JP2000216276A

JP2000216276A - 半導体装置およびその製造方法

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Publication number: JP2000216276A
Application number: JP11011143A
Authority: JP
Inventors: Yoichi Yamazaki; 陽一山崎
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1999-01-19
Filing date: 1999-01-19
Publication date: 2000-08-04

Abstract

(57)【要約】【課題】製造過程の総熱処理時間が短縮され、バイポー
ラトランジスタが高速化された半導体装置（特にＢｉ−
ＣＭＯＳ）およびその製造方法を提供する。【解決手段】バイポーラトランジスタと電界効果トラン
ジスタ（特にＭＯＳトランジスタ）を同一基板上に形成
する半導体装置の製造方法において、半導体基板１上の
全面に絶縁膜１６を形成する工程と、ＭＯＳトランジス
タ部分の絶縁膜１６に開口を設け、開口底部にゲート絶
縁膜２２を形成する工程と、少なくともＭＯＳトランジ
スタを被覆するレジスト２３を形成する工程と、バイポ
ーラトランジスタ部分の絶縁膜１６にＲＩＥを行い、開
口側壁に高分子膜を堆積させながら開口を設ける工程
と、前記高分子膜を除去する工程と、バイポーラトラン
ジスタおよびＭＯＳトランジスタの開口内に導電体層２
４を形成する工程とを有する半導体装置の製造方法。お
よびそれにより形成される半導体装置。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、トランジスタ性能
が改善された高速のバイポーラトランジスタと、絶縁ゲ
ート型電界効果トランジスタが同一基板上に形成された
半導体装置およびその製造方法に関し、特に、高速のバ
イポーラトランジスタとＣＭＯＳを混載するＢｉ−ＣＭ
ＯＳトランジスタおよびその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】通信機器の高周波数化や、オーディオビ
ジュアル機器の低消費電力化およびデジタル化が進行す
るにつれて、高周波数・低消費電力でありアナログ／デ
ジタルを混載した半導体集積回路の重要性が高まってい
る。バイポーラトランジスタの高周波化および低消費電
力化を実現するには、エミッタ−ベース接合を浅く形成
し（浅接合化）、ベース抵抗および寄生トランジスタ容
量を低減させる必要がある。このため、ポリシリコンを
用いた低抵抗外部ベース領域（グラフトベース）や、ポ
リシリコンからの不純物拡散による浅いエミッタ−ベー
ス接合（真性ベース領域）を形成する技術が主流となっ
ている。また、半導体素子の微細化も積極的に行われて
いる。

【０００３】従来のアナログ−デジタル混載ＩＣはピュ
アバイポーラにより達成されているが、スイッチングス
ピードをさらに向上させるため、スイッチ部にＣＭＯＳ
を利用する要求が高まっている。したがって、従来のバ
イポーラトランジスタの特性を向上させながら、ＣＭＯ
Ｓも付加する必要がある。例えば、Ｂｉ−ＣＭＯＳにお
いては、従来確立されているダブルポリシリコン構造の
バイポーラトランジスタの特性を向上させながら、新た
な製造工程を極力追加させずに、シングルドレイン構造
のＣＭＯＳを組み合わせる必要がある。

【０００４】従来のダブルポリシリコン構造のバイポー
ラトランジスタにシングルドレイン構造のＣＭＯＳを組
み合わせたＢｉ−ＣＭＯＳプロセスで、本発明に関わる
部分（本発明により改良される部分）を抜粋し、図面を
参照して製造工程を順に説明する。具体的には、縦型
（ｖｅｒｔｉｃａｌ）ｎｐｎトランジスタ（以下、Ｖ−
ｎｐｎトランジスタとする。）、横型（ｌａｔｅｒａ
ｌ）ｐｎｐトランジスタ（以下、Ｌ−ｐｎｐトランジス
タとする。）およびｎチャネル型電界効果トランジスタ
（以下、ＮＭＯＳトランジスタとする。）の部分を抜粋
して図示した。

【０００５】まず、公知の方法によりダブルポリシリコ
ン構造を形成する。図１５（Ａ）に示すように、ｐ型半
導体基板１上にイオン注入によりＶ−ｎｐｎトランジス
タの埋め込みコレクタ層４、およびＬ−ｐｎｐトランジ
スタのｎ型分離層５を形成し、その上層にｎ型エピタキ
シャル層６を形成する。次に、図１５（Ｂ）に示すよう
に、ｎ型エピタキシャル層６表面に熱酸化により酸化膜
７を形成してから、ＣＶＤ法によりシリコン窒化膜８を
積層させ、素子分離（ＬＯＣＯＳ）形成領域の酸化膜７
およびシリコン窒化膜８をエッチングして除去する。さ
らに、図１５（Ｃ）に示すように、シリコン窒化膜８を
マスクとして熱酸化を行ってＬＯＣＯＳ１０を形成した
後、シリコン窒化膜８を除去する。

【０００６】次に、図１６（Ａ）に示すように、フォト
レジスト１３を堆積させ所定のパターニングを行ってか
ら、フォトレジスト１３をマスクとしてｎ型不純物、例
えばリン（Ｐ）をイオン注入する。続いて、図１６
（Ｂ）に示すように、フォトレジスト１３を除去してか
ら、１０００℃、３０分のアニールを行ってリンを熱拡
散させ、Ｖ−ｎｐｎトランジスタのコレクタープラグ１
１およびＬ−ｐｎｐトランジスタのベースプラグ１２を
形成する。その後、図１７（Ａ）に示すように、ＬＯＣ
ＯＳのバーズヘッド部分に開口を有するレジスト（不図
示）を形成してから、レジストをマスクとしてライトエ
ッチングを行い、バーズヘッドを平滑化させる。

【０００７】次に、図１７（Ｂ）に示すように、フォト
レジスト１７を堆積させ所定のパターニングを行ってか
ら、フォトレジスト１７をマスクとして、ｐ型不純物、
例えばホウ素（Ｂ）をイオン注入する。図１７（Ｃ）に
示すように、フォトレジスト１７を除去してから、８５
０〜９００℃のアニールを行ってホウ素を熱拡散させ、
ＬＯＣＯＳ１０下層に素子分離のためのｐ型埋め込み層
１８を、また、ＭＯＳトランジスタ部分にｐウェル１９
を形成する。

【０００８】次に、図１８（Ａ）に示すように、シリコ
ン基板上に形成されたシリコン酸化膜（ＬＯＣＯＳを除
く）７をウェットエッチングにより除去してから、ＣＭ
ＯＳ部分のゲート酸化膜２２（膜厚１０〜２０ｎｍ程
度）となる酸化膜を、熱酸化により全面に形成する。さ
らに、１００〜４００ｎｍ程度の膜厚のポリシリコン層
２４をＣＶＤ法により全面に堆積させ、その上層に、リ
ン濃度が１０〜２０ｗｔ％であるリンシリケートガラス
（ＰＳＧ）層２７をＣＶＤ法により全面に堆積させる。
ＰＳＧ層２７の上層に、３００ｎｍ程度のシリコン酸化
膜２８をＣＶＤ法により堆積させる。シリコン酸化膜２
８は熱処理によりＰＳＧ層２７から下層のポリシリコン
層２４に不純物を拡散させる際、炉内が汚染されるのを
防止する目的で設けられる。

【０００９】続いて、図１８（Ｂ）に示すように、熱処
理を行ってＰＳＧ層２７からポリシリコン層２４にリン
を拡散させ、ポリシリコン層２４をｎ型ポリシリコン層
２４ｎとする。酸化膜２８およびＰＳＧ層２７をエッチ
ングにより全面除去し、ＭＯＳトランジスタのゲート電
極パターンのフォトレジスト（不図示）をマスクとして
ｎ型ポリシリコン層２４ｎにリアクティブイオンエッチ
ング（ＲＩＥ）を行い、ＭＯＳトランジスタのゲート電
極を形成する。このＲＩＥはｎ型ポリシリコン層２２と
ゲート酸化膜２１とのエッチング選択比の違いを利用し
て、ゲート酸化膜２１がエッチングされない条件で行
う。これにより、下地基板の損傷が防止される。その
後、ゲート電極３４下部のゲート酸化膜２２のみ残るよ
うに、ゲート酸化膜２２をウェットエッチングにより除
去する。

【００１０】次に、図１９（Ａ）に示すように、全面に
膜厚１０〜２０ｎｍの酸化膜３５を、例えばＣＶＤ法に
より堆積させる。酸化膜３５はイオン注入によるダメー
ジを緩和するバッファー膜として、あるいは、イオンの
チャネリング防止の目的で設けられる。酸化膜３５上の
全面に、フォトレジスト３６を堆積させ、ソース／ドレ
イン領域３７のみ開口するようにフォトレジスト３６を
パターニングする。その後、フォトレジスト３６をマス
クとしてソース／ドレイン領域３７にｎ型不純物をイオ
ン注入する。フォトレジスト３６を除去してアニールを
行い、ソース／ドレイン形成領域に導入された不純物を
拡散させ、ソース／ドレイン領域３７を形成する。

【００１１】次に、図１９（Ｂ）に示すように、例え
ば、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）−Ｏ₃を原料と
してＣＶＤを行い、全面に１００ｎｍ程度の酸化膜２０
を形成する。さらに、図１９（Ｃ）に示すように、バイ
ポーラトランジスタのアクティブ領域上部の酸化膜２０
および酸化膜３５に、公知のフォトリソグラフィ技術お
よびＲＩＥにより開口を設ける。

【００１２】続いて、図２０（Ａ）に示すように、Ｖ−
ｎｐｎトランジスタの低抵抗外部ベース領域３１および
ｐ型ポリシリコン高抵抗素子（不図示）を形成するため
のポリシリコン層２４’を、全面に膜厚１５０ｎｍ程度
で形成する。その上層に、膜厚３００ｎｍ程度の酸化膜
２５をＣＶＤ法により全面に堆積させてから、プレイオ
ンインプランテーションアニールを行う。このプレイオ
ンインプランテーションアニールにより、ランプアニー
ル工程におけるシート抵抗等の特性変動が抑制される。
図２０（Ｂ）に示すように、プレイオンインプランテー
ションアニールの後、酸化膜２５を除去し、ポリシリコ
ン層２４’にｐ型不純物をイオン注入する。ランプアニ
ールにより不純物を拡散させ、ポリシリコン層２４’を
ｐ型ポリシリコン層２４ｐとする。

【００１３】次に、図２１（Ａ）に示すように、フォト
レジスト（不図示）をマスクとしてｐ型ポリシリコン層
２４ｐにＲＩＥを行い、バイポーラトランジスタのアク
ティブ領域を被覆するｐ型ポリシリコン層２４ｐのみ残
して除去する。これにより、Ｖ−ｎｐｎトランジスタの
低抵抗外部ベース領域３１、Ｌ−ｐｎｐトランジスタの
コレクタ電極３２およびエミッタ電極３３、あるいはｐ
型ポリシリコン高抵抗素子（不図示）が形成される。そ
の後、フォトレジストを除去する。

【００１４】さらに、図２１（Ｂ）に示すように、全面
に層間絶縁膜３８を堆積させてから、層間絶縁膜３８に
開口を設けてベース取り出し電極４９、コレクタ取り出
し電極５０、エミッタ取り出し電極５１、コレクタ取り
出し電極５２、ソース／ドレイン電極５３および金属配
線５４を形成する。また、ｐ型ポリシリコン層２４ｐか
ら不純物を拡散させることにより、Ｖ−ｎｐｎトランジ
スタのグラフトベース領域４３、Ｌ−ｐｎｐトランジス
タのエミッタ領域４４およびコレクタ領域４５を形成す
る。以上の工程により、同一基板上にバイポーラトラン
ジスタとＣＭＯＳが形成される。

【００１５】

【発明が解決しようとする課題】上記のように、バイポ
ーラトランジスタにＭＯＳトランジスタが追加された集
積回路においては、ＭＯＳトランジスタ部分のゲートポ
リシリコン層に不純物を拡散させるアニール工程（図１
８（Ｂ）参照）の際に同時に、バイポーラトランジスタ
部分に形成されている各不純物拡散層からの不純物拡散
も促進される。アニール工程以前にバイポーラトランジ
スタ部分に形成される不純物拡散層としては、例えば、
素子分離領域のｐ型埋め込み層１８、Ｖ−ｎｐｎトラン
ジスタのコレクタープラグ１１、埋め込みコレクタ層
４、Ｌ−ｐｎｐトランジスタのベースプラグ１２やｎ型
分離層５等がある。

【００１６】これらの部分で不純物の拡散が促進される
と、トランジスタの接合耐圧が低下し、半導体装置の特
性が変動する。このような耐圧の低下を防止するには、
トランジスタ面積を拡大する方法があるが、トランジス
タ面積を拡大すると寄生容量が大きくなるという問題が
発生する。トランジスタの寄生容量が増大すると、トラ
ンジスタを高周波化する上で不利となる。

【００１７】また、バイポーラトランジスタにＭＯＳト
ランジスタを追加することにより、ＭＯＳトランジスタ
のゲート電極となるｎ型ポリシリコン層と、Ｖ−ｎｐｎ
トランジスタの低抵抗ベース領域、Ｌ−ｐｎｐトランジ
スタのエミッタ電極およびコレクタ電極となるｐ型ポリ
シリコン層とを積層させる必要が生じる。したがって、
１層目のｎ型ポリシリコン層上に２層目のｐ型ポリシリ
コン層を成膜し、２層目のポリシリコン層にＲＩＥを行
うことになる。図２１（Ａ）に示すように、２層目のポ
リシリコン層（ｐ型ポリシリコン層２４ｐ）にＲＩＥを
行うと、２層目のポリシリコン層が下地の段差部分にサ
イドウォール状に残留しやすくなる。段差部分に残った
ポリシリコン層が、続く工程において剥離すると、本来
絶縁されているポリシリコン層同士がショートする場合
がある。

【００１８】上記のような問題を回避し、さらに、総熱
処理時間（ＴＡＴ；ｔｏｔａｌａｎｎｅａｌｉｎｇ
ｔｉｍｅ）を低減するには、１層目のｐ型ポリシリコン
層と２層目のｎ型ポリシリコン層を、単一のポリシリコ
ン層を共用して形成する方法が最も効果的である。

【００１９】しかしながら、ＮＭＯＳのゲート電極とな
るｎ型ポリシリコン層は、ゲート酸化膜上に形成する必
要がある一方で、バイポーラトランジスタあるいは高抵
抗素子となるｐ型ポリシリコン層は、シリコン基板の表
面に接触させて形成する必要がある。このような条件を
満たすには、上記の従来の製造方法を例えば以下のよう
に変更した製造方法が考えられる。まず、図１７（Ｃ）
に示すように、上記の従来の製造方法に従ってｎ型エピ
タキシャル層６、ＬＯＣＯＳ１０、Ｖ−ｎｐｎトランジ
スタのコレクタープラグ１１、Ｌ−ｐｎｐトランジスタ
のベースプラグ１２、素子分離のためのｐ型埋め込み層
１８およびｐウェル１９を形成する。

【００２０】次に、図２２（Ａ）に示すように、酸化膜
７を除去してから、層間の絶縁耐圧を確保する目的で、
全面に膜厚１００ｎｍ程度のＴＥＯＳ酸化膜１６を形成
する。フォトリソグラフィ工程によりＮＭＯＳトランジ
スタのアクティブ領域が開口したフォトレジスト２１を
形成する。フォトレジスト２１をマスクとして、ＴＥＯ
Ｓ酸化膜１６にフッ酸系の薬液を用いてウェットエッチ
ングを行う。このエッチングをＲＩＥにより行うと、Ｎ
ＭＯＳトランジスタのチャネル領域が損傷を受ける可能
性があるため、ウェットエッチングとすることが好まし
い。さらに、ＭＯＳトランジスタのアクティブ領域に、
膜厚５〜２０ｎｍ程度の熱酸化膜を形成し、ゲート酸化
膜２２とする。

【００２１】次に、図２２（Ｂ）に示すように、バイポ
ーラトランジスタのアクティブ領域が開口したフォトレ
ジスト２３を形成する。フォトレジスト２３をマスクと
して、ＴＥＯＳ酸化膜１６にＲＩＥにより異方性エッチ
ングを行う。開口の断面形状を制御するため、開口側壁
にカーボン系ポリマー膜が堆積する条件でＲＩＥを行
い、堆積するカーボン系ポリマー膜を側壁保護膜（サイ
ドプロテクション）として利用する。ＲＩＥ後、開口部
の側壁および下地膜に付着したカーボン系ポリマー膜の
除去、およびＲＩＥにより損傷を受けた基板表面の除去
を目的として、アンモニア／過酸化水素水を用いて加熱
洗浄（６０℃程度）を行う。

【００２２】次に、図２３（Ａ）に示すように、１００
〜４００ｎｍ程度の膜厚のポリシリコン層２４をＣＶＤ
法により全面に堆積させる。ポリシリコン層２４の上層
に、膜厚３００ｎｍ程度の酸化膜２５を例えばＣＶＤ法
により成膜してから、ＭＯＳトランジスタのアクティブ
領域の酸化膜２５のみエッチングにより除去する。その
上層に、リン濃度が１０〜２０ｗｔ％であるリンシリケ
ートガラス（ＰＳＧ）層２７をＣＶＤ法により全面に堆
積させる。ＰＳＧ層２７の上層に、３００ｎｍ程度のシ
リコン酸化膜２８をＣＶＤ法により堆積させる。シリコ
ン酸化膜２８は熱処理によりＰＳＧ層２７から下層のポ
リシリコン層２４に不純物を拡散させる際、炉内が汚染
されるのを防止する目的で設けられる。

【００２３】シリコン酸化膜２８を形成後、例えば９５
０℃、３０分間のアニールを窒素（Ｎ₂）雰囲気中で行
い、ポリシリコン層２４中にリンを拡散させる。その
後、ポリシリコン層２４上の酸化膜（ＰＳＧ層２７を含
む）をエッチングにより全て除去する。さらに、図２３
（Ｂ）に示すように、Ｖ−ｎｐｎトランジスタの低抵抗
ベース領域３１、Ｌ−ｐｎｐトランジスタのコレクタ電
極３２およびエミッタ電極３３、あるいはｐ型ポリシリ
コン高抵抗素子（不図示）をエッチングによりパターニ
ングする。また、ポリシリコン層２４をパターニングす
ることによりＭＯＳトランジスタのゲート電極３４も形
成される。その後、これらの層に適宜、不純物のイオン
注入を行う。

【００２４】以上のようなプロセスにおいては、バイポ
ーラトランジスタのアクティブ領域上のＴＥＯＳ酸化膜
１６に開口を設けるためのＲＩＥを行った後、アンモニ
ア／過酸化水素水を用いた加熱洗浄が必要となる。アン
モニア／過酸化水素水を用いた加熱洗浄を行うと、ＭＯ
Ｓトランジスタ部分のゲート酸化膜２２がエッチングさ
れ、表面状態が悪化する。ゲート酸化膜２２の表面状態
が悪化すると、ＭＯＳトランジスタ特性のパラメータの
一つであるしきい値電圧（Ｖ_th；ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ
ｖｏｌｔａｇｅ）が、面内で、あるいはロット間で大き
くばらつくことになる。

【００２５】ゲート酸化膜２２がエッチングされるのを
避けるため、カーボン系ポリマー膜の除去を行わない
と、Ｖ−ｎｐｎトランジスタの低抵抗外部ベース領域３
１となるｐ型ポリシリコン層とシリコン基板（ｎ型エピ
タキシャル層６）との界面にカーボン系ポリマー膜が残
留することになる。低抵抗外部ベース領域３１にカーボ
ン系ポリマー膜が残留すると、コンタクト抵抗が増大
し、エミッタ−ベース間電圧を高くしても、それに対応
するコレクタ電流（またはベース電流）の増加が見込め
なくなる。アンモニア／過酸化水素水を用いた加熱洗浄
の際に、ゲート酸化膜の保護膜として例えばレジストを
形成しても、レジスト等の有機ポリマーは、シリコン酸
化膜あるいはカーボン系ポリマー膜と同様に、洗浄によ
り除去されてしまうため、保護膜（プロテクション）と
して十分に機能しない。

【００２６】本発明は上記の問題点を鑑みてなされたも
のであり、したがって本発明は、バイポーラトランジス
タ形成に必要な総熱処理時間を増加させずにＭＯＳ部分
が追加され、バイポーラトランジスタの電流特性の改善
により高速化された半導体装置およびその製造方法を提
供することを目的とする。

【００２７】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め本発明の半導体装置は、コレクタ領域、エミッタ領域
およびベース領域を含有し、上層に第１導電型導電層を
有するバイポーラトランジスタと、ソース領域およびド
レイン領域を含有し、上層にゲート絶縁膜を介して第２
導電型ゲート電極を有する絶縁ゲート型電界効果トラン
ジスタが、同一半導体基板上に形成された半導体装置に
おいて、前記半導体基板上に形成された絶縁膜と、前記
バイポーラトランジスタ部分および前記絶縁ゲート型電
界効果トランジスタ部分の前記絶縁膜に設けられた開口
と、前記開口を埋め込むように同一の導電体層から形成
され、互いに導電型の異なる不純物が拡散された前記第
１導電型導電層および前記第２導電型ゲート電極とを有
することを特徴とする。

【００２８】本発明の半導体装置は、好適には、前記導
電体層はポリシリコンを含有する層であることを特徴と
する。また、本発明の半導体装置は、好適には、前記絶
縁膜は酸化シリコンを含有する層であることを特徴とす
る。本発明の半導体装置は、好適には、前記第１導電型
はｐ型であり、前記第２導電型はｎ型であることを特徴
とする。

【００２９】本発明の半導体装置は、好適には、前記バ
イポーラトランジスタは、前記コレクタ領域表面に前記
ベース領域が形成され、前記ベース領域表面に前記エミ
ッタ領域が形成された縦型（ｖｅｒｔｉｃａｌ）バイポ
ーラトランジスタであり、前記第１導電型導電層は、前
記縦型バイポーラトランジスタのベース領域の一部であ
ることを特徴とする。あるいは、本発明の半導体装置
は、好適には、前記バイポーラトランジスタは、前記半
導体基板表面に前記ベース領域が形成され、前記ベース
領域表面に前記コレクタ領域および前記エミッタ領域が
所定の間隔をあけて形成された横型（ｌａｔｅｒａｌ）
バイポーラトランジスタであり、前記第１導電型導電層
は、前記横型バイポーラトランジスタのコレクタ電極お
よびエミッタ電極であることを特徴とする。また、本発
明の半導体装置は、好適には、前記導電体層と同一の導
電体層から形成され、前記第１導電型導電層と異なる濃
度の不純物を含有する高抵抗素子を有することを特徴と
する。

【００３０】これにより、従来のバイポーラトランジス
タの製造工程に新たに熱処理工程を加えずに、絶縁ゲー
ト型電界効果トランジスタ部分が追加され、熱処理によ
るトランジスタ特性の低下等の問題を防止することがで
きる。本発明の半導体装置によれば、１層の導電体層
（好適にはポリシリコン層）をバイポーラトランジスタ
のベース領域あるいはコレクタ、エミッタの各電極と、
絶縁ゲート型電界効果トランジスタのゲート電極に共用
させる。さらに、そのポリシリコン層を高抵抗素子に共
用させることもできる。したがって、ｐ型ポリシリコン
層とｎ型ポリシリコン層を２層形成する場合に比較し
て、製造プロセスを簡略化させることができる。

【００３１】また、上記の目的を達成するため、本発明
の半導体装置の製造方法は、コレクタ領域、エミッタ領
域およびベース領域を含有し、上層に第１導電型導電層
を有するバイポーラトランジスタと、ソース領域および
ドレイン領域を含有し、上層にゲート絶縁膜を介して第
２導電型ゲート電極を有する絶縁ゲート型電界効果トラ
ンジスタとを、同一半導体基板上に形成する半導体装置
の製造方法において、半導体基板上の全面に絶縁膜を形
成する工程と、前記絶縁ゲート型電界効果トランジスタ
上部の前記絶縁膜に異方性エッチングを行い、開口を設
ける工程と、前記絶縁ゲート型電界効果トランジスタの
開口底部にゲート絶縁膜を形成する工程と、前記バイポ
ーラトランジスタの少なくとも一部と、前記絶縁ゲート
型電界効果トランジスタを被覆するレジストを形成する
工程と、前記レジストをマスクとして、前記バイポーラ
トランジスタ上部の前記絶縁膜に異方性エッチングを行
い、側壁部に高分子膜を堆積させながら開口を設ける工
程と、前記高分子膜を除去する工程と、前記レジストを
除去する工程と、前記絶縁ゲート型電界効果トランジス
タの開口内および前記バイポーラトランジスタの開口内
を含む全面に、導電体層を形成する工程と、前記導電体
層の前記絶縁ゲート型電界効果トランジスタ部分に第２
導電型不純物を導入する工程と、前記バイポーラトラン
ジスタ部分の前記導電体層に第１導電型不純物を導入す
る工程と、前記導電体層のパターニングを行い、前記バ
イポーラトランジスタの前記第１導電層および前記絶縁
ゲート型電界効果トランジスタの前記第２導電型ゲート
電極を形成する工程とを有することを特徴とする。

【００３２】本発明の半導体装置の製造方法は、好適に
は、前記導電体層はポリシリコンを含有する層であるこ
とを特徴とする。本発明の半導体装置の製造方法は、好
適には、前記絶縁膜は酸化シリコンを含有する層である
ことを特徴とする。本発明の半導体装置の製造方法は、
好適には、前記高分子膜は炭素を含有する高分子膜であ
り、前記高分子膜を除去する工程は、フッ酸を用いたウ
ェットエッチングであることを特徴とする。あるいは、
本発明の半導体装置の製造方法は、好適には、前記高分
子膜は炭素を含有する高分子膜であり、前記高分子膜を
除去する工程は、有機アミンを用いたウェットエッチン
グであることを特徴とする。

【００３３】本発明の半導体装置の製造方法は、好適に
は、前記導電体層の前記絶縁ゲート型電界効果トランジ
スタ部分に第２導電型不純物を導入する工程は、前記導
電体層上層にＰＳＧ（ｐｈｏｓｐｈｏｓｉｌｉｃａｔ
ｅｇｌａｓｓ）層を堆積させ、前記ＰＳＧ層から前記
導電体層に不純物を熱拡散させる工程であることを特徴
とする。本発明の半導体装置の製造方法は、好適には、
前記導電体層の前記絶縁ゲート型電界効果トランジスタ
部分に第２導電型不純物を導入する工程は、イオン注入
工程であることを特徴とする。

【００３４】これにより、バイポーラトランジスタ部分
のコンタクト抵抗を低減させることができ、バイポーラ
トランジスタを高速化させることが可能となる。バイポ
ーラトランジスタ部分の高分子膜は、エッチングの異方
性を高めるために形成されるが、エッチング工程の後に
残留すると、コンタクト抵抗が増大する要因となる。本
発明の半導体装置の製造方法によれば、絶縁ゲート型電
界効果トランジスタのゲート酸化膜に損傷を与えずに、
バイポーラトランジスタ部分の高分子膜（炭素系高分子
膜）を除去することができる。

【００３５】

【発明の実施の形態】（実施形態１）以下に、本発明の
半導体装置の製造方法の実施の形態について、図面を参
照して説明する。図１に、本実施形態の半導体装置の断
面図を示す。本実施形態の半導体装置においては、縦型
（Ｖ−；ｖｅｒｔｉｃａｌ）ｎｐｎトランジスタ、横型
（Ｌ−；ｌａｔｅｒａｌ）ｐｎｐトランジスタおよびｎ
チャネル型ＭＯＳトランジスタが同一基板上に形成され
ている。

【００３６】Ｖ−ｎｐｎトランジスタ部分には、ｎ型の
エミッタポリシリコン（エミッタ取り出し）４７に接続
されたエミッタ領域４８、相互に接続する真性ベース領
域４１とグラフトベース領域４３、およびｎ型埋め込み
コレクタ層４が形成されている。Ｌ−ｐｎｐトランジス
タ部分には、エミッタ領域４４、コレクタ領域４５が形
成され、ｎ型エピタキシャル層６がＬ−ｐｎｐトランジ
スタのベース領域となっている。図１にはＣＭＯＳのＮ
ＭＯＳ部分を示す。ＮＭＯＳ部分には、ｎ型エピタキシ
ャル層６に形成されたｐウェル１９に、ソース／ドレイ
ン領域３７が形成され、ゲート絶縁膜２２を介してｎ型
ポリシリコン層２４ｎからなるゲート電極３４が形成さ
れている。各トランジスタ間は、ＬＯＣＯＳ１０および
ＬＯＣＯＳ下層に形成された、ｐ型シリコン基板１まで
接続するｐ型埋め込み層１８により素子分離されてい
る。

【００３７】上記の図１に示す半導体装置の製造方法
を、以下に説明する。まず、図２（Ａ）に示すように、
ｐ型シリコン基板１上に酸化膜２を形成する。その上層
にフォトレジスト３を堆積させ、Ｖ−ｎｐｎトランジス
タのｎ埋め込みコレクタ層４およびＬ−ｐｎｐトランジ
スタのｎ型分離層５を形成する領域のフォトレジスト３
に、リソグラフィ工程により開口を設ける。例えば、Ｓ
ｂ₂Ｏ₃を用いて１２００℃でＳｂを気相拡散させるこ
とにより、Ｖ−ｎｐｎトランジスタのｎ埋め込みコレク
タ層４およびＬ−ｐｎｐトランジスタのｎ型分離層５を
形成する。

【００３８】図２（Ｂ）に示すように、フォトレジスト
３および酸化膜２を除去した後、ｐ型シリコン基板１上
にｎ型エピタキシャル層（ポリシリコン層）６を形成す
る。ｎ型エピタキシャル層６は、例えば、厚さ約１．０
μｍ、抵抗率１．０Ωｃｍとなるように形成する。その
上層に膜厚３０ｎｍ程度の酸化膜７を形成する。さら
に、その上層に減圧プラズマＣＶＤ法により、膜厚６５
ｎｍ程度のシリコン窒化膜（ＬＰ−Ｓｉ₃Ｎ₄膜）８を
積層する。

【００３９】続いて、図２（Ｃ）に示すように、全面に
フォトレジスト９を堆積させてから、素子分離領域（Ｌ
ＯＣＯＳ形成領域）のフォトレジスト９をリソグラフィ
工程により除去する。フォトレジスト９をマスクとして
シリコン窒化膜８および酸化膜７のエッチングを行う。
さらに、露出したｎ型エピタキシャル層６表面のポリシ
リコンをエッチングする。ポリシリコンをエッチングす
る深さは、ポリシリコンの酸化により形成される酸化膜
（ＬＯＣＯＳ）の厚さの０．４５倍とする。本実施形態
においては、厚さ８００ｎｍのＬＯＣＯＳを形成するた
め、約３５０ｎｍのエッチングを行う。

【００４０】図３（Ａ）に示すように、フォトレジスト
９を剥離し、図２（Ｃ）において開口された部分を熱酸
化（例えば、１０００〜１０５０℃、３〜８時間のスチ
ーム酸化）して、約８００ｎｍの厚さのシリコン酸化膜
（ＬＯＣＯＳ）１０を形成する。さらに、図３（Ｂ）に
示すように、１５０℃のリン酸（ホットリン酸）を用い
てシリコン窒化膜８を除去する。

【００４１】次に、図３（Ｃ）に示すように、Ｖ−ｎｐ
ｎトランジスタのコレクタープラグ１１およびＬ−ｐｎ
ｐトランジスタのベースプラグ１２を形成するためのイ
オン注入を行う。全面にフォトレジスト１３を堆積して
から、コレクタープラグ部分１１およびベースプラグ部
分１２のレジストにリソグラフィ工程により開口を設け
る。フォトレジスト１３をマスクとしてｎ型不純物（リ
ンイオン）をエネルギー５０ｋｅＶ、導入量４．５×１
０¹⁵ａｔｏｍｓ／ｃｍ²程度で注入する。その後、フォ
トレジスト１３を除去する。

【００４２】次に、図４（Ａ）に示すように、ＣＶＤ法
により３００ｎｍ程度の酸化膜（キャッピングＴＥＯＳ
膜）１４を形成する。キャッピングＴＥＯＳ膜１４は、
注入したリンイオンがウェハ外部に拡散（アウトデフュ
ージョン）するのを防止し、また、ＬＯＣＯＳ１０のバ
ーズヘッドを平滑化させる目的で形成される。キャッピ
ングＴＥＯＳ膜１４の形成後、例えば１０００℃、３０
分の加熱を行って、導入した不純物を熱拡散させる。

【００４３】図４（Ｂ）に示すように、フォトレジスト
１５を全面に塗布してから、ＬＯＣＯＳ１０のバーズヘ
ッド部分のフォトレジスト１５に開口を設ける。続い
て、図４（Ｃ）に示すように、フォトレジスト１５をマ
スクとしてライトエッチングを行い、バーズヘッドを平
滑化する。その後、フォトレジスト１５を除去してから
全面にウェットエッチングを行い、ＬＯＣＯＳ１０以外
の部分の酸化膜を除去する。

【００４４】次に、図５（Ａ）に示すように、熱酸化に
より全面に膜厚３０ｎｍ程度の酸化膜１６を形成し、そ
の上層にフォトレジスト１７を堆積させる。素子分離の
ためのｐ型埋め込み層１８、およびＮＭＯＳのｐウェル
１９を形成する領域が開口するよう、フォトレジスト１
７にパターニングを行う。フォトレジスト１７をマスク
としてホウ素イオン（Ｂ）を、例えば、イオンエネルギ
ー４００ｋｅＶ、導入量４．０×１０¹³ａｔｏｍｓ／ｃ
ｍ²の条件でイオン注入する。

【００４５】このイオン注入は、続く工程で熱拡散させ
ることにより、導入されたｐ型不純物イオンがｐ型シリ
コン基板１まで至るような条件で行う。また、素子分離
のためのｐ型埋め込み層１８とｐウェル１９は別工程で
形成することもできるが、製造工程の簡略化のため本実
施形態においては同一工程とした。イオン注入を行った
後、フォトレジスト１７を除去する。

【００４６】次に、図５（Ｂ）に示すように、例えばＴ
ＥＯＳを用いたＣＶＤ法により全面に膜厚１００ｎｍ程
度の酸化膜２０を堆積させる。全面にフォトレジスト２
１を堆積させ、ＭＯＳトランジスタのアクティブ領域が
開口するようにフォトレジスト２１にパターニングを行
う。フォトレジスト２１をマスクとして酸化膜２０およ
び酸化膜１６をエッチング除去する。このとき、シリコ
ン基板（ｎ型エピタキシャル層６）にダメージが与えら
れるのを防ぐため、酸化膜２０、１６のエッチングはウ
ェットエッチングで行うことが望ましい。

【００４７】その後、図６（Ａ）に示すようにフォトレ
ジスト２１を除去して、ＭＯＳトランジスタのアクティ
ブ領域に熱酸化により膜厚１０〜２０ｎｍ程度のゲート
酸化膜２２を形成する。さらに、図６（Ｂ）に示すよう
に、公知のフォトリソグラフィ工程によりフォトレジス
ト２３を形成する。フォトレジスト２３をマスクとし
て、Ｖ−ｎｐｎトランジスタのアクティブ領域およびＬ
−ｐｎｐトランジスタのエミッタ、コレクタ形成領域の
酸化膜２０、１６をＲＩＥにより除去する。通常、シリ
コン酸化膜のＲＩＥは、以下のような反応式で表される
と考えられている。ＳｉＯ₂＋ＣＦ₄→ＳｉＦ₄＋ＣＯ
₂

【００４８】この反応で炭素化合物が開口側壁部に堆積
し、開口のサイドエッチが抑制される。その後、開口側
壁あるいは開口底部の基板表面に付着したカーボン系ポ
リマー膜を除去するため、シリコン酸化膜のＲＩＥに用
いたフォトレジスト２３をマスクとしてライトエッチン
グを行う。このライトエッチングは、自然酸化膜を除去
する場合の処理と同様に、フッ酸系の薬液を用いて行
う。例えば、Ｈ₂Ｏにより４０倍に希釈されたフッ酸を
用いて、常温で２〜５分程度の処理を行う。

【００４９】このとき、ＭＯＳトランジスタのゲート酸
化膜２２はフォトレジスト２３により保護されているた
め、エッチングされることはない。したがって、ゲート
酸化膜２２の表面状態の悪化による、しきい値電圧のば
らつきは防止される。フッ酸系の薬液を用いてライトエ
ッチングを行った後の表面は、疎水性の面となるため、
続いて、アンモニア／過酸化水素水および塩酸／過酸化
水素水による処理を行い、表面の親水性を高くすること
が好ましい。

【００５０】次に、図７（Ａ）に示すように、例えばＣ
ＶＤ法により全面に膜厚１５０ｎｍ程度のポリシリコン
層２４を堆積させる。ポリシリコン層２４の上層に、例
えばＣＶＤ法によりシリコン酸化膜２５を積層させる。
図７（Ｂ）に示すように、シリコン酸化膜２５の上層に
フォトレジスト２６を堆積させ、ＭＯＳトランジスタの
アクティブ領域上のレジスト２６に開口を設ける。ポリ
シリコン層２４はＭＯＳトランジスタ部分のみｎ型ポリ
シリコンとし、バイポーラトランジスタ部分はｐ型ポリ
シリコンにする。ｎ型ポリシリコンを形成する必要があ
るのはゲート電極部分のみであるが、フォトリソグラフ
ィ工程におけるパターンの合わせずれを考慮して、アク
ティブ領域上のフォトレジスト２６を開口させる。フォ
トレジスト２６をマスクとしてシリコン酸化膜２５にＲ
ＩＥを行う。

【００５１】次に、図８（Ａ）に示すように、フォトレ
ジスト２６を除去してから、ＰＳＧ層２７を積層させ
る。その上層に膜厚３００ｎｍ程度のシリコン酸化膜２
８を例えばＣＶＤ法により形成する。シリコン酸化膜２
８は熱処理によりＰＳＧ層２７から下層のポリシリコン
層２４に不純物を拡散させる際、炉内が汚染されるのを
防止する目的で設けられる。シリコン酸化膜２８を形成
した後、ＰＳＧ層２７からポリシリコン層２４へのリン
の拡散、およびポリシリコン層２４のプレイオンインプ
ランテーションアニールを目的として９７５℃、３０分
程度の加熱を行う。この熱処理は窒素（Ｎ₂）雰囲気中
で行い、リンの析出を防止するため、微量の酸素
（Ｏ₂）を添加して行う。プレイオンインプランテーシ
ョンアニールを行うことにより、例えばポリシリコン層
のシート抵抗の変動が抑制され、素子特性を向上させる
ことができる。その後、ポリシリコン層２４上の酸化膜
（ＰＳＧ層２７を含む）をエッチングにより全て除去す
る。

【００５２】次に、図８（Ｂ）に示すように、全面にフ
ォトレジスト２９を堆積させ、ポリシリコン層２４をｐ
型ポリシリコン層２４ｐとする部分に開口を設ける。フ
ォトレジスト２９をマスクとして、例えばＢＦ₂をイオ
ンエネルギー４０ｋｅＶでイオン注入し、ｐ型ポリシリ
コン層２４ｐを所定の抵抗値に調整する。その後、フォ
トレジスト２９を除去する。

【００５３】次に、図９（Ａ）に示すように、ｐ型ポリ
シリコン層２４ｐおよびｎ型ポリシリコン層２４ｎのパ
ターニングを行うためのフォトレジスト３０を形成す
る。具体的には、Ｖ−ｎｐｎトランジスタの低抵抗ベー
ス領域、Ｌ−ｐｎｐトランジスタのコレクタ電極、エミ
ッタ電極、あるいはｐ型ポリシリコン高抵抗素子（不図
示）と、ＭＯＳトランジスタのゲート電極上にフォトレ
ジスト３０を形成する。

【００５４】図９（Ｂ）に示すように、フォトレジスト
３０をマスクとしてポリシリコン層２４ｐ、２４ｎにＲ
ＩＥを行い、Ｖ−ｎｐｎトランジスタの低抵抗ベース領
域３１、Ｌ−ｐｎｐトランジスタのコレクタ電極３２、
エミッタ電極３３、あるいはｐ型ポリシリコン高抵抗素
子（不図示）と、ＭＯＳトランジスタのゲート電極３４
を形成する。その後、フォトレジスト３０を除去する。

【００５５】次に、図１０（Ａ）に示すように、ＭＯＳ
トランジスタ部分のゲート電極３４下部のゲート酸化膜
２２のみ残し、それ以外の部分のゲート酸化膜２２をウ
ェットエッチングにより除去する。続いて、全面に膜厚
１０ｎｍ程度のシリコン酸化膜（ＴＥＯＳ酸化膜）３５
をＣＶＤ法により成膜する。その後、ＭＯＳトランジス
タのソース／ドレイン領域となるシリコン基板表面と、
シリコン酸化膜との界面状態を良好にするため、熱酸化
処理を行う。図１０（Ｂ）に示すように、フォトレジス
ト３６を全面に堆積させ、ＭＯＳトランジスタのソース
／ドレイン領域３７に開口を設ける。フォトレジスト３
６をマスクとして、ｎ型不純物として例えばＡｓをイオ
ンエネルギー５０ｋｅＶ、導入量３．０×１０¹⁵ａｔｏ
ｍｓ／ｃｍ²の条件でイオン注入する。

【００５６】図１１（Ａ）に示すように、フォトレジス
ト３６を除去してから、全面にＣＶＤ法によりシリコン
酸化膜３８を形成し、その上層にフォトレジスト３９を
堆積させる。フォトレジスト３９に、Ｖ−ｎｐｎトラン
ジスタの真性ベース領域が開口するようにパターニング
を行う。

【００５７】図１１（Ｂ）に示すように、フォトレジス
ト３９をマスクとして、シリコン酸化膜３８およびポリ
シリコン層２４ｐにＲＩＥを行って、基板（ｎ型エピタ
キシャル層６）を露出させる。その表面に、イオン注入
時のチャネリングを防止する目的で、膜厚１０ｎｍ程度
の熱酸化膜４０を形成する。その後、真性ベース領域４
１にｐ型不純物として例えばホウ素（Ｂ）をイオンエネ
ルギー３０ｋｅＶ、導入量７．０×１０¹²ａｔｏｍｓ／
ｃｍ²の条件でイオン注入する。

【００５８】図１２（Ａ）に示すように、フォトレジス
ト３９を除去した後、ＴＥＯＳを用いたＣＶＤ法により
シリコン酸化膜４２を約５５０ｎｍの膜厚で形成する。
続いて、９００℃、１５分の熱処理をＮ₂雰囲気中で行
う。これにより、前工程で導入されたホウ素イオンが熱
拡散され、真性ベース領域４１が形成される。同時に、
この熱処理によりホウ素イオンが注入されたｐ型ポリシ
リコン層２４ｐからシリコン基板（ｎ型エピタキシャル
層６）へホウ素が拡散され、Ｖ−ｎｐｎトランジスタの
グラフト−ベース領域４３が形成されて、真性ベース領
域４１とグラフト−ベース領域４３が接続する。

【００５９】さらに、Ｌ−ｐｎｐトランジスタ部分にお
いても、ホウ素イオンが注入されたｐ型ポリシリコン層
２４ｐからｎ型エピタキシャル層６へホウ素が拡散さ
れ、エミッタ領域４４およびコレクタ領域４５が形成さ
れる。また、この熱処理によりＭＯＳトランジスタ部分
のソース／ドレイン形成領域に導入された不純物が熱拡
散され、ソース／ドレイン領域３７が形成される。

【００６０】次に、図１２（Ｂ）に示すように、シリコ
ン酸化膜４２に異方性エッチングを行い、Ｖ−ｎｐｎト
ランジスタの真性ベース領域４１の開口部側壁にのみシ
リコン酸化膜４２が残るようにしてシリコン酸化膜４２
を除去する。これにより、Ｖ−ｎｐｎトランジスタの開
口部にサイドウォール４６が形成される。さらに、全面
にＣＶＤ法によりポリシリコン層４７を例えば１５０ｎ
ｍ程度、堆積させる。このポリシリコン層４７をエミッ
タポリシリコンとするため、ヒ素イオンをイオン注入す
る。イオン注入は、例えば、イオンエネルギー６０ｋｅ
Ｖ、導入量２．０×１０¹⁶／ｃｍ²の条件で行う。続い
て、ポリシリコン層４７に注入されたヒ素イオンを、熱
処理（１０５０℃、１０秒）によりＶ−ｎｐｎトランジ
スタのベース領域（真性ベース領域４１およびグラフト
ベース領域４３）に拡散させる。これにより、自己整合
的にエミッタ領域４８が形成される。その後、公知のフ
ォトリソグラフィ工程およびＲＩＥにより、エミッタ取
り出し以外のポリシリコン層４７を除去する。

【００６１】さらに、図１に示すように、シリコン酸化
膜（層間絶縁膜）３８に開口を設けてベース取り出し電
極４９、コレクタ取り出し電極５０、エミッタ取り出し
電極５１、コレクタ取り出し電極５２、ソース／ドレイ
ン電極５３および金属配線５４を形成する。金属配線５
４を形成した後、９５％のＮ₂ガスと５％のＨ₂ガスか
らなるフォーミングガス中で熱処理（シンタリング）を
行うと、図１に示す半導体装置が得られる。

【００６２】また、配線層は２層以上の多層配線とする
ことも可能である。この場合、金属配線層を堆積して加
工した後、プラズマＣＶＤ法により７５０ｎｍ程度の絶
縁膜をボンディングパッド用のオーバーパッシベーショ
ン膜として全面に堆積する。オーバーパッシベーション
膜のボンディング箇所をＲＩＥによりエッチングした
後、９５％のＮ₂ガスと５％のＨ₂ガスからなるフォー
ミングガス中でシンタリングを行い、半導体装置を完成
させる。

【００６３】上記の本実施形態の半導体装置の製造方法
によれば、バイポーラトランジスタ形成に必要な総熱処
理時間を増加させずにＭＯＳ部分を追加することができ
る。本実施形態の半導体装置は、カーボン系ポリマー膜
を除去するための薬液処理において、ＭＯＳトランジス
タのゲート酸化膜がエッチングされないため、しきい値
電圧のばらつきが防止される。また、本実施形態の半導
体装置の製造方法によれば、バイポーラトランジスタの
コンタクト部分のカーボン系ポリマー膜（残留付着物）
が除去され、トランジスタの電流特性が改善される。し
たがって、バイポーラトランジスタの高速化が可能とな
る。

【００６４】（実施形態２）本発明の半導体装置の製造
方法による、バイポーラトランジスタの電流特性の改善
について、図１３および図１４のガンメルプロットを参
照して以下に説明する。図１３および図１４は、エミッ
タ−ベース間電圧Ｖ_EB（Ｖ）を変化させた場合のコレク
タ電流Ｉ_Cまたはベース電流Ｉ_B（Ａ）の変動を示す。

【００６５】図１３はＬ−ｐｎｐトランジスタについて
の結果であり、図１３（Ａ）はフッ酸によるライトエッ
チングを行わず、コンタクト部分にカーボン系ポリマー
膜が残留する場合、図１３（Ｂ）はフッ酸によりカーボ
ン系ポリマー膜を除去した場合である。コレクタ電流Ｉ
_Cおよびベース電流Ｉ_Bは、理想領域においてはエミッ
タ−ベース間電圧Ｖ_EBに対して指数関数的に増大する。
電流値の大きな高注入領域（本実施形態の場合、エミッ
タ−ベース間電圧Ｖ_EBが約０．７Ｖを超える領域）にお
いては、ベース抵抗による電圧降下あるいは高注入現象
の影響により、コレクタ電流Ｉ_Cおよびベース電流Ｉ_B
はいずれも傾きが小さくなる。図１３（Ｂ）に示すよう
に、カーボン系ポリマー膜を除去すると抵抗が低減さ
れ、高注入領域においても図１３（Ａ）に比較して高い
コレクタ電流Ｉ_Cまたはベース電流Ｉ_Bが得られる。フ
ッ酸を用いたライトエッチングを行うことにより、Ｌ−
ｐｎｐトランジスタを高速化することが可能である。

【００６６】図１４はＶ−ｎｐｎトランジスタについて
の結果であり、図１４（Ａ）はフッ酸によるライトエッ
チングを行わず、コンタクト部分にカーボン系ポリマー
膜が残留する場合、図１４（Ｂ）はフッ酸によりカーボ
ン系ポリマー膜を除去した場合である。Ｖ−ｎｐｎトラ
ンジスタについてもＬ−ｐｎｐトランジスタと同様、図
１４（Ｂ）に示すようにカーボン系ポリマー膜を除去す
ると抵抗が低減され、高注入領域（本実施形態の場合、
エミッタ−ベース間電圧Ｖ_EBが約０．７Ｖを超える領
域）においても図１４（Ａ）に比較して高いコレクタ電
流Ｉ_Cまたはベース電流Ｉ _Bが得られる。フッ酸を用い
たライトエッチングを行うことにより、Ｖ−ｎｐｎトラ
ンジスタを高速化することが可能である。

【００６７】（実施形態３）上記の実施形態１において
は、図６（Ｂ）に示すように、バイポーラトランジスタ
のアクティブ領域上の酸化膜にＲＩＥを行うと、開口側
壁部および底部にカーボン系ポリマー膜が付着する。こ
のカーボン系ポリマー膜を、フォトレジストを剥離しな
い状態でフッ酸系薬液により除去している。本実施形態
においては、このカーボン系ポリマー膜の除去を、有機
アミン系薬液を用いて行う。この場合、フォトレジスト
と有機アミン系薬液との反応を防止するため、フォトレ
ジストを剥離してから、カーボン系ポリマー膜を除去す
るための薬液処理を行う。本実施形態の半導体装置の製
造方法によっても、実施形態１と同様に、ＭＯＳトラン
ジスタのしきい値電圧のばらつきが少なく、バイポーラ
トランジスタのコンタクト抵抗が低減された半導体装置
を製造することができる。

【００６８】本発明の半導体装置の製造方法は、上記の
実施の形態に限定されない。例えば、ＭＯＳトランジス
タを併設せずバイポーラトランジスタのみ形成する場合
も、本発明の半導体装置の製造方法を適用することがで
きる。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々
の変更が可能である。

【００６９】

【発明の効果】本発明の半導体装置によれば、バイポー
ラトランジスタ形成に必要な総熱処理時間を増加させず
に絶縁ゲート型電界効果トランジスタ部分が追加される
ため、バイポーラトランジスタの電流特性が改善され、
半導体装置の高速化が可能となる。本発明の半導体装置
の製造方法によれば、絶縁ゲート型電界効果トランジス
タのしきい値電圧のばらつきを防止しながら、バイポー
ラトランジスタの抵抗増大を抑制することが可能とな
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の半導体装置の断面図である。

【図２】（Ａ）〜（Ｃ）は、本発明の半導体装置の製造
方法の製造工程を示す断面図である。

【図３】（Ａ）〜（Ｃ）は、本発明の半導体装置の製造
方法の製造工程を示す断面図である。

【図４】（Ａ）〜（Ｃ）は、本発明の半導体装置の製造
方法の製造工程を示す断面図である。

【図５】（Ａ）および（Ｂ）は、本発明の半導体装置の
製造方法の製造工程を示す断面図である。

【図６】（Ａ）および（Ｂ）は、本発明の半導体装置の
製造方法の製造工程を示す断面図である。

【図７】（Ａ）および（Ｂ）は、本発明の半導体装置の
製造方法の製造工程を示す断面図である。

【図８】（Ａ）および（Ｂ）は、本発明の半導体装置の
製造方法の製造工程を示す断面図である。

【図９】（Ａ）および（Ｂ）は、本発明の半導体装置の
製造方法の製造工程を示す断面図である。

【図１０】（Ａ）および（Ｂ）は、本発明の半導体装置
の製造方法の製造工程を示す断面図である。

【図１１】（Ａ）および（Ｂ）は、本発明の半導体装置
の製造方法の製造工程を示す断面図である。

【図１２】（Ａ）および（Ｂ）は、本発明の半導体装置
の製造方法の製造工程を示す断面図である。

【図１３】本発明の半導体装置によるＬ−ｐｎｐトラン
ジスタ電流特性の改善について表すガンメルプロットで
あり、（Ａ）はフッ酸処理を行わない場合、（Ｂ）はフ
ッ酸処理を行った場合のデータである。

【図１４】本発明の半導体装置によるＶ−ｎｐｎトラン
ジスタ電流特性の改善について表すガンメルプロットで
あり、（Ａ）はフッ酸処理を行わない場合、（Ｂ）はフ
ッ酸処理を行った場合のデータである。

【図１５】（Ａ）〜（Ｃ）は、従来の半導体装置の製造
方法の製造工程を示す断面図である。

【図１６】（Ａ）および（Ｂ）は、従来の半導体装置の
製造方法の製造工程を示す断面図である。

【図１７】（Ａ）〜（Ｃ）は、従来の半導体装置の製造
方法の製造工程を示す断面図である。

【図１８】（Ａ）および（Ｂ）は、従来の半導体装置の
製造方法の製造工程を示す断面図である。

【図１９】（Ａ）〜（Ｃ）は、従来の半導体装置の製造
方法の製造工程を示す断面図である。

【図２０】（Ａ）および（Ｂ）は、従来の半導体装置の
製造方法の製造工程を示す断面図である。

【図２１】（Ａ）〜（Ｃ）は、従来の半導体装置の製造
方法の製造工程を示す断面図である。

【図２２】（Ａ）および（Ｂ）は、本発明の比較例の半
導体装置の製造方法の製造工程を示す断面図である。

【図２３】（Ａ）および（Ｂ）は、本発明の比較例の半
導体装置の製造方法の製造工程を示す断面図である。

【符号の説明】

１…ｐ型シリコン基板、２、７、１４、１６、２０、２
５、２８、３５、３８、４０、４２…酸化膜、３、９、
１３、１５、１７、２１、２３、２６、２９、３０、３
６、３９…フォトレジスト、４…Ｖ−ｎｐｎトランジス
タのｎ埋め込みコレクタ層、５…Ｌ−ｐｎｐトランジス
タのｎ型分離層、６…ｎ型エピタキシャル層、８…シリ
コン窒化膜、１０…ＬＯＣＯＳ、１１…Ｖ−ｎｐｎトラ
ンジスタのコレクタープラグ、１２…Ｌ−ｐｎｐトラン
ジスタのベースプラグ、１８…ｐ型埋め込み層、１９…
ｐウェル、２２…ゲート酸化膜、２４、２４’、４７…
ポリシリコン層、２４ｎ…ｎ型ポリシリコン層、２４ｐ
…ｐ型ポリシリコン層、２７…ＰＳＧ膜、３１…Ｖ−ｎ
ｐｎトランジスタの低抵抗ベース領域、３２…Ｌ−ｐｎ
ｐトランジスタのコレクタ電極、３３…Ｌ−ｐｎｐトラ
ンジスタのエミッタ電極、３４…ゲート電極、３７…ソ
ース／ドレイン領域、４１…真性ベース領域、４３…グ
ラフトベース領域、４４、４８…エミッタ領域、４５…
コレクタ領域、４６…サイドウォール、４９…ベース取
り出し電極、５０…コレクタ取り出し電極、５１…エミ
ッタ取り出し電極、５２…コレクタ取り出し電極、５３
…ソース／ドレイン電極、５４…金属配線。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０１Ｌ 29/73 Ｆターム(参考） 4M104 AA01 BB01 CC01 CC05 DD04 DD09 DD20 DD23 DD43 DD57 DD64 DD95 EE03 EE06 GG06 GG09 HH10 5F003 BA12 BA97 BB06 BB07 BC07 BE07 BJ15 BJ20 BM01 BP05 BP21 BP93 BZ02 5F048 AA07 AA09 AA10 AC05 BA01 BA12 BB06 BE03 BF03 BG02 BG12 BH07 CA03 CA07 CA14 CA15 DA06 DA07 DA08 DA25 DB04 DB06 DB08 DB09 DB10 5F082 BA02 BA04 BA11 BC09 BC15 EA15 EA45

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】コレクタ領域、エミッタ領域およびベース
領域を含有し、上層に第１導電型導電層を有するバイポ
ーラトランジスタと、ソース領域およびドレイン領域を
含有し、上層にゲート絶縁膜を介して第２導電型ゲート
電極を有する絶縁ゲート型電界効果トランジスタが、同
一半導体基板上に形成された半導体装置において、前記半導体基板上に形成された絶縁膜と、前記バイポーラトランジスタ部分および前記絶縁ゲート
型電界効果トランジスタ部分の前記絶縁膜に設けられた
開口と、前記開口を埋め込むように形成された、同一の導電体層
からなる、互いに導電型の異なる不純物が拡散された前
記第１導電型導電層および前記第２導電型ゲート電極と
を有する半導体装置。
【請求項２】前記導電体層はポリシリコンを含有する層
である請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】前記絶縁膜は酸化シリコンを含有する層で
ある請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】前記第１導電型はｐ型であり、前記第２導
電型はｎ型である請求項３記載の半導体装置。
【請求項５】前記バイポーラトランジスタは、前記コレ
クタ領域表面に前記ベース領域が形成され、前記ベース
領域表面に前記エミッタ領域が形成された縦型（ｖｅｒ
ｔｉｃａｌ）バイポーラトランジスタであり、前記第１導電型導電層は、前記縦型バイポーラトランジ
スタのベース領域の一部である請求項４記載の半導体装
置。
【請求項６】前記バイポーラトランジスタは、前記半導
体基板表面に前記ベース領域が形成され、前記ベース領
域表面に前記コレクタ領域および前記エミッタ領域が所
定の間隔をあけて形成された横型（ｌａｔｅｒａｌ）バ
イポーラトランジスタであり、前記第１導電型導電層は、前記横型バイポーラトランジ
スタのコレクタ電極およびエミッタ電極である請求項４
記載の半導体装置。
【請求項７】前記導電体層と同一の導電体層から形成さ
れ、前記第１導電型導電層と異なる濃度の不純物を含有
する高抵抗素子を有する請求項４記載の半導体装置。
【請求項８】コレクタ領域、エミッタ領域およびベース
領域を含有し、上層に第１導電型導電層を有するバイポ
ーラトランジスタと、ソース領域およびドレイン領域を
含有し、上層にゲート絶縁膜を介して第２導電型ゲート
電極を有する絶縁ゲート型電界効果トランジスタとを、
同一半導体基板上に形成する半導体装置の製造方法にお
いて、半導体基板上の全面に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁ゲート型電界効果トランジスタ上部の前記絶縁
膜に異方性エッチングを行い、開口を設ける工程と、前記絶縁ゲート型電界効果トランジスタの開口底部にゲ
ート絶縁膜を形成する工程と、前記バイポーラトランジスタの少なくとも一部と、前記
絶縁ゲート型電界効果トランジスタを被覆するレジスト
を形成する工程と、前記レジストをマスクとして、前記バイポーラトランジ
スタ上部の前記絶縁膜に異方性エッチングを行い、側壁
部に高分子膜を堆積させながら開口を設ける工程と、前
記高分子膜を除去する工程と、前記レジストを除去する工程と、前記絶縁ゲート型電界効果トランジスタの開口内および
前記バイポーラトランジスタの開口内を含む全面に、導
電体層を形成する工程と、前記導電体層の前記絶縁ゲート型電界効果トランジスタ
部分に第２導電型不純物を導入する工程と、前記バイポーラトランジスタ部分の前記導電体層に第１
導電型不純物を導入する工程と、前記導電体層のパターニングを行い、前記バイポーラト
ランジスタの前記第１導電層および前記絶縁ゲート型電
界効果トランジスタの前記第２導電型ゲート電極を形成
する工程とを有する半導体装置の製造方法。
【請求項９】前記導電体層はポリシリコンを含有する層
である請求項８記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】前記絶縁膜は酸化シリコンを含有する層
である請求項９記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】前記高分子膜は炭素を含有する高分子膜
であり、前記高分子膜を除去する工程は、フッ酸を用い
たウェットエッチングである請求項１０記載の半導体装
置の製造方法。
【請求項１２】前記高分子膜は炭素を含有する高分子膜
であり、前記高分子膜を除去する工程は、有機アミンを
用いたウェットエッチングである請求項１０記載の半導
体装置の製造方法。
【請求項１３】前記導電体層の前記絶縁ゲート型電界効
果トランジスタ部分に第２導電型不純物を導入する工程
は、前記導電体層上層にＰＳＧ（ｐｈｏｓｐｈｏｓｉ
ｌｉｃａｔｅｇｌａｓｓ）層を堆積させ、前記ＰＳＧ
層から前記導電体層に不純物を熱拡散させる工程である
請求項９記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１４】前記導電体層の前記絶縁ゲート型電界効
果トランジスタ部分に第２導電型不純物を導入する工程
は、イオン注入工程である請求項８記載の半導体装置の
製造方法。