JP2000252265A - 化合物半導体材料のエッチング方法および化合物半導体装置 - Google Patents
化合物半導体材料のエッチング方法および化合物半導体装置Info
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- JP2000252265A JP2000252265A JP11055313A JP5531399A JP2000252265A JP 2000252265 A JP2000252265 A JP 2000252265A JP 11055313 A JP11055313 A JP 11055313A JP 5531399 A JP5531399 A JP 5531399A JP 2000252265 A JP2000252265 A JP 2000252265A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本願発明は、高揮発性成分と低揮発性成分を
有する化合物半導体材料を低損失に加工を行なう方法を
提供するものである。 【解決手段】 本願発明は、エッチング励起用イオンと
してエッチングを行う化合物半導体の構成元素のイオン
と、ハロゲンあるいはハロゲン元素を有する化合物等の
ラジカル等化学的活性種を合わせ用いる。
有する化合物半導体材料を低損失に加工を行なう方法を
提供するものである。 【解決手段】 本願発明は、エッチング励起用イオンと
してエッチングを行う化合物半導体の構成元素のイオン
と、ハロゲンあるいはハロゲン元素を有する化合物等の
ラジカル等化学的活性種を合わせ用いる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本願発明は化合物半導体材料
の加工方法に関するものである。更には、本願はいわゆ
るドライ・エッチング方法に関するものである。
の加工方法に関するものである。更には、本願はいわゆ
るドライ・エッチング方法に関するものである。
【０００２】本加工方法は、特にレーザ素子，光変調
器，光導波路素子等の化合物半導体光装置あるいは化合
物半導体装置の製造工程に用いて有用である。
器，光導波路素子等の化合物半導体光装置あるいは化合
物半導体装置の製造工程に用いて有用である。
【０００３】
【従来の技術】一般に化合物半導体材料のドライエッチ
ングに際しては、特にその表面の組成ずれ、表面あれな
どが避け難かった。例えば、ＧａＮ，ＧａＰ，ＩｎＰ等
の化合物半導体材料のドライエッチングを行う際，Ｇ
ａ，Ｉｎ等のＩＩＩ族やＩＩ族元素は不揮発性の諸生成
物となり，Ｎ，Ｐ等のＶ族やＶＩ族の諸元素は揮発性の
諸生成物が形成される。両者の揮発性の違いから，被加
工物のエッチングされた後の表面はＧａ，Ｉｎ等のＩＩ
Ｉ族やＩＩ族の諸元素の比率が多い状態となり，被加工
物の表面領域のストイキオメトリの悪化から大気中の酸
素等と反応しやすい状態となる。この為、結果的に被加
工物の表面空乏層の増加等を起こすこととなる。
ングに際しては、特にその表面の組成ずれ、表面あれな
どが避け難かった。例えば、ＧａＮ，ＧａＰ，ＩｎＰ等
の化合物半導体材料のドライエッチングを行う際，Ｇ
ａ，Ｉｎ等のＩＩＩ族やＩＩ族元素は不揮発性の諸生成
物となり，Ｎ，Ｐ等のＶ族やＶＩ族の諸元素は揮発性の
諸生成物が形成される。両者の揮発性の違いから，被加
工物のエッチングされた後の表面はＧａ，Ｉｎ等のＩＩ
Ｉ族やＩＩ族の諸元素の比率が多い状態となり，被加工
物の表面領域のストイキオメトリの悪化から大気中の酸
素等と反応しやすい状態となる。この為、結果的に被加
工物の表面空乏層の増加等を起こすこととなる。
【０００４】従来の反応性イオンエッチングや反応性イ
オンビームエッチングによる方法等では，上記の反応生
成物揮発性の違いに起因する表面荒れやエッチング損傷
が多く，光素子の性能を大幅に悪化させる問題が報告さ
れている。こうした報告は、例えば，ジャーナル・オブ
・バキュームサイエンス・テクノロジー，Ｂ１４巻，３
冊，１９９６，ｐ１７５８〜１７６３（J. Vac. Sci. T
echnol. B14(3), 1996, p1758〜1763）やジャーナル・
オブ・バキュームサイエンス・テクノロジー，Ｂ１４
巻，３冊，１９９６，ｐ１７６４〜１７７２（J. Vac.
Sci. Technol. B14(3), 1996, p1764〜1772）に見られ
る。
オンビームエッチングによる方法等では，上記の反応生
成物揮発性の違いに起因する表面荒れやエッチング損傷
が多く，光素子の性能を大幅に悪化させる問題が報告さ
れている。こうした報告は、例えば，ジャーナル・オブ
・バキュームサイエンス・テクノロジー，Ｂ１４巻，３
冊，１９９６，ｐ１７５８〜１７６３（J. Vac. Sci. T
echnol. B14(3), 1996, p1758〜1763）やジャーナル・
オブ・バキュームサイエンス・テクノロジー，Ｂ１４
巻，３冊，１９９６，ｐ１７６４〜１７７２（J. Vac.
Sci. Technol. B14(3), 1996, p1764〜1772）に見られ
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本願発明は、化合物半
導体材料を低損傷に加工を行なう方法を提供するもので
ある。
導体材料を低損傷に加工を行なう方法を提供するもので
ある。
【０００６】前述したように、化合物半導体材料、例え
ばIII-Ｖ族の化合物半導体材料やII-ＶＩ族化合物半導
体材料等に見られるように、ドライ・エッチング時に揮
発し易い成分とこれと比較して揮発し難い成分を生成
し、その揮発性の相違から表面組成はそのストイキオメ
トリの悪化を招く。この為、化合物半導体材料は結晶表
面の荒れや結晶欠陥等の材料の損傷を発生し易い。
ばIII-Ｖ族の化合物半導体材料やII-ＶＩ族化合物半導
体材料等に見られるように、ドライ・エッチング時に揮
発し易い成分とこれと比較して揮発し難い成分を生成
し、その揮発性の相違から表面組成はそのストイキオメ
トリの悪化を招く。この為、化合物半導体材料は結晶表
面の荒れや結晶欠陥等の材料の損傷を発生し易い。
【０００７】本願発明はこうした問題点を解決した良好
な加工方法を提供するものである。
な加工方法を提供するものである。
【０００８】尚、本願明細書において、以下、上記揮発
し易い成分と上記これと比較して揮発し難い成分を各々
不揮発性成分、揮発性成分と称する。
し易い成分と上記これと比較して揮発し難い成分を各々
不揮発性成分、揮発性成分と称する。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本願に開示される代表的
な発明を列挙すれば次の通りである。
な発明を列挙すれば次の通りである。
【００１０】本願は、被加工物である化合物半導体材料
の構成元素の少なくとも一者のイオンと、ハロゲン元素
および当該化合物半導体材料の構成元素とハロゲン元素
とを少なくとも有する化合物の活性種の少なくとも一者
とによって、当該化合物半導体材料をエッチングするこ
とを特徴とする化合物半導体材料のエッチング方法であ
る。
の構成元素の少なくとも一者のイオンと、ハロゲン元素
および当該化合物半導体材料の構成元素とハロゲン元素
とを少なくとも有する化合物の活性種の少なくとも一者
とによって、当該化合物半導体材料をエッチングするこ
とを特徴とする化合物半導体材料のエッチング方法であ
る。
【００１１】また、本願は、化合物半導体材料を加工容
器内に準備し、当該化合物半導体材料の構成元素の少な
くとも一者のイオンを当該化合物半導体材料の加工面に
衝突せしめ、且つハロゲン元素および当該化合物半導体
材料の構成元素とハロゲン元素とを少なくとも有する化
合物の活性種の少なくとも一者を当該化合物半導体材料
の加工面に対して流入せしめることを特徴とする化合物
半導体材料のエッチング方法である。
器内に準備し、当該化合物半導体材料の構成元素の少な
くとも一者のイオンを当該化合物半導体材料の加工面に
衝突せしめ、且つハロゲン元素および当該化合物半導体
材料の構成元素とハロゲン元素とを少なくとも有する化
合物の活性種の少なくとも一者を当該化合物半導体材料
の加工面に対して流入せしめることを特徴とする化合物
半導体材料のエッチング方法である。
【００１２】また、本願は、被加工物である化合物半導
体材料の構成元素の少なくとも一者のイオンを反応性イ
オンとして用い、且つハロゲン元素および当該化合物半
導体材料の構成元素とハロゲン元素とを少なくとも有す
る化合物の活性種の少なくとも一者をエッチング種とし
て用いることによって、当該化合物半導体材料をエッチ
ングすることを特徴とする化合物半導体材料のエッチン
グ方法である。
体材料の構成元素の少なくとも一者のイオンを反応性イ
オンとして用い、且つハロゲン元素および当該化合物半
導体材料の構成元素とハロゲン元素とを少なくとも有す
る化合物の活性種の少なくとも一者をエッチング種とし
て用いることによって、当該化合物半導体材料をエッチ
ングすることを特徴とする化合物半導体材料のエッチン
グ方法である。
【００１３】また、本願は、化合物半導体材料を加工容
器内に準備し、当該化合物半導体材料の構成元素の少な
くとも一者のイオンをエッチング励起用として用い、且
つハロゲン元素および当該化合物半導体材料の構成元素
とハロゲン元素とを少なくとも有する化合物の活性種の
少なくとも一者を当該化合物半導体材料に対して流入せ
しめることを特徴とする化合物半導体材料のエッチング
方法である。
器内に準備し、当該化合物半導体材料の構成元素の少な
くとも一者のイオンをエッチング励起用として用い、且
つハロゲン元素および当該化合物半導体材料の構成元素
とハロゲン元素とを少なくとも有する化合物の活性種の
少なくとも一者を当該化合物半導体材料に対して流入せ
しめることを特徴とする化合物半導体材料のエッチング
方法である。
【００１４】以下に本願に係わる諸発明をより詳しく説
明する。
明する。
【００１５】（１）化合物半導体材料をドライエッチン
グにより加工するに際し、当該化合物半導体材料の構成
元素の少なくとも一者とハロゲン元素または当該化合物
半導体材料の構成元素とハロゲン元素を有する化合物の
ラジカルを少なくとも有する雰囲気でエッチングを行な
う化合物半導体材料の加工方法である。
グにより加工するに際し、当該化合物半導体材料の構成
元素の少なくとも一者とハロゲン元素または当該化合物
半導体材料の構成元素とハロゲン元素を有する化合物の
ラジカルを少なくとも有する雰囲気でエッチングを行な
う化合物半導体材料の加工方法である。
【００１６】前記化合物半導体材料の構成元素の少なく
とも一者はエッチング励起用の反応性イオンとして用
い、一方ハロゲン元素または当該化合物半導体材料の構
成元素とハロゲン元素を有する化合物のラジカル等の化
学的活性種を主なエッチング種として作用せしめる。
とも一者はエッチング励起用の反応性イオンとして用
い、一方ハロゲン元素または当該化合物半導体材料の構
成元素とハロゲン元素を有する化合物のラジカル等の化
学的活性種を主なエッチング種として作用せしめる。
【００１７】前記活性種としてハロゲン元素および当該
化合物半導体材料の構成元素とハロゲン元素とを少なく
とも有する化合物、Ｈ2、アルキルガス、Ｖ族元素又は
ＶＩ族元素の水素化物，アルキル化物またはハロゲン化
アルキルの群から選ばれた少なくとも一者を用いること
が出来る。これら諸元素、諸化合物などは後述される。
化合物半導体材料の構成元素とハロゲン元素とを少なく
とも有する化合物、Ｈ2、アルキルガス、Ｖ族元素又は
ＶＩ族元素の水素化物，アルキル化物またはハロゲン化
アルキルの群から選ばれた少なくとも一者を用いること
が出来る。これら諸元素、諸化合物などは後述される。
【００１８】化合物半導体材料は結晶表面の荒れや結晶
欠陥等を発生し難い状態で、化合物半導体材料の加工を
行なうことが可能である。同時に化合物半導体材料の構
成元素の少なくとも一者のイオンを用いることによっ
て、これまでの方法に比較してエッチング速度の速い加
工方法を提供出来ると言える。
欠陥等を発生し難い状態で、化合物半導体材料の加工を
行なうことが可能である。同時に化合物半導体材料の構
成元素の少なくとも一者のイオンを用いることによっ
て、これまでの方法に比較してエッチング速度の速い加
工方法を提供出来ると言える。
【００１９】（２）前記項目（１）のドライエッチング
は、通例０．０５〜１０ｍＴｏｒｒの圧力範囲において
これらエッチング励起用イオンと化学的活性種の相互作
用によりエッチングするのが好適である。
は、通例０．０５〜１０ｍＴｏｒｒの圧力範囲において
これらエッチング励起用イオンと化学的活性種の相互作
用によりエッチングするのが好適である。
【００２０】一般にこの圧力範囲では、極めてエッチン
グ速度の速い加工方法を提供出来る。この本願発明の第
２の形態は、化合物半導体材料の結晶表面の荒れや結晶
欠陥等を発生し難いと言う意味で極めて好ましい。
グ速度の速い加工方法を提供出来る。この本願発明の第
２の形態は、化合物半導体材料の結晶表面の荒れや結晶
欠陥等を発生し難いと言う意味で極めて好ましい。
【００２１】（３）前記項目（１）または（２）に記載
の化合物半導体材料が， III−V族化合物半導体またはI
I−VI族化合物半導体なるのが本願発明の代表的な形態
である。 III−V族化合物半導体の代表例として、Ｂ
Ｎ，ＢＰ，ＡｌＮ，ＡｌＰ，ＡｌＡｓ，ＧａＮ，ＧａＡ
ｓ，ＧａＰ，ＩｎＰ，ＩｎＡｓ等を挙げることが出来
る。又、 II−VI族化合物半導体の代表例として、Ｚｎ
Ｏ，ＺｎＳ，ＣｄＳ等を挙げることが出来る。
の化合物半導体材料が， III−V族化合物半導体またはI
I−VI族化合物半導体なるのが本願発明の代表的な形態
である。 III−V族化合物半導体の代表例として、Ｂ
Ｎ，ＢＰ，ＡｌＮ，ＡｌＰ，ＡｌＡｓ，ＧａＮ，ＧａＡ
ｓ，ＧａＰ，ＩｎＰ，ＩｎＡｓ等を挙げることが出来
る。又、 II−VI族化合物半導体の代表例として、Ｚｎ
Ｏ，ＺｎＳ，ＣｄＳ等を挙げることが出来る。
【００２２】（４）前記項目（１）―（３）に記載の加
工方法において、その化合物半導体材料の構成元素は，
Ｎ，Ｐ，Ａｓ等のＶ族元素またはＳ，Ｏ等のＶＩ族元素
の群より選ばれた少なくとも一者であることが、その代
表例である。
工方法において、その化合物半導体材料の構成元素は，
Ｎ，Ｐ，Ａｓ等のＶ族元素またはＳ，Ｏ等のＶＩ族元素
の群より選ばれた少なくとも一者であることが、その代
表例である。
【００２３】（５）前記項目（１）―（４）に記載の加
工方法において、そのハロゲンおよびハロゲンと化合物
半導体材料の構成元素の１つとの化合物が、Ｃｌ2，
Ｆ2，Ｂｒ2，Ｉ2等のハロゲンと、ＮＦ3，ＳＦ6，ＰＣ
ｌ3，ＡｓＣｌ3等のＶ族元素，ＶＩ族元素のハロゲン化
物またはこれらの混合物であることがその代表例であ
る。
工方法において、そのハロゲンおよびハロゲンと化合物
半導体材料の構成元素の１つとの化合物が、Ｃｌ2，
Ｆ2，Ｂｒ2，Ｉ2等のハロゲンと、ＮＦ3，ＳＦ6，ＰＣ
ｌ3，ＡｓＣｌ3等のＶ族元素，ＶＩ族元素のハロゲン化
物またはこれらの混合物であることがその代表例であ
る。
【００２４】（６）前記項目（５）に記載のハロゲン及
びハロゲン化合物の替わりに，Ｈ2またはＮＨ3またはＣ
Ｈ4，Ｃ2Ｈ6等のアルキルガスおよびＶ族元素，ＶＩ族
元素の水素化物，アルキル化物またはハロゲン化アルキ
ルを用いることが出来る。
びハロゲン化合物の替わりに，Ｈ2またはＮＨ3またはＣ
Ｈ4，Ｃ2Ｈ6等のアルキルガスおよびＶ族元素，ＶＩ族
元素の水素化物，アルキル化物またはハロゲン化アルキ
ルを用いることが出来る。
【００２５】こうした方法によって、化合物半導体材料
は結晶表面の荒れや結晶欠陥等を発生し難い状態で、化
合物半導体材料の加工を行なうことが可能である。同時
に化合物半導体材料の構成元素の少なくとも一者のイオ
ンを用いることによって、これまでの方法に比較してエ
ッチング速度の速い加工方法を提供出来ると言える。
は結晶表面の荒れや結晶欠陥等を発生し難い状態で、化
合物半導体材料の加工を行なうことが可能である。同時
に化合物半導体材料の構成元素の少なくとも一者のイオ
ンを用いることによって、これまでの方法に比較してエ
ッチング速度の速い加工方法を提供出来ると言える。
【００２６】本願発明の別な形態は、前述の化合物半導
体材料のエッチング方法を含む製造方法にて製造された
ことを特徴とする化合物半導体装置である。本願に係わ
る半導体装置は、損傷が少なく、成分比が適正な化合物
半導体材料にて構成され、良好な半導体装置の特性を得
ることが出来る。更には、その製造歩留まりは高い。更
には、製造経費は安価である。
体材料のエッチング方法を含む製造方法にて製造された
ことを特徴とする化合物半導体装置である。本願に係わ
る半導体装置は、損傷が少なく、成分比が適正な化合物
半導体材料にて構成され、良好な半導体装置の特性を得
ることが出来る。更には、その製造歩留まりは高い。更
には、製造経費は安価である。
【００２７】
【発明の実施の形態】［総論］発明の実施の諸形態を説
明するに先立って、本願発明の諸形態を詳細に説明す
る。
明するに先立って、本願発明の諸形態を詳細に説明す
る。
【００２８】この説明にあって、図１より図４を参酌す
る。図１は本願発明の加工原理を説明する説明図、図２
は本願発明を実施する為の加工装置の例を説明する為の
説明図、図３は励起イオンと化学的励起種の相互作用に
よるエッチングを説明する特性例を示す図、図４は反応
室のガス圧とエッチング速度の関係の例を示す図であ
る。
る。図１は本願発明の加工原理を説明する説明図、図２
は本願発明を実施する為の加工装置の例を説明する為の
説明図、図３は励起イオンと化学的励起種の相互作用に
よるエッチングを説明する特性例を示す図、図４は反応
室のガス圧とエッチング速度の関係の例を示す図であ
る。
【００２９】本願発明の問題点は、化合物半導体材料は
結晶表面の荒れや結晶欠陥等を発生を防止するにある。
この主原因は、これまで説明してきたように、化合物半
導体材料の加工時、化合物半導体材料の有する不揮発性
成分と揮発性成分が生成し、その揮発性の相違から表面
組成はそのストイキオメトリの悪化を招くことにある。
結晶表面の荒れや結晶欠陥等を発生を防止するにある。
この主原因は、これまで説明してきたように、化合物半
導体材料の加工時、化合物半導体材料の有する不揮発性
成分と揮発性成分が生成し、その揮発性の相違から表面
組成はそのストイキオメトリの悪化を招くことにある。
【００３０】化合物半導体をハロゲン系ガスを用いてエ
ッチング加工する際，予想される反応生成物は，一般的
にＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の場合にはＶ族元素のハロ
ゲン化物、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体の場合にはＶＩ族
元素のハロゲン化物である。そして、これらの物質の揮
発性が大きい。従って、これらの元素は被加工物より容
易に除去される。これに対しＩＩＩ族，ＩＩ族の元素は
揮発性が低く，一旦表面から解離しても再吸着したりエ
ッチング反応室内壁に付着する等，容易に反応室外には
排出されない。従って，エッチング後の表面はＶ族、Ｖ
Ｉ族元素が選択的に除去され，必然的にＩＩＩ族，ＩＩ
族元素がリッチな状態となる。この為、例えばバイアス
条件等によっては被加工物の表面荒れを起こすのであ
る。
ッチング加工する際，予想される反応生成物は，一般的
にＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の場合にはＶ族元素のハロ
ゲン化物、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体の場合にはＶＩ族
元素のハロゲン化物である。そして、これらの物質の揮
発性が大きい。従って、これらの元素は被加工物より容
易に除去される。これに対しＩＩＩ族，ＩＩ族の元素は
揮発性が低く，一旦表面から解離しても再吸着したりエ
ッチング反応室内壁に付着する等，容易に反応室外には
排出されない。従って，エッチング後の表面はＶ族、Ｖ
Ｉ族元素が選択的に除去され，必然的にＩＩＩ族，ＩＩ
族元素がリッチな状態となる。この為、例えばバイアス
条件等によっては被加工物の表面荒れを起こすのであ
る。
【００３１】この課題を解決するための本願発明の方法
の骨子は次の通りである。本願発明の方法では、通例の
ドライ・エッチングで使用する化学的活性種に加えて、
エッチングの為の励起イオンとしてＶ族およびＶＩ族元
素を利用する。これらのイオンを用いることで，エッチ
ング表面におけるＶ族，ＶＩ族元素の選択的な脱離が抑
制される。
の骨子は次の通りである。本願発明の方法では、通例の
ドライ・エッチングで使用する化学的活性種に加えて、
エッチングの為の励起イオンとしてＶ族およびＶＩ族元
素を利用する。これらのイオンを用いることで，エッチ
ング表面におけるＶ族，ＶＩ族元素の選択的な脱離が抑
制される。
【００３２】尚、この場合、バッファ・ガスとして、通
常のドライ・エッチングの場合と同様に、各種不活性ガ
ス、例えばヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、
キセノンなどを用いることが出来る。このバッファ・ガ
スはエッチングの為イオン源としてのプラズマを安定し
て得るのに有用である。
常のドライ・エッチングの場合と同様に、各種不活性ガ
ス、例えばヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、
キセノンなどを用いることが出来る。このバッファ・ガ
スはエッチングの為イオン源としてのプラズマを安定し
て得るのに有用である。
【００３３】ドライ・エッチングの代表的な諸例として
は、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ：ｒｅａｃｔｉｖ
ｅ ｉｏｎ ｅｔｃｈｉｎｇ）、反応性イオンビームエッ
チング（ＲＩＢＥ：ｒｅａｃｔｉｖｅ ｉｏｎ ｂｅａｍ
ｅｔｃｈｉｎｇ）、あるいはケミカルアシスト型イオ
ンビームエッチング（ＣＡＩＢＥ：ｃｈｅｍｉｃａｌｌ
ｙ ａｓｓｉｓｔｅｄ ｂｅａｍ ｅｔｃｈｉｎｇ）、Ｉ
ＣＰ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓ
ｍａ）エッチング、ＥＣＲ（ＥｌｅｃｔｒｏｎＣｙｃｒ
ｏｔｒｏｎ Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）エッチング、マグネ
トロンエッチングなどを挙げることが出来る。どの基本
方式に準拠しても本願発明の方法を適用して、その効果
を奏することが出来る。
は、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ：ｒｅａｃｔｉｖ
ｅ ｉｏｎ ｅｔｃｈｉｎｇ）、反応性イオンビームエッ
チング（ＲＩＢＥ：ｒｅａｃｔｉｖｅ ｉｏｎ ｂｅａｍ
ｅｔｃｈｉｎｇ）、あるいはケミカルアシスト型イオ
ンビームエッチング（ＣＡＩＢＥ：ｃｈｅｍｉｃａｌｌ
ｙ ａｓｓｉｓｔｅｄ ｂｅａｍ ｅｔｃｈｉｎｇ）、Ｉ
ＣＰ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓ
ｍａ）エッチング、ＥＣＲ（ＥｌｅｃｔｒｏｎＣｙｃｒ
ｏｔｒｏｎ Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）エッチング、マグネ
トロンエッチングなどを挙げることが出来る。どの基本
方式に準拠しても本願発明の方法を適用して、その効果
を奏することが出来る。
【００３４】本願発明の骨子は、前述のように通例のド
ライ・エッチングで使用する化学的活性種に加えて、エ
ッチングの為の励起イオンとしてＶ族およびＶＩ族元素
を利用するもので、この趣旨に添ったエッチング条件の
設定以外、その他の例えば、エッチング装置、方法、あ
るいは食刻用マスクを使用する場合はそのマスク等は、
通例のものに準じて良い。又、そのイオンの励起は励起
の形式を問わない。
ライ・エッチングで使用する化学的活性種に加えて、エ
ッチングの為の励起イオンとしてＶ族およびＶＩ族元素
を利用するもので、この趣旨に添ったエッチング条件の
設定以外、その他の例えば、エッチング装置、方法、あ
るいは食刻用マスクを使用する場合はそのマスク等は、
通例のものに準じて良い。又、そのイオンの励起は励起
の形式を問わない。
【００３５】本願発明の原理は次の通りである。図１の
模式図に見られるように、化合物半導体材料基板１にエ
ッチングの為の励起用イオン３を入射させる。そして、
この励起用イオン３が衝撃を与えた化合物半導体基板１
の部位５がエッチングされるのであるが、本願発明にお
いては、励起用イオン３とは別に、前述したように、例
えばハロゲンおよびＶ族、ＶＩ族元素のハロゲン化物の
ラジカル等の化学的活性種４を生成して与えるものであ
る。この化学的活性種４が前記化合物半導体基板１の部
位５を攻撃し，エッチングが促進される。そして、所望
の加工部６が形成される。
模式図に見られるように、化合物半導体材料基板１にエ
ッチングの為の励起用イオン３を入射させる。そして、
この励起用イオン３が衝撃を与えた化合物半導体基板１
の部位５がエッチングされるのであるが、本願発明にお
いては、励起用イオン３とは別に、前述したように、例
えばハロゲンおよびＶ族、ＶＩ族元素のハロゲン化物の
ラジカル等の化学的活性種４を生成して与えるものであ
る。この化学的活性種４が前記化合物半導体基板１の部
位５を攻撃し，エッチングが促進される。そして、所望
の加工部６が形成される。
【００３６】尚、図１において、符号２は化学的活性種
の導入管である。
の導入管である。
【００３７】本願発明は、蒸気圧の異なる成分元素を含
有する化合物半導体材料に広く適用可能である。
有する化合物半導体材料に広く適用可能である。
【００３８】III−Ｖ族化合物半導体の諸例を例示すれ
ば、ＧａＡｓ，ＡｌＧａＡｓ，ＩｎＧａＡｓ，ＩｎＡｌ
Ａｓ，ＡｌＡｓ，ＩｎＡｓ，ＩｎＰ，ＡｌＩｎＰ，Ｉｎ
ＧａＰ，ＡｌＧａＰ，ＧａＰ，ＡｌＰ，ＢＰ，ＧａＮ，
ＡｌＮ，ＡｌＧａＮ，ＩｎＮ、ＡｌＩｎＮ，ＩｎＧｓ
Ｎ，ＢＮ，ＧａＳｂ，ＩｎＳｂ，ＡｌＳｂ，ＡｌＧａＳ
ｂ，ＩｎＧａＳｂ，ＩｎＡｌＳｂ、あるいはこれらの可
能な混晶を挙げることが出来る。又、ＩＩ−ＩＶ族化合
物半導体の諸例を例示すれば、ＺｎＳ，ＣｄＳ，Ｚｎ
Ｏ，ＺｎＳｅ，ＣｄＳｅ，ＺｎＴｅ，ＣｄＴｅ，あるい
はこれらの可能な混晶を挙げることが出来る。
ば、ＧａＡｓ，ＡｌＧａＡｓ，ＩｎＧａＡｓ，ＩｎＡｌ
Ａｓ，ＡｌＡｓ，ＩｎＡｓ，ＩｎＰ，ＡｌＩｎＰ，Ｉｎ
ＧａＰ，ＡｌＧａＰ，ＧａＰ，ＡｌＰ，ＢＰ，ＧａＮ，
ＡｌＮ，ＡｌＧａＮ，ＩｎＮ、ＡｌＩｎＮ，ＩｎＧｓ
Ｎ，ＢＮ，ＧａＳｂ，ＩｎＳｂ，ＡｌＳｂ，ＡｌＧａＳ
ｂ，ＩｎＧａＳｂ，ＩｎＡｌＳｂ、あるいはこれらの可
能な混晶を挙げることが出来る。又、ＩＩ−ＩＶ族化合
物半導体の諸例を例示すれば、ＺｎＳ，ＣｄＳ，Ｚｎ
Ｏ，ＺｎＳｅ，ＣｄＳｅ，ＺｎＴｅ，ＣｄＴｅ，あるい
はこれらの可能な混晶を挙げることが出来る。
【００３９】上記の諸例の内、一般的にＧａＡｓ，Ａｌ
ＧａＡｓ，ＩｎＧａＡｓ，ＩｎＡｌＡｓ，ＡｌＡｓ，Ｉ
ｎＡｓ，ＩｎＰ，ＡｌＩｎＰ，ＩｎＧａＰ，ＡｌＧａ
Ｐ，ＧａＰ、ＧａＮ，ＡｌＮ，ＡｌＧａＮなどのＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体、ＺｎＳ，ＣｄＳ，ＺｎＯ，ＺｎＳ
ｅ，ＣｄＳｅなどのＩＩ−ＶＩ族化合物半導体が、より
有効に本願発明の効果を奏する半導体材料と言うことが
出来る。
ＧａＡｓ，ＩｎＧａＡｓ，ＩｎＡｌＡｓ，ＡｌＡｓ，Ｉ
ｎＡｓ，ＩｎＰ，ＡｌＩｎＰ，ＩｎＧａＰ，ＡｌＧａ
Ｐ，ＧａＰ、ＧａＮ，ＡｌＮ，ＡｌＧａＮなどのＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体、ＺｎＳ，ＣｄＳ，ＺｎＯ，ＺｎＳ
ｅ，ＣｄＳｅなどのＩＩ−ＶＩ族化合物半導体が、より
有効に本願発明の効果を奏する半導体材料と言うことが
出来る。
【００４０】前述のように、本願発明では、当該化合物
半導体材料の構成元素の少なくとも一者をエッチング励
起用の反応性イオンとして用い、ハロゲン元素または当
該化合物半導体材料の構成元素とハロゲン元素を有する
化合物のラジカルを化学的活性種を主なエッチング種と
して用いる。
半導体材料の構成元素の少なくとも一者をエッチング励
起用の反応性イオンとして用い、ハロゲン元素または当
該化合物半導体材料の構成元素とハロゲン元素を有する
化合物のラジカルを化学的活性種を主なエッチング種と
して用いる。
【００４１】ハロゲンとしては勿論、Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，
およびＩを挙げることが出来る。そして、これらは活性
種として用いることが肝要である。
およびＩを挙げることが出来る。そして、これらは活性
種として用いることが肝要である。
【００４２】又、ハロゲン化合物の諸例としては、Ａｓ
Ｆ3，ＡｓＦ5，ＡｓＣｌ3，ＡｓＢｒ3，ＡｓＩ2，Ａｓ
Ｉ3，ＡｓＩ5，ＰＦ3，ＰＦ5、ＰＣｌ3，ＰＣｌ5，ＰＢ
ｒ3，ＰＢｒ5，ＰＢｒ2Ｃｌ3，ＰＩ3，Ｐ2Ｉ4，ＮＦ3，
ＮＦ2ＮＦ2，ＮＣｌ3，ＮＩ3，ＳｂＦ5，ＳｂＣｌ3，お
よびＳｂＢｒ3を挙げることが出来る。これらは、主と
してＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体用に用いて有用である。
又、これらを活性種として用いることが肝要であること
はハロゲンの場合と同様である。上記の諸例の内、一般
的にＡｓＦ3，ＡｓＦ5，ＡｓＣｌ3，ＡｓＢｒ3，Ｐ
Ｆ3，ＰＦ5、ＰＣｌ3，ＰＣｌ5，ＰＢｒ3，ＰＢｒ5，Ｐ
Ｂｒ2Ｃｌ3，ＰＩ3，ＮＦ3，ＮＦ2ＮＦ2，ＮＣｌ3，Ｎ
Ｉ3などがより有効に本願発明の効果を奏するハロゲン
化物であると言うことが出来る。
Ｆ3，ＡｓＦ5，ＡｓＣｌ3，ＡｓＢｒ3，ＡｓＩ2，Ａｓ
Ｉ3，ＡｓＩ5，ＰＦ3，ＰＦ5、ＰＣｌ3，ＰＣｌ5，ＰＢ
ｒ3，ＰＢｒ5，ＰＢｒ2Ｃｌ3，ＰＩ3，Ｐ2Ｉ4，ＮＦ3，
ＮＦ2ＮＦ2，ＮＣｌ3，ＮＩ3，ＳｂＦ5，ＳｂＣｌ3，お
よびＳｂＢｒ3を挙げることが出来る。これらは、主と
してＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体用に用いて有用である。
又、これらを活性種として用いることが肝要であること
はハロゲンの場合と同様である。上記の諸例の内、一般
的にＡｓＦ3，ＡｓＦ5，ＡｓＣｌ3，ＡｓＢｒ3，Ｐ
Ｆ3，ＰＦ5、ＰＣｌ3，ＰＣｌ5，ＰＢｒ3，ＰＢｒ5，Ｐ
Ｂｒ2Ｃｌ3，ＰＩ3，ＮＦ3，ＮＦ2ＮＦ2，ＮＣｌ3，Ｎ
Ｉ3などがより有効に本願発明の効果を奏するハロゲン
化物であると言うことが出来る。
【００４３】更に、ハロゲン化合物の諸例として、ＳＦ
4，ＳＦ6，Ｓ2Ｃｌ2，ＳＣｌ2，ＳＣｌ4，ＯＦ2，Ｏ2Ｆ
2，Ｏ3Ｆ2，ＯＣｌ2，ＯＢｒ2，ＳｅＦ4，ＳｅＦ6，Ｓ
ｅ2Ｃｌ2，ＳｅＣｌ4，Ｓｅ2Ｂｒ2，ＳｅＢｒ4，ＳｅＩ
4，ＴｅＦ4，ＴｅＦ6，ＴｅＣｌ2，ＴｅＦ4，ＴｅＦ6，
ＴｅＣｌ2，ＴｅＣｌ4，ＴｅＢｒ2，ＴｅＢｒ4，ＴｅＩ
4などを挙げることが出来る。これらは、主としてＩＩ
−ＶＩ族化合物半導体用に用いて有用である。そして、
これらは活性種として用いることが肝要である。上記の
諸例の内、一般的にＳＦ4，ＳＦ6，Ｓ2Ｃｌ2，ＳＣ
ｌ2，ＳＣｌ4などがより有効に本願発明の効果を奏する
ハロゲン化物であると言うことが出来る。
4，ＳＦ6，Ｓ2Ｃｌ2，ＳＣｌ2，ＳＣｌ4，ＯＦ2，Ｏ2Ｆ
2，Ｏ3Ｆ2，ＯＣｌ2，ＯＢｒ2，ＳｅＦ4，ＳｅＦ6，Ｓ
ｅ2Ｃｌ2，ＳｅＣｌ4，Ｓｅ2Ｂｒ2，ＳｅＢｒ4，ＳｅＩ
4，ＴｅＦ4，ＴｅＦ6，ＴｅＣｌ2，ＴｅＦ4，ＴｅＦ6，
ＴｅＣｌ2，ＴｅＣｌ4，ＴｅＢｒ2，ＴｅＢｒ4，ＴｅＩ
4などを挙げることが出来る。これらは、主としてＩＩ
−ＶＩ族化合物半導体用に用いて有用である。そして、
これらは活性種として用いることが肝要である。上記の
諸例の内、一般的にＳＦ4，ＳＦ6，Ｓ2Ｃｌ2，ＳＣ
ｌ2，ＳＣｌ4などがより有効に本願発明の効果を奏する
ハロゲン化物であると言うことが出来る。
【００４４】更に、前記ハロゲンおよびハロゲン化合物
の替わりに，Ｈ2またはＮＨ3またはＣＨ4，Ｃ2Ｈ6等の
アルキルガスおよびＶ族元素ＶＩ族元素の水素化物，ア
ルキル化物またはハロゲン化アルキルを用いることも可
能である。
の替わりに，Ｈ2またはＮＨ3またはＣＨ4，Ｃ2Ｈ6等の
アルキルガスおよびＶ族元素ＶＩ族元素の水素化物，ア
ルキル化物またはハロゲン化アルキルを用いることも可
能である。
【００４５】化学的活性種として、アルキル、ハロゲン
化アルキル等の諸例は、Ｈ2，ＮＨ3，ＣＨ4，Ｃ2Ｈ6，
Ｃ3Ｈ8，あるいはＣnＨ2n+2（ｎ＝整数、現実的にはｎ
＝１〜８であろう）、ＣＨ3Ｃｌ，Ｃ2Ｈ5Ｃｌ，ＣＨ3Ｂ
ｒ，Ｃ2Ｈ5Ｂｒ，ＣＨＣｌ3，ＨＦ，ＨＣｌ，ＨＢｒ，
およびＨＩを挙げることが出来る。そして、これらは活
性種として用いることが肝要である。これらはＩＩＩ−
Ｖ族およびＩＩ―ＶＩ族の化合物半導体材料に用いるこ
とが出来る。上記の諸例の内、一般的にＨ2，ＮＨ3，Ｃ
Ｈ4，Ｃ2Ｈ6，Ｃ3Ｈ8，ＣＨ3Ｃｌ，Ｃ2Ｈ5Ｃｌ，ＣＨ3
Ｂｒ，ＣＨＣｌ3，ＨＦ，ＨＣｌ，ＨＢｒなどがより有
効に本願発明の効果を奏するハロゲン化アルキルである
と言うことが出来る。
化アルキル等の諸例は、Ｈ2，ＮＨ3，ＣＨ4，Ｃ2Ｈ6，
Ｃ3Ｈ8，あるいはＣnＨ2n+2（ｎ＝整数、現実的にはｎ
＝１〜８であろう）、ＣＨ3Ｃｌ，Ｃ2Ｈ5Ｃｌ，ＣＨ3Ｂ
ｒ，Ｃ2Ｈ5Ｂｒ，ＣＨＣｌ3，ＨＦ，ＨＣｌ，ＨＢｒ，
およびＨＩを挙げることが出来る。そして、これらは活
性種として用いることが肝要である。これらはＩＩＩ−
Ｖ族およびＩＩ―ＶＩ族の化合物半導体材料に用いるこ
とが出来る。上記の諸例の内、一般的にＨ2，ＮＨ3，Ｃ
Ｈ4，Ｃ2Ｈ6，Ｃ3Ｈ8，ＣＨ3Ｃｌ，Ｃ2Ｈ5Ｃｌ，ＣＨ3
Ｂｒ，ＣＨＣｌ3，ＨＦ，ＨＣｌ，ＨＢｒなどがより有
効に本願発明の効果を奏するハロゲン化アルキルである
と言うことが出来る。
【００４６】更に、アルキルに準ずる活性種としての有
機金属化合物として、ＡｓＨ3，Ａｓ（ＣＨ3）3，Ａｓ
（Ｃ2Ｈ5））3，ＰＨ3，Ｐ2Ｈ4，ＰＨ4Ｃｌ，ＰＨ4Ｂ
ｒ，ＰＨ4Ｉ，Ｐ（ＣＨ3）3，Ｐ（Ｃ2Ｈ5）3，ＮＨ
4Ｆ，ＮＨ4Ｃｌ，ＮＨ4Ｂｒ，ＮＨ4Ｉ，ＳｂＨ3，Ｓｂ
（ＣＨ3）3，Ｓｂ（Ｃ2Ｈ5）3などを挙げることが出来
る。これらは、主としてＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体用に
用いて有用である。又、これらを活性種として用いるこ
とが肝要であることはハロゲンの場合と同様である。上
記の諸例の内、一般的にＡｓＨ3，Ａｓ（ＣＨ3）3，Ａ
ｓ（Ｃ2Ｈ5））3，ＰＨ3,P2Ｈ4，ＰＨ4Ｃｌ，ＰＨ4Ｂ
ｒ，ＰＨ4Ｉ，Ｐ（ＣＨ3）3，Ｐ（Ｃ2Ｈ5）3などがより
有効に本願発明の効果を奏するハロゲン化物であると言
うことが出来る。
機金属化合物として、ＡｓＨ3，Ａｓ（ＣＨ3）3，Ａｓ
（Ｃ2Ｈ5））3，ＰＨ3，Ｐ2Ｈ4，ＰＨ4Ｃｌ，ＰＨ4Ｂ
ｒ，ＰＨ4Ｉ，Ｐ（ＣＨ3）3，Ｐ（Ｃ2Ｈ5）3，ＮＨ
4Ｆ，ＮＨ4Ｃｌ，ＮＨ4Ｂｒ，ＮＨ4Ｉ，ＳｂＨ3，Ｓｂ
（ＣＨ3）3，Ｓｂ（Ｃ2Ｈ5）3などを挙げることが出来
る。これらは、主としてＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体用に
用いて有用である。又、これらを活性種として用いるこ
とが肝要であることはハロゲンの場合と同様である。上
記の諸例の内、一般的にＡｓＨ3，Ａｓ（ＣＨ3）3，Ａ
ｓ（Ｃ2Ｈ5））3，ＰＨ3,P2Ｈ4，ＰＨ4Ｃｌ，ＰＨ4Ｂ
ｒ，ＰＨ4Ｉ，Ｐ（ＣＨ3）3，Ｐ（Ｃ2Ｈ5）3などがより
有効に本願発明の効果を奏するハロゲン化物であると言
うことが出来る。
【００４７】更に、アルキルに準ずる活性種としての有
機金属化合物として、Ｈ2Ｓ，Ｓ（ＣＨ3）3，Ｓ（Ｃ2Ｈ
5）3，Ｈ2Ｓｅ，Ｓｅ（ＣＨ3）3，Ｓｅ（Ｃ2Ｈ5）３，
Ｈ2Ｔｅ，Ｔｅ（ＣＨ3）3，Ｔｅ（Ｃ2Ｈ5）3などを挙げ
ることが出来る。これらは、主としてＩＩ−ＶＩ族化合
物半導体用に用いて有用である。又、これらを活性種と
して用いることが肝要であることはハロゲンの場合と同
様である。上記の諸例の内、一般的にＨ2Ｓ，Ｓ（Ｃ
Ｈ3）3，Ｓ（Ｃ2Ｈ5）3などがより有効に本願発明の効
果を奏するハロゲン化物であると言うことが出来る。
機金属化合物として、Ｈ2Ｓ，Ｓ（ＣＨ3）3，Ｓ（Ｃ2Ｈ
5）3，Ｈ2Ｓｅ，Ｓｅ（ＣＨ3）3，Ｓｅ（Ｃ2Ｈ5）３，
Ｈ2Ｔｅ，Ｔｅ（ＣＨ3）3，Ｔｅ（Ｃ2Ｈ5）3などを挙げ
ることが出来る。これらは、主としてＩＩ−ＶＩ族化合
物半導体用に用いて有用である。又、これらを活性種と
して用いることが肝要であることはハロゲンの場合と同
様である。上記の諸例の内、一般的にＨ2Ｓ，Ｓ（Ｃ
Ｈ3）3，Ｓ（Ｃ2Ｈ5）3などがより有効に本願発明の効
果を奏するハロゲン化物であると言うことが出来る。
【００４８】表１に化合物半導体材料に対しての励起イ
オン源および化学的活性種の実用的に有用な諸例を取り
まとめた。又、表２には化合物半導体材料に対して実用
的に有用な水素化物，アルキル化物またはハロゲン化ア
ルキルの諸例を例示する。
オン源および化学的活性種の実用的に有用な諸例を取り
まとめた。又、表２には化合物半導体材料に対して実用
的に有用な水素化物，アルキル化物またはハロゲン化ア
ルキルの諸例を例示する。
【００４９】更に、表３に上記化合物半導体材料に対し
ての励起イオンの形式、および表４にエッチング反応に
有効な励起イオン、活性種の分圧の範囲の目安を示す。
励起イオンの形式はいずれの形式を用いることが出来
る。
ての励起イオンの形式、および表４にエッチング反応に
有効な励起イオン、活性種の分圧の範囲の目安を示す。
励起イオンの形式はいずれの形式を用いることが出来
る。
【００５０】また、本発明の実施には、イオンの価数、
正負はいずれのものも用いることが出来る。尚、バッフ
ァガスを用いる場合、これらのイオンも含めて考慮され
る。但し、正イオンの場合にはカソ−ド結合型もしくは
陽極（直流バイアスの場合）型のバイアス電極を用いる
必要がある。また、負イオンの場合にはアノ−ド結合型
もしくは陰極（直流バイアスの場合）型のバイアス電極
を用いる必要がある。
正負はいずれのものも用いることが出来る。尚、バッフ
ァガスを用いる場合、これらのイオンも含めて考慮され
る。但し、正イオンの場合にはカソ−ド結合型もしくは
陽極（直流バイアスの場合）型のバイアス電極を用いる
必要がある。また、負イオンの場合にはアノ−ド結合型
もしくは陰極（直流バイアスの場合）型のバイアス電極
を用いる必要がある。
【００５１】尚、表４において、各分圧は有効にエッチ
ング出来るそれぞれの分圧の目安を示す。また、励起イ
オン分圧と活性種分圧は両者の合計が１００％となされ
ることは言うまでもない。
ング出来るそれぞれの分圧の目安を示す。また、励起イ
オン分圧と活性種分圧は両者の合計が１００％となされ
ることは言うまでもない。
【００５２】
【表１】
【００５３】
【表２】
【００５４】
【表３】
【００５５】
【表４】
【００５６】尚、各表において、（１）励起イオンは励
起の形式を問わない。（２）化学的活性種はラジカル等
電荷を有さない反応種を示す。（３）ハロゲン化物の場
合は分解して活性種を形成するなど、その形式は問わ
ず、導入する原料として示している。勿論、本願の目的
に使用する時には、活性種となっていることを要する。
又、アルキル、ハロゲン化物、有機金属化合物の場合の
同様に表では原料を示している。勿論、本願の目的に使
用する時には、活性種となっていることを要する。
起の形式を問わない。（２）化学的活性種はラジカル等
電荷を有さない反応種を示す。（３）ハロゲン化物の場
合は分解して活性種を形成するなど、その形式は問わ
ず、導入する原料として示している。勿論、本願の目的
に使用する時には、活性種となっていることを要する。
又、アルキル、ハロゲン化物、有機金属化合物の場合の
同様に表では原料を示している。勿論、本願の目的に使
用する時には、活性種となっていることを要する。
【００５７】次に、エッチング装置について、説明す
る。図２は本発明のエッチングを行うための代表的な装
置の例を説明したものである。図２の例では、電磁コイ
ル（８７５Ｇ）１４を用いた電子サイクロトロン共鳴型
（ＥＣＲ：ｅｌｅｃｔｒｏｎｃｙｃｒｏｔｒｏｎ ｒｅ
ｓｏｎａｎｃｅ）のＲＩＢＥ装置が示される。しかし、
イオン源としては誘導結合プラズマ等その他のイオン化
率良好な装置でも勿論良い。
る。図２は本発明のエッチングを行うための代表的な装
置の例を説明したものである。図２の例では、電磁コイ
ル（８７５Ｇ）１４を用いた電子サイクロトロン共鳴型
（ＥＣＲ：ｅｌｅｃｔｒｏｎｃｙｃｒｏｔｒｏｎ ｒｅ
ｓｏｎａｎｃｅ）のＲＩＢＥ装置が示される。しかし、
イオン源としては誘導結合プラズマ等その他のイオン化
率良好な装置でも勿論良い。
【００５８】このエッチング装置は、励起用反応性イオ
ン源１１とそのバイアス電極１９，ラジカル等化学的エ
ッチング種発生装置１２を少なくとも有して構成され
る。勿論、これらの諸部分は真空容器に連結され、前記
バイアス電極１９に対応して試料台が準備されれてい
る。プラズマ室には導波管を用いてマイクロ波が導入さ
れる。プラズマ室の外周には、通例軸対称磁場を発生す
る円筒形コイル１４が配置されており、ＥＣＲ条件近傍
の磁束密度（８７５Ｇ）を生じるようにしている。マイ
クロ波によって電離、発生した電子はサイクロトロン運
動を行ないながら、ガスと衝突を繰り返す。プラズマ室
の下部は通例多孔式のイオン取り出し電極があり、指向
性の良いイオンビームを取り出すことが出来る。
ン源１１とそのバイアス電極１９，ラジカル等化学的エ
ッチング種発生装置１２を少なくとも有して構成され
る。勿論、これらの諸部分は真空容器に連結され、前記
バイアス電極１９に対応して試料台が準備されれてい
る。プラズマ室には導波管を用いてマイクロ波が導入さ
れる。プラズマ室の外周には、通例軸対称磁場を発生す
る円筒形コイル１４が配置されており、ＥＣＲ条件近傍
の磁束密度（８７５Ｇ）を生じるようにしている。マイ
クロ波によって電離、発生した電子はサイクロトロン運
動を行ないながら、ガスと衝突を繰り返す。プラズマ室
の下部は通例多孔式のイオン取り出し電極があり、指向
性の良いイオンビームを取り出すことが出来る。
【００５９】イオン源１１ではエッチングを行う化合物
半導体のＶ族またはＶＩ族元素をイオン化する。この
時、蒸気圧の低い元素、固体元素でも高効率のイオン化
を可能とするためにこのイオン源前段はヒータ１８によ
る加熱を行う。
半導体のＶ族またはＶＩ族元素をイオン化する。この
時、蒸気圧の低い元素、固体元素でも高効率のイオン化
を可能とするためにこのイオン源前段はヒータ１８によ
る加熱を行う。
【００６０】このイオン源で発生したエッチング励起用
Ｖ族、ＶＩ族イオンをカソード結合電極１９に１３．５
６ＭＨｚのＲＦバイアスを加えて，エッチングを行う化
合物半導体基板２０に引き込む。バイアス電極は，ＲＦ
バイアスでも、直流バイアスでも差し支えない。
Ｖ族、ＶＩ族イオンをカソード結合電極１９に１３．５
６ＭＨｚのＲＦバイアスを加えて，エッチングを行う化
合物半導体基板２０に引き込む。バイアス電極は，ＲＦ
バイアスでも、直流バイアスでも差し支えない。
【００６１】本願発明では、上記した通例のＲＩＢＥ装
置に更に、化学種の発生装置１２を設ける。この化学種
の試料台への導入は、当該化合物半導体試料の近傍に行
なう。
置に更に、化学種の発生装置１２を設ける。この化学種
の試料台への導入は、当該化合物半導体試料の近傍に行
なう。
【００６２】エッチング励起用Ｖ族，ＶＩ族イオンは，
化合物半導体に衝撃を与えるが，この時別途ハロゲン系
のラジカル等化学的活性種を生成して化合物半導体近傍
に吹き付ける。ハロゲンラジカル等化学的活性種は，イ
オン衝撃を受けた化合物半導体表面と容易に反応し，効
率的にエッチングを行う。なお，この化学的活性種はマ
イクロ波放電による発生装置１２を用いたが，誘導結合
プラズマ，熱励起プラズマ等，ラジカル等の化学的活性
種を発生する装置であれば差し支えない。
化合物半導体に衝撃を与えるが，この時別途ハロゲン系
のラジカル等化学的活性種を生成して化合物半導体近傍
に吹き付ける。ハロゲンラジカル等化学的活性種は，イ
オン衝撃を受けた化合物半導体表面と容易に反応し，効
率的にエッチングを行う。なお，この化学的活性種はマ
イクロ波放電による発生装置１２を用いたが，誘導結合
プラズマ，熱励起プラズマ等，ラジカル等の化学的活性
種を発生する装置であれば差し支えない。
【００６３】エッチングの際，化合物半導体表面には〜
５ｎｍ程度の非晶質層が形成されるが，脱離しやすいＶ
族，ＶＩ族元素を励起イオンとして用いているため表面
ストイキオメトリは良好に保持される。表面の非晶質層
も洗浄処理で容易に除去可能なため，結果的にエッチン
グ表面荒れ等の少ない低損傷エッチングが達成される。
また，エッチング励起用イオンを加速するバイアス電位
も独立に制御可能なため，エッチング表面に与えるエッ
チング損傷も制御が可能である。
５ｎｍ程度の非晶質層が形成されるが，脱離しやすいＶ
族，ＶＩ族元素を励起イオンとして用いているため表面
ストイキオメトリは良好に保持される。表面の非晶質層
も洗浄処理で容易に除去可能なため，結果的にエッチン
グ表面荒れ等の少ない低損傷エッチングが達成される。
また，エッチング励起用イオンを加速するバイアス電位
も独立に制御可能なため，エッチング表面に与えるエッ
チング損傷も制御が可能である。
【００６４】次に、本願発明の効果を示す、特性例を例
示する。図３は励起イオンと化学的励起種の相互作用に
よるエッチングを説明する特性例を示す図である。より
詳しくは、図３はＮおよびＰをエッチング励起イオン，
エッチング用化学的活性種としてＣｌラジカルを用い，
ＧａＮとＩｎＰをエッチングした場合のＣｌ2流量とエ
ッチング速度の関係を示したものである。丸印はＩｎＰ
基板を、正方形印はＧａＮ基板をエッチングする例を示
す。
示する。図３は励起イオンと化学的励起種の相互作用に
よるエッチングを説明する特性例を示す図である。より
詳しくは、図３はＮおよびＰをエッチング励起イオン，
エッチング用化学的活性種としてＣｌラジカルを用い，
ＧａＮとＩｎＰをエッチングした場合のＣｌ2流量とエ
ッチング速度の関係を示したものである。丸印はＩｎＰ
基板を、正方形印はＧａＮ基板をエッチングする例を示
す。
【００６５】図３に見られるように、Ｃｌラジカルを与
えないＣｌ2流量０の条件では有効なエッチング速度が
得られない。更に、ＮおよびＰの励起イオン照射無の条
件でも有効なエッチング速度が得られていない。これは
励起イオンと化学的励起種それぞれ独立の雰囲気では効
率的なエッチングが行われないことを示している。これ
に対して、図３に示す如く、この励起イオンと化学的励
起種の両者が相互作用することにより化合物半導体材料
のエッチングが可能となることが一目瞭然に理解され
る。なお，この結果は励起イオン源としてＥＣＲ装置
（マイクロ波２．４５ＧＨｚ＝４００Ｗ，磁場強度＝８
７５Ｇ，バイアスＲＦパワー密度＝０．２５Ｗ・ｃ
ｍ-2），化学的活性種発生源としてマイクロ波プラズマ
装置（マイクロ波２．４５ＧＨｚ＝２００Ｗ）を用いて
求めた例である。また，イオン源としてはＧａＮがＮ2
（流量１０ｓｃｃｍ），ＩｎＰにはＰ（２００℃，０．
５ｍＴｏｒｒ）を用い，エッチング反応室内の圧力を
０．５ｍＴｏｒｒに制御して行った例である。
えないＣｌ2流量０の条件では有効なエッチング速度が
得られない。更に、ＮおよびＰの励起イオン照射無の条
件でも有効なエッチング速度が得られていない。これは
励起イオンと化学的励起種それぞれ独立の雰囲気では効
率的なエッチングが行われないことを示している。これ
に対して、図３に示す如く、この励起イオンと化学的励
起種の両者が相互作用することにより化合物半導体材料
のエッチングが可能となることが一目瞭然に理解され
る。なお，この結果は励起イオン源としてＥＣＲ装置
（マイクロ波２．４５ＧＨｚ＝４００Ｗ，磁場強度＝８
７５Ｇ，バイアスＲＦパワー密度＝０．２５Ｗ・ｃ
ｍ-2），化学的活性種発生源としてマイクロ波プラズマ
装置（マイクロ波２．４５ＧＨｚ＝２００Ｗ）を用いて
求めた例である。また，イオン源としてはＧａＮがＮ2
（流量１０ｓｃｃｍ），ＩｎＰにはＰ（２００℃，０．
５ｍＴｏｒｒ）を用い，エッチング反応室内の圧力を
０．５ｍＴｏｒｒに制御して行った例である。
【００６６】さらに図４は同様の実験条件において，エ
ッチング励起イオンとしてＮ，化学的活性種としてＣｌ
ラジカルを利用してＧａＮをエッチングした場合のエッ
チング反応室内の圧力とＧａＮのエッチング速度の関係
を説明したものである。このように圧力０．０５ｍＴｏ
ｒｒ以下の条件では有効に作用するＣｌラジカルが減少
してエッチング速度が大幅に低下し，また逆に圧力１０
ｍＴｏｒｒを超えるとＮイオンが衝突により散乱を受け
る確率が上昇し，基板に有効に作用するＮイオン数が減
少してエッチング速度の低下が認められた。
ッチング励起イオンとしてＮ，化学的活性種としてＣｌ
ラジカルを利用してＧａＮをエッチングした場合のエッ
チング反応室内の圧力とＧａＮのエッチング速度の関係
を説明したものである。このように圧力０．０５ｍＴｏ
ｒｒ以下の条件では有効に作用するＣｌラジカルが減少
してエッチング速度が大幅に低下し，また逆に圧力１０
ｍＴｏｒｒを超えるとＮイオンが衝突により散乱を受け
る確率が上昇し，基板に有効に作用するＮイオン数が減
少してエッチング速度の低下が認められた。
【００６７】従って，本発明のエッチング方法が適用可
能な反応室圧力は０．０５〜１０ｍＴｏｒｒと言える。
尚、本願に係わる他の材料、反応系においてもこうした
範囲で有用である。なお，エッチング圧力については，
条件により化学的活性種発生源において有効にラジカル
等を発生させるために，エッチング反応室との間に圧力
差を形成する必要があるが，その場合には化学的活性種
発生源とエッチング反応室との間に毛細管構造や可変オ
リフィス等の特殊な装置が必要となる。
能な反応室圧力は０．０５〜１０ｍＴｏｒｒと言える。
尚、本願に係わる他の材料、反応系においてもこうした
範囲で有用である。なお，エッチング圧力については，
条件により化学的活性種発生源において有効にラジカル
等を発生させるために，エッチング反応室との間に圧力
差を形成する必要があるが，その場合には化学的活性種
発生源とエッチング反応室との間に毛細管構造や可変オ
リフィス等の特殊な装置が必要となる。
【００６８】［発明の実施の形態１］本例は、ＧａＮ系
化合物半導体材料の加工の例である。具体的な適用装置
は発光素子である。
化合物半導体材料の加工の例である。具体的な適用装置
は発光素子である。
【００６９】図５はIII族窒化物半導体レーザのレーザ
光の光軸に交差する面での断面図である。そして、この
例では、GaNの低温バッファ層３２と高温成長層３３の
積層構造を有する。ｃ面サファイア基板３１上に，GaN
バッファ層３２（２０ｎｍ），ＧａＮ層（５０ｎｍ）３
３の積層体が形成される。この上部に，ｎ型Ｓｉドープ
ＧａＮ層３４（ｎ＝１×１０18ｃｍ-3，３μｍ），ｎ型
ＳｉドープＡｌ0.1Ｇａ0.9Ｎ層３５（ｎ＝５×１０17ｃ
ｍ-3，０．５μｍ），ｎ型ＳｉドープＧａＮ層３６（ｎ
＝５×１０17ｃｍ-3,０．１μｍ），ノンドープＩｎ
0.15Ｇａ0.85Ｎ−ＧａＮ層歪量子井戸発光層３７（各５
ｎｍ，３周期で構成される），ｐ型ＭｇドープＧａＮ層
３８（ｐ＝２×１０17ｃｍ-3，０．１μｍ），ｐ型Ｍｇ
ドープＡｌ0.1Ｇａ0.9Ｎ層３９（ｐ＝２×１０17ｃ
ｍ-3,１．５μｍ），ｐ型ＭｇドープＧａＮ層４０（ｐ
＝２×１０18ｃｍ-3，０．２μｍ）が通例の方法によっ
て形成される。
光の光軸に交差する面での断面図である。そして、この
例では、GaNの低温バッファ層３２と高温成長層３３の
積層構造を有する。ｃ面サファイア基板３１上に，GaN
バッファ層３２（２０ｎｍ），ＧａＮ層（５０ｎｍ）３
３の積層体が形成される。この上部に，ｎ型Ｓｉドープ
ＧａＮ層３４（ｎ＝１×１０18ｃｍ-3，３μｍ），ｎ型
ＳｉドープＡｌ0.1Ｇａ0.9Ｎ層３５（ｎ＝５×１０17ｃ
ｍ-3，０．５μｍ），ｎ型ＳｉドープＧａＮ層３６（ｎ
＝５×１０17ｃｍ-3,０．１μｍ），ノンドープＩｎ
0.15Ｇａ0.85Ｎ−ＧａＮ層歪量子井戸発光層３７（各５
ｎｍ，３周期で構成される），ｐ型ＭｇドープＧａＮ層
３８（ｐ＝２×１０17ｃｍ-3，０．１μｍ），ｐ型Ｍｇ
ドープＡｌ0.1Ｇａ0.9Ｎ層３９（ｐ＝２×１０17ｃ
ｍ-3,１．５μｍ），ｐ型ＭｇドープＧａＮ層４０（ｐ
＝２×１０18ｃｍ-3，０．２μｍ）が通例の方法によっ
て形成される。
【００７０】上記各結晶層は，通例の有機金属成長法
（ＭＯＣＶＤ：Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍ
ｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）を用い
る。その条件は、定圧、減圧、および高圧のいずれで
も、その要請に応じて使用することが出来る。以下の事
例においても同様である。
（ＭＯＣＶＤ：Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍ
ｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）を用い
る。その条件は、定圧、減圧、および高圧のいずれで
も、その要請に応じて使用することが出来る。以下の事
例においても同様である。
【００７１】次いで、前述の半導体積層体のｐ型Ｍｇド
ープＧａＮ層４０からｎ型ＳｉドープＡｌＧａＮ層３５
までを本願発明に係わるドライエッチングにより約２．
５μｍのエッチング加工を行った。この加工方法の詳細
は後述する。
ープＧａＮ層４０からｎ型ＳｉドープＡｌＧａＮ層３５
までを本願発明に係わるドライエッチングにより約２．
５μｍのエッチング加工を行った。この加工方法の詳細
は後述する。
【００７２】こうして準備された半導体積層体にパッシ
ベーション膜としてＳｉＯ2層４１を周知の方法によっ
て形成する。このＳｉＯ2層４１の所望部分に開口を設
け、この開口部にｎ型電極４２，ｐ型電極４３を形成す
る。さらに，へき開法により共振端面を形成，発光端面
に誘電体高反射膜ミラーを形成した。
ベーション膜としてＳｉＯ2層４１を周知の方法によっ
て形成する。このＳｉＯ2層４１の所望部分に開口を設
け、この開口部にｎ型電極４２，ｐ型電極４３を形成す
る。さらに，へき開法により共振端面を形成，発光端面
に誘電体高反射膜ミラーを形成した。
【００７３】通例、一つのウェハの多数個の発光素子が
形成されるので、最後にこれらの各素子を分離して発光
ダイオード素子を完成した。
形成されるので、最後にこれらの各素子を分離して発光
ダイオード素子を完成した。
【００７４】この半導体発光素子に５Ｖで２０ｍＡの電
流を与えたところ，光出力５ｍＷで４１０ｎｍの紫外レ
ーザ光が得られた。又、この素子は摂氏６０度の劣化試
験において１００００時間以上の寿命を示した。
流を与えたところ，光出力５ｍＷで４１０ｎｍの紫外レ
ーザ光が得られた。又、この素子は摂氏６０度の劣化試
験において１００００時間以上の寿命を示した。
【００７５】次に、本例における前述の半導体積層体の
ｐ型ＭｇドープＧａＮ層４０からｎ型ＳｉドープＡｌＧ
ａＮ層３５までの加工方法について説明する。
ｐ型ＭｇドープＧａＮ層４０からｎ型ＳｉドープＡｌＧ
ａＮ層３５までの加工方法について説明する。
【００７６】エッチング装置は図２に示したものであ
る。エッチング励起イオン源としてはＮ2（流量１０ｓ
ｃｃｍ）を用い，これを２．４５ＧＨｚ、４００Ｗのマ
イクロ波パワーによりＥＣＲ条件（８７５Ｇ）でイオン
化した。そして、このＮイオンをＲＦ（１３．５６ＭＨ
ｚ）パワー密度０．２Ｗ／ｃｍ2でカソード電極方向に
加速する。別途塩素（Ｃｌ2）ガス（流量１０ｓｃｃ
ｍ）から２．４５ＧＨｚ・２００Ｗのマイクロ波放電に
よるラジカル発生装置によりＣｌラジカルを生成し，こ
れをエッチングする基板周辺に均一に流入する。
る。エッチング励起イオン源としてはＮ2（流量１０ｓ
ｃｃｍ）を用い，これを２．４５ＧＨｚ、４００Ｗのマ
イクロ波パワーによりＥＣＲ条件（８７５Ｇ）でイオン
化した。そして、このＮイオンをＲＦ（１３．５６ＭＨ
ｚ）パワー密度０．２Ｗ／ｃｍ2でカソード電極方向に
加速する。別途塩素（Ｃｌ2）ガス（流量１０ｓｃｃ
ｍ）から２．４５ＧＨｚ・２００Ｗのマイクロ波放電に
よるラジカル発生装置によりＣｌラジカルを生成し，こ
れをエッチングする基板周辺に均一に流入する。
【００７７】エッチング励起イオンであるＮイオンによ
り衝撃を受けた部位をＣｌラジカルが攻撃し，効率的な
エッチングを行うことが可能となる。本例では約３００
ｎｍ／ｍｉｎという高速なエッチング速度が得られた。
なお，この時のエッチング圧力は自動圧力制御装置を用
い０．５ｍＴｏｒｒに設定した。また，異方性，表面平
滑性も良好であった。
り衝撃を受けた部位をＣｌラジカルが攻撃し，効率的な
エッチングを行うことが可能となる。本例では約３００
ｎｍ／ｍｉｎという高速なエッチング速度が得られた。
なお，この時のエッチング圧力は自動圧力制御装置を用
い０．５ｍＴｏｒｒに設定した。また，異方性，表面平
滑性も良好であった。
【００７８】また，ｎ型電極４１側のメサエッチングに
も本願発明の方法を用いた。即ち、前述の半導体積層体
の加工の際、その上部のｐ型ＭｇドープＡｌ0.1Ｇａ0.9
Ｎ層３９、ｐ型ＭｇドープＧａＮ層４０に対して、エッ
チング圧力を５ｍＴｏｒｒ（Ｎ2流量１０ｓｃｃｍ，Ｃ
ｌ2流量３０ｓｃｃｍ）に上昇させた。この条件下で、
サイドエッチング成分が増え，メサが形成可能となっ
た。この時のメサ傾斜角度は約６０度であった。双方の
加工条件共，側壁，エッチング底面へのエッチング損傷
が極めて少ないため，良好なレーザ素子形成が可能とな
った。
も本願発明の方法を用いた。即ち、前述の半導体積層体
の加工の際、その上部のｐ型ＭｇドープＡｌ0.1Ｇａ0.9
Ｎ層３９、ｐ型ＭｇドープＧａＮ層４０に対して、エッ
チング圧力を５ｍＴｏｒｒ（Ｎ2流量１０ｓｃｃｍ，Ｃ
ｌ2流量３０ｓｃｃｍ）に上昇させた。この条件下で、
サイドエッチング成分が増え，メサが形成可能となっ
た。この時のメサ傾斜角度は約６０度であった。双方の
加工条件共，側壁，エッチング底面へのエッチング損傷
が極めて少ないため，良好なレーザ素子形成が可能とな
った。
【００７９】上述の例で、半導体材料はＧａＮであった
が、その他の窒素（Ｎ）を含有する各種化合物半導体材
料、例えばＧａＮ，ＡｌＮ，ＡｌＧａＮ，ＩｎＮ、Ａｌ
ＩｎＮ，ＩｎＧａＮ，ＢＮなどに対しても本願発明の方
法は極めて有効であった。
が、その他の窒素（Ｎ）を含有する各種化合物半導体材
料、例えばＧａＮ，ＡｌＮ，ＡｌＧａＮ，ＩｎＮ、Ａｌ
ＩｎＮ，ＩｎＧａＮ，ＢＮなどに対しても本願発明の方
法は極めて有効であった。
【００８０】化合物半導体材料、励起イオン、および化
学的活性種の好ましい選択については、表１、表２に示
した通りである。
学的活性種の好ましい選択については、表１、表２に示
した通りである。
【００８１】［発明の実施の形態２］半導体レーザ素子
形成に本発明の化合物半導体エッチング方法を適用した
例を以下に示す。半導体材料はＩｎＰ系の化合物半導体
材料である。
形成に本発明の化合物半導体エッチング方法を適用した
例を以下に示す。半導体材料はＩｎＰ系の化合物半導体
材料である。
【００８２】図６は半導体レーザ素子の製造工程の順序
に示した半導体積層体の断面図である。その断面はレー
ザ光の光軸と交差する面での断面である。
に示した半導体積層体の断面図である。その断面はレー
ザ光の光軸と交差する面での断面である。
【００８３】ｎ型ＩｎＰ基板５１上に，ｎ型ＩｎＰバッ
ファ層５２（０．３μｍ），アンドープ多重量子井戸活
性層５３（厚さ６０ｎｍのＩｎＧａＡｓ井戸層と厚さ１
００ｎｍのＩｎＧａＡｓＰ障壁層を５周期），ｐ型Ｉｎ
Ｐクラッド層５４（２．０μｍ），ｐ型ＩｎＧａＡｓコ
ンタクト層５５（０．２μｍ）を、周知の有機金属気相
成長法により形成する（図６の（ａ））。
ファ層５２（０．３μｍ），アンドープ多重量子井戸活
性層５３（厚さ６０ｎｍのＩｎＧａＡｓ井戸層と厚さ１
００ｎｍのＩｎＧａＡｓＰ障壁層を５周期），ｐ型Ｉｎ
Ｐクラッド層５４（２．０μｍ），ｐ型ＩｎＧａＡｓコ
ンタクト層５５（０．２μｍ）を、周知の有機金属気相
成長法により形成する（図６の（ａ））。
【００８４】次に、こうして準備した半導体積層体上
に、１．５μｍ幅のＳｉＯ2ストライプ５６を形成す
る。この領域をマスク領域としてｐ型ＩｎＧａＡｓ層５
５からｎ型ＩｎＰ基板５１に至る約２．８μｍを本発明
の化合物半導体エッチング方法により加工する（図６の
（ｂ））。
に、１．５μｍ幅のＳｉＯ2ストライプ５６を形成す
る。この領域をマスク領域としてｐ型ＩｎＧａＡｓ層５
５からｎ型ＩｎＰ基板５１に至る約２．８μｍを本発明
の化合物半導体エッチング方法により加工する（図６の
（ｂ））。
【００８５】エッチング励起イオン源としては黒リン
（摂氏２００度，０．５ｍＴｏｒｒ）を用い，これを
２．４５ＧＨｚ・４００Ｗのマイクロ波パワーによりＥ
ＣＲ条件（８７５Ｇ）でイオン化する。そして、このリ
ン・イオンをＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）パワー密度０．
２５Ｗ／ｃｍ2でカソード電極方向に加速する。別途Ｃ
ｌ2ガス（流量１０ｓｃｃｍ）から２．４５ＧＨｚ・２
００Ｗのマイクロ波放電によるラジカル発生装置により
Ｃｌラジカルを生成し，これをエッチングする基板周辺
に均一に流入する。エッチング圧力は自動圧力調整装置
を用いて０．５ｍＴｏｒｒに設定した。
（摂氏２００度，０．５ｍＴｏｒｒ）を用い，これを
２．４５ＧＨｚ・４００Ｗのマイクロ波パワーによりＥ
ＣＲ条件（８７５Ｇ）でイオン化する。そして、このリ
ン・イオンをＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）パワー密度０．
２５Ｗ／ｃｍ2でカソード電極方向に加速する。別途Ｃ
ｌ2ガス（流量１０ｓｃｃｍ）から２．４５ＧＨｚ・２
００Ｗのマイクロ波放電によるラジカル発生装置により
Ｃｌラジカルを生成し，これをエッチングする基板周辺
に均一に流入する。エッチング圧力は自動圧力調整装置
を用いて０．５ｍＴｏｒｒに設定した。
【００８６】本発明の方法により約２００ｎｍ／ｍｉｎ
のエッチング速度が得られた。且つ、エッチング底面・
端面とも良好な平滑性・異方性が得られ，表面損傷も極
めて少ない。
のエッチング速度が得られた。且つ、エッチング底面・
端面とも良好な平滑性・異方性が得られ，表面損傷も極
めて少ない。
【００８７】この後，有機金属気相成長炉内でＨＣｌに
よる成長前処理を施し，選択成長により高抵抗ＩｎＰ埋
込み層５７を形成（図６の（ｃ））する。そして、希フ
ッ酸によりＳｉＯ2ストライプ５６を除去し，ｐ型電極
５８形成した。更に、基板裏面研磨を行なった後，ｎ型
電極５９を形成した（図６−（ｄ））。へき開により発
光波長１．５５μｍの半導体レーザが形成される。この
発光端面に通例の保護膜を形成するのは任意である。通
例、一つのウェハの多数個の発光素子が形成されるの
で、最後にこれらの各素子を分離して半導体レーザ素子
を完成した。
よる成長前処理を施し，選択成長により高抵抗ＩｎＰ埋
込み層５７を形成（図６の（ｃ））する。そして、希フ
ッ酸によりＳｉＯ2ストライプ５６を除去し，ｐ型電極
５８形成した。更に、基板裏面研磨を行なった後，ｎ型
電極５９を形成した（図６−（ｄ））。へき開により発
光波長１．５５μｍの半導体レーザが形成される。この
発光端面に通例の保護膜を形成するのは任意である。通
例、一つのウェハの多数個の発光素子が形成されるの
で、最後にこれらの各素子を分離して半導体レーザ素子
を完成した。
【００８８】作製したレーザ素子は，損傷に起因する非
発再結合等の無効電流成分が極めて低くく抑えられたた
め，室温，連続条件において閾値電流１０ｍＡ，発振効
率０．４５Ｗ／Ａと低閾値かつ高効率な特性が得られ
た。また，５０℃，５ｍＷでの一定光出力通電試験を行
った結果，推定寿命２０万時間という良好な結果が得ら
れた。
発再結合等の無効電流成分が極めて低くく抑えられたた
め，室温，連続条件において閾値電流１０ｍＡ，発振効
率０．４５Ｗ／Ａと低閾値かつ高効率な特性が得られ
た。また，５０℃，５ｍＷでの一定光出力通電試験を行
った結果，推定寿命２０万時間という良好な結果が得ら
れた。
【００８９】なお本例では，エッチング励起イオン源と
して黒リンを用いたが，黒リン，金属ヒ素をそれぞれ独
立の導入系として混合して用いても同様の効果が得られ
た。また，本例ではマスク材としてＳｉＯ2を用いた
が、Ｓｉ3Ｎ4、レジスト等その他の材料を用いても良
い。
して黒リンを用いたが，黒リン，金属ヒ素をそれぞれ独
立の導入系として混合して用いても同様の効果が得られ
た。また，本例ではマスク材としてＳｉＯ2を用いた
が、Ｓｉ3Ｎ4、レジスト等その他の材料を用いても良
い。
【００９０】また，本例は１．５５μｍ帯半導体レーザ
に本発明を適用した場合について述べたが，その他の波
長帯の半導体レーザに適用することも当然可能である。
に本発明を適用した場合について述べたが，その他の波
長帯の半導体レーザに適用することも当然可能である。
【００９１】半導体材料として、上記の例はＩｎＰ系で
あるが、その他の化合物半導体材料に本願発明を適用し
て十分な効果を奏した。具体的な例を挙げれば、 例え
ばＧａＡｓ，ＡｌＧａＡｓ，ＩｎＧａＡｓ，ＩｎＡｌＡ
ｓ，ＡｌＡｓ，ＩｎＰ，ＡｌＩｎＰ，ＩｎＧａＰ，Ａｌ
ＧａＰ，ＧａＰ、 ＧａＮ，ＡｌＮ，ＡｌＧａＮなどの
ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体、 ＺｎＳ，ＣｄＳ，Ｚｎ
Ｏ，ＺｎＳｅ，ＣｄＳｅなどのＩＩ−ＶＩ族化合物半導
体などを用いた半導体光装置の場合である。
あるが、その他の化合物半導体材料に本願発明を適用し
て十分な効果を奏した。具体的な例を挙げれば、 例え
ばＧａＡｓ，ＡｌＧａＡｓ，ＩｎＧａＡｓ，ＩｎＡｌＡ
ｓ，ＡｌＡｓ，ＩｎＰ，ＡｌＩｎＰ，ＩｎＧａＰ，Ａｌ
ＧａＰ，ＧａＰ、 ＧａＮ，ＡｌＮ，ＡｌＧａＮなどの
ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体、 ＺｎＳ，ＣｄＳ，Ｚｎ
Ｏ，ＺｎＳｅ，ＣｄＳｅなどのＩＩ−ＶＩ族化合物半導
体などを用いた半導体光装置の場合である。
【００９２】化合物半導体材料、励起イオン、および化
学的活性種の好ましい選択については、表１、表２に示
した通りである。
学的活性種の好ましい選択については、表１、表２に示
した通りである。
【００９３】更に、本発明の加工方法の適用は、半導体
レーザ素子のみならず、光変調器，光導波路素子等，そ
の他の各種化合物半導体光素子に適用することは言うま
でもない。
レーザ素子のみならず、光変調器，光導波路素子等，そ
の他の各種化合物半導体光素子に適用することは言うま
でもない。
【００９４】［発明の実施の形態３］本発明に係わる化
合物半導体エッチング方法をＩｎＰ系ＨＢＴ（Ｈｅｔｅ
ｒｏｊｕｎｃｔｉｏｎ Ｂｉｐｏｌａｒ Ｔｒａｎｓｉ
ｓｔｏｒ）素子製造に適用した例を以下に示す。
合物半導体エッチング方法をＩｎＰ系ＨＢＴ（Ｈｅｔｅ
ｒｏｊｕｎｃｔｉｏｎ Ｂｉｐｏｌａｒ Ｔｒａｎｓｉ
ｓｔｏｒ）素子製造に適用した例を以下に示す。
【００９５】図７はＩｎＰ系ＨＢＴ素子の製造工程の順
序の示した素子の断面図である。半絶縁性ＩｎＰ基板６
１上に、ｎ型Ｉｎ0.53Ｇａ0.47Ａｓサブコレクタ層（３
００ｎｍ）６２，アンドープＩｎＰ（２５０ｎｍ）／ｎ
型Ｉｎ0.53Ｇａ0.47Ａｓ（５０ｎｍ）コレクタ層６３，
ｐ型Ｉｎ0.53Ｇａ0.47Ａｓベース層（４０ｎｍ）６４，
ｎ型ＩｎＰエミッタ層（１００ｎｍ）６５，ｎ型Ｉｎ
0.53Ｇａ0.47Ａｓエミッタキャップ層（２００ｎｍ）６
６を、ガスソースＭＢＥ法（ＭｏｌｅｃｕｌａｒＢｅａ
ｍ Ｅｐｉｔａｘｙ）を用いて形成する。
序の示した素子の断面図である。半絶縁性ＩｎＰ基板６
１上に、ｎ型Ｉｎ0.53Ｇａ0.47Ａｓサブコレクタ層（３
００ｎｍ）６２，アンドープＩｎＰ（２５０ｎｍ）／ｎ
型Ｉｎ0.53Ｇａ0.47Ａｓ（５０ｎｍ）コレクタ層６３，
ｐ型Ｉｎ0.53Ｇａ0.47Ａｓベース層（４０ｎｍ）６４，
ｎ型ＩｎＰエミッタ層（１００ｎｍ）６５，ｎ型Ｉｎ
0.53Ｇａ0.47Ａｓエミッタキャップ層（２００ｎｍ）６
６を、ガスソースＭＢＥ法（ＭｏｌｅｃｕｌａｒＢｅａ
ｍ Ｅｐｉｔａｘｙ）を用いて形成する。
【００９６】こうして形成された半導体積層体の上部に
エッミタ電極６７をタングステン・シリサイドによって
形成する。そして、このエミッタ電極であるＷＳｉ電極
６７の領域をマスク領域として自己整合的にエッチング
する、即ち、本願発明の化合物半導体エッチング方法に
よりｎ型Ｉｎ0.53Ｇａ0.47Ａｓエミッタキャップ層６７
からｎ型ＩｎＰエミッタ層６６までを加工する（図７の
（ａ））。
エッミタ電極６７をタングステン・シリサイドによって
形成する。そして、このエミッタ電極であるＷＳｉ電極
６７の領域をマスク領域として自己整合的にエッチング
する、即ち、本願発明の化合物半導体エッチング方法に
よりｎ型Ｉｎ0.53Ｇａ0.47Ａｓエミッタキャップ層６７
からｎ型ＩｎＰエミッタ層６６までを加工する（図７の
（ａ））。
【００９７】エッチング条件は，エッチング励起イオン
源として黒リン（摂氏２００度，０．５ｍＴｏｒｒ）を
用い，これを２．４５ＧＨｚ・４００Ｗのマイクロ波パ
ワーによりＥＣＲ条件（８７５Ｇ）でイオン化する。そ
して、このリン・イオンをＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）パ
ワー密度０．１５Ｗ／ｃｍ2でカソード電極方向に加速
する。別途Ｃｌ2ガス（流量１０ｓｃｃｍ）から２．４
５ＧＨｚ・２００Ｗのマイクロ波放電によるラジカル発
生装置によりＣｌラジカルを生成し，これをエッチング
する基板周辺に均一に流入する。エッチング圧力は，自
動圧力調整装置を用いて０．２ｍＴｏｒｒに設定した。
なお，エッチングの終点を正確に制御するため，Ｃｌと
Ｉｎの反応により発生する４７０ｎｍの発光波長をモニ
タし，エッチングの終点検出を行った。
源として黒リン（摂氏２００度，０．５ｍＴｏｒｒ）を
用い，これを２．４５ＧＨｚ・４００Ｗのマイクロ波パ
ワーによりＥＣＲ条件（８７５Ｇ）でイオン化する。そ
して、このリン・イオンをＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）パ
ワー密度０．１５Ｗ／ｃｍ2でカソード電極方向に加速
する。別途Ｃｌ2ガス（流量１０ｓｃｃｍ）から２．４
５ＧＨｚ・２００Ｗのマイクロ波放電によるラジカル発
生装置によりＣｌラジカルを生成し，これをエッチング
する基板周辺に均一に流入する。エッチング圧力は，自
動圧力調整装置を用いて０．２ｍＴｏｒｒに設定した。
なお，エッチングの終点を正確に制御するため，Ｃｌと
Ｉｎの反応により発生する４７０ｎｍの発光波長をモニ
タし，エッチングの終点検出を行った。
【００９８】次に，エミッタ電極側壁にＳｉＯ2６８を
形成した後，これらをマスク領域としてｐ型Ｉｎ0.53Ｇ
ａ0.47Ａｓベース層６４からアンドープＩｎＰ／ｎ型Ｉ
ｎ0.53Ｇａ0.47Ａｓコレクタ層６３までを上と同様の方
法によりエッチング加工する（図７の（ｂ））。
形成した後，これらをマスク領域としてｐ型Ｉｎ0.53Ｇ
ａ0.47Ａｓベース層６４からアンドープＩｎＰ／ｎ型Ｉ
ｎ0.53Ｇａ0.47Ａｓコレクタ層６３までを上と同様の方
法によりエッチング加工する（図７の（ｂ））。
【００９９】本発明の方法により異方性良好で，エッチ
ング損傷の極めて少ないエッチング加工が可能となっ
た。また，マスクであるＷＳｉやＳｉＯ2との選択比も
３０以上の良好な数値を得ている。
ング損傷の極めて少ないエッチング加工が可能となっ
た。また，マスクであるＷＳｉやＳｉＯ2との選択比も
３０以上の良好な数値を得ている。
【０１００】この後，側壁ＳｉＯ2６８を希フッ酸にて
除去，埋込みＳｉＯ2６９と絶縁用側壁ＳｉＯ2７０を形
成（図７の（ｃ））した。更に、ベース電極７１とコレ
クタ電極７２を形成し，目的のＩｎＰ系ＨＢＴ素子を得
た（図７の（ｄ））。
除去，埋込みＳｉＯ2６９と絶縁用側壁ＳｉＯ2７０を形
成（図７の（ｃ））した。更に、ベース電極７１とコレ
クタ電極７２を形成し，目的のＩｎＰ系ＨＢＴ素子を得
た（図７の（ｄ））。
【０１０１】本発明の化合物半導体エッチング方法を適
用することにより，エミッタサイズ（０．６×４．６μ
ｍ2）の素子で，コレクタ電流４ｍＡに対し，遮断周波
数２００ＧＨｚ，最大発振周波数３００ＧＨｚというＩ
ｎＰ系ＨＢＴ素子を形成できた。また，本発明により低
損傷加工が可能となり，特にベース層への再結合中心の
形成等が大幅に抑制されたため，上記のエミッタサイズ
において７０℃における加速試験の結果から導かれた推
定寿命は１５万時間という良好な結果であった。
用することにより，エミッタサイズ（０．６×４．６μ
ｍ2）の素子で，コレクタ電流４ｍＡに対し，遮断周波
数２００ＧＨｚ，最大発振周波数３００ＧＨｚというＩ
ｎＰ系ＨＢＴ素子を形成できた。また，本発明により低
損傷加工が可能となり，特にベース層への再結合中心の
形成等が大幅に抑制されたため，上記のエミッタサイズ
において７０℃における加速試験の結果から導かれた推
定寿命は１５万時間という良好な結果であった。
【０１０２】なお，本実施例はＩｎＰ系ＨＢＴ素子につ
いて述べたが，ＧａＡｓ系ＨＢＴ素子，ＨＥＭＴ（Ｈｉ
ｇｈ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｏｂｉｌｉｔｙ Ｔｒａｎ
ｓｉｓｔｏｒ）素子やこれらのＭＭＩＣ（Ｍｏｎｏｌｉ
ｔｈｉｃ Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ
Ｃｉｒｃｕｉｔ）等その他の化合物半導体デバイスで
も同様の効果が得られた。
いて述べたが，ＧａＡｓ系ＨＢＴ素子，ＨＥＭＴ（Ｈｉ
ｇｈ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｏｂｉｌｉｔｙ Ｔｒａｎ
ｓｉｓｔｏｒ）素子やこれらのＭＭＩＣ（Ｍｏｎｏｌｉ
ｔｈｉｃ Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ
Ｃｉｒｃｕｉｔ）等その他の化合物半導体デバイスで
も同様の効果が得られた。
【０１０３】また、他の化合物半導体材料、励起イオ
ン、および化学的活性種の好ましい選択については、表
１、表２に示した通りである。
ン、および化学的活性種の好ましい選択については、表
１、表２に示した通りである。
【０１０４】
【発明の効果】本願発明のドライエッチングにより，低
損傷な化合物半導体層の加工が可能となる。
損傷な化合物半導体層の加工が可能となる。
【０１０５】尚、本願の加工方法を各種化合物半導体装
置の加工に適用することによって、これらの諸化合物半
導体素子の性能の向上や高信頼化，および製造歩留り向
上による低コスト化を図ることが出来る。
置の加工に適用することによって、これらの諸化合物半
導体素子の性能の向上や高信頼化，および製造歩留り向
上による低コスト化を図ることが出来る。
【図１】図１は本発明の化合物半導体エッチングの原理
を説明する図である。
を説明する図である。
【図２】図２は本発明に係わるエッチング装置の例を説
明する図である。
明する図である。
【図３】図３は励起イオンと化学的励起種の相互作用に
よる化合物半導体エッチングを説明する図である。
よる化合物半導体エッチングを説明する図である。
【図４】図４は反応室エッチング圧力とＧａＮのエッチ
ング速度の関係の例を示す図である。
ング速度の関係の例を示す図である。
【図５】図５はIII族窒化物化合物半導体レーザ素子の
レーザ光の光軸に交差する面での断面図である。
レーザ光の光軸に交差する面での断面図である。
【図６】図６は化合物半導体レーザ素子の製造工程の順
に示した半導体積層体の断面図である。
に示した半導体積層体の断面図である。
【図７】図７はＨＢＴ素子の製造工程の順序に示した半
導体積層体の断面図である。
導体積層体の断面図である。
１：化合物半導体基板，２：化学的活性種導入管，３：
エッチング励起用イオン，４：化学的活性種，５：入射
イオンによる衝撃部位，６：エッチングされた領域、１
１：エッチング励起用イオン生成装置，１２：化学的活
性種生成装置，１３：マグネトロン（２．４５ＧＨ
ｚ），１４：電磁コイル（８７５Ｇ），１５：化学的活
性種導入管，１６：マスフローコントローラ，１７：ガ
スボンベ，１８：固体・液体ソース容器及び加熱装置，
１９：高周波電極，２０：化合物半導体ウェハ、３１：
ｃ面サファイア基板，３２：GaNバッファ層（２０ｎ
ｍ），３３：ＧａＮ層，３４：ｎ型ＳｉドープＧａＮ
層，３５：ｎ型ＳｉドープＡｌＧａＮ層，３６：ｎ型Ｓ
ｉドープＧａＮ層，３７：ノンドープＩｎＧａＮ−Ｇａ
Ｎ層歪量子井戸発光層，３８：ｐ型ＭｇドープＧａＮ
層，３９：ｐ型ＭｇドープＡｌＧａＮ層，４０：ｐ型Ｍ
ｇドープＧａＮ層，４１：ＳｉＯ2，４２：ｎ型電極，
４３：ｐ型電極、５１：ｎ型ＩｎＰ基板，５２：ｎ型Ｉ
ｎＰバッファ層，５３：アンドープ多重量子井戸活性
層，５４：ｐ型ＩｎＰクラッド層，５５：ｐ型ＩｎＧａ
Ａｓコンタクト層，５６：ＳｉＯ2ストライプ，５７：
高抵抗ＩｎＰ埋込み層，５８：ｐ型電極，５９：ｎ型電
極、６１：半絶縁性ＩｎＰ基板，６２：ｎ型ＩｎＧａＡ
ｓサブコレクタ層，６３：アンドープＩｎＰ／ｎ型Ｉｎ
ＧａＡｓコレクタ層，６４：ｐ型ＩｎＧａＡｓベース
層，６５：ｎ型ＩｎＰエミッタ層，６６：ｎ型ＩｎＧａ
Ａｓエミッタキャップ層，６７：ＷＳｉエミッタ電極，
６８：側壁ＳｉＯ2，６９：埋込みＳｉＯ2，７０：絶縁
用側壁ＳｉＯ2，７１：ベース電極，７２：コレクタ電
極である。
エッチング励起用イオン，４：化学的活性種，５：入射
イオンによる衝撃部位，６：エッチングされた領域、１
１：エッチング励起用イオン生成装置，１２：化学的活
性種生成装置，１３：マグネトロン（２．４５ＧＨ
ｚ），１４：電磁コイル（８７５Ｇ），１５：化学的活
性種導入管，１６：マスフローコントローラ，１７：ガ
スボンベ，１８：固体・液体ソース容器及び加熱装置，
１９：高周波電極，２０：化合物半導体ウェハ、３１：
ｃ面サファイア基板，３２：GaNバッファ層（２０ｎ
ｍ），３３：ＧａＮ層，３４：ｎ型ＳｉドープＧａＮ
層，３５：ｎ型ＳｉドープＡｌＧａＮ層，３６：ｎ型Ｓ
ｉドープＧａＮ層，３７：ノンドープＩｎＧａＮ−Ｇａ
Ｎ層歪量子井戸発光層，３８：ｐ型ＭｇドープＧａＮ
層，３９：ｐ型ＭｇドープＡｌＧａＮ層，４０：ｐ型Ｍ
ｇドープＧａＮ層，４１：ＳｉＯ2，４２：ｎ型電極，
４３：ｐ型電極、５１：ｎ型ＩｎＰ基板，５２：ｎ型Ｉ
ｎＰバッファ層，５３：アンドープ多重量子井戸活性
層，５４：ｐ型ＩｎＰクラッド層，５５：ｐ型ＩｎＧａ
Ａｓコンタクト層，５６：ＳｉＯ2ストライプ，５７：
高抵抗ＩｎＰ埋込み層，５８：ｐ型電極，５９：ｎ型電
極、６１：半絶縁性ＩｎＰ基板，６２：ｎ型ＩｎＧａＡ
ｓサブコレクタ層，６３：アンドープＩｎＰ／ｎ型Ｉｎ
ＧａＡｓコレクタ層，６４：ｐ型ＩｎＧａＡｓベース
層，６５：ｎ型ＩｎＰエミッタ層，６６：ｎ型ＩｎＧａ
Ａｓエミッタキャップ層，６７：ＷＳｉエミッタ電極，
６８：側壁ＳｉＯ2，６９：埋込みＳｉＯ2，７０：絶縁
用側壁ＳｉＯ2，７１：ベース電極，７２：コレクタ電
極である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5F003 BM03 BP12 BP32 5F004 AA06 BA13 BA14 BA16 BA20 BB13 BB14 BB18 CA06 DA04 DA22 DA23 DA24 DB00 DB19 DB22
Claims (5)
- 【請求項１】 化合物半導体材料を加工容器内に準備
し、当該化合物半導体材料の構成元素の少なくとも一者
のイオンを当該化合物半導体材料の加工面に衝突せし
め、且つハロゲン元素および当該化合物半導体材料の構
成元素とハロゲン元素とを少なくとも有する化合物の活
性種の少なくとも一者を当該化合物半導体材料の加工面
に対して流入せしめることを特徴とする化合物半導体材
料のエッチング方法。 - 【請求項２】 前記化合物半導体材料の構成元素の少な
くとも一者のイオンは当該化合物半導体材料の構成元素
の内蒸気圧の低い方の元素であることを特徴とする請求
項１に記載の化合物半導体材料のエッチング方法。 - 【請求項３】 前記化合物半導体材料はＩＩＩ−Ｖ族の
化合物半導体材料およびＩＩ−ＶＩ族の化合物半導体材
料の群から選ばれた少なくとも一者であることを特徴と
した請求項１又は２項に記載の化合物半導体材料のエッ
チング方法。 - 【請求項４】 前記活性種としてハロゲン元素および当
該化合物半導体材料の構成元素とハロゲン元素とを少な
くとも有する化合物、Ｈ2、アルキルガス、Ｖ族元素又
はＶＩ族元素の水素化物，アルキル化物またはハロゲン
化アルキルの群から選ばれた少なくとも一者を用いるこ
とを特徴とした請求項１、２又は３項に記載の化合物半
導体材料のエッチング方法。 - 【請求項５】 請求項１〜４項のいずれかに記載の化合
物半導体材料のエッチング方法を含む製造方法にて製造
されたことを特徴とする化合物半導体装置。
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|---|---|---|---|
| JP05531399A JP4368963B2 (ja) | 1999-03-03 | 1999-03-03 | 化合物半導体材料のエッチング方法 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05531399A JP4368963B2 (ja) | 1999-03-03 | 1999-03-03 | 化合物半導体材料のエッチング方法 |
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|---|---|
| JP2000252265A true JP2000252265A (ja) | 2000-09-14 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003309105A (ja) * | 2002-04-15 | 2003-10-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理方法 |
| US7928446B2 (en) | 2007-07-19 | 2011-04-19 | Mitsubishi Chemical Corporation | Group III nitride semiconductor substrate and method for cleaning the same |
| KR101090395B1 (ko) * | 2009-10-20 | 2011-12-06 | 명지대학교 산학협력단 | 이온주입 방법을 이용한 식각 종말점 검출 정확도 향상방법 및 그 소자 |
| US10622216B2 (en) | 2017-05-29 | 2020-04-14 | Mitsubishi Electric Corporation | Method for manufacturing semiconductor device |
| WO2021214933A1 (ja) * | 2020-04-23 | 2021-10-28 | 日本電信電話株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| CN114242583A (zh) * | 2021-12-22 | 2022-03-25 | 江苏第三代半导体研究院有限公司 | AlGaN材料的刻蚀方法及其应用 |
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|---|---|---|---|---|
| JP4653639B2 (ja) | 2005-07-04 | 2011-03-16 | 株式会社リコー | 画像形成装置 |
-
1999
- 1999-03-03 JP JP05531399A patent/JP4368963B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| US7928446B2 (en) | 2007-07-19 | 2011-04-19 | Mitsubishi Chemical Corporation | Group III nitride semiconductor substrate and method for cleaning the same |
| US8022413B2 (en) | 2007-07-19 | 2011-09-20 | Misubishi Chemical Corporation | Group III nitride semiconductor substrate and method for cleaning the same |
| KR101090395B1 (ko) * | 2009-10-20 | 2011-12-06 | 명지대학교 산학협력단 | 이온주입 방법을 이용한 식각 종말점 검출 정확도 향상방법 및 그 소자 |
| US10622216B2 (en) | 2017-05-29 | 2020-04-14 | Mitsubishi Electric Corporation | Method for manufacturing semiconductor device |
| WO2021214933A1 (ja) * | 2020-04-23 | 2021-10-28 | 日本電信電話株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| CN114242583A (zh) * | 2021-12-22 | 2022-03-25 | 江苏第三代半导体研究院有限公司 | AlGaN材料的刻蚀方法及其应用 |
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