JP2000249670A - 熱間における変位測定装置 - Google Patents
熱間における変位測定装置Info
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- JP2000249670A JP2000249670A JP11053753A JP5375399A JP2000249670A JP 2000249670 A JP2000249670 A JP 2000249670A JP 11053753 A JP11053753 A JP 11053753A JP 5375399 A JP5375399 A JP 5375399A JP 2000249670 A JP2000249670 A JP 2000249670A
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- Investigating Or Analyzing Materials Using Thermal Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 セラミックスや耐火材などの高温下で使用さ
れる耐熱材料の高温における変位、例えば高温における
熱膨張率の測定装置を提供する。 【解決手段】 加熱炉内に配置した試料２の両端部３、
３′を監視する２つの観測窓４、４′を設けた加熱炉１
と、夫々の観測窓４、４′から放射エネルギーを観測す
る２台のＣＣＤカメラ５、５′と、ＣＣＤカメラ５、
５′の映像信号を二値化処理して端部３、３′の座標を
算出する画像処理装置８と、座標の変化を表示するＰＣ
モニタ１２とからなることを特徴とする熱間における変
位測定装置。ＣＣＤカメラ５、５′のレンズ前面には減
光フィルタ制御装置６、６′を装着する。
れる耐熱材料の高温における変位、例えば高温における
熱膨張率の測定装置を提供する。 【解決手段】 加熱炉内に配置した試料２の両端部３、
３′を監視する２つの観測窓４、４′を設けた加熱炉１
と、夫々の観測窓４、４′から放射エネルギーを観測す
る２台のＣＣＤカメラ５、５′と、ＣＣＤカメラ５、
５′の映像信号を二値化処理して端部３、３′の座標を
算出する画像処理装置８と、座標の変化を表示するＰＣ
モニタ１２とからなることを特徴とする熱間における変
位測定装置。ＣＣＤカメラ５、５′のレンズ前面には減
光フィルタ制御装置６、６′を装着する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、セラミックスや耐
火材などの高温下で使用される耐熱材料の高温における
変位、例えば高温における熱膨張率を非接触で測定する
ための装置に関する。
火材などの高温下で使用される耐熱材料の高温における
変位、例えば高温における熱膨張率を非接触で測定する
ための装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】セラミックスや耐火材など高温下で使用
される各種材料の高温に加熱された際の形態的変化、例
えば熱膨張率などを精確に測定、把握することは材料設
計や炉設計において極めて重要であり、また、製鋼用ア
ーク炉においては黒鉛電極間の距離を管理することは安
定操業面からも重要となる。熱膨張率の測定には接触式
と非接触式とがあるが、接触式は構造が簡単で取扱いも
簡単である反面高温における測定が困難であり、また高
温において軟化する材料には適用することができないと
いう欠点がある。
される各種材料の高温に加熱された際の形態的変化、例
えば熱膨張率などを精確に測定、把握することは材料設
計や炉設計において極めて重要であり、また、製鋼用ア
ーク炉においては黒鉛電極間の距離を管理することは安
定操業面からも重要となる。熱膨張率の測定には接触式
と非接触式とがあるが、接触式は構造が簡単で取扱いも
簡単である反面高温における測定が困難であり、また高
温において軟化する材料には適用することができないと
いう欠点がある。
【０００３】非接触式熱膨張計にはこのような欠点がな
く、特に高温における測定が可能となる利点があり、例
えば特公平４−６５３３８号公報には試料加熱炉の一側
に２組の照明装置を配設し、その対向側にレンズのＦ番
号が５〜８で作動距離が３００〜５００mmの２組の望遠
レンズと０．８μm 〜１mm波長の赤外線除去用フィルタ
ーを具備する固体走査受光素子カメラ及びオシロスコー
プに接続されたカメラコントロールユニットをコンピュ
ータ及びデジタルプロッターに接続、配設したことを特
徴とする熱膨張率測定装置が提案されている。
く、特に高温における測定が可能となる利点があり、例
えば特公平４−６５３３８号公報には試料加熱炉の一側
に２組の照明装置を配設し、その対向側にレンズのＦ番
号が５〜８で作動距離が３００〜５００mmの２組の望遠
レンズと０．８μm 〜１mm波長の赤外線除去用フィルタ
ーを具備する固体走査受光素子カメラ及びオシロスコー
プに接続されたカメラコントロールユニットをコンピュ
ータ及びデジタルプロッターに接続、配設したことを特
徴とする熱膨張率測定装置が提案されている。
【０００４】この熱膨張率測定装置は、固体走査受光素
子を内蔵しレンズ系と組合せたカメラとカメラコントロ
ール部よりなる変位測定装置と照明装置を各々２組組合
せて試料の変位を自動的に測定するものであり、常温か
ら１６００℃の高温までの測定が可能となる。しかしな
がら、炭素材をはじめ一部のセラミック材料では、その
用途から３０００℃程度の高温における熱膨張が重要視
される場合があり、特公平４−６５３３８号公報の熱膨
張率測定装置では１６００℃以上の高温になるとカメラ
への入射エネルギーが増加して飽和状態になりコントラ
ストが不明瞭になって測定できなくなるという問題点が
ある。
子を内蔵しレンズ系と組合せたカメラとカメラコントロ
ール部よりなる変位測定装置と照明装置を各々２組組合
せて試料の変位を自動的に測定するものであり、常温か
ら１６００℃の高温までの測定が可能となる。しかしな
がら、炭素材をはじめ一部のセラミック材料では、その
用途から３０００℃程度の高温における熱膨張が重要視
される場合があり、特公平４−６５３３８号公報の熱膨
張率測定装置では１６００℃以上の高温になるとカメラ
への入射エネルギーが増加して飽和状態になりコントラ
ストが不明瞭になって測定できなくなるという問題点が
ある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明者は、高温にお
いては放射エネルギーが増大してＣＣＤカメラへの入射
エネルギーが飽和状態になり、精確な測定ができなくな
るという上記問題点を解消するために研究を進めた結
果、加熱炉内平均輝度を算出し、これによってＣＣＤカ
メラの電子シャッタースピード及び減光フィルタ制御装
置によりＣＣＤカメラへの入射エネルギーを制御するこ
とにより、高温かつ広範囲に亘って測定できることを見
出した。
いては放射エネルギーが増大してＣＣＤカメラへの入射
エネルギーが飽和状態になり、精確な測定ができなくな
るという上記問題点を解消するために研究を進めた結
果、加熱炉内平均輝度を算出し、これによってＣＣＤカ
メラの電子シャッタースピード及び減光フィルタ制御装
置によりＣＣＤカメラへの入射エネルギーを制御するこ
とにより、高温かつ広範囲に亘って測定できることを見
出した。
【０００６】本発明はこの知見に基づいて開発されたも
のであって、その目的は高温下で使用される耐熱材料の
高温、特に約３０００℃までの高温に亘る広い温度範囲
における変位測定装置を提供することにある。
のであって、その目的は高温下で使用される耐熱材料の
高温、特に約３０００℃までの高温に亘る広い温度範囲
における変位測定装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めの本発明の熱間における変位測定装置は、加熱炉内に
配置した試料２の両端部３、３′を監視する２つの観測
窓４、４′を設けた加熱炉１と、夫々の観測窓４、４′
から放射エネルギーを観測する２台のＣＣＤカメラ５、
５′と、ＣＣＤカメラ５、５′の映像信号を二値化処理
して端部３、３′の座標を算出する画像処理装置８と、
座標の変化を表示するＰＣモニタ１２とからなることを
構成上の特徴とする。この場合、ＣＣＤカメラ５、５′
のレンズ前面には減光フィルタ制御装置６、６′を装着
することが好ましい。
めの本発明の熱間における変位測定装置は、加熱炉内に
配置した試料２の両端部３、３′を監視する２つの観測
窓４、４′を設けた加熱炉１と、夫々の観測窓４、４′
から放射エネルギーを観測する２台のＣＣＤカメラ５、
５′と、ＣＣＤカメラ５、５′の映像信号を二値化処理
して端部３、３′の座標を算出する画像処理装置８と、
座標の変化を表示するＰＣモニタ１２とからなることを
構成上の特徴とする。この場合、ＣＣＤカメラ５、５′
のレンズ前面には減光フィルタ制御装置６、６′を装着
することが好ましい。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明は、高温加熱時における試
料の両端部を２台のＣＣＤカメラにより観測し、得られ
た映像信号を画像処理装置に入力し、画像処理して試料
の両端部の端面座標を算出して、両端面の測定開始時と
の画素数の差から試料の膨張による変位を経時的に測定
するものである。この際、高温に昇温するにつれ加熱炉
内からの放射エネルギーが上昇して、ＣＣＤカメラへ入
射されるエネルギーが飽和状態となるため精確な測定が
困難となる。そこで、加熱炉内平均輝度を算出し、この
値によってＣＣＤカメラの電子シャッター速度及び減光
フィルタ制御装置を調節することによりＣＣＤカメラへ
の入射エネルギーを制御して、高温かつ広範囲における
変位の測定が可能となる。
料の両端部を２台のＣＣＤカメラにより観測し、得られ
た映像信号を画像処理装置に入力し、画像処理して試料
の両端部の端面座標を算出して、両端面の測定開始時と
の画素数の差から試料の膨張による変位を経時的に測定
するものである。この際、高温に昇温するにつれ加熱炉
内からの放射エネルギーが上昇して、ＣＣＤカメラへ入
射されるエネルギーが飽和状態となるため精確な測定が
困難となる。そこで、加熱炉内平均輝度を算出し、この
値によってＣＣＤカメラの電子シャッター速度及び減光
フィルタ制御装置を調節することによりＣＣＤカメラへ
の入射エネルギーを制御して、高温かつ広範囲における
変位の測定が可能となる。
【０００９】図１は本発明の熱間における変位測定装置
を例示したブロック図である。図１において、１は試料
２を所定の温度に加熱するための加熱炉であり、加熱炉
１内に配置した試料２の両端部３、３′を監視するため
の観測窓４、４′が設けられている。所定温度に加熱さ
れた試料２の両端部３、３′からの映像信号を観測窓
４、４′を通して２台のＣＣＤカメラ５、５′で観測
し、得られた映像信号はカメラコントローラ７を介して
画像処理装置８に入力される。
を例示したブロック図である。図１において、１は試料
２を所定の温度に加熱するための加熱炉であり、加熱炉
１内に配置した試料２の両端部３、３′を監視するため
の観測窓４、４′が設けられている。所定温度に加熱さ
れた試料２の両端部３、３′からの映像信号を観測窓
４、４′を通して２台のＣＣＤカメラ５、５′で観測
し、得られた映像信号はカメラコントローラ７を介して
画像処理装置８に入力される。
【００１０】画像処理装置８に入力された映像信号を、
画像処理装置に内蔵されているフレームメモリ９に取り
込み、ヒストグラムカウンタ１０により輝度レベル０〜
２５５の各輝度レベルの頻度を示すヒストグラムが作成
される。得られたヒストグラムはＣＰＵ１１に入力さ
れ、ＣＰＵ１１で判別分析法によりしきい値を求め、濃
淡フレームメモリの映像を二値化処理する。
画像処理装置に内蔵されているフレームメモリ９に取り
込み、ヒストグラムカウンタ１０により輝度レベル０〜
２５５の各輝度レベルの頻度を示すヒストグラムが作成
される。得られたヒストグラムはＣＰＵ１１に入力さ
れ、ＣＰＵ１１で判別分析法によりしきい値を求め、濃
淡フレームメモリの映像を二値化処理する。
【００１１】なお、二値化処理するためのしきい値は下
記の手法により求められる。輝度レベルｉを０〜２５５
の範囲として、輝度レベルｉの度数をｎi 、全度数をＮ
とすると、輝度レベルの確率変数Ｐi は下記(1) 式で示
され、 Ｐi ＝ｎi ／Ｎ …(1) 画像の全平均レベルμT は(2) 式で表される。
記の手法により求められる。輝度レベルｉを０〜２５５
の範囲として、輝度レベルｉの度数をｎi 、全度数をＮ
とすると、輝度レベルの確率変数Ｐi は下記(1) 式で示
され、 Ｐi ＝ｎi ／Ｎ …(1) 画像の全平均レベルμT は(2) 式で表される。
【００１２】また、輝度レベルｉまでの輝度分布におけ
る０次の平均値ω(i) および１次の平均値μ(i) は、そ
れぞれ下記(3) 、(4) 式で表すことができ、 ω(i) ＝ω(i−1)＋Ｐi …(3) μ(i) ＝μ(i−1)＋i ×Ｐi …(4) 画像を輝度レベルによって２つのクラスに分けた場合、
各クラス間の分散は下記(5) 式で表される。 σB 2 ＝〔μT ×ω(i) −μ(i) 〕2 ／〔ω(i) ×[1−ω(i)]〕…(5)
る０次の平均値ω(i) および１次の平均値μ(i) は、そ
れぞれ下記(3) 、(4) 式で表すことができ、 ω(i) ＝ω(i−1)＋Ｐi …(3) μ(i) ＝μ(i−1)＋i ×Ｐi …(4) 画像を輝度レベルによって２つのクラスに分けた場合、
各クラス間の分散は下記(5) 式で表される。 σB 2 ＝〔μT ×ω(i) −μ(i) 〕2 ／〔ω(i) ×[1−ω(i)]〕…(5)
【００１３】したがって最適しきい値αは、下記(6) 式
により求めることができる。 ｉ* ＝σB 2(i * ) ＝max σB 2(i) …(6)
により求めることができる。 ｉ* ＝σB 2(i * ) ＝max σB 2(i) …(6)
【００１４】このようにして求めたしきい値により二値
化処理された端部３、３′の映像をそれぞれ上方向から
走査して最初に白レベルが発生した座標を記憶する。こ
の座標と両端部の測定開始時の座標との画素数の差に１
画素の重み（１画素が相当する実長mm）を積算して測定
試料の膨張による変位を算出し、ＰＣモニタ１２に経時
的に表示する。
化処理された端部３、３′の映像をそれぞれ上方向から
走査して最初に白レベルが発生した座標を記憶する。こ
の座標と両端部の測定開始時の座標との画素数の差に１
画素の重み（１画素が相当する実長mm）を積算して測定
試料の膨張による変位を算出し、ＰＣモニタ１２に経時
的に表示する。
【００１５】なお、ヒストグラムカウンタ１０により平
均輝度を算出し、その値が設定範囲を超える場合にはＣ
ＣＤカメラの電子シャッタースピード及び減光フィルタ
制御装置６、６′を調節し、ＣＣＤカメラへの入射エネ
ルギーを制御して平均輝度を下げることにより、放射エ
ネルギーが増大してＣＣＤカメラへの入射エネルギーが
飽和状態となり精確な測定が不能となる事態は防止され
る。このようにして高温下においても連続測定が可能と
なり、７００〜３０００℃の高温で広い温度範囲に亘っ
て変位を測定することができる。
均輝度を算出し、その値が設定範囲を超える場合にはＣ
ＣＤカメラの電子シャッタースピード及び減光フィルタ
制御装置６、６′を調節し、ＣＣＤカメラへの入射エネ
ルギーを制御して平均輝度を下げることにより、放射エ
ネルギーが増大してＣＣＤカメラへの入射エネルギーが
飽和状態となり精確な測定が不能となる事態は防止され
る。このようにして高温下においても連続測定が可能と
なり、７００〜３０００℃の高温で広い温度範囲に亘っ
て変位を測定することができる。
【００１６】
【実施例】以下、本発明を炭素材を加熱した際の変位の
測定を例に具体的に説明する。
測定を例に具体的に説明する。
【００１７】図２は、図１に例示した本発明の変位測定
装置を用いて熱間における変位を測定する際の処理手順
を示したフローチャートである。図１において加熱炉１
内には測定試料である円柱状炭素材２が配置され、その
両端部３、３′は観測窓４、４′から２台のＣＣＤカメ
ラ５、５′により連続的に観測されている。加熱炉１に
より円柱状炭素材２を所定の温度に加熱し、両端部３、
３′からの放射エネルギーはＣＣＤカメラ５、５′で連
続的に撮影され、映像信号はカメラコントローラ７を経
由して画像処理装置８に入力される。
装置を用いて熱間における変位を測定する際の処理手順
を示したフローチャートである。図１において加熱炉１
内には測定試料である円柱状炭素材２が配置され、その
両端部３、３′は観測窓４、４′から２台のＣＣＤカメ
ラ５、５′により連続的に観測されている。加熱炉１に
より円柱状炭素材２を所定の温度に加熱し、両端部３、
３′からの放射エネルギーはＣＣＤカメラ５、５′で連
続的に撮影され、映像信号はカメラコントローラ７を経
由して画像処理装置８に入力される。
【００１８】ＣＣＤカメラ５、５′の映像信号は、画像
処理装置８に内蔵されている各々のフレームメモリ９に
入力され、フレームメモリ９に取り込まれた画像はヒス
トグラムカウンタ１０によって０〜２５５の各輝度レベ
ルに振り分けられてヒストグラムが作成される。
処理装置８に内蔵されている各々のフレームメモリ９に
入力され、フレームメモリ９に取り込まれた画像はヒス
トグラムカウンタ１０によって０〜２５５の各輝度レベ
ルに振り分けられてヒストグラムが作成される。
【００１９】このようにして作成された端部３のヒスト
グラムはＣＰＵ１２に入力され、判別分析法によりしき
い値を算出し、算出したしきい値によりフレームメモリ
９に取り込まれた画像は二値化処理される。この二値化
処理された画像を上方向から走査して最初に白レベルが
観測された座標を算出する。次に、端部３′についても
同じ処理を行って、３′の座標を算出し、このようにし
て試料２の両端部３、３′の座標が算出される。この座
標と、測定開始時の座標との差から画素数の差を求め、
画素差に１画素の重み（１画素が相当する実長mm）を掛
けることにより測定開始時と加熱測定時との寸法差が算
出される。すなわち、測定開始時と加熱測定時の温度差
に対応する試料２の寸法差が求められ、この温度間にお
ける変位を測定することができる。なお、試料の変位
は、ＰＣモニタ１２に経時的に表示され、またＴＶモニ
タ１３、１３′にはＣＣＤカメラ５、５′が撮影した映
像が各々映し出される。
グラムはＣＰＵ１２に入力され、判別分析法によりしき
い値を算出し、算出したしきい値によりフレームメモリ
９に取り込まれた画像は二値化処理される。この二値化
処理された画像を上方向から走査して最初に白レベルが
観測された座標を算出する。次に、端部３′についても
同じ処理を行って、３′の座標を算出し、このようにし
て試料２の両端部３、３′の座標が算出される。この座
標と、測定開始時の座標との差から画素数の差を求め、
画素差に１画素の重み（１画素が相当する実長mm）を掛
けることにより測定開始時と加熱測定時との寸法差が算
出される。すなわち、測定開始時と加熱測定時の温度差
に対応する試料２の寸法差が求められ、この温度間にお
ける変位を測定することができる。なお、試料の変位
は、ＰＣモニタ１２に経時的に表示され、またＴＶモニ
タ１３、１３′にはＣＣＤカメラ５、５′が撮影した映
像が各々映し出される。
【００２０】また、高温における変位を測定するために
試料温度を高くした場合には、試料の端部３、３′から
の放射エネルギーが増大してＣＣＤカメラへの入射エネ
ルギーが飽和状態となり、精確な測定ができなくなる場
合がある。このような場合には、端部３または３′のヒ
ストグラムを用いて平均輝度を算出し、平均輝度が設定
値を超えた時点でカメラコントローラ７や減光フィルタ
制御装置６、６′を作動させて電子シャッタースピード
やフィルタ減光率を変更、制御することにより精確な測
定が不能となる事態を防止することができる。なお、減
光フィルタ制御装置６、６′は、例えば透過率の異なる
０．０１〜１０％の減光フィルタを数種類セットして、
これを適時組み替えることにより減光率を制御すること
ができる。このようにして、ＣＣＤカメラ５、５′へ入
射される輝度レベルを常時ほぼ一定に保つことによっ
て、試料温度が７００〜３０００℃程度の高温下及び広
範囲の温度下における変位を連続的に精度よく、また容
易に測定することが可能となる。
試料温度を高くした場合には、試料の端部３、３′から
の放射エネルギーが増大してＣＣＤカメラへの入射エネ
ルギーが飽和状態となり、精確な測定ができなくなる場
合がある。このような場合には、端部３または３′のヒ
ストグラムを用いて平均輝度を算出し、平均輝度が設定
値を超えた時点でカメラコントローラ７や減光フィルタ
制御装置６、６′を作動させて電子シャッタースピード
やフィルタ減光率を変更、制御することにより精確な測
定が不能となる事態を防止することができる。なお、減
光フィルタ制御装置６、６′は、例えば透過率の異なる
０．０１〜１０％の減光フィルタを数種類セットして、
これを適時組み替えることにより減光率を制御すること
ができる。このようにして、ＣＣＤカメラ５、５′へ入
射される輝度レベルを常時ほぼ一定に保つことによっ
て、試料温度が７００〜３０００℃程度の高温下及び広
範囲の温度下における変位を連続的に精度よく、また容
易に測定することが可能となる。
【００２１】
【発明の効果】以上のとおり、本発明の熱間における変
位測定装置によれば、熱間における変位、特に高温下お
よび広い温度範囲において生じる変位を高精度かつ容易
に測定することが可能である。したがって、高温におけ
る熱膨張率などの変位測定装置として極めて有用であ
る。
位測定装置によれば、熱間における変位、特に高温下お
よび広い温度範囲において生じる変位を高精度かつ容易
に測定することが可能である。したがって、高温におけ
る熱膨張率などの変位測定装置として極めて有用であ
る。
【図１】本発明の熱間における変位測定装置を例示した
ブロック図である。
ブロック図である。
【図２】図１に例示した本発明の変位測定装置を用いて
熱間における変位を測定する際の処理手順を示したフロ
ーチャートである。
熱間における変位を測定する際の処理手順を示したフロ
ーチャートである。
１ 加熱炉 ２ 試料 ３、３′ 試料の端部 ４、４′ 観測窓 ５、５′ ＣＣＤカメラ ６、６′ 減光フィルタ制御装置 ７ カメラコントローラ ８ 画像処理装置 ９ フレームメモリ 10 ヒストグラムカウンタ 11 ＣＰＵ 12 ＰＣモニタ 13、13′ ＴＶモニタ
フロントページの続き Ｆターム(参考） 2F065 AA02 BB13 DD17 JJ03 JJ16 JJ23 JJ26 LL21 LL30 QQ04 QQ08 QQ14 QQ24 QQ25 QQ42 QQ43 SS02 SS13 2G040 AB07 BA28 CA02 CA12 CA18 CA23 CB03 CB14 DA06 EA02 EB02 EC09 FA01 HA02 HA16
Claims (2)
- 【請求項１】 加熱炉内に配置した試料２の両端部３、
３′を監視する２つの観測窓４、４′を設けた加熱炉１
と、夫々の観測窓４、４′から放射エネルギーを観測す
る２台のＣＣＤカメラ５、５′と、ＣＣＤカメラ５、
５′の映像信号を二値化処理して端部３、３′の座標を
算出する画像処理装置８と、座標の変化を表示するＰＣ
モニタ１２とからなることを特徴とする熱間における変
位測定装置。 - 【請求項２】 ＣＣＤカメラ５、５′のレンズ前面に減
光フィルタ制御装置６、６′が装着された請求項１記載
の熱間における変位測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11053753A JP2000249670A (ja) | 1999-03-02 | 1999-03-02 | 熱間における変位測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11053753A JP2000249670A (ja) | 1999-03-02 | 1999-03-02 | 熱間における変位測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000249670A true JP2000249670A (ja) | 2000-09-14 |
Family
ID=12951584
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11053753A Pending JP2000249670A (ja) | 1999-03-02 | 1999-03-02 | 熱間における変位測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000249670A (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1199541A2 (en) * | 2000-10-13 | 2002-04-24 | Expert System Solutions S.r.l. | An apparatus for measuring variations in size on bodies subjected to temperature variations |
| DE10136513B4 (de) * | 2001-07-26 | 2007-02-01 | Siemens Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Messung von temperaturbedingten Längenänderungen eines Piezoaktors |
| JP2008304191A (ja) * | 2007-06-05 | 2008-12-18 | Ulvac-Riko Inc | 光学フィルター手段を有する測定試料へのレーザ光照射量調節機構及びこの機構を備えた熱定数測定装置 |
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