、電流は流れ
ず、又、クエンチが発生した場合についても、流れる電
流は数秒間と極めて短時間でありジュール損失による発
熱が小さいため、可能な限り細いリード線の適用が可能
となる。
られた貫通穴から中間リード線を取り出すことで、巻線
取付軸の外径側表面から渡す必要がなくなり、簡素で信
頼性の高い構造を提供することができる。
の回転子が回転する際に発生するアンバランスを解消す
ることが可能となり、軸振動特性を著しく向上させるこ
とができる。
の何れかにクエンチが発生した場合、中間リード線によ
り3つの閉回路が形成されるため、自己インダクタンス
Lが大幅に減少し、超電導界磁巻線に流れる界磁電流の
減衰時定数が小さくなり、超電導界磁巻線の温度上昇を
抑制させることができる。又、保護抵抗の抵抗値Rを、
例えば、それぞれR/3にした場合、遮断器投入時に超
電導界磁巻線に発生する電圧が、中間リード線がない場
合の1/3に減少し、超電導界磁巻線の絶縁部材を損傷
させる可能性が著しく低減される。従って又、この実施
の形態4によれば、大容量化に対する超電導界磁巻線設
計の裕度をより一段と向上させることができる。更に
又、巻線取付軸に設けた貫通穴の軸対称位置に、新たに
貫通穴と同一形状の第2の貫通穴を設けた場合には、中
間リード線が2本存在することになるため、ダミーリー
ド線を採用することなく、超電導回転電機の回転子が回
転する際に発生するアンバランスを解消することが可能
となり、軸振動特性を向上させることができる。
の励磁回路を示す説明図である。
の構造を示す断面図である。
界磁巻線の展開図である。
の構造を示す断面図である。
の励磁回路を示す説明図である。
す断面図である。
展開図である。
を示す説明図である
リング、16 電流リード線、22 励磁電源、23
遮断器、24 保護抵抗、25 中間リード線、27
貫通穴、28 軸方向導体、29 貫通穴、31 ダミ
ーリード線。
Claims (4)
- 【請求項1】 超電導界磁巻線と、当該超電導界磁巻線
にスリップリングや電流リード線を介して界磁電流を供
給する励磁電源と、上記超電導界磁巻線と並列に接続さ
れ中間タップを有する保護抵抗と、上記超電導界磁巻線
にクエンチが発生した場合に上記超電導界磁巻線及び保
護抵抗の回路と上記励磁電源とを断路する遮断器を備え
た超電導回転電機の回転子において、 上記超電導界磁巻線の極間位置と上記保護抵抗の中間タ
ップ間を電気的に接続する中間リード線が設けられたこ
とを特徴とする超電導回転電機の回転子。 - 【請求項2】 超電導界磁巻線を巻回する巻線取付軸の
外周と内周を繋ぐ貫通穴を当該巻線取付軸に設け、当該
貫通穴に前記中間リード線を固定すると共に、上記巻線
取付軸内周に取り出された中間リード線をスリップリン
グに接続する軸方向導体が設けられたことを特徴とする
請求項1に記載の超電導回転電機の回転子。 - 【請求項3】 巻線取付軸に設けられた貫通穴に対して
軸対称位置に当該貫通穴と同一形状の第2の貫通穴を設
けて、当該第2の貫通穴に中間リード線と同一重量のダ
ミーリード線が固定されたことを特徴とする請求項2に
記載の超電導回転電機の回転子 - 【請求項4】 超電導界磁巻線を自己インダクタンスが
1/3になるように等分割した位置と抵抗値が同一であ
る3つの保護抵抗の中間位置が2本の中間リード線で電
気的に接続されたことを特徴とする請求項1又は請求項
2に記載の超電導回転電機の回転子。
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