JP2000231190A - Photopolymerizable composition - Google Patents

Photopolymerizable composition

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JP2000231190A
JP2000231190A JP11034834A JP3483499A JP2000231190A JP 2000231190 A JP2000231190 A JP 2000231190A JP 11034834 A JP11034834 A JP 11034834A JP 3483499 A JP3483499 A JP 3483499A JP 2000231190 A JP2000231190 A JP 2000231190A
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain characteristics of high resolution and good plating resistance by using a specified linear polymer and a specified photopolymerizable unsatd. compd. SOLUTION: The compsn. contains 20 to 90 wt.% of a nonlinear polymer having the weight average mol.wt. between 3×104 and 6×104, 3 to 30 wt.% of a photopolymerizable unsatd. compd. expressed by the formula, 5 to 40 wt.% of a photopolymerizable compd. having at least two end ethylene groups, and 0.01 to 30 wt.% of a photopolymn. initiator. The nonlinear polymer is prepared by copolymn. of a nonacidic compd. having polymerizable unsatd. groups and phenyl groups in the molecule, a carboxylic acid or acid anhydride, and one or more compds. selected from alkyl(meth)acrylates having 1-6C alkyl groups and hydroxyl (meth)acrylates having 2-6C hydroxyalkyl groups. The proportion of the total amt. of the photopolymerizable unsatd. compds. to the whole weight of the compsn. is 7 to 60 wt.%. In the formula, R1 is H or CH3 and n1 is an integer 3 to 16.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は光重合性組成物およ
び光重合性樹脂積層体に関し、更に詳しくはプリント配
線板作成に適したアルカリ現像可能な光重合性組成物お
よび光重合性樹脂積層体に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a photopolymerizable composition and a photopolymerizable resin laminate, and more particularly to an alkali-developable photopolymerizable composition and a photopolymerizable resin laminate suitable for making a printed wiring board. About.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、プリント配線作成用のレジストと
して支持層と光重合性層から成る、いわゆるドライフィ
ルムレジスト(以下DFRと略称)が用いられている。
DFRは、一般に支持フィルム上に光重合性組成物を積
層し、多くの場合、さらに該組成物上に保護用のフィル
ムを積層することにより調製される。ここで用いられる
光重合層としては、現在、現像液として弱アルカリ水溶
液を用いるアルカリ現像型が一般的である。
2. Description of the Related Art Conventionally, a so-called dry film resist (hereinafter abbreviated as DFR) comprising a support layer and a photopolymerizable layer has been used as a resist for producing printed wiring.
DFR is generally prepared by laminating a photopolymerizable composition on a support film, and often further laminating a protective film on the composition. The photopolymer layer used here is generally of an alkali developing type using a weak alkaline aqueous solution as a developing solution.

【0003】DFRを用いてプリント配線板を作成する
には、まず保護フィルムを剥離した後、銅張積層板等の
永久回路作成用基板上にラミネーター等を用いDFRを
積層し、配線パターンマスクフィルム等を通し露光を行
う。次に必要に応じて支持フィルムを剥離し、現像液に
より未露光部分の光重合性組成物を溶解、もしくは分散
除去し、基板上に硬化レジスト画像を形成させる。
In order to form a printed wiring board using a DFR, a protective film is first peeled off, and then a DFR is laminated on a substrate for forming a permanent circuit such as a copper-clad laminate using a laminator or the like, and a wiring pattern mask film is formed. And the like. Next, if necessary, the support film is peeled off, and the unpolymerized portion of the photopolymerizable composition is dissolved or dispersed and removed with a developer to form a cured resist image on the substrate.

【0004】このようにして形成されたレジスト画像を
マスクとして基板の金属表面をエッチング、またはめっ
きによる処理を行い、次いでレジスト画像を現像液より
も強いアルカリ水溶液を用いて剥離して、プリント配線
板等を形成する。特に最近は工程の簡便さから貫通孔
(スルーホール)を硬化膜で覆い、その後エッチングす
るいわゆるテンティング法が多用されている。エッチン
グは塩化第二銅、塩化第二鉄、銅アンモニア錯体溶液な
どが用いられる。
Using the resist image thus formed as a mask, the metal surface of the substrate is etched or plated, and then the resist image is peeled off using an alkaline aqueous solution stronger than a developing solution. Etc. are formed. In particular, recently, a so-called tenting method of covering a through hole (through hole) with a cured film and thereafter etching the same has been frequently used because of simplicity of the process. For etching, cupric chloride, ferric chloride, a copper-ammonia complex solution or the like is used.

【0005】最近では、プリント配線板の高密度化に伴
いファインパターン化が進むにつれて高解像度、高密着
性のDFRが要求されており、特にBGA等パッケージ
用途のDFRでは高解像度が要求されている。また、B
GA等のファインパターン用ではめっき工法による導体
形成が主流であり、DFRの耐めっき性が必要となる。
[0005] Recently, as the fine patterning of printed wiring boards has progressed to fine patterns, high resolution and high adhesion DFRs have been required, and particularly high resolution has been required for DFRs for packages such as BGA. . Also, B
For fine patterns such as GA, the formation of conductors by plating is the mainstream, and DFR requires plating resistance.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】従来、ファインパター
ン用途ではDFRに高解像性を付与したとしても、耐め
っき性を維持させることは非常に困難であった。特に、
ファインパターンにおいてはレジストラインがファイン
になる程、めっき工程時、めっきの成長とともにレジス
トラインが押されめっきもぐりを生じる事がしばしばあ
った。
Heretofore, it has been very difficult to maintain plating resistance in fine pattern applications, even if high resolution is imparted to the DFR. In particular,
In the fine pattern, the finer the resist line, the more often the resist line is pushed as the plating grows in the plating step, and the plating is often clogged.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決すべく
鋭意検討を重ねた結果、特定の線状重合体と特定の光重
合可能な不飽和化合物を用いることにより、高解像性で
耐めっき性の良好な特性を得られる事を見いだし、本発
明を完成するに至った。すなわち、本願の第一発明は、
(a)(i)非酸性であり、かつ分子中に重合性不飽和
基およびフェニル基を有する化合物、(ii)分子中に重
合性不飽和基を有するカルボン酸または酸無水物、及び
(iii)炭素数1〜6のアルキル基を有するアルキル
(メタ)アクリレート、及び炭素数2〜6のヒドロキシ
アルキル基を有するヒドロキシル(メタ)アクリレート
からなる群から選ばれる1種類以上の化合物、を共重合
してなり、かつ重量平均分子量が3万以上6万以下の線
状重合体、20〜90重量%、(b)下記式(I)で表
される光重合性不飽和化合物、3〜30重量%、
As a result of intensive studies to solve the above-mentioned problems, the use of a specific linear polymer and a specific photopolymerizable unsaturated compound has resulted in high resolution and high resistance. It has been found that good characteristics of plating property can be obtained, and the present invention has been completed. That is, the first invention of the present application is:
(A) (i) a compound which is non-acidic and has a polymerizable unsaturated group and a phenyl group in the molecule, (ii) a carboxylic acid or acid anhydride having a polymerizable unsaturated group in the molecule, and (iii) A) an alkyl (meth) acrylate having an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms and one or more compounds selected from the group consisting of a hydroxyl (meth) acrylate having a hydroxyalkyl group having 2 to 6 carbon atoms; And a linear polymer having a weight average molecular weight of 30,000 to 60,000, 20 to 90% by weight, (b) a photopolymerizable unsaturated compound represented by the following formula (I), 3 to 30% by weight ,

【0008】[0008]

【化4】 Embedded image

【0009】(式中、R1はHまたはCH3であり、n1
は3〜16の整数である。) (c)少なくとも二つの末端エチレン基を持つ光重合性
不飽和化合物、5〜40重量%、(d)光重合開始剤、
0.01〜30重量%、を含有し、かつ、組成物全体の
重量に対して、(b)の光重合性不飽和化合物と(c)
の光重合性不飽和化合物との合計量の比率が7〜60重
量%であることを特徴とする光重合性組成物である。
(Wherein R1 is H or CH3, n1
Is an integer of 3 to 16. (C) a photopolymerizable unsaturated compound having at least two terminal ethylene groups, 5 to 40% by weight, (d) a photopolymerization initiator,
0.01 to 30% by weight, and based on the total weight of the composition, the photopolymerizable unsaturated compound of (b) and (c)
Wherein the ratio of the total amount to the photopolymerizable unsaturated compound is 7 to 60% by weight.

【0010】本願の第二発明は、上記第一発明におい
て、(c)の光重合性不飽和化合物として、下記式(I
I)または(III)で表される化合物のいずれか1種
または双方が含有されていることを特徴とする光重合性
組成物である。
The second invention of the present application is the first invention, wherein the photopolymerizable unsaturated compound (c) is represented by the following formula (I)
A photopolymerizable composition comprising one or both of the compounds represented by I) and (III).

【0011】[0011]

【化5】 Embedded image

【0012】(式中、R2、R3 はHまたはCH3 であ
りこれらは同一であっても相違してもよい。n2、n3、
n4は3〜20の整数である。)
(Wherein R 2 and R 3 are H or CH 3 , which may be the same or different; n 2, n 3,
n4 is an integer of 3 to 20. )

【0013】[0013]

【化6】 Embedded image

【0014】(式中、R4 、R5 はHまたはCH3 であ
り、これらは同一であっても相違してもよい。また、
A、Bは−CH(CH3 )CH2 −または−CH2 CH
2 −であり、これらは相異なる。n5+n6は2〜16、
n7+n8は2〜16の整数でありn5、n6、n7、n8は
正の整数である。) 本願の第三発明は、支持体上に上記第一発明または第二
発明の光重合性組成物からなる層を設けた光重合樹脂積
層体である。
(Wherein, R 4 and R 5 are H or CH 3 , which may be the same or different.
A, B is -CH (CH 3) CH 2 - or -CH 2 CH
2- , which are different. n5 + n6 is 2 to 16,
n7 + n8 is an integer of 2 to 16, and n5, n6, n7 and n8 are positive integers. The third invention of the present application is a photopolymer resin laminate in which a layer comprising the photopolymerizable composition of the first invention or the second invention is provided on a support.

【0015】また、上記第一〜第三発明において、光重
合開始剤(d)として、4,4’−ビス(ジメチルアミ
ノ)ベンゾフェノンまたは4,4’−ビス(ジエチルア
ミノ)ベンゾフェノンと2−(o−クロロフェニル)−
4,5−ジフェニルイミダゾリル二量体の組み合わせを
用いる事は好ましい態様である。以下、本発明を詳細に
説明する。
In the first to third inventions, the photopolymerization initiator (d) may be 4,4'-bis (dimethylamino) benzophenone or 4,4'-bis (diethylamino) benzophenone and 2- (o -Chlorophenyl)-
It is a preferred embodiment to use a combination of 4,5-diphenylimidazolyl dimers. Hereinafter, the present invention will be described in detail.

【0016】本発明の光重合性組成物には、(b)成分
として前記一般式(I)の光重合性不飽和化合物が含ま
れることが必須である。一般式(I)の化合物は、ポリ
プロピレングリコールとアクリル酸またはメタクリル酸
とのエステル化反応により得ることができる。また、一
般式(I)の化合物においてnが3未満であると耐めっ
き性に対する効果が充分ではなく、16を越えると充分
な感度がでなくなる。
It is essential that the photopolymerizable composition of the present invention contains the photopolymerizable unsaturated compound represented by the general formula (I) as the component (b). The compound of the general formula (I) can be obtained by an esterification reaction between polypropylene glycol and acrylic acid or methacrylic acid. When n is less than 3 in the compound of the general formula (I), the effect on plating resistance is not sufficient, and when n exceeds 16, sufficient sensitivity is not obtained.

【0017】一般式(I)の化合物は本発明の光重合性
組成物に3〜30重量%含まれる事が必要があり、5〜
15重量%含まれることがより好ましい。この量が3重
量%より少ないと耐めっき性に対する効果が充分ではな
く、また、この量が30重量%を越えると充分な感度が
でなくなる。本発明の光重合性組成物には、(c)成分
として少なくとも二つの末端エチレン基を持つ光重合性
化合物を含む事が必須である。このような少なくとも二
つの末端エチレン基を持つ光重合性化合物のうち、特に
好ましい化合物としては、前記一般式(II)、(II
I)の化合物が挙げられる。
The compound of the formula (I) must be contained in the photopolymerizable composition of the present invention in an amount of 3 to 30% by weight.
More preferably, the content is 15% by weight. If this amount is less than 3% by weight, the effect on plating resistance is not sufficient, and if this amount exceeds 30% by weight, sufficient sensitivity is lost. It is essential that the photopolymerizable composition of the present invention contains a photopolymerizable compound having at least two terminal ethylene groups as the component (c). Among such photopolymerizable compounds having at least two terminal ethylene groups, particularly preferred compounds are those represented by the aforementioned general formulas (II) and (II).
And the compounds of I).

【0018】一般式(II)で表される化合物におい
て、n2、n3、n4が3よりも小さいと当該化合物の沸
点が低下して、レジストの臭気が強くなり、使用が著し
く困難になる。また、n2、n3、n4が20を越えると
実用的感度が得られない。また、一般式(III)で表
される化合物において、A及びBがプロピレングリコー
ル鎖のような疎水性基を持つ化合物のみであるとベース
ポリマーとの相溶性が悪化したり、現像時のスカム発生
の原因となる。また、現像時間も遅くなる。A及びBが
エチレングリコール鎖のような親水性基を持つ化合物の
みであると現像時の膨潤性が増加し解像性が悪化する。
現像性と解像性を両立させるにはエチレングリコール鎖
とプロピレングリコール鎖の双方を分子中に有する事が
有効である。また、n5+n6及びn7+n8が16を越え
ると二重結合濃度が減少し充分な感度がでなくなる。n
5+n6及びn7+n8は4〜12が好ましい。一般式(I
I)、(III)以外の(c)成分の光重合性化合物の
例として、1、6ーヘキサンジオールジ(メタ)アクリ
レート、1、4ーシクロヘキサンジオールジ(メタ)ア
クリレート、またポリプロピレングリコールジ(メタ)
アクリレート、ポリエチレングリコールジ(メタ)アク
リレート、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレング
リコールジ(メタ)アクリレート等のポリオキシアルキ
レングリコールジ(メタ)アクリレート、2ージ(pー
ヒドロキシフェニル)プロパンジ(メタ)アクリレー
ト、グリセロールトリ(メタ)アクリレート、トリメチ
ロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ポリオキシ
プロピルトリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレ
ート、ポリオキシエチルトリメチロールプロパントリア
クリレート、ジペンタエリスリトールペンタ(メタ)ア
クリレート、トリメチロールプロパントリグリシジルエ
ーテルトリ(メタ)アクリレート、ビスフェノールAジ
グリシジルエーテルジ(メタ)アクリレート、2、2ー
ビス(4ーメタクリロキシペンタエトキシフェニル)プ
ロパン、及びウレタン基を含有する多官能(メタ)アク
リレート等が挙げられる。これらの光重合性化合物は一
種類でも二種類以上を併用することもでき、一般式(I
I)、(III)の化合物とも併用できる。
In the compound represented by the general formula (II), when n2, n3 and n4 are smaller than 3, the boiling point of the compound is lowered, the odor of the resist becomes strong, and the use becomes extremely difficult. On the other hand, if n2, n3 and n4 exceed 20, practical sensitivity cannot be obtained. Further, in the compound represented by the general formula (III), when A and B are only compounds having a hydrophobic group such as a propylene glycol chain, the compatibility with the base polymer is deteriorated, and scum is generated during development. Cause. In addition, the development time becomes longer. When A and B are only compounds having a hydrophilic group such as an ethylene glycol chain, the swelling property during development increases and the resolution deteriorates.
In order to achieve both developability and resolution, it is effective to have both ethylene glycol chains and propylene glycol chains in the molecule. On the other hand, if n5 + n6 and n7 + n8 exceed 16, the double bond concentration will decrease and sufficient sensitivity will not be obtained. n
5 + n6 and n7 + n8 are preferably from 4 to 12. The general formula (I
Examples of the photopolymerizable compound of the component (c) other than I) and (III) include 1,6-hexanediol di (meth) acrylate, 1,4-cyclohexanediol di (meth) acrylate, and polypropylene glycol di ( Meta)
Polyoxyalkylene glycol di (meth) acrylate such as acrylate, polyethylene glycol di (meth) acrylate, polyoxyethylene polyoxypropylene glycol di (meth) acrylate, and 2-di (p-hydroxyphenyl) propane di (meth) acrylate, glycerol Tri (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, polyoxypropyltrimethylolpropane tri (meth) acrylate, polyoxyethyltrimethylolpropane triacrylate, dipentaerythritol penta (meth) acrylate, trimethylolpropane triglycidyl Ether tri (meth) acrylate, bisphenol A diglycidyl ether di (meth) acrylate, 2,2-bis (4-methacryloyl (Xypentaethoxyphenyl) propane, and a polyfunctional (meth) acrylate containing a urethane group. These photopolymerizable compounds can be used alone or in combination of two or more.
It can also be used in combination with the compounds of I) and (III).

【0019】これらの使用量は5〜40重量%が好まし
く一般式(I)の化合物との合計は7〜60重量%であ
る事が必要である。7重量%未満では感度の点で充分で
はなく、60重量%を越えると保存時の光重合性層のは
み出しが著しくなるため好ましくない。本発明の光重合
性組成物に用いられる(a)成分の線状重合体に含まれ
るカルボキシル基の量は、酸当量で100〜600であ
る必要があり、好ましくは300〜400である。線状
重合体中のカルボキシル基は、DFRにアルカリ水溶液
に対する現像性や剥離性を与えるために必要である。酸
当量が100未満では、塗工溶媒または他の組成物、例
えば、光重合性不飽和化合物(モノマー)との相溶性が
低下し、600を越えると現像性や剥離性が低下する。
また、本発明の線状重合体の分子量は3〜6万である必
要がある。線状重合体の分子量が6万を超えると解像性
が低下し、3万未満では保存時の光重合性層のはみ出し
が顕著になり好ましくない。
The amount of these compounds used is preferably 5 to 40% by weight, and the total amount of the compound and the compound of the formula (I) must be 7 to 60% by weight. If it is less than 7% by weight, the sensitivity is not sufficient, and if it exceeds 60% by weight, the photopolymerizable layer protrudes significantly during storage, which is not preferable. The amount of the carboxyl group contained in the linear polymer of the component (a) used in the photopolymerizable composition of the present invention needs to be 100 to 600 in terms of acid equivalent, and is preferably 300 to 400. The carboxyl group in the linear polymer is necessary to give the DFR developability and releasability to an aqueous alkali solution. If the acid equivalent is less than 100, the compatibility with a coating solvent or another composition, for example, a photopolymerizable unsaturated compound (monomer) decreases, and if it exceeds 600, the developability and the releasability decrease.
Further, the molecular weight of the linear polymer of the present invention needs to be 30,000 to 60,000. If the molecular weight of the linear polymer exceeds 60,000, the resolution is reduced, and if it is less than 30,000, the photopolymerizable layer protrudes significantly during storage, which is not preferable.

【0020】ここで酸当量とはその中に1当量のカルボ
キシル基を有するポリマーの重量を言う。なお、酸当量
の測定は電位差滴定法により行われる。また分子量はゲ
ルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)によ
り重量平均分子量(ポリスチレン換算)として求められ
る。(a)成分として用いられる線状重合体の共重合成
分(i)は、非酸性で分子中に重合性不飽和基を有し、
フェニル基を有する化合物を必須成分とする。このよう
な化合物としては、例えば、スチレン、メチルスチレ
ン、及びスチレン誘導体が挙げられ、本発明においては
特にスチレンが好ましい。
Here, the acid equivalent refers to the weight of a polymer having one equivalent of a carboxyl group therein. The measurement of the acid equivalent is performed by a potentiometric titration method. The molecular weight is determined as a weight average molecular weight (in terms of polystyrene) by gel permeation chromatography (GPC). The copolymer component (i) of the linear polymer used as the component (a) is non-acidic and has a polymerizable unsaturated group in the molecule,
A compound having a phenyl group is an essential component. Such compounds include, for example, styrene, methylstyrene, and styrene derivatives, and in the present invention, styrene is particularly preferred.

【0021】(a)成分として用いられる線状重合体の
共重合成分(ii)は、分子中に重合性不飽和基を一個有
するカルボン酸または酸無水物である。このような化合
物としては、例えば、(メタ)アクリル酸、フマル酸、
ケイ皮酸、クロトン酸、イタコン酸、マレイン酸無水
物、マレイン酸半エステル等が挙げられる。(a)成分
として用いられる線状重合体の共重合成分(iii)は、ア
ルキル基1〜6個の炭素原子を有するアルキル(メタ)
アクリレート、及びヒドロキシルアルキル基が2〜6個
の炭素原子を有するヒドロキシル(メタ)アクリレート
からなる群から選ばれる1種類以上の化合物である。こ
のような化合物としては、例えば、メチル(メタ)アク
リレート、エチル(メタ)アクリレート、n−プロピル
(メタ)アクリレート、iso−プロピル(メタ)アク
リレート、n−ブチル(メタ)アクリレート、sec−
ブチル(メタ)アクリレート、tert−ブチル(メ
タ)アクリレート、2−ヒドロキシエチル(メタ)アク
リレート、2−ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレー
ト、2−エチルヘキシル(メタ)アクリレート等が挙げ
られる。
The copolymer component (ii) of the linear polymer used as the component (a) is a carboxylic acid or acid anhydride having one polymerizable unsaturated group in the molecule. Such compounds include, for example, (meth) acrylic acid, fumaric acid,
Cinnamic acid, crotonic acid, itaconic acid, maleic anhydride, maleic acid half ester and the like. The copolymer component (iii) of the linear polymer used as the component (a) is an alkyl (meth) having 1 to 6 carbon atoms of an alkyl group.
An acrylate and one or more compounds selected from the group consisting of hydroxyl (meth) acrylates in which the hydroxylalkyl group has 2 to 6 carbon atoms. Such compounds include, for example, methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, n-propyl (meth) acrylate, iso-propyl (meth) acrylate, n-butyl (meth) acrylate, sec-
Examples thereof include butyl (meth) acrylate, tert-butyl (meth) acrylate, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, and 2-ethylhexyl (meth) acrylate.

【0022】本発明の光重合性組成物に用いられる
(d)成分の光重合開始剤としては、各種の活性光線、
例えば紫外線などにより活性化され重合を開始させるこ
とができる公知の開始剤が挙げられる。このような光重
合開始剤としては、例えば、2−エチルアントラキノ
ン、オクタエチルアントラキノン、1、2−ベンズアン
トラキノン、2、3−ベンズアントラキノン、2−フェ
ニルアントラキノン、2、3−ジフェニルアントラキノ
ン、1−クロロアントラキノン、2−クロロアントラキ
ノン、2−メチルアントラキノン、1、4−ナフトキノ
ン、9、10−フェナントラキノン、2−メチル1、4
−ナフトキノン、2、3−ジメチルアントラキノン、3
−クロロ−2−メチルアントラキノンなどのキノン類、
ベンゾフェノン、ミヒラーズケトン[4、4’−ビス
(ジメチルアミノ)ベンゾフェノン]、4、4’−ビス
(ジエチルアミノ)ベンゾフェノンなどの芳香族ケトン
類、ベンゾイン、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾイ
ンフェニルエーテル、メチルベンゾイン、エチルベンゾ
インなどのベンゾインエーテル類、ベンジルジメチルケ
タール、ベンジルジエチルケタール、2−(ο−クロロ
フェニル)−4、5−ジフェニルイミダゾリル二量体等
のビイミダゾール化合物、チオキサントン類とアルキル
アミノ安息香酸の組み合わせ、例えばエチルチオキサン
トンとジメチルアミノ安息香酸エチル、2−クロルチオ
キサントンとジメチルアミノ安息香酸エチル、イソプロ
ピルチオキサントンとジメチルアミノ安息香酸エチルと
の組み合わせ、また、2−(ο−クロロフェニル)−
4、5−ジフェニルイミダゾリル二量体とミヒラーズケ
トンとの組み合わせ、9−フェニルアクリジン等のアク
リジン類、1−フェニル−1、2−プロパンジオン−2
−ο−ベンゾイルオキシム、1−フェニル−1、2−プ
ロパンジオン−2−(ο−エトキシカルボニル)オキシ
ム等のオキシムエステル類等がある。これらの開始剤の
好ましい例としては、ジエチルチオキサントン、クロル
チオキサントン等のチオキサントン類、ジメチルアミノ
安息香酸エチル等のジアルキルアミノ安息香酸エステル
類、ベンゾフェノン、4、4’−ビス(ジメチルアミ
ノ)ベンゾフェノン、4、4’−ビス(ジエチルアミ
ノ)ベンゾフェノン、2−(ο−クロロフェニル)−
4、5−ジフェニルイミダゾリル二量体、及びこれらの
組み合わせを挙げることができる。
As the photopolymerization initiator of the component (d) used in the photopolymerizable composition of the present invention, various actinic rays,
For example, known initiators that can be activated by ultraviolet rays or the like to initiate polymerization can be used. Examples of such a photopolymerization initiator include 2-ethylanthraquinone, octaethylanthraquinone, 1,2-benzanthraquinone, 2,3-benzanthraquinone, 2-phenylanthraquinone, 2,3-diphenylanthraquinone and 1-chloro. Anthraquinone, 2-chloroanthraquinone, 2-methylanthraquinone, 1,4-naphthoquinone, 9,10-phenanthraquinone, 2-methyl-1,4
-Naphthoquinone, 2,3-dimethylanthraquinone, 3
Quinones such as -chloro-2-methylanthraquinone;
Benzophenone, Michler's ketone [4,4'-bis (dimethylamino) benzophenone], aromatic ketones such as 4,4'-bis (diethylamino) benzophenone, benzoin, benzoin ethyl ether, benzoin phenyl ether, methyl benzoin, ethyl benzoin, etc. Benzoin ethers, benzyldimethyl ketal, benzyl diethyl ketal, biimidazole compounds such as 2- (o-chlorophenyl) -4,5-diphenylimidazolyl dimer, a combination of thioxanthones and alkylaminobenzoic acid, for example, ethylthioxanthone Ethyl dimethylaminobenzoate, a combination of 2-chlorothioxanthone and ethyl dimethylaminobenzoate, a combination of isopropylthioxanthone and ethyl dimethylaminobenzoate, -(Ο-chlorophenyl)-
Combination of 4,5-diphenylimidazolyl dimer with Michler's ketone, acridines such as 9-phenylacridine, 1-phenyl-1,2-propanedione-2
Oxime esters such as -o-benzoyl oxime, 1-phenyl-1,2-propanedione-2- (o-ethoxycarbonyl) oxime and the like. Preferred examples of these initiators include thioxanthones such as diethylthioxanthone and chlorothioxanthone, dialkylaminobenzoates such as ethyl dimethylaminobenzoate, benzophenone, 4,4′-bis (dimethylamino) benzophenone, 4'-bis (diethylamino) benzophenone, 2- (o-chlorophenyl)-
Mention may be made of 4,5-diphenylimidazolyl dimers and combinations thereof.

【0023】特にさらに高い解像性を付与させるために
は、4、4’−ビス(ジメチルアミノ)ベンゾフェノン
または4、4’−ビス(ジエチルアミノ)ベンゾフェノ
ンと2−(o−クロロフェニル)−4、5−ジフェニル
イミダゾリル二量体の組み合わせが有効である。本発明
の光重合性組成物に含有される光重合開始剤の量は、
0.01重量〜30重量%であり、好ましくは、0.0
5重量〜10重量%である。光重合開始剤が30重量%
を超えると光重合性組成物の活性吸収率が高くなり、光
重合積層体として用いた場合、光重合層の底の部分の重
合による硬化が不十分になる。また、光重合開始剤の量
が0.01重量%未満では充分な感度がでなくなる。
In order to impart a particularly high resolution, 4,4'-bis (dimethylamino) benzophenone or 4,4'-bis (diethylamino) benzophenone and 2- (o-chlorophenyl) -4,5 -Combinations of diphenylimidazolyl dimers are effective. The amount of the photopolymerization initiator contained in the photopolymerizable composition of the present invention,
0.01 to 30% by weight, preferably 0.0 to 30% by weight.
5 to 10% by weight. 30% by weight of photopolymerization initiator
When the ratio exceeds the above, the active absorptivity of the photopolymerizable composition becomes high, and when used as a photopolymerized laminate, the curing at the bottom portion of the photopolymerized layer by polymerization becomes insufficient. If the amount of the photopolymerization initiator is less than 0.01% by weight, sufficient sensitivity cannot be obtained.

【0024】また、本発明の光重合性組成物の熱安定
性、保存安定性を向上させるために、光重合性組成物に
ラジカル重合禁止剤を含有させることは好ましいことで
ある。このようなラジカル重合禁止剤としては、例え
ば、p−メトキシフェノール、ハイドロキノン、ピロガ
ロール、ナフチルアミン、tert−ブチルカテコー
ル、塩化第一銅、2、6−ジ−tert−ブチル−p−
クレゾール、2、2’−メチレンビス(4−エチル−6
−tert−ブチルフェノール)、2、2’−メチレン
ビス(4−メチル−6−tert−ブチルフェノー
ル)、ニトロソフェニルヒドロキシアミンアルミニウム
塩、ジフェニルニトロソアミン等が挙げられる。
In order to improve the thermal stability and the storage stability of the photopolymerizable composition of the present invention, it is preferable that the photopolymerizable composition contains a radical polymerization inhibitor. Examples of such a radical polymerization inhibitor include p-methoxyphenol, hydroquinone, pyrogallol, naphthylamine, tert-butylcatechol, cuprous chloride, and 2,6-di-tert-butyl-p-.
Cresol, 2,2'-methylenebis (4-ethyl-6
-Tert-butylphenol), 2,2'-methylenebis (4-methyl-6-tert-butylphenol), nitrosophenylhydroxyamine aluminum salt, diphenylnitrosamine and the like.

【0025】本発明の光重合性組成物は、染料、顔料等
の着色物質を含有させることもできる。このような着色
物質としては、例えば、フクシン、フタロシアニングリ
ーン、オーラミン塩基、カルコキシドグリーンS,パラ
マジエンタ、クリスタルバイオレット、メチルオレン
ジ、ナイルブルー2B、ビクトリアブルー、マラカイト
グリーン、ベイシックブルー20、ダイヤモンドグリー
ン等が挙げられる。
The photopolymerizable composition of the present invention may contain coloring substances such as dyes and pigments. Examples of such coloring substances include fuchsin, phthalocyanine green, auramine base, chalcoxide green S, paramagenta, crystal violet, methyl orange, nile blue 2B, Victoria blue, malachite green, basic blue 20, diamond green and the like. Can be

【0026】また、光照射により発色する発色系染料を
本発明の光重合性組成物に含有させることもできる。発
色系染料としては、ロイコ染料またはフルオラン染料
と、ハロゲン化合物の組み合わせがある。ロイコ染料と
しては、例えば、トリス(4−ジメチルアミノ−2−メ
チルフェニル)メタン[ロイコクリスタルバイオレッ
ト]、トリス(4−ジメチルアミノ−2−メチルフェニ
ル)メタン[ロイコマラカイトグリーン]等が挙げられ
る。
Further, a coloring dye which develops color upon irradiation with light may be contained in the photopolymerizable composition of the present invention. Examples of the coloring dye include a combination of a leuco dye or a fluoran dye and a halogen compound. Examples of the leuco dye include tris (4-dimethylamino-2-methylphenyl) methane [leuco crystal violet], tris (4-dimethylamino-2-methylphenyl) methane [leucomalachite green], and the like.

【0027】一方、ハロゲン化合物としては臭化アミ
ル、臭化イソアミル、臭化イソブチレン、臭化エチレ
ン、臭化ジフェニルメチル、臭化ベンザル、臭化メチレ
ン、トリブロモメチルフェニルスルフォン、4臭化炭
素、トリス(2、3−ジブロモプロピル)ホスフェー
ト、トリクロロアセトアミド、ヨウ化アミル、ヨウ化イ
ソブチル、1、1、1−トリクロロ−2、2−ビス(p
−クロロフェニル)エタン、ヘキサクロロエタン、トリ
アジン化合物、等が挙げられる。
On the other hand, examples of the halogen compound include amyl bromide, isoamyl bromide, isobutylene bromide, ethylene bromide, diphenylmethyl bromide, benzal bromide, methylene bromide, tribromomethylphenylsulfone, carbon tetrabromide, and tris bromide. (2,3-dibromopropyl) phosphate, trichloroacetamide, amyl iodide, isobutyl iodide, 1,1,1-trichloro-2,2-bis (p
-Chlorophenyl) ethane, hexachloroethane, triazine compounds, and the like.

【0028】トリアジン化合物としては、2、4、6−
トリス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−
(4−メトキシフェニル)−4、6−ビス(トリクロロ
メチル)−s−トリアジンが挙げられる。また、このよ
うな発色系染料の中でもトリブロモメチルフェニルスル
フォンとロイコ染料との組み合わせや、トリアジン化合
物とロイコ染料との組み合わせが有用である。また本発
明の光重合性組成物に必要に応じて可塑剤等の添加剤を
含有させることもできる。
As the triazine compound, 2,4,6-
Tris (trichloromethyl) -s-triazine, 2-
(4-methoxyphenyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -s-triazine. Among such color-forming dyes, a combination of tribromomethylphenylsulfone and a leuco dye or a combination of a triazine compound and a leuco dye is useful. Further, the photopolymerizable composition of the present invention may contain additives such as a plasticizer, if necessary.

【0029】DFR用の光重合性樹脂積層体とする場合
には、上記光重合性樹脂組成物を支持層上に塗工する。
支持層としては、活性光を透過する透明なものが望まし
い。活性光を透過する支持層としては、ポリエチレンテ
レフタレートフィルム、ポリビニルアルコールフィル
ム、ポリ塩化ビニルフィルム、塩化ビニル共重合体フィ
ルム、ポリ塩化ビニリデンフィルム、塩化ビニリデン共
重合体フィルム、ポリメタクリル酸メチル共重合体フィ
ルム、ポリスチレンフィルム、ポリアクリロニトリルフ
ィルム、スチレン共重合体フィルム、ポリアミドフィル
ム、セルロース誘導体フィルム、等が挙げられる。これ
らのフィルムは必要に応じ延伸されたものも使用可能で
ある。厚みは薄い方が画像形成性、経済性の面で有利で
あるが、強度を維持する必要から10〜30μmのもの
が一般的である。
When a photopolymerizable resin laminate for DFR is used, the above photopolymerizable resin composition is coated on a support layer.
The support layer is desirably a transparent layer that transmits active light. Examples of the support layer that transmits active light include a polyethylene terephthalate film, a polyvinyl alcohol film, a polyvinyl chloride film, a vinyl chloride copolymer film, a polyvinylidene chloride film, a vinylidene chloride copolymer film, and a polymethyl methacrylate copolymer film. , A polystyrene film, a polyacrylonitrile film, a styrene copolymer film, a polyamide film, a cellulose derivative film, and the like. These films may be stretched if necessary. A thinner thickness is advantageous in terms of image forming properties and economy, but is generally 10 to 30 μm from the viewpoint of maintaining strength.

【0030】支持体層と積層した光重合性層の反対側の
表面に、必要に応じて保護層を積層する。支持層よりも
保護層の方が光重合性層との密着力が充分小さく容易に
剥離できることがこの保護層としての重要な特性であ
る。このような保護層としては、例えば、ポリエチレン
フィルム、ポリプロピレンフィルム等が挙げられる。光
重合性層の厚みは用途において異なるが、プリント配線
板作製用には5〜100μm、好ましくは、5〜90μ
mであり、光重合層が薄いほど解像力は向上する。ま
た、光重合層が厚いほど膜強度が向上する。この光重合
性樹脂積層体を用いたプリント配線板の作成工程は公知
の技術により行われるが、以下に簡単に述べる。
A protective layer is laminated on the surface opposite to the photopolymerizable layer laminated with the support layer, if necessary. It is an important characteristic of the protective layer that the protective layer has a sufficiently small adhesive force with the photopolymerizable layer and can be easily peeled off than the support layer. Examples of such a protective layer include a polyethylene film and a polypropylene film. Although the thickness of the photopolymerizable layer varies depending on the application, it is 5 to 100 μm for production of a printed wiring board, preferably 5 to 90 μm.
m, and the resolving power improves as the photopolymerization layer becomes thinner. Further, as the photopolymerized layer is thicker, the film strength is improved. The process of producing a printed wiring board using the photopolymerizable resin laminate is performed by a known technique, but will be briefly described below.

【0031】保護層がある場合は、まず保護層を剥離し
た後、光重合性層をプリント配線板用基板の金属表面に
加熱圧着し積層する。この時の加熱温度は一般的に40
〜160℃である。次に必要ならば支持層を剥離しマス
クフィルムを通して活性光により画像露光する。次に光
重合性層上に支持フィルムがある場合には必要に応じて
これを除き、続いてアルカリ水溶液を用いて光重合層の
未露光部を現像除去する。アルカリ水溶液としては、炭
酸ナトリウム、炭酸カリウム等の水溶液を用いる。これ
らのアルカリ水溶液は光重合性層の特性に合わせて選択
されるが、一般的に0.5〜3%の炭酸ナトリウム水溶
液が用いられる。
If there is a protective layer, the protective layer is first peeled off, and then the photopolymerizable layer is laminated on the metal surface of the substrate for a printed wiring board by heating and pressing. The heating temperature at this time is generally 40
160160 ° C. Next, if necessary, the support layer is peeled off, and image exposure is performed with actinic light through a mask film. Next, if there is a support film on the photopolymerizable layer, the support film is removed if necessary, and then the unexposed portion of the photopolymerizable layer is developed and removed using an alkaline aqueous solution. As the aqueous alkaline solution, an aqueous solution of sodium carbonate, potassium carbonate, or the like is used. These alkaline aqueous solutions are selected according to the characteristics of the photopolymerizable layer, and generally, a 0.5 to 3% aqueous sodium carbonate solution is used.

【0032】次に現像により露出した金属面に既知のエ
ッチング法、またはめっき法のいずれかの方法を行うこ
とにより、金属の画像パターンを形成する。その後、一
般的に現像で用いたアルカリ水溶液よりも更に強いアル
カリ性の水溶液により硬化レジスト画像を剥離する。剥
離用のアルカリ水溶液についても特に制限はないが、1
%〜5%の水酸化ナトリウム、水酸化カリウムの水溶液
が一般的に用いられる。また、現像液や剥離液に少量の
水溶性有機溶媒を加える事も可能である。
Next, a metal image pattern is formed on the metal surface exposed by the development by performing either a known etching method or a plating method. Thereafter, the cured resist image is peeled off with an aqueous alkaline solution which is generally stronger than the aqueous alkaline solution used for development. There is no particular limitation on the alkaline aqueous solution for stripping.
% To 5% aqueous solution of sodium hydroxide or potassium hydroxide is generally used. It is also possible to add a small amount of a water-soluble organic solvent to a developer or a stripper.

【0033】[0033]

【発明の実施の形態】以下、本発明の具体的実施形態に
ついて、実施例で説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, specific embodiments of the present invention will be described with reference to examples.

【0034】[0034]

【実施例1】表1に示された組成(実施例1の欄)の光
重合性組成物を均一に溶解した。次にこの混合溶液を厚
さ20μmのポリエチレンテレフタレートフィルムにバ
ーコーターを用いて均一に塗布し、95℃の乾燥機中で
3分乾燥した。この時の光重合性層の厚さは25μmで
あった。次に、光重合性層のポリエチレンテレフタレー
トフィルムを積層していない表面上に25μmのポリエ
チレンフィルムを張り合わせることによって積層フィル
ムを得た。一方、35μm圧延銅箔を積層した銅張積層
板表面を湿式バフロール研磨(スリーエム社製、商品名
スコッチブライト#600、2連)し、この積層フィル
ムのポリエチレンフィルムを剥しながら光重合性層をホ
ットロールラミネーターにより105℃でラミネートし
た。この積層体にマスクフィルムを通して、超高圧水銀
ランプ(オーク製作所HMW−801)により70mJ
/cm2で光重合性層を露光した。続いてポリエチレンテ
レフタレート支持フィルムを剥離した後、30℃の1%
炭酸ナトリウム水溶液を約60秒間スプレーし、未露光
部分を溶解除去したところ良好な硬化画像を得た。
Example 1 A photopolymerizable composition having the composition shown in Table 1 (column of Example 1) was uniformly dissolved. Next, this mixed solution was uniformly applied to a polyethylene terephthalate film having a thickness of 20 μm using a bar coater, and dried in a drier at 95 ° C. for 3 minutes. At this time, the thickness of the photopolymerizable layer was 25 μm. Next, a laminated film was obtained by laminating a 25 μm polyethylene film on the surface of the photopolymerizable layer on which the polyethylene terephthalate film was not laminated. On the other hand, the surface of the copper-clad laminate on which 35 μm rolled copper foil was laminated was wet-buffered with a buffing roll (trade name: Scotch Bright # 600, manufactured by 3M), and the photopolymerizable layer was heated while peeling off the polyethylene film of the laminated film. Lamination was performed at 105 ° C. with a roll laminator. The laminate was passed through a mask film and passed through an ultra-high pressure mercury lamp (Oak Seisakusho HMW-801) at 70 mJ.
The photopolymerizable layer was exposed at / cm 2 . Subsequently, the polyethylene terephthalate support film was peeled off, and then 30% of 1%.
An aqueous solution of sodium carbonate was sprayed for about 60 seconds to dissolve and remove unexposed portions, whereby a good cured image was obtained.

【0035】また、本発明の光重合性組成物を用いた積
層体について以下の評価を行った。 (1)最小現像時間の測定 35μm圧延銅箔を積層した銅張り積層板にドライフィ
ルムレジストのポリエチレンフィルムを剥がしながら光
重合性層をホットロールラミネーターにより、105℃
でラミネートした。続いて、この積層体のポリエチレン
テレフタレート支持フィルムを剥離した後、30℃の1
%炭酸ナトリウム水溶液をスプレーし、未露光の光重合
性層が溶解する最小の現像時間を測定し、その時間を最
小現像時間とした。実際の現像はこの最小現像時間の3
倍の時間で行った。 (2)解像度 銅張積層板にラミネートされた積層体にラインとスペー
スが1:1であるマスクフィルムを通して超高圧水銀ラ
ンプ(オーク製作所HMW−801)により70mJ/
cm2で露光した。続いて、ポリエチレンテレフタレー
ト支持フィルムを剥離した後、30℃の1%炭酸ナトリ
ウム水溶液を約60秒間スプレーした。得られた画像の
分離し得る最小線幅を解像度とした。
The following evaluation was performed on the laminate using the photopolymerizable composition of the present invention. (1) Measurement of minimum development time While peeling off the polyethylene film of the dry film resist on a copper-clad laminate laminated with 35 μm rolled copper foil, the photopolymerizable layer was heated at 105 ° C. by a hot roll laminator.
Was laminated. Subsequently, after the polyethylene terephthalate support film of the laminate was peeled off, it was heated at 30 ° C.
% Sodium carbonate aqueous solution was sprayed, and the minimum development time for dissolving the unexposed photopolymerizable layer was measured, and this time was defined as the minimum development time. Actual development is the minimum development time of 3
Performed twice as long. (2) Resolution 70 mJ / by an ultra-high pressure mercury lamp (Oak Seisakusho HMW-801) through a mask film having a line and space of 1: 1 on the laminate laminated on the copper-clad laminate.
Exposure was in cm 2 . Subsequently, after peeling off the polyethylene terephthalate support film, a 1% aqueous solution of sodium carbonate at 30 ° C. was sprayed for about 60 seconds. The minimum line width of the obtained image that can be separated was defined as the resolution.

【0036】(3)耐めっき性 35μm圧延銅箔を積層した銅張り積層板にドライフィ
ルムレジストのポリエチレンフィルムを剥がしながら光
重合性層をホットロールラミネーターにより、105℃
でラミネートした。この積層体にラインとスペースが
1:1であるマスクフィルムを通して超高圧水銀ランプ
(オーク製作所HMW−801)により70mJ/cm
2で光重合性層を露光した。続いてポリエチレンテレフ
タレート支持フィルムを剥離した後、30℃の1%炭酸
ナトリウム水溶液を約60秒間スプレーした。このよう
にして得られた硬化画像のある積層板に以下の条件によ
り硫酸銅めっきを行い、50℃、3%苛性ソーダ水溶液
をスプレーする事により硬化レジストを剥離した。硬化
レジスト剥離後のL/S=30/30μmの硫酸銅めっ
きラインを光学顕微鏡により観察し、以下のようにラン
ク付けした。
(3) Plating resistance The photopolymerizable layer was removed from a copper-clad laminate obtained by laminating 35 μm rolled copper foil by a hot roll laminator while peeling off the polyethylene film as a dry film resist.
Was laminated. 70 mJ / cm was passed through a mask film having a line and space of 1: 1 with an ultra-high pressure mercury lamp (Oak Seisakusho HMW-801).
2 exposed the photopolymerizable layer. Subsequently, after peeling off the polyethylene terephthalate support film, a 1% aqueous solution of sodium carbonate at 30 ° C. was sprayed for about 60 seconds. The thus obtained laminated plate having a cured image was subjected to copper sulfate plating under the following conditions, and the cured resist was removed by spraying a 3% aqueous solution of caustic soda at 50 ° C. The copper sulfate plating line of L / S = 30/30 μm after the removal of the cured resist was observed with an optical microscope, and ranked as follows.

【0037】(めっき条件)前処理:酸性脱脂剤FRX
(10%水溶液、アトテックジャパン製)浴に40℃で
4分浸せきする。その後水洗し、APS水溶液(過硫酸
アンモニウム水溶液、濃度200g/L)に室温で1分
間浸せきし、水洗後10%硫酸水溶液に2分間浸せきす
る。 硫酸銅めっき:下記のめっき浴組成で2.0A/dm2
の電流密度で45分間めっきを行った。 <硫酸銅めっき浴組成> 純水 :58.9% 硫酸銅コンク(メルテックス社製) :30% 濃硫酸 :10% 濃塩酸 :0.1% カッパークリーム125(メルテックス社製):1% (耐めっき性ランク) ○:二次銅めっきのもぐりがなく良好なめっきラインを
形成している。 △:二次銅めっきのもぐり幅がラインの片側で10μm
程度ある。 ×:二次銅めっきのもぐり幅がラインの片側で10μm
以上ある。
(Plating conditions) Pretreatment: acid degreasing agent FRX
(10% aqueous solution, manufactured by Atotech Japan) Immerse in a bath at 40 ° C for 4 minutes. Thereafter, it is washed with water, immersed in an APS aqueous solution (ammonium persulfate aqueous solution, concentration: 200 g / L) at room temperature for 1 minute, and immersed in a 10% sulfuric acid aqueous solution for 2 minutes after washing with water. Copper sulfate plating: 2.0 A / dm2 with the following plating bath composition
The plating was performed at a current density of 45 minutes. <Copper sulfate plating bath composition> Pure water: 58.9% Copper sulfate conc (Meltex): 30% Concentrated sulfuric acid: 10% Concentrated hydrochloric acid: 0.1% Copper cream 125 (Meltex): 1% (Plating resistance rank) :: A good plating line is formed without secondary copper plating burrs. △: The undercut width of the secondary copper plating is 10 μm on one side of the line
There is a degree. ×: The undercut of the secondary copper plating is 10 μm on one side of the line
That's it.

【0038】[0038]

【実施例2〜6、比較例1〜5】実施例1と同様の方法
により、表1記載の組成の光重合性樹脂積層体を得、最
小現像時間の測定、解像度、耐めっき性の評価を行っ
た。結果を表1に示す。 <記号説明> P−1:メタクリル酸メチル70重量%、メタクリル酸
23重量%、アクリル酸ブチル7重量%の三元共重合体
のメチルエチルケトン溶液(固形分濃度32%、重量平
均分子量8.5万) P−2:メタクリル酸メチル47重量%、メタクリル酸
23重量%、スチレン30重量%の三元共重合体のメチ
ルチルケトン溶液(固形分濃度32%、重量平均分子量
4.5万) M−1:トリメチロールプロパントリアクリレート M−2:ナノプロピレングリコールジアクリレート M−3:ナノエチレングリコールジアクリレート M−4:β−ヒドロキシプロピル−β’−(アクリロイ
ルキシ)プロピルフタレート M−5:平均6モルのプロピレンオキサイドを付加した
グリコールとメタクリル酸とのハーフエステル。
Examples 2 to 6 and Comparative Examples 1 to 5 Photopolymerizable resin laminates having the compositions shown in Table 1 were obtained in the same manner as in Example 1, and the minimum development time was measured, and the resolution and plating resistance were evaluated. Was done. Table 1 shows the results. <Symbol explanation> P-1: Methyl ethyl ketone solution of a terpolymer of 70% by weight of methyl methacrylate, 23% by weight of methacrylic acid and 7% by weight of butyl acrylate (solid content: 32%, weight average molecular weight: 85,000) P-2) Methyl tyl ketone solution of a terpolymer of 47% by weight of methyl methacrylate, 23% by weight of methacrylic acid, and 30% by weight of styrene (solid content: 32%, weight average molecular weight: 45,000) 1: Trimethylolpropane triacrylate M-2: Nano propylene glycol diacrylate M-3: Nano ethylene glycol diacrylate M-4: β-hydroxypropyl-β ′-(acryloyloxy) propyl phthalate M-5: Average 6 mol Is a half ester of glycol and methacrylic acid to which propylene oxide has been added.

【0039】M−6:平均9モルのプロピレンオキサイ
ドを付加したグリコールとメタクリル酸とのハーフエス
テル。 M−7:平均14モルのプロピレンオキサイドを付加し
たグリコールとメタクリル酸とのハーフエステル。 M−8:平均8モルのプロピレンオキサイドを付加した
ポリプロピレングリコールにエチレンオキサイドをさら
に両端にそれぞれ平均3モル付加したグリコールのジメ
タクリレート M−9 :ビスフェノールAの両端にそれぞれ平均3モ
ルのプロピレンオキサイドを付加したポリプロピレング
リコールと平均5モルのエチレンオキサイドを付加した
ポリエチレングリコールのジメタクリレート M−10:ヘキサメチレンジイソシアネートとオリゴプ
ロピレングリコールモノメタクリレート(日本油脂
(株)製ブレンマーPP1000)との反応物 A−1:ベンゾフェノン A−2:4、4’−ビス(ジメチルアミノ)ベンゾフェ
ノン A−3:2−(ο−クロロフェニル)−4、5−ジフェ
ニルイミダゾリル二量体 B−1:マラカイトグリーン B−2:ロイコクリスタルバイオレット
M-6: Half ester of glycol and methacrylic acid with an average of 9 moles of propylene oxide added. M-7: Half ester of methacrylic acid with glycol having an average of 14 moles of propylene oxide added. M-8: Dimethacrylate of glycol in which ethylene oxide is further added to both ends of polypropylene glycol having an average of 8 moles added to an average of 8 moles of propylene oxide M-9: 3 moles of propylene oxide is added to both ends of bisphenol A on average M-10: Reacted product of hexamethylene diisocyanate and oligopropylene glycol monomethacrylate (Blenmer PP1000 manufactured by NOF CORPORATION) A-1: Benzophenone A-2: 4,4'-bis (dimethylamino) benzophenone A-3: 2- (o-chlorophenyl) -4,5-diphenylimidazolyl dimer B-1: Malachite green -2: leuco crystal violet

【0040】[0040]

【表1】 [Table 1]

【0041】[0041]

【発明の効果】本発明の光重合性樹脂組成物を用いたD
FRは、耐めっき性が良好でかつパッケージ用等ファイ
ンライン形成に対応した高解像性でありアルカリ現像型
回路板作製用DFRとして有用である。
EFFECT OF THE INVENTION D using the photopolymerizable resin composition of the present invention
FR has good plating resistance and high resolution corresponding to fine line formation such as for a package, and is useful as a DFR for producing an alkali development type circuit board.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) C08F 2/48 C08F 2/48 4J038 212/00 212/00 4J100 220/00 220/00 290/06 290/06 C08K 5/00 C08K 5/00 C08L 25/00 C08L 25/00 33/00 33/00 55/00 55/00 C09D 125/00 C09D 125/00 133/00 133/00 135/00 135/00 G03F 7/004 512 G03F 7/004 512 7/028 7/028 Fターム(参考) 2H025 AA00 AA02 AA14 AB15 AC01 AD01 BC13 BC34 BC43 BC65 BC83 BC86 CA00 CB14 CB41 CB43 CB45 CB55 FA17 FA43 4F100 AB17 AB33 AH02A AH03A AK02A AK04 AK42 AT00B BA02 BA03 CA30A GB43 JA07A JL00 YY00A 4J002 BC04W BC09W BG01W BG04W BG05W BG06W CH05X CH05Y EE036 EE056 EN116 EU116 EV316 FD090 FD200 FD206 GF00 GP03 4J011 CA05 CA08 CC04 CC10 PA24 PA43 PA65 PA69 PA70 PB40 PC02 PC08 QA03 QA13 QA22 QA23 QA24 QB16 RA03 RA04 RA17 SA21 SA22 SA25 SA32 SA34 SA51 SA54 SA62 SA63 SA64 SA65 SA78 UA01 4J027 AC04 AC06 AJ02 BA19 BA24 BA26 BA28 CA02 CA03 CB10 CC05 CD10 4J038 CC021 CC071 CG021 CG031 CG071 CG141 CH031 CH041 CH121 CJ031 CJ131 FA112 FA272 KA03 PA17 PB09 PC02 PC08 4J100 AB02P AB03P AJ01Q AJ02Q AJ08Q AJ09Q AK32Q AL03R AL04R AL08P AL09R AL36Q AL66P BA03P BA08P DA01 FA03 JA37 JA38 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) C08F 2/48 C08F 2/48 4J038 212/00 212/00 4J100 220/00 220/00 290/06 290 / 06 C08K 5/00 C08K 5/00 C08L 25/00 C08L 25/00 33/00 33/00 55/00 55/00 C09D 125/00 C09D 125/00 133/00 133/00 135/00 135/00 G03F 7/004 512 G03F 7/004 512 7/028 7/028 F term (reference) 2H025 AA00 AA02 AA14 AB15 AC01 AD01 BC13 BC34 BC43 BC65 BC83 BC86 CA00 CB14 CB41 CB43 CB45 CB55 FA17 FA43 4F100 AB17 AB33 AH02AK02AHA BA02 BA03 CA30A GB43 JA07A JL00 YY00A 4J002 BC04W BC09W BG01W BG04W BG05W BG06W CH05X CH05Y EE036 EE056 EN116 EU116 EV316 FD090 FD200 FD206 GF00 GP03 4J011 CA05 CA08 CC04 CC10 PA24 PC43 PA65 PA69 PC40 3 QA13 QA22 QA23 QA24 QB16 RA03 RA04 RA17 SA21 SA22 SA25 SA32. PA17 PB09 PC02 PC08 4J100 AB02P AB03P AJ01Q AJ02Q AJ08Q AJ09Q AK32Q AL03R AL04R AL08P AL09R AL36Q AL66P BA03P BA08P DA01 FA03 JA37 JA38

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 (a)(i)非酸性であり、かつ分子中
に重合性不飽和基およびフェニル基を有する化合物、
(ii)分子中に重合性不飽和基を有するカルボン酸また
は酸無水物、及び(iii)炭素数1〜6のアルキル基を
有するアルキル(メタ)アクリレート、及び炭素数2〜
6のヒドロキシアルキル基を有するヒドロキシル(メ
タ)アクリレートからなる群から選ばれる1種類以上の
化合物、を共重合してなり、かつ重量平均分子量が3万
以上6万以下の線状重合体、20〜90重量%、(b)
下記式(I)で表される光重合性不飽和化合物、3〜3
0重量%、 【化1】 (式中、R1はHまたはCH3であり、n1は3〜16の
整数である。) (c)少なくとも二つの末端エチレン基を持つ光重合性
不飽和化合物、5〜40重量%、(d)光重合開始剤、
0.01〜30重量%、を含有し、かつ、組成物全体の
重量に対して、(b)の光重合性不飽和化合物と(c)
の光重合性不飽和化合物との合計量の比率が7〜60重
量%であることを特徴とする光重合性組成物。
(1) (a) (i) a compound which is non-acidic and has a polymerizable unsaturated group and a phenyl group in a molecule;
(Ii) a carboxylic acid or acid anhydride having a polymerizable unsaturated group in the molecule, and (iii) an alkyl (meth) acrylate having an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, and 2 to 2 carbon atoms.
A linear polymer having a weight average molecular weight of 30,000 or more and 60,000 or less, obtained by copolymerizing at least one compound selected from the group consisting of hydroxyl (meth) acrylates having 6 hydroxyalkyl groups; 90% by weight, (b)
Photopolymerizable unsaturated compound represented by the following formula (I), 3 to 3
0% by weight (In the formula, R1 is H or CH3, and n1 is an integer of 3 to 16.) (c) 5 to 40% by weight of a photopolymerizable unsaturated compound having at least two terminal ethylene groups, (d) Photopolymerization initiator,
0.01 to 30% by weight, and based on the total weight of the composition, the photopolymerizable unsaturated compound of (b) and (c)
Wherein the ratio of the total amount to the photopolymerizable unsaturated compound is 7 to 60% by weight.
【請求項2】 (c)の光重合性不飽和化合物として、
下記式(II)または(III)で表される化合物のい
ずれか1種または双方が含有されていることを特徴とす
る請求項1記載の光重合性組成物。 【化2】 (式中、R2、R3 はHまたはCH3 でありこれらは同
一であっても相違してもよい。n2、n3、n4は3〜2
0の整数である。) 【化3】 (式中、R4 、R5はHまたはCH3 であり、これらは
同一であっても相違してもよい。また、A、Bは−CH
(CH3 )CH2 −または−CH2 CH2 −であり、こ
れらは相異なる。n5+n6は2〜16、n7+n8は2〜
16の整数でありn5、n6、n7、n8は正の整数であ
る。)
2. As the photopolymerizable unsaturated compound (c),
The photopolymerizable composition according to claim 1, wherein the composition contains one or both of the compounds represented by the following formulas (II) and (III). Embedded image (Wherein R 2 and R 3 are H or CH 3 , which may be the same or different. N 2, n 3 and n 4 are 3 to 2
It is an integer of 0. ) (Wherein, R 4 and R 5 are H or CH 3 , which may be the same or different. A and B are each —CH
(CH 3 ) CH 2 — or —CH 2 CH 2 —, which are different. n5 + n6 is 2 to 16, n7 + n8 is 2 to
It is an integer of 16 and n5, n6, n7 and n8 are positive integers. )
【請求項3】 支持体上に請求項1または2の光重合性
組成物からなる層を設けた光重合性樹脂積層体。
3. A photopolymerizable resin laminate comprising a support and a layer comprising the photopolymerizable composition according to claim 1 provided thereon.
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Cited By (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002323761A (en) * 2001-04-26 2002-11-08 Asahi Kasei Corp Photosensitive resin laminate
JP2004002616A (en) * 2002-03-22 2004-01-08 Konica Minolta Holdings Inc Active energy ray-curative composition, ink composition for ink jet, ink-jet recording method using the same and planographic printing plate
WO2007097306A1 (en) * 2006-02-21 2007-08-30 Hitachi Chemical Company, Ltd. Photosensitive resin composition, method for forming resist pattern, method for manufacturing printed wiring board, and method for producing substrate for plasma display panel
WO2008156136A1 (en) * 2007-06-19 2008-12-24 Hitachi Chemical Co., Ltd. Resin composition for optical use and resin material for optical use using the same
JP2009024160A (en) * 2007-06-19 2009-02-05 Hitachi Chem Co Ltd Resin composition for optical use and resin material for optical use using the same
WO2010064602A1 (en) 2008-12-02 2010-06-10 パナソニック電工株式会社 Method for manufacturing circuit board, and circuit board obtained using the manufacturing method
WO2010087336A1 (en) 2009-01-27 2010-08-05 パナソニック電工株式会社 Method of mounting semiconductor chips, semiconductor device obtained using the method, method of connecting semiconductor chips, and three-dimensional structure, on the surface of which wiring is provided and fabrication method thereof
JP2011043854A (en) * 2010-11-15 2011-03-03 Asahi Kasei E-Materials Corp Photosensitive resin laminate
WO2011052211A1 (en) 2009-10-30 2011-05-05 パナソニック電工株式会社 Circuit board, and semiconductor device having component mounted on circuit board
WO2011145294A1 (en) 2010-05-19 2011-11-24 パナソニック電工株式会社 Wiring method, structure having wiring provided on surface, semiconductor device, wiring board, memory card, electric device, module, and multilayer circuit board
US8101339B2 (en) 2005-10-25 2012-01-24 Hitachi Chemical Company, Ltd. Photosensitive resin composition, photosensitive element comprising the same, method of forming resist pattern, and process for producing printed wiring board
EP2469990A2 (en) 2008-04-30 2012-06-27 Panasonic Corporation Method of producing ciruit board by additive method, and circuit board and multilayer circuit board obtained by the method
US8240036B2 (en) 2008-04-30 2012-08-14 Panasonic Corporation Method of producing a circuit board
US8272126B2 (en) 2008-04-30 2012-09-25 Panasonic Corporation Method of producing circuit board
WO2012160617A1 (en) 2011-05-23 2012-11-29 パナソニック株式会社 Resin composition and method for producing circuit board
JP5176149B2 (en) * 2006-10-31 2013-04-03 日立化成株式会社 OPTICAL RESIN COMPOSITION AND OPTICAL RESIN MATERIAL USING THE SAME, OPTICAL FILTER FOR IMAGE DISPLAY DEVICE, AND IMAGE DISPLAY DEVICE
US8698003B2 (en) 2008-12-02 2014-04-15 Panasonic Corporation Method of producing circuit board, and circuit board obtained using the manufacturing method
US9070393B2 (en) 2009-01-27 2015-06-30 Panasonic Corporation Three-dimensional structure in which wiring is provided on its surface
US9082438B2 (en) 2008-12-02 2015-07-14 Panasonic Corporation Three-dimensional structure for wiring formation
US9332642B2 (en) 2009-10-30 2016-05-03 Panasonic Corporation Circuit board

Cited By (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4519356B2 (en) * 2001-04-26 2010-08-04 旭化成イーマテリアルズ株式会社 Photosensitive resin laminate
JP2002323761A (en) * 2001-04-26 2002-11-08 Asahi Kasei Corp Photosensitive resin laminate
JP2004002616A (en) * 2002-03-22 2004-01-08 Konica Minolta Holdings Inc Active energy ray-curative composition, ink composition for ink jet, ink-jet recording method using the same and planographic printing plate
US8101339B2 (en) 2005-10-25 2012-01-24 Hitachi Chemical Company, Ltd. Photosensitive resin composition, photosensitive element comprising the same, method of forming resist pattern, and process for producing printed wiring board
WO2007097306A1 (en) * 2006-02-21 2007-08-30 Hitachi Chemical Company, Ltd. Photosensitive resin composition, method for forming resist pattern, method for manufacturing printed wiring board, and method for producing substrate for plasma display panel
JP5176149B2 (en) * 2006-10-31 2013-04-03 日立化成株式会社 OPTICAL RESIN COMPOSITION AND OPTICAL RESIN MATERIAL USING THE SAME, OPTICAL FILTER FOR IMAGE DISPLAY DEVICE, AND IMAGE DISPLAY DEVICE
WO2008156136A1 (en) * 2007-06-19 2008-12-24 Hitachi Chemical Co., Ltd. Resin composition for optical use and resin material for optical use using the same
JP2014025070A (en) * 2007-06-19 2014-02-06 Hitachi Chemical Co Ltd Optical resin composition and optical resin material using the same
JP2009024160A (en) * 2007-06-19 2009-02-05 Hitachi Chem Co Ltd Resin composition for optical use and resin material for optical use using the same
EP2592912A1 (en) 2008-04-30 2013-05-15 Panasonic Corporation Method of producing circuit board by additive method, and circuit board and multilayer circuit board obtained by the method
US9332650B2 (en) 2008-04-30 2016-05-03 Panasonic Corporation Method of producing multilayer circuit board
US8272126B2 (en) 2008-04-30 2012-09-25 Panasonic Corporation Method of producing circuit board
EP2469990A2 (en) 2008-04-30 2012-06-27 Panasonic Corporation Method of producing ciruit board by additive method, and circuit board and multilayer circuit board obtained by the method
US8240036B2 (en) 2008-04-30 2012-08-14 Panasonic Corporation Method of producing a circuit board
US9082438B2 (en) 2008-12-02 2015-07-14 Panasonic Corporation Three-dimensional structure for wiring formation
US8698003B2 (en) 2008-12-02 2014-04-15 Panasonic Corporation Method of producing circuit board, and circuit board obtained using the manufacturing method
WO2010064602A1 (en) 2008-12-02 2010-06-10 パナソニック電工株式会社 Method for manufacturing circuit board, and circuit board obtained using the manufacturing method
US9070393B2 (en) 2009-01-27 2015-06-30 Panasonic Corporation Three-dimensional structure in which wiring is provided on its surface
US8901728B2 (en) 2009-01-27 2014-12-02 Panasonic Corporation Method of mounting semiconductor chips, semiconductor device obtained using the method, method of connecting semiconductor chips, three-dimensional structure in which wiring is provided on its surface, and method of producing the same
US9795033B2 (en) 2009-01-27 2017-10-17 Panasonic Corporation Method of mounting semiconductor chips, semiconductor device obtained using the method, method of connecting semiconductor chips, three-dimensional structure in which wiring is provided on its surface, and method of producing the same
US8482137B2 (en) 2009-01-27 2013-07-09 Panasonic Corporation Method of mounting semiconductor chips, semiconductor device obtained using the method, method of connecting semiconductor chips, three-dimensional structure in which wiring is provided on its surface, and method of producing the same
WO2010087336A1 (en) 2009-01-27 2010-08-05 パナソニック電工株式会社 Method of mounting semiconductor chips, semiconductor device obtained using the method, method of connecting semiconductor chips, and three-dimensional structure, on the surface of which wiring is provided and fabrication method thereof
US8759148B2 (en) 2009-01-27 2014-06-24 Panasonic Corporation Method of mounting semiconductor chips, semiconductor device obtained using the method, method of connecting semiconductor chips, three-dimensional structure in which wiring is provided on its surface, and method of producing the same
US8929092B2 (en) 2009-10-30 2015-01-06 Panasonic Corporation Circuit board, and semiconductor device having component mounted on circuit board
US9332642B2 (en) 2009-10-30 2016-05-03 Panasonic Corporation Circuit board
WO2011052211A1 (en) 2009-10-30 2011-05-05 パナソニック電工株式会社 Circuit board, and semiconductor device having component mounted on circuit board
US9351402B2 (en) 2009-10-30 2016-05-24 Panasonic Corporation Circuit board, and semiconductor device having component mounted on circuit board
WO2011145294A1 (en) 2010-05-19 2011-11-24 パナソニック電工株式会社 Wiring method, structure having wiring provided on surface, semiconductor device, wiring board, memory card, electric device, module, and multilayer circuit board
JP2011043854A (en) * 2010-11-15 2011-03-03 Asahi Kasei E-Materials Corp Photosensitive resin laminate
US8877843B2 (en) 2011-05-23 2014-11-04 Panasonic Corporation Resin composition and method for producing circuit board
WO2012160617A1 (en) 2011-05-23 2012-11-29 パナソニック株式会社 Resin composition and method for producing circuit board
US9175151B2 (en) 2011-05-23 2015-11-03 Panasonic Corporation Resin composition and method for producing circuit board

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