JP2000230949A - 表面抵抗測定装置 - Google Patents
表面抵抗測定装置Info
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- JP2000230949A JP2000230949A JP11030802A JP3080299A JP2000230949A JP 2000230949 A JP2000230949 A JP 2000230949A JP 11030802 A JP11030802 A JP 11030802A JP 3080299 A JP3080299 A JP 3080299A JP 2000230949 A JP2000230949 A JP 2000230949A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】導電膜の性能劣化あるいは品位の劣化を防止で
きながら、表面抵抗を簡単かつ短時間に測定でき、局所
的な導電膜部分の表面抵抗から大きな面積の導電膜の表
面抵抗まで幅広い範囲にわたって測定でき、測定の精度
を向上させることができる表面抵抗測定装置を提供す
る。 【解決手段】導電膜2に設定間隔を空けて対向させる第
1電極3aを支持部材4に支持させ、第1電極3aが対
向する導電膜部分とは異なる導電膜部分に設定間隔を空
けて対向させる第2電極3bを支持部材4に支持させ
て、第1電極3aと第2電極3bとの間に交流電圧を印
加することで、両電極3a,3bが対向する導電膜2に
電流が流れるよう構成し、導電膜2に流れる電流に基づ
いて導電膜2の表面抵抗を算出する表面抵抗算出手段1
8を設けてある。
きながら、表面抵抗を簡単かつ短時間に測定でき、局所
的な導電膜部分の表面抵抗から大きな面積の導電膜の表
面抵抗まで幅広い範囲にわたって測定でき、測定の精度
を向上させることができる表面抵抗測定装置を提供す
る。 【解決手段】導電膜2に設定間隔を空けて対向させる第
1電極3aを支持部材4に支持させ、第1電極3aが対
向する導電膜部分とは異なる導電膜部分に設定間隔を空
けて対向させる第2電極3bを支持部材4に支持させ
て、第1電極3aと第2電極3bとの間に交流電圧を印
加することで、両電極3a,3bが対向する導電膜2に
電流が流れるよう構成し、導電膜2に流れる電流に基づ
いて導電膜2の表面抵抗を算出する表面抵抗算出手段1
8を設けてある。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は表面抵抗測定装置に
関し、詳しくは、導電膜の表面抵抗を測定する表面抵抗
測定装置に関する。
関し、詳しくは、導電膜の表面抵抗を測定する表面抵抗
測定装置に関する。
【0002】
【従来の技術】ガラスあるいは高分子フィルムなどの表
面に電気抵抗の低い金属被膜または金属酸化物被膜を付
着させた導電基板は、その導電性を利用した用途、たと
えば液晶ディスプレイ、ELディスプレイ、プラズマデ
ィスプレイといったフラットパネルディスプレイや、大
陽電池などの透明電極、プラウン管の窓の透明静電シー
ルド板、または透明電磁シールド板、発熱体などの電気
・電子分野の用途に広く使用されている。
面に電気抵抗の低い金属被膜または金属酸化物被膜を付
着させた導電基板は、その導電性を利用した用途、たと
えば液晶ディスプレイ、ELディスプレイ、プラズマデ
ィスプレイといったフラットパネルディスプレイや、大
陽電池などの透明電極、プラウン管の窓の透明静電シー
ルド板、または透明電磁シールド板、発熱体などの電気
・電子分野の用途に広く使用されている。
【0003】また、このような導電膜の中で光の選択透
過性を有するものは、その赤外光反射特性を利用して、
大陽エネルギ利用のための窓材や、建物、自動車などの
熱線反射用材料として利用されている。
過性を有するものは、その赤外光反射特性を利用して、
大陽エネルギ利用のための窓材や、建物、自動車などの
熱線反射用材料として利用されている。
【0004】従来、上記のような導電基板の導電膜の表
面抵抗は、二端子もしくは二探針または四端子もしくは
四探針などの接触式表面抵抗測定法により測定されるの
が一般的であった。
面抵抗は、二端子もしくは二探針または四端子もしくは
四探針などの接触式表面抵抗測定法により測定されるの
が一般的であった。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
接触式表面抵抗測定法は破壊測定であり、産業的には製
品の導電膜表面での傷の発生による性能劣化あるいは品
位の劣化が起こるという問題があった。
接触式表面抵抗測定法は破壊測定であり、産業的には製
品の導電膜表面での傷の発生による性能劣化あるいは品
位の劣化が起こるという問題があった。
【0006】上記のような導電膜表面での傷の発生を防
止するため、特開平5−156439号公報に開示され
ているように、光透過率と表面抵抗値の相関性を利用し
た光透過率測定による非接触式の表面祇抗の測定方法が
提案されている。
止するため、特開平5−156439号公報に開示され
ているように、光透過率と表面抵抗値の相関性を利用し
た光透過率測定による非接触式の表面祇抗の測定方法が
提案されている。
【0007】ところが、導電膜および基板の厚みも光透
過率に影響を与えるため、この方式のみでは表面抵抗値
成分と導電膜および基板の厚み成分とを分離できず、表
面抵抗の測定には別途、表面抵抗の測定箇所での導電性
被膜および基板の各々の厚みを測定しなければならなく
なって、測定に手間と時間がかかるという問題がある。
過率に影響を与えるため、この方式のみでは表面抵抗値
成分と導電膜および基板の厚み成分とを分離できず、表
面抵抗の測定には別途、表面抵抗の測定箇所での導電性
被膜および基板の各々の厚みを測定しなければならなく
なって、測定に手間と時間がかかるという問題がある。
【0008】同じく導電膜表面での傷の発生を防止する
ため、特開昭63−221519号公報に開示されてい
るように、光透過率の微分ピーク波長と導電膜内の荷電
キャリア濃度と表面抵抗値の相関性を利用した光透過率
測定による表面抵抗の測定方法が提案されている。
ため、特開昭63−221519号公報に開示されてい
るように、光透過率の微分ピーク波長と導電膜内の荷電
キャリア濃度と表面抵抗値の相関性を利用した光透過率
測定による表面抵抗の測定方法が提案されている。
【0009】この方法では、導電膜内の荷電キャリア濃
度が介在しているため、上記の特開平5−156439
号公報に開示されている技術と同様に、表面抵抗値成分
と導電膜および基板の厚み成分との分離ができず、表面
抵抗の測定には別途、測定箇所での導電膜および基板の
各々の膜厚を測定しなければならなくなって、前述の方
法と同様に測定に手間と時間がかかるという問題があ
る。
度が介在しているため、上記の特開平5−156439
号公報に開示されている技術と同様に、表面抵抗値成分
と導電膜および基板の厚み成分との分離ができず、表面
抵抗の測定には別途、測定箇所での導電膜および基板の
各々の膜厚を測定しなければならなくなって、前述の方
法と同様に測定に手間と時間がかかるという問題があ
る。
【0010】さらに、導電膜表面での傷の発生を防止す
るため、電磁誘導コイルと導電膜との結合インダクタン
スを測定する方法(磁界を印加して発生する渦電流を測
定する方法)が知られている。
るため、電磁誘導コイルと導電膜との結合インダクタン
スを測定する方法(磁界を印加して発生する渦電流を測
定する方法)が知られている。
【0011】この方法は、100Ω/□程度以上の表面
抵抗値を持つ導電膜を測定するためには印加磁界の強度
をかなり上げる必要があるために、磁束の広がりが大き
くなり100cm2 程度以下の面積内での局所的な表面
抵抗値を得ることはできない。また、オンラインの連続
測定では製造過程での基板のパスライン変動(基板面の
法線方向の振動)により、センサ部と測定対象である導
電膜との距離が変動し、測定誤差が大きくなるという問
題がある。
抵抗値を持つ導電膜を測定するためには印加磁界の強度
をかなり上げる必要があるために、磁束の広がりが大き
くなり100cm2 程度以下の面積内での局所的な表面
抵抗値を得ることはできない。また、オンラインの連続
測定では製造過程での基板のパスライン変動(基板面の
法線方向の振動)により、センサ部と測定対象である導
電膜との距離が変動し、測定誤差が大きくなるという問
題がある。
【0012】本発明は上記の実情に鑑みてなされたもの
で、その目的は、導電膜の性能劣化あるいは品位の劣化
を防止できながら、前記表面抵抗を簡単かつ短時間に測
定でき、局所的な導電膜部分の表面抵抗から大きな面積
の導電膜の表面抵抗まで幅広い範囲にわたって測定で
き、測定の精度を向上させることができる表面抵抗測定
装置を提供する点にある。
で、その目的は、導電膜の性能劣化あるいは品位の劣化
を防止できながら、前記表面抵抗を簡単かつ短時間に測
定でき、局所的な導電膜部分の表面抵抗から大きな面積
の導電膜の表面抵抗まで幅広い範囲にわたって測定で
き、測定の精度を向上させることができる表面抵抗測定
装置を提供する点にある。
【0013】
【課題を解決するための手段】請求項1による発明の構
成・作用・効果は次の通りである。
成・作用・効果は次の通りである。
【0014】[構成]導電膜に設定間隔を空けて対向さ
せる第1電極を支持部材に支持させ、前記第1電極が対
向する導電膜部分とは離れた導電膜部分に設定間隔を空
けて対向させる第2電極を前記支持部材に支持させて、
前記第1電極と第2電極との間に交流電圧を印加するこ
とで、両電極が対向する前記導電膜に電流が流れるよう
構成し、前記導電膜に流れる電流に基づいて前記導電膜
の表面抵抗を算出する表面抵抗算出手段を設けてある。
せる第1電極を支持部材に支持させ、前記第1電極が対
向する導電膜部分とは離れた導電膜部分に設定間隔を空
けて対向させる第2電極を前記支持部材に支持させて、
前記第1電極と第2電極との間に交流電圧を印加するこ
とで、両電極が対向する前記導電膜に電流が流れるよう
構成し、前記導電膜に流れる電流に基づいて前記導電膜
の表面抵抗を算出する表面抵抗算出手段を設けてある。
【0015】[作用]第1電極と第2電極との間に交流
電圧を印加することで、第1電極と、この第1電極が対
向する導電膜部分との間に静電容量が形成されるととも
に、第2電極と、この第2電極が対向する導電膜部分と
の間に静電容量が形成され、前記静電容量を介して導電
膜に交流電流が流れる。そして、この交流電流に基づい
て表面抵抗算出手段が導電膜の表面抵抗を算出する。
電圧を印加することで、第1電極と、この第1電極が対
向する導電膜部分との間に静電容量が形成されるととも
に、第2電極と、この第2電極が対向する導電膜部分と
の間に静電容量が形成され、前記静電容量を介して導電
膜に交流電流が流れる。そして、この交流電流に基づい
て表面抵抗算出手段が導電膜の表面抵抗を算出する。
【0016】このように、第1及び第2電極を導電膜に
接触させることなく測定するから、第1及び第2電極で
導電膜を傷つけるのを防止することができる。
接触させることなく測定するから、第1及び第2電極で
導電膜を傷つけるのを防止することができる。
【0017】例えば、光透過率の測定と導電膜の膜厚の
測定といった複数種類の測定が必要な従来の技術に比べ
ると、請求項1の構成では導電膜に交流電流を流すとと
もに、この交流電流に基づいて導電膜の表面抵抗を算出
するだけであるから測定に手間と時間がかからない。
測定といった複数種類の測定が必要な従来の技術に比べ
ると、請求項1の構成では導電膜に交流電流を流すとと
もに、この交流電流に基づいて導電膜の表面抵抗を算出
するだけであるから測定に手間と時間がかからない。
【0018】例えば、第1電極と第2電極との間隔を変
更させると、導電膜の被測定部の面積を変更させること
ができる。
更させると、導電膜の被測定部の面積を変更させること
ができる。
【0019】前記一対の電極ヘッドを生産ラインに配置
し、導電膜を両電極に対して移動させながら測定するこ
とで、多数の導電膜をオンラインで連続的に測定するこ
とができる。
し、導電膜を両電極に対して移動させながら測定するこ
とで、多数の導電膜をオンラインで連続的に測定するこ
とができる。
【0020】そして、パスライン変動による測定誤差を
軽減することができる。
軽減することができる。
【0021】次に、パスライン変動による測定誤差を軽
減できる理由を、本発明にかかる表面抵抗測定装置の等
価回路を示す図2に基づいて説明する。
減できる理由を、本発明にかかる表面抵抗測定装置の等
価回路を示す図2に基づいて説明する。
【0022】前記等価回路は、第1電極と導電膜とで形
成されるコンデンサ11と、第2電極と導電膜とで形成
されるコンデンサ12と、導電膜の被測定部の電気抵抗
13とを備える。
成されるコンデンサ11と、第2電極と導電膜とで形成
されるコンデンサ12と、導電膜の被測定部の電気抵抗
13とを備える。
【0023】前記等価回路において、コンデンサ11,
12の静電容量による電圧降下をVC、導電膜の被測定
部の電気抵抗による電圧降下をVRとする。VCに対す
るVRの比率(VR/VC)を高めることによってパス
ライン変動による測定誤差を軽減することができる。
12の静電容量による電圧降下をVC、導電膜の被測定
部の電気抵抗による電圧降下をVRとする。VCに対す
るVRの比率(VR/VC)を高めることによってパス
ライン変動による測定誤差を軽減することができる。
【0024】これは、例えばVCが1V、VRが1V、
パスライン変動によるVCの電圧降下の誤差が±0.5
Vであったとすると、パスライン変動による測定値の誤
差は±0.5/2=±0.25(すなわち±25%)と
なるが、仮にここで、VRを9Vにできたとすると、パ
スライン変動による測定値の誤差を±0.5/10=±
0,05(すなわち±5%)にできるということであ
る。
パスライン変動によるVCの電圧降下の誤差が±0.5
Vであったとすると、パスライン変動による測定値の誤
差は±0.5/2=±0.25(すなわち±25%)と
なるが、仮にここで、VRを9Vにできたとすると、パ
スライン変動による測定値の誤差を±0.5/10=±
0,05(すなわち±5%)にできるということであ
る。
【0025】つまり、静電容量を大きくすることでVC
を小さくしたり、第1電極と第2電極との間を大きくし
てVRを大きくしたりすることで、パスライン変動によ
る測定誤差を軽減することができる。
を小さくしたり、第1電極と第2電極との間を大きくし
てVRを大きくしたりすることで、パスライン変動によ
る測定誤差を軽減することができる。
【0026】さらに、第1電極と第2電極とに対する交
流電源の電源周波数を高くすると、コンデンサによるイ
ンピーダンスが下がってVR/VCを高めることがで
き、その結果、パスライン変動による測定誤差を軽減す
ることができる。
流電源の電源周波数を高くすると、コンデンサによるイ
ンピーダンスが下がってVR/VCを高めることがで
き、その結果、パスライン変動による測定誤差を軽減す
ることができる。
【0027】[効果]従って、導電膜の性能劣化あるい
は品位の劣化を防止できながら、前記表面抵抗を簡単か
つ短時間に測定でき、導電膜の被測定部の面積を変更さ
せることができて、局所的な導電膜部分の表面抵抗から
大きな面積の導電膜の表面抵抗まで幅広い範囲にわたっ
て測定でき、パスライン変動による測定誤差を抑制でき
て、測定の精度を向上させることができる表面抵抗測定
装置を提供することができた。請求項2による発明の構
成・作用・効果は次の通りである。
は品位の劣化を防止できながら、前記表面抵抗を簡単か
つ短時間に測定でき、導電膜の被測定部の面積を変更さ
せることができて、局所的な導電膜部分の表面抵抗から
大きな面積の導電膜の表面抵抗まで幅広い範囲にわたっ
て測定でき、パスライン変動による測定誤差を抑制でき
て、測定の精度を向上させることができる表面抵抗測定
装置を提供することができた。請求項2による発明の構
成・作用・効果は次の通りである。
【0028】[構成]前記第1電極と第2電極とが並ぶ
方向に直交する方向で、かつ、前記導電膜の膜面に沿う
方向の第1及び第2電極の長さを変更調節可能に構成し
てある。
方向に直交する方向で、かつ、前記導電膜の膜面に沿う
方向の第1及び第2電極の長さを変更調節可能に構成し
てある。
【0029】[作用]請求項1の構成による作用と同様
の作用を奏することができるのに加え、次の作用を奏す
ることができる。
の作用を奏することができるのに加え、次の作用を奏す
ることができる。
【0030】前記第1及び第2電極の長さを変更調節す
ることで、導電膜の被測定部の面積を変更させることが
できる。
ることで、導電膜の被測定部の面積を変更させることが
できる。
【0031】[効果]従って、請求項1の構成による効
果と同様の効果を奏することができるのに加え、局所的
な導電膜部分の表面抵抗から大きな面積の導電膜の表面
抵抗まで幅広い範囲にわたる測定を、より行いやすくす
ることができた。
果と同様の効果を奏することができるのに加え、局所的
な導電膜部分の表面抵抗から大きな面積の導電膜の表面
抵抗まで幅広い範囲にわたる測定を、より行いやすくす
ることができた。
【0032】請求項3による発明の構成・作用・効果は
次の通りである。
次の通りである。
【0033】[構成]請求項1又は2による発明の構成
において、前記表面抵抗算出手段は、前記導電膜に流れ
る交流電流を検出するとともに、その検出した交流電流
を交流電圧に変換する電流電圧変換器と、前記電流電圧
変換器で変換した交流電圧をアナログ直流電圧に変換す
る交流直流変換器と、前記交流直流変換器で変換したア
ナログ直流電圧をデジタル信号に変換するA/D変換器
と、前記A/D変換器で変換したデジタル信号に基づい
て前記導電膜の表面抵抗を算出する演算器とを設けて構
成してある。
において、前記表面抵抗算出手段は、前記導電膜に流れ
る交流電流を検出するとともに、その検出した交流電流
を交流電圧に変換する電流電圧変換器と、前記電流電圧
変換器で変換した交流電圧をアナログ直流電圧に変換す
る交流直流変換器と、前記交流直流変換器で変換したア
ナログ直流電圧をデジタル信号に変換するA/D変換器
と、前記A/D変換器で変換したデジタル信号に基づい
て前記導電膜の表面抵抗を算出する演算器とを設けて構
成してある。
【0034】[作用]請求項1又は2の構成による作用
と同様の作用を奏することができるのに加え、次の作用
を奏することができる。
と同様の作用を奏することができるのに加え、次の作用
を奏することができる。
【0035】電流電圧変換器が、前記導電膜に流れる交
流電流を検出するとともに、その検出した交流電流を交
流電圧に変換する。そして、前記電流電圧変換器で変換
した交流電圧を交流直流変換器がアナログ直流電圧に変
換する。次に、前記交流直流変換器で変換したアナログ
直流電圧をA/D変換器がデジタル信号に変換し、前記
A/D変換器で変換したデジタル信号に基づいて演算器
が導電膜の表面抵抗を算出する。
流電流を検出するとともに、その検出した交流電流を交
流電圧に変換する。そして、前記電流電圧変換器で変換
した交流電圧を交流直流変換器がアナログ直流電圧に変
換する。次に、前記交流直流変換器で変換したアナログ
直流電圧をA/D変換器がデジタル信号に変換し、前記
A/D変換器で変換したデジタル信号に基づいて演算器
が導電膜の表面抵抗を算出する。
【0036】[効果]従って、請求項1又は2の構成に
よる効果と同様の効果を奏することができるのに加え、
導電膜の表面抵抗を短時間で測定できるようになった。
よる効果と同様の効果を奏することができるのに加え、
導電膜の表面抵抗を短時間で測定できるようになった。
【0037】請求項4による発明の構成・作用・効果は
次の通りである。
次の通りである。
【0038】[構成]請求項3による発明の構成におい
て、前記電流電圧変換器は、前記第1電極又は第2電極
に接続された電気抵抗である。
て、前記電流電圧変換器は、前記第1電極又は第2電極
に接続された電気抵抗である。
【0039】[作用]請求項3の構成による作用と同様
の作用を奏することができるのに加え、電流電圧変換器
を電気抵抗で構成してあるから、電流電圧変換器を安価
に形成することができる。
の作用を奏することができるのに加え、電流電圧変換器
を電気抵抗で構成してあるから、電流電圧変換器を安価
に形成することができる。
【0040】[効果]従って、請求項3の構成による効
果と同様の効果を奏することができるのに加え、製作コ
ストを低廉化することができた。
果と同様の効果を奏することができるのに加え、製作コ
ストを低廉化することができた。
【0041】請求項5による発明の構成・作用・効果は
次の通りである。
次の通りである。
【0042】[構成]請求項1,2,3,4のいずれか
一つによる発明の構成において、前記第1電極と導電膜
との間隔、及び前記第2電極と導電膜との間隔を一定値
に固定する固定手段を設けてある。
一つによる発明の構成において、前記第1電極と導電膜
との間隔、及び前記第2電極と導電膜との間隔を一定値
に固定する固定手段を設けてある。
【0043】[作用]請求項1,2,3,4のいずれか
一つの構成による作用と同様の作用を奏することができ
るのに加え、次の作用を奏することができる。
一つの構成による作用と同様の作用を奏することができ
るのに加え、次の作用を奏することができる。
【0044】固定手段により前記第1電極と導電膜との
間隔、及び前記第2電極と導電膜との間隔を一定値に固
定するから、各電極と導電膜との間に形成される静電容
量の変動を抑制することができる。
間隔、及び前記第2電極と導電膜との間隔を一定値に固
定するから、各電極と導電膜との間に形成される静電容
量の変動を抑制することができる。
【0045】[効果]従って、請求項1,2,3,4の
いずれか一つの構成による効果と同様の効果を奏するこ
とができるのに加え、測定の精度をより向上させること
ができた。
いずれか一つの構成による効果と同様の効果を奏するこ
とができるのに加え、測定の精度をより向上させること
ができた。
【0046】請求項6による発明の構成・作用・効果は
次の通りである。
次の通りである。
【0047】[構成]請求項5による発明の構成におい
て、前記固定手段を、前記第1電極と導電膜との間、及
び前記第2電極と導電膜との間にそれぞれ介在させる絶
縁スペーサーで構成してある。
て、前記固定手段を、前記第1電極と導電膜との間、及
び前記第2電極と導電膜との間にそれぞれ介在させる絶
縁スペーサーで構成してある。
【0048】[作用]請求項5の構成による作用と同様
の作用を奏することができるのに加え、前記固定手段
を、前記第1電極と導電膜との間、及び前記第2電極と
導電膜との間にそれぞれ介在させる絶縁スペーサーで構
成してあるから、導電膜を絶縁スペーサで保護できて、
導電膜に傷がつくのを防止することができる。
の作用を奏することができるのに加え、前記固定手段
を、前記第1電極と導電膜との間、及び前記第2電極と
導電膜との間にそれぞれ介在させる絶縁スペーサーで構
成してあるから、導電膜を絶縁スペーサで保護できて、
導電膜に傷がつくのを防止することができる。
【0049】[効果]請求項5の構成による効果と同様
の効果を奏することができるのに加え、導電膜の性能劣
化あるいは品位の劣化をより防止しやすくなった。
の効果を奏することができるのに加え、導電膜の性能劣
化あるいは品位の劣化をより防止しやすくなった。
【0050】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて脱明する。
に基づいて脱明する。
【0051】図1に表面抵抗測定装置を示してある。
【0052】前記表面抵抗測定装置は、基板1に設けた
導電膜2に設定間隔を空けて対向させる板状の第1電極
3aを支持部材4に支持させ、前記第1電極3aが対向
する導電膜部分とは異なる導電膜部分に設定間隔を空け
て対向させる板状の第2電極3bを前記支持部材4に支
持させて、第1電極3aと第2電極3bとの間に交流電
圧を印加することで、両電極3a,3bが対向する導電
膜2に電流Iが流れるよう構成してある。
導電膜2に設定間隔を空けて対向させる板状の第1電極
3aを支持部材4に支持させ、前記第1電極3aが対向
する導電膜部分とは異なる導電膜部分に設定間隔を空け
て対向させる板状の第2電極3bを前記支持部材4に支
持させて、第1電極3aと第2電極3bとの間に交流電
圧を印加することで、両電極3a,3bが対向する導電
膜2に電流Iが流れるよう構成してある。
【0053】前記第1及び第2電極3a,3bを導電膜
2に設定間隔を空けて対向させるから、第1及び第2電
極3a,3bで導電膜2を傷つけるのを防止することが
できる。
2に設定間隔を空けて対向させるから、第1及び第2電
極3a,3bで導電膜2を傷つけるのを防止することが
できる。
【0054】上記の構成に加えて、前記導電膜2に流れ
る電流に基づいて前記導電膜2の表面抵抗を算出する表
面抵抗算出手段18を設け、この表面抵抗算出手段18
は、導電膜2に流れる交流電流を検出するとともに、そ
の検出された交流電流を交流電圧に変換するI−V変換
器7(電流電圧変換器に相当)と、前記I−V変換器7
で変換した交流電圧をアナログ直流電圧に変換するAC
−DC変換器8(交流直流変換器に相当)と、前記AC
−DC変換器8で変換したアナログ直流電圧をデジタル
信号に変換するA/D変換器9と、前記A/D変換器9
で変換したデジタル信号に基づいて、導電膜2の表面抵
抗を算出する演算器10とで構成してある。
る電流に基づいて前記導電膜2の表面抵抗を算出する表
面抵抗算出手段18を設け、この表面抵抗算出手段18
は、導電膜2に流れる交流電流を検出するとともに、そ
の検出された交流電流を交流電圧に変換するI−V変換
器7(電流電圧変換器に相当)と、前記I−V変換器7
で変換した交流電圧をアナログ直流電圧に変換するAC
−DC変換器8(交流直流変換器に相当)と、前記AC
−DC変換器8で変換したアナログ直流電圧をデジタル
信号に変換するA/D変換器9と、前記A/D変換器9
で変換したデジタル信号に基づいて、導電膜2の表面抵
抗を算出する演算器10とで構成してある。
【0055】前記第1及び第2電極3a,3bは、ねじ
(図示せず)を介して支持部材4に取外し自在に取付け
て、大きさの異なる別の第1及び第2電極3a,3bと
交換可能に構成してある。
(図示せず)を介して支持部材4に取外し自在に取付け
て、大きさの異なる別の第1及び第2電極3a,3bと
交換可能に構成してある。
【0056】前記支持部材4は、第1電極3aと第2電
極3bとの間隔を変更調節可能に横方向(紙面左右方
向)に伸縮自在に構成してある(この伸縮機構は図示し
てない)。
極3bとの間隔を変更調節可能に横方向(紙面左右方
向)に伸縮自在に構成してある(この伸縮機構は図示し
てない)。
【0057】図1の表面抵抗測定装置の等価回路を図2
に示してある。
に示してある。
【0058】前記等価回路は、第1電極3aと導電膜2
とで形成されるコンデンサ11と、第2電極3bと導電
膜2とで形成されるコンデンサ12と、導電膜上の被測
定部の電気抵抗13とを備えている。
とで形成されるコンデンサ11と、第2電極3bと導電
膜2とで形成されるコンデンサ12と、導電膜上の被測
定部の電気抵抗13とを備えている。
【0059】前記等価回路において、交流電源5の交流
電圧をE、電源角周波数をω、コンデンサ11,12の
静電容量をC、I−V変換器7の入力抵抗値をr、導電
膜2の後述の被測定部19(図3参照)の電気抵抗値を
Rとすると、交流電流Iは次の式[数1]で表される。
電圧をE、電源角周波数をω、コンデンサ11,12の
静電容量をC、I−V変換器7の入力抵抗値をr、導電
膜2の後述の被測定部19(図3参照)の電気抵抗値を
Rとすると、交流電流Iは次の式[数1]で表される。
【0060】
【数1】 前記導電膜2の被測定部19について説明すると、図3
に示すように、前記第1及び第2電極3a,3bの4頂
点のうち、相手側の第2又は第1電極3b,3aに近い
方の2頂点をそれぞれa1,a2,b1,b2とし、前
記頂点から導電膜2の表面に垂直線を下ろし、その垂直
線が導電膜2の表面と交わる点をそれぞれc1,c2,
d1,d2とすると、c1,c2,d2,d1で囲まれ
た長方形の部分が被測定部19となる。
に示すように、前記第1及び第2電極3a,3bの4頂
点のうち、相手側の第2又は第1電極3b,3aに近い
方の2頂点をそれぞれa1,a2,b1,b2とし、前
記頂点から導電膜2の表面に垂直線を下ろし、その垂直
線が導電膜2の表面と交わる点をそれぞれc1,c2,
d1,d2とすると、c1,c2,d2,d1で囲まれ
た長方形の部分が被測定部19となる。
【0061】次に、上記のように構成された表面抵抗測
定装置の作動について説明する。
定装置の作動について説明する。
【0062】1) 第1電極3aと第2電極3bとの間に
交流電圧を印加することにより、前記コンデンサ11,
12を介して、導電膜2の被測定部19に交流電流Iが
流れる。
交流電圧を印加することにより、前記コンデンサ11,
12を介して、導電膜2の被測定部19に交流電流Iが
流れる。
【0063】2) 前記交流電流IをI−V変換器7が交
流電圧に変換し、ACーD変換器8が交流電圧の実効値
あるいは最大値等に等しいアナログ直流電圧に変換す
る。
流電圧に変換し、ACーD変換器8が交流電圧の実効値
あるいは最大値等に等しいアナログ直流電圧に変換す
る。
【0064】3) A/D変換器9が、交流電圧の実効値
あるいは最大値等に等しいアナログ交流電圧値をデジタ
ル信号に変換する。
あるいは最大値等に等しいアナログ交流電圧値をデジタ
ル信号に変換する。
【0065】4) 演算器10が、上記デジタル信号値お
よび上記式[1]により導電膜2上の被測定部19の電
気抵抗値Rを算出し、この電気抵抗値Rを導電膜上の被
測定部19の面積で割ることにより表面抵抗値を算出す
る。
よび上記式[1]により導電膜2上の被測定部19の電
気抵抗値Rを算出し、この電気抵抗値Rを導電膜上の被
測定部19の面積で割ることにより表面抵抗値を算出す
る。
【0066】前記等価回路において、コンデンサ11,
12の静電容量Cによる電圧降下をVC、導電膜の被測
定部の電気抵抗Rによる電圧降下をVRとする。VCに
対するVRの比率(VR/VC)を高めることによって
パスライン変動による測定誤差を軽減することができ
る。
12の静電容量Cによる電圧降下をVC、導電膜の被測
定部の電気抵抗Rによる電圧降下をVRとする。VCに
対するVRの比率(VR/VC)を高めることによって
パスライン変動による測定誤差を軽減することができ
る。
【0067】これは、例えばVCが1V、VRが1V、
パスライン変動によるVCの電圧降下の誤差が±0.5
Vであったとすると、パスライン変動による測定値の誤
差は±0.5/2=±0.25(すなわち±25%)と
なるが、仮にここで、VRを9Vにできたとすると、パ
スライン変動による測定値の誤差を±0.5/10=±
0,05(すなわち±5%)にできるということであ
る。
パスライン変動によるVCの電圧降下の誤差が±0.5
Vであったとすると、パスライン変動による測定値の誤
差は±0.5/2=±0.25(すなわち±25%)と
なるが、仮にここで、VRを9Vにできたとすると、パ
スライン変動による測定値の誤差を±0.5/10=±
0,05(すなわち±5%)にできるということであ
る。
【0068】前記第1電極3aと第2電極3bとの間隔
を変更することや、第1及び第2電極3a,3bを支持
部材4から取り外して、電極幅(つまり、第1電極と第
2電極とが並ぶ方向に直交する方向で、かつ、前記導電
膜の膜面に沿う方向の第1及び第2電極の長さ)の異な
る第1及び第2電極3a,3bと交換することで、導電
膜2上の被測定部19の面積を変更調節できる。
を変更することや、第1及び第2電極3a,3bを支持
部材4から取り外して、電極幅(つまり、第1電極と第
2電極とが並ぶ方向に直交する方向で、かつ、前記導電
膜の膜面に沿う方向の第1及び第2電極の長さ)の異な
る第1及び第2電極3a,3bと交換することで、導電
膜2上の被測定部19の面積を変更調節できる。
【0069】これにより、局所的な面積内での表面抵抗
値から大面積内での表面抵抗値まで用途に応じた測定が
できる。
値から大面積内での表面抵抗値まで用途に応じた測定が
できる。
【0070】前記第1及び第2電極3a,3bの形状、
あるいは前記設定間隔(第1及び第2電極3a,3bと
導電膜2との間隔)を変更することで、前記静電容量C
を調節でき、第1及び第2電極3a,3bの表面積を大
きくすることで静電容量Cを大きくすることができる。
あるいは前記設定間隔(第1及び第2電極3a,3bと
導電膜2との間隔)を変更することで、前記静電容量C
を調節でき、第1及び第2電極3a,3bの表面積を大
きくすることで静電容量Cを大きくすることができる。
【0071】これによりVCを小さくできるため、パス
ライン変動による測定誤差を軽減することができる。
ライン変動による測定誤差を軽減することができる。
【0072】また、第1電極3aと第2電極3bとの距
離を大きくすることによりVRを大きくでき、パスライ
ン変動による測定誤差を軽減することができる。
離を大きくすることによりVRを大きくでき、パスライ
ン変動による測定誤差を軽減することができる。
【0073】さらに、交流電源の電源周波数を高くする
ことにより静電容量Cによるインピーダンスが下がるた
め、VR/VCを高めることができる。その結果パスラ
イン変動による測定誤差を軽減することができる。
ことにより静電容量Cによるインピーダンスが下がるた
め、VR/VCを高めることができる。その結果パスラ
イン変動による測定誤差を軽減することができる。
【0074】[別実施形態]前記第1電極3aと第2電
極3bとの間隔を変更調節する手段として、大きさの異
なる第1及び第2電極3a,3bを支持部材4に取付け
変える手段や、第1及び第2電極3a,3bを支持する
支持部材4の位置を変える手段がある。
極3bとの間隔を変更調節する手段として、大きさの異
なる第1及び第2電極3a,3bを支持部材4に取付け
変える手段や、第1及び第2電極3a,3bを支持する
支持部材4の位置を変える手段がある。
【0075】前記第1及び第2電極3a,3bの導電膜
2に対する距離を一定値に固定する固定手段として、電
気絶縁性の膜状の絶縁スペーサ・樹脂フィルム・紙ある
いは板を電極3aおよび電極3bと導電膜2との間に介
在させる手段がある。
2に対する距離を一定値に固定する固定手段として、電
気絶縁性の膜状の絶縁スペーサ・樹脂フィルム・紙ある
いは板を電極3aおよび電極3bと導電膜2との間に介
在させる手段がある。
【0076】これにより、導電膜2に第1及び第2電極
3a,3bが直接接触することがなくなり、測定時に導
電膜に傷がつくのを回避できる。前記絶縁スペーサとし
ては柔らかいものがよい。絶縁スペーサを薄くすると、
前記静電容量Cを大きくすることができる。
3a,3bが直接接触することがなくなり、測定時に導
電膜に傷がつくのを回避できる。前記絶縁スペーサとし
ては柔らかいものがよい。絶縁スペーサを薄くすると、
前記静電容量Cを大きくすることができる。
【0077】また、透明導電基板1と導電膜2の位置関
係を上下逆にすることによっても、測定時に導電膜に発
生する傷を軽減させることができる。
係を上下逆にすることによっても、測定時に導電膜に発
生する傷を軽減させることができる。
【0078】交流電源6の電源周波数を数MHz以上の
高周波にすると測定をより有効に行なうことができる。
高周波にすると測定をより有効に行なうことができる。
【0079】前記第1及び第2電極3a,3bは、上記
の実施形態に示されるような長方形状のものだけでな
く、くし状や短冊状など形状、大きさの異なるさまざま
なものを用いてもよい。
の実施形態に示されるような長方形状のものだけでな
く、くし状や短冊状など形状、大きさの異なるさまざま
なものを用いてもよい。
【0080】前記第1及び第2電極3a,3bの電極幅
を変更する手段としては、例えば、幅の異なる電極と交
換可能にする、各電極3a,3bを複数枚の金属板を積
層させたものとしてその金属板の一部をスライド移動さ
せて幅を変更できるようにする手段がある。
を変更する手段としては、例えば、幅の異なる電極と交
換可能にする、各電極3a,3bを複数枚の金属板を積
層させたものとしてその金属板の一部をスライド移動さ
せて幅を変更できるようにする手段がある。
【0081】以上により、導電膜2上の被測定部19の
面積の変更調節をさらに広範囲で行なうことができる。
面積の変更調節をさらに広範囲で行なうことができる。
【0082】
【実施例】以下、この発明の実施例を説明する。
【0083】本実施例において使用した表面抵抗測定装
置を以下に示す。
置を以下に示す。
【0084】電極として、80mm×80mm(厚さ1
mm)の銅板2枚を使用し、この銅板に厚さ110μm
のPETフィルムを張り付け、銅板のPETフィルムと
は反対面(銅板裏面)にはねじタップを切ってあり、平
めねじ(端子)があり、ここへ配線の芯線を半田付けし
た。
mm)の銅板2枚を使用し、この銅板に厚さ110μm
のPETフィルムを張り付け、銅板のPETフィルムと
は反対面(銅板裏面)にはねじタップを切ってあり、平
めねじ(端子)があり、ここへ配線の芯線を半田付けし
た。
【0085】この電極を電極間隔1cmになるよう50
mm×200mm(厚さ3mm)で中央部に任意の位置
で電極を固定できるようスリットを設けたプラスチック
製の治具にねじで固定した。これを測定用電極ヘッドと
した。
mm×200mm(厚さ3mm)で中央部に任意の位置
で電極を固定できるようスリットを設けたプラスチック
製の治具にねじで固定した。これを測定用電極ヘッドと
した。
【0086】導電膜として、PET(Poly Eth
ylene Terephthalate)フィルム上
のITO(Indium Tin 0xide)被膜を
付着させたもので、50〜2000Ω/□の範囲で表面
抵抗値の異なるものを数枚使用した。
ylene Terephthalate)フィルム上
のITO(Indium Tin 0xide)被膜を
付着させたもので、50〜2000Ω/□の範囲で表面
抵抗値の異なるものを数枚使用した。
【0087】交流電源として正弦波発振器を使用した。
正弦波発振器の発振周波数は50MHzとした,I−V
変換器として18Ωの金属被膜抵抗を使用し、銅板−正
弦波発振器間に配置した。
正弦波発振器の発振周波数は50MHzとした,I−V
変換器として18Ωの金属被膜抵抗を使用し、銅板−正
弦波発振器間に配置した。
【0088】AC‐DC変換器としてデジタルオシロス
コープを使用した。A/D変換器としてA/D変換ボー
ドを使用した。演算器としてパソコンを使用した。
コープを使用した。A/D変換器としてA/D変換ボー
ドを使用した。演算器としてパソコンを使用した。
【0089】なお、本実施例による測定結果の妥当性を
評価するため、本実施例にて使用する導電膜について予
めJIS K7194規格の4探針法にて表面抵抗値を
測定した。
評価するため、本実施例にて使用する導電膜について予
めJIS K7194規格の4探針法にて表面抵抗値を
測定した。
【0090】また、電極と導電膜間に形成される静電容
量で発生する電圧降下のうち、パスライン変動によって
生じる電圧降下誤差が許容誤差の範囲内に収まるように
回路定数を設定した。
量で発生する電圧降下のうち、パスライン変動によって
生じる電圧降下誤差が許容誤差の範囲内に収まるように
回路定数を設定した。
【0091】次に本実施例による表面抵抗測定方法を示
す。
す。
【0092】上記のようにして得られた電極ヘッドのP
ETフィルム面を導電膜上に置き、正弦波発振器にて2
枚の銅板間に正弦波電圧を印加し、銅板−PETフィル
ムーITO被膜間に形成される静電容量を介してITO
被膜に交流電流を流した。
ETフィルム面を導電膜上に置き、正弦波発振器にて2
枚の銅板間に正弦波電圧を印加し、銅板−PETフィル
ムーITO被膜間に形成される静電容量を介してITO
被膜に交流電流を流した。
【0093】この交流電流により金属被膜抵抗に発生す
る高周波交流電圧の電圧値をデジタルオシロスコープに
より実効値に変換し、この実効値をA/D変換ボードに
てデジタルデータに変換し、このデジタルデータおよび
[式1]を用いパソコンにて表面抵抗値を算出した。
る高周波交流電圧の電圧値をデジタルオシロスコープに
より実効値に変換し、この実効値をA/D変換ボードに
てデジタルデータに変換し、このデジタルデータおよび
[式1]を用いパソコンにて表面抵抗値を算出した。
【0094】本実施例による表面抵抗値測定結果を図4
に示す。また、前記JIS K7194規格の4探針法
による表面抵抗値測定結果も同時に図4に示す。
に示す。また、前記JIS K7194規格の4探針法
による表面抵抗値測定結果も同時に図4に示す。
【0095】この結果、本実施例により測定した表面抵
抗値はJIS K7194規格の4探針法により測定し
た表面抵抗値と相関係数0.99以上で一致した。
抗値はJIS K7194規格の4探針法により測定し
た表面抵抗値と相関係数0.99以上で一致した。
【0096】この電極ヘッドは電極間隔を任意の位置で
固定したり、異なった大きさの電極を取り付けることが
できるため、被測定部の面積を任意に調節することがで
きる。
固定したり、異なった大きさの電極を取り付けることが
できるため、被測定部の面積を任意に調節することがで
きる。
【0097】また、この電極ヘッドを生産のラインに設
置し、連続的に流れているフィルムをこの下、または上
に滑らせながら測定することで、オンラインで連続測定
ができる。
置し、連続的に流れているフィルムをこの下、または上
に滑らせながら測定することで、オンラインで連続測定
ができる。
【図1】表面抵抗測定装置の概略斜視図
【図2】表面抵抗測定装置の等価回路図
【図3】導電膜の被測定部を示す斜視図
【図4】表面抵抗測定装置の実施例の実験結果を示す図
2 導電膜 3a 第1電極 3b 第2電極 4 支持部材 7 電流電圧変換器 8 交流直流変換器 9 A/D変換器 10 演算器 18 表面抵抗算出手段
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 藤田 浩 滋賀県大津市堅田二丁目1番1号 東洋紡 績株式会社総合研究所内 Fターム(参考) 2G028 AA02 AA04 BB20 BC02 CG02 DH04 EJ10 FK01 FK02 GL07 HM06 HM08 HN01 HN08 HN13 HN14
Claims (6)
- 【請求項1】 導電膜に設定間隔を空けて対向させる第
1電極を支持部材に支持させ、前記第1電極が対向する
導電膜部分とは離れた導電膜部分に設定間隔を空けて対
向させる第2電極を前記支持部材に支持させて、前記第
1電極と第2電極との間に交流電圧を印加することで、
両電極が対向する前記導電膜に電流が流れるよう構成
し、前記導電膜に流れる電流に基づいて前記導電膜の表
面抵抗を算出する表面抵抗算出手段を設けてある表面抵
抗測定装置。 - 【請求項2】 前記第1電極と第2電極とが並ぶ方向に
直交する方向で、かつ、前記導電膜の膜面に沿う方向の
第1及び第2電極の長さを変更調節可能に構成してある
請求項1記載の表面抵抗測定装置。 - 【請求項3】 前記表面抵抗算出手段は、前記導電膜に
流れる交流電流を検出するとともに、その検出した交流
電流を交流電圧に変換する電流電圧変換器と、前記電流
電圧変換器で変換した交流電圧をアナログ直流電圧に変
換する交流直流変換器と、前記交流直流変換器で変換し
たアナログ直流電圧をデジタル信号に変換するA/D変
換器と、前記A/D変換器で変換したデジタル信号に基
づいて前記導電膜の表面抵抗を算出する演算器とを設け
て構成してある請求項1又は2に記載の表面抵抗測定装
置。 - 【請求項4】 前記電流電圧変換器は、前記第1電極又
は第2電極に接続された電気抵抗である請求項3に記載
の表面抵抗測定装置。 - 【請求項5】 前記第1電極と導電膜との間隔、及び前
記第2電極と導電膜との間隔を一定値に固定する固定手
段を設けてある請求項1,2,3,4のいずれか一つに
記載の表面抵抗測定装置。 - 【請求項6】 前記固定手段を、前記第1電極と導電膜
との間、及び前記第2電極と導電膜との間にそれぞれ介
在させる絶縁スペーサーで構成してある請求項5に記載
の表面抵抗測定装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11030802A JP2000230949A (ja) | 1999-02-09 | 1999-02-09 | 表面抵抗測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11030802A JP2000230949A (ja) | 1999-02-09 | 1999-02-09 | 表面抵抗測定装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000230949A true JP2000230949A (ja) | 2000-08-22 |
Family
ID=12313821
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11030802A Pending JP2000230949A (ja) | 1999-02-09 | 1999-02-09 | 表面抵抗測定装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2000230949A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016178079A (ja) * | 2015-03-19 | 2016-10-06 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | プロトン伝導度測定方法およびプロトン伝導度測定装置 |
CN106771614A (zh) * | 2016-11-23 | 2017-05-31 | 奕瑞影像科技(太仓)有限公司 | 一种平板探测器电阻测试治具 |
KR20190086676A (ko) * | 2016-12-02 | 2019-07-23 | 크라우스마파이 베르스토르프 게엠베하 | 트레드를 제조하기 위한 방법 및 트레드 제조 디바이스 |
-
1999
- 1999-02-09 JP JP11030802A patent/JP2000230949A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016178079A (ja) * | 2015-03-19 | 2016-10-06 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | プロトン伝導度測定方法およびプロトン伝導度測定装置 |
CN106771614A (zh) * | 2016-11-23 | 2017-05-31 | 奕瑞影像科技(太仓)有限公司 | 一种平板探测器电阻测试治具 |
CN106771614B (zh) * | 2016-11-23 | 2019-06-21 | 奕瑞影像科技(太仓)有限公司 | 一种平板探测器电阻测试治具 |
KR20190086676A (ko) * | 2016-12-02 | 2019-07-23 | 크라우스마파이 베르스토르프 게엠베하 | 트레드를 제조하기 위한 방법 및 트레드 제조 디바이스 |
KR102352731B1 (ko) * | 2016-12-02 | 2022-01-17 | 크라우스마파이 익스트루전 게엠베하 | 트레드를 제조하기 위한 방법 및 트레드 제조 디바이스 |
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