JP2000208462A - ウェハ洗浄用ブラシのコンディショニング方法 - Google Patents
ウェハ洗浄用ブラシのコンディショニング方法Info
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- JP2000208462A JP2000208462A JP11006446A JP644699A JP2000208462A JP 2000208462 A JP2000208462 A JP 2000208462A JP 11006446 A JP11006446 A JP 11006446A JP 644699 A JP644699 A JP 644699A JP 2000208462 A JP2000208462 A JP 2000208462A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ブラシの逆汚染源をなくし、ウェハの洗浄能
力を向上させる。 【解決手段】 ウェハの洗浄工程においては、ウェハ洗
浄用ブラシの汚れを除去するため、自己洗浄工程が行わ
れる。この自己洗浄工程では、ウェハ洗浄用ブラシの摩
擦部に対する溶解性が水よりも優れた薬液により、ウェ
ハ洗浄用ブラシの摩擦部の低分子量成分を選択的に溶解
する。また、ウェハ洗浄用ブラシの摩擦部を酸化作用を
有する薬液又は紫外線により酸化し、ウェハ洗浄用ブラ
シの摩擦部の分子内のＯＨ基を増やす。薬液としては、
過酸化水素水、硝酸、アノードイオン水、オゾン水など
が用いられる。
力を向上させる。 【解決手段】 ウェハの洗浄工程においては、ウェハ洗
浄用ブラシの汚れを除去するため、自己洗浄工程が行わ
れる。この自己洗浄工程では、ウェハ洗浄用ブラシの摩
擦部に対する溶解性が水よりも優れた薬液により、ウェ
ハ洗浄用ブラシの摩擦部の低分子量成分を選択的に溶解
する。また、ウェハ洗浄用ブラシの摩擦部を酸化作用を
有する薬液又は紫外線により酸化し、ウェハ洗浄用ブラ
シの摩擦部の分子内のＯＨ基を増やす。薬液としては、
過酸化水素水、硝酸、アノードイオン水、オゾン水など
が用いられる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＣＭＰ（chemical
mechanical polishing）後におけるウェハの洗浄工程
に使用する両面ブラシのコンディショニング方法に関す
る。
mechanical polishing）後におけるウェハの洗浄工程
に使用する両面ブラシのコンディショニング方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体プロセス技術の分野においては、
近年、例えば、露光を行う層の平坦化による微細加工を
可能にするため、ＣＭＰ技術が多用されるようになって
きた。ＣＭＰ技術とは、ウェハ上に形成された絶縁層又
は導電層をスラリと呼ばれる研磨液を用いて化学的及び
機械的に研磨するというものである。
近年、例えば、露光を行う層の平坦化による微細加工を
可能にするため、ＣＭＰ技術が多用されるようになって
きた。ＣＭＰ技術とは、ウェハ上に形成された絶縁層又
は導電層をスラリと呼ばれる研磨液を用いて化学的及び
機械的に研磨するというものである。
【０００３】しかし、ＣＭＰ技術は、ウェハ上に形成さ
れた絶縁層又は導電層を研磨するものであるため、ＣＭ
Ｐ工程の終了後には、ウェハの表面上に多量のパーティ
クルが残存することになる。
れた絶縁層又は導電層を研磨するものであるため、ＣＭ
Ｐ工程の終了後には、ウェハの表面上に多量のパーティ
クルが残存することになる。
【０００４】そこで、このパーティクルを除去するた
め、ＣＭＰ後にウェハの洗浄工程が行われる。
め、ＣＭＰ後にウェハの洗浄工程が行われる。
【０００５】ＣＭＰ後におけるウェハの洗浄方法として
は、ブラシを用いてウェハ上のパーティクルを除去する
方法が知られている。
は、ブラシを用いてウェハ上のパーティクルを除去する
方法が知られている。
【０００６】図４及び図５は、従来の洗浄装置のウェハ
洗浄用ブラシを示している。本体１１ａ，１１ｂは、円
柱状を有し、その表面には、複数の摩擦部１２ａ，１２
ｂが取り付けられている。本体１１ａ，１１ｂは、回転
軸１３ａ，１３ｂを有し、この回転軸１３ａ，１３ｂを
中心にして回転することができる。摩擦部１２ａ，１２
ｂは、例えば、円柱状のＰＶＡ（ポリビニルアルコー
ル）から構成され、高さ及び幅ともに数ｍｍ〜数十ｍｍ
程度に設定される。
洗浄用ブラシを示している。本体１１ａ，１１ｂは、円
柱状を有し、その表面には、複数の摩擦部１２ａ，１２
ｂが取り付けられている。本体１１ａ，１１ｂは、回転
軸１３ａ，１３ｂを有し、この回転軸１３ａ，１３ｂを
中心にして回転することができる。摩擦部１２ａ，１２
ｂは、例えば、円柱状のＰＶＡ（ポリビニルアルコー
ル）から構成され、高さ及び幅ともに数ｍｍ〜数十ｍｍ
程度に設定される。
【０００７】ウェハ１４は、２つのブラシ１５ａ，１５
ｂの間に挿入され、ウェハ１４の両面側から摩擦部１２
ａ，１２ｂによりウェハ１４の洗浄が行われる。シャワ
ーノズル１６は、洗浄液（例えば、純水）をブラシ１５
ａ，１５ｂに向って噴射する機能を有する。
ｂの間に挿入され、ウェハ１４の両面側から摩擦部１２
ａ，１２ｂによりウェハ１４の洗浄が行われる。シャワ
ーノズル１６は、洗浄液（例えば、純水）をブラシ１５
ａ，１５ｂに向って噴射する機能を有する。
【０００８】上述の洗浄装置においては、一般に、図６
に示すように、ウェハを所定枚数Ｎだけ処理した後、又
は所定の処理時間Ｔが経過した後、自己洗浄工程、即
ち、ブラシ１５ａ，１５ｂに付着したパーティクルを除
去する工程が行われる。ブラシ１５ａ，１５ｂ自体が汚
れていると、ウェハ１４を十分に洗浄することができな
いからである。
に示すように、ウェハを所定枚数Ｎだけ処理した後、又
は所定の処理時間Ｔが経過した後、自己洗浄工程、即
ち、ブラシ１５ａ，１５ｂに付着したパーティクルを除
去する工程が行われる。ブラシ１５ａ，１５ｂ自体が汚
れていると、ウェハ１４を十分に洗浄することができな
いからである。
【０００９】自己洗浄方法としては、現在まで、様々な
方法が提案されているが、以下に、一般的な自己洗浄方
法の一つについて説明する。
方法が提案されているが、以下に、一般的な自己洗浄方
法の一つについて説明する。
【００１０】まず、ブラシ１５ａ，１５ｂ間にウェハが
存在しない状態でブラシ１５ａ，１５ｂを回転させる
（例えば、６０ｒｐｍ）。また、シャワーノズル１６か
らブラシ１５ａ，１５ｂに向って純水を噴射する（例え
ば、２リットル／分）。
存在しない状態でブラシ１５ａ，１５ｂを回転させる
（例えば、６０ｒｐｍ）。また、シャワーノズル１６か
らブラシ１５ａ，１５ｂに向って純水を噴射する（例え
ば、２リットル／分）。
【００１１】この後、例えば、ブラシ１５ａ，１５ｂの
回転速度を３００ｒｐｍに設定し、かつ、摩擦部１２
ａ，１２ｂが互いに所定量（例えば、０．３ｍｍ）だけ
重ね合わさるように設定する。
回転速度を３００ｒｐｍに設定し、かつ、摩擦部１２
ａ，１２ｂが互いに所定量（例えば、０．３ｍｍ）だけ
重ね合わさるように設定する。
【００１２】この状態を所定時間（例えば、１分）だけ
継続し、摩擦部１２ａ，１２ｂに付着しているパーティ
クルを除去する。
継続し、摩擦部１２ａ，１２ｂに付着しているパーティ
クルを除去する。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】図７は、ウェハ洗浄用
ブラシの摩擦部を詳細に示している。
ブラシの摩擦部を詳細に示している。
【００１４】摩擦部１２ａ，１２ｂは、通常、ＰＶＡ
（ポリビニルアルコール）から構成される。ＰＶＡは、
耐摩擦性に優れているが、それでもウェハの処理枚数が
増加すると、摩擦部１２ａ，１２ｂの一部が剥離し、こ
れが塵１７となる。この塵１７は、摩擦部１２ａ，１２
ｂに付着したパーティクル１８と共に被洗浄物（ウェ
ハ）を逆汚染することになる。
（ポリビニルアルコール）から構成される。ＰＶＡは、
耐摩擦性に優れているが、それでもウェハの処理枚数が
増加すると、摩擦部１２ａ，１２ｂの一部が剥離し、こ
れが塵１７となる。この塵１７は、摩擦部１２ａ，１２
ｂに付着したパーティクル１８と共に被洗浄物（ウェ
ハ）を逆汚染することになる。
【００１５】しかし、従来の自己洗浄方法では、このよ
うな塵１７やパーティクル１８を十分に除去することが
できなかった。よって、ウェハの処理枚数が増えること
により、ウェハの洗浄能力が著しく低下し、半導体装置
の製造歩留りを低下させる原因になっていた。
うな塵１７やパーティクル１８を十分に除去することが
できなかった。よって、ウェハの処理枚数が増えること
により、ウェハの洗浄能力が著しく低下し、半導体装置
の製造歩留りを低下させる原因になっていた。
【００１６】本発明は、上記欠点を解決すべくなされた
もので、その目的は、ウェハの洗浄にブラシを使用する
場合に定期的に行われるブラシの自己洗浄において、ブ
ラシに付着したパーティクルやブラシから発生する塵な
どの除去能力に優れ、ブラシ自体の寿命を延長すること
ができるウェハ洗浄用ブラシのコンディショニング方法
を提供することにある。
もので、その目的は、ウェハの洗浄にブラシを使用する
場合に定期的に行われるブラシの自己洗浄において、ブ
ラシに付着したパーティクルやブラシから発生する塵な
どの除去能力に優れ、ブラシ自体の寿命を延長すること
ができるウェハ洗浄用ブラシのコンディショニング方法
を提供することにある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明のウェハ洗浄用ブラシのコンディショニング
方法は、ウェハ洗浄用ブラシの摩擦部に対する溶解性が
水よりも優れた薬液を用いて、ウェハ洗浄用ブラシの摩
擦部の低分子量成分を選択的に溶解する、というもので
ある。
め、本発明のウェハ洗浄用ブラシのコンディショニング
方法は、ウェハ洗浄用ブラシの摩擦部に対する溶解性が
水よりも優れた薬液を用いて、ウェハ洗浄用ブラシの摩
擦部の低分子量成分を選択的に溶解する、というもので
ある。
【００１８】本発明のウェハ洗浄用ブラシのコンディシ
ョニング方法は、ウェハ洗浄用ブラシの摩擦部を酸化作
用を有する薬液又は紫外線により酸化し、ウェハ洗浄用
ブラシの摩擦部の分子内のＯＨ基を増やす、というもの
である。
ョニング方法は、ウェハ洗浄用ブラシの摩擦部を酸化作
用を有する薬液又は紫外線により酸化し、ウェハ洗浄用
ブラシの摩擦部の分子内のＯＨ基を増やす、というもの
である。
【００１９】前記摩擦部は、ポリビニルアルコールから
構成され、前記薬液としては、例えば、過酸化水素水、
硝酸、アノードイオン水及びオゾン水などが用いられ
る。
構成され、前記薬液としては、例えば、過酸化水素水、
硝酸、アノードイオン水及びオゾン水などが用いられ
る。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら、本発
明のウェハ洗浄用ブラシのコンディショニング方法につ
いて詳細に説明する。
明のウェハ洗浄用ブラシのコンディショニング方法につ
いて詳細に説明する。
【００２１】図１は、本発明のコンディショニング方法
の第１例が適用されるウェハ洗浄用ブラシを示してい
る。
の第１例が適用されるウェハ洗浄用ブラシを示してい
る。
【００２２】本体１１ａ，１１ｂは、円柱状を有し、そ
の表面には、複数の摩擦部１２ａ，１２ｂが取り付けら
れている。本体１１ａ，１１ｂは、回転軸１３ａ，１３
ｂを有し、この回転軸１３ａ，１３ｂを中心にして回転
することができる。摩擦部１２ａ，１２ｂは、例えば、
円柱状のＰＶＡ（ポリビニルアルコール）から構成さ
れ、高さ及び幅ともに数ｍｍ〜数十ｍｍ程度に設定され
る。シャワーノズル１６は、洗浄液供給部１９から供給
される洗浄液をブラシ１５ａ，１５ｂに向って噴射する
機能を有する。
の表面には、複数の摩擦部１２ａ，１２ｂが取り付けら
れている。本体１１ａ，１１ｂは、回転軸１３ａ，１３
ｂを有し、この回転軸１３ａ，１３ｂを中心にして回転
することができる。摩擦部１２ａ，１２ｂは、例えば、
円柱状のＰＶＡ（ポリビニルアルコール）から構成さ
れ、高さ及び幅ともに数ｍｍ〜数十ｍｍ程度に設定され
る。シャワーノズル１６は、洗浄液供給部１９から供給
される洗浄液をブラシ１５ａ，１５ｂに向って噴射する
機能を有する。
【００２３】次に、本発明のコンディショニング方法、
即ち、ウェハ洗浄用ブラシの自己洗浄方法の第１例につ
いて説明する。
即ち、ウェハ洗浄用ブラシの自己洗浄方法の第１例につ
いて説明する。
【００２４】まず、ブラシ１５ａ，１５ｂ間にウェハが
存在しない状態でブラシ１５ａ，１５ｂを回転させる
（例えば、６０ｒｐｍ）。また、シャワーノズル１６か
らブラシ１５ａ，１５ｂに向って、洗浄液として、過酸
化水素水溶液（例えば、過酸化水素３％）を噴射する
（例えば、２リットル／分）。
存在しない状態でブラシ１５ａ，１５ｂを回転させる
（例えば、６０ｒｐｍ）。また、シャワーノズル１６か
らブラシ１５ａ，１５ｂに向って、洗浄液として、過酸
化水素水溶液（例えば、過酸化水素３％）を噴射する
（例えば、２リットル／分）。
【００２５】この後、例えば、ブラシ１５ａ，１５ｂの
回転速度を３００ｒｐｍに設定し、かつ、摩擦部１２
ａ，１２ｂが互いに所定量（例えば、０．３ｍｍ）だけ
重ね合わさるように設定する。
回転速度を３００ｒｐｍに設定し、かつ、摩擦部１２
ａ，１２ｂが互いに所定量（例えば、０．３ｍｍ）だけ
重ね合わさるように設定する。
【００２６】この状態を所定時間（例えば、１分）だけ
継続し、摩擦部１２ａ，１２ｂに付着しているパーティ
クルや摩擦部１２ａ，１２ｂから生じる塵を除去する。
継続し、摩擦部１２ａ，１２ｂに付着しているパーティ
クルや摩擦部１２ａ，１２ｂから生じる塵を除去する。
【００２７】なお、過酸化水素水溶液中の過酸化水素の
濃度は、５％以下とするのが妥当である。
濃度は、５％以下とするのが妥当である。
【００２８】また、洗浄液としては、摩擦部１２ａ，１
２ｂに対する溶解性が水よりも優れたものであればよ
い。特に、過酸化水素水、硝酸、アノードイオン水、オ
ゾン水などの酸化作用のある液を用いれば、洗浄能力の
向上に効果的である。
２ｂに対する溶解性が水よりも優れたものであればよ
い。特に、過酸化水素水、硝酸、アノードイオン水、オ
ゾン水などの酸化作用のある液を用いれば、洗浄能力の
向上に効果的である。
【００２９】上述のコンディショニング方法によれば、
洗浄液として、水よりも溶解性に優れた性質及び酸化作
用の少なくとも一つを備えた薬液を用いることにより、
以下のような効果を得ることができる。
洗浄液として、水よりも溶解性に優れた性質及び酸化作
用の少なくとも一つを備えた薬液を用いることにより、
以下のような効果を得ることができる。
【００３０】第一に、自己洗浄時に摩擦部（ＰＶＡ）１
２ａ，１２ｂの低分子成分を溶解してしまうことによ
り、ウェハ洗浄時に、摩擦部１２ａ，１２ｂからの汚染
物（パーティクルや塵など）の混入をなくすことができ
る（逆汚染源の発生防止）。これは、摩擦部に対する溶
解性が水よりも優れた薬液を用いた場合の効果である。
２ａ，１２ｂの低分子成分を溶解してしまうことによ
り、ウェハ洗浄時に、摩擦部１２ａ，１２ｂからの汚染
物（パーティクルや塵など）の混入をなくすことができ
る（逆汚染源の発生防止）。これは、摩擦部に対する溶
解性が水よりも優れた薬液を用いた場合の効果である。
【００３１】第二に、摩擦部（ＰＶＡ）１２ａ，１２ｂ
の分子内のＯＨ基が増えることにより、水の保持力が向
上するため、洗浄能力を上げることができる。これは、
酸化作用を有する薬液を用いた場合の効果である。
の分子内のＯＨ基が増えることにより、水の保持力が向
上するため、洗浄能力を上げることができる。これは、
酸化作用を有する薬液を用いた場合の効果である。
【００３２】第三に、摩擦部（ＰＶＡ）１２ａ，１２ｂ
の分子内のＯＨ基が増えることにより、摩擦部１２ａ，
１２ｂが変形し難くなり、摩擦部１２ａ，１２ｂの耐久
力が向上する。これも、酸化作用を有する薬液を用いた
場合の効果である。
の分子内のＯＨ基が増えることにより、摩擦部１２ａ，
１２ｂが変形し難くなり、摩擦部１２ａ，１２ｂの耐久
力が向上する。これも、酸化作用を有する薬液を用いた
場合の効果である。
【００３３】図２は、本発明のコンディショニング方
法、即ち、ウェハ洗浄用ブラシの自己洗浄方法の第２例
を示している。
法、即ち、ウェハ洗浄用ブラシの自己洗浄方法の第２例
を示している。
【００３４】上述の第１例では、２つのブラシの摩擦部
が互いに擦り合うように両ブラシを回転させた状態で洗
浄液（過酸化水素水溶液）を噴射したが、本例では、ブ
ラシを洗浄装置から取り外して、液槽内の洗浄液（過酸
化水素水溶液）に浸し、ウェハ洗浄用ブラシのコンディ
ショニングを行っている。
が互いに擦り合うように両ブラシを回転させた状態で洗
浄液（過酸化水素水溶液）を噴射したが、本例では、ブ
ラシを洗浄装置から取り外して、液槽内の洗浄液（過酸
化水素水溶液）に浸し、ウェハ洗浄用ブラシのコンディ
ショニングを行っている。
【００３５】洗浄液２１は、液槽２０内に満たされる。
洗浄液２１は、２リットル／分の割合で液槽２０内に追
加供給される。また、余分な洗浄液２１は、液槽２０か
ら排出される。ブラシ１５ａ，１５ｂを、一定時間、洗
浄液２１に浸しておくと、摩擦部１２ａ，１２ｂに付着
しているパーティクルや摩擦部１２ａ，１２ｂから生じ
る塵が除去される。
洗浄液２１は、２リットル／分の割合で液槽２０内に追
加供給される。また、余分な洗浄液２１は、液槽２０か
ら排出される。ブラシ１５ａ，１５ｂを、一定時間、洗
浄液２１に浸しておくと、摩擦部１２ａ，１２ｂに付着
しているパーティクルや摩擦部１２ａ，１２ｂから生じ
る塵が除去される。
【００３６】なお、過酸化水素水溶液中の過酸化水素の
濃度は、５％以下とするのが妥当である。また、洗浄液
としては、摩擦部に対する溶解性が水よりも優れたもの
であればよい。特に、過酸化水素水、硝酸、アノードイ
オン水、オゾン水などの酸化作用のある液を用いれば、
洗浄能力の向上に効果的である。
濃度は、５％以下とするのが妥当である。また、洗浄液
としては、摩擦部に対する溶解性が水よりも優れたもの
であればよい。特に、過酸化水素水、硝酸、アノードイ
オン水、オゾン水などの酸化作用のある液を用いれば、
洗浄能力の向上に効果的である。
【００３７】上述のコンディショニング方法によれば、
第１例と同様に、洗浄液として、水よりも溶解性に優れ
た性質及び酸化作用の少なくとも一つを備えた薬液を用
いている。よって、本例においても、第１例で説明した
効果と同様の効果を得ることができる。
第１例と同様に、洗浄液として、水よりも溶解性に優れ
た性質及び酸化作用の少なくとも一つを備えた薬液を用
いている。よって、本例においても、第１例で説明した
効果と同様の効果を得ることができる。
【００３８】図３は、本発明のコンディショニング方法
の第３例が適用されるウェハ洗浄用ブラシを示してい
る。
の第３例が適用されるウェハ洗浄用ブラシを示してい
る。
【００３９】本体１１ａ，１１ｂは、円柱状を有し、そ
の表面には、複数の摩擦部１２ａ，１２ｂが取り付けら
れている。本体１１ａ，１１ｂは、回転軸１３ａ，１３
ｂを有し、この回転軸１３ａ，１３ｂを中心にして回転
することができる。摩擦部１２ａ，１２ｂは、例えば、
円柱状のＰＶＡ（ポリビニルアルコール）から構成さ
れ、高さ及び幅ともに数ｍｍ〜数十ｍｍ程度に設定され
る。
の表面には、複数の摩擦部１２ａ，１２ｂが取り付けら
れている。本体１１ａ，１１ｂは、回転軸１３ａ，１３
ｂを有し、この回転軸１３ａ，１３ｂを中心にして回転
することができる。摩擦部１２ａ，１２ｂは、例えば、
円柱状のＰＶＡ（ポリビニルアルコール）から構成さ
れ、高さ及び幅ともに数ｍｍ〜数十ｍｍ程度に設定され
る。
【００４０】シャワーノズル１６は、洗浄液供給部１９
から供給される洗浄液をブラシ１５ａ，１５ｂに向って
噴射する機能を有する。また、紫外線発生装置２２は、
ウェハ洗浄用ブラシ１５ａ，１５ｂの自己洗浄時に、両
ブラシ１５ａ，１５ｂに対して紫外線を照射する機能を
有する。
から供給される洗浄液をブラシ１５ａ，１５ｂに向って
噴射する機能を有する。また、紫外線発生装置２２は、
ウェハ洗浄用ブラシ１５ａ，１５ｂの自己洗浄時に、両
ブラシ１５ａ，１５ｂに対して紫外線を照射する機能を
有する。
【００４１】次に、本発明のコンディショニング方法、
即ち、ウェハ洗浄用ブラシの自己洗浄方法の第３例につ
いて説明する。
即ち、ウェハ洗浄用ブラシの自己洗浄方法の第３例につ
いて説明する。
【００４２】まず、ブラシ１５ａ，１５ｂ間にウェハが
存在しない状態でブラシ１５ａ，１５ｂを回転させる
（例えば、６０ｒｐｍ）。また、シャワーノズル１６か
らブラシ１５ａ，１５ｂに向って、洗浄液として、純水
を噴射する（例えば、２リットル／分）。
存在しない状態でブラシ１５ａ，１５ｂを回転させる
（例えば、６０ｒｐｍ）。また、シャワーノズル１６か
らブラシ１５ａ，１５ｂに向って、洗浄液として、純水
を噴射する（例えば、２リットル／分）。
【００４３】この後、例えば、ブラシ１５ａ，１５ｂの
回転速度を３００ｒｐｍに設定し、かつ、摩擦部１２
ａ，１２ｂが互いに所定量（例えば、０．３ｍｍ）だけ
重ね合わさるように設定する。また、紫外線発生装置２
２から両ブラシ１５ａ，１５ｂに対して紫外線を照射す
る。
回転速度を３００ｒｐｍに設定し、かつ、摩擦部１２
ａ，１２ｂが互いに所定量（例えば、０．３ｍｍ）だけ
重ね合わさるように設定する。また、紫外線発生装置２
２から両ブラシ１５ａ，１５ｂに対して紫外線を照射す
る。
【００４４】この状態を所定時間（例えば、１分）だけ
継続し、摩擦部１２ａ，１２ｂに付着しているパーティ
クルや摩擦部１２ａ，１２ｂから生じる塵を除去する。
継続し、摩擦部１２ａ，１２ｂに付着しているパーティ
クルや摩擦部１２ａ，１２ｂから生じる塵を除去する。
【００４５】上述のコンディショニング方法によれば、
自己洗浄時に紫外線を照射している。よって、本例にお
いても、第１例で説明した効果と同様の効果を得ること
ができる。
自己洗浄時に紫外線を照射している。よって、本例にお
いても、第１例で説明した効果と同様の効果を得ること
ができる。
【００４６】次に、上述の第１乃至第３例において逆汚
染源の発生防止や洗浄能力の向上を図ることができる理
由について説明する。
染源の発生防止や洗浄能力の向上を図ることができる理
由について説明する。
【００４７】摩擦部１２ａ，１２ｂでは、ウェハ洗浄の
繰り返しにより摩耗が進むと、その摩耗した部分で分子
の結合が切れ、分子量が小さくなる。分子量が小さくな
れば、ある種の薬液に対して溶解性が増す。そこで、自
己洗浄時に、水よりも溶解性が高い薬液を用いて、積極
的に摩擦部１２ａ，１２ｂの低分子量成分（分子量の小
さい部分、即ち、摩耗部）を溶解する。
繰り返しにより摩耗が進むと、その摩耗した部分で分子
の結合が切れ、分子量が小さくなる。分子量が小さくな
れば、ある種の薬液に対して溶解性が増す。そこで、自
己洗浄時に、水よりも溶解性が高い薬液を用いて、積極
的に摩擦部１２ａ，１２ｂの低分子量成分（分子量の小
さい部分、即ち、摩耗部）を溶解する。
【００４８】これにより、逆汚染源をなくすことができ
るため、ウェハの洗浄時に、摩擦部１２ａ，１２ｂから
ウェハにパーティクルや塵が混入することもなく、ウェ
ハの洗浄能力を向上させることができる。
るため、ウェハの洗浄時に、摩擦部１２ａ，１２ｂから
ウェハにパーティクルや塵が混入することもなく、ウェ
ハの洗浄能力を向上させることができる。
【００４９】また、摩擦部１２ａ，１２ｂに対して酸化
処理を行うと、分子内の疎水性であるＨ基が親水性であ
るＯＨ基に代わり、摩擦部１２ａ，１２ｂにおける水の
保持力が向上し、ウェハの洗浄能力が著しく向上する。
また、ＯＨ基は、Ｈ基よりも大きいため、分子内で立体
障害が起こり、変形し難くなる。このため、摩擦部１２
ａ，１２ｂの耐久性が向上する。
処理を行うと、分子内の疎水性であるＨ基が親水性であ
るＯＨ基に代わり、摩擦部１２ａ，１２ｂにおける水の
保持力が向上し、ウェハの洗浄能力が著しく向上する。
また、ＯＨ基は、Ｈ基よりも大きいため、分子内で立体
障害が起こり、変形し難くなる。このため、摩擦部１２
ａ，１２ｂの耐久性が向上する。
【００５０】なお、以下の化学式は、摩擦部１２ａ，１
２ｂにＰＶＡ（ポリビニルアルコール）を用いた場合に
おいて、酸化処理により、分子内のＨ基がＯＨ基に代わ
る様子を示したものである。
２ｂにＰＶＡ（ポリビニルアルコール）を用いた場合に
おいて、酸化処理により、分子内のＨ基がＯＨ基に代わ
る様子を示したものである。
【００５１】
【化１】
【００５２】上記化学式によれば、ＰＶＡの分子内の疎
水性であるＨ基が親水性であるＯＨ基に代わっていく様
子がわかる。
水性であるＨ基が親水性であるＯＨ基に代わっていく様
子がわかる。
【００５３】
【発明の効果】本発明によれば、自己洗浄時におけるブ
ラシの洗浄液として、水よりも溶解性に優れた性質及び
酸化作用の少なくとも一つを有する薬液を用いている。
ラシの洗浄液として、水よりも溶解性に優れた性質及び
酸化作用の少なくとも一つを有する薬液を用いている。
【００５４】よって、第一に、自己洗浄時に摩擦部（Ｐ
ＶＡ）の低分子成分を溶解してしまうことにより、ウェ
ハ洗浄時に摩擦部からの汚染物（パーティクルや塵な
ど）をなくすことができる（逆汚染源の発生防止）。
ＶＡ）の低分子成分を溶解してしまうことにより、ウェ
ハ洗浄時に摩擦部からの汚染物（パーティクルや塵な
ど）をなくすことができる（逆汚染源の発生防止）。
【００５５】第二に、摩擦部（ＰＶＡ）の分子内のＯＨ
基が増えることにより、水の保持力が向上するため、洗
浄能力を上げることができる。
基が増えることにより、水の保持力が向上するため、洗
浄能力を上げることができる。
【００５６】第三に、摩擦部（ＰＶＡ）の分子内のＯＨ
基が増えることにより、摩擦部が変形し難くなり、摩擦
部の耐久力が向上する。
基が増えることにより、摩擦部が変形し難くなり、摩擦
部の耐久力が向上する。
【図１】本発明のコンディショニング方法の第１例を示
す図。
す図。
【図２】本発明のコンディショニング方法の第２例を示
す図。
す図。
【図３】本発明のコンディショニング方法の第３例を示
す図。
す図。
【図４】従来のコンディショニング方法を示す図。
【図５】ウェハ洗浄時の様子を示す図。
【図６】ウェハ洗浄工程の流れを示す図。
【図７】従来の方法を用いた場合の逆汚染源の発生につ
いて示す図。
いて示す図。
【符号の説明】 １１ａ，１１ｂ ：本体、 １２ａ，１２ｂ ：摩擦部、 １３ａ，１３ｂ ：ブラシの回転軸、 １４ ：ウェハ、 １５ａ，１５ｂ ：ウェハ洗浄用ブラ
シ、 １６ ：シャワーノズル、 １７ ：塵（摩擦部の一
部）、 １８ ：パーティクル、 １９ ：洗浄液供給部、 ２０ ：液槽、 ２１ ：洗浄液、 ２２ ：紫外線発生装置。
シ、 １６ ：シャワーノズル、 １７ ：塵（摩擦部の一
部）、 １８ ：パーティクル、 １９ ：洗浄液供給部、 ２０ ：液槽、 ２１ ：洗浄液、 ２２ ：紫外線発生装置。
Claims (3)
- 【請求項１】 ウェハ洗浄用ブラシの摩擦部に対する溶
解性が水よりも優れた薬液を用いて、前記ウェハ洗浄用
ブラシの摩擦部の低分子量成分を選択的に溶解すること
を特徴とするウェハ洗浄用ブラシのコンディショニング
方法。 - 【請求項２】 ウェハ洗浄用ブラシの摩擦部を酸化作用
を有する薬液又は紫外線により酸化し、前記ウェハ洗浄
用ブラシの摩擦部の分子内のＯＨ基を増やすことを特徴
とするウェハ洗浄用ブラシのコンディショニング方法。 - 【請求項３】 前記摩擦部は、ポリビニルアルコールか
ら構成され、前記薬液は、過酸化水素水、硝酸、アノー
ドイオン水及びオゾン水のうちのいずれか一つであるこ
とを特徴とする請求項１又は２記載のウェハ洗浄用ブラ
シのコンディショニング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11006446A JP2000208462A (ja) | 1999-01-13 | 1999-01-13 | ウェハ洗浄用ブラシのコンディショニング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11006446A JP2000208462A (ja) | 1999-01-13 | 1999-01-13 | ウェハ洗浄用ブラシのコンディショニング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000208462A true JP2000208462A (ja) | 2000-07-28 |
Family
ID=11638653
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11006446A Pending JP2000208462A (ja) | 1999-01-13 | 1999-01-13 | ウェハ洗浄用ブラシのコンディショニング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000208462A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002091438A1 (en) * | 2001-05-09 | 2002-11-14 | Speedfam-Ipec Corporation | Method of removing debris from cleaning pads in work piece cleaning equipment |
| US6740171B2 (en) | 2001-08-29 | 2004-05-25 | Renesas Technology Corp. | Manufacturing method of semiconductor integrated circuit device |
| KR100795622B1 (ko) * | 2005-03-30 | 2008-01-17 | 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 | 기판처리장치 및 기판처리방법 |
-
1999
- 1999-01-13 JP JP11006446A patent/JP2000208462A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002091438A1 (en) * | 2001-05-09 | 2002-11-14 | Speedfam-Ipec Corporation | Method of removing debris from cleaning pads in work piece cleaning equipment |
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| US7913346B2 (en) | 2005-03-30 | 2011-03-29 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate treatment apparatus and substrate treatment method |
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