JP2000223766A

JP2000223766A - レーザー加工装置およびレーザー加工方法

Info

Publication number: JP2000223766A
Application number: JP11027311A
Authority: JP
Inventors: Atsushi Amako; 淳尼子; Kazunari Umetsu; 一成梅津
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 1999-02-04
Filing date: 1999-02-04
Publication date: 2000-08-11

Abstract

(57)【要約】【課題】簡易な構成によりレーザー光の焦点位置の移
動，集光スポットの形状およびレーザー光の振れ幅の制
御を行うことのできるレーザー加工装置およびレーザー
加工方法を提供する。【解決手段】レーザー光（Ｌ１〜Ｌ５）を出射する光
源と、前記レーザー光を変調する変調手段とを少なくと
も有してなるレーザー加工装置において、前記変調手段
は、一対の基板（２０，２１）間に液晶（２２）が挟持
されてなる液晶パネル（２）で構成され、前記液晶の分
子の配列状態により前記レーザー光を変調するようにし
た。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、集光されたレーザ
ー光を試料に照射して試料を加工するレーザー加工装置
およびレーザー加工方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来において、シリコンやサファイア等
の試料に穴をあける加工を行う場合に、レーザー加工装
置が用いられている。

【０００３】このレーザー加工装置は、例えばＹＡＧレ
ーザー発振器等をレーザー光源とするレーザー光を光学
系により集光し、そのレーザー光を上記試料に照射し
て、微小面積に高密度のエネルギーを投入して材料を溶
融または蒸発させて穴をあけるものである。

【０００４】ところで、レーザー加工装置による穴あけ
加工を行う場合において、穴が徐々に深く形成されるに
したがって、レーザー光と加工する材料との接点（加工
点）の位置が変わってくるため、その焦点位置を加工時
間の経過にしたがって変化させる手段が必要である。

【０００５】また、試料の種類や、あける穴の形状等に
応じてレーザー光の集光スポットのパターンを代える必
要もある。

【０００６】従来のレーザー加工装置では、上記の焦点
位置の変化に追従させる手段として、例えばレンズ群で
構成される光学系に係合するピエゾ素子を駆動源とする
アクチュエータを用い、光学系自体を微小距離移動させ
て焦点位置を変えたり、あるいは試料を載置するステー
ジ自体を移動させることにより焦点位置を変えていた。

【０００７】また、集光スポットのパターンについて
は、所定のパターンを形成した複数種類のフィルタを用
意して、必要に応じてそのフィルタを付け替えることに
より対応していた。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ようにピエゾ素子を駆動源とするアクチュエータを用い
る構成では、ピエゾ素子の特性から光学系の移動距離が
不十分であり、焦点位置の変化に十分に対応することが
できず、穴を十分に深くできないという問題があった。

【０００９】例えば、サファイアを試料として用いた場
合において、レーザー光の照射回数と加工穴の深さには
図７の（ａ）のグラフに示すような関係がある。このグ
ラフから分かるように、レーザー光の照射回数は４０〜
５０回程度で穴の深さが頭打ちとなり、５０〜１００回
と行っても穴の深さは３ｍｍ以上にはできなかった（図
７の（ｂ）参照）。

【００１０】この状態を打開して穴をより深くあけるた
めには、レーザー光の焦点位置をより深い位置に移動さ
せる必要があるが、従来のピエゾ素子を駆動源とするア
クチュエータでは、そのような比較的距離の長い光学系
の移動は困難であった。ピエゾ素子（圧電素子）に電圧
を印加して得られる移動距離はミクロン単位の微細なも
のだからである。

【００１１】また、光学系を移動させるための機構が複
雑となり製造コストが嵩むという難点もあった。

【００１２】また、従来のように焦点位置を変えるため
に、光学系または試料を載せたステージの何れかを機械
的に移動させる場合にも、光学系やステージに加速減速
を生じるため焦点位置制御の精度が低くなるという問題
がある。従って、穴の断面形状が不均一になり、同一規
格の穴を正確にあけることができないという問題があっ
た。

【００１３】さらに、集光スポットのパターンを連続的
に変化させる場合には、フィルタを交換するという手法
では対応しきれないという問題があった。

【００１４】本発明は、上記問題点を解決すべく案出さ
れたものであり、レーザー光の焦点位置の移動，集光ス
ポットの形状およびレーザー光の振れ幅の制御を行うこ
とのできるレーザー加工装置およびレーザー加工方法を
提供することを主な目的とする。

【００１５】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係るレーザー加工装置は、レーザー光を出
射する光源と、前記レーザー光を変調する変調手段とを
少なくとも有してなるレーザー加工装置において、前記
変調手段は、一対の基板間に液晶が挟持されてなる液晶
パネルで構成され、前記液晶の分子の配列状態により前
記レーザー光を変調するようにしたものである。

【００１６】これによれば、従来のような機械的な制御
を必要とせず、液晶パネルに印加する信号（データ）に
よりレーザー光を変調することが出来る。したがって、
距離の長い光学系の移動は困難なピエゾ素子による機械
的駆動部を設けることなくレーザー光を変調することが
できる。

【００１７】また、液晶パネルに印加する信号（デー
タ）を変えることにより、焦点の制御、スポットの形状
などの制御も容易に出来る。したがって、これらの焦点
の制御、スポットの形状などの制御を適宜組み合わせる
ことによりレーザー加工の自由度を高めることができ、
より深い穴をあけることが可能になる。

【００１８】即ち、機械的な力を加えることなく液晶パ
ネルによりレーザー光を変調することにより正確に制御
することができるため、焦点位置を最適に制御すること
により穴をより深くあけることができる。

【００１９】なお、前記液晶パネルは、入力される光変
調データに基づいて前記液晶の分子の配列状態を変化さ
せ、入射したレーザー光を変調して出射させるようにす
ることができる。したがって、液晶の分子の配列状態に
応じてレーザー光の種々の変調を容易に行うことができ
る。

【００２０】また、上記光変調データは、位相変調関数
に基づくデータ、フレネルゾーンプレート状の位相分布
に基づくデータ、あるいはマイクロプリズム状の位相分
布に基づくデータとすることができる。これにより、レ
ーザー加工時の必要に応じてレーザー光の多様な変調を
行うことができる。

【００２１】なお、上記光源は、Ｎｄ：ＹＡＧレーザー
発振器あるいはＣＯ_２レーザー発振器とすることができ
る。これにより、高エネルギーのレーザー光を得ること
ができる。

【００２２】また、他の発明に係るレーザー加工方法
は、レーザー光を出射する光源と、前記レーザー光を変
調する変調手段とを少なくとも有してなり、前記変調手
段によって変調されたレーザー光により試料を加工する
レーザー加工方法において、前記変調手段は一対の基板
間に液晶が挟持されてなる液晶パネルで構成され、前記
液晶パネルに印加する信号に基づいて前記液晶パネルに
挟持されてなる液晶の分子の配列状態を変化させ、前記
液晶パネルに入射した前記レーザー光を前記液晶の配列
状態により変調して出射させるようにしたものである。

【００２３】この方法によれば、レーザー光の焦点位
置，集光スポットの形状およびレーザー光の振れ幅を機
械的な力を加えることなく正確に制御することができる
ため、焦点位置を最適に制御することにより穴をより深
くあけることができ、また、焦点位置の移動に伴う物理
的な加速減速がないため、焦点位置制御の精度を高める
ことができ、穴の断面形状の均一性を向上させることが
できる。

【００２４】

【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施形態を
図面に基づいて説明する。

【００２５】ここに、図１は実施形態に係るレーザー加
工装置の概略構成を示す概略説明図である。

【００２６】図１において、レーザー加工装置Ｓは、図
示しないレーザー光源としてのＮｄ：ＹＡＧレーザー発
振器あるいはＣＯ_２レーザー発振器と、当該レーザー発
振器から出射されたレーザー光Ｌ１を透過させる波長板
１，液晶空間光変調器（ＬＣＳＬＭ）を構成する液晶パ
ネル２，液晶パネル２を透過したレーザー光Ｌ２を集光
する集光レンズ３から構成されている。液晶パネルは入
射した光を位相変調をすることができる液晶パネルであ
る。

【００２７】概略上記のような構成のレーザー加工装置
Ｓにおいて、液晶パネル２に屈折率ーが正となるレンズ
作用を示すパターンに基づくデータを入力した場合に
は、液晶パネル２は、図１の（ａ）に示す集光レンズＡ
１と同等の機能を果たす。すなわち、液晶パネルに形成
された電極に印加されるデータに基づき、液晶パネルに
挟持される液晶分子が所定の方向に配列し、図１（ａ）
に示した集光レンズと同様の機能を持つこととなる。

【００２８】この場合、集光レンズＡ１として機能する
液晶パネル２を透過するレーザー光Ｌ１は、ある程度収
束されたレーザー光Ｌ２に変換され集光レンズ３に入射
する。レーザー光Ｌ２は、集光レンズ３で収束されたレ
ーザー光Ｌ３となって、集光レンズ３単体に平行光線を
入射させた場合の焦点距離Ｆ２よりも短い焦点距離Ｆ１
に焦点を結ぶようになる。

【００２９】また、液晶空間光変調器としての液晶パネ
ル２に屈折率が負となるレンズ作用を示すパターンに基
づくデータを入力した場合には、液晶パネル２は、図１
の（ｂ）に示す拡散レンズＡ２と同等の機能を果たす。
つまり、液晶パネルに印加されるデータにより液晶分子
の配列方向を変え、拡散レンズＡ２と同様な効果を持た
せる。印加するデータは、先に示した集光レンズＡ１の
ような機能をもたらすためのデータとは異なるデータで
ある。

【００３０】この場合、拡散レンズＡ２として機能する
液晶パネル２を透過するレーザー光Ｌ１は、光束がある
程度拡散されたレーザー光Ｌ４とされて集光レンズ３に
入射する。レーザー光Ｌ４は、集光レンズ３で収束され
たレーザー光Ｌ５となって、集光レンズ３単体に平行光
線を入射させた場合の焦点距離Ｆ２よりも長い焦点距離
Ｆ３に焦点を結ぶようになる。

【００３１】ここで、焦点距離Ｆ１，Ｆ２，Ｆ３の関係
を示す。

【００３２】各焦点距離Ｆ１，Ｆ２，Ｆ３の関係は以下
の式（１），（２）で表される。

【００３３】Ｆ１＝｛ｆ／（ｆ＋Ｆ２）｝Ｆ２＜Ｆ２・・・・式（１）Ｆ３＝｛ｆ／（ｆ−Ｆ２）｝Ｆ２＞Ｆ２・・・・式（２）ただし、ｆは液晶パネル２でパターン化して表示したレ
ンズの焦点距離であり、当該ｆは以下の式（３）の条件
を満足しなければならない。

【００３４】ｆ＞ＮＰ²／λ ・・・・式（３）ただし、Ｎはレンズを表示するために用いる液晶パネル
の画素数，Ｐは液晶パネルの画素寸法，λはレーザー波
長である。

【００３５】具体的な実施例として、Ｎ＝１００，Ｐ＝
１００μｍ，λ＝１，０６４μｍ（Ｎｄ：ＹＡＧ基本
波）の場合を示す。

【００３６】この場合、上記式（３）から、ｆ＞ＮＰ²
／λ≒９４０ｍｍＦ２＝１００ｍｍ，Ｆ３＝１０００ｍｍとすると、上記
式（１），（２）から、Ｆ１＝９０．９ｍｍ，Ｆ３＝１
１１．１ｍｍとなる。

【００３７】よって、焦点距離の可変範囲は、９０．９
ｍｍ＜Ｆ＜１１１．１ｍｍとなり、±１０ｍｍを得るこ
とができる。

【００３８】このように、液晶パネル２に入力されるパ
ターンデータによって、実質的にレーザー光Ｌ１の焦点
距離を例えばＦ１からＦ３の範囲で比較的大きく変化さ
せることができる。

【００３９】したがって、本実施形態に係るレーザー加
工装置Ｓによって、シリコンやサファイアなどの試料に
穴をあけるようなレーザー加工を施す際に、液晶パネル
に印加するデータに基づいてり液晶分子の配列状態を制
御することにより、穴のあき具合に応じてレーザー光の
焦点距離を長くすることができ、所望深さの穴を形成す
ることができる。

【００４０】しかも、焦点距離の可変範囲（Ｆ１〜Ｆ
３）は、従来のピエゾ素子を駆動源とするアクチュエー
タで光学系を移動させていた場合、すなわち機械的な制
御により焦点距離を制御していた場合よりも焦点距離を
広くすることができる。つまり、従来の機械的な制御に
より焦点距離を変えていたとき、１００ミクロン程度の
範囲の制御しかできなかったのに対し、本発明のレーザ
ー加工装置を用いることによって容易に２０ｍｍ程度ま
で焦点距離を広げることができ、加工範囲の自由度が高
まり、より深い穴をあけることが可能である。

【００４１】さらに、本実施形態に係るレーザー加工装
置Ｓによれば、従来のように機械的な可動部がないの
で、光学系やテーブルなどの移動に加速減速がなく、焦
点位置制御を高精度で行うことができ、穴の断面形状を
均一にして、同一規格の穴を歩留まりよくあけることも
可能となる。

【００４２】ここで、図２を参照して、デジタル形の液
晶空間光変調器としての液晶パネル２の構成の概略を簡
単に説明する。

【００４３】図２の（ａ）は、液晶パネル２の概略断面
図、（ｂ）はその平面図である。

【００４４】図２において、符号２０，２１は一対の対
向するガラス基板であり、ガラス基板２０，２１の間に
液晶２２を挟持する構成となっており、液晶パネル２の
端部はスペーサ３０によって封止されている。

【００４５】ガラス基板２０の液晶側の表面には、電
極、配向膜がそれぞれ積層されて形成されている。

【００４６】また、他方のガラス基板２１の液晶側の表
面には、電極、そして配向膜が積層状態で形成されてい
る。

【００４７】液晶２２はネマチック液晶を用い、液晶分
子がほぼ平行に配列した構成を有する。

【００４８】次に、具体的なパターンデータの例を図
３，図４を参照して説明する。

【００４９】図３，図４は、それぞれパターンデータの
位相分布の平面イメージ図（ａ）および断面位相分布グ
ラフ（ｂ）を示している。

【００５０】まず、図３に示す例は、フレネルゾーンプ
レート状の位相分布である。

【００５１】このフレネルゾーンプレート状の位相分布
は、図３（ａ）に示すような同心円状のパターンであ
り、液晶パネルＰにフレネルレンズと同等の光学特性を
付与するものである。

【００５２】フレネルゾーンプレート状の位相分布に相
当するデジタルデータＤＤ１は、図３（ａ）のＡ−Ａ’
の断面位相分布を示す図３（ｂ）にあるように、フレネ
ルゾーンプレート状の位相分布の起伏を連続的に示すア
ナログデータＡＤ１を例えば４レベルで量子化すること
により得られる。なお、位相の量子化数は上記４レベル
に限られるものでなく、８，１６，３２レベル等で量子
化することが可能である。

【００５３】かかるフレネルゾーンプレート状の位相分
布に相当するデジタルデータＤＤ１が、上記デジタル形
の液晶空間光変調器としての液晶パネル２に入力される
と、液晶パネル２には図３（ａ）に示すような同心円状
のパターンが表され、フレネルレンズ（結像素子）と同
等の光学特性により、この液晶パネル２を通過するレー
ザー光を収束させたり、拡散させたりすることができ
る。

【００５４】なお、フレネルゾーンプレート状の位相分
布の間隔、即ち同心円状のパターンの間隔は入力するデ
ジタルデータを変更するだけで簡単に行うことができ、
これによりレーザー光の焦点位置を自在に移動させるこ
とが可能となる。

【００５５】また、図４に示す例は、マイクロプリズム
状の位相分布である。

【００５６】このマイクロプリズム状の位相分布は、図
４（ａ）に示すようなすだれ状のパターンであり、液晶
パネル２に微細なプリズム列と同等の光学特性を付与す
るものである。

【００５７】マイクロプリズム状の位相分布に相当する
デジタルデータＤＤ２は、図４（ａ）のＢ−Ｂ’の断面
位相分布を示す図４（ｂ）にあるように、マイクロプリ
ズム状の位相分布の起伏を連続的に示すアナログデータ
ＡＤ２を例えば４レベルで量子化することにより得られ
る。なお、位相の量子化数は上記４レベルに限られるも
のでなく、８，１６，３２レベル等で量子化することが
可能である。

【００５８】かかるマイクロプリズム状の位相分布に相
当するデジタルデータＤＤ２が、上記デジタル形の液晶
空間光変調器としての液晶パネル２に入力されると、液
晶パネル２には図４（ａ）に示すようなすだれ状のプリ
ズム列のパターンが表され、その光学特性により、この
液晶パネル２を通過するレーザー光の出射方向を変える
ことができる。

【００５９】なお、なすだれ状のプリズム列のパターン
の間隔や、パターンの向きは入力するデジタルデータを
変更するだけで簡単に行うことができ、これによりレー
ザー光の出射角度や方向を自在に制御することができ
る。

【００６０】そして、以上説明したフレネルゾーンプレ
ート状の位相分布に相当するデジタルデータＤＤ１や、
マイクロプリズム状の位相分布に相当するデジタルデー
タＤＤ２を適宜組み合わせて時系列的に液晶空間光変調
器としての液晶パネル２に入力することにより、本実施
形態に係るレーザー加工装置Ｓは、シリコンやサファイ
ア等の試料に所望の口径および深さの穴を正確かつ効率
良くあけることができる。

【００６１】図５は、本実施形態に係るレーザー加工装
置Ｓによって、シリコンに穴をあけた場合のレーザー光
照射回数と穴の断面形状の関係を示す例である。

【００６２】これによれば、従来のレーザー加工装置で
は図６の（ｂ）に示したように、レーザー光の照射回数
が４０回程度で穴の深さが止まってしまい照射回数を増
やしても飽和状態となっていたが、本実施形態によれば
照射回数を５０回，６０回と増やすにつれて穴の深さを
増加させることができた。

【００６３】これは、上述のように液晶空間光変調器と
しての液晶パネル２に入力するデータを適宜変えて、レ
ーザー光の焦点位置や照射方向（レーザー光の振れ幅）
の制御を最適化することにより、従来のレーザー加工装
置による穴の深さの限界を超えた穴あけ加工の可能性を
示している。

【００６４】なお、液晶空間光変調器としての液晶パネ
ル２に入力されるパターンデータは、上記のようなフレ
ネルゾーンプレート状の位相分布や、マイクロプリズム
状の位相分布に相当するパターンに限定されるものでは
なく、従来の光学系を液晶表示のパターンで代替するこ
とのできるものであれば、対応する位相変調関数などの
データを作成しそのデータを液晶パネルに入力すること
により何れにも対応させることが可能である。

【００６５】また、本発明に係るレーザー加工装置の構
成は上記実施形態に限定されるものでない。

【００６６】即ち。例えば、図６に示すような構成とす
ることもできる。

【００６７】ここに図６は、他の実施形態に係るレーザ
ー加工装置の他の構成例を示す説明図であるが、前出の
図１と同一の構成については同一符号を付して詳細な説
明は省略する。

【００６８】図６において、液晶空間光変調器としての
液晶パネル２の上方には偏光板５０が配置され、液晶パ
ネル２の下方には１／４波長板５１が配置される構成と
なっている。

【００６９】このような構成によれば、液晶空間光変調
器としての液晶パネル２の上方および下方に配設された
上記偏光板５０と１／４波長板５１の働きにより、光源
から発せられたレーザー光Ｌ１の偏光状態を直線偏光か
ら円偏光（若しくは楕円偏光）へ変えることができ、よ
り均一な形状のレーザー加工を行うことができるように
なる。

【００７０】なお、液晶パネル２に入力するデジタルデ
ータを変更することにより、照射パターンや焦点距離を
適宜変更したレーザー光Ｌ７を試料に照射できる特徴は
上記実施形態と同じである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本実施形態に係るレーザー加工装置の概略構成
を示す説明図である。

【図２】本実施形態に係るレーザー加工装置に用いられ
る液晶空間光変調器としての液晶パネルの概略構成を示
す断面図および平面図である。

【図３】液晶パネルに入力されるパターンデータの位相
分布の平面イメージ図および断面位相分布グラフであ
る。

【図４】液晶パネルに入力されるパターンデータの位相
分布の平面イメージ図および断面位相分布グラフであ
る。

【図５】本実施形態に係るレーザー加工装置による穴あ
け加工におけるレーザー光照射回数と穴の断面形状の関
係を示す穴の断面図である。

【図６】本実施形態に係るレーザー加工装置の他の構成
例を示す説明図である。

【図７】従来のレーザー加工装置による穴あけ加工にお
けるレーザー光照射回数と穴の断面形状の関係を示すグ
ラフおよび穴の断面図である。

【符号の説明】

Ｓレーザー加工装置Ｌ１〜Ｌ５レーザー光１波長板２液晶パネル（液晶空間光変調器）３集光レンズＡ１集光レンズＡ２拡散レンズＦ１〜Ｆ３焦点２０ガラス基板２１ガラス基板２２液晶２３Ｔｉマスク２４ＳｉＯ₂膜２５Ｉｎ₂Ｏ₃電極２６ランダム位相板２７ＳｉＯ₂膜２８Ｉｎ₂Ｏ₃電極３０スペーサＡＤ１，ＡＤ２アナログデータＤＤ１，ＤＤ２デジタルデータ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 2H088 EA42 EA47 HA17 HA18 HA24 HA28 JA04 MA16 4E068 CA07 CA11 CD05 CD08 CK01 5F072 AA05 AB02 JJ02 JJ05 KK30 MM03 MM09 YY06

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】レーザー光を出射する光源と、前記レー
ザー光を変調する変調手段とを少なくとも有してなるレ
ーザー加工装置において、前記変調手段は、一対の基板間に液晶が挟持されてなる
液晶パネルで構成され、前記液晶の分子の配列状態によ
り前記レーザー光を変調することを特徴とするレーザー
加工装置。
【請求項２】前記液晶パネルは、前記レーザー光の焦
点位置を変化させる機能を有することを特徴とする請求
項１記載のレーザー加工装置。
【請求項３】前記液晶パネルは、前記レーザー光の集
光スポットの形状を変化させる機能を有することを特徴
とする請求項１または請求項２に記載のレーザー加工装
置。
【請求項４】前記液晶パネルは、前記レーザー光の振
れ幅を制御する機能を有してなることを特徴とする請求
項１から請求項３の何れかに記載のレーザー加工装置。
【請求項５】前記液晶パネルは、入力される光変調デ
ータに基づいて前記液晶の分子の配列状態を変化させ、
入射したレーザー光を変調して出射させることを特徴と
する請求項１から請求項４の何れかに記載のレーザー加
工装置。
【請求項６】上記光変調データは、位相変調関数に基
づくデータであることを特徴とする請求項５記載のレー
ザー加工装置。
【請求項７】上記光変調データは、フレネルゾーンプ
レート状の位相分布に基づくデータであることを特徴と
する請求項５記載のレーザー加工装置。
【請求項８】上記光変調データは、マイクロプリズム
状の位相分布に基づくデータであることを特徴とする請
求項５記載のレーザー加工装置。
【請求項９】上記光源は、Ｎｄ：ＹＡＧレーザー発振
器あるいはＣＯ_２レーザー発振器であることを特徴とす
る請求項１から請求項８の何れかに記載のレーザー加工
装置。
【請求項１０】レーザー光を出射する光源と、前記レ
ーザー光を変調する変調手段とを少なくとも有してな
り、前記変調手段によって変調されたレーザー光により
試料を加工するレーザー加工方法において、前記変調手段は一対の基板間に液晶が挟持されてなる液
晶パネルで構成され、前記液晶パネルに印加する信号に
基づいて前記液晶パネルに挟持されてなる液晶の分子の
配列状態を変化させ、前記液晶パネルに入射した前記レ
ーザー光を前記液晶の配列状態により変調して出射させ
ることを特徴とするレーザー加工方法。
【請求項１１】前記液晶パネルに印加する信号に基づ
いて、上記レーザー光の焦点を変化させることを特徴と
する請求項１０記載のレーザー加工方法。
【請求項１２】前記液晶パネルに印加する信号に基づ
いて、前記レーザー光の集光スポットの形状を変化させ
ることを特徴とする請求項１０記載のレーザー加工方
法。
【請求項１３】前記液晶パネルに印加する信号に基づ
いて、前記レーザー光の振れ幅を制御してなることを特
徴する請求項１０記載のレーザー加工方法。
【請求項１４】上記信号は、位相変調関数に基づくデ
ータであることを特徴とする請求項１０から請求項１３
の何れかに記載のレーザー加工方法。
【請求項１５】上記信号は、フレネルゾーンプレート
状の位相分布に基づくデータであることを特徴とする請
求項１０から請求項１３の何れかに記載のレーザー加工
方法。
【請求項１６】上記信号は、マイクロプリズム状の位
相分布に基づくデータであることを特徴とする請求項１
０から請求項１３の何れかに記載のレーザー加工方法。
【請求項１７】上記光源は、Ｎｄ：ＹＡＧレーザー発
振器あるいはＣＯ_２レーザー発振器であることを特徴と
する請求項１０から請求項１６の何れかに記載のレーザ
ー加工方法。