JP2000196405A - 圧電共振子およびフィルタ - Google Patents
圧電共振子およびフィルタInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】基板の共振インピーダンスへの影響を抑制で
き、基板の形状、作製プロセスに左右されることのない
圧電共振子およびフィルタを提供する。 【解決手段】圧電膜５、７と電極８、９、１０とを交互
に積層してなり、厚み縦振動モードで作動する共振素子
３を基板１上に設けた圧電共振子であって、共振素子３
が偶数層の圧電膜５、７を有するとともに、上下隣接す
る圧電膜５、７の振動が逆位相であることを特徴とす
る。ここで、圧電膜５、７の厚みが同一であることが望
ましい。
き、基板の形状、作製プロセスに左右されることのない
圧電共振子およびフィルタを提供する。 【解決手段】圧電膜５、７と電極８、９、１０とを交互
に積層してなり、厚み縦振動モードで作動する共振素子
３を基板１上に設けた圧電共振子であって、共振素子３
が偶数層の圧電膜５、７を有するとともに、上下隣接す
る圧電膜５、７の振動が逆位相であることを特徴とす
る。ここで、圧電膜５、７の厚みが同一であることが望
ましい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、圧電共振子および
フィルタに関するものである。
フィルタに関するものである。
【０００２】
【従来技術】従来、圧電薄膜を用いたフィルタは、圧電
薄膜を一対の電極で挟持した共振素子を複数基板上に設
け、この圧電薄膜の振動による共振を利用していた。そ
して、このような薄膜フィルタでは、一般に、高周波で
特性が発現するよう、圧電薄膜に引きずられて振動する
基板の厚みをできるだけ薄くすることが要求されてお
り、このためエッチング等により基板内にキャビティが
設けられていた。
薄膜を一対の電極で挟持した共振素子を複数基板上に設
け、この圧電薄膜の振動による共振を利用していた。そ
して、このような薄膜フィルタでは、一般に、高周波で
特性が発現するよう、圧電薄膜に引きずられて振動する
基板の厚みをできるだけ薄くすることが要求されてお
り、このためエッチング等により基板内にキャビティが
設けられていた。
【０００３】図８に従来のフィルタを示す。このフィル
タは、基板４１と、この基板４１上に、下側電極４３
と、該下側電極４３上に形成された圧電体薄膜４５と、
該圧電体薄膜４５上に形成された上側電極４７とからな
る共振素子４９を２つ設けたものである。そして、基板
４１における共振素子４９の下方部分には、キャビティ
５１が設けられていた（ＵＳＰ４，３２０，３６５等参
照）。
タは、基板４１と、この基板４１上に、下側電極４３
と、該下側電極４３上に形成された圧電体薄膜４５と、
該圧電体薄膜４５上に形成された上側電極４７とからな
る共振素子４９を２つ設けたものである。そして、基板
４１における共振素子４９の下方部分には、キャビティ
５１が設けられていた（ＵＳＰ４，３２０，３６５等参
照）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記フ
ィルタでは、キャビティ作製プロセスにより、共振素子
４９の共振点やフィルタ特性が大きく左右されるという
問題があった。また、このようなキャビティ作製プロセ
スを採用することにより、フィルタの強度低下、特性の
安定性劣化を招くため、フィルタの作製が困難であった
り、作製できるとしても非常に高価なものであった。
ィルタでは、キャビティ作製プロセスにより、共振素子
４９の共振点やフィルタ特性が大きく左右されるという
問題があった。また、このようなキャビティ作製プロセ
スを採用することにより、フィルタの強度低下、特性の
安定性劣化を招くため、フィルタの作製が困難であった
り、作製できるとしても非常に高価なものであった。
【０００５】本発明は、共振インピーダンスへの基板に
よる影響を抑制でき、基板の形状、作製プロセスに左右
されることのない圧電共振子およびフィルタを提供する
ことを目的とする。
よる影響を抑制でき、基板の形状、作製プロセスに左右
されることのない圧電共振子およびフィルタを提供する
ことを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の圧電共振子は、
圧電膜と電極とを交互に積層してなり、厚み縦振動モー
ドで作動する共振素子を基板上に設けた圧電共振子であ
って、前記共振素子が偶数層の圧電膜を有するととも
に、上下の隣接する前記圧電膜の振動が逆位相であるこ
とを特徴とする。ここで、圧電膜の厚みが同一であるこ
とが望ましい。
圧電膜と電極とを交互に積層してなり、厚み縦振動モー
ドで作動する共振素子を基板上に設けた圧電共振子であ
って、前記共振素子が偶数層の圧電膜を有するととも
に、上下の隣接する前記圧電膜の振動が逆位相であるこ
とを特徴とする。ここで、圧電膜の厚みが同一であるこ
とが望ましい。
【０００７】また、本発明のフィルタは、圧電膜と電極
とを交互に積層してなり、厚み縦振動モードで作動する
共振素子を基板上に複数並設したフィルタであって、前
記共振素子が偶数層の圧電膜を有するとともに、上下の
隣接する前記圧電膜の振動が逆位相であることを特徴と
する。ここで、並設された複数の共振素子の圧電膜が延
設され接続されていることが望ましい。
とを交互に積層してなり、厚み縦振動モードで作動する
共振素子を基板上に複数並設したフィルタであって、前
記共振素子が偶数層の圧電膜を有するとともに、上下の
隣接する前記圧電膜の振動が逆位相であることを特徴と
する。ここで、並設された複数の共振素子の圧電膜が延
設され接続されていることが望ましい。
【０００８】
【作用】本発明の圧電共振子では、厚み縦振動モードで
作動する共振素子であって、上下隣接する圧電膜の振動
が逆位相であるため、上下の一対の圧電膜の振動が打ち
消しあい、上下の一対の圧電膜中の振動、歪が、基板等
の保持部による影響を受けにくい圧電共振子を得ること
ができ、このため、共振特性が基板厚みの影響をうけに
くく、基板を薄くしたり、あるいは基板にキャビティを
設ける必要がなく、特性の安定した圧電共振子を安価に
得ることができる。
作動する共振素子であって、上下隣接する圧電膜の振動
が逆位相であるため、上下の一対の圧電膜の振動が打ち
消しあい、上下の一対の圧電膜中の振動、歪が、基板等
の保持部による影響を受けにくい圧電共振子を得ること
ができ、このため、共振特性が基板厚みの影響をうけに
くく、基板を薄くしたり、あるいは基板にキャビティを
設ける必要がなく、特性の安定した圧電共振子を安価に
得ることができる。
【０００９】即ち、通常用いる圧電膜のバルク振動とし
て厚み縦振動モードがあるが、この厚み縦振動モードは
複数積層した圧電膜（同一方向に分極した）に加える電
界を各々逆方向にすることによって、それぞれの振動は
逆位相になる。このため、上下の一対の圧電膜の界面で
は、共振素子の保持に用いられる基板等による影響を受
けにくい振動モードを作り上げることができるととも
に、上下のそれぞれの圧電膜では、振動並びに歪みが発
生しているために圧電現象によって発現する共振器の特
性が得られる。
て厚み縦振動モードがあるが、この厚み縦振動モードは
複数積層した圧電膜（同一方向に分極した）に加える電
界を各々逆方向にすることによって、それぞれの振動は
逆位相になる。このため、上下の一対の圧電膜の界面で
は、共振素子の保持に用いられる基板等による影響を受
けにくい振動モードを作り上げることができるととも
に、上下のそれぞれの圧電膜では、振動並びに歪みが発
生しているために圧電現象によって発現する共振器の特
性が得られる。
【００１０】また、本発明では、圧電膜の厚みを同一と
することにより、上下の圧電膜の共振周波数を等しくす
ることができ、上下一対の圧電膜の振動が充分に打ち消
しあい、上下の一対の圧電膜中の振動、歪（共振特性）
が、基板等の保持部による影響をさらに受けにくい圧電
共振子を得ることができる。
することにより、上下の圧電膜の共振周波数を等しくす
ることができ、上下一対の圧電膜の振動が充分に打ち消
しあい、上下の一対の圧電膜中の振動、歪（共振特性）
が、基板等の保持部による影響をさらに受けにくい圧電
共振子を得ることができる。
【００１１】さらに、本発明のフィルタでは、上下の隣
接する一対の圧電膜の振動が逆位相であるため、上記し
たように、基板がインピーダンス特性に与える影響を抑
制して圧電膜のみによる共振ピークに同等な良好な特性
を得ることができ、このため、フィルタ特性が基板の厚
みに左右されず、基板を薄くしたり、あるいは基板にキ
ャビティを設ける必要がなく、安価に、かつ特性を安定
化できる。
接する一対の圧電膜の振動が逆位相であるため、上記し
たように、基板がインピーダンス特性に与える影響を抑
制して圧電膜のみによる共振ピークに同等な良好な特性
を得ることができ、このため、フィルタ特性が基板の厚
みに左右されず、基板を薄くしたり、あるいは基板にキ
ャビティを設ける必要がなく、安価に、かつ特性を安定
化できる。
【００１２】さらにまた、並設された複数の共振素子の
圧電膜を延設し接続することにより、圧電膜を共有する
ことができ、作製が容易となる。
圧電膜を延設し接続することにより、圧電膜を共有する
ことができ、作製が容易となる。
【００１３】
【発明の実施の形態】図１および図２は、本発明の圧電
共振子を示すもので、この圧電共振子は、基板１上に共
振素子３を設けて構成されている。この共振素子３は、
２層の圧電膜５、７と電極８、９、１０とを交互に積層
して形成されている。
共振子を示すもので、この圧電共振子は、基板１上に共
振素子３を設けて構成されている。この共振素子３は、
２層の圧電膜５、７と電極８、９、１０とを交互に積層
して形成されている。
【００１４】電極８、９、１０には、それぞれ電極取出
部８ａ、９ａ、１０ａが形成されており、その端面は圧
電膜５、７の端面に露出している。
部８ａ、９ａ、１０ａが形成されており、その端面は圧
電膜５、７の端面に露出している。
【００１５】そして、圧電膜５、７は、図３に示すよう
に、同一方向に分極されており（図３中の矢印）、電極
８、電極１０と、電極９とに印加される電圧は極性が逆
とされ、圧電膜５と圧電膜７は、振動が逆位相とされて
いる。
に、同一方向に分極されており（図３中の矢印）、電極
８、電極１０と、電極９とに印加される電圧は極性が逆
とされ、圧電膜５と圧電膜７は、振動が逆位相とされて
いる。
【００１６】また、圧電膜５を挟持する一対の電極８、
９間の距離Ｌ1 、つまり圧電膜５の厚みと、圧電膜７を
挟持する一対の電極９、１０間の距離Ｌ2 つまり圧電膜
７の厚みが同一とされている。
９間の距離Ｌ1 、つまり圧電膜５の厚みと、圧電膜７を
挟持する一対の電極９、１０間の距離Ｌ2 つまり圧電膜
７の厚みが同一とされている。
【００１７】尚、圧電膜５、７は通常の薄膜作製、積層
技術によって可能であり、電極８、９、１０も同様に作
製できる。フィルタ特性を発現させるために電極パター
ンを形成する必要があるが、スパッタリング、エッチン
グ等の技術を組み合わせることによって可能となる。
技術によって可能であり、電極８、９、１０も同様に作
製できる。フィルタ特性を発現させるために電極パター
ンを形成する必要があるが、スパッタリング、エッチン
グ等の技術を組み合わせることによって可能となる。
【００１８】以上のように構成された圧電共振子では、
圧電膜５、７は同一方向に分極されており、電極取出部
８ａ、電極取出部１０ａと、電極取出部９ａとは異なる
極性の電圧が印加されているため、圧電膜５と圧電膜７
の振動が逆位相となり、上下の圧電膜５、７の振動が打
ち消しあう。このため、共振特性が基板１の厚みによる
影響を受けにくくなり、つまり、基板１の厚さが共振モ
ード、周波数に影響を与えることを抑制でき、基板１を
薄くしたり、あるいは基板１にキャビティを設ける必要
がなく、特性の安定した圧電共振子を安価に得ることが
できる。
圧電膜５、７は同一方向に分極されており、電極取出部
８ａ、電極取出部１０ａと、電極取出部９ａとは異なる
極性の電圧が印加されているため、圧電膜５と圧電膜７
の振動が逆位相となり、上下の圧電膜５、７の振動が打
ち消しあう。このため、共振特性が基板１の厚みによる
影響を受けにくくなり、つまり、基板１の厚さが共振モ
ード、周波数に影響を与えることを抑制でき、基板１を
薄くしたり、あるいは基板１にキャビティを設ける必要
がなく、特性の安定した圧電共振子を安価に得ることが
できる。
【００１９】また、圧電膜５、７の厚みを同一とするこ
とにより、上下の一対の圧電膜５、７の共振特性を等し
くすることができ、基板１による影響をさらに受けにく
くすることができる。
とにより、上下の一対の圧電膜５、７の共振特性を等し
くすることができ、基板１による影響をさらに受けにく
くすることができる。
【００２０】尚、圧電膜５、７の膜厚が異なれば共振周
波数が異なることになるため、逆位相の同じ大きさを持
った振動が得られなくなるが、この場合には、電極８、
９、１０の厚みを微調整して共振周波数を合致させるこ
とができる。
波数が異なることになるため、逆位相の同じ大きさを持
った振動が得られなくなるが、この場合には、電極８、
９、１０の厚みを微調整して共振周波数を合致させるこ
とができる。
【００２１】また、圧電膜を偶数層積層することによ
り、厚み縦振動による振動は接合界面でキャンセルされ
るが、基板に接している側の圧電膜の振動が基板との界
面に若干残る場合がある。この場合には、圧電膜に印加
する電圧比を変えて調整することができる。電圧比の制
御は、圧電共振子の共振インピーダンス、あるいはフィ
ルタの通過帯域での損失を測定しながら、最小になるよ
うに調整することにより実現できる。
り、厚み縦振動による振動は接合界面でキャンセルされ
るが、基板に接している側の圧電膜の振動が基板との界
面に若干残る場合がある。この場合には、圧電膜に印加
する電圧比を変えて調整することができる。電圧比の制
御は、圧電共振子の共振インピーダンス、あるいはフィ
ルタの通過帯域での損失を測定しながら、最小になるよ
うに調整することにより実現できる。
【００２２】また、上記図１では、２層の圧電膜５、７
を有する共振素子３を具備する圧電共振子について説明
したが、４層以上の偶数層の圧電膜を有する場合であっ
ても、上記と同様な作用効果を得ることができる。
を有する共振素子３を具備する圧電共振子について説明
したが、４層以上の偶数層の圧電膜を有する場合であっ
ても、上記と同様な作用効果を得ることができる。
【００２３】本発明者等は、本発明の圧電共振子と、従
来の圧電共振子について、共振周波数に対するインピー
ダンス特性の解析を行った。解析の条件は、ＳｉＯ2 基
板を用い、圧電膜としてＺｎＯを用いた。そして、本発
明の圧電共振子では、同一方向に分極された２層の圧電
膜に逆位相で同じ大きさの電場を印加して解析し、従来
の圧電共振子では、本発明の圧電膜２層分の厚みを有す
る圧電膜に電場を印加して解析した。
来の圧電共振子について、共振周波数に対するインピー
ダンス特性の解析を行った。解析の条件は、ＳｉＯ2 基
板を用い、圧電膜としてＺｎＯを用いた。そして、本発
明の圧電共振子では、同一方向に分極された２層の圧電
膜に逆位相で同じ大きさの電場を印加して解析し、従来
の圧電共振子では、本発明の圧電膜２層分の厚みを有す
る圧電膜に電場を印加して解析した。
【００２４】この結果を図４および図５に記載した。こ
れらの図４および図５から、従来の圧電共振子では、基
板の影響による基本波（ｆ1 ）、２倍波（ｆ2 ）の共振
ピークが大きくなり、共振素子本来のピークである３倍
目（ｆR ）の共振ピークが殆ど消失しているのに対し
て、本発明の圧電共振子では、共振素子本来のピークで
ある３倍目（ｆR ）の共振ピークが突出しており、基板
の影響による基本波（ｆ1 ）、２倍波（ｆ2 ）の共振ピ
ークが小さいことが判る。
れらの図４および図５から、従来の圧電共振子では、基
板の影響による基本波（ｆ1 ）、２倍波（ｆ2 ）の共振
ピークが大きくなり、共振素子本来のピークである３倍
目（ｆR ）の共振ピークが殆ど消失しているのに対し
て、本発明の圧電共振子では、共振素子本来のピークで
ある３倍目（ｆR ）の共振ピークが突出しており、基板
の影響による基本波（ｆ1 ）、２倍波（ｆ2 ）の共振ピ
ークが小さいことが判る。
【００２５】これにより、本発明の圧電共振子では、共
振特性が基板による影響を受けにくいことが理解でき、
基板を薄くしたり、あるいは基板にキャビティを設ける
必要がなく、特性の安定した圧電共振子を安価に得るこ
とができることが判る。
振特性が基板による影響を受けにくいことが理解でき、
基板を薄くしたり、あるいは基板にキャビティを設ける
必要がなく、特性の安定した圧電共振子を安価に得るこ
とができることが判る。
【００２６】図５は、本発明のフィルタを示すもので、
このフィルタは、共振素子を２個有している。
このフィルタは、共振素子を２個有している。
【００２７】即ち、フィルタは、図６（ｂ）に示すよう
に、基板１１上に２個の共振素子１３ａ、１３ｂを所定
間隔をおいて並設して構成されており、共振素子１３ａ
は、圧電膜１５、１７と電極１８ａ、１９、２０ａとを
交互に積層して構成され、共振素子１３ｂは、圧電膜１
５、１７と電極１８ｂ、１９、２０ｂとを交互に積層し
て構成され、並設された２個の共振素子１３ａ、１３ｂ
の圧電膜１５、１７が延設され接続されている。圧電膜
１５、１７は同一方向に分極され、共振素子１３ａ、１
３ｂは厚み縦振動モードで作動するものである。
に、基板１１上に２個の共振素子１３ａ、１３ｂを所定
間隔をおいて並設して構成されており、共振素子１３ａ
は、圧電膜１５、１７と電極１８ａ、１９、２０ａとを
交互に積層して構成され、共振素子１３ｂは、圧電膜１
５、１７と電極１８ｂ、１９、２０ｂとを交互に積層し
て構成され、並設された２個の共振素子１３ａ、１３ｂ
の圧電膜１５、１７が延設され接続されている。圧電膜
１５、１７は同一方向に分極され、共振素子１３ａ、１
３ｂは厚み縦振動モードで作動するものである。
【００２８】電極１８、１９、２０には電極取出部２
３、２４、２５が形成されている。即ち、電極１８ａと
電極１８ｂの電極取出部２３ａ、２３ｂは対向する側面
に露出しており、また電極１９の電極取出部２４は、電
極取出部２３ａ、２３ｂの端面が露出する側面とは異な
る側面に露出しており、さらに電極２０ａと電極２０ｂ
の取出電極２５ａ、２５ｂは対向する側面に露出してい
る。尚、電極取出部２３ａ、２３ｂ、２４、２５ａ、２
５ｂについてはこれに限定されるものではない。
３、２４、２５が形成されている。即ち、電極１８ａと
電極１８ｂの電極取出部２３ａ、２３ｂは対向する側面
に露出しており、また電極１９の電極取出部２４は、電
極取出部２３ａ、２３ｂの端面が露出する側面とは異な
る側面に露出しており、さらに電極２０ａと電極２０ｂ
の取出電極２５ａ、２５ｂは対向する側面に露出してい
る。尚、電極取出部２３ａ、２３ｂ、２４、２５ａ、２
５ｂについてはこれに限定されるものではない。
【００２９】このフィルタでは、電極取出部２３ａ、２
５ａと、電極取出部２４に異なる極性の電圧を印加し、
電極取出部２３ｂと電極取出部２５ｂから出力電圧が取
り出されて使用される。
５ａと、電極取出部２４に異なる極性の電圧を印加し、
電極取出部２３ｂと電極取出部２５ｂから出力電圧が取
り出されて使用される。
【００３０】このようなフィルタは、例えば、基板１１
上に電極１８ａと電極１８ｂを平行に形成し、これらの
電極１８ａ、１８ｂを被覆するように圧電膜１５を形成
し、この圧電膜１５の表面に電極１９（グランド電極）
を形成し、この電極１９上に圧電膜１７を形成し、この
圧電膜１７上に、電極２０ａ、２０ｂを形成することに
より作製することができる。
上に電極１８ａと電極１８ｂを平行に形成し、これらの
電極１８ａ、１８ｂを被覆するように圧電膜１５を形成
し、この圧電膜１５の表面に電極１９（グランド電極）
を形成し、この電極１９上に圧電膜１７を形成し、この
圧電膜１７上に、電極２０ａ、２０ｂを形成することに
より作製することができる。
【００３１】電極１８、１９、２０の平面上の配置に
は、バルクの厚み縦フィルタにおいて偶モード、奇モー
ドを利用して通過帯域設計を行ったり、リップル消去、
移動の為に行うのと同様な構造設計が施される。ここに
おいて電極１８、１９、２０の形状は、主たる偶モー
ド、奇モードの共振周波数調整、これ以外に発生するリ
ップルを遠ざける、あるいは消去する為の種々の設計手
法で作製される。
は、バルクの厚み縦フィルタにおいて偶モード、奇モー
ドを利用して通過帯域設計を行ったり、リップル消去、
移動の為に行うのと同様な構造設計が施される。ここに
おいて電極１８、１９、２０の形状は、主たる偶モー
ド、奇モードの共振周波数調整、これ以外に発生するリ
ップルを遠ざける、あるいは消去する為の種々の設計手
法で作製される。
【００３２】以上のように構成されたフィルタでは、圧
電膜１５、１７は同一方向に分極されており、例えば、
電極取出部２３ａ、２５ａと、電極取出部２４に異なる
極性の電圧が印加されているため、圧電膜１５と圧電膜
１７の振動が逆位相となり、上下の一対の圧電膜１５、
１７の振動が打ち消しあい、基板１１による影響を受け
にくくなる。
電膜１５、１７は同一方向に分極されており、例えば、
電極取出部２３ａ、２５ａと、電極取出部２４に異なる
極性の電圧が印加されているため、圧電膜１５と圧電膜
１７の振動が逆位相となり、上下の一対の圧電膜１５、
１７の振動が打ち消しあい、基板１１による影響を受け
にくくなる。
【００３３】尚、上記例では、共振素子１３ａ、１３ｂ
を２個有するフィルタについて説明したが、図７に示す
ように、共振素子３３ａ、３３ｂ、３３ｃ、３３ｄを４
個有するフィルタであっても上記例と同様な効果を有す
る。
を２個有するフィルタについて説明したが、図７に示す
ように、共振素子３３ａ、３３ｂ、３３ｃ、３３ｄを４
個有するフィルタであっても上記例と同様な効果を有す
る。
【００３４】
【発明の効果】本発明では、上下隣接する圧電膜の振動
が逆位相であるため、上下の圧電膜の振動が打ち消しあ
い、基板による共振インピーダンスへの影響を抑制で
き、良好な共振特性を得ることができる。このため、共
振特性が基板の厚みに左右されず、基板を薄くしたり、
あるいは基板にキャビティを設ける必要がなく、特性の
安定した圧電共振子を安価に得ることができる。
が逆位相であるため、上下の圧電膜の振動が打ち消しあ
い、基板による共振インピーダンスへの影響を抑制で
き、良好な共振特性を得ることができる。このため、共
振特性が基板の厚みに左右されず、基板を薄くしたり、
あるいは基板にキャビティを設ける必要がなく、特性の
安定した圧電共振子を安価に得ることができる。
【図１】本発明の圧電共振子を示す斜視図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線に沿った断面図である。
【図３】図１の圧電共振子の電圧印加方法を示す説明図
である。
である。
【図４】本発明の圧電共振子のインピーダンス特性を示
す図である。
す図である。
【図５】従来の圧電共振子のインピーダンス特性を示す
図である。
図である。
【図６】本発明のフィルタを示すもので、（ａ）は一部
断面斜視図、（ｂ）は平面図である。
断面斜視図、（ｂ）は平面図である。
【図７】圧電共振子を４個有するフィルタを示す平面図
である。
である。
【図８】従来のフィルタを示すもので、（ａ）は（ｃ）
のＢ−Ｂ線に沿った断面図、（ｂ）は（ａ）の平面図、
（ｃ）は全体の平面図である。
のＢ−Ｂ線に沿った断面図、（ｂ）は（ａ）の平面図、
（ｃ）は全体の平面図である。
１、１１・・・基板 ３、１３・・・共振素子 ５、７、１５、１７・・・圧電膜 ８、９、１０、１８、１９、２０・・・電極
Claims (4)
- 【請求項１】圧電膜と電極とを交互に積層してなり、厚
み縦振動モードで作動する共振素子を基板上に設けた圧
電共振子であって、前記共振素子が偶数層の圧電膜を有
するとともに、上下の隣接する前記圧電膜の振動が逆位
相であることを特徴とする圧電共振子。 - 【請求項２】圧電膜の厚みが同一であることを特徴とす
る請求項１記載の圧電共振子。 - 【請求項３】圧電膜と電極とを交互に積層してなり、厚
み縦振動モードで作動する共振素子を基板上に複数並設
したフィルタであって、前記共振素子が偶数層の圧電膜
を有するとともに、上下の隣接する前記圧電膜の振動が
逆位相であることを特徴とするフィルタ。 - 【請求項４】並設された複数の共振素子の圧電膜が延設
され接続されていることを特徴とする請求項３記載のフ
ィルタ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36697098A JP3450204B2 (ja) | 1998-12-24 | 1998-12-24 | 圧電共振子およびフィルタ |
| US09/472,944 US6437484B1 (en) | 1998-12-24 | 1999-12-27 | Piezoelectric resonator |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36697098A JP3450204B2 (ja) | 1998-12-24 | 1998-12-24 | 圧電共振子およびフィルタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000196405A true JP2000196405A (ja) | 2000-07-14 |
| JP3450204B2 JP3450204B2 (ja) | 2003-09-22 |
Family
ID=18488151
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP36697098A Expired - Fee Related JP3450204B2 (ja) | 1998-12-24 | 1998-12-24 | 圧電共振子およびフィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3450204B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006157830A (ja) * | 2004-12-01 | 2006-06-15 | Sony Corp | 微小共振器、周波数フィルタ及び通信装置 |
| JP2006203304A (ja) * | 2005-01-18 | 2006-08-03 | Hitachi Media Electoronics Co Ltd | 圧電薄膜共振器及びそれを用いた発振器並びにそれを内蔵した半導体集積回路 |
| JP2014236430A (ja) * | 2013-06-04 | 2014-12-15 | 京セラ株式会社 | 圧電振動素子ならびにそれを用いた圧電振動装置および携帯端末 |
-
1998
- 1998-12-24 JP JP36697098A patent/JP3450204B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006157830A (ja) * | 2004-12-01 | 2006-06-15 | Sony Corp | 微小共振器、周波数フィルタ及び通信装置 |
| JP4581658B2 (ja) * | 2004-12-01 | 2010-11-17 | ソニー株式会社 | 微小共振器、周波数フィルタ及び通信装置 |
| JP2006203304A (ja) * | 2005-01-18 | 2006-08-03 | Hitachi Media Electoronics Co Ltd | 圧電薄膜共振器及びそれを用いた発振器並びにそれを内蔵した半導体集積回路 |
| JP2014236430A (ja) * | 2013-06-04 | 2014-12-15 | 京セラ株式会社 | 圧電振動素子ならびにそれを用いた圧電振動装置および携帯端末 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3450204B2 (ja) | 2003-09-22 |
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