JP2000208170A - ダイオ―ドによる記憶を用いたバッテリ用モジュ―ル - Google Patents

ダイオ―ドによる記憶を用いたバッテリ用モジュ―ル

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JP2000208170A
JP2000208170A JP2000001079A JP2000001079A JP2000208170A JP 2000208170 A JP2000208170 A JP 2000208170A JP 2000001079 A JP2000001079 A JP 2000001079A JP 2000001079 A JP2000001079 A JP 2000001079A JP 2000208170 A JP2000208170 A JP 2000208170A
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sensor
cell
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transistor
diode
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JP2000001079A
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English (en)
Inventor
Michel Perelle
ミシエル・ペレル
Jean-Pierre Planchat
ジヤン−ピエール・プランシヤ
Gerard Rigobert
ジエラール・リゴベール
Laurent Souliac
ロラン・スリアツク
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Alcatel CIT SA
Alcatel Lucent SAS
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Alcatel CIT SA
Alcatel SA
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    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02HEMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
    • H02H7/00Emergency protective circuit arrangements specially adapted for specific types of electric machines or apparatus or for sectionalised protection of cable or line systems, and effecting automatic switching in the event of an undesired change from normal working conditions
    • H02H7/18Emergency protective circuit arrangements specially adapted for specific types of electric machines or apparatus or for sectionalised protection of cable or line systems, and effecting automatic switching in the event of an undesired change from normal working conditions for batteries; for accumulators

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  • Charge And Discharge Circuits For Batteries Or The Like (AREA)
  • Secondary Cells (AREA)
  • Protection Of Static Devices (AREA)
  • Connection Of Batteries Or Terminals (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ダイオードによる記憶を用いたバッテリ用モ
ジュールの簡単かつ有効な保護手段を提供する。 【解決手段】 少なくとも1つのセル(1−1
と、少なくとも1つのセンサと、セルに直列接続された
ヒューズ(3)などの遮断装置と、電子スイッチとを含
む。電子スイッチは、センサが故障を検知したときに、
直列接続されたセルおよびヒューズを短絡するパワート
ランジスタ(12−12)と、センサの状態が後で
どのようになろうと、パワートランジスタが直列接続回
路を短絡したまま維持するためのダイオード(6)とを
含む。ダイオードは故障を記憶し、センサが故障を検知
していなくても、ヒューズの溶融後にモジュールが導通
状態のままであり続けるようにする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、少なくとも1つの
電気化学要素(element electrochi
mique)であるセルと、1つまたは複数のセルの少
なくとも1つの故障センサとを含む、バッテリ用モジュ
ールを目的とする。
【0002】本発明は、密封されたセルの超過圧力、過
熱、過電圧、不足電圧、短絡その他の故障に対する、バ
ッテリのセルの保護に関する。
【0003】
【従来の技術】1998年4月30日付けで出願された
フランス特許出願第9805541号は、少なくとも1
つのセンサを備えたセルと、セルに直列接続されたヒュ
ーズと、センサにより制御されセルおよびヒューズの直
列接続回路を閉じる電子スイッチとを含むバッテリモジ
ュールを記載している。この特許出願は、電子スイッチ
の例として、トランジスタ、サイリスタ、IGBTまた
はMOSなどを言及している。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
電子スイッチを提案する。本発明は、モジュール内また
はモジュール上に配置される遮断装置を用いたバッテリ
用モジュールの保護の問題に解決法を提供し、特に、モ
ジュールの内部抵抗を増加せずにモジュール保護の問題
への解決策を提案するものである。
【0005】本発明は、上記のフランス特許出願に記載
された記憶機能を簡単かつ有効に確保する。従って本発
明は、セルが遮断された後でも、モジュールが導通状態
のままであり続けることができる。
【0006】
【課題を解決するための手段】より詳しくは、本発明
は、少なくとも1つのセルと、少なくとも1つのセンサ
と、セルに直列接続された遮断装置と、電子スイッチと
を含むバッテリ用モジュールであって、電子スイッチ
が、センサが故障を検知したときに、直列接続されたセ
ルおよび遮断装置を短絡する少なくとも1つのパワート
ランジスタと、センサの状態が後でどのようになろう
と、パワートランジスタが直列接続回路を短絡したまま
維持するためのダイオードとを含む、モジュールを提案
する。
【0007】実施形態では、電子スイッチがさらに、セ
ンサが故障を検知したときにパワートランジスタをON
させる制御トランジスタを含み、ダイオードは、パワー
トランジスタがONされると、セルの電圧を制御トラン
ジスタのゲートに供給するように構成されている。
【0008】有利には、ダイオードが、遮断装置側のモ
ジュールの端子と制御トランジスタのゲートとに接続さ
れる。
【0009】この場合、好適には、ダイオードが抵抗を
介して制御トランジスタのゲートに接続される。
【0010】別の実施形態では、モジュールが、制御ト
ランジスタのゲートへの電圧印加を遅延させるコンデン
サを含む。
【0011】有利には、モジュールが、制御トランジス
タのゲートへの電圧印加を制限するツェナーダイオード
を含む。
【0012】好適には、センサが圧力検知スイッチを含
む。またセンサが、各セルに対して1個の圧力検知スイ
ッチを含むことができる。
【0013】実施形態では、センサが、過電圧センサを
含む。各セルの端子に過電圧センサを設けることができ
る。
【0014】実施形態では、センサが、セルの正常作動
時に開かれる並列接続された複数のスイッチを制御し、
抵抗およびスイッチの直列接続が、セルの端子に並列接
続され、制御トランジスタのゲートが、前記抵抗と前記
センサとの間に接続される。
【0015】他の実施形態では、センサが、セルの正常
作動時に閉じられ抵抗と直列接続された複数のスイッチ
を制御し、スイッチおよび抵抗の全体が、セルの端子に
並列接続され、制御トランジスタのゲートが、前記抵抗
と前記センサとの間に接続される。
【0016】本発明はまた、遮断装置に直列接続された
少なくとも1つのセルと、少なくとも1つのセンサと、
前記センサにより制御される少なくとも1つのパワート
ランジスタとを含むバッテリ用モジュールの故障保護方
法に関し、この方法は、センサが故障を検知したときセ
ンサによりパワートランジスタを制御し、パワートラン
ジスタが、セルおよび遮断装置の直列接続回路を閉じ、
センサの状態が後でどのようになろうと、ダイオードが
トランジスタを直列接続回路の閉状態に維持させる。
【0017】好適には、一定の遅延時間後も故障が続く
場合、センサによりトランジスタを制御する。
【0018】本発明の他の特徴および長所は、添付図面
に関して例として挙げられた本発明の実施形態の以下の
説明を読めば明らかになるだろう。
【0019】
【発明の実施の形態】図1は、本発明によるモジュール
の概略図である。このようなモジュールは、出力線で他
の複数個のモジュールと直列接続されてバッテリを形成
する。本発明は、モジュールの様々なセルにおいて考え
られる種々の故障に対する保護を提案するものである。
この実施形態では、図2の実施形態と同様に、故障の場
合には遮断によりセルを保護する。しかしながら、モジ
ュールは、安全システムが作動前も、作動中も、あるい
は作動後も、電気的に導通状態のままである。
【0020】図1のモジュールは、複数のセル、図の場
合には6個のセル1−1からなり、これらは出力線
2に3つのグループで直列接続され、各グループが、2
個の並列のセルを含む。ヒューズ3は、出力線2でセル
と直列接続される。少なくとも1つのセルには、図示し
ていない圧力検知器からなる圧力検知スイッチを設ける
ことができ、この圧力検知スイッチがスイッチを閉じる
ことを制御する。図1の実施形態では、各セルに圧力検
知スイッチが設けられている。各圧力検知スイッチのス
イッチ5〜5は並列接続され、セル内の圧力が安全
圧力未満である場合には通常開かれている。各スイッチ
〜5は、対応するセルにおいて圧力が安全圧力を
越える場合に閉じられる。
【0021】並列接続されたスイッチは、ダイオード6
と直列接続される。ダイオードおよびスイッチの全体
は、セルおよびヒューズの直列接続の端子に並列接続さ
れる。ダイオードのカソードは、図の場合はヒューズ側
にあり、ヒューズはモジュールの正極側にある。
【0022】図1の回路は、参照符字7の抵抗Rをさ
らに含み、この抵抗は、ダイオード6と同様にスイッチ
の並列接続の端子と、セルおよびヒューズの間の出力線
2とに接続されている。
【0023】容量Cのコンデンサ9と並列接続される
ツェナーダイオード8は、図で10と記されている抵抗
と直列接続される。ダイオードのアノードは、制御
トランジスタのゲートに接続され、このトランジスタ
は、図の場合にはP型MOSトランジスタである。
【0024】並列接続された複数のパワートランジスタ
12〜12の全体は、図の場合にはn=3であり、
セルおよびヒューズの直列接続の端子に並列接続され
る。図の実施形態では複数のトランジスタを設けた。ト
ランジスタは1つだけにしてもよい。図の実施形態で
は、N型MOSトランジスタを用いており、このトラン
ジスタの直列抵抗は小さい。
【0025】セルの端子には、制御トランジスタ14
と、並列接続された容量Cのコンデンサ15および参
照符字16の抵抗Rとが直列接続されたものが、並列
接続されている。制御トランジスタは、たとえばP型M
OSトランジスタである。
【0026】制御トランジスタ14のゲートは、抵抗R
10とツェナーダイオード8との間に接続される。パ
ワートランジスタ12〜12のゲートは、トランジ
スタ14と、並列接続回路Cとの間に接続され
る。
【0027】回路はさらに、モジュールを電子的に監視
するための情報を与える分岐部分を含む。この部分は、
参照符字18の抵抗Rと直列接続される情報トランジ
スタ17を含む。全体は、セルの端子に並列接続され
る。このトランジスタのゲートは、パワートランジスタ
のゲートと同様に、トランジスタ14と並列接続回路C
との間に接続される。情報トランジスタ17と抵
抗Rとの間では一定の電位が加えられ、セルの負極端
子とこの電位との差Vが、モジュールの端子への電圧と
なる。
【0028】回路を構成する各種の部品で可能な値は、
以下の通りである。
【0029】 R=10kΩ R=1MΩ C=0.1μF R=100kΩ C=10nF R=100kΩ 図1の回路の作動は次のようになる。セルの正常作動状
態では、スイッチ5〜5が開かれてトランジスタが
ブロックされる。監視電圧Vはモジュールの電圧に等し
く、情報トランジスタ17は、パワートランジスタ同様
にブロックされる。
【0030】セル内の一つの圧力が過剰であるためにス
イッチの1つが閉じられると、コンデンサC9が抵抗
10を介して充電され、制御トランジスタ14がO
Nする。従ってコンデンサ9は、制御トランジスタのゲ
ートへのトランジスタをONさせる電圧印加を遅延させ
る装置として作動する。容量Cおよび抵抗Rの選択
により、モジュールを短絡する遅延が可能になる。この
ようにして、雑音信号にシステムが応答することが回避
できる。ツェナーダイオード8は、制御トランジスタの
ゲートに印加される電圧を制限し、従って制御トランジ
スタを保護する。
【0031】制御トランジスタがONするので、コンデ
ンサC15が充電される。パワートランジスタ12
〜12は、情報トランジスタ17と同様にONする。
モジュールは短絡されるので、ヒューズ3が溶融し、セ
ルを遮断する。
【0032】情報トランジスタがONするので、情報電
圧Vが、モジュールからの供給電圧を示す。
【0033】ダイオード6は、システムの状態を記憶す
る。実際、スイッチの少なくとも1つが閉じたままであ
る限り、抵抗R7の端子、従って制御トランジスタ1
4の端子に電圧が存続し、これによって制御トランジス
タが導通され、パワートランジスタもまた導通される。
【0034】セル内の圧力が再び下降し、スイッチが開
かれる場合、ダイオードD6は、抵抗R7の端子
で、セルの電圧とダイオードの閾値電圧との差に等しい
電圧が存続するようにする。この電圧により制御トラン
ジスタが導通され続け、パワートランジスタもまた同様
になる。
【0035】このようにしてダイオードは、故障が持続
しない場合でも、故障を記憶する機能を確保する。この
機能は、ヒューズが溶融するときにヒューズによりセル
から遮断される側の完全なモジュールの1個の端子と、
複数スイッチの複数端子とにダイオードを接続すること
で得られる。従ってダイオードは、故障がなおった後
も、制御トランジスタが導通状態であり続けるように接
続される。
【0036】図1の回路では、また図2の回路でも同様
であるが、ダイオードのカソードは、パワートランジス
タのドレインに接続され、一方でアノードは、抵抗R
を介して制御トランジスタのゲートに給電するように接
続される。特にヒューズが図のようにセルの正の側に接
続されずに負の側に接続されている場合は、ダイオード
を別の方法で接続してもよい。この場合、ダイオードの
アノードは、ヒューズ側でモジュール側の負側の端子に
つながれる。
【0037】いずれの場合にも、ダイオードは、センサ
およびスイッチの状態が後でどうなろうとも、セルの電
圧が制御トランジスタのゲートに給電されるようにす
る。
【0038】かくして本発明は、正常作動時にモジュー
ルの内部抵抗をふやさずに、セルを保護する。事実、正
常作動時のヒューズだけが、出力線に追加されており、
ヒューズの抵抗は、セルの抵抗よりも小さい。
【0039】しかもパワートランジスタは、このパワー
トランジスタがONしている場合、遮断しているセルの
電圧を与えられ、バッテリの全体の電圧は与えられな
い。このようにして本発明は、バッテリを形成するモジ
ュールの数がどのようなものであっても、従ってバッテ
リの電圧の如何を問わず、パワートランジスタを保護で
きる。同様にヒューズは、それが切れている場合、モジ
ュールのセルの電圧だけに従う。どちらの場合にも、ア
ークは回避される。ヒューズの選択によりシステムを容
易に適合可能である。
【0040】セルを遮断した後で、本発明のモジュール
は導通状態であり続け、その抵抗はパワートランジスタ
の抵抗と同じである。この抵抗は、特にN型MOSトラ
ンジスタの場合には小さい。
【0041】さらに、本発明の回路の様々な構成部品
は、モジュールのセルにより給電される。従って、本発
明は、あらゆる外部電源から独立した自律解決法を提供
するものである。
【0042】図2は、本発明の別の実施形態を示す。図
2の実施形態で使用されているスイッチは、セルの正常
作動時に閉じられており、故障の場合に開かれる。
【0043】図2の回路は、抵抗Rとスイッチ5
の接続を除いて、図1の回路と同じである。セルの
正常作動時に閉じられているスイッチ20〜20
は、直列接続される。参照符字21の抵抗Rと直列
接続された直列スイッチ群は、セルの端子に接続され
る。参照符字22の抵抗Rは、一方ではスイッチ20
〜20と抵抗Rの間、また他方ではダイオード6
のアノードに接続される。
【0044】回路の他、すなわちツェナーダイオード
8、コンデンサC9、制御トランジスタ14、コンデ
ンサC15、抵抗R16、パワートランジスタ、ト
ランジスタ17および抵抗Rについては、図1の回路
と同じである。
【0045】抵抗RとRの可能な値は次の通りであ
る。
【0046】R=10kΩ R=100kΩ 図2の回路の動作は次の通りである。正常作動時にスイ
ッチ20〜20は閉じられており、コンデンサ9の
端子の電圧はゼロであるので、制御トランジスタ14が
ブロックされ、情報トランジスタ17と同様にパワート
ランジスタがブロックされる。
【0047】故障の場合、セルの1つにおける圧力が安
全値を越えると、対応するスイッチが開かれる。コンデ
ンサCは抵抗R、RおよびRを介して充電さ
れ、制御トランジスタ14がONになる。図1の回路と
同様に、コンデンサCは、モジュールが短絡される迄
の遅延時間を可能にする。
【0048】その結果、コンデンサCが充電され、パ
ワートランジスタが、トランジスタ17と同様にONに
なる。ヒューズおよびセルは短絡され、ヒューズは、セ
ルを遮断し溶融する。図1の回路と同様に、セルは遮断
されるが、モジュールは、パワートランジスタを介して
導通状態であり続ける。
【0049】さらに、故障が止まり、スイッチが再び閉
じられても、セルの電圧は、パワートランジスタ、ダイ
オード6および抵抗Rを介して、コンデンサCおよ
び制御トランジスタのゲートに供給される。図1の回路
と同様に、セルの端子の電圧と同じ電圧が、コンデンサ
と制御トランジスタのゲートに印加され続ける。
【0050】このようにしてダイオードは、図1の回路
と同じ記憶機能を果たす。
【0051】図1および図2の回路は、たとえば従来の
構成部品を用いて当業者が容易に製造することができ
る。その場合、全体は、セルのカバー内で組立てられ
る。
【0052】図1、図2の例では、バッテリの1つまた
は複数のセルに設置された圧力センサにより制御される
スイッチを考慮した。本発明はまた、たとえば温度セン
サや、様々なセルの端子における電圧センサのような他
のタイプのセンサに適用される。
【0053】電圧センサの場合、目標値と各セルの端子
における電圧とを比較可能なコンパレータを設けること
ができる。コンパレータは、こうした電圧の少なくとも
1つが目標値を超えるかどうか決定するロジック機能を
従えている。このような場合、図を参照しながら説明し
たように、制御トランジスタのゲートに一定の電圧を印
加する。この実施形態は、各セルの端子における電圧を
監視することができる。
【0054】また、この実施形態を図の1つの実施形態
と組み合わせて、モジュール内を支配する圧力だけでは
なく、セルの端子における電圧によっても同時に故障を
検出するようにすることができる。
【0055】本発明は、特に電気車両、また特に、この
ような車両のための二次蓄電池用Liイオンセルに適用
される。好適には、Liイオン電気化学対および平面ま
たはスパイラル状電極、すなわち角柱または円筒セルを
用いる。本発明はたとえば6個の円筒セルからなるモジ
ュールの保護に適用される。記載された実施形態、特に
電気車両への用途では、パワートランジスタをONして
ヒューズを溶融させるためにスイッチが開閉した後で、
モジュールが導通状態であり続ける。このようにして、
ダイオードにより記憶動作が確保され、センサが故障を
検出すると、セルの状態が後でどうなろうとモジュール
が導通状態であり続ける。
【0056】もちろん本発明は、記載および図示された
実施形態に制限されるものではなく、当業者が理解でき
る多数の変形実施形態を含む。かくして、図示されたパ
ワートランジスタの代わりに、サイリスタ、IGBTま
たは、「パワートランジスタ」という表現によりカバー
される他の要素を使用してもよい。本記載の中ではヒュ
ーズの例を挙げたが、遮断器、または他のあらゆる遮断
装置を用いることもできる。
【0057】さらに、情報部分すなわちトランジスタ1
7および抵抗18は、回路の適切な作動を損なわずに図
1、図2の回路から省くこともできる。ツェナーダイオ
ードについても同様である。さらに、遅延時間機能が必
要でない場合には、抵抗10およびコンデンサ9につい
ても同様である。またコンデンサ15をなくすことも可
能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施形態によるモジュールの概
略図である。
【図2】本発明の別の実施形態によるモジュールの概略
図である。
【符号の説明】
−1 セル 2 出力線 3 遮断装置 5−5、20〜20 スイッチ 6 ダイオード 7 抵抗R 8 ツェナーダイオード 9 コンデンサC 10 抵抗R 12−12 パワートランジスタ 14 制御トランジスタ 15 コンデンサC 16 抵抗R 17 情報トランジスタ 18 抵抗R 21 抵抗R 22 抵抗R
フロントページの続き (72)発明者 ジエラール・リゴベール フランス国、86000・ポワテイエ、リユ・ ジヤン・メルモ、189 (72)発明者 ロラン・スリアツク フランス国、86280・サン・ブノワ、ルー ト・ドウ・リギユジエ、90、バテイマン・ 7・アパルトマン・75

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 少なくとも1つのセル(1−1
    と、少なくとも1つのセンサと、セルに直列接続された
    遮断装置(3)と、電子スイッチとを含むバッテリ用モ
    ジュールであって、電子スイッチが、 センサが故障を検知したときに、直列接続されたセルお
    よび遮断装置を短絡する少なくとも1つのパワートラン
    ジスタ(12−12)と、 センサの状態が後でどのようになろうと、パワートラン
    ジスタが直列接続回路を短絡したまま維持するためのダ
    イオード(6)とを含む、モジュール。
  2. 【請求項2】 電子スイッチがさらに、センサが故障を
    検知したときにパワートランジスタをONさせる制御ト
    ランジスタ(17)を含み、ダイオードは、パワートラ
    ンジスタがONされると、セルの電圧を制御トランジス
    タのゲートに供給するように構成されていることを特徴
    とする請求項1に記載のモジュール。
  3. 【請求項3】 ダイオードが、遮断装置側のモジュール
    の端子と制御トランジスタのゲートとに接続されること
    を特徴とする請求項2に記載のモジュール。
  4. 【請求項4】 ダイオードが、抵抗(10)を介して制
    御トランジスタのゲートに接続されることを特徴とする
    請求項3に記載のモジュール。
  5. 【請求項5】 制御トランジスタのゲートへの電圧印加
    を遅延させるコンデンサ(9)を含むことを特徴とする
    請求項2、3または4に記載のモジュール。
  6. 【請求項6】 制御トランジスタのゲートへの電圧印加
    を制限するツェナーダイオード(8)を含むことを特徴
    とする請求項2から5のいずれか一項に記載のモジュー
    ル。
  7. 【請求項7】 センサが、圧力検知スイッチを含むこと
    を特徴とする請求項1から6のいずれか一項に記載のモ
    ジュール。
  8. 【請求項8】 センサが、各セルに対して1個の圧力検
    知スイッチを含むことを特徴とする請求項1から7のい
    ずれか一項に記載のモジュール。
  9. 【請求項9】 センサが、過電圧センサを含むことを特
    徴とする請求項1から8のいずれか一項に記載のモジュ
    ール。
  10. 【請求項10】 センサが、各セルの端子に1個の過電
    圧センサを含むことを特徴とする請求項1から9のいず
    れか一項に記載のモジュール。
  11. 【請求項11】 センサが、セルの正常作動時に開かれ
    る並列接続された複数のスイッチ(5−5)を制御
    し、抵抗(7)およびスイッチの直列接続が、セルの端
    子に並列接続され、制御トランジスタ(14)のゲート
    が、前記抵抗と前記センサとの間に接続されることを特
    徴とする請求項2から10のいずれか一項に記載のモジ
    ュール。
  12. 【請求項12】 センサが、セルの正常作動時に閉じら
    れ抵抗(7)と直列接続された複数のスイッチ(10
    −10)を制御し、スイッチおよび抵抗の全体が、セ
    ルの端子に並列接続され、制御トランジスタ(14)の
    ゲートが、前記抵抗と前記センサとの間に接続されるこ
    とを特徴とする請求項2から10のいずれか一項に記載
    のモジュール。
  13. 【請求項13】 遮断装置(3)に直列接続された少な
    くとも1つのセル(1−1)と、少なくとも1つの
    センサと、前記センサにより制御される少なくとも1つ
    のパワートランジスタ(12−12)とを含むバッ
    テリ用モジュールの故障保護方法であって、 センサが故障を検知したとき、センサによりパワートラ
    ンジスタを制御し、パワートランジスタが、セルおよび
    遮断装置の直列接続回路を閉じ、 センサの状態が後でどのようになろうと、ダイオードが
    トランジスタを直列接続回路の閉状態に維持させる方
    法。
  14. 【請求項14】 一定の遅延時間後も故障が続く場合、
    センサによりトランジスタを制御することを特徴とする
    請求項13に記載の方法。
JP2000001079A 1999-01-07 2000-01-06 ダイオ―ドによる記憶を用いたバッテリ用モジュ―ル Pending JP2000208170A (ja)

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FR9900088 1999-01-07
FR9900088A FR2788382B1 (fr) 1999-01-07 1999-01-07 Protection pour module de batterie avec memorisation par diode

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