JP2000252186A - 反射型荷電粒子ビーム描画装置 - Google Patents
反射型荷電粒子ビーム描画装置Info
- Publication number
- JP2000252186A JP2000252186A JP11049960A JP4996099A JP2000252186A JP 2000252186 A JP2000252186 A JP 2000252186A JP 11049960 A JP11049960 A JP 11049960A JP 4996099 A JP4996099 A JP 4996099A JP 2000252186 A JP2000252186 A JP 2000252186A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- charged particle
- optical system
- particle beam
- stage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 マスクおよび試料台のステージが水平で露光
量の制御が容易な反射マスク型荷電粒子ビーム露光装置
を提供する。 【解決手段】 マスク２１７から反射して得られた電子
を投影光学系２１６で１８０度曲げて試料２１９面に縮
小投影させる電子光学系を実現し、マスクステージ２１
８と試料台ステージ２２０を水平にして双方の走行精度
を劣化させないようにする。また、投影光学系２１６を
２段構成にすることによって、下方向に向けたマスク２
１７から得られる反射電子を試料２１９面に垂直に照射
することが可能になる。投影光学系２１６をこのような
構成にすることによって、マスク２１７と試料台ステー
ジ２２０を水平に移動できる構造にすることが可能とな
る。また、露光量の調整ができるように照明光学系２１
５側に電流密度を制御できる機構を設ける。
量の制御が容易な反射マスク型荷電粒子ビーム露光装置
を提供する。 【解決手段】 マスク２１７から反射して得られた電子
を投影光学系２１６で１８０度曲げて試料２１９面に縮
小投影させる電子光学系を実現し、マスクステージ２１
８と試料台ステージ２２０を水平にして双方の走行精度
を劣化させないようにする。また、投影光学系２１６を
２段構成にすることによって、下方向に向けたマスク２
１７から得られる反射電子を試料２１９面に垂直に照射
することが可能になる。投影光学系２１６をこのような
構成にすることによって、マスク２１７と試料台ステー
ジ２２０を水平に移動できる構造にすることが可能とな
る。また、露光量の調整ができるように照明光学系２１
５側に電流密度を制御できる機構を設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、荷電粒子ビーム露
光マスク及び荷電粒子ビーム露光方法に関する。
光マスク及び荷電粒子ビーム露光方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体の集積度の向上に伴ってパターン
の微細化が進んでいる。その結果、年々非常に高いパタ
ーンの寸法精度や加工精度が要求されるようになってき
た。光露光によるリソグラフィーは限界に達しつつあ
り、０．１μｍ以下のパターン形成においては電子線、
イオンビーム、等倍Ｘ線、ＥＵＶ等の候補が提唱されて
いるものの、それぞれ問題点が多く本命が見当たらない
のが現状である。この中で数世代に渡って応用できる候
補としては電子線が最も有力である。しかし、一般的な
一筆書きによる露光は集積度の増加に伴ってスループッ
トが非現実的になりつつある。薄膜のマスクで電子のコ
ントラストをつけてパターン形成する“スカルペル"方
式はスループットを解決する一つの方法として有力であ
るがマスクの製作・取り扱いの面で課題が多く実用化に
時間を要している。
の微細化が進んでいる。その結果、年々非常に高いパタ
ーンの寸法精度や加工精度が要求されるようになってき
た。光露光によるリソグラフィーは限界に達しつつあ
り、０．１μｍ以下のパターン形成においては電子線、
イオンビーム、等倍Ｘ線、ＥＵＶ等の候補が提唱されて
いるものの、それぞれ問題点が多く本命が見当たらない
のが現状である。この中で数世代に渡って応用できる候
補としては電子線が最も有力である。しかし、一般的な
一筆書きによる露光は集積度の増加に伴ってスループッ
トが非現実的になりつつある。薄膜のマスクで電子のコ
ントラストをつけてパターン形成する“スカルペル"方
式はスループットを解決する一つの方法として有力であ
るがマスクの製作・取り扱いの面で課題が多く実用化に
時間を要している。
【０００３】このような課題を克服するために、特願平
9-3764、9-337331では反射マスクを利用した荷電ビーム
露光装置を提案した。これらに加えてさらに実用化に向
けた技術を提案する。
9-3764、9-337331では反射マスクを利用した荷電ビーム
露光装置を提案した。これらに加えてさらに実用化に向
けた技術を提案する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明が解決しようと
する課題は反射マスク型荷電ビーム描画装置の構造とそ
の制御方法に関する。荷電ビームによる反射マスク型の
装置に関する詳細な提案は未だなく、反射マスク特有の
装置構造と制御技術が必要である。電子光学系の構成に
よってはマスクステージの移動面と試料台ステージの移
動面が水平にならない場合がある。この場合軸受け機構
の一部に荷重が偏るために走行精度の劣化や、試料やマ
スクの交換機構が複雑化することが考えられる。そこで
電子光学系の構造を工夫してマスクステージと試料台ス
テージを水平にして装置のバランスを良くして、走行精
度を向上させることが必要になる。
する課題は反射マスク型荷電ビーム描画装置の構造とそ
の制御方法に関する。荷電ビームによる反射マスク型の
装置に関する詳細な提案は未だなく、反射マスク特有の
装置構造と制御技術が必要である。電子光学系の構成に
よってはマスクステージの移動面と試料台ステージの移
動面が水平にならない場合がある。この場合軸受け機構
の一部に荷重が偏るために走行精度の劣化や、試料やマ
スクの交換機構が複雑化することが考えられる。そこで
電子光学系の構造を工夫してマスクステージと試料台ス
テージを水平にして装置のバランスを良くして、走行精
度を向上させることが必要になる。
【０００５】本発明は、上記の事情を考慮してなされた
もので、その目的とするところは、ステージ走行精度を
劣化させないためにバランスの良い装置構造にすること
により、高精度・高速なパターン形成を可能にする荷電
粒子ビーム露光装置を提供することにある。
もので、その目的とするところは、ステージ走行精度を
劣化させないためにバランスの良い装置構造にすること
により、高精度・高速なパターン形成を可能にする荷電
粒子ビーム露光装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の問題を
解決するために、マスクから反射して得られた電子を投
影光学系で１８０度曲げて試料面に縮小投影させる電子
光学系を実現し、マスクステージと試料台ステージを水
平にして双方の走行精度を劣化させないようにする。ま
た、投影光学系を２段構成にすることによって、下方向
に向けたマスクから得られる反射電子を試料面に垂直に
照射することが可能になる。投影光学系をこのような構
成にすることによって、マスクと試料台ステージを水平
に移動できる構造にすることが可能となる。
解決するために、マスクから反射して得られた電子を投
影光学系で１８０度曲げて試料面に縮小投影させる電子
光学系を実現し、マスクステージと試料台ステージを水
平にして双方の走行精度を劣化させないようにする。ま
た、投影光学系を２段構成にすることによって、下方向
に向けたマスクから得られる反射電子を試料面に垂直に
照射することが可能になる。投影光学系をこのような構
成にすることによって、マスクと試料台ステージを水平
に移動できる構造にすることが可能となる。
【０００７】また、露光量の調整ができるように照明光
学系側に電流密度を制御できる機構を設けた。２段のコ
ンデンサレンズをズームレンズの様に動作させてアパー
チャを通過する電子の量を調整して電流密度を制御し試
料面に照射するビーム電流を調整する。この時、試料台
のファラデーカップで測定したビーム電流が所望の値か
ら僅かにずれた場合は、ステージ速度をずれた分だけ変
えてパターンを露光する。こうすることによって所望の
露光量でパターンを露光することが可能になる。
学系側に電流密度を制御できる機構を設けた。２段のコ
ンデンサレンズをズームレンズの様に動作させてアパー
チャを通過する電子の量を調整して電流密度を制御し試
料面に照射するビーム電流を調整する。この時、試料台
のファラデーカップで測定したビーム電流が所望の値か
ら僅かにずれた場合は、ステージ速度をずれた分だけ変
えてパターンを露光する。こうすることによって所望の
露光量でパターンを露光することが可能になる。
【０００８】本発明により、マスク及び試料台のステー
ジ走行精度が高くかつ露光量の制御が可能な高精度反射
マスク型荷電粒子ビーム露光装置の実現が可能となる。
ジ走行精度が高くかつ露光量の制御が可能な高精度反射
マスク型荷電粒子ビーム露光装置の実現が可能となる。
【０００９】
【発明の実施の形態】(実施例)以下に本発明の実施の形
態を実施例により図面を用いて説明する。
態を実施例により図面を用いて説明する。
【００１０】図１に反射マスク型荷電粒子ビーム露光装
置の概略図を示した。光源２１４から放出された電子
は、照明光学系２１５によってマスク２１７に照射され
る。このマスクには半導体パターンが形成されている。
このマスクを反射した電子は投影光学系２１６によって
試料２１９に導かれマスクパターンが縮小転写される。
マスクステージ２１８と試料台ステージ２２０は水平に
設置されており露光中はマスクステージ制御系２２２、
試料台ステージ制御系２２３によってステージ速度が制
御されると共に同期して移動する。マスク側アライメン
ト機構２２４は投影レンズに入射する電子の軌道を調整
し、試料側アライメント機構２２５はレンズから放出さ
れる電子の角度を調整する。アライメントレンズ２２６
ａ，ｂはマスクの反射効率を調整するために、アパーチ
ャ２２７ａ，ｂは散乱する電子を遮断するために設置し
た。制御系２２１は装置全体を制御するための計算機及
び回路である。
置の概略図を示した。光源２１４から放出された電子
は、照明光学系２１５によってマスク２１７に照射され
る。このマスクには半導体パターンが形成されている。
このマスクを反射した電子は投影光学系２１６によって
試料２１９に導かれマスクパターンが縮小転写される。
マスクステージ２１８と試料台ステージ２２０は水平に
設置されており露光中はマスクステージ制御系２２２、
試料台ステージ制御系２２３によってステージ速度が制
御されると共に同期して移動する。マスク側アライメン
ト機構２２４は投影レンズに入射する電子の軌道を調整
し、試料側アライメント機構２２５はレンズから放出さ
れる電子の角度を調整する。アライメントレンズ２２６
ａ，ｂはマスクの反射効率を調整するために、アパーチ
ャ２２７ａ，ｂは散乱する電子を遮断するために設置し
た。制御系２２１は装置全体を制御するための計算機及
び回路である。
【００１１】特願平９―３３７３３１では、マスクステ
ージの移動面が傾斜しているため、軸受け機構の一部に
荷重が偏るためステージ走行精度を劣化させる恐れがあ
る。また、無理な体勢でマスク交換を強いられることか
ら、マスク交換機構の負担が大きくなる。この問題を解
決するために投影光学系の構造を見直した。
ージの移動面が傾斜しているため、軸受け機構の一部に
荷重が偏るためステージ走行精度を劣化させる恐れがあ
る。また、無理な体勢でマスク交換を強いられることか
ら、マスク交換機構の負担が大きくなる。この問題を解
決するために投影光学系の構造を見直した。
【００１２】線状かつ大フィールドの電子線を縮小転写
する電子光学系は図２に示されている様に、各電極の対
向面はそれぞれ線状のビームが通過する方向にそって円
筒対称であり、ビームの通過する方向と直交する方向が
式（１）で表わされる曲線構造の電子レンズである。
する電子光学系は図２に示されている様に、各電極の対
向面はそれぞれ線状のビームが通過する方向にそって円
筒対称であり、ビームの通過する方向と直交する方向が
式（１）で表わされる曲線構造の電子レンズである。
【数１】 ここで係数ｋとαをある条件に設定すると、焦点距離の
対称なレンズが得られ、ｚ方向には収差を保ったまま大
きなフィールドサイズが得られる。
対称なレンズが得られ、ｚ方向には収差を保ったまま大
きなフィールドサイズが得られる。
【００１３】このため、投影光学系を上記条件を保ちつ
つ電子ビームを１８０度曲げられる構造にすることが可
能である。ここで縮小率を得るためにはマスクの面と試
料面の高さをずらして焦点距離を変える必要がある。本
実施例では図１に示した様にマスク面を試料面よりも下
に下げる構造にした。
つ電子ビームを１８０度曲げられる構造にすることが可
能である。ここで縮小率を得るためにはマスクの面と試
料面の高さをずらして焦点距離を変える必要がある。本
実施例では図１に示した様にマスク面を試料面よりも下
に下げる構造にした。
【００１４】次に、マスクの反射面を下向きにしてマス
クステージと試料台ステージを水平な構造にした例を示
す。図３に示したように、反射面を下向きにしてマスク
を保持する。基本構成は図１の例と同じであり、投影光
学系が２段で構成されている。投影光学系２１６では
（１）式を満たしたレンズを２段組み合わせており、ア
ライメント機構２２４ｂは２段目の投影光学系に入射す
るビームの光軸を調整する。この様な投影光学系を実現
することにより、マスクを反射した電子信号を試料面に
垂直に照射することが可能になる。
クステージと試料台ステージを水平な構造にした例を示
す。図３に示したように、反射面を下向きにしてマスク
を保持する。基本構成は図１の例と同じであり、投影光
学系が２段で構成されている。投影光学系２１６では
（１）式を満たしたレンズを２段組み合わせており、ア
ライメント機構２２４ｂは２段目の投影光学系に入射す
るビームの光軸を調整する。この様な投影光学系を実現
することにより、マスクを反射した電子信号を試料面に
垂直に照射することが可能になる。
【００１５】以上で述べた２つの投影光学系によってマ
スクと試料台のステージを水平に保つことが可能になり
走行精度を劣化させたり、ウエハやマスクの交換機構が
複雑化することがなくなる。
スクと試料台のステージを水平に保つことが可能になり
走行精度を劣化させたり、ウエハやマスクの交換機構が
複雑化することがなくなる。
【００１６】次に露光量の制御方法について述べる。図
４に示した様に電子銃（点ビーム）の後段に２段のコン
デンサレンズ３３１、３３２を配置し、２つのレンズを
ズームレンズの様に調整し成形アパーチャ３３４を通過
する電子の量を制御する。クロスオーバ像がビーム制限
アパーチャ３３３の位置からずれないように２つのコン
デンサレンズの励磁を調整し、アパーチャ３３４への電
子の入射角度を制御する。この調整はマスクステージに
配置されたファラデーカップで電流を測定することによ
って実施される。あらかじめ２つのコンデンサレンズの
励磁電流とマスクステージ上で測定した電流をテーブル
化しておき、設定したい電流密度が決定されるとそのテ
ーブルから２つのコンデンサレンズの励磁電流を決定し
所望の電流密度が得られるようにする。
４に示した様に電子銃（点ビーム）の後段に２段のコン
デンサレンズ３３１、３３２を配置し、２つのレンズを
ズームレンズの様に調整し成形アパーチャ３３４を通過
する電子の量を制御する。クロスオーバ像がビーム制限
アパーチャ３３３の位置からずれないように２つのコン
デンサレンズの励磁を調整し、アパーチャ３３４への電
子の入射角度を制御する。この調整はマスクステージに
配置されたファラデーカップで電流を測定することによ
って実施される。あらかじめ２つのコンデンサレンズの
励磁電流とマスクステージ上で測定した電流をテーブル
化しておき、設定したい電流密度が決定されるとそのテ
ーブルから２つのコンデンサレンズの励磁電流を決定し
所望の電流密度が得られるようにする。
【００１７】ここで、図５に示した様な矩形ビーム走査
による露光を想定する。マスクステージ上であるビーム
電流値Ｉｍに設定し、あらかじめ設けられたマスク上の
全反射領域（ベタパターン領域）にビームを当てながら
試料面ステージ上に設置されたファラデーカップで電流
Ｉｔを測定して反射率ｋ（＝Ｉｔ／Ｉｍ）を求める。次
に試料台ステージ上のマーク台でビームサイズ（ｌ、
ｗ）を計測する。この時試料面における電流密度ＪはＪ
＝Ｉｔ／ｌｗである。ラスタ走査範囲はパターン領域幅
をＬとするとＬ＋ｗとし、パターン領域にはビームが均
一に照射されるようにする。ラスタ走査速度をＶｓとし
た時のラインドーズ量ｄは、ｄ＝Ｊｌ／Ｖｓで表わされ
る。ステージ速度Ｖｔ、露光むらを避けるためにｎ回重
なるようなスキャン周期（＝ｗ／ｎＶｔ）に設定すると
ウエハへの露光量Ｄは、Ｄ＝ｄｎｗ／Ｖｔで表わされ、
まとめるとＤ＝ｋＩｍｎ／ＶｓＶｔとなる。多重回数は
装置の持つ描画精度で決定され、ターゲットに対する描
画精度を満たすように設定される。基本的に条件出し後
に固定される数値である。スキャン速度Ｖｓはステージ
速度Ｖｔに依存するため、露光量はマスクに入射される
電流量Ｉｍと試料台ステージ速度Ｖｔで決定される。露
光に必要な露光量は、コンデンサレンズの励磁を調整し
て必要な電流密度に合わせた後、試料台ステージでビー
ム電流を測定する。この値と上式からステージ速度を決
定すれば必要な露光量でパターンを描画できることにな
る。(その他実施例)電流密度を調整する方法としては次
の方法でも可能である。ビーム制限アパーチャ３３３で
クロスオーバ像を僅かに偏向することによってビーム電
流を調整することができる。ただし、この場合はクロス
オーバ像の位置がアパーチャの中心にある時が最大で偏
向によって電流密度を下げる方向にのみ制御できる。
による露光を想定する。マスクステージ上であるビーム
電流値Ｉｍに設定し、あらかじめ設けられたマスク上の
全反射領域（ベタパターン領域）にビームを当てながら
試料面ステージ上に設置されたファラデーカップで電流
Ｉｔを測定して反射率ｋ（＝Ｉｔ／Ｉｍ）を求める。次
に試料台ステージ上のマーク台でビームサイズ（ｌ、
ｗ）を計測する。この時試料面における電流密度ＪはＪ
＝Ｉｔ／ｌｗである。ラスタ走査範囲はパターン領域幅
をＬとするとＬ＋ｗとし、パターン領域にはビームが均
一に照射されるようにする。ラスタ走査速度をＶｓとし
た時のラインドーズ量ｄは、ｄ＝Ｊｌ／Ｖｓで表わされ
る。ステージ速度Ｖｔ、露光むらを避けるためにｎ回重
なるようなスキャン周期（＝ｗ／ｎＶｔ）に設定すると
ウエハへの露光量Ｄは、Ｄ＝ｄｎｗ／Ｖｔで表わされ、
まとめるとＤ＝ｋＩｍｎ／ＶｓＶｔとなる。多重回数は
装置の持つ描画精度で決定され、ターゲットに対する描
画精度を満たすように設定される。基本的に条件出し後
に固定される数値である。スキャン速度Ｖｓはステージ
速度Ｖｔに依存するため、露光量はマスクに入射される
電流量Ｉｍと試料台ステージ速度Ｖｔで決定される。露
光に必要な露光量は、コンデンサレンズの励磁を調整し
て必要な電流密度に合わせた後、試料台ステージでビー
ム電流を測定する。この値と上式からステージ速度を決
定すれば必要な露光量でパターンを描画できることにな
る。(その他実施例)電流密度を調整する方法としては次
の方法でも可能である。ビーム制限アパーチャ３３３で
クロスオーバ像を僅かに偏向することによってビーム電
流を調整することができる。ただし、この場合はクロス
オーバ像の位置がアパーチャの中心にある時が最大で偏
向によって電流密度を下げる方向にのみ制御できる。
【００１８】
【発明の効果】本発明により、マスク及び試料台のステ
ージ走行精度が高くかつ露光量の制御が可能な高精度反
射マスク型荷電粒子ビーム露光装置の実現が可能とな
る。
ージ走行精度が高くかつ露光量の制御が可能な高精度反
射マスク型荷電粒子ビーム露光装置の実現が可能とな
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例を示す模式図。
【図２】本発明の一実施例を示す模式図。
【図３】本発明の一実施例を示す模式図。
【図４】本発明の一実施例を示す模式図。
【図５】本発明の一実施例を示す模式図。
２１４・・光源 ２１５・・照明光学系 ２１６・・投影光学系 ２１７・・マスク ２１８・・マスクステージ ２１９・・被露光基板 ２２０・・被露光基板ステージ ２２１・・制御系 ２２２・・マスクステージ制御系 ２２３・・被露光基板ステージ制御系 ２２４・・マスク側アライメント機構 ２２４b・・レンズ様アライメント機構 ２２５・・被露光基板側アライメント機構 ２２６a,b・・アライメントレンズ ２２７a,b・・アパーチャ ３３１・・第一コンデンサレンズ ３３２・・第二コンデンサレンズ ３３３・・ビーム制限アパーチャ ３３４・・成形アパーチャ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 土屋 英雄 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝研究開発センター内 (72)発明者 吉武 秀介 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝研究開発センター内 Ｆターム(参考） 2H097 AA03 AB09 BB01 CA11 LA10 5C034 BB02 BB05 BB06 BB07 5F056 AA20 AA21 CB03 CB23 CB31 EA08 EA14 FA05
Claims (3)
- 【請求項１】 光源から放出した荷電粒子ビームをマス
クに照射する照明光学系と、前期照明光学系からマスク
に照射して得られる荷電粒子ビームを被露光基板に照射
する投影光学系とを具備する荷電粒子ビーム露光装置に
おいて、マスクの移動面と被露光基板の移動面を水平に
した移動機構で構成したことを特徴とする反射型荷電粒
子ビーム描画装置。 - 【請求項２】 光源から放出した荷電粒子ビームをマス
クに照射する照明光学系と、前期照明光学系からマスク
に照射して得られる荷電粒子ビームを被露光基板に照射
する投影光学系とを具備する荷電粒子ビーム露光装置に
おいて、前記照明光学系に荷電粒子の電流量を可変にで
きる機構を具備し、その電流量で露光量を制御できる機
構を設けたことを特徴とする反射型荷電粒子ビーム描画
装置。 - 【請求項３】 光源から放出した荷電粒子ビームをマス
クに照射する照明光学系と、前期照明光学系からマスク
に照射して得られる荷電粒子ビームを被露光基板に照射
する投影光学系とを具備し、露光の際マスクと被露光基
板の移動速度を同期させて移動させる機構を持つ荷電粒
子ビーム露光装置において、被露光基板におけるビーム
電流と被露光基板の移動速度を制御して被露光基板に照
射する露光量を制御することを特徴とする反射型荷電粒
子ビーム描画装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11049960A JP2000252186A (ja) | 1999-02-26 | 1999-02-26 | 反射型荷電粒子ビーム描画装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11049960A JP2000252186A (ja) | 1999-02-26 | 1999-02-26 | 反射型荷電粒子ビーム描画装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000252186A true JP2000252186A (ja) | 2000-09-14 |
Family
ID=12845610
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11049960A Pending JP2000252186A (ja) | 1999-02-26 | 1999-02-26 | 反射型荷電粒子ビーム描画装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000252186A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010062374A (ja) * | 2008-09-04 | 2010-03-18 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法 |
| JP2011249811A (ja) * | 2010-05-28 | 2011-12-08 | Kla-Tencor Corp | ＥｘＢセパレータを用いた反射電子ビーム投射リソグラフィー |
-
1999
- 1999-02-26 JP JP11049960A patent/JP2000252186A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010062374A (ja) * | 2008-09-04 | 2010-03-18 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法 |
| JP2011249811A (ja) * | 2010-05-28 | 2011-12-08 | Kla-Tencor Corp | ＥｘＢセパレータを用いた反射電子ビーム投射リソグラフィー |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6117598A (en) | Scanning exposure method with alignment during synchronous movement | |
| US6225637B1 (en) | Electron beam exposure apparatus | |
| US7068350B2 (en) | Exposure apparatus and stage device, and device manufacturing method | |
| US6069684A (en) | Electron beam projection lithography system (EBPS) | |
| JP2002075830A (ja) | 荷電粒子線露光方法、レチクル及びデバイス製造方法 | |
| US6526118B2 (en) | Projection exposure apparatus and method, and illumination optical system thereof | |
| US6258511B1 (en) | Charged particle beam exposure method utilizing partial exposure stitch area | |
| TWI707208B (zh) | 微影裝置及使用該微影裝置而在基板上曝光一曝光區之方法 | |
| KR20000006155A (ko) | 전사투영장치와상기장치를이용한디바이스제작방법및상기방법에의하여만들어진디바이스 | |
| US6124596A (en) | Charged-particle-beam projection apparatus and transfer methods | |
| US6337734B1 (en) | Exposure control method, exposure apparatus and device manufacturing method | |
| KR20000058210A (ko) | 균일한 스캐닝 에너지를 발생하는 필드 거울을 갖는조사장치 | |
| JP2000252186A (ja) | 反射型荷電粒子ビーム描画装置 | |
| US6172739B1 (en) | Exposure apparatus and method | |
| JPH09180987A (ja) | 荷電粒子線転写装置 | |
| JPH11176720A (ja) | 電子ビーム露光装置 | |
| JPH0750248A (ja) | 電子ビーム描画評価方法 | |
| JPH10303118A (ja) | 電子線投影光学系 | |
| JP2000124116A (ja) | 荷電ビーム露光方法及び荷電ビーム露光装置 | |
| JPH09223659A (ja) | 荷電粒子線転写方法及び装置 | |
| JPH10303117A (ja) | 電子線光学系 | |
| JP2000100364A (ja) | 荷電粒子線転写装置 | |
| JP2000357647A (ja) | 荷電粒子ビーム露光装置 | |
| JPH10106470A (ja) | 荷電粒子線転写装置 | |
| JPH11219879A (ja) | 電子ビーム露光方法と電子ビーム露光装置 |