JP2000223748A - Ledランプおよびその製造方法 - Google Patents

Ledランプおよびその製造方法

Info

Publication number
JP2000223748A
JP2000223748A JP11018595A JP1859599A JP2000223748A JP 2000223748 A JP2000223748 A JP 2000223748A JP 11018595 A JP11018595 A JP 11018595A JP 1859599 A JP1859599 A JP 1859599A JP 2000223748 A JP2000223748 A JP 2000223748A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
case
led lamp
resin member
manufacturing
forming
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP11018595A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4322987B2 (ja
Inventor
Tadashi Nomura
直史 野村
Yasumasa Morita
康正 森田
Susumu Takeda
進 武田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Stanley Electric Co Ltd
Original Assignee
Stanley Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Stanley Electric Co Ltd filed Critical Stanley Electric Co Ltd
Priority to JP01859599A priority Critical patent/JP4322987B2/ja
Publication of JP2000223748A publication Critical patent/JP2000223748A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4322987B2 publication Critical patent/JP4322987B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 従来のこの種のLEDランプの製造方法では
インナーケース中に波長変換剤を分散させようと言うも
のであったので、樹脂の硬化までに沈降を生じるなど分
散の不均一を生じて色ムラの要因となっていた。 【解決手段】 本発明により、ケースの製造工程は、イ
ンナーケース6を形成する一次ケース成型工程と、アウ
ターケース7を形成する二次ケース成型工程とで成り、
一次ケース成型工程はLEDチップ4をリードフレーム
2、3側が上方となるように金型10中に保持し、金型
10中に波長変換剤6bが沈降するに充分な硬化時間を
有する樹脂部材6aに波長変換剤6bを混和してモール
ドを行い、その後にインナーケース6を覆うアウターケ
ース7を形成する工程を行うLEDランプの製造方法と
し、波長変換剤6bを樹脂部材中で沈降させ変換層6c
を形成することで、均一の層厚のものの作成を可能とし
課題を解決する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はLEDランプに関す
るものであり、詳細には、紫外発光などとしたLEDチ
ップが採用されると共に、ケースには蛍光体などの波長
変換剤が混和され、これにより発光色を白色など複合ス
ペクトルとして演色性を向上させたLEDランプに係る
ものである。
【0002】
【従来の技術】従来のこの種のLEDランプ90の製造
方法の例を示すものが図4であり、チップマウント側の
リードフレーム91の反射カップ91a中に導電性接着
剤による接着など適宜な方法により、紫外発光などとし
たLEDチップ93のマウントを行い、更に配線側のリ
ードフレーム92と前記LEDチップ93とを金ワイヤ
ー94などで配線を行う。
【0003】そして、前記反射カップ91aにYAG蛍
光体などの波長変換剤95bを混和し均一に分散した樹
脂部材95を滴下などで注入し、この樹脂部材95aに
より形成されたインナーケース95が硬化した後に透明
樹脂96aでアウターケース96の成型を行うものであ
る。このようにしたことで、LEDチップ93から放出
される光は全てが樹脂部材95a中を通過するものとな
るので、例えば白色光などに変換されるものとなる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記し
た従来の製造方法においては、インナーケース95を形
成するための樹脂部材95aと混和される波長変換剤9
5bとには相当の比重差があるので、樹脂部材95aが
硬化するまでに波長変換剤95bの沈降を生じ、結果と
して変換効率が低下する問題点を生じている。
【0005】また、樹脂部材95aの硬化速度も、硬化
剤の混合比、周囲温度などにより変化するものであるの
で、例えば生産ロットなどにより波長変換剤95bの沈
降度合いが異なり、製品にバラツキを生じるものとなる
と言う品質上の問題点も生じるものと成っている。
【0006】更に、前記波長変換剤95bの沈降速度を
減少させようと図るときには、前記インナーケース95
を形成するための樹脂部材95aとしてはシリコン樹脂
などアウターケース96を形成する樹脂部材96a(代
表的にはエポキシ樹脂)とは異なる部材を採用せざるを
得ないものとなる。
【0007】このことは、両樹脂部材95a、96a間
に熱膨張計数の差などを生じるものとなり、製品として
使用中に自己発熱や環境条件の変化により温度変化が生
じると両樹脂部材95a、96aの合わせ目でストレス
を生じ、この合わせ目の近傍に存在する金ワイヤー94
の断線に至り、信頼性を損じるものとなる問題点を生じ
ている。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明は前記した従来の
課題を解決するための具体的な手段として、ケースを構
成する樹脂部材に波長変換剤が混和されて成るLEDラ
ンプの製造方法において、前記ケースの製造工程は、イ
ンナーケースを形成する一次ケース成型工程と、アウタ
ーケースを形成する二次ケース成型工程とで成り、前記
一次ケース成型工程は、LEDチップをリードフレーム
側が上方となるように金型中に保持し、前記金型中に波
長変換剤が沈降するに充分な硬化時間を有する樹脂部材
に波長変換剤を混和してトランスファーモールドを行
い、しかる後にインナーケースを覆うアウターケースを
形成する二次ケース成型工程を波長変換剤が混和されて
いない樹脂部材で行うことを特徴とするLEDランプの
製造方法を提供することで課題を解決するものである。
【0009】
【発明の実施の形態】つぎに、本発明を図に示す実施形
態に基づいて詳細に説明する。図1〜図2に示すものは
本発明に係るLEDランプ1の製造方法を工程の順に示
すものであり、図1に示す第一工程では、チップマウン
ト側のリードフレーム2の反射カップ2a中に導電性接
着剤による接着など適宜な方法により、紫外発光などの
LEDチップ4のマウントを行い、更に配線側のリード
フレーム3と前記LEDチップ4とを金ワイヤー5など
で配線を行う点は従来例のものと同様である。
【0010】また本発明においても、上記LEDチップ
4を覆ってインナーケース6を形成するものである点も
従来例と同様であるが、本発明においては、図1に示す
ように一次ケース成型工程は、チップマウント側のリー
ドフレーム2の反射カップ2a中に設けるものではな
く、前記リードフレーム2、3の先端部分を含む略筒状
またはドーム状などとして形成される。
【0011】また、本発明では前記インナーケース6を
形成するに当たり、金型10に前記リードフレーム2、
3の側が上方となるように保持するものであり、即ち、
LEDチップ4においては、発光方向が下向きとなる状
態で保持される。そして、この状態で波長変化剤6bを
混和した樹脂部材6aが金型10中に注入されるものと
なる。
【0012】加えて、本発明においては樹脂部材6aの
硬化時間も留意するものであり、従来は樹脂部材6a中
で波長変換剤6bを如何にして沈降させないようにする
かに留意していたが、本発明では逆に沈降を生じさせる
ことを目的として硬化を行わせるものである。
【0013】具体的には、もともと樹脂部材6aと波長
変換剤6bとには大きな比重差があるので、例えば、樹
脂部材6aの粘度を低く設定する、あるいは、硬化時間
を長く設定するなどすれば、極めて簡便に、沈降した後
に硬化が行われるように設定することができる。
【0014】このようにすることで、本発明の製造方法
によればLEDチップ4の前面には膜状となる波長変換
剤6bによる変換層6cが形成されるものとなる。そし
て、その変換層6cの厚さは、金型10に注入を行った
ときの樹脂部材6aと波長変換剤6bとの混合比のみで
定まるものであるので、個別においても各素子間におい
ても均一とすることは容易である。
【0015】よって、本発明によれば樹脂部材6aの比
重などを考慮する必要はそれほどになく、極論を言えば
波長変換剤6bよりも比重が軽ければどのようなもので
も良く、当然に、従来からこの種のLEDランプ1のケ
ース形成用部材として採用されているエポキシ樹脂の採
用も可能となる。
【0016】図2は本発明に係るLEDランプ1の製造
方法の第二工程である二次ケース成型工程を示すもので
あり、この二次ケース成型工程においては、上記した一
次ケース成型工程によりインナーケース6が形成された
LEDチップ4の更に外側に透明なエポキシ樹脂とアウ
ターケース形成用金型11とによりアウターケース7が
形成される。
【0017】このときに、アウターケース7を形成する
樹脂部材7aには波長変換剤は混入されることはないの
で、成型方法などは従来例のLEDランプのケース成型
工程と同様なものでよい。また、この実施形態において
は樹脂部材7aはインナーケース6が形成されたものと
同じ部材、例えばエポキシ樹脂が採用されている。そし
て、上記の製造方法により得られるものが、図3に示す
本発明のLEDランプ1である。
【0018】次いで、上記の製造方法としたことによる
作用および効果について説明を行う。先ず第一には、本
発明により波長変換剤6bを沈降させることで層状の変
換層6cを形成するものとしたことで、上記にも説明し
たように樹脂部材6aと波長変換剤6bとの混合比のみ
を管理すれば、均一な厚みの変換層6cが得られるもの
となる。このことは、必要とされる量の波長変換剤6b
がLEDチップ4の光の通過路に存在するものと成り、
期待する充分な変換が行われると共に、色ムラなども生
じないものとなる。
【0019】また第二には、前記インナーケース6を形
成するための樹脂部材6aは比重などを考慮しなくて良
いものとなるので、アウターケース7と同部材の採用が
可能となる。従って、両者の屈折率など光学的特性を同
一とできるので、インナーケース6とアウターケース7
との接合部に屈折率の相違により反射を生じて性能と外
観を損なうなども解消できる。また、同一部材を採用で
きることは、熱膨張係数など機械的特性も整合できるの
で、使用途上で環境温度の変化を生じたときにも金ワイ
ヤー5の断線の発生などを防止できるものとなる。
【0020】
【発明の効果】以上に説明したように本発明により、ケ
ースの製造工程は、インナーケースを形成する一次ケー
ス成型工程と、アウターケースを形成する二次ケース成
型工程とで成り、前記一次ケース成型工程は、LEDチ
ップをリードフレーム側が上方となるように金型中に保
持し、前記金型中に波長変換剤が沈降するに充分な硬化
時間を有する樹脂部材に波長変換剤を混和してトランス
ファーモールドを行い、しかる後にインナーケースを覆
うアウターケースを形成する二次ケース成型工程を波長
変換剤が混和されていない樹脂部材で行うことを特徴と
するLEDランプの製造方法としたことで、第一には、
前記波長変換剤を樹脂部材中で沈降させ変換層を形成す
るものとしたことで、極めて均一の層厚のものの作成を
可能とし、もって、LEDランプの1個の単位において
も色ムラなどを生じないものとすると共に、ロット間で
も品質のバラツキを生じないものとして、この種のLE
Dランプの品質の向上に極めて優れた効果を奏するもの
である。
【0021】また第二には、上記の製造方法としたこと
で、インナーケースとアウターケースとを同一の樹脂部
材で形成することを可能とし、インナーケースとアウタ
ーケースとの光学的、機械的性質を合致させるものとし
て、境界面での反射、環境温度の変化による金ワイヤー
の断線、あるいは、LEDチップの破損を防止可能とし
て、この種のLEDランプの信頼性の向上にも極めて優
れた効果を奏するものとなる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明に係るLEDランプの製造方法の第一
工程を示す説明図である。
【図2】 同じく本発明に係るLEDランプの製造方法
の第二工程を示す説明図である。
【図3】 本発明に係るLEDランプの製造方法により
製造されたLEDランプを示す断面図である。
【図4】 従来例を示す断面図である。
【符号の説明】 1……LEDランプ 2、3……リードフレーム 4……LEDチップ 5……金ワイヤー 6……インナーケース 6a……樹脂部材 6b……波長変換剤 6c……変換層 7……アウターケース 10、11……金型
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 5F041 AA14 AA25 AA31 DA02 DA26 DA43 DA44 DA45 DA58 DA59 EE25

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ケースを構成する樹脂部材に波長変換剤
    が混和されて成るLEDランプの製造方法において、前
    記ケースの製造工程は、インナーケースを形成する一次
    ケース成型工程と、アウターケースを形成する二次ケー
    ス成型工程とで成り、前記一次ケース成型工程は、LE
    Dチップをリードフレーム側が上方となるように金型中
    に保持し、前記金型中に波長変換剤が沈降するに充分な
    硬化時間を有する樹脂部材に波長変換剤を混和してトラ
    ンスファーモールドを行い、しかる後にインナーケース
    を覆うアウターケースを形成する二次ケース成型工程を
    波長変換剤が混和されていない樹脂部材で行うことを特
    徴とするLEDランプの製造方法。
  2. 【請求項2】 前記一次ケース成型工程と二次ケース成
    型工程とで使用される樹脂部材が同一部材であることを
    特徴とする請求項1記載のLEDランプの製造方法。
  3. 【請求項3】 上記請求項1または請求項2に記載の製
    造方法で形成されることを特徴とするLEDランプ。
JP01859599A 1999-01-27 1999-01-27 Ledランプおよびその製造方法 Expired - Fee Related JP4322987B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP01859599A JP4322987B2 (ja) 1999-01-27 1999-01-27 Ledランプおよびその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP01859599A JP4322987B2 (ja) 1999-01-27 1999-01-27 Ledランプおよびその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2000223748A true JP2000223748A (ja) 2000-08-11
JP4322987B2 JP4322987B2 (ja) 2009-09-02

Family

ID=11976006

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP01859599A Expired - Fee Related JP4322987B2 (ja) 1999-01-27 1999-01-27 Ledランプおよびその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4322987B2 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002185046A (ja) * 2000-12-19 2002-06-28 Sharp Corp チップ部品型ledとその製造方法
WO2003056637A2 (de) * 2001-12-24 2003-07-10 G.L.I. Global Light Industries Gmbh Verfahren zum herstellen von lichtleitenden led-körpern in zwei räumlich und zeitlich getrennten stufen
JP2007027801A (ja) * 2006-11-01 2007-02-01 Sanyo Electric Co Ltd Led表示器及びその製造方法
JP2009026840A (ja) * 2007-07-18 2009-02-05 C I Kasei Co Ltd 発光装置および発光装置の作製方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007083585A1 (ja) * 2006-01-17 2007-07-26 Musashi Engineering, Inc. 作業の再開性に優れた作業ロボット

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5737889A (en) * 1980-08-18 1982-03-02 Stanley Electric Co Ltd Production of light emitting diode
JPS6045453U (ja) * 1983-09-05 1985-03-30 スタンレー電気株式会社 表示用発光ダイオ−ド
JPH03206672A (ja) * 1990-01-08 1991-09-10 Seiwa Denki Kk 発光ダイオード素子およびその製造方法
JP3048368U (ja) * 1997-10-27 1998-05-06 興 陳 発光ダイオード
JPH10209505A (ja) * 1997-01-17 1998-08-07 Stanley Electric Co Ltd 発光ダイオードおよびその製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5737889A (en) * 1980-08-18 1982-03-02 Stanley Electric Co Ltd Production of light emitting diode
JPS6045453U (ja) * 1983-09-05 1985-03-30 スタンレー電気株式会社 表示用発光ダイオ−ド
JPH03206672A (ja) * 1990-01-08 1991-09-10 Seiwa Denki Kk 発光ダイオード素子およびその製造方法
JPH10209505A (ja) * 1997-01-17 1998-08-07 Stanley Electric Co Ltd 発光ダイオードおよびその製造方法
JP3048368U (ja) * 1997-10-27 1998-05-06 興 陳 発光ダイオード

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002185046A (ja) * 2000-12-19 2002-06-28 Sharp Corp チップ部品型ledとその製造方法
US6869813B2 (en) 2000-12-19 2005-03-22 Sharp Kabushiki Kaisha Chip-type LED and process of manufacturing the same
WO2003056637A2 (de) * 2001-12-24 2003-07-10 G.L.I. Global Light Industries Gmbh Verfahren zum herstellen von lichtleitenden led-körpern in zwei räumlich und zeitlich getrennten stufen
WO2003056637A3 (de) * 2001-12-24 2004-06-03 G L I Global Light Ind Gmbh Verfahren zum herstellen von lichtleitenden led-körpern in zwei räumlich und zeitlich getrennten stufen
US7232536B2 (en) 2001-12-24 2007-06-19 G.L.I. Global Light Industries Gmbh Method for producing light-guiding LED bodies in two spatially and temporally separate steps
JP2007027801A (ja) * 2006-11-01 2007-02-01 Sanyo Electric Co Ltd Led表示器及びその製造方法
JP2009026840A (ja) * 2007-07-18 2009-02-05 C I Kasei Co Ltd 発光装置および発光装置の作製方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP4322987B2 (ja) 2009-09-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8425271B2 (en) Phosphor position in light emitting diodes
US9698319B2 (en) LED package with lead terminals having protrusions of differing widths and method for fabricating the same
US7214116B2 (en) Light-emitting diode and method for its production
TWI382561B (zh) 附有反射透鏡之功率發光二極體封裝及其製造方法
JP2007194521A (ja) 発光モジュールとその製造方法
US8882304B2 (en) Illuminating device and packaging method thereof
JP4256968B2 (ja) 発光ダイオードの製造方法
JP2002368281A (ja) 発光ダイオードの製造方法
JP2007073825A (ja) 半導体発光装置
JP2012074753A (ja) 発光ダイオードパッケージ
US20120168786A1 (en) Potted Optoelectronic Module Having a Plurality of Semiconductor Components and Method for Producing an Optoelectronic Module
JP2008071793A (ja) 光半導体装置及びその製造方法
CN103700758A (zh) 一种led封装单元及其封装方法和阵列面光源
JP2787388B2 (ja) 発光装置のレンズ成形方法
JP4146406B2 (ja) 発光素子および発光素子の製造方法
JP2000223748A (ja) Ledランプおよびその製造方法
JP2008187212A (ja) 面実装型発光素子
US20070160745A1 (en) Manufacturing method for white light emitting diode device including two step cure process
JP2006165416A (ja) 白色表示器とその製造方法
JPH10294498A (ja) Led表示器の製造方法
JP4212612B2 (ja) 発光装置
JP2007123943A (ja) 発光装置
JP2007194518A (ja) 発光モジュールとその製造方法
KR20040086871A (ko) 백색 발광 다이오드 소자의 제조방법
JP4365921B2 (ja) 発光ダイオードの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060106

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20081212

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20081216

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090216

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20090512

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20090604

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120612

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120612

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130612

Year of fee payment: 4

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees