JP2000251791A

JP2000251791A - 画像形成装置

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Publication number: JP2000251791A
Application number: JP11047165A
Authority: JP
Inventors: Kazuya Miyazaki; 和也宮崎; Masahiro Fushimi; 正弘伏見
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1999-02-24
Filing date: 1999-02-24
Publication date: 2000-09-14
Anticipated expiration: 2019-02-24
Also published as: JP3652159B2

Abstract

(57)【要約】【課題】画像形成装置の外囲器内に配置されるスペー
サに照射される電子ビーム量を抑制するとともに電子軌
道を制御し、画像のゆがみが小さくかつ輝度依存の少な
い画像表示装置を提供する。【解決手段】画像形成領域に配置されたスペーサ１１
２近傍の少なくとも一つ以上の電子放出素子駆動配線１
１５上に電子軌道補正用配線１２３を設け、前記電子放
出素子１１７を配列した電子源基板１１１と加速電極１
１０間距離をｄ、該加速電圧をＶ_a、該電子源基板１１
１からの前記電子軌道補正用配線１２３の高さをｈとし
たときに、該電子軌道補正用配線１２３に、Ｖ_h＜Ｖ_a
・（ｈ／ｄ）なる電位Ｖ_hを印加することにより、該電
子源より放出される電子の軌道を補正する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電子放出素子を用
いた画像形成装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来から、電子放出素子として熱陰極素
子と冷陰極素子の二種類が知られている。このうち冷陰
極素子では、たとえば表面伝導型放出素子や、電界放出
型素子（以下ＦＥ型と記す）や、金属／絶縁層／金属型
放出素子（以下、ＭＩＭ型と記す）等が知られている。

【０００３】表面伝導型放出素子としては、たとえば、
Ｍ．Ｉ．Ｅｌｉｎｓｏｎ，ＲａｄｉｏＥｎｇ．Ｅｌｅ
ｃｔｒｏｎＰｈｙｓ．，１０，１２９０，（１９６
５）や後述する他の例が知られている。

【０００４】表面伝導型放出素子は、基板上に形成され
た小面積の薄膜に、膜面に平行に電流を流すことにより
電子放出が生ずる現象を利用するものである。この表面
伝導型放出素子としては、Ｅｌｉｎｓｏｎ等によるＳｎ
Ｏ₂薄膜を用いたものの他に、Ａｕ薄膜によるもの
［Ｇ．Ｄｉｔｔｍｅｒ：“ＴｈｉｎＳｏｌｉｄＦｉ
ｌｍｓ”，９，３１７（１９７２）］や、Ｉｎ₂Ｏ₃／
ＳｎＯ₂薄膜によるもの［Ｍ．Ｈａｒｔｗｅｌｌａｎ
ｄＣ．Ｇ．Ｆｏｎｓｔａｄ：“ＩＥＥＥＴｒａｎ
ｓ．ＥＤＣｏｎｆ．”，５１９（１９７５）］やカー
ボン薄膜によるもの［荒木久他：真空、第２６巻、第１
号、２２（１９８３）］等が報告されている。

【０００５】これらの表面伝導型放出素子の素子構成の
典型的な例として、図２２に前述のＭ．Ｈａｒｔｗｅｌ
ｌらによる素子の平面図を示す。同図において、３００
１は基板で、３００４はスパッタで形成された金属酸化
物よりなる導電性薄膜である。導電性薄膜３００４は図
示のようにＨ字形の平面形状に形成されている。該導電
性薄膜３００４に後述の通電フォーミングと呼ばれる通
電処理を施すことにより、電子放出部３００５が形成さ
れる。図中の間隔Ｌは０．５〜１［ｍｍ］、Ｗは０．１
［ｍｍ］で設定されている。尚、図示の便宜から、電子
放出部３００５は導電性薄膜３００４の中央に矩形の形
状で示したが、これは模式的なものであり、実際の電子
放出部の位置や形状を忠実に表現しているわけではな
い。

【０００６】Ｍ．Ｈａｒｔｗｅｌｌらによる素子をはじ
めとして上述の表面伝導型放出素子においては、電子放
出を行う前に導電性薄膜３００４に通電フォーミングと
呼ばれる通電処理を施すことにより電子放出部３００５
を形成するのが一般的であった。すなわち、通電フォー
ミングとは、該導電性薄膜３００４の両端に一定の直流
電圧、もしくは、例えば１Ｖ／分程度の非常にゆっくり
としたレートで昇圧する直流電圧を印加して通電し、導
電性薄膜３００４を局所的に破壊もしくは変形もしくは
変質せしめ、電気的に高抵抗な状態の電子放出部３００
５を形成することである。尚、局所的に破壊もしくは変
形もしくは変質した導電性薄膜３００４の一部には、亀
裂が発生する。該通電フォーミング後に導電性薄膜３０
０４に適宜の電圧を印加した場合には、該亀裂付近にお
いて電子放出が行われる。

【０００７】また、ＦＥ型の例は、たとえば、Ｗ．Ｐ．
Ｄｙｋｅ＆Ｗ．Ｗ．Ｄｏｌａｎ“Ｆｉｅｌｄｅｍｉｓ
ｓｉｏｎ”，ＡｄｖａｎｃｅｉｎＥｌｅｃｔｒｏｎ
Ｐｈｙｓｉｃｓ，８，８９（１９５６）や、あるい
は、Ｃ．Ａ．Ｓｐｉｎｄｔ，“Ｐｈｙｓｉｃａｌｐｒ
ｏｐｅｒｔｉｅｓｏｆｔｈｉｎ−ｆｉｌｍｆｉｅ
ｌｄｅｍｉｓｓｉｏｎｃａｔｈｏｄｅｓｗｉｔｈ
ｍｏｌｙｂｄｅｎｉｕｍｃｏｎｅｓ”，Ｊ．Ａｐｐ
ｌ．Ｐｈｙｓ．，４７，５２４８（１９７６）等が知ら
れている。

【０００８】ＦＥ型の素子構成の典型的な例として、図
２３に前述のＣ．Ａ．Ｓｐｉｎｄｔらによる素子の断面
図を示す。同図において、３０１０は基板で、３０１１
は導電材料よりなるエミッタ配線、３０１２はエミッタ
コーン、３０１３は絶縁層、３０１４はゲート電極であ
る。本素子は、エミッタコーン３０１２とゲート電極３
０１４の間に適宜の電圧を印加することにより、エミッ
タコーン３０１２の先端部より電界放出を起こさせるも
のである。

【０００９】また、ＦＥ型の他の素子構成として、図２
３のような積層構造ではなく、基板上に基板平面とほぼ
平行にエミッタとゲート電極を配置した例もある。

【００１０】また、ＭＩＭ型の例としては、たとえば、
Ｃ．Ａ．Ｍｅａｄ，“Ｏｐｅｒａｔｉｏｎｏｆｔｕ
ｎｎｅｌ−ｅｍｉｓｓｉｏｎＤｅｖｉｃｅｓ，Ｊ．Ａ
ｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，３２，６４６（１９６１）等が知
られている。ＭＩＭ型の素子構成の典型的な例を図２４
に示す。同図は断面図であり、図において、３０２０は
基板で、３０２１は金属よりなる下電極、３０２２は厚
さ１００オングストローム程度の薄い絶縁層、３０２３
は厚さ８０〜３００［オングストローム］程度の金属よ
りなる上電極である。ＭＩＭ型においては、上電極３０
２３と下電極３０２１の間に適宜の電圧を印加すること
により、上電極３０２３の表面より電子放出を起こさせ
るものである。

【００１１】上述の冷陰極素子は、熱陰極素子と比較し
て低温で電子放出を得ることができるため、加熱用ヒー
ターを必要としない。したがって、熱陰極素子よりも構
造が単純であり、微細な素子を作成可能である。また、
基板上に多数の素子を高い密度で配置しても、基板の熱
溶融等の問題が発生しにくい。また、熱陰極素子がヒー
ター加熱により動作するために応答速度が遅いのとは異
なり、冷陰極素子の場合には応答速度が速いという利点
もある。

【００１２】このため、冷陰極素子を応用するための研
究が盛んに行われてきている。

【００１３】たとえば、表面伝導型放出素子は、冷陰極
素子のなかでも特に構造が単純で製造も容易であること
から、大面積にわたり多数の素子を形成できる利点があ
る。そこで、たとえば特開昭６４−３１３３２において
開示されるように、多数の素子を配列して駆動するため
の方法が研究されている。また、表面伝導型放出素子の
応用については、たとえば、画像表示装置、画像記録装
置等の画像形成装置や、荷電ビーム源等が研究されてい
る。

【００１４】特に、画像表示装置への応用としては、た
とえばＵＳＰ５，０６６，８８３や特開平２−２５７５
５１や特開平４−２８１３７において開示されているよ
うに、表面伝導型放出素子と電子ビームの照射により発
光する蛍光体とを組み合わせて用いた画像表示装置が研
究されている。表面伝導型放出素子と蛍光体とを組み合
わせて用いた画像表示装置は、従来の他の方式の画像表
示装置よりも優れた特性が期待されている。たとえば、
近年普及してきた液晶表示装置と比較しても、自発光型
であるためバックライトを必要としない点や、視野角が
広い点が優れていると言える。

【００１５】また、ＦＥ型を多数個ならべて駆動する方
法は、たとえばＵＳＰ４，９０４，８９５に開示されて
いる。また、ＦＥ型を画像表示装置に応用した例とし
て、たとえば、Ｒ．Ｍｅｙｅｒらにより報告された平板
型表示装置が知られている。

【００１６】［Ｒ．Ｍｅｙｅｒ：“ＲｅｃｅｎｔＤｅ
ｖｅｌｏｐｍｅｎｔｏｎＭｉｃｒｏ−ｔｉｐｓＤ
ｉｓｐｌａｙａｔＬＥＴＩ”，Ｔｅｃｈ．Ｄｉｇｅ
ｓｔｏｆ４ｔｈＩｎｔ．ＶａｃｕｕｍＭｉｃｒｏ
ｅｌｅ−ｃｔｒｏｎｉｃｓＣｏｎｆ．，Ｎａｇａｈａｍ
ａ．ｐｐ．６〜９（１９９１）］。

【００１７】また、ＭＩＭ型を多数個並べて画像表示装
置に応用した例は、たとえば特開平３−５５７３８に開
示されている。

【００１８】上記のような電子放出素子を用いた画像形
成装置のうちで、奥行きの薄い平面型表示装置は省スペ
ースかつ軽量であることから、ブラウン管型の表示装置
に置き換わるものとして注目されている。

【００１９】図２５は平面型の画像表示装置をなす表示
パネル部の一例を示す斜視図であり、内部構造を示すた
めに一部を切り欠いて示している。

【００２０】図中、３１１５はリアプレート、３１１６
は側壁、３１１７はフェースプレートであり、リアプレ
ート３１１５、側壁３１１６およびフェースプレート３
１１７により、表示パネルの内部を真空に維持するため
の外囲器（気密容器）を形成している。

【００２１】リアプレート３１１５には基板３１１１が
固定されているが、この基板３１１１上には冷陰極素子
３１１２が、Ｎ×Ｍ個形成されている。（Ｎ、Ｍは２以
上の正の整数であり、目的とする表示画素数に応じて適
宜設定される。）また、該Ｎ×Ｍ個の冷陰極素子３１１
２は、図２５に示すとおり、Ｍ本の行方向配線３１１３
とＮ本の列方向配線３１１４により配線されている。こ
れら基板３１１１、冷陰極素子３１１２、行方向配線３
１１３および列方向配線３１１４によって構成される部
分をマルチ電子ビーム源と呼ぶ。また、行方向配線３１
１３と列方向配線３１１４の少なくとも交差する部分に
は、両配線間に絶縁層（不図示）が形成されており、電
気的な絶縁が保たれている。

【００２２】フェースプレート３１１７の下面には、蛍
光体からなる蛍光膜３１１８が形成されており、赤
（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３原色の蛍光体（不図
示）が塗り分けられている。また、蛍光膜３１１８をな
す上記各色蛍光体の間には黒色体（不図示）が設けてあ
り、さらに蛍光膜３１１８のリアプレート３１１５側の
面には、Ａｌ等からなるメタルバック３１１９が形成さ
れている。

【００２３】Ｄｘ１〜ＤｘｍおよびＤｙ１〜Ｄｙｎおよ
びＨｖは、当該表示パネルと不図示の電気回路とを電気
的に接続するために設けた気密構造の電気接続用端子で
ある。Ｄｘ１〜Ｄｘｍはマルチ電子ビーム源の行方向配
線３１１３と、Ｄｙ１〜Ｄｙｎはマルチ電子ビーム源の
列方向配線３１１４と、Ｈｖはメタルバック３１１９と
各々電気的に接続している。

【００２４】また、上記気密容器の内部は１０^-6［Ｔｏ
ｒｒ］程度の真空に保持されており、画像表示装置の表
示面積が大きくなるにしたがい、気密容器内部と外部の
気圧差によるリアプレート３１１５およびフェースプレ
ート３１１７の変形あるいは破壊を防止する手段が必要
となる。リアプレート３１１５およびフェースプレート
３１１６を厚くすることによる方法は、画像表示装置の
重量を増加させるのみならず、斜め方向から見たときに
画像のゆがみや視差を生ずる。これに対し、図２５にお
いては、比較的薄いガラス板からなり大気圧を支えるた
めの構造支持体（スペーサあるいはリブと呼ばれる）３
１２０が設けられている。このようにして、マルチビー
ム電子源が形成された基板３１１１と蛍光膜３１１８が
形成されたフェースプレート３１１６間は通常サブミリ
ないし数ミリに保たれ、前述したように気密容器内部は
高真空に保持されている。

【００２５】以上説明した表示パネルを用いた画像表示
装置は、容器外端子Ｄｘ１ないしＤｘｍ、Ｄｙ１ないし
Ｄｙｎを通じて各冷陰極素子３１１２に電圧を印加する
と、各冷陰極素子３１１２から電子が放出される。それ
と同時にメタルバック３１１９に容器外端子Ｈｖを通じ
て数百［Ｖ］ないし数［ｋＶ］の高圧を印加して、上記
放出された電子を加速し、フェースプレート３１１７の
内面に衝突させる。これにより、蛍光膜３１１８をなす
各色の蛍光体が励起されて発光し、画像が表示される。

【００２６】

【発明が解決しようとする課題】以上述べた画像形成装
置は、装置内部の真空雰囲気を維持するための外囲器、
外囲器内に配置された電子源、該電子源から放出された
電子線が照射されるターゲット、電子線をターゲットに
向けて加速するための加速電極等を有するが、さらに、
外囲器に加わる大気圧を外囲器内部から支持するための
支持部材（スペーサ）が外囲器内部に配置されることが
ある。

【００２７】このような画像形成装置の表示パネルにお
いては、以下のような問題点があった。

【００２８】まず、スペーサの近傍から放出された電子
の一部がスペーサに当たることにより、あるいは放出電
子の作用でイオン化したイオンがスペーサに付着するこ
とにより、スペーサ帯電をひきおこす可能性がある。さ
らに、フェースプレートに到達した電子が一部反射・散
乱され、その一部がスペーサに当たることによりスペー
サ帯電をひきおこす可能性がある。このスペーサの帯電
により冷陰極素子から放出された電子はその軌道を曲げ
られ、蛍光体上の正規な位置とは異なる場所に到達し、
スペーサ近傍の画像がゆがんで表示される。

【００２９】この問題点を解決するために、スペーサに
微小電流が流れるようにして帯電を除去（以下除電）す
る提案がなされている。そこでは絶縁性のスペーサの表
面に高抵抗薄膜を形成することにより、スペーサ表面に
微小電流が流れるようにしている。

【００３０】しかしながら、冷陰極素子からの放出電子
量が大きくなると、これらの除電能力は十分とは言え
ず、電子ビームの強度により帯電量が変化する。これに
伴い、スペーサ付近の素子から放出された電子ビームは
その強度（輝度）によって、ターゲット上の正規な位置
からのずれが異なる。このため動画を表示したときに、
画像がゆらいで見えてしまう等の欠点があった。

【００３１】［発明の目的］本発明は上記従来スペーサ
の欠点を電場制御の点から改善するものであり、素子駆
動配線上に電子軌道補正用の配線電極を設け、これに任
意の電位を与えることにより、スペーサに照射される電
子ビーム量を抑制するとともに電子軌道を制御し、画像
のゆがみが小さくかつ輝度依存の少ない画像表示装置を
提供することを目的とするものである。

【００３２】

【課題を解決するための手段および作用】上記目的は、
以下の構成を有する画像形成装置により達成される。す
なわち、複数の冷陰極型電子放出素子からなる電子源を
有する電子源基板、この電子源基板に対向配置され該電
子源より放出された電子を加速するための加速電極、電
子源から放出された電子線が照射されるターゲット（蛍
光体）、電子源基板と加速電極を真空に維持するための
密閉構造を有する外囲器と、この外囲器を支持するため
のスペーサを有する画像形成装置であって、画像形成領
域に配置されたスペーサ近傍の少なくとも一つ以上の素
子駆動配線上に電子軌道補正用配線を設け、該加速電圧
をＶ_a、該電子源基板と該加速電極間距離をｄ、該電子
源基板からの該電子軌道補正用配線の高さをｈとしたと
きに、該電子軌道補正用配線にＶ_h＜Ｖ_a・（ｈ／ｄ）
なる電位Ｖ_hを印加することにより、該電子源より放出
される電子の軌道を制御することである。

【００３３】また、本発明は、図１（ｂ）に示すよう
に、複数の冷陰極型電子放出素子１１７、１１８が平面
上に設置されたリアプレート１１１、該リアプレート１
１１上に設けられ該電子放出素子１１７、１１８に接続
された第１の配線群１１４、１１５、１１６、該第１の
配線１１４、１１５、１１６を経由して該電子放出素子
に電圧ないし電流を供給する第１の信号源群（不図
示）、入力される画像信号に応じて該第１の信号源（不
図示）の出力を制御する電気回路（不図示）、前記リア
プレート１１１と対向して配置され、該電子放出素子１
１７、１１８と対向する面に画像形成部材が形成された
フェースプレート１１０、該フェースプレート１１０と
該リアプレート１１１間に高電圧Ｖａを印加する手段
（不図示）、該フェースプレート１１０と該リアプレー
ト１１１上の該第１の配線１１４のそれぞれに端部が接
しているスペーサ１１２、該スペーサ１１２が設置され
ていない該第１の配線１１５、１１６の上に、該第１の
配線とは電気的に絶縁されて設けられた第２の配線群１
２３、１２４、該第２の配線１２３、１２４に接続され
た第２の信号源（不図示）、を有することを特徴とする
画像形成装置でもある。

【００３４】また、前記フェースプレート１１０と前記
リアプレート１１１間の距離をｄ、前記第２の配線１２
３、１２４の該リアプレート１１１面からの高さをｈ、
前記高電圧をＶａとしたときに、Ｖａ・ｈ／ｄより小さ
い電圧を発生する前記第２の信号源を有することを特徴
とする画像形成装置でもある。

【００３５】なお、本明細書中では、電子放出素子の素
子電極間に印加される電圧Ｖｆは、素子電極の高電位側
の電極電位と低電位側の電極電位との電位差を言う。ま
た、加速電圧Ｖａは、アノード（加速電極）電位と、素
子電極の高電位側電極電位と低電位側電極電位との中間
電位との電位差を言う。

【００３６】また、本発明で用いる画像形成部材として
は、蛍光体等の他にも、潜像を形成する部材を用いるこ
ともできる。

【００３７】ここで、図１を用いて本発明の機能につい
て説明する。図１は、スペーサと電子放出素子の構成に
ついての説明図であり画像形成装置における断面図であ
る。（ａ）、（ｂ）において、１１０は蛍光体とメタル
バックを含むフェースプレート、１１１は電子源基板を
含むリアプレート、１１２はスペーサ、１１３はスペー
サ表面の導電部、１１４はスペーサ設置した素子駆動用
配線部、１１５は第１近接素子駆動用配線部、１１６は
第２近接素子駆動用配線部、１１７は第１近接素子、１
１８は第２近接素子、１１９は代表的な電子ビーム軌
道、１２１，１２２は絶縁層、１２３は第１近接配線上
に形成される電子軌道補正用配線部、１２４は第２近接
配線上に形成される電子軌道補正用配線部である。

【００３８】このとき、スペーサは絶縁性部材そのもの
を用いることもでき、また表面に高抵抗薄膜を形成した
半導電性のスペーサを用いることもできる。

【００３９】さらに、絶縁性あるいは半導電性のスペー
サによらず、スペーサが設置される配線部および加速電
極との良好な電気的接触を得るために、あるいは後述す
る電子軌道補正のために、スペーサ表面の端部（不図
示）に導電部を有する構成もとることができる。

【００４０】電子源基板側に形成される導電部は、素子
駆動配線との良好な電気的接触を得るとともに、スペー
サにおける０電位を加速電極側に上昇せしめ、これによ
りスペーサ第１近接素子から放出される電子を反発せし
めて正規の位置に輝点を形成するという効果も兼ねてい
る。

【００４１】しかしながら、この導電部を形成すること
はスペーサの沿面距離を短くすることと同義であるの
で、スペーサ沿面における放電耐圧を下げないために、
できるだけ高さを抑えて形成するのが望ましい。

【００４２】スペーサ第１近接配線上に形成される電子
軌道補正用配線は、Ｖ_h1（＜Ｖ_a・（ｈ／ｄ））なる電
位を印加することにより、スペーサ第１近接素子から放
出される電子の軌道を正規の位置に輝点を形成するとと
もに、できるだけ低い電位を与えて、スペーサ導電部の
高さを抑えるという効果も兼ねている。

【００４３】スペーサ第２近接配線上に形成される電子
軌道補正用配線は、Ｖ_h2（＜Ｖ_a・（ｈ／ｄ））なる電
位を印加することにより、スペーサ導電部では電子軌道
補正ができない。スペーサ第２近接素子から放出される
電子の軌道を正規の位置に輝点を形成するとともに、で
きるだけ低い電位を与えて、スペーサ導電部の高さを抑
えるという効果も兼ねている。

【００４４】図１においては、スペーサに隣接する第１
近接素子駆動用配線および第２近接素子駆動用配線上に
電子軌道補正用配線が形成された例であるが、第１近接
素子の電子軌道補正がスペーサ導電部のみで達成される
ときは、スペーサ第２近接配線上のみに電子軌道補正用
配線が形成されることもある。

【００４５】電子軌道補正用配線に印加される電圧Ｖ_h
に関しては、たとえば加速電圧Ｖ_aをＶ_a＝６ｋＶ、電
子源基板と加速電極間距離ｄをｄ＝３ｍｍ、電子源基板
からの該電子軌道補正用配線の高さｈをｈ＝９０μｍと
したときには、Ｖ_h＜１８０Ｖと制限される。

【００４６】さらに望ましくは、電子軌道補正用配線に
印加される電圧Ｖ_hは、素子駆動配線と電子軌道補正用
配線との間に形成される絶縁層の絶縁破壊電圧から制限
される。

【００４７】たとえば、素子駆動配線に印加する電圧Ｖ
_f1/2をＶ_f1/2＝−７Ｖ、素子駆動配線と電子軌道補正用
配線との間に形成される絶縁層の厚さｔをｔ＝３０μｍ
とした場合には、絶縁層の絶縁破壊電圧が１ｋＶ／ｍｍ
であるので、Ｖ_hは、−３７Ｖ＜Ｖ_h＜２３Ｖと制限さ
れる。

【００４８】（ａ）において、スペーサに直接入射する
電子やスペーサの近傍から電子入射による放出された電
子の一部がスペーサに当たること、あるいは放出電子の
作用でイオン化したイオンがスペーサに付着することに
よりスペーサに正帯電が発生する。このスペーサ帯電に
より電場が変化し、素子から放出された電子はその軌道
を曲げられ、正規な位置とは異なる位置に到達する、こ
の結果、画像形成装置においてスペーサ近傍の画像がゆ
がんで見える問題が生じていた。

【００４９】これに対し、（ｂ）は本発明の構成を適用
し、電子の到達位置を補正した状態である。スペーサ１
１２を設置した素子駆動用配線部１１４上に形成した導
電部１１３により配線電極電位をａの高さまで規定する
とともに、第１近接素子駆動用配線部１１５上に形成さ
れる電子軌道補正用配線部１２３および第２近接素子駆
動用配線部１１６上に形成される電子軌道補正用配線部
１２４にそれぞれＶ_h1，Ｖ_h2の複数の電圧を印加するこ
とにより、電場形状を変えて、電子が電子軌道１１９の
軌跡を通過してフェースプレート１１０の正規位置に入
射することが可能となる。この結果、歪みのない高品位
な画像形成が実現できる。

【００５０】本発明の電子線装置は、以下のような形態
を有するものであってもよい。該電子線装置は、該電極が該電子源より放出された電
子を加速する加速電極であり、入力信号に応じて該冷陰
極素子から放出された電子を該ターゲットに照射して画
像を形成する画像形成装置をなす。特に、該ターゲット
が蛍光体である画像表示装置をなす。該冷陰極素子は、電子放出部を含む導電性膜を一対の
電極間に有する冷陰極素子であり、特に好ましくは表面
伝導型放出素子である。該電子源は、複数の行方向配線と複数の列方向配線と
でマトリクス配線された複数の冷陰極素子を有する単純
マトリクス状配置の電子源をなす。該電子源は、並列に配置した複数の冷陰極素子の個々
を両端で接続した冷陰極素子の行を複数配し（行方向と
呼ぶ）、この配線と直交する方向（列方向と呼ぶ）に沿
って、冷陰極素子の上方に配した制御電極（グリッドと
も呼ぶ）により、冷陰極素子からの電子を制御するはし
ご状配置の電子源をなす。また、本発明の思想によれば、表示用として好適な画
像形成装置に限るものでなく、感光性ドラムと発光ダイ
オード等で構成された光プリンタの発光ダイオード等の
代替の発光源として、上述の画像形成装置を用いること
もできる。またこの際、上述のｍ本の行方向配線とｎ本
の列方向配線を、適宜選択することで、ライン状発光源
だけでなく、２次元状の発光源としても応用できる。こ
の場合、画像形成部材としては、以下の実施例で用いる
蛍光体のような直接発光する物質に限るものではなく、
電子の帯電による潜像画像が形成されるような部材を用
いることもできる。

【００５１】また、本発明の思想によれば、例えば電子
顕微鏡のように、電子源からの放出電子の被照射部材
が、蛍光体等の画像形成部材以外のものである場合につ
いても、本発明は適用できる。従って、本発明は被照射
部材を特定しない一般的電子線装置としての形態もとり
うる。

【００５２】

【発明の実施の形態】次に、本発明を適用した画像表示
装置の表示パネルの構成と製造法について、具体的な例
を示して説明する。

【００５３】図７は、実施例に用いた表示パネルの斜視
図であり、内部構造を示すためにパネルの一部を切り欠
いて示している。

【００５４】図中、１０１５はリアプレート、１０１６
は側壁、１０１７はフェースプレートであり、１０１５
〜１０１７により表示パネルの内部を真空に維持するた
めの気密容器を形成している。気密容器を組み立てるに
あたっては、各部材の接合部に十分な強度と気密性を保
持させるため封着する必要があるが、たとえばフリット
ガラスを接合部に塗布し、大気中あるいは窒素雰囲気中
で、摂氏４００〜５００度で１０分以上焼成することに
より封着を達成した。気密容器内部を真空に排気する方
法については後述する。また、上記気密容器の内部は１
０^-6［Ｔｏｒｒ］程度の真空に保持されるので、大気圧
や不意の衝撃等による気密容器の破壊を防止する目的
で、耐大気圧構造体として、スペーサ１０２０が設けら
れている。

【００５５】リアプレート１０１５には、基板１０１１
が固定されているが、該基板上には冷陰極素子１０１２
がＮ×Ｍ個形成されている。（Ｎ，Ｍは２以上の正の整
数であり、目的とする表示画素数に応じて適宜設定され
る。たとえば、高品位テレビジョンの表示を目的とした
表示装置においては、Ｎ＝３０００，Ｍ＝１０００以上
の数を設定することが望ましい。）該Ｎ×Ｍ個の冷陰極
素子は、Ｍ本の行方向配線１０１３とＮ本の列方向配線
１０１４により単純マトリクス配線されている。該、１
０１１〜１０１４によって構成される部分をマルチ電子
ビーム源と呼ぶ。

【００５６】本発明の画像表示装置に用いるマルチ電子
ビーム源は、冷陰極素子を単純マトリクス配線した電子
源であれば、冷陰極素子の材料や形状あるいは製法に制
限はない。したがって、たとえば表面伝導型放出素子や
ＦＥ型、あるいはＭＩＭ型等の冷陰極素子を用いること
ができる。

【００５７】次に、冷陰極素子として表面伝導型放出素
子（後述）を基板上に配列して単純マトリクス配線した
マルチ電子ビーム源の構造について述べる。

【００５８】図１８に示すのは、図７の表示パネルに用
いたマルチ電子ビーム源の平面図である。基板１０１１
上には、後述の図１１で示すものと同様な表面伝導型放
出素子が配列され、これらの素子は行方向配線電極１０
１３と列方向配線電極１０１４により単純マトリクス状
に配線されている。行方向配線電極１０１３と列方向配
線電極１０１４の交差する部分には、電極間に絶縁層
（不図示）が形成されており、電気的な絶縁が保たれて
いる。

【００５９】図１８のＢ−Ｂ′に沿った断面を、図１９
に示す。

【００６０】なお、このような構造のマルチ電子源は、
あらかじめ基板上に行方向配線電極１０１３、列方向配
線電極１０１４、電極間絶縁層（不図示）、および表面
伝導型放出素子の素子電極と導電性薄膜を形成した後、
行方向配線電極１０１３および列方向配線電極１０１４
を介して各素子に給電して通電フォーミング処理（後
述）と通電活性化処理（後述）を行うことにより製造し
た。

【００６１】本実施例においては、気密容器のリアプレ
ート１０１５にマルチ電子ビーム源の基板１０１１を固
定する構成としたが、マルチ電子ビーム源の基板１０１
１が十分な強度を有するものである場合には、気密容器
のリアプレートとしてマルチ電子ビーム源の基板１０１
１自体を用いてもよい。

【００６２】また、フェースプレート１０１７の下面に
は、蛍光膜１０１８が形成されている。

【００６３】本実施例はカラー表示装置であるため、蛍
光膜１０１８の部分にはＣＲＴの分野で用いられる赤、
緑、青、の３原色の蛍光体が塗り分けられている。各色
の蛍光体は、たとえば図９の（ａ）に示すようにストラ
イプ状に塗り分けられ、蛍光体のストライプの間には黒
色の導電体１０１０が設けてある。黒色の導電体１０１
０を設ける目的は、電子ビームの照射位置に多少ずれが
あっても表示色にずれが生じないようにする事や、外光
の反射を防止して表示コントラストの低下を防ぐ事、電
子ビームによる蛍光膜のチャージアップを防止する事等
である。黒色の導電体１０１０には、黒鉛を主成分とし
て用いたが、上記の目的に適するものであればこれ以外
の材料を用いても良い。

【００６４】また、３原色の蛍光体の塗り分け方は該図
９（ａ）に示したストライプ状の配列に限られるもので
はなく、たとえば図９（ｂ）に示すようなデルタ状配列
や、それ以外の配列であってもよい。

【００６５】なお、モノクロームの表示パネルを作成す
る場合には、単色の蛍光体材料を蛍光膜１０１８に用い
ればよく、また黒色導電材料は必ずしも用いなくともよ
い。また、蛍光膜１０１８のリアプレート側の面には、
ＣＲＴの分野では公知のメタルバック１０１９を設けて
ある。メタルバック１０１９を設けた目的は、蛍光膜１
０１８が発する光の一部を鏡面反射して光利用率を向上
させる事や、負イオンの衝突から蛍光膜１０１８を保護
する事や、電子ビーム加速電圧を印加するための電極と
して作用させる事や、蛍光膜１０１８を励起した電子の
導電路として作用させる事等である。メタルバック１０
１９は、蛍光膜１０１８をフェースプレート基板１０１
７上に形成した後、蛍光膜表面を平滑化処理し、その上
にＡｌを真空蒸着する方法により形成した。なお、蛍光
膜１０１８に低電圧用の蛍光体材料を用いた場合には、
メタルバック１０１９は用いない。

【００６６】また、本実施例では用いなかったが、加速
電圧の印加用や蛍光膜の導電性向上を目的として、フェ
ースプレート基板１０１７と蛍光膜１０１８との間に、
たとえばＩＴＯを材料とする透明電極を設けてもよい。

【００６７】図８は図７のＡ−Ａ′の断面模式図であ
り、各部の番号は図７に対応している。スペーサ１０２
０は絶縁性部材１の表面に帯電防止を目的とした高抵抗
薄膜１１を成膜し、かつフェースプレート１０１７の内
側（メタルバック１０１９等）及び基板１０１１の表面
（行方向配線１０１３または列方向配線１０１４）に面
したスペーサの当接面３及び接する側面部５に低抵抗膜
２１を成膜した部材からなるもので、上記目的を達成す
るのに必要な数だけ、かつ必要な間隔をおいて配置さ
れ、フェースプレートの内側および基板１０１１の表面
に接合材１０４１により固定される。また、高抵抗薄膜
は、絶縁性部材１の表面のうち、少なくとも気密容器内
の真空中に露出している面に成膜されており、スペーサ
１０２０上の低抵抗膜２２および接合材１０４１を介し
て、フェースプレート１０１７の内側（メタルバック１
０１９等）及び基板１０１１の表面（行方向配線１０１
３または列方向配線１０１４）に電気的に接続される。
ここで説明される態様においては、スペーサ１０２０の
形状は薄板状とし、行方向配線１０１３に平行に配置さ
れ、行方向配線１０１３に電気的に接続されている。ス
ペーサ１０２０としては、基板１０１１上の行方向配線
１０１３および列方向配線１０１４とフェースプレート
１０１７内面のメタルバック１０１９との間に印加され
る高電圧に耐えるだけの絶縁性を有し、かつスペーサ１
０２０の表面への帯電を防止する程度の導電性を有する
必要がある。

【００６８】スペーサ１０２０の絶縁性部材１として
は、例えば石英ガラス、Ｎａ等の不純物含有量を減少し
たガラス、ソーダライムガラス、アルミナ等のセラミッ
クス部材等が挙げられる。なお、絶縁性部材１はその熱
膨張率が気密容器および基板１０１１を成す部材と近い
ものが好ましい。

【００６９】スペーサ１０２０を構成する高抵抗薄膜１
１には、高電位側のフェースプレート１０１７（メタル
バック１０１９等）に印加される加速電圧Ｖ_aを帯電防
止膜である高抵抗薄膜２１の抵抗値Ｒｓで除した電流が
流される。そこで、スペーサの抵抗値Ｒｓは帯電防止お
よび消費電力からその望ましい範囲に設定される。帯電
防止の観点から表面抵抗ＲｓはＲｓ≦１０¹²［Ω／□］
であることが好ましい。十分な帯電防止効果を得るため
にはＲｓ≦１０¹¹［Ω／□］がさらに好ましい。表面抵
抗の下限はスペーサ形状とスペーサ間に印加される電圧
により左右されるが、１０⁵［Ω／□］以上であること
が好ましい。

【００７０】絶縁材料上に形成された帯電防止膜の厚み
ｔはｔ＝１０ｎｍ〜１μｍの範囲が望ましい。材料の表
面エネルギーおよび基板との密着性や基板温度によって
も異なるが、一般的に１０ｎｍ以下の薄膜は島状に形成
され、抵抗が不安定で再現性に乏しい。一方、膜厚ｔが
１μｍ以上では膜応力が大きくなって膜はがれの危険性
が高まり、かつ成膜時間が長くなるため生産性が悪い。
従って、膜厚は５０〜５００ｎｍであることが望まし
い。表面抵抗ＲｓはＲｓ：＝ρ／ｔであり、以上に述べ
たＲｓとｔの好ましい範囲から、帯電防止膜の比抵抗ρ
はρ＝０．１〜１０⁸［Ωｃｍ］が好ましい。さらに表
面抵抗と膜厚のより好ましい範囲を実現するためには、
ρはρ＝１０²〜１０⁶［Ωｃｍ］とするのが良い。

【００７１】スペーサは上述したようにその上に形成し
た帯電防止膜を電流が流れることにより、あるいはディ
スプレイ全体が動作中に発熱することによりその温度が
上昇する。帯電防止膜の抵抗温度係数が大きな負の値で
あると温度が上昇した時に抵抗値が減少し、スペーサに
流れる電流が増加し、さらに温度上昇をもたらす。そし
て電流は電源の限界を越えるまで増加しつづける。この
ような電流の暴走が発生する抵抗温度係数の値は経験的
に負の値で絶対値が１％以上である。すなわち、帯電防
止膜の抵抗温度係数は−１％未満であることが望まし
い。

【００７２】帯電防止特性を有する高抵抗薄膜１１の材
料としては、例えば金属酸化物を用いることが出来る。
金属酸化物の中でも、クロム、ニッケル、銅、イットリ
ウムの酸化物が好ましい材料である。その理由はこれら
の酸化物は二次電子放出効率が比較的小さく、冷陰極素
子１０１２から放出された電子がスペーサ１０２０に当
たった場合においても帯電しにくいためと考えられる。
金属酸化物以外にも炭素は二次電子放出効率が小さく好
ましい材料である。特に、非晶質カーボンは高抵抗であ
るため、スペーサ抵抗を所望の値に制御しやすい。

【００７３】帯電防止特性を有する高抵抗薄膜１１の他
の材料として、III 属あるいはIV属典型元素と遷移金属
合金の窒化物は、遷移金属の組成を調整することによ
り、良伝導体から絶縁体まで広い範囲に抵抗値を制御で
きるので好適な材料である。さらには後述する表示装置
の作製工程において抵抗値の変化が少なく安定な材料で
ある。かつ。その抵抗温度係数が−１％未満であり、実
用的に使いやすい材料である。III 属あるいはIV属典型
元素としてはＡｌ，Ｓｉ，Ｂ等、遷移金属元素としては
Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚ
ｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ等があげられる。

【００７４】合金窒化膜は、スパッタ、窒素ガス雰囲気
中での反応性スパッタ、電子ビーム蒸着、イオンプレー
ティング、イオンアシスト蒸着法等の薄膜形成手段によ
り絶縁性部材上に形成される。金属酸化膜も同様の薄膜
形成法で作製することができるが、この場合窒素ガスに
代えて酸素ガスを使用する。その他、ＣＶＤ法、アルコ
キシド塗布法でも金属酸化膜を形成できる。カーボン膜
は蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法で
作製され、特に非晶質カーボンを作製する場合には、成
膜中の雰囲気に水素が含まれるようにするか、成膜ガス
に炭化水素ガスを使用する。

【００７５】スペーサ１０２０を構成する低抵抗膜２１
は、高抵抗薄膜１１を高電位側のフェースプレート１０
１７（メタルバック１０１９等）及び低電位側の基板１
０１１（配線１０１３，１０１４等）と電気的に接続す
る為に設けられたものであり、以下では、中間電極層
（中間層）という名称も用いる。中間電極層（中間層）
は以下に列挙する複数の機能を有することが出来る。高抵抗薄膜１１をフェースプレート１０１７及び基板
１０１１と電気的に接続する。既に記載したように、高
抵抗薄膜１１はスペーサ１０２０表面での帯電を防止す
る目的で設けられたものであるが、高抵抗薄膜１１をフ
ェースプレート１０１７（メタルバック１０１９等）及
び基板１０１１（配線１０１３，１０１４等）と直接或
いは当接材１０４１を介して接続した場合、接続部界面
に大きな接触抵抗が発生し、スペーサ表面に発生した電
荷を速やかに除去できなくなる可能性がある。これを避
ける為に、フェースプレート１０１７、基板１０１１及
び当接材１０４１と接触するスペーサ１０２０の当接面
３或いは側面部５に低抵抗の中間層を設けた。高抵抗薄膜１１の電位分布を均一化する。冷陰極素子
１０１２より放出された電子は、フェースプレート１０
１７と基板１０１１の間に形成された電位分布に従って
電子軌道を成す。スペーサ１０２０の近傍で電子軌道に
乱れが生じないようにする為には、高抵抗薄膜１１の電
位分布を全域にわたって制御する必要がある。高抵抗薄
膜１１をフェースプレート１０１７（メタルバック１０
１９等）及び基板１０１１（配線１０１３，１０１４
等）と直接或いは当接材１０４１を介して接続した場
合、接続部界面の接触抵抗の為に、接続状態のむらが発
生し、高抵抗薄膜１１の電位分布が所望の値からずれて
しまう可能性がある。これを避ける為に、スペーサ１０
２０がフェースプレート１０１７及び基板１０１１と当
接するスペーサ端部（当接面３或いは側面部５）の全長
域に低抵抗の中間層を設け、この中間層部に所望の電位
を印加することによって、高抵抗薄膜１１全体の電位を
制御可能とした。放出電子の軌道を制御する。冷陰極素子１０１２より
放出された電子は、フェースプレート１０１７と基板１
０１１の間に形成された電位分布に従って電子軌道を成
す。スペーサ近傍の冷陰極素子から放出された電子に関
しては、スペーサを設置することに伴う制約（配線、素
子位置の変更等）が生じる場合がある。このような場
合、歪みやむらの無い画像を形成する為には、放出され
た電子の軌道を制御してフェースプレート１０１７上の
所望の位置に電子を照射する必要がある。フェースプレ
ート１０１７及び基板１０１１と当接する面の側面部５
に低抵抗の中間層を設けることにより、スペーサ１０２
０近傍の電位分布に所望の特性を持たせ、放出された電
子の軌道を制御することが出来る。

【００７６】低抵抗膜２１は、高抵抗薄膜１１に比べ十
分に低い抵抗値を有する材料を選択すればよく、Ｎｉ，
Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｐｔ，Ｔｉ，Ａｌ，Ｃｕ，Ｐｄ等の金
属、あるいは合金、及びＰｄ，Ａｇ，Ａｕ，ＲｕＯ₂，
Ｐｄ−Ａｇ等の金属や金属酸化物とガラス等から構成さ
れる印刷導体、あるいはＩｎ₂Ｏ₃−ＳｎＯ₂等の透明
導体及びポリシリコン等の半導体材料等より適宜選択さ
れる。

【００７７】接合材１０４１はスペーサ１０２０が行方
向配線１０１３およびメタルバック１０１９と電気的に
接続するように、導電性をもたせる必要がある。すなわ
ち、導電性接着材や金属粒子や導電性フィラーを添加し
たフリットガラスが好適である。

【００７８】また、Ｄｘ１〜ＤｘｍおよびＤｙ１〜Ｄｙ
ｎおよびＨｖは、当該表示パネルと不図示の気回路とを
電気的に接続するために設けた気密構造の電気接続用端
子である。Ｄｘ１〜Ｄｘｍはマルチ電子ビーム源の行方
向配線１０１３と、Ｄｙ１〜Ｄｙｎはマルチ電子ビーム
源の列方向配線１０１４と、Ｈｖはフェースプレートの
メタルバック１０１９と電気的に接続している。

【００７９】また、気密容器内部を真空に排気するに
は、気密容器を組み立てた後、不図示の排気管と真空ポ
ンプとを接続し、気密容器内を１０^-7Ｔｏｒｒ程度の真
空度まで排気する。その後、排気管を封止するが、気密
容器内の真空度を維持するために、封止の直前あるいは
封止後に気密容器内の所定の位置にゲッター膜（不図
示）を形成する。ゲッター膜とは、たとえばＢａを主成
分とするゲッター材料をヒーターもしくは高周波加熱に
より加熱し蒸着して形成した膜であり、該ゲッター膜の
吸着作用により気密容器内は１０^-5ないしは１０^-7Ｔｏ
ｒｒの真空度に維持される。

【００８０】以上説明した表示パネルを用いた画像表示
装置は、容器外端子Ｄｘ１ないしＤｘｍ、Ｄｙ１ないし
Ｄｙｎを通じて各冷陰極素子１０１２に電圧を印加する
と、各冷陰極素子１０１２から電子が放出される。それ
と同時にメタルバック１０１９に容器外端子Ｈｖを通じ
て数百［Ｖ］ないし数［ｋＶ］の高圧を印加して、上記
放出された電子を加速し、フェースプレート１０１７の
内面に衝突させる。これにより、蛍光膜１０１８をなす
各色の蛍光体が励起されて発光し、画像が表示される。

【００８１】通常、冷陰極素子である本発明の表面伝導
型放出素子１０１２への印加電圧は１２〜１６［Ｖ］程
度、メタルバック１０１９と冷陰極素子１０１２との距
離ｄは０．１［ｍｍ］から８［ｍｍ］程度、メタルバッ
ク１０１９と冷陰極素子１０１２間の電圧０．１［ｋ
Ｖ］から１０［ｋＶ］程度である。

【００８２】以上、本発明の実施例の表示パネルの基本
構成と製法、および画像表示装置の概要を説明した。

【００８３】次に、該実施例の表示パネルに用いたマル
チ電子ビーム源の製造方法について説明する。本発明の
画像表示装置に用いるマルチ電子ビーム源は、冷陰極素
子を単純マトリクス配線した電子源であれば、冷陰極素
子の材料や形状あるいは製法に制限はない。したがっ
て、たとえば表面伝導型放出素子やＦＥ型、あるいはＭ
ＩＭ型等の冷陰極素子を用いることができる。

【００８４】ただし、表示画面が大きくてしかも安価な
表示装置が求められる状況のもとでは、これらの冷陰極
素子の中でも、表面伝導型放出素子が特に好ましい。す
なわち、ＦＥ型ではエミッタコーンとゲート電極の相対
位置や形状が電子放出特性を大きく左右するため、極め
て高精度の製造技術を必要とするが、これは大面積化や
製造コストの低減を達成するには不利な要因となる。ま
た、ＭＩＭ型では、絶縁層と上電極の膜厚を薄くしてし
かも均一にする必要があるが、これも大面積化や製造コ
ストの低減を達成するには不利な要因となる。その点、
表面伝導型放出素子は、比較的製造方法が単純なため、
大面積化や製造コストの低減が容易である。また、発明
者らは、表面伝導型放出素子の中でも、電子放出部もし
くはその周辺部を微粒子膜から形成したものがとりわけ
電子放出特性に優れ、しかも製造が容易に行えることを
見いだしている。したがって、高輝度で大画面の画像表
示装置のマルチ電子ビーム源に用いるには、最も好適で
あると言える。そこで、上記実施例の表示パネルにおい
ては、電子放出部もしくはその周辺部を微粒子膜から形
成した表面伝導型放出素子を用いた。そこで、まず好適
な表面伝導型放出素子について基本的な構成と製法およ
び特性を説明し、その後で多数の素子を単純マトリクス
配線したマルチ電子ビーム源の構造について述べる。

【００８５】（表面伝導型放出素子の好適な素子構成と
製法）電子放出部もしくはその周辺部を微粒子膜から形
成する表面伝導型放出素子の代表的な構成には、平面型
と垂直型の２種類があげられる。

【００８６】（平面型の表面伝導型放出素子）まず最初
に、平面型の表面伝導型放出素子の素子構成と製法につ
いて説明する。図１１に示すのは、平面型の表面伝導型
放出素子の構成を説明するための平面図（ａ）および断
面図（ｂ）である。図中、１１０１は基板、１１０２と
１１０３は素子電極、１１０４は導電性薄膜、１１０５
は通電フォーミング処理により形成した電子放出部、１
１１３は通電活性化処理により形成した薄膜である。

【００８７】基板１１０１としては、たとえば、石英ガ
ラスや青板ガラスをはじめとする各種ガラス基板や、ア
ルミナをはじめとする各種セラミクス基板、あるいは上
述の各種基板上にたとえばＳｉＯ₂を材料とする絶縁層
を積層した基板、等を用いることができる。

【００８８】また、基板１１０１上に基板面と平行に対
向して設けられた素子電極１１０２と１１０３は、導電
性を有する材料によって形成されている。たとえば、Ｎ
ｉ，Ｃｒ，Ａｕ，Ｍｏ，Ｗ，Ｐｔ，Ｔｉ，Ｃｕ，Ｐｄ，
Ａｇ等をはじめとする金属、あるいはこれらの金属の合
金、あるいはＩｎ₂Ｏ₃−ＳｎＯ₂をはじめとする金属
酸化物、ポリシリコンなどの半導体、等の中から適宜材
料を選択して用いればよい。電極を形成するには、たと
えば真空蒸着等の製膜技術とフォトリソグラフィー、エ
ッチング等のパターニング技術を組み合わせて用いれば
容易に形成できるが、それ以外の方法（たとえば印刷技
術）を用いて形成してもさしつかえない。

【００８９】素子電極１１０２と１１０３の形状は、当
該電子放出素子の応用目的に合わせて適宜設計される。
一般的には、電極間隔Ｌは通常は数百オングストローム
から数百マイクロメーターの範囲から適当な数値を選ん
で設計されるが、なかでも表示装置に応用するために好
ましいのは数マイクロメーターより数十マイクロメータ
ーの範囲である。

【００９０】また、素子電極の厚さｄについては、通常
は数百オングストロームから数マイクロメーターの範囲
から適当な数値が選ばれる。

【００９１】また、導電性薄膜１１０４の部分には、微
粒子膜を用いる。ここで述べた微粒子膜とは、構成要素
として多数の微粒子を含んだ膜（島状の集合体も含む）
のことをさす。微粒子膜を微視的に調べれば、通常は、
個々の微粒子が離間して配置された構造か、あるいは微
粒子が互いに隣接した構造か、あるいは微粒子が互いに
重なり合った構造が観測される。

【００９２】微粒子膜に用いた微粒子の粒径は、数オン
グストロームから数千オングストロームの範囲に含まれ
るものであるが、なかでも好ましいのは１０オングスト
ロームから２００オングストロームの範囲のものであ
る。また、微粒子膜の膜厚は、以下に述べるような諸条
件を考慮して適宜設定される。すなわち、素子電極１１
０２あるいは１１０３と電気的に良好に接続するのに必
要な条件、後述する通電フォーミングを良好に行うのに
必要な条件、微粒子膜自身の電気抵抗を後述する適宜の
値にするために必要な条件、等である。具体的には、数
オングストロームから数千オングストロームの範囲のな
かで設定するが、なかでも好ましいのは１０オングスト
ロームから５００オングストロームの間である。

【００９３】また、微粒子膜を形成するのに用いられう
る材料としては、たとえば、Ｐｄ，Ｐｔ，Ｒｕ，Ａｇ，
Ａｕ，Ｔｉ，Ｉｎ，Ｃｕ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｔ
ａ，Ｗ，Ｐｂ等をはじめとする金属や、ＰｄＯ，ＳｎＯ
₂，Ｉｎ₂Ｏ₃，ＰｂＯ，Ｓｂ₂Ｏ₃等をはじめとする
酸化物や、ＨｆＢ₂，ＺｒＢ₂，ＬａＢ₆，ＣｅＢ₆，
ＹＢ₄，ＧｄＢ₄等をはじめとするホウ化物や、Ｔｉ
Ｃ，ＺｒＣ，ＨｆＣ，ＴａＣ，ＳｉＣ，ＷＣ等をはじめ
とする炭化物や、ＴｉＮ，ＺｒＮ，ＨｆＮ等をはじめと
する窒化物、Ｓｉ，Ｇｅ等をはじめとする半導体や、カ
ーボン等があげられ、これらの中から適宜選択される。

【００９４】以上述べたように、導電性薄膜１１０４を
微粒子膜で形成したが、そのシート抵抗値については、
１０³〜１０⁷［Ω／□］の範囲に含まれるよう設定し
た。

【００９５】なお、導電性薄膜１１０４と素子電極１１
０２および１１０３とは、電気的に良好に接続されるの
が望ましいため、互いの一部が重なりあうような構造を
とっている。その重なり方は、図１１の例においては、
下から、基板、素子電極、導電性薄膜の順序で積層した
が、場合によっては下から基板、導電性薄膜、素子電極
の順序で積層してもさしつかえない。

【００９６】また、電子放出部１１０５は、導電性薄膜
１１０４の一部に形成された亀裂状の部分であり、電気
的には周囲の導電性薄膜よりも高抵抗な性質を有してい
る。亀裂は、導電性薄膜１１０４に対して、後述する通
電フォーミングの処理を行うことにより形成する。亀裂
内には、数オングストロームから数百オングストローム
の粒径の微粒子を配置する場合がある。なお、実際の電
子放出部の位置や形状を精密かつ正確に図示するのは困
難なため、図１１においては模式的に示した。

【００９７】また、薄膜１１１３は、炭素もしくは炭素
化合物よりなる薄膜で、電子放出部１１０５およびその
近傍を被覆している。薄膜１１１３は、通電フォーミン
グ処理後に、後述する通電活性化の処理を行うことによ
り形成する。

【００９８】薄膜１１１３は、単結晶グラファイト、多
結晶グラファイト、非晶質カーボンの何れかか、もしく
はその混合物であり、膜厚は５００［オングストロー
ム］以下とするが、３００［オングストローム］以下と
するのがさらに好ましい。なお、実際の薄膜１１１３の
位置や形状を精密に図示するのは困難なため、図１１に
おいては模式的に示した。また、平面図（ａ）において
は、薄膜１１１３の一部を除去した素子を図示した。

【００９９】以上、好ましい素子の基本構成を述べた
が、実施例においては以下のような素子を用いた。

【０１００】すなわち、基板１１０１には青板ガラスを
用い、素子電極１１０２と１１０３にはＮｉ薄膜を用い
た。素子電極の厚さｄは１０００［オングストロー
ム］、電極間隔Ｌは２［マイクロメーター］とした。

【０１０１】微粒子膜の主要材料としてＰｄもしくはＰ
ｄＯを用い、微粒子膜の厚さは約１００［オングストロ
ーム］、幅Ｗは１００［マイクロメータ］とした。

【０１０２】次に、好適な平面型の表面伝導型放出素子
の製造方法について説明する。

【０１０３】図１２の（ａ）〜（ｄ）は、表面伝導型放
出素子の製造工程を説明するための断面図で、各部材の
表記は該図１１と同一である。１）まず、図１２（ａ）に示すように、基板１１０１上
に素子電極１１０２および１１０３を形成する。形成す
るにあたっては、あらかじめ基板１１０１を洗剤、純
水、有機溶剤を用いて十分に洗浄後、素子電極の材料を
堆積させる。（堆積する方法としては、たとえば、蒸着
法やスパッタ法などの真空成膜技術を用いればよい。）
その後、堆積した電極材料を、フォトリソグラフィー・
エッチング技術を用いてパターニングし、（ａ）に示し
た一対の素子電極（１１０２と１１０３）を形成する。２）次に、同図（ｂ）に示すように、導電性薄膜１１０
４を形成する。

【０１０４】形成するにあたっては、まず該（ａ）の基
板に有機金属溶液を塗布して乾燥し、加熱焼成処理して
微粒子膜を成膜した後、フォトリソグラフィー・エッチ
ングにより所定の形状にパターニングする。ここで、有
機金属溶液とは、導電性薄膜に用いる微粒子の材料を主
要元素とする有機金属化合物の溶液である（具体的に
は、本実施例では主要元素としてＰｄを用いた。また、
実施例では塗布方法として、ディッピング法を用いた
が、それ以外のたとえばスピンナー法やスプレー法を用
いてもよい。）。

【０１０５】また、微粒子膜で作られる導電性薄膜の成
膜方法としては、本実施例で用いた有機金属溶液の塗布
による方法以外の、たとえば真空蒸着法やスパッタ法、
あるいは化学的気相堆積法等を用いる場合もある。３）次に、同図（ｃ）に示すように、フォーミング用電
源１１１０から素子電極１１０２と１１０３の間に適宜
の電圧を印加し、通電フォーミング処理を行って、電子
放出部１１０５を形成する。

【０１０６】通電フォーミング処理とは、微粒子膜で作
られた導電性薄膜１１０４に通電を行って、その一部を
適宜に破壊、変形、もしくは変質せしめ、電子放出を行
うのに好適な構造に変化させる処理のことである。微粒
子膜で作られた導電性薄膜のうち電子放出を行うのに好
適な構造に変化した部分（すなわち電子放出部１１０
５）においては、薄膜に適当な亀裂が形成されている。
なお、電子放出部１１０５が形成される前と比較する
と、形成された後は素子電極１１０２と１１０３の間で
計測される電気抵抗は大幅に増加する。

【０１０７】通電方法をより詳しく説明するために、図
１３に、フォーミング用電源１１１０から印加する適宜
の電圧波形の一例を示す。微粒子膜で作られた導電性薄
膜をフォーミングする場合には、パルス状の電圧が好ま
しく、本実施例の場合には同図に示したようにパルス幅
Ｔ１の三角波パルスをパルス間隔Ｔ２で連続的に印加し
た。その際には、三角波パルスの波高値Ｖｐｆを、順次
昇圧した。また、電子放出部１１０５の形成状況をモニ
ターするためのモニターパルスＰｍを適宜の間隔で三角
波パルスの間に挿入し、その際に流れる電流を電流計１
１１１で計測した。

【０１０８】実施例においては、たとえば１０^-5［Ｔｏ
ｒｒ］程度の真空雰囲気下において、たとえばパルス幅
Ｔ１を１［ｍｓ］、パルス間隔Ｔ２を１０［ｍｓ］と
し、波高値Ｖｐｆを１パルスごとに０．１［Ｖ］ずつ昇
圧した。そして、三角波を５パルスするたびに１回の割
りで、モニターパルスＰｍを挿入した。フォーミング処
理に悪影響を及ぼすことがないように、モニターパルス
の電圧Ｖｐｍは０．１［Ｖ］に設定した。そして、素子
電極１１０２と１１０３の間の電気抵抗が１×１０
⁶［Ω］になった段階、すなわちモニターパルス印加時
に電流計１１１１で計測される電流が１×１０^-7［Ａ］
以下になった段階で、フォーミング処理にかかわる通電
を終了した。

【０１０９】なお、上記の方法は、本実施例の表面伝導
型放出素子に関する好ましい方法であり、たとえば微粒
子膜の材料や膜厚、あるいは素子電極間隔Ｌ等表面伝導
型放出素子の設計を変更した場合には、それに応じて通
電の条件を適宜変更するのが望ましい。４）次に、図１２の（ｄ）に示すように、活性化用電源
１１１２から素子電極１１０２と１１０３の間に適宜の
電圧を印加し、通電活性化処理を行って、電子放出特性
の改善を行う。

【０１１０】通電活性化処理とは、該通電フォーミング
処理により形成された電子放出部１１０５に適宜の条件
で通電を行って、その近傍に炭素もしくは炭素化合物を
堆積せしめる処理のことである（図においては、炭素も
しくは炭素化合物よりなる堆積物を部材１１１３として
模式的に示した。）。なお、通電活性化処理を行うこと
により、行う前と比較して、同じ印加電圧における放出
電流を典型的には１００倍以上に増加させることができ
る。

【０１１１】具体的には、１０^-4ないし１０^-5［Ｔｏｒ
ｒ］の範囲内の真空雰囲気中で、電圧パルスを定期的に
印加することにより、真空雰囲気中に存在する有機化合
物を起源とする炭素もしくは炭素化合物を堆積させる。
堆積物１１１３は、単結晶グラファイト、多結晶グラフ
ァイト、非晶質カーボン、のいずれかか、もしくはその
混合物であり、膜厚は５００［オングストローム］以
下、より好ましくは３００［オングストローム］以下で
ある。

【０１１２】通電方法をより詳しく説明するために、図
１４の（ａ）に、活性化用電源１１１２から印加する適
宜の電圧波形の一例を示す。本実施例においては、一定
電圧の矩形波を定期的に印加して通電活性化処理を行っ
たが、具体的には、矩形波の電圧Ｖａｃは１４［Ｖ］、
パルス幅Ｔ３は１［ｍｓ］、パルス間隔Ｔ４は１０［ｍ
ｓ］とした。なお、上述の通電条件は、本実施例の表面
伝導型放出素子に関する好ましい条件であり、表面伝導
型放出素子の設計を変更した場合には、それに応じて条
件を適宜変更するのが望ましい。

【０１１３】図１２の（ｄ）に示す１１１４は、該表面
伝導型放出素子から放出される放出電流Ｉｅを捕捉する
ためのアノード電極で、直流高電圧電源１１１５および
電流計１１１６が接続されている。（なお、基板１１０
１を、表示パネルの中に組み込んでから活性化処理を行
う場合には、表示パネルの蛍光面をアノード電極１１１
４として用いる。）活性化用電源１１１２から電圧を印
加する間、電流計１１１６で放出電流Ｉｅを計測して通
電活性化処理の進行状況をモニターし、活性化用電源１
１１２の動作を制御する。電流計１１１６で計測された
放出電流Ｉｅの一例を図１４（ｂ）に示すが、活性化電
源１１１２からパルス電圧を印加しはじめると、時間の
経過とともに放出電流Ｉｅは増加するが、やがて飽和し
てほとんど増加しなくなる。このように、放出電流Ｉｅ
がほぼ飽和した時点で活性化用電源１１１２からの電圧
印加を停止し、通電活性化処理を終了する。

【０１１４】なお、上述の通電条件は、本実施例の表面
伝導型放出素子に関する好ましい条件であり、表面伝導
型放出素子の設計を変更した場合には、それに応じて条
件を適宜変更するのが望ましい。

【０１１５】以上のようにして、図１２（ｅ）に示す平
面型の表面伝導型放出素子を製造した。

【０１１６】（垂直型の表面伝導型放出素子）次に、電
子放出部もしくはその周辺を微粒子膜から形成した表面
伝導型放出素子のもうひとつの代表的な構成、すなわち
垂直型の表面伝導型放出素子の構成について説明する。

【０１１７】図１５は、垂直型の基本構成を説明するた
めの模式的な断面図であり、図中の１２０１は基板、１
２０２と１２０３は素子電極、１２０６は段差形成部
材、１２０４は微粒子膜を用いた導電性薄膜、１２０５
は通電フォーミング処理により形成した電子放出部、１
２１３は通電活性化処理により形成した薄膜である。

【０１１８】垂直型が先に説明した平面型と異なる点
は、素子電極のうちの片方（１２０２）が段差形成部材
１２０６上に設けられており、導電性薄膜１２０４が段
差形成部材１２０６の側面を被覆している点にある。し
たがって、該図１１の平面型における素子電極間隔Ｌ
は、垂直型においては段差形成部材１２０６の段差高Ｌ
ｓとして設定される。なお、基板１２０１、素子電極１
２０２および１２０３、微粒子膜を用いた導電性薄膜１
２０４については、該平面型の説明中に列挙した材料を
同様に用いることが可能である。また、段差形成部材１
２０６には、たとえばＳｉＯ₂のような電気的に絶縁性
の材料を用いる。

【０１１９】次に、垂直型の表面伝導型放出素子の製法
について説明する。図１６の（ａ）〜（ｆ）は、製造工
程を説明するための断面図で、各部材の表記は該図１５
と同一である。１）まず、図１６（ａ）に示すように、基板１２０１上
に素子電極１２０３を形成する。２）次に、同図（ｂ）に示すように、段差形成部材を形
成するための絶縁層を積層する。絶縁層は、たとえばＳ
ｉＯ₂をスパッタ法で積層すればよいが、たとえば真空
蒸着法や印刷法等の他の成膜方法を用いてもよい。３）次に、同図（ｃ）に示すように、絶縁層の上に素子
電極１２０２を形成する。４）次に、同図（ｄ）に示すように、絶縁層の一部を、
たとえばエッチング法を用いて除去し、素子電極１２０
３を露出させる。５）次に、同図（ｅ）に示すように、微粒子膜を用いた
導電性薄膜１２０４を形成する。形成するには、該平面
型の場合と同じく、たとえば塗布法等の成膜技術を用い
ればよい。６）次に、該平面型の場合と同じく、通電フォーミング
処理を行い、電子放出部を形成する（図１２（ｃ）を用
いて説明した平面型の通電フォーミング処理と同様の処
理を行えばよい。）。７）次に、該平面型の場合と同じく、通電活性化処理を
行い、電子放出部近傍に炭素もしくは炭素化合物を堆積
させる（図１２（ｄ）を用いて説明した平面型の通電活
性化処理と同様の処理を行えばよい。）。

【０１２０】以上のようにして、図１６（ｆ）に示す垂
直型の表面伝導型放出素子を製造した。

【０１２１】（表示装置に用いた表面伝導型放出素子の
特性）以上、平面型と垂直型の表面伝導型放出素子につ
いて素子構成と製法を説明したが、次に表示装置に用い
た素子の特性について述べる。

【０１２２】図１７に、表示装置に用いた素子の、（放
出電流Ｉｅ）対（素子印加電圧Ｖｆ）特性、および（素
子電流Ｉｆ）対（素子印加電圧Ｖｆ）特性の典型的な例
を示す。なお、放出電流Ｉｅは素子電流Ｉｆに比べて著
しく小さく、同一尺度で図示するのが困難であるうえ、
これらの特性は素子の大きさや形状等の設計パラメータ
を変更することにより変化するものであるため、２本の
グラフは各々任意単位で図示した。

【０１２３】表示装置に用いた素子は、放出電流Ｉｅに
関して以下に述べる３つの特性を有している。

【０１２４】第１に、ある電圧（これを閾値電圧Ｖｔｈ
と呼ぶ）以上の大きさの電圧を素子に印加すると急激に
放出電流Ｉｅが増加するが、一方、閾値電圧Ｖｔｈ未満
の電圧では放出電流Ｉｅはほとんど検出されない。

【０１２５】すなわち、放出電流Ｉｅに関して、明確な
閾値電圧Ｖｔｈを持った非線形素子である。

【０１２６】第２に、放出電流Ｉｅは素子に印加する電
圧Ｖｆに依存して変化するため、電圧Ｖｆで放出電流Ｉ
ｅの大きさを制御できる。

【０１２７】第３に、素子に印加する電圧Ｖｆに対して
素子から放出される電流Ｉｅの応答速度が速いため、電
圧Ｖｆを印加する時間の長さによって素子から放出され
る電子の電荷量を制御できる。

【０１２８】以上のような特性を有するため、表面伝導
型放出素子を表示装置に好適に用いることができた。た
とえば多数の素子を表示画面の画素に対応して設けた表
示装置において、第１の特性を利用すれば、表示画面を
順次走査して表示を行うことが可能である。すなわち、
駆動中の素子には所望の発光輝度に応じて閾値電圧Ｖｔ
ｈ以上の電圧を適宜印加し、非選択状態の素子には閾値
電圧Ｖｔｈ未満の電圧を印加する。駆動する素子を順次
切り替えてゆくことにより、表示画面を順次走査して表
示を行うことが可能である。

【０１２９】また、第２の特性かまたは第３の特性を利
用することにより、発光輝度を制御することができるた
め、階調表示を行うことが可能である。

【０１３０】（多数素子を単純マトリクス配線したマル
チ電子ビーム源の構造）次に、上述の表面伝導型放出素
子を基板上に配列して単純マトリクス配線したマルチ電
子ビーム源の構造について述べる。

【０１３１】図１８に示すのは、図７の表示パネルに用
いたマルチ電子ビーム源の平面図である。基板上には、
図１１で示したものと同様な表面伝導型放出素子が配列
され、これらの素子は行方向配線電極１００３と列方向
配線電極１００４により単純マトリクス状に配線されて
いる。行方向配線電極１００３と列方向配線電極１００
４の交差する部分には、電極間に絶縁層（不図示）が形
成されており、電気的な絶縁が保たれている。

【０１３２】図１８のＢ−Ｂ′に沿った断面を、図１９
に示す。

【０１３３】なお、このような構造のマルチ電子源は、
あらかじめ基板上に行方向配線電極１０１３、列方向配
線電極１０１４、電極間絶縁層（不図示）、および表面
伝導型放出素子の素子電極と導電性薄膜を形成した後、
行方向配線電極１０１３および列方向配線電極１０１４
を介して各素子に給電して通電フォーミング処理と通電
活性化処理を行うことにより製造した。

【０１３４】図２０は、ＮＴＳＣ方式のテレビ信号に基
づいてテレビジョン表示を行う為の駆動回路の概略構成
をブロック図で示したものである。同図中、表示パネル
１０１は前述した表示パネルに相当するもので、前述し
た様に製造され、動作する。また、走査回路１０２は表
示ラインを走査し、制御回路１０３は走査回路へ入力す
る信号等を生成する。シフトレジスタ１０４は１ライン
毎のデータをシフトし、ラインメモリ１０５は、シフト
レジスタ１０４から１ライン分のデータを変調信号発生
器１０７に入力する。同期信号分離回路１０６はＮＴＳ
Ｃ信号から同期信号を分離する。

【０１３５】以下、図２０の装置各部の機能を詳しく説
明する。

【０１３６】まず表示パネル１０１は、端子Ｄｘ１ない
しＤｘｍおよび端子Ｄｙ１ないしＤｙｎ、および高圧端
子Ｈｖを介して外部の電気回路と接続されている。この
うち、端子Ｄｘ１ないしＤｘｍには、表示パネル１０１
内に設けられているマルチ電子ビーム源、すなわちｍ行
ｎ列の行列状にマトリクス配線された冷陰極素子を行
（ｎ素子）ずつ順次駆動してゆく為の走査信号が印加さ
れる。一方、端子Ｄｙ１ないしＤｙｎには、該走査信号
により選択された１行分のｎ個の各素子の出力電子ビー
ムを制御する為の変調信号が印加される。また、高圧端
子Ｈｖには、直流電圧源Ｖａより、たとえば５［ｋＶ］
の直流電圧が供給されるが、これはマルチ電子ビーム源
より出力される電子ビームに蛍光体を励起するのに十分
なエネルギーを付与する為の加速電圧である。

【０１３７】次に、走査回路１０２について説明する。
同回路は、内部にｍ個のスイッチング素子（図中、Ｓ１
ないしＳｍで模式的に示されている）を備えるもので、
各スイッチング素子は、直流電圧源Ｖｘの出力電圧もし
くは０［Ｖ］（グランドレベル）のいずれか一方を選択
し、表示パネル１０１の端子Ｄｘ１ないしＤｘｍと電気
的に接続するものである。Ｓ１ないしＳｍの各スイッチ
ング素子は、制御回路１０３が出力する制御信号Ｔｓｃ
ａｎに基づいて動作するものだが、実際にはたとえばＦ
ＥＴのようなスイッチング素子を組合わせる事により容
易に構成することが可能である。なお、該直流電圧源Ｖ
ｘは、図１７に例示した電子放出素子の特性に基づき走
査されていない素子に印加される駆動電圧が電子放出閾
値電圧Ｖｔｈ電圧以下となるよう、一定電圧を出力する
よう設定されている。

【０１３８】また、制御回路１０３は、外部より入力す
る画像信号に基づいて適切な表示が行われるように各部
の動作を整合させる働きをもつものである。次に説明す
る同期信号分離回路１０６より送られる同期信号Ｔｓｙ
ｎｃに基づいて、各部に対してＴｓｃａｎおよびＴｓｆ
ｔおよびＴｍｒｙの各制御信号を発生する。同期信号分
離回路１０６は、外部から入力されるＮＴＳＣ方式のテ
レビ信号から、同期信号成分と輝度信号成分とを分離す
る為の回路で、良く知られているように周波数分離（フ
ィルタ）回路を用いれば容易に構成できるものである。
同期信号分離回路１０６により分離された同期信号は、
良く知られるように垂直同期信号と水平同期信号より成
るが、ここでは説明の便宜上、Ｔｓｙｎｃ信号として図
示した。

【０１３９】一方、該テレビ信号から分離された画像の
輝度信号成分を便宜上ＤＡＴＡ信号と表すが、同信号は
シフトレジスタ１０４に入力される。

【０１４０】シフトレジスタ１０４は、時系列的にシリ
アルに入力される該ＤＡＴＡ信号を、画像の１ライン毎
にシリアル／パラレル変換するためのもので、該制御回
路１０３より送られる制御信号Ｔｓｆｔに基づいて動作
する。すなわち、制御信号Ｔｓｆｔは、シフトレジスタ
１０４のシフトクロックであると言い換えることもでき
る。シリアル／パラレル変換された画像１ライン分（電
子放出素子ｎ素子分の駆動データに相当する）のデータ
は、１ｄｌないし１ｄｎのｎ個の信号として該シフトレ
ジスタ１０４より出力される。

【０１４１】ラインメモリ１０５は、画像１ライン分の
データを必要時間の間だけ記憶する為の記憶装置であ
り、制御回路１０３より送られる制御信号Ｔｍｒｙにし
たがって適宜１ｄｌないし１ｄｎの内容を記憶する。記
憶された内容は、１′ｄｌないし１′ｄｎとして出力さ
れ、変調信号発生器１０７に入力される。

【０１４２】変調信号発生器１０７は、該画像データ
１′ｄｌないし１′ｄｎの各々に応じて、電子放出素子
１０１５の各々を適切に駆動変調する為の信号源で、そ
の出力信号は、端子Ｄｙ１ないしＤｙｎを通じて表示パ
ネル１０１内の電子放出素子１０１５に印加される。

【０１４３】図１７を用いて説明したように、本発明に
関わる表面伝導型放出素子は放出電流Ｉｅに対して以下
の基本特性を有している。すなわち、電子放出には明確
な閾値電圧Ｖｔｈ（後述する実施例の表面伝導型放出素
子では８［Ｖ］）があり、閾値Ｖｔｈ以上の電圧を印加
された時のみ電子放出が生じる。また、電子放出閾値Ｖ
ｔｈ以上の電圧に対しては、図１７のグラフのように電
圧の変化に応じて放出電流Ｉｅも変化する。このことか
ら、本素子にパルス状の電圧を印加する場合、たとえば
電子放出閾値Ｖｔｈ以下の電圧を印加しても電子放出は
生じないが、電子放出閾値Ｖｔｈ以上の電圧を印加する
場合には表面伝導型放出素子から電子ビームが出力され
る。その際、パルスの波高値Ｖｍを変化させることによ
り出力電子ビームの強度を制御することが可能である。
また、パルスの幅Ｐｗを変化させることにより出力され
る電子ビームの電荷の総量を制御することが可能であ
る。

【０１４４】従って、入力信号に応じて、電子放出素子
を変調する方式としては、電圧変調方式、パルス幅変調
方式等が採用できる、電圧変調方式を実施するに際して
は、変調信号発生器１０７として、一定長さの電圧パル
スを発生し、入力されるデータに応じて適宜パルスの波
高値を変調するような電圧変調方式の回路を用いること
ができる。また、パルス幅変調方式を実施するに際して
は、変調信号発生器１０７として、一定の波高値の電圧
パルスを発生し、入力されるデータに応じて適宜電圧パ
ルスの幅を変調するようなパルス幅変調方式の回路を用
いることができる。

【０１４５】シフトレジスタ１０４やラインメモリ１０
５は、デジタル信号式のものでもアナログ信号式のもの
でも採用できる。すなわち、画像信号のシリアル／パラ
レル変換や記憶が所定の速度で行われればよいからであ
る。

【０１４６】デジタル信号式を用いる場合には、同期信
号分離回路１０６の出力信号ＤＡＴＡをデジタル信号化
する必要があるが、これには同期信号分離回路１０６の
出力部にＡ／Ｄ変換器を設ければよい。これに関連して
ラインメモリ１１５の出力信号がデジタル信号かアナロ
グ信号かにより、変調信号発生器に用いられる回路が若
干異なったものとなる。すなわち、デジタル信号を用い
た電圧変調方式の場合、変調信号発生器１０７には、例
えばＤ／Ａ変換回路を用い、必要に応じて増幅回路等を
付加する。パルス幅変調方式の場合、変調信号発生器１
０７には、例えば高速の発振器および発振器の出力する
波数を計数する計数器（カウンタ）および計数器の出力
値と該メモリの出力値を比較する比較器（コンパレー
タ）を組み合せた回路を用いる。必要に応じて、比較器
の出力するパルス幅変調された変調信号を電子放出素子
の駆動電圧にまで電圧増幅するための増幅器を付加する
こともできる。

【０１４７】アナログ信号を用いた電圧変調方式の場
合、変調信号発生器１０７には、例えばオペアンプ等を
用いた増幅回路を採用でき、必要に応じてシフトレベル
回路等を付加することもできる。パルス幅変調方式の場
合には、例えば、電圧制御型発振回路（ＶＣＯ）を採用
でき、必要に応じて電子放出素子の駆動電圧まで電圧増
幅するための増幅器を付加することもできる。

【０１４８】このような構成をとりうる本発明の適用可
能な画像表示装置においては、各電子放出素子に、容器
外端子Ｄｘ１ないしＤｘｍ、Ｄｙ１ないしＤｙｎを介し
て電圧を印加することにより、電子放出が生じる。高圧
端子Ｈｖを介してメタルバック１０１９あるいは透明電
極（不図示）に高圧を印加し、電子ビームを加速する。
加速された電子は、蛍光膜１０１８に衝突し、発光が生
じて画像が形成される。

【０１４９】ここで述べた画像表示装置の構成は、本発
明を適用可能な画像形成装置の一例であり、本発明の思
想に基づいて種々の変形が可能である。入力信号につい
てはＮＴＳＣ方式を挙げたが、入力信号はこれに限るも
のではなく、ＰＡＬ、ＳＥＣＡＭ方式等他、これらより
多数の走査線からなるＴＶ信号（ＭＵＳＥ方式をはじめ
とする高品位ＴＶ）方式をも採用できる。

【０１５０】図２１は、前記説明の表面伝導型放出素子
を電子ビーム源として用いたディスプレイパネルに、た
とえばテレビジョン放送をはじめとする種々の画像情報
源より提供される画像情報を表示できるように構成した
多機能表示装置の一例を示すための図である。

【０１５１】図中１６１００はディスプレイパネル、１
６１０１はディスプレイパネルの駆動回路、１６１０２
はディスプレイコントローラ、１６１０３はマルチプレ
クサ、１６１０４はデコーダ、１６１０５は入出力イン
ターフェース回路、１６１０６はＣＰＵ、１６１０７は
画像生成回路、１６１０８および１６１０９および１６
１１０は画像メモリーインターフェース回路、１６１１
１は画像入力インターフェース回路、１６１１２および
１６１１３はＴＶ信号受信回路、１６１１４は入力部で
ある。

【０１５２】なお、本表示装置は、たとえばテレビジョ
ン信号のように映像情報と音声情報の両方を含む信号を
受信する場合には、当然映像の表示と同時に音声を再生
するものであるが、音声情報の受信、分離、再生、処
理、記憶などに関する回路やスピーカーなどについては
説明を省略する。

【０１５３】以下、画像信号の流れに沿って各部の機能
を説明してゆく。

【０１５４】まず、ＴＶ信号受信回路１６１１３は、た
とえば電波や空間光通信などのような無線伝送系を用い
て伝送されるＴＶ画像信号を受信する為の回路である。
受信するＴＶ信号の方式は特に限られるものではなく、
たとえば、ＮＴＳＣ方式、ＰＡＬ方式、ＳＥＣＡＭ方式
などの諸方式でもよい。また、これらよりさらに多数の
走査線よりなるＴＶ信号（たとえばＭＵＳＥ方式をはじ
めとするいわゆる高品位ＴＶ）は、大面積化や大画素数
化に適した前記ディスプレイパネルの利点を生かすのに
好適な信号源である。ＴＶ信号受信回路１６１１３で受
信されたＴＶ信号は、デコーダ１６１０４に出力され
る。

【０１５５】また、ＴＶ信号受信回路１６１１２は、た
とえば同軸ケーブルや光ファイバーなどのような有線伝
送系を用いて伝送されるＴＶ画像信号を受信するための
回路である。前記ＴＶ信号受信回路１６１１３と同様
に、受信するＴＶ信号の方式は特に限られるものではな
く、また本回路で受信されたＴＶ信号もデコーダ１６１
０４に出力される。

【０１５６】また、画像入力インターフェース回路１６
１１１は、たとえばＴＶカメラや画像読み取りスキャナ
ーなどの画像入力装置から供給される画像信号を取り込
むための回路で、取り込まれた画像信号はデコーダ１６
１０４に出力される。

【０１５７】また、画像メモリーインターフェース回路
１６１１０は、ビデオテープレコーダー（以下ＶＴＲと
略す）に記憶されている画像信号を取り込むための回路
で、取り込まれた画像信号はデコーダ１６１０４に出力
される。

【０１５８】また、画像メモリーインターフェース回路
１６１０９は、ビデオディスクに記憶されている画像信
号を取り込むための回路で、取り込まれた画像信号はデ
コーダ１６１０４に出力される。

【０１５９】また、画像メモリーインターフェース回路
１６１０８は、いわゆる静止画ディスクのように、静止
画像データを記憶している装置から画像信号を取り込む
ための回路で、取り込まれた静止画像データはデコーダ
１６１０４に出力される。

【０１６０】また、入出力インターフェース回路１６１
０５は、本表示装置と、外部のコンピュータもしくはコ
ンピュータネットワークもしくはプリンターなどの出力
装置とを接続するための回路である。画像データや文字
・図形情報の入出力を行うのはもちろんのこと、場合に
よっては本表示装置の備えるＣＰＵ１６１０６と外部と
の間で制御信号や数値データの入出力などを行うことも
可能である。

【０１６１】また、画像生成回路１６１０７は、前記入
出力インターフェース回路１６１０５を介して外部から
入力される画像データや文字・図形情報や、あるいはＣ
ＰＵ１６１０６より出力される画像データや文字・図形
情報にもとづき表示用画像データを生成するための回路
である。本回路の内部には、たとえば画像データや文字
・図形情報を蓄積するための書き換え可能メモリーや、
文字コードに対応する画像パターンが記憶されている読
み出し専用メモリーや、画像処理を行うためのプロセッ
サーなどをはじめとして画像の生成に必要な回路が組み
込まれている。

【０１６２】本回路により生成された表示用画像データ
は、デコーダ１６１０４に出力されるが、場合によって
は前記入出力インターフェース回路１６１０５を介して
外部のコンピュータネットワークやプリンターに出力す
ることも可能である。

【０１６３】また、ＣＰＵ１６１０６は、主として本表
示装置の動作制御や、表示画像の生成や選択や編集に関
わる作業を行う。

【０１６４】たとえば、マルチプレクサ１６１０３に制
御信号を出力し、ディスプレイパネルに表示する画像信
号を適宜選択したり組み合わせたりする。また、その際
には表示する画像信号に応じてディスプレイパネルコン
トローラ１６１０２に対して制御信号を発生し、画面表
示周波数や走査方法（たとえばインターレースかノンイ
ンターレースか）や一画面の走査線の数など表示装置の
動作を適宜制御する。

【０１６５】また、前記画像生成回路１６１０７に対し
て画像データや文字・図形情報を直接出力したり、ある
いは前記入出力インターフェース回路１６１０５を介し
て外部のコンピュータやメモリーをアクセスして画像デ
ータや文字・図形情報を入力する。

【０１６６】なお、ＣＰＵ１６１０６は、むろんこれ以
外の目的の作業にも関わるものであって良い。たとえ
は、パーソナルコンピュータやワードプロセッサなどの
ように、情報を生成したり処理する機能に直接関わって
も良い。

【０１６７】あるいは、前述したように入出力インター
フェース回路１６１０５を介して外部のコンピュータネ
ットワークと接続し、たとえば数値計算などの作業を外
部機器と協同して行っても良い。

【０１６８】また、入力部１６１１４は、前記ＣＰＵ１
６１０６に使用者が命令やプログラム、あるいはデータ
などを入力するためのものであり、たとえばキーボード
やマウスのほか、ジョイスティック、バーコードリーダ
ー、音声認識装置など多様な入力機器を用いることが可
能である。

【０１６９】また、デコーダ１６１０４は、前記１６１
０７ないし１６１１３より入力される種々の画像信号を
３原色信号、または輝度信号とＩ信号、Ｑ信号に逆変換
するための回路である。なお、同図中に点線で示すよう
に、デコーダ１６１０４は内部に画像メモリーを備える
のが望ましい。これは、たとえばＭＵＳＥ方式をはじめ
として、逆変換するに際して画像メモリーを必要とする
ようなテレビ信号を扱うためである。また、画像メモリ
ーを備えることにより、静止画の表示が容易になる、あ
るいは前記画像生成回路１６１０７およびＣＰＵ１６１
０６と協同して画像の間引き、補間、拡大、縮小、合成
をはじめとする画像処理や編集が容易に行えるようにな
るという利点が生まれるからである。

【０１７０】また、マルチプレクサ１６１０３は、前記
ＣＰＵ１６１０６より入力される制御信号に基づき表示
画像を適宜選択するものである。すなわち、マルチプレ
クサ１６１０３はデコーダ１６１０４から入力される逆
変換された画像信号のうちから所望の画像信号を選択し
て駆動回路１６１０１に出力する。その場合には、一画
面表示時間内で画像信号を切り替えて選択することによ
り、いわゆる多画面テレビのように、一画面を複数の領
域に分けて領域によって異なる画像を表示することも可
能である。

【０１７１】また、ディスプレイパネルコントローラ１
６１０２は、前記ＣＰＵ１６１０６より入力される制御
信号にもとずき駆動回路１６１０１の動作を制御するた
めの回路である。

【０１７２】まず、ディスプレイパネルの基本的な動作
に関わるものとして、たとえばディスプレイパネルの駆
動用電源（図示せず）の動作シーケンスを制御するため
の信号を駆動回路１６１０１に対して出力する。

【０１７３】また、ディスプレイパネルの駆動方法に関
わるものとして、たとえば画面表示周波数や走査方法
（たとえばインターレースかノンインターレースか）を
制御するための信号を駆動回路１６１０１に対して出力
する。

【０１７４】また、場合によっては表示画像の輝度やコ
ントラストや色調やシャープネスといった画質の調整に
関わる制御信号を駆動回路１６１０１に対して出力する
場合もある。

【０１７５】また、駆動回路１６１０１は、ディスプレ
イパネル１６１００に印加する駆動信号を発生するため
の回路であり、前記マルチプレクサ１６１０３から入力
される画像信号と、前記ディスプレイパネルコントロー
ラ１６１０２より入力される制御信号に基づいて動作す
るものである。

【０１７６】以上、各部の機能を説明したが、図２１に
例示した構成により、本表示装置においては多様な画像
情報源より入力される画像情報をディスプレイパネル１
６１００に表示することが可能である。

【０１７７】すなわち、テレビジョン放送をはじめとす
る各種の画像信号はデコーダ１６１０４において逆変換
された後、マルチプレクサ１６１０３において適宜選択
され、駆動回路１６１０１に入力される。一方、ディス
プレイコントローラ１６１０２は、表示する画像信号に
応じて駆動回路１６１０１の動作を制御するための制御
信号を発生する。駆動回路１６１０１は、上記画像信号
と制御信号にもとずいてディスプレイパネル１６１００
に駆動信号を印加する。

【０１７８】これにより、ディスプレイパネル１６１０
０において画像が表示される。これらの一連の動作は、
ＣＰＵ１６１０６により統括的に制御される。

【０１７９】また、本表示装置においては、前記デコー
ダ１６１０４に内蔵する画像メモリや、画像生成回路１
６１０７およびＣＰＵ１６１０６が関与することによ
り、単に複数の画像情報の中から選択したものを表示す
るだけでなく、表示する画像情報に対して、たとえば拡
大、縮小、回転、移動、エッジ強調、間引き、補間、色
変換、画像の縦横比変換などをはじめとする画像処理
や、合成、消去、接続、入れ換え、はめ込みなどをはじ
めとする画像編集を行うことも可能である。また、本実
施例の説明では特に触れなかったが、上記画像処理や画
像編集と同様に、音声情報に関しても処理や編集を行な
うための専用回路を設けても良い。

【０１８０】したがって、本表示装置は、テレビジョン
放送の表示機器、テレビ会議の端末機器、静止画像およ
び動画像を扱う画像編集機器、コンピュータの端末機
器、ワードプロセッサをはじめとする事務用端末機器、
ゲーム機などの機能を一台で兼ね備えることが可能で、
産業用あるいは民生用として極めて応用範囲が広い。

【０１８１】なお、上記図２１は、表面伝導型放出素子
を電子ビーム源とするディスプレイパネルを用いた表示
装置の構成の一例を示したにすぎず、これのみに限定さ
れるものでないことは言うまでもない。たとえば、図２
１の構成要素のうち使用目的上必要のない機能に関わる
回路は省いても差し支えない。またこれとは逆に、使用
目的によってはさらに構成要素を追加しても良い。たと
えば、本表示装置をテレビ電話機として応用する場合に
は、テレビカメラ、音声マイク、照明機、モデムを含む
送受信回路などを構成要素に追加するのが好適である。

【０１８２】本表示装置においては、とりわけ表面伝導
型放出素子を電子ビーム源とするディスプレイパネルが
容易に薄形化できるため、表示装置全体の奥行きを小さ
くすることが可能である。それに加えて、表面伝導型放
出素子を電子ビーム源とするディスプレイパネルは大画
面化が容易で輝度が高く視野角特性にも優れるため、本
表示装置は臨場感にあふれ迫力に富んだ画像を視認性良
く表示することが可能である。

【０１８３】

【実施例】以下に実施例を挙げて、本発明の特徴である
スペーサ近傍のビームずれの補正方法について、さらに
説明を加える。

【０１８４】以下に述べる各実施例においては、マルチ
電子ビーム源として、前述した、電極間の導電性微粒子
膜に電子放出部を有するタイプのＮ×Ｍ個（Ｎ＝３０７
２、Ｍ＝１０２４）の表面伝導型放出素子を、Ｍ本の行
方向配線とＮ本の列方向配線とによりマトリクス配線
（図７および図１８参照）したマルチ電子ビーム源を用
いた。

【０１８５】（実施例１）本実施例は、絶縁性基材表面
に高抵抗薄膜Ｔｉ−ＡｌＮおよび導電部を設けた半導電
性スペーサを用いた場合に本発明を適用した例であり、
図２と図３を用いて説明する。

【０１８６】図２は、本実施例を適用した画像装置のス
ペーサ近傍の断面図、図３は本実施例に用いたスペーサ
を示す。図２において、１１０は蛍光体とメタルバック
を含むフェースプレート、１１１は電子源基板を含むリ
アプレート、１１２はスペーサ、１１３はスペーサ表面
の導電部、１１４はスペーサ設置した素子駆動用配線
部、１１５は第１近接素子駆動用配線部、１１６は第２
近接素子駆動用配線部、１２５は第３近接素子駆動用配
線部、１２１，１２２は絶縁層、１２３は第１近接素子
駆動用配線上に形成される電子軌道補正用配線部、１２
４は第２近接素子駆動用配線上に形成される電子軌道補
正用配線部、１１７は第１近接素子、１１８は第２近接
素子、１２６は第３近接素子、１１９は代表的な電子ビ
ーム軌道である。また、ａはスペーサ設置配線における
電子源基板からスペーサに形成された導電部上端までの
高さ、ａ′はフェースプレートからスペーサに形成され
た導電部下端までの高さを示す。

【０１８７】本実施例において、フェースプレート１１
０と電子源基板１１１間の距離は３ｍｍとし、素子サイ
ズは６５０μｍ×２９０μｍとして、図２の配線部は６
５０μｍ周期で配置されている。また、１１４，１１
５，１１６，１２１等の素子駆動用配線部の高さは絶縁
層を含めて全ライン５０μｍ、１２３，１２４等の電子
軌道補正用配線部の厚さは１０μｍ、１２１，１２２等
の素子駆動用配線部と電子軌道補正用配線部との間に形
成される絶縁層の厚さは３０μｍとした。

【０１８８】また、スペーサ１３１の下端に形成した導
電部の高さは７０μｍとし、導電性フリットおよび絶縁
層を含めた素子駆動用配線の高さも含めたａの大きさを
１５０μｍとした。さらに、スペーサ１３１の上端に形
成した導電部の高さも７０μｍとし、ａ′の大きさを１
００μｍとした。

【０１８９】ここで図３を用いて、導電部の説明をす
る。図３は、図２のスペーサ１１２を図２に示すＥ方向
から見た図である。図３において、１１２はスペーサ、
１１３は導電部を示す。スペーサ１１２に高さ２．８ｍ
ｍ×長さ２０ｍｍ×厚さ０．２ｍｍの青板ガラスを用
い、導電部１１３としてスパッタリング法を用いてＡｌ
を両側に０．１μｍの厚みに形成し、さらにスパッタリ
ング法を用いてアルゴンと窒素混合雰囲気中でＴｉとＡ
ｌのターゲットを同時スパッタすることによりＴｉ−Ａ
ｌＮ高抵抗薄膜１５１を成膜した。Ｔｉ−ＡｌＮ膜１５
１は、それぞれのターゲットにかける電力を変化するこ
とにより組成の調節を行い、最適の抵抗値を得た。基板
は室温で、アースに接地されている。作製したＴｉ−Ａ
ｌＮ膜１５１は、膜厚がｔ＝２００ｎｍで比抵抗がρ＝
２．８×１０⁵Ωｃｍであった。

【０１９０】このとき、Ａｌを導電部側端部にも形成す
ることにより、配線部との電気的接続を取り易くしてい
る。また、導電部と配線部との電気的接続とスペーサの
固定は、Ａｕ被覆シリカ球を分散させて形成した導電性
フリットガラスを用いて実施した。

【０１９１】本発明の画像形成装置を、加速電圧Ｖ_a＝
６ｋＶ、第１近接素子駆動用配線１１５上に形成される
電子軌道補正用配線１２３電位Ｖ_h1＝−１０Ｖ、また第
２近接素子駆動用配線１１６上に形成される電子軌道補
正用配線１２４電位Ｖ_h2＝７．５Ｖで駆動したところ、
スペーサ１１２近傍においてもビームずれがなく高品位
な画像を得ることが可能となった。

【０１９２】（実施例２）本実施例は、絶縁性基材表面
に高抵抗薄膜ＮｉＯおよび導電部を設けた半導電性スペ
ーサを用いた場合に本発明を適用した例であり、図４と
図５を用いて説明する。

【０１９３】本実施例では、図４に示した通り、スペー
サ第１近接配線１１５は配線を高く形成し、スペーサ第
２近接配線１１６上にのみ電子軌道補正配線１２４を形
成した。

【０１９４】以下では、実施例１と異なる箇所のみ説明
する。

【０１９５】また、スペーサ１１２の下部表面に形成し
た導電部１１３の高さは、３７０μｍとして、導電性フ
リットの高さも含めたａの大きさを４５０μｍとした。
さらに、実施例１同様、スペーサ１１２の上端に高さ７
０μｍの導電部１１３を形成し、ａ′の大きさを１００
μｍとした。さらにスペーサ第１近接配線１１５上端ま
での高さは６０μｍとした。

【０１９６】ここで図５を用いて、導電部の説明をす
る。図５は、スペーサ１１２を図５のＥ方向から見た図
である。図５において、１１２はスペーサ、１１３は導
電部を示す。スペーサ１１２に高さ２．８ｍｍ×長さ２
０ｍｍ×厚さ０．２ｍｍの青板ガラスを用い、導電部１
１３としてスパッタリング法を用いてＡｌを両側に０．
１μｍの厚みに形成した。

【０１９７】さらに電子ビーム真空蒸着法を用いて、膜
厚ｔ＝２００ｎｍで比抵抗がρ＝３．３×１０⁵Ωｃｍ
のＮｉＯ高抵抗薄膜１５１を成膜した。

【０１９８】本発明の画像形成装置を、加速電圧Ｖ_a＝
６ｋＶ、第２近接素子駆動用配線１１６上に形成される
電子軌道補正用配線１２４を位Ｖ_h2＝−２５Ｖで駆動し
たところ、スペーサ近傍においてもビームずれがなく高
品位な画像を得ることが可能となった。

【０１９９】（実施例３）本実施例は、絶縁性基材表面
に高抵抗薄膜および導電部を設けない絶縁性スペーサを
用いた場合に本発明を適用した例であり、図６を用いて
説明する。

【０２００】本実施例では、図６に示した通り、スペー
サ第１、第２近接素子の電子軌道補正には、スペーサ第
１、第２近接配線１１５、１１６上に形成される電子軌
道補正配線１２３、１２４のみで行った。

【０２０１】以下では、実施例１と異なる箇所のみ説明
する。

【０２０２】素子駆動用配線部１１４，１１５，１１
６，１２５等の高さは、絶縁層を含めて全ライン５０μ
ｍ、電子軌道補正用配線部１２３、１２４等の厚さは１
０μｍ、素子駆動用配線部と電子軌道補正用配線部との
間に形成される絶縁層１２１、１２２等の厚さは５０μ
ｍとした。

【０２０３】本発明の画像形成装置を、加速電圧Ｖ_a＝
６ｋＶ、第１近接素子駆動用配線１１５上に形成される
電子軌道補正用配線１２３電位Ｖ_h1＝−４５Ｖ、また第
２近接素子駆動用配線１１６上に形成される電子軌道補
正用配線１２４電位Ｖ_h2＝−２０Ｖで駆動したところ、
スペーサ１１２近傍においてもビームずれがなく高品位
な画像を得ることが可能となった。

【０２０４】（その他の実施例）また、本発明は、ＳＣ
Ｅ以外の冷陰極型電子放出素子のうち、いずれの電子放
出素子に対しても適用できる。具体例としては、特開昭
６３−２７４０４７号公報に記載されたような対向する
一対の電極を電子源を成す基板面に沿って構成した電界
放出型の電子放出素子がある。

【０２０５】また、本発明は、単純マトリクス型以外の
電子源を用いた画像形成装置に対しても適用できる。例
えば、特開平２−２５７５５１号公報等に記載されたよ
うな制御電極を用いてＳＣＥの選択を行う画像形成装置
において、電子源と制御電極間等に上記のような支持部
材を用いた場合である。

【０２０６】また、本発明の思想によれば、表示用とし
て好適な画像形成装置に限るものでなく、感光性ドラム
と発光ダイオード等で構成された光プリンターの発光ダ
イオード等の代替の発光源として、上述の画像形成装置
を用いることもできる。またこの際、上述のｍ本の行方
向配線とｎ本の列方向配線を、適宜選択することで、ラ
イン状発光源だけでなく、２次元状の発光源としても応
用できる。

【０２０７】また、本発明の思想によれば、例えば電子
顕微鏡等のように、電子源からの放出素子の被照射部材
が、画像形成部材以外の部材である場合についても、本
発明は適用できる。従って、本発明は被照射部材を特定
しない電子線発生装置としての形態もとり得る。

【０２０８】

【発明の効果】以上、説明したように、本発明によれ
ば、電子放出素子の駆動配線上に設けられた電子軌道補
正用の配線電極と、これに任意の電位を与える手段とを
設けることにより、スペーサ隣接配線の配線電位を任意
に与えることができ、これを最適化することにより、ス
ペーサ帯電により乱れる電子軌道を補正してフェースプ
レートの適正な位置にスポットを形成することが可能と
なる。この結果、高い品位の画像装置の提供が可能とな
った。

【０２０９】また、電子被照射体は特定せず、マルチ平
面電子源を成す電子発生装置においても同様の効果を発
揮できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の機能を説明するための図であり、画像
形成装置の断面図である。

【図２】本発明第１の実施例の画像形成装置の断面図で
ある。

【図３】本発明第１の実施例の画像形成装置に用いるス
ペーサの説明図である。

【図４】本発明第２の実施例の画像形成装置の断面図で
ある。

【図５】本発明第２の実施例の画像形成装置に用いるス
ペーサの説明図である。

【図６】本発明第３の実施例の画像形成装置の断面図で
ある。

【図７】本発明の実施例である画像表示装置の、表示パ
ネルの一部を切り欠いて示した斜視図である。

【図８】本発明の実施例である表示パネルのＡ−Ａ′断
面図である。

【図９】表示パネルのフェースプレートの蛍光体配列を
例示した平面図である。

【図１０】蛍光体の他の構成例を説明する為の図であ
る。

【図１１】実施例で用いた平面型の表面伝導型放出素子
の平面図（ａ）、断面図（ｂ）である。

【図１２】平面型の表面伝導型放出素子の製造工程を示
す断面図である。

【図１３】通電フォーミング処理の際の印加電圧波形で
ある。

【図１４】通電活性化処理の際の印加電圧波形（ａ）、
放出電流Ｉｅの変化（ｂ）である。

【図１５】実施例で用いた垂直型の表面伝導型放出素子
の断面図である。

【図１６】垂直型の表面伝導型放出素子の製造工程を示
す断面図である。

【図１７】実施例で用いた表面伝導型放出素子の典型的
な特性を示すグラフである。

【図１８】実施例で用いたマルチ電子ビーム源の基板の
平面図である。

【図１９】実施例で用いたマルチ電子ビーム源の基板の
一部断面図である。

【図２０】本発明の実施例である画像表示装置の駆動回
路の概略構成を示すブロック図である。

【図２１】本発明の実施例である画像表示装置を用いた
多機能画像表示装置のブロック図である。

【図２２】従来知られた表面伝導型放出素子の一例であ
る。

【図２３】従来知られたＦＥ型素子の一例である。

【図２４】従来知られたＭＩＭ型の素子の一例である。

【図２５】画像表示装置の表示パネルの一部を切り欠い
て示した斜視図である。

【符号の説明】

１１０フェースプレート１１１電子源基板１１２スペーサ１１３導電部１１４スペーサ設置した素子駆動用配線部１１５第１近接素子駆動用配線部１１６第２近接素子駆動用配線部１１７第１近接素子１１８第２近接素子１１９電子ビーム軌道１２１，１２２絶縁層１２３，１２４電子軌道補正用配線部１２５第３近接素子駆動用配線部１２６第３近接素子１５１高抵抗薄膜

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 5C031 DD09 DD17 5C036 EE01 EE02 EE04 EE06 EE09 EF06 EF09 EG01 EG18 EG22 EG31 EG47 EH08 EH26

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】冷陰極型電子放出素子を設けた電子源基
板と、該電子放出素子から放出される電子を加速する加
速電極と、該電子により画像を形成する画像形成部材
と、該電子源基板と該加速電極の間に設けられたスペー
サとを有する画像形成装置において、前記電子放出素子の駆動配線上に設けられた電子軌道補
正用の配線電極と、これに任意の電位を与える手段とを
有し、該電位により前記スペーサに照射される電子ビー
ム量と電子軌道を制御することを特徴とする画像形成装
置。
【請求項２】画像形成領域に配置された前記スペーサ
近傍の少なくとも一つ以上の前記電子放出素子駆動配線
上に前記電子軌道補正用配線を設け、前記電子源基板と前記加速電極間距離をｄ、該加速電圧
をＶ_a、該電子源基板からの前記電子軌道補正用配線の
高さをｈとしたときに、該電子軌道補正用配線に、Ｖ_h
＜Ｖ_a・（ｈ／ｄ）なる電位Ｖ_hを印加することによ
り、該電子源から放出される電子の軌道を補正すること
を特徴とする請求項１記載の画像形成装置。
【請求項３】複数の冷陰極型電子放出素子が平面上に
設置されたリアプレート、該リアプレート上に設けられ該電子放出素子に接続され
た第１の配線群、該第１の配線を経由して該電子放出素子に電圧ないし電
流を供給する第１の信号源群、入力される画像信号に応じて該第１の信号源の出力を制
御する電気回路、前記リアプレートと対向して配置され、該電子放出素子
と対向する面に画像形成部材が形成されたフェースプレ
ート、該フェースプレートと該リアプレート間に高電圧Ｖａを
印加する手段、該フェースプレートと該リアプレート上の該第１の配線
のそれぞれに端部が接しているスペーサ、該スペーサが設置されていない該第１の配線の上に、該
第１の配線とは電気的に絶縁されて設けられた第２の配
線群、該第２の配線に接続された第２の信号源、を有すること
を特徴とする画像形成装置。
【請求項４】前記フェースプレートと前記リアプレー
ト間の距離をｄ、前記第２の配線の該リアプレート面か
らの高さをｈ、前記高電圧をＶａとしたときに、Ｖａ・
ｈ／ｄより小さい電圧を発生する前記第２の信号源を有
することを特徴とする請求項３に記載の画像形成装置。
【請求項５】全ての前記第２の配線に同一の電圧を印
加する前記第２の信号源を有することを特徴とする請求
項３に記載の画像形成装置。
【請求項６】隣接する前記第２の配線に異なる電圧を
印加する前記第２の信号源を有することを特徴とする請
求項３に記載の画像形成装置。
【請求項７】前記第２の配線に於いて、該配線部上面
の電子放出部形成面からの高さが、前記スペーサが設置
されている配線からの距離によって異なることを特徴と
した請求項３に記載の画像形成装置。
【請求項８】該スペーサが絶縁性の部材からなること
を特徴とした請求項３に記載の画像形成装置。
【請求項９】該スペーサが板状の絶縁性部材、および
該部材表面に形成された高抵抗膜からなることを特徴と
した請求項３に記載の画像形成装置。
【請求項１０】該高抵抗膜が前記第１の配線、および
前記フェースプレートと電気的に接続されていることを
特徴とした請求項９に記載の画像形成装置。
【請求項１１】該電子放出素子の構成要素に、少なく
とも対向する一対の素子電極と、該素子電極にまたがる
電子放出部を含む薄膜を含むことを特徴とした請求項３
に記載の画像形成装置。
【請求項１２】該薄膜が、導電性超微粒子で構成され
たことを特徴とした請求項１１に記載の画像形成装置。