JP2000231081A

JP2000231081A - 光アイソレータ

Info

Publication number: JP2000231081A
Application number: JP11034078A
Authority: JP
Inventors: Tadakuni Sato; 忠邦佐藤; Takahiro Nakajima; 隆弘中島; Masayuki Kimura; 昌行木村
Original assignee: Tokin Corp
Current assignee: Tokin Corp
Priority date: 1999-02-12
Filing date: 1999-02-12
Publication date: 2000-08-22

Abstract

(57)【要約】【課題】アイソレータ構成に対して、磁界印加用磁石
と、その形状及びその着磁条件とを特定することによ
り、低価格化を図ることができる光アイソレータを提供
すること。【解決手段】ファラデー回転素子にガーネット厚膜を
使用し、前記ガーネット素子を磁化して構成された光ア
イソレータにおいて、前記ガーネット素子を磁化するた
めに発生する磁界を等方性希土類磁石１１から供する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、光通信シ
ステムや光計測器に用いられる光学部品であり、光源か
ら出射した光が光学系の中の光学素子の端面で反射し、
光源に戻るのを防ぐための光学アイソレータ及びその様
な非可逆相反部品に使用されるファラデー回転素子に関
するものである。

【０００２】

【従来の技術】一般に、光源からの出射光を光学系を用
いて伝達しようとするとき、光学系中の光学素子の端面
で反射した光は光源に戻ってくる。例えば、光通信にお
いては光源のレーザから出射した光は結合レンズによっ
て収束され、光ファイバの端面に厚められている。大部
分の光は光ファイバ中に入りその中を伝搬するが一部の
光はファイバ端面で反射されて光源のレーザに戻る。レ
ーザ中に戻った光は、一般に位相も偏光方向もレーザ中
の光とは異なり、これによってレーザ発振が乱されレー
ザ光のノイズとなったり、最悪の場合は発振が停止す
る。

【０００３】このようなノイズを防ぐため、戻り光を遮
断する光アイソレータが用いられる。また、同様な機能
を有するものとして光サーキュレータがある。特に、光
アイソレータでは戻り光の遮断特性（アイソレーショ
ン、消光比）の高いこと、入射光の透過損失（挿入損
失）の少ないことが要求される。

【０００４】図７は従来の光アイソレータの典型的な構
成を示す断面図である。図７を参照すると、ファラデー
回転素子３の両側に偏光素子１を配置して入射光側を偏
光子とし、出射光側を検光子として機能させている。ま
た、ファラデー回転素子３の周囲には、この素子を一方
向に磁化させるための筒形の永久磁石４が配設されてい
る。これらの光学素子１，３及び磁石４等は、通常はそ
れぞれホルダ２を介したり、永久磁石４を介したりし
て、接着剤や半田、レーザ溶接等により、筐体５に固定
されている。

【０００５】これら部材の中で、永久磁石４はファラデ
ー回転子に使用される磁性材料を一方向に十分に磁化さ
せるだけの磁界強度を有する必要がある。ファラデー回
転子３に使用されている市販のガーネット膜の多くは飽
和磁化が高く、そのため高性能な永久磁石が必要とな
り、Ｓｍ₂Ｃｏ₁₇系等の異方性希土類磁石を使用するの
が通例となっている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】Ｓｍ₂Ｃｏ₁₇系等の異
方性希土類磁石は、個々の磁石粉末粒子の結晶Ｃ軸方向
を磁場中で整列させた後に成形し、この成形粉末を焼
結、時効して製造される。したがって、成形体は、磁場
中成形が可能な金型形状とする制約がある。また、高価
で大掛かりな磁場中成形設備を必要とする。また、成形
用粉末は不定形な磁石粒子の一次粒子が、流動性が著し
く低下した成形用粉末として使用されるので小さな金型
への充填バラツキが大きくなり、特に肉厚が小（約２ｍ
ｍ以下）となった場合は粉末充填不良により成形不能と
なる。また、これら磁石の結晶は、結晶格子のＣ面が成
長容易方向となるので、成形時の磁場配向方向はその他
の方向に比べ焼結時の収縮率が大となり、焼結磁石変形
の原因となる。

【０００７】以上の原因で、Ｓｍ₂Ｃｏ₁₇系等の異方性
希土類焼結磁石の低価格化は困難となっている。

【０００８】そこで、本発明の技術的課題は、アイソレ
ータ構成に対して、磁界印加用磁石と、その形状及びそ
の着磁条件とを特定することにより、低価格化を図るこ
とができる光アイソレータを提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明によれば、ファラ
デー回転素子にガーネット厚膜を使用し、前記ガーネッ
ト素子を磁化して構成された光アイソレータにおいて、
前記ガーネット素子を磁化するために発生する磁界を等
方性希土類磁石から供することを特徴とする光アイソレ
ータが得られる。

【００１０】また、本発明によれば、前記光アイソレー
タにおいて、前記等方性希土類磁石の形状が円筒形状で
あることを特徴とする光アイソレータが得られる。

【００１１】また、本発明によれば、前記光アイソレー
タにおいて、前記等方性希土類磁石の形状が角枠状であ
ることを特徴とする光アイソレータが得られる。

【００１２】また、本発明によれば、前記光アイソレー
タにおいて、前記等方性希土類磁石の形状が凹形状であ
ることを特徴とする光アイソレータが得られる。

【００１３】また、本発明によれば、前記いずれかの光
アイソレータにおいて、前記等方性希土類磁石の底面積
Ｓと厚さｔの比Ｓ^1/2／ｔを５．５以下（０を含まず）
としたことを特徴とする光アイソレータが得られる。

【００１４】また、本発明によれば、前記いずれかの光
アイソレータにおいて、前記等方性希土類磁石内空隙部
に発生する最大磁場Ｈｍと、該ガーネットの飽和磁化４
πＭｓとの比Ｈｍ（Ｏｅ）／４πＭｓ（Ｇ）が０．７Ｏ
ｅ／Ｇ以上としたことを特徴とする光アイソレータが得
られる。

【００１５】また、本発明によれば、前記いずれかの光
アイソレータにおいて、前記等方性希土類磁石の保磁力
（_iＨ_c）と、アイソレータ組み込み後の該磁石への着
磁の印加磁界（Ｈｅｘ）との比Ｈｅｘ／_iＨ_cを１．０
以上としたことを特徴とする光アイソレータが得られ
る。

【００１６】また、本発明によれば、前記いずれかの光
アイソレータにおいて、前記等方性希土類磁石は、Ｓｍ
₂Ｃｏ₁₇系磁石からなることを特徴とする光アイソレー
タが得られる。

【００１７】さらに、本発明によれば、前記いずれかの
光アイソレータにおいて、前記ファラデー回転素子がＬ
ＰＥ法にて作製されたＧｄＢｉ系ガーネット及びＴｂＢ
ｉ系ガーネットの内の少なくとも１種からなることを特
徴とする光アイソレータが得られる。

【００１８】

【発明の実施の形態】まず、本発明について更に具体的
に説明する。

【００１９】図１は本発明の光アイソレータの一構成例
を示す斜視図であり、本発明の第１、第４乃至第６の実
施の形態で用いられている。図２は本発明の光アイソレ
ータのもう一つの構成例を示す斜視図であり、本発明の
第２、第４乃至第６の実施の形態に置いて用いられてい
る。図３は本発明の光アイソレータのさらにもう一つの
構成例を示す斜視図であり、本発明の第３乃至第６の実
施の形態に用いられている。

【００２０】本発明の光アイソレータの基本構成は、図
７に示す従来技術による光アイソレータとほぼ同様な構
成を有している。

【００２１】本発明では、ＬＰＥ法（液相エピタキシャ
ル成長法）によりガーネット育成基板上にＦｅの一部を
Ａｌ、Ｇａで置換したＧｄＢｉ系ガーネット膜、及びＴ
ｂＢｉ系ガーネット膜をファラデー回転子として使用す
るものであり、これらのガーネット膜は膜厚方向に磁化
容易性を有しており、より低い磁場で磁化が飽和し易い
特性を有する。

【００２２】また、ＧｄＢｉ系ガーネット及びＴｂＢｉ
系ガーネットは、他の希土類ガーネットに比べ、飽和磁
化が著しく低い特性を有している。加えてＦｅの一部を
Ａｌ、Ｇａで置換することにより、飽和磁化の低減が図
られ、ファラデー回転子の磁化を飽和するための印加磁
場が低減できる。したがって、磁界印加用永久磁石の特
性低減が可能となり、低価格化の主要因のひとつとな
る。

【００２３】本発明においては、磁界印加用磁石とし
て、等方性Ｓｍ₂Ｃｏ₁₇系磁石を使用している。この等
方性Ｓｍ₂Ｃｏ₁₇系磁石は、異方性Ｓｍ₂Ｃｏ₁₇系磁石
に比べ、磁石特性は低くなるものの、製造工程や作業が
簡便であり、安価となる。

【００２４】また、等方性Ｓｍ₂Ｃｏ₁₇系磁石は、磁石
粉末を磁場中成形する必要がないので、成形形状の制約
が著しく小さくなる。また、磁石粒子を集合して２次粒
子を形成して使用することができるので、成形用粉末の
流動性は著しく向上し、金型への粉末充填性が向上する
ので、成形体のバラツキ低減のみでなく、形状の薄肉化
や複雑化も可能となる。

【００２５】また、焼結磁石においては、焼結による収
縮は等方的となるため、異方性焼結磁石のような焼結収
縮による変形が生じない。したがって、異方性磁石は、
磁石の加工代を低減できるので、安価となる。

【００２６】本発明においては、光学素子を磁石内空隙
部に内包するように構成している。また、磁石の形状と
しては、図１の符号１１に示すように円筒形状、図２の
符号１２に示すように角枠状、図３の符号１３に示すよ
うに凹形状が考えられるが、円筒形状は粉末の充填がよ
り均質化されるので、形状、特性、機械的強度のバラツ
キが少なく、回転を利用した精密な加工が容易になると
いう長所がある。

【００２７】ここで、磁石の形状が図２に示すように角
枠状、図３に示すように凹形状では、磁石をアイソレー
タの筐体と併用とすることにより、著しい低価格化、小
型化となるばかりでなく、表面実装用部品として自動装
着が極めて容易となる。加えて、凹形状磁石の場合は、
光学素子の磁石内空隙部への装着が著しく容易となる利
点がある。

【００２８】また、本発明においては、等方性Ｓｍ₂Ｃ
ｏ₁₇系磁石の磁化方向に直交する面積を低面積Ｓとし、
磁化方向の長さを厚さｔとし、その比：Ｓ^1/2／ｔを
５．５以下とするものである。ここで、比の値が０の場
合は、磁石が無い意味となるので、０は含まない。ま
た、部品として、実質的には、比の値が０．１以上の領
域となる。一方、比の値が５．５以上になると、磁石内
空隙部に導入する磁界強度が低下し、光アイソレータの
アイソレーションが著しく劣化する。したがって、比の
値が５．５以下では、磁石により発生する磁界強度と均
質性が良好な状態となるため、高いアイソレーションを
示す。

【００２９】また、本発明においては、等方性Ｓｍ₂Ｃ
ｏ₁₇系磁石内空隙部に発生する最大磁場Ｈｍと、このガ
ーネットの飽和磁化４πＭｓとの比Ｈｍ（Ｏｅ）／４π
Ｍｓ（Ｇ）を０．７Ｏｅ／Ｇ以上とするものである。こ
こで、０．７Ｏｅ／Ｇ以上では、ガーネット膜の磁気モ
ーメントの整列が向上し、高いアイソレーションを示
す。一方、０．７Ｏｅ／Ｇ以下では、アイソレーション
が著しく劣化する。

【００３０】また、本発明においては、等方性Ｓｍ₂Ｃ
ｏ₁₇系磁石の保磁力（_iＨ_c）と、アイソレータ組み込
み後のこの磁石への着磁の印加磁界（Ｈｅｘ）との比Ｈ
ｅｘ／_iＨ_cを１．０以上とするものである。ここで、
この比の値が１．０以上では、等方性Ｓｍ₂Ｃｏ₁₇系磁
石内空隙粉に導入する磁界強度と均質性が良好な状態と
なるため、高いアイソレーションを示す。一方、この比
の値が１．０以下では磁界強度の低下とバラツキが増加
し、加えて昇温による不可逆変化により特性劣化が発生
するからである。

【００３１】尚、熱安定性を考慮すると磁石の_iＨ_cは
約４ｋＯｅ以上が望ましく、一方、着磁機の低廉化から
_iＨ_cは１８ｋＯｅ以下が望ましい。したがって、実用
的には、磁石の_iＨ_cは４〜１８ｋＯｅの範囲が特に有
用な範囲となる。

【００３２】尚、以下に述べる本発明の実施の形態にお
いては、Ｓｍ₂Ｃｏ₁₇系焼結磁石についてのみ述べてい
るが、本発明の請求内であればＳｍ₂Ｃｏ₁₇系複合型磁
石でも同様なアイソレータ特性が得られる。また、Ｎｄ
・Ｆｅ・Ｂ系希土類磁石でも同様な特性が得られるもの
である。しかしながら、Ｎｄ・Ｆｅ・Ｂ系磁石に比べＳ
ｍ₂Ｃｏ₁₇系磁石は耐酸化性及び温度安定性に優れてい
るので、信頼性の観点ではＳｍ₂Ｃｏ₁₇系磁石が有用と
なる。

【００３３】また、本発明の実施の形態においては、偏
光子としてガラス偏光子を使用しているが、これに限定
するものでなく、例えばルチル、ＹＶＯ₄等のような複
屈折材料を用いてもよく、ガーネット結晶のファラデー
回転作用を利用するものであれば、本発明の範囲とな
る。

【００３４】また、磁界印加用磁石も、単一焼結体に限
定するものでなく、複数を組み合わせて構成してもよ
い。

【００３５】それでは、本発明の実施の形態について図
面を参照しながら説明する。

【００３６】（第１の実施の形態）高純度の酸化ガドリ
ニウム（Ｇｄ₂Ｏ₃）、酸化テルビニウム（Ｔｂ
₂Ｏ₃）、酸化第２鉄（Ｆｅ₂Ｏ₃）、酸化ガリウム
（Ｇａ₂Ｏ₃）、酸化アルミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃）、酸
化ビスマス（Ｂｉ₂Ｏ₃）、酸化鉛（ＰｂＯ）及び酸化
ホウ素（Ｂ₂Ｏ₃）の粉末を原料として使用し、ＰｂＯ
−Ｂｉ₂Ｏ₃−Ｂ₂Ｏ₃系をフラックスとして使用し、
ＬＰＥ法にて、ＮＧＧ基板（格子定数１２，５０９４
Å）上に主成分比がＧｄ_1.9Ｂｉ_1.1Ｆｅ_4.3Ａｌ_0.4
Ｇａ_0.3Ｏ₁₂近傍のＧｄＢｉガーネット膜を、またＳＧ
ＧＧ基板（格子定数１２，４９６Å）上に主成分比がＴ
ｄ_2.1Ｂｉ_0.9Ｆｅ_5.0Ｏ₁₂近傍のＴｄＢｉ：系ガーネ
ット膜を、約６００μｍの厚さに育成した。尚、これら
のガーネット膜は少量（各３ｗｔ％以下）のＢ₂Ｏ₃及
びＰｂＯを含有していた。

【００３７】次に、基板を徐去した後、ＧｄＢｉ系ガー
ネット膜を５０％の酸素雰囲気中、１０５０℃でＴｂＢ
ｉ系ガーネット膜を３％の水素雰囲気中５００℃で熱処
理した。これら試料について、振動型磁力計を用いて、
ガーネット膜の磁気特性を測定した。これらガーネット
膜の飽和磁化（４πＭｓ）はＧｄＢｉ系が約１５０Ｇ、
ＴｂＢｉ系が約７５０Ｇであり、膜厚方向に磁化容易性
を示していた。

【００３８】これらガーネット膜の波長１．５５μｍに
おけるファラデー回転能はＧｄＢｉ系が約１０００ｄｅ
ｇ／ｃｍ、ＴｂＢｉ系が約９００ｄｅｇ／ｃｍであっ
た。

【００３９】次に、これらガーネット膜のファラデー回
転角が波長１．５５μｍで約４５ｄｅｇとなるように調
整した。これらガーネット膜にＡＲコート処理した後、
切断加工して辺長が１．０ｍｍの四辺形平板状ファラデ
ー回転子として使用し、その前後に偏光子及び検光子と
して辺長が１．０ｍｍの四辺形平板状ガラス偏光子を偏
光面が４５ｄｅｇとなるように配置した光学素子を組み
合せた。符号２１はこの光学素子の組合せを示してい
る。

【００４０】次に、これら素子の組み合せを図１に示す
ように外径２５ｍｍで内径１．５ｍｍで高さ１．５ｍｍ
の円筒状の等方性Ｓｍ₂Ｃｏ₁₇系焼結磁石（Ｂｒが約
５．５ｋＧ、_iＨ_cが約９ｋＯｅ）の内径部に装着した
後、電磁石を使用して約２０ｋＯｅの磁界を印加して磁
石を高さ方向に着磁してアイソレータとした。これらの
波長１．５５μｍにおけるアイソレータ特性の測定した
ところ、ガーネット膜の種類の材質による違いは見られ
ず、アイソレーションは約４５ｄＢ、挿入損失が約０．
２ｄＢの良好な特性であった。

【００４１】（第２の実施の形態）第１の実施の形態で
作製した偏光子／ファラデー回転子／検光子の組み合せ
を図２に示した角枠状等方性Ｓｍ₂Ｃｏ₁₇系磁石（外寸
^□２．５ｍｍ、内寸^□１．１ｍｍ、厚さ２．０ｍｍ）の
角枠内部に配置し、アイソレータ特性を測定した。尚、
符号２２は、この光学素子の組合せを示している。その
結果、ガーネットの種類（ＧｄＢｉ系、ＴｂＢｉ系）に
よらず、アイソレーションは約４５ｄＢ、挿入損失が約
０．２ｄＢの良好な特性であった。

【００４２】（第３の実施の形態）第１の実施の形態で
作製した偏光子／ファラデー回転子／検光子の組み合せ
を図３に示した凹形状等方性Ｓｍ₂Ｃｏ₁₇系磁石（外寸
^□３．０ｍｍ、幅１．１ｍｍ、深さ２．３ｍｍの溝を有
し、厚さが１．５ｍｍ）の溝底部に配置し、アイソレー
タ特性を測定した。尚、符号２３はこの光学素子の組合
わせを示している。その結果、ガーネットの種類（Ｇｄ
Ｂｉ系、ＴｂＢｉ系）によらず、アイソレーションは約
４５ｄＢ、挿入損失が約０．２ｄＢの良好な特性であっ
た。

【００４３】（第４の実施の形態）第１乃至第３の実施
の形態と同様にして、磁石の底面積をＳとし、厚さをｔ
として、それらの比Ｓ^1/2／ｔとアイソレーションの関
係を調べた。ちなみに光学素子の外寸は０．７〜１．５
ｍｍであり、等方性Ｓｍ₂Ｃｏ₁₇系磁石の外寸は１．０
〜５．０ｍｍであり、厚さは１．０〜７．０ｍｍであ
り、Ｓ^1/2／ｔは０．２、０．８、１．６、２．５、
３．４、４．３、５．０、６．０となっている。

【００４４】その結果を図４に示す。Ｓ^1/2／ｔが５．
５以上になると、アイソレーションが急激に低下してい
る。したがって、Ｓ^1/2／ｔは５．５以下とすることが
有用となる。

【００４５】（第５の実施の形態）第５の実施の形態と
同様にして、磁石内空隙部に発生する最大磁場Ｈｍと、
ガーネットの飽和磁化４πＭｓとの比Ｈｍ（Ｏｅ）／４
πＭｓ（Ｇ）とアイソレーションの関係を求めた。ここ
で使用したガーネットはＧｄＢｉ系ガーネット及びＴｂ
Ｂｉ系ガーネットであり、メルト組成を変化し、４πＭ
ｓが３０〜９００Ｇでファラデー回転能（波長１．５５
μｍ）が８００〜１２００ｄｅｇ／ｃｍとなっている。
Ｈｍ／４πＭｓ（Ｏｅ／Ｇ）は０．４〜２．５の範囲と
なっている。

【００４６】アイソレーションとＨｍ／４πＭｓの関係
を図５に示す。Ｈｍ／４πＭｓが０．７Ｏｅ／Ｇ以下で
はアイソレーションが急激に低下している。したがっ
て、Ｈｍ／４πＭｓ（Ｏｅ／Ｇ）を０．７以上とするこ
とが有用となる。

【００４７】（第６の実施の形態）第４の実施の形態と
同様にして、等方性Ｓｍ₂Ｃｏ₁₇系磁石の保磁力（_iＨ
_c）とアイソレータ組み込み後の該磁石への着磁の印加
磁界（Ｈｅｘ）を０．５〜５０ｋＯｅの範囲で変化し、
Ｈｅｘ／_iＨ_cと光アイソレータのアイソレーションと
の関係を調べた。ちなみに、ここで使用した等方性Ｓｍ
₂Ｃｏ₁₇系磁石の磁気特性はＢｒが約５．５ｋＧで、_i
Ｈ_cが６〜１３ｋＯｅであり、Ｈｅｘ／_iＨｃは０．４
〜５．１となっている。

【００４８】その結果を図６に示す。Ｈｅｘ／_iＨ_cが
１．０以上でアイソレーション高い値となっている。し
たがって、Ｈｅｘ／_iＨ_cを１．０以上とすることが有
用となる。

【００４９】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
アイソレータ構成に対して、磁界印加用磁石と、その形
状及びその着磁条件とを特定することにより、低価格化
を図ることができる光アイソレータを提供することがで
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態における円筒状の等
方性Ｓｍ₂Ｃｏ₁₇系磁石を使用したアイソレータの構成
を示す斜視図である。

【図２】本発明の第２の実施の形態における角枠状の等
方性Ｓｍ₂Ｃｏ₁₇系磁石を使用したアイソレータの構成
を示す斜視図である。

【図３】本発明の第３の実施の形態における凹形状の等
方性Ｓｍ₂Ｃｏ₁₇系磁石を使用したアイソレータの構成
を示す斜視図である。

【図４】本発明の第４の実施の形態における等方性Ｓｍ
₂Ｃｏ₁₇系磁石の底面積Ｓと厚さｔの比Ｓ^1/2／ｔとア
イソレーションの関係を示す図である。

【図５】本発明の第５の実施の形態における等方性Ｓｍ
₂Ｃｏ₁₇系磁石内空隙部に発生する最大磁場Ｈｍと、ガ
ーネットの飽和磁化４πＭｓとの比Ｈｍ（Ｏｅ）／４π
Ｍｓ（Ｇ）とアイソレーションの関係を示す図である。

【図６】本発明の第６の実施の形態における等方性Ｓｍ
₂Ｃｏ₁₇系磁石の保磁力（_iＨ_c）と着磁の印加磁界
（Ｈｅｘ）との比Ｈｅｘ／_iＨ_cとアイソレーションの
関係を示す図である。

【図７】一般的な光学用アイソレータの構成を示す断面
図である。

【符号の説明】

１偏光素子２ホルダ３ファラデー回転素子４、１１、１２、１３永久磁石５筐体５０光アイソレータ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者木村昌行宮城県仙台市太白区郡山六丁目７番１号株式会社トーキン内Ｆターム(参考） 2H099 AA01 BA02 CA11 DA05

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ファラデー回転素子にガーネット厚膜を
使用し、前記ガーネット素子を磁化して構成された光ア
イソレータにおいて、前記ガーネット素子を磁化するた
めに発生する磁界を等方性希土類磁石から供することを
特徴とする光アイソレータ。
【請求項２】請求項１記載の光アイソレータにおい
て、前記等方性希土類磁石の形状が円筒形状であること
を特徴とする光アイソレータ。
【請求項３】請求項１記載の光アイソレータにおい
て、前記等方性希土類磁石の形状が角枠状であることを
特徴とする光アイソレータ。
【請求項４】請求項１記載の光アイソレータにおい
て、前記等方性希土類磁石の形状が凹形状であることを
特徴とする光アイソレータ。
【請求項５】請求項１乃至３のうちのいずれかに記載
の光アイソレータにおいて、前記等方性希土類磁石の底
面積Ｓと厚さｔの比Ｓ^1/2／ｔを５．５以下（０を含ま
ず）としたことを特徴とする光アイソレータ。
【請求項６】請求項１乃至５のうちのいずれかに記載
の光アイソレータにおいて、前記等方性希土類磁石内空
隙部に発生する最大磁場Ｈｍと、該ガーネットの飽和磁
化４πＭｓとの比Ｈｍ（Ｏｅ）／４πＭｓ（Ｇ）が０．
７Ｏｅ／Ｇ以上としたことを特徴とする光アイソレー
タ。
【請求項７】請求項１乃至６のうちのいずれかに記載
の光アイソレータにおいて、前記等方性希土類磁石の保
磁力（_iＨ_c）と、アイソレータ組み込み後の該磁石へ
の着磁の印加磁界（Ｈｅｘ）との比Ｈｅｘ／_iＨ_cを
１．０以上としたことを特徴とする光アイソレータ。
【請求項８】請求項１乃至７のうちのいずれかに記載
の光アイソレータにおいて、前記等方性希土類磁石は、
Ｓｍ₂Ｃｏ₁₇系磁石からなることを特徴とする光アイソ
レータ。
【請求項９】請求項１乃至８のうちのいずれかに記載
の光アイソレータにおいて、前記ファラデー回転素子が
ＬＰＥ法にて作製されたＧｄＢｉ系ガーネット及びＴｂ
Ｂｉ系ガーネットの内の少なくとも１種からなることを
特徴とする光アイソレータ。