JP2000208062A - 背面基板、前面基板、プラズマディスプレイパネル及びそれらの製造方法 - Google Patents
背面基板、前面基板、プラズマディスプレイパネル及びそれらの製造方法Info
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- JP2000208062A JP2000208062A JP1096699A JP1096699A JP2000208062A JP 2000208062 A JP2000208062 A JP 2000208062A JP 1096699 A JP1096699 A JP 1096699A JP 1096699 A JP1096699 A JP 1096699A JP 2000208062 A JP2000208062 A JP 2000208062A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 有機物で形成されたＰＤＰ用の背面基板、隔
壁、前面基板及び／又は封止材において、有機物の劣化
を防ぎ、放電空間内へ不純物ガスの混入を防ぐことを課
題とする。 【解決手段】 有機物を無機誘電体材料で被覆すること
により上記課題を解決する。
壁、前面基板及び／又は封止材において、有機物の劣化
を防ぎ、放電空間内へ不純物ガスの混入を防ぐことを課
題とする。 【解決手段】 有機物を無機誘電体材料で被覆すること
により上記課題を解決する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、背面基板、前面基
板、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）及びそれら
の製造方法に関する。
板、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）及びそれら
の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＰＤＰは、視認性に優れ、高速表示が可
能であり、更に比較的大画面を形成することが容易な薄
型表示装置として知られている。この内、特に面放電型
のＰＤＰは、一般的に、前面基板と、放電空間を仕切る
隔壁を有する背面基板とからなり、駆動電圧の印加に際
して対となる表示電極を前面基板側に設けた構成を有し
ている。更に、このＰＤＰは、蛍光体による、カラー表
示に適していることも知られている。
能であり、更に比較的大画面を形成することが容易な薄
型表示装置として知られている。この内、特に面放電型
のＰＤＰは、一般的に、前面基板と、放電空間を仕切る
隔壁を有する背面基板とからなり、駆動電圧の印加に際
して対となる表示電極を前面基板側に設けた構成を有し
ている。更に、このＰＤＰは、蛍光体による、カラー表
示に適していることも知られている。
【０００３】ここでＰＤＰを構成する前面基板、隔壁及
び背面基板は、通常ガラス又はセラミックスを主材料と
している。ところが、これら材料は比重が大きいためＰ
ＤＰを重くするという欠点があった。更に、隔壁は粉末
の材料を焼成することにより一般的に形成されるが、隔
壁の形状を一定に保つことは困難であり、また焼成を高
温で行う必要があるため製造コストがかかるという問題
もあった。
び背面基板は、通常ガラス又はセラミックスを主材料と
している。ところが、これら材料は比重が大きいためＰ
ＤＰを重くするという欠点があった。更に、隔壁は粉末
の材料を焼成することにより一般的に形成されるが、隔
壁の形状を一定に保つことは困難であり、また焼成を高
温で行う必要があるため製造コストがかかるという問題
もあった。
【０００４】上記問題を解決する手段として、前面基
板、隔壁及び背面基板に有機物を使用することが考えら
れる。例えば、特開平４−２４９８２８号公報には、隔
壁に有機物を使用することが記載されている。
板、隔壁及び背面基板に有機物を使用することが考えら
れる。例えば、特開平４−２４９８２８号公報には、隔
壁に有機物を使用することが記載されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、有機物
は、（１）放電空間内で発生する紫外線により劣化す
る、（２）放電空間に有機物を介して不純物ガスが混入
し、放電特性が劣化する、（３）高温での熱処理が必要
な場合、有機物が変質するという問題があった。
は、（１）放電空間内で発生する紫外線により劣化す
る、（２）放電空間に有機物を介して不純物ガスが混入
し、放電特性が劣化する、（３）高温での熱処理が必要
な場合、有機物が変質するという問題があった。
【０００６】
【課題を解決するための手段】かくして本発明によれ
ば、プラズマディスプレイパネルに用いられ、放電空間
を仕切る隔壁を有する背面基板であって、隔壁、背面基
板又はその両方が１０5Ω・ｃｍ以上の抵抗率と１００
ＭＰａ以上の弾性率を有する有機物からなり、有機物の
放電空間側の表面が無機誘電体材料で被覆されてなるこ
とを特徴とする背面基板が提供される。
ば、プラズマディスプレイパネルに用いられ、放電空間
を仕切る隔壁を有する背面基板であって、隔壁、背面基
板又はその両方が１０5Ω・ｃｍ以上の抵抗率と１００
ＭＰａ以上の弾性率を有する有機物からなり、有機物の
放電空間側の表面が無機誘電体材料で被覆されてなるこ
とを特徴とする背面基板が提供される。
【０００７】更に、本発明によれば、プラズマディスプ
レイパネルに用いられる前面基板であって、前面基板が
１０5Ω・ｃｍ以上の抵抗率と１００ＭＰａ以上の弾性
率を有する有機物からなり、有機物の放電空間側の表面
が無機誘電体材料で被覆されてなることを特徴とする前
面基板が提供される。
レイパネルに用いられる前面基板であって、前面基板が
１０5Ω・ｃｍ以上の抵抗率と１００ＭＰａ以上の弾性
率を有する有機物からなり、有機物の放電空間側の表面
が無機誘電体材料で被覆されてなることを特徴とする前
面基板が提供される。
【０００８】また、本発明によれば、前面基板と背面基
板との間に位置する放電空間を仕切る隔壁を有し、周囲
が封止材で封止されたプラズマディスプレイパネルであ
って、封止材が、１０5Ω・ｃｍ以上の抵抗率と１００
ＭＰａ以上の弾性率を有する有機物からなり、その表面
が無機材料で被覆されてなることを特徴とするプラズマ
ディスプレイパネルが提供される。
板との間に位置する放電空間を仕切る隔壁を有し、周囲
が封止材で封止されたプラズマディスプレイパネルであ
って、封止材が、１０5Ω・ｃｍ以上の抵抗率と１００
ＭＰａ以上の弾性率を有する有機物からなり、その表面
が無機材料で被覆されてなることを特徴とするプラズマ
ディスプレイパネルが提供される。
【０００９】更に、本発明によれば、プラズマディスプ
レイパネルに用いられ、放電空間を仕切る隔壁を有する
背面基板の製造方法であって、隔壁、背面基板又はその
両方を１０5Ω・ｃｍ以上の抵抗率と１００ＭＰａ以上
の弾性率を有する有機物を用いて形成し、有機物の放電
空間側の表面を無機誘電体材料で被覆することを特徴と
する背面基板の製造方法が提供される
レイパネルに用いられ、放電空間を仕切る隔壁を有する
背面基板の製造方法であって、隔壁、背面基板又はその
両方を１０5Ω・ｃｍ以上の抵抗率と１００ＭＰａ以上
の弾性率を有する有機物を用いて形成し、有機物の放電
空間側の表面を無機誘電体材料で被覆することを特徴と
する背面基板の製造方法が提供される
【００１０】
【発明の実施の形態】まず、本発明のＰＤＰ用の背面基
板について説明する。背面基板は、通常、少なくとも基
板、基板上に所定のパターン間隔で形成されたアドレス
電極、アドレス電極間の基板上に形成された隔壁からな
っている。本発明は、基板及び／又は隔壁が有機物から
構成されていることを特徴の１つとしている。
板について説明する。背面基板は、通常、少なくとも基
板、基板上に所定のパターン間隔で形成されたアドレス
電極、アドレス電極間の基板上に形成された隔壁からな
っている。本発明は、基板及び／又は隔壁が有機物から
構成されていることを特徴の１つとしている。
【００１１】基板及び隔壁に使用することができる有機
物としては、１０5Ω・ｃｍ以上の抵抗率と１００ＭＰ
ａ以上の弾性率を有するものが挙げられる。具体的に
は、ポリカーボネート、ポリアクリル、ポリスチレン、
ポリエチレンテレフタレート等の熱可塑性樹脂が挙げら
れる。また、隔壁には、前記樹脂以外にも、フォトリソ
グラフィー法で一般的に使用されるドライフィルムレジ
ストのような感光性樹脂、更にはエポキシ樹脂、ポリイ
ミド等の熱硬化性樹脂も使用することができる。
物としては、１０5Ω・ｃｍ以上の抵抗率と１００ＭＰ
ａ以上の弾性率を有するものが挙げられる。具体的に
は、ポリカーボネート、ポリアクリル、ポリスチレン、
ポリエチレンテレフタレート等の熱可塑性樹脂が挙げら
れる。また、隔壁には、前記樹脂以外にも、フォトリソ
グラフィー法で一般的に使用されるドライフィルムレジ
ストのような感光性樹脂、更にはエポキシ樹脂、ポリイ
ミド等の熱硬化性樹脂も使用することができる。
【００１２】抵抗率が１０5Ω・ｃｍより小さい場合、
クロストークが発生し、アドレスができない場合がある
ので好ましくない。一方、弾性率が１００ＭＰａより小
さい場合、封止工程又は排気工程で隔壁が変形するので
好ましくない。より好ましい抵抗率及び弾性率は、それ
ぞれ１０6〜１０10Ω・ｃｍ及び１００〜４０００ＭＰ
ａである。
クロストークが発生し、アドレスができない場合がある
ので好ましくない。一方、弾性率が１００ＭＰａより小
さい場合、封止工程又は排気工程で隔壁が変形するので
好ましくない。より好ましい抵抗率及び弾性率は、それ
ぞれ１０6〜１０10Ω・ｃｍ及び１００〜４０００ＭＰ
ａである。
【００１３】隔壁に有機物を使用した場合、隔壁の形成
方法としては、以下のような方法が挙げられる。有機物
が熱可塑性樹脂である場合、所望する形状の隔壁に対応
するパターンを有する型を用いて、熱成形する方法が挙
げられる。また、有機物が感光性樹脂である場合、フォ
トリソグラフィー法により所望の形状に露光及び現像し
て形成する方法が挙げられる。
方法としては、以下のような方法が挙げられる。有機物
が熱可塑性樹脂である場合、所望する形状の隔壁に対応
するパターンを有する型を用いて、熱成形する方法が挙
げられる。また、有機物が感光性樹脂である場合、フォ
トリソグラフィー法により所望の形状に露光及び現像し
て形成する方法が挙げられる。
【００１４】次に、有機物の表面の内、少なくとも放電
空間に接する面は無機誘電体材料で覆われる。無機誘電
体材料の被覆厚は０．１〜１０μｍであることが好まし
い。無機誘電体材料としては、通常隔壁の材料として使
用されている低融点ガラス（酸化鉛を主成分とする。具
体的にはＰｂＯ−ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−ＺｎＯ−ＣａＯの
成分を含むものが挙げられる。）や、ＭｇＯ、Ａｌ
2Ｏ3、ＺｎＯ、ＳｉＯ2、ＳｉＮ等が挙げられる。被覆
方法としては、低融点ガラスの場合、低融点ガラス粉末
を有機溶媒に分散させたペーストを所望する部分に塗布
し、有機溶媒を除去した後、焼成する方法が挙げられ
る。また、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3やＺｎＯの場合、ステアリ
ン酸マグネシウム、ステアリン酸アルミニウムやステア
リン酸亜鉛のような有機塩を有機溶媒に溶解させた溶液
を所望する部分に塗布し、有機溶媒を除去した後、焼成
する方法が挙げられる。更に、ＳｉＯ2、ＳｉＮ等の場
合、スパッタ法が挙げられる。特に、無機誘電体材料が
ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3やＺｎＯの場合、焼成時に、所定波長
及び強度の紫外線を照射することにより、有機塩の分解
が促進され、焼成温度をより低くすることができる。
空間に接する面は無機誘電体材料で覆われる。無機誘電
体材料の被覆厚は０．１〜１０μｍであることが好まし
い。無機誘電体材料としては、通常隔壁の材料として使
用されている低融点ガラス（酸化鉛を主成分とする。具
体的にはＰｂＯ−ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−ＺｎＯ−ＣａＯの
成分を含むものが挙げられる。）や、ＭｇＯ、Ａｌ
2Ｏ3、ＺｎＯ、ＳｉＯ2、ＳｉＮ等が挙げられる。被覆
方法としては、低融点ガラスの場合、低融点ガラス粉末
を有機溶媒に分散させたペーストを所望する部分に塗布
し、有機溶媒を除去した後、焼成する方法が挙げられ
る。また、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3やＺｎＯの場合、ステアリ
ン酸マグネシウム、ステアリン酸アルミニウムやステア
リン酸亜鉛のような有機塩を有機溶媒に溶解させた溶液
を所望する部分に塗布し、有機溶媒を除去した後、焼成
する方法が挙げられる。更に、ＳｉＯ2、ＳｉＮ等の場
合、スパッタ法が挙げられる。特に、無機誘電体材料が
ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3やＺｎＯの場合、焼成時に、所定波長
及び強度の紫外線を照射することにより、有機塩の分解
が促進され、焼成温度をより低くすることができる。
【００１５】ここで、無機誘電体材料の被覆は、基板が
有機物からなる場合、隔壁の形成前に行っても、形成後
に行ってもよい。また、基板と隔壁の両方が有機物から
なる場合、隔壁の形成後に被覆を行うことが工程の短縮
化の観点から好ましい。なお、基板が有機物からなる場
合、ガラスや金属等の補強材で補強されていてもよい。
更に、基板の全面を無機誘電体材料で被覆してもよい。
有機物からなる場合、隔壁の形成前に行っても、形成後
に行ってもよい。また、基板と隔壁の両方が有機物から
なる場合、隔壁の形成後に被覆を行うことが工程の短縮
化の観点から好ましい。なお、基板が有機物からなる場
合、ガラスや金属等の補強材で補強されていてもよい。
更に、基板の全面を無機誘電体材料で被覆してもよい。
【００１６】次に、基板上に隔壁が形成された後、公知
の方法で隔壁間に蛍光体層を形成することにより、背面
基板を得ることができる。得られた背面基板上に、公知
の方法により形成された前面基板を対向させ、周囲をフ
リットガラスのような封止材で封止した後、放電ガスを
注入することによりＰＤＰを形成することができる。な
お、封止の際の加熱が、有機物を変質させる恐れがある
場合は、封止部以外の領域を冷却しつつ加熱することが
好ましい。
の方法で隔壁間に蛍光体層を形成することにより、背面
基板を得ることができる。得られた背面基板上に、公知
の方法により形成された前面基板を対向させ、周囲をフ
リットガラスのような封止材で封止した後、放電ガスを
注入することによりＰＤＰを形成することができる。な
お、封止の際の加熱が、有機物を変質させる恐れがある
場合は、封止部以外の領域を冷却しつつ加熱することが
好ましい。
【００１７】ここで、前面基板の対向前に、マイクロシ
ートガラスを介して、背面基板と前面基板を対向させる
ことにより、従来前面基板の形成に必要とされていた高
温での熱処理工程を省略することができる。このマイク
ロシートガラスは、一般的に、ＳｉＯ2及びＢ2Ｏ3を主
成分とするホウケイ酸ガラスからなり、約５０μｍ以下
の厚さを有しており、前面基板の誘電体層としての役割
を兼ねさせることができる。
ートガラスを介して、背面基板と前面基板を対向させる
ことにより、従来前面基板の形成に必要とされていた高
温での熱処理工程を省略することができる。このマイク
ロシートガラスは、一般的に、ＳｉＯ2及びＢ2Ｏ3を主
成分とするホウケイ酸ガラスからなり、約５０μｍ以下
の厚さを有しており、前面基板の誘電体層としての役割
を兼ねさせることができる。
【００１８】次に、本発明のＰＤＰ用の前面基板につい
て説明する。本発明の前面基板は、例えば、基板、基板
上に形成された表示電極、表示電極を覆うように基板上
に形成された誘電体層、誘電体層上に形成された保護層
から構成される。この構成の内、基板が有機物からな
り、その放電空間側の表面が無機誘電体材料で被覆され
ている。
て説明する。本発明の前面基板は、例えば、基板、基板
上に形成された表示電極、表示電極を覆うように基板上
に形成された誘電体層、誘電体層上に形成された保護層
から構成される。この構成の内、基板が有機物からな
り、その放電空間側の表面が無機誘電体材料で被覆され
ている。
【００１９】前面基板に使用することができる有機物及
び無機誘電体材料の種類、無機誘電体材料での被覆方法
は、上記背面基板と同様である。また、前面基板の全面
が無機誘電体材料で被覆されていることが好ましい。得
られた前面基板に、公知の方法により形成された背面基
板を対向させ、周囲をフリットガラスのような封止材で
封止した後、放電ガスを注入することによりＰＤＰを形
成することができる。更に、背面基板は、上記本発明の
背面基板であることがより好ましい。
び無機誘電体材料の種類、無機誘電体材料での被覆方法
は、上記背面基板と同様である。また、前面基板の全面
が無機誘電体材料で被覆されていることが好ましい。得
られた前面基板に、公知の方法により形成された背面基
板を対向させ、周囲をフリットガラスのような封止材で
封止した後、放電ガスを注入することによりＰＤＰを形
成することができる。更に、背面基板は、上記本発明の
背面基板であることがより好ましい。
【００２０】更に、本発明では、背面基板と前面基板の
封止が、例えば、エポキシ樹脂を主成分とする有機物か
らなる封止材を使用して行い、その表面が無機材料で被
覆されてなるＰＤＰも提供される。従来、封止は、フリ
ットガラスのような低融点ガラスが使用されていたが、
本発明では有機物を使用し、その表面を無機材料で被覆
することにより、封止処理に必要な温度をより低くする
ことができる。具体的には、従来４００℃程度であった
封止処理温度を、無機材料の被覆時の２０〜３００℃に
することができる。なお、無機材料には、上記無機誘電
体材料と同様のものを使用することができる。特に、上
記本発明の背面基板、前面基板及び封止方法を組合わせ
ることが好ましい。
封止が、例えば、エポキシ樹脂を主成分とする有機物か
らなる封止材を使用して行い、その表面が無機材料で被
覆されてなるＰＤＰも提供される。従来、封止は、フリ
ットガラスのような低融点ガラスが使用されていたが、
本発明では有機物を使用し、その表面を無機材料で被覆
することにより、封止処理に必要な温度をより低くする
ことができる。具体的には、従来４００℃程度であった
封止処理温度を、無機材料の被覆時の２０〜３００℃に
することができる。なお、無機材料には、上記無機誘電
体材料と同様のものを使用することができる。特に、上
記本発明の背面基板、前面基板及び封止方法を組合わせ
ることが好ましい。
【００２１】以上のように、本発明では、背面基板、隔
壁、前面基板及び／又は封止材を有機物で形成し、その
表面を無機誘電体材料（又は無機材料）で被覆するの
で、（１）放電空間内で発生する紫外線により有機物が
劣化することを防ぐことができ、（２）外部から放電空
間内に不純物ガスが混入することを防ぐことができ、
（３）製造工程中の熱処理工程を減らすことができ、
（４）ＰＤＰの軽量化及び低コスト化を促進することが
できる。
壁、前面基板及び／又は封止材を有機物で形成し、その
表面を無機誘電体材料（又は無機材料）で被覆するの
で、（１）放電空間内で発生する紫外線により有機物が
劣化することを防ぐことができ、（２）外部から放電空
間内に不純物ガスが混入することを防ぐことができ、
（３）製造工程中の熱処理工程を減らすことができ、
（４）ＰＤＰの軽量化及び低コスト化を促進することが
できる。
【００２２】
【実施例】以下、本発明を更に詳細に説明する。 実施例１ ガラス基板１上にアドレス電極２を蒸着法及びフォトリ
ソグラフィー法によるパターニングにより形成した。
ソグラフィー法によるパターニングにより形成した。
【００２３】次に、アドレス電極２を覆うようにガラス
基板１上にフォトレジスト（ドライフィルムレジストＰ
Ｒ１５５：東京応化製）を２層積層し、露光及び現像す
ることにより高さ１０６μｍの有機物からなる隔壁３を
形成した。次いで、ステアリン酸マグネシウムをトルエ
ンに溶解した溶液に、上記基板を浸漬することにより、
基板全面を溶液で被覆した。この後、トルエンを蒸発さ
せ、波長２５４ｎｍの紫外線を５０ｍＷ／ｃｍ2の強度
で２時間照射することにより、隔壁と隔壁間の基板の表
面を酸化マグネシウム（無機誘電体材料）からなる緻密
な層４で覆った。これら工程により、背面基板を形成し
た。
基板１上にフォトレジスト（ドライフィルムレジストＰ
Ｒ１５５：東京応化製）を２層積層し、露光及び現像す
ることにより高さ１０６μｍの有機物からなる隔壁３を
形成した。次いで、ステアリン酸マグネシウムをトルエ
ンに溶解した溶液に、上記基板を浸漬することにより、
基板全面を溶液で被覆した。この後、トルエンを蒸発さ
せ、波長２５４ｎｍの紫外線を５０ｍＷ／ｃｍ2の強度
で２時間照射することにより、隔壁と隔壁間の基板の表
面を酸化マグネシウム（無機誘電体材料）からなる緻密
な層４で覆った。これら工程により、背面基板を形成し
た。
【００２４】次に、公知の方法で形成した前面基板５と
背面基板を対向させ、それらの周囲をフリットガラス６
により封止することにより、図１に示すＰＤＰを形成し
た。なお、フリットガラス６による封止には約４００℃
での熱処理が必要であるため、隔壁が形成されているＰ
ＤＰの中央部を冷却することにより、隔壁の変質を防い
だ。
背面基板を対向させ、それらの周囲をフリットガラス６
により封止することにより、図１に示すＰＤＰを形成し
た。なお、フリットガラス６による封止には約４００℃
での熱処理が必要であるため、隔壁が形成されているＰ
ＤＰの中央部を冷却することにより、隔壁の変質を防い
だ。
【００２５】実施例２ ガラス基板の代わりにポリカーボネート基板を使用する
こと以外は、実施例１と同様にして背面基板を形成し
た。更に、ステアリン酸マグネシウムをトルエンに溶解
した溶液に、蒸着法により電極が形成されたポリカーボ
ネート基板を浸漬することにより、基板全面を溶液で被
覆した。この後、トルエンを蒸発させ、波長２５４ｎｍ
の紫外線を５０ｍＷ／ｃｍ2の強度で２時間照射するこ
とにより、基板の表面を酸化マグネシウム（無機誘電体
材料）からなる緻密な層で覆った。この工程により、前
面基板を形成した。
こと以外は、実施例１と同様にして背面基板を形成し
た。更に、ステアリン酸マグネシウムをトルエンに溶解
した溶液に、蒸着法により電極が形成されたポリカーボ
ネート基板を浸漬することにより、基板全面を溶液で被
覆した。この後、トルエンを蒸発させ、波長２５４ｎｍ
の紫外線を５０ｍＷ／ｃｍ2の強度で２時間照射するこ
とにより、基板の表面を酸化マグネシウム（無機誘電体
材料）からなる緻密な層で覆った。この工程により、前
面基板を形成した。
【００２６】上記背面基板と前面基板を対向させ、それ
らの周囲をエポキシ樹脂を主成分とするトールシール
（商品名Ｔｏｒｒ Ｓｅａｌ：Ｖａｒｉａｎ ｖａｃｕ
ｕｍｐｒｏｄｕｃｔｓ製）により封止した。更に、封止
部の外面を上記と同様にして、酸化マグネシウム（無機
材料）で覆うことにより、放電ガスの純度を確保した。
なお、背面基板及び前面基板に、ポリアクリル及びポリ
スチレンを使用した場合も、上記と同様の方法でＰＤＰ
を形成することができた。
らの周囲をエポキシ樹脂を主成分とするトールシール
（商品名Ｔｏｒｒ Ｓｅａｌ：Ｖａｒｉａｎ ｖａｃｕ
ｕｍｐｒｏｄｕｃｔｓ製）により封止した。更に、封止
部の外面を上記と同様にして、酸化マグネシウム（無機
材料）で覆うことにより、放電ガスの純度を確保した。
なお、背面基板及び前面基板に、ポリアクリル及びポリ
スチレンを使用した場合も、上記と同様の方法でＰＤＰ
を形成することができた。
【００２７】実施例３ 実施例１と同様にして背面基板を形成し、この背面基板
の隔壁上にマイクロシートガラスを貼り付け、実施例１
と同様にして、周囲をフリットガラス６により封止し
た。次いで、マイクロシートガラス上に公知の方法で形
成した前面基板を貼り付けることによりＰＤＰを形成し
た。なお、マイクロシートガラスは、前面基板の誘電体
層として使用することができた。
の隔壁上にマイクロシートガラスを貼り付け、実施例１
と同様にして、周囲をフリットガラス６により封止し
た。次いで、マイクロシートガラス上に公知の方法で形
成した前面基板を貼り付けることによりＰＤＰを形成し
た。なお、マイクロシートガラスは、前面基板の誘電体
層として使用することができた。
【００２８】実施例４ 実施例２と同様にしてＰＤＰを形成した後、ステアリン
酸マグネシウムをトルエンに溶解した溶液に、ＰＤＰを
浸漬することにより、ＰＤＰ全面を溶液で被覆した。こ
の後、トルエンを蒸発させ、ＰＤＰ全体を２００℃に加
熱しながら、波長２５４ｎｍの紫外線を５０ｍＷ／ｃｍ
2の強度で２時間照射することにより、ＰＤＰ全面を酸
化マグネシウム（無機誘電体材料）からなる緻密な層で
覆った。これにより、基板側からの空気及び水蒸気の放
電空間への混入を防ぐことができた。
酸マグネシウムをトルエンに溶解した溶液に、ＰＤＰを
浸漬することにより、ＰＤＰ全面を溶液で被覆した。こ
の後、トルエンを蒸発させ、ＰＤＰ全体を２００℃に加
熱しながら、波長２５４ｎｍの紫外線を５０ｍＷ／ｃｍ
2の強度で２時間照射することにより、ＰＤＰ全面を酸
化マグネシウム（無機誘電体材料）からなる緻密な層で
覆った。これにより、基板側からの空気及び水蒸気の放
電空間への混入を防ぐことができた。
【００２９】実施例５ 実施例１と同様にしてアドレス電極を形成したガラス基
板上をポリカーボネートで覆った。次いで、形成すべき
隔壁に対応したパターンの型を加熱しつつ、ポリカーボ
ネートに押し付けること（熱成形）により隔壁を形成し
た。この後、実施例１と同様にして、ＰＤＰを形成する
ことができた。
板上をポリカーボネートで覆った。次いで、形成すべき
隔壁に対応したパターンの型を加熱しつつ、ポリカーボ
ネートに押し付けること（熱成形）により隔壁を形成し
た。この後、実施例１と同様にして、ＰＤＰを形成する
ことができた。
【００３０】実施例６ 蒸着法により電極が形成されたポリカーボネート基板の
全面をポリカーボネートで覆った後、実施例２と同様に
して、酸化マグネシウムで覆うことにより前面基板を形
成した。ここで、基板を覆うポリカーボネートは誘電体
層として、酸化マグネシウムは保護層としての役割も果
たした。この後、実施例２と同様にして、ＰＤＰを形成
することができた。
全面をポリカーボネートで覆った後、実施例２と同様に
して、酸化マグネシウムで覆うことにより前面基板を形
成した。ここで、基板を覆うポリカーボネートは誘電体
層として、酸化マグネシウムは保護層としての役割も果
たした。この後、実施例２と同様にして、ＰＤＰを形成
することができた。
【００３１】
【発明の効果】本発明によれば、背面基板、隔壁、前面
基板及び／又は封止材を有機物で形成し、その表面が無
機誘電体材料（又は無機材料）で被覆される。そのた
め、放電空間内で発生する紫外線による有機物の劣化を
防止し、外部から放電空間内への不純物ガスの混入を防
止し、製造工程中の熱処理工程を削減し、ＰＤＰの軽量
化及び低コスト化を促進することができる。
基板及び／又は封止材を有機物で形成し、その表面が無
機誘電体材料（又は無機材料）で被覆される。そのた
め、放電空間内で発生する紫外線による有機物の劣化を
防止し、外部から放電空間内への不純物ガスの混入を防
止し、製造工程中の熱処理工程を削減し、ＰＤＰの軽量
化及び低コスト化を促進することができる。
【図１】本発明のＰＤＰの概略断面図である。
１、５ 基板 ２ アドレス電極 ３ 有機物の隔壁 ４ 無機誘電体材料の層 ６ フリットガラス
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 堀之内 徹也 鹿児島県薩摩郡入来町副田5950番地 株式 会社九州富士通エレクトロニクス内 Ｆターム(参考） 5C012 AA09 BB01 BB02 5C027 AA05 AA09 AA10 5C040 FA01 FA04 GA02 GA03 GA09 GB03 GB08 GB14 GF02 GF18 GF19 JA02 JA07 JA15 JA20 KA14 KA15 MA25 MA26
Claims (13)
- 【請求項１】 プラズマディスプレイパネルに用いら
れ、放電空間を仕切る隔壁を有する背面基板であって、 隔壁、背面基板又はその両方が１０5Ω・ｃｍ以上の抵
抗率と１００ＭＰａ以上の弾性率を有する有機物からな
り、有機物の放電空間側の表面が無機誘電体材料で被覆
されてなることを特徴とする背面基板。 - 【請求項２】 背面基板が有機物からなる場合、全面が
無機誘電体材料で被覆されてなる請求項１に記載の背面
基板。 - 【請求項３】 背面基板が有機物からなる場合、基板が
ガラス又は金属からなる補強材で補強されてなる請求項
１又は２に記載の背面基板。 - 【請求項４】 有機物が、熱可塑性樹脂からなる請求項
１〜３のいずれかに記載の背面基板。 - 【請求項５】 無機誘電体材料が、酸化アルミニウム又
は酸化マグネシウムからなる請求項１〜４のいずれかに
記載の背面基板。 - 【請求項６】 プラズマディスプレイパネルに用いられ
る前面基板であって、 前面基板が１０5Ω・ｃｍ以上の抵抗率と１００ＭＰａ
以上の弾性率を有する有機物からなり、有機物の放電空
間側の表面が無機誘電体材料で被覆されてなることを特
徴とする前面基板。 - 【請求項７】 前面基板の全面が無機誘電体材料で被覆
されてなる請求項６に記載の前面基板。 - 【請求項８】 前面基板がガラス又は金属からなる補強
材で補強されてなる請求項６又は７に記載の前面基板。 - 【請求項９】 前面基板と背面基板との間に位置する放
電空間を仕切る隔壁を有し、周囲が封止材で封止された
プラズマディスプレイパネルであって、 封止材が、１０5Ω・ｃｍ以上の抵抗率と１００ＭＰａ
以上の弾性率を有する有機物からなり、その表面が無機
材料で被覆されてなることを特徴とするプラズマディス
プレイパネル。 - 【請求項１０】 プラズマディスプレイパネルに用いら
れ、放電空間を仕切る隔壁を有する背面基板の製造方法
であって、 隔壁、背面基板又はその両方を１０5Ω・ｃｍ以上の抵
抗率と１００ＭＰａ以上の弾性率を有する有機物を用い
て形成し、有機物の放電空間側の表面を無機誘電体材料
で被覆することを特徴とする背面基板の製造方法。 - 【請求項１１】 隔壁が、熱可塑性樹脂からなる有機物
を熱成形することにより形成する請求項１０に記載の背
面基板の製造方法。 - 【請求項１２】 隔壁が、感光性樹脂からなる有機物を
フォトリソグラフィー法で成形することにより形成する
請求項１０に記載の背面基板の製造方法。 - 【請求項１３】 無機誘電体材料での被覆が、塗布熱分
解法又はスパッタ法により行われる請求項１０〜１２の
いずれかに記載の背面基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1096699A JP2000208062A (ja) | 1999-01-19 | 1999-01-19 | 背面基板、前面基板、プラズマディスプレイパネル及びそれらの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1096699A JP2000208062A (ja) | 1999-01-19 | 1999-01-19 | 背面基板、前面基板、プラズマディスプレイパネル及びそれらの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000208062A true JP2000208062A (ja) | 2000-07-28 |
Family
ID=11764922
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1096699A Pending JP2000208062A (ja) | 1999-01-19 | 1999-01-19 | 背面基板、前面基板、プラズマディスプレイパネル及びそれらの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000208062A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008000963A (ja) * | 2006-06-21 | 2008-01-10 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 精密微細空間の形成方法、精密微細空間を有する部材の製造方法および感光性積層フィルム |
| WO2008007441A1 (fr) * | 2006-07-14 | 2008-01-17 | Hitachi Plasma Display Limited | procédé de fabrication d'un écran plasma à l'aide d'un substrat en résine |
| KR100837028B1 (ko) * | 2002-10-22 | 2008-06-10 | 오리온피디피주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널의 씰 형성 방법 |
| US8187408B2 (en) | 2006-06-21 | 2012-05-29 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Method of forming precision microspace, process for manufacturing member with precision microspace, and photosensitive laminated film |
-
1999
- 1999-01-19 JP JP1096699A patent/JP2000208062A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100837028B1 (ko) * | 2002-10-22 | 2008-06-10 | 오리온피디피주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널의 씰 형성 방법 |
| JP2008000963A (ja) * | 2006-06-21 | 2008-01-10 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 精密微細空間の形成方法、精密微細空間を有する部材の製造方法および感光性積層フィルム |
| US8187408B2 (en) | 2006-06-21 | 2012-05-29 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Method of forming precision microspace, process for manufacturing member with precision microspace, and photosensitive laminated film |
| WO2008007441A1 (fr) * | 2006-07-14 | 2008-01-17 | Hitachi Plasma Display Limited | procédé de fabrication d'un écran plasma à l'aide d'un substrat en résine |
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