JP2000196106A - 半導体力学量センサの製造方法およびその製造装置 - Google Patents
半導体力学量センサの製造方法およびその製造装置Info
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- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】スティッキング現象を防止し、精度よく、高信
頼性の半導体力学量センサの製造方法とその製造装置を
提供する。 【解決手段】工程Ｄにおいて、置換液６によって置換洗
浄し、その後、ＳＯＩ基板１００を公転させながら乾燥
する。この乾燥工程で、置換液６の表面張力によって生
ずるシリコン基板１側への吸引力７（Ｆr ）とセンサバ
ネ力ＦK と公転で生ずる加速度による遠心力８（ＦS ）
の関係が、（ＦK ＋ＦS ）＞Ｆr を満たすように、公転
の回転数を決定する。また、噴霧を停止した後、公転す
るＳＯＩ基板１００が、空気流による摩擦で発生する静
電気を除去するために、マイナスイオンを含む窒素など
の不活性ガスを、吹きつけながら乾燥させて、スティッ
キング現象を防止する。
頼性の半導体力学量センサの製造方法とその製造装置を
提供する。 【解決手段】工程Ｄにおいて、置換液６によって置換洗
浄し、その後、ＳＯＩ基板１００を公転させながら乾燥
する。この乾燥工程で、置換液６の表面張力によって生
ずるシリコン基板１側への吸引力７（Ｆr ）とセンサバ
ネ力ＦK と公転で生ずる加速度による遠心力８（ＦS ）
の関係が、（ＦK ＋ＦS ）＞Ｆr を満たすように、公転
の回転数を決定する。また、噴霧を停止した後、公転す
るＳＯＩ基板１００が、空気流による摩擦で発生する静
電気を除去するために、マイナスイオンを含む窒素など
の不活性ガスを、吹きつけながら乾燥させて、スティッ
キング現象を防止する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、圧力、加速度、
角速度などの力学量を感知（センシング）する半導体力
学量センサの製造方法およびその製造装置に関する。
角速度などの力学量を感知（センシング）する半導体力
学量センサの製造方法およびその製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図７は、従来の半導体力学量センサの要
部構成図で、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）は同図
（ａ）のＹ−Ｙ線で切断した断面図である。図７におい
て、シリコン基板１と、酸化膜２と、シリコン層３（単
結晶層またはポリシリコン層）でＳＯＩ基板１００を構
成する。このＳＯＩ基板１００上の第３層であるシリコ
ン層３に、半導体力学量センサを形成する。この半導体
力学量センサは、センシングエレメント１０３、デジタ
ル調整回路１０４、アナログ調整回路１０５、入出力端
子１０６およびデジタル調整用端子１０７で構成され
る。センシングエレメント１０３は、圧力、加速度およ
び角速度などによる力を受けて、同図（ｂ）の矢印のよ
うに歪む。この歪みによる電気信号を増幅して、圧力、
加速度および角速度などの力学量を感知（センシング）
する。
部構成図で、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）は同図
（ａ）のＹ−Ｙ線で切断した断面図である。図７におい
て、シリコン基板１と、酸化膜２と、シリコン層３（単
結晶層またはポリシリコン層）でＳＯＩ基板１００を構
成する。このＳＯＩ基板１００上の第３層であるシリコ
ン層３に、半導体力学量センサを形成する。この半導体
力学量センサは、センシングエレメント１０３、デジタ
ル調整回路１０４、アナログ調整回路１０５、入出力端
子１０６およびデジタル調整用端子１０７で構成され
る。センシングエレメント１０３は、圧力、加速度およ
び角速度などによる力を受けて、同図（ｂ）の矢印のよ
うに歪む。この歪みによる電気信号を増幅して、圧力、
加速度および角速度などの力学量を感知（センシング）
する。
【０００３】図８は、従来のセンシングエレメントの要
部構成図で、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）は同図
（ａ）のＢ−Ｂ線で切断した断面図である。図８におい
て、シリコン層３の中心部に配置されたセンシングエレ
メント１０３の下面の酸化膜２を除去して、センシング
エレメント１０３を構成するおもり部分１１０ａ、１１
０ｂが自由に動けるようにする。このセンシングエレメ
ント１０３には、半導体ストレンゲージ１１３ａ、１１
３ｂ、１１３ｃ、１１３ｄが形成された４本の梁部分１
１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃ、１１１ｄと、犠牲層であ
る酸化膜をエッチングするための貫通孔１５が形成され
たおもり部分１１０ａ、１１０ｂと、このおもり部分１
１０ａ、１１０ｂを支え、半導体ストレンゲージが付い
ていない４本の梁部分１１１ｅ、１１１ｆ、１１１ｇ、
１１１ｈによって構成される。このおもり部分１１０
ａ、１１０ｂにより、８本の梁部分が変形する。この８
本の内、半導体ストレンゲージが形成されている４本の
梁部分１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃ、１１１ｄのそれ
ぞれの変形量を、半導体ストレンゲージ１１３ａ、１１
３ｂ、１１３ｃ、１１３ｄで、それぞれ感知し、電気信
号に変換する。同図（ａ）は同図（ｂ）に示すように、
センシングエレメント１０３は貫通孔１５を有したシリ
コン層３で構成され、酸化膜２を介してシリコン基板１
に固着する。この固着箇所がセンシングエレント１０３
を支持する。この支持箇所は同図（ａ）では省略されて
いる。
部構成図で、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）は同図
（ａ）のＢ−Ｂ線で切断した断面図である。図８におい
て、シリコン層３の中心部に配置されたセンシングエレ
メント１０３の下面の酸化膜２を除去して、センシング
エレメント１０３を構成するおもり部分１１０ａ、１１
０ｂが自由に動けるようにする。このセンシングエレメ
ント１０３には、半導体ストレンゲージ１１３ａ、１１
３ｂ、１１３ｃ、１１３ｄが形成された４本の梁部分１
１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃ、１１１ｄと、犠牲層であ
る酸化膜をエッチングするための貫通孔１５が形成され
たおもり部分１１０ａ、１１０ｂと、このおもり部分１
１０ａ、１１０ｂを支え、半導体ストレンゲージが付い
ていない４本の梁部分１１１ｅ、１１１ｆ、１１１ｇ、
１１１ｈによって構成される。このおもり部分１１０
ａ、１１０ｂにより、８本の梁部分が変形する。この８
本の内、半導体ストレンゲージが形成されている４本の
梁部分１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃ、１１１ｄのそれ
ぞれの変形量を、半導体ストレンゲージ１１３ａ、１１
３ｂ、１１３ｃ、１１３ｄで、それぞれ感知し、電気信
号に変換する。同図（ａ）は同図（ｂ）に示すように、
センシングエレメント１０３は貫通孔１５を有したシリ
コン層３で構成され、酸化膜２を介してシリコン基板１
に固着する。この固着箇所がセンシングエレント１０３
を支持する。この支持箇所は同図（ａ）では省略されて
いる。
【０００４】図９は、半導体力学量センサの回路構成図
である。４個の半導体ストレンゲージ１１３ａ、１１３
ｂ、１１３ｃ、１１３ｄによって構成されたホイートス
ートンブリッジ回路の出力電圧を、アナログ増幅回路１
０５で増幅し、デジタル調整回路１０４によって感度や
温度特性の調整を行う。
である。４個の半導体ストレンゲージ１１３ａ、１１３
ｂ、１１３ｃ、１１３ｄによって構成されたホイートス
ートンブリッジ回路の出力電圧を、アナログ増幅回路１
０５で増幅し、デジタル調整回路１０４によって感度や
温度特性の調整を行う。
【０００５】この半導体力学量センサとして加速度セン
サを例にとり、その動作をつぎに説明する。図７の矢印
２００のように、半導体力学量センサに垂直方向の加速
度による力が印加されると、４つの半導体ストレンゲー
ジ１１３ａ、１１３ｂ、１１３ｃ、１１３ｄのうち、２
つの半導体ストレンゲージ１１３ｂ、１１３ｄには圧縮
応力が発生し、抵抗値が下がるが、２つの半導体ストレ
ンゲージ１１３ａ、１１３ｃには引張り応力が発生し抵
抗値が上がる。この抵抗値の変化により、ホイートスト
ーンブリッジ回路から加速度に応じたセンサ信号が出力
される。また、Ｖccは電源電圧の高電位、ＧＮＤはグラ
ンド電位、Ｖ＋、Ｖ−はプラス電位、マイナス電位であ
る。
サを例にとり、その動作をつぎに説明する。図７の矢印
２００のように、半導体力学量センサに垂直方向の加速
度による力が印加されると、４つの半導体ストレンゲー
ジ１１３ａ、１１３ｂ、１１３ｃ、１１３ｄのうち、２
つの半導体ストレンゲージ１１３ｂ、１１３ｄには圧縮
応力が発生し、抵抗値が下がるが、２つの半導体ストレ
ンゲージ１１３ａ、１１３ｃには引張り応力が発生し抵
抗値が上がる。この抵抗値の変化により、ホイートスト
ーンブリッジ回路から加速度に応じたセンサ信号が出力
される。また、Ｖccは電源電圧の高電位、ＧＮＤはグラ
ンド電位、Ｖ＋、Ｖ−はプラス電位、マイナス電位であ
る。
【０００６】図１０、図１１は、従来の半導体力学量セ
ンサの製造方法を示す図で、工程Ａから工程Ｆは工程順
に示した工程断面図である。ここで示す工程断面図は、
図８（ａ）のＢ−Ｂ線で切断した箇所の断面で示す。工
程Ａにおいて、シリコン基板１上に酸化膜２の一種であ
るＢＰＳＧ膜またはＰＳＧ膜などの絶縁層を形成し、こ
の酸化膜２にポリシリコンなどのシリコン層３を形成し
て、ＳＯＩ基板１００とする。このシリコン層３に、図
示しないが、前記の半導体ストレンゲージ、アナログ増
幅回路１０５、デジタル調整回路１０４、入出力端子１
０６、デジタル調整用端子１０７などを形成する。
ンサの製造方法を示す図で、工程Ａから工程Ｆは工程順
に示した工程断面図である。ここで示す工程断面図は、
図８（ａ）のＢ−Ｂ線で切断した箇所の断面で示す。工
程Ａにおいて、シリコン基板１上に酸化膜２の一種であ
るＢＰＳＧ膜またはＰＳＧ膜などの絶縁層を形成し、こ
の酸化膜２にポリシリコンなどのシリコン層３を形成し
て、ＳＯＩ基板１００とする。このシリコン層３に、図
示しないが、前記の半導体ストレンゲージ、アナログ増
幅回路１０５、デジタル調整回路１０４、入出力端子１
０６、デジタル調整用端子１０７などを形成する。
【０００７】工程Ｂにおいて、レジスト膜４を被覆し、
パターニングして、ふっ酸（ＨＦ）と硝酸（ＨＮＯ3)の
混酸によるウェットエッチングまたは六フッ化硫黄（Ｓ
Ｆ6)と酸素（Ｏ2)の混合ガスによるドライエッチングに
よって、シリコン層３に貫通孔１５を開けたセンシング
エレメント１０３（矢印で示す）を形成する。このセン
シングエレメント１０３は、この図ではおもり部分１１
０を含むシリコン層２で示されている。
パターニングして、ふっ酸（ＨＦ）と硝酸（ＨＮＯ3)の
混酸によるウェットエッチングまたは六フッ化硫黄（Ｓ
Ｆ6)と酸素（Ｏ2)の混合ガスによるドライエッチングに
よって、シリコン層３に貫通孔１５を開けたセンシング
エレメント１０３（矢印で示す）を形成する。このセン
シングエレメント１０３は、この図ではおもり部分１１
０を含むシリコン層２で示されている。
【０００８】工程Ｃにおいて、シリコン層３の下面に対
向する犠牲層である酸化膜２をＨＦなどのエッチング液
５を用いて除去する。工程Ｄにおいて、純水またはイソ
プロピルアルコール（ＩＰＡ）などの置換液６によって
置換洗浄し、その後、置換液６を蒸発させ、センシング
エレメント１０３を乾燥する。この乾燥工程で、置換液
６の表面張力によってシリコン基板１側への吸引力７が
発生する。
向する犠牲層である酸化膜２をＨＦなどのエッチング液
５を用いて除去する。工程Ｄにおいて、純水またはイソ
プロピルアルコール（ＩＰＡ）などの置換液６によって
置換洗浄し、その後、置換液６を蒸発させ、センシング
エレメント１０３を乾燥する。この乾燥工程で、置換液
６の表面張力によってシリコン基板１側への吸引力７が
発生する。
【０００９】工程Ｅにおいて、前記の吸引力７より、剛
性が低いポリシリコン層であるシリコン層３に形成され
たセンシングエレメント１０３のおもり部分１１０が、
シリコン基板１に吸い付けられ、固着する。この現象の
ことを、以下、スティッキング現象と称す。工程Ｆにお
いて、ステッキング現象をおこして、おもり部分１１０
がシリコン基板１に固着した状態で、レジスト膜をアッ
シング（灰化）により除去する。
性が低いポリシリコン層であるシリコン層３に形成され
たセンシングエレメント１０３のおもり部分１１０が、
シリコン基板１に吸い付けられ、固着する。この現象の
ことを、以下、スティッキング現象と称す。工程Ｆにお
いて、ステッキング現象をおこして、おもり部分１１０
がシリコン基板１に固着した状態で、レジスト膜をアッ
シング（灰化）により除去する。
【００１０】このように、おもり部分１１０が、スティ
ッキング現象で、シリコン基板１に固着すると、力学量
センサとして、役に立たない。このスティッキング現象
を防止するために、特表平７−５０５７４３号公報で開
示されている製造方法をつぎに説明する。
ッキング現象で、シリコン基板１に固着すると、力学量
センサとして、役に立たない。このスティッキング現象
を防止するために、特表平７−５０５７４３号公報で開
示されている製造方法をつぎに説明する。
【００１１】図１２、図１３は、従来の半導体力学量セ
ンサの製造方法で、工程Ａから工程Ｇは、工程順に示し
た工程断面図である。この半導体力学量センサの製造方
法は特表平７−５０５７４３号公報に開示されている。
ンサの製造方法で、工程Ａから工程Ｇは、工程順に示し
た工程断面図である。この半導体力学量センサの製造方
法は特表平７−５０５７４３号公報に開示されている。
【００１２】工程Ａにおいて、シリコン基板１上にＢＰ
ＳＧまたはＰＳＧなどの酸化膜２である犠牲層を形成
し、この酸化膜２上にポリシリコン層であるシリコン層
３を形成する。
ＳＧまたはＰＳＧなどの酸化膜２である犠牲層を形成
し、この酸化膜２上にポリシリコン層であるシリコン層
３を形成する。
【００１３】工程Ｂにおいて、シリコン層３上にレジス
ト膜４を被覆し、レジスト膜４をパターニングして、シ
リコン層３でセンシングエレメント１０３を形成する。
ト膜４を被覆し、レジスト膜４をパターニングして、シ
リコン層３でセンシングエレメント１０３を形成する。
【００１４】工程Ｃにおいて、シリコン層３直下の犠牲
層である酸化膜２を部分的に残すようにエッチング液５
で酸化膜２をエッチングする。この残された酸化膜を介
して、シリコン層３とシリコン基板１は固着されてい
る。
層である酸化膜２を部分的に残すようにエッチング液５
で酸化膜２をエッチングする。この残された酸化膜を介
して、シリコン層３とシリコン基板１は固着されてい
る。
【００１５】工程Ｄにおいて、感光性ポリマー１５を被
覆し、パターニングして、シリコン層３とシリコン基板
１の間の犠牲層である酸化膜２を除去した箇所Ａ部に、
感光性ポリマー１５を充填する。
覆し、パターニングして、シリコン層３とシリコン基板
１の間の犠牲層である酸化膜２を除去した箇所Ａ部に、
感光性ポリマー１５を充填する。
【００１６】工程Ｅにおいて、残った犠牲層である酸化
膜２をエッチング液１３でエッチングし、酸化膜２を除
去する。Ｂ部が酸化膜２が除去された箇所である。
膜２をエッチング液１３でエッチングし、酸化膜２を除
去する。Ｂ部が酸化膜２が除去された箇所である。
【００１７】工程Ｆにおいて、酸化膜２が除去された箇
所のエッチング液１３を置換液６で置換し、Ｂ部を乾燥
させる。このとき、置換液６の表面張力で矢印のような
シリコン基板１への吸引力２７が働くが、感光性ポリマ
ー１５の剛性が大きいために、円内３０で示した箇所
で、センシングエレメント１０３のおもり部分１１０が
シリコン基板１に固着する、いわゆる、スティッキング
現象は起こらない。
所のエッチング液１３を置換液６で置換し、Ｂ部を乾燥
させる。このとき、置換液６の表面張力で矢印のような
シリコン基板１への吸引力２７が働くが、感光性ポリマ
ー１５の剛性が大きいために、円内３０で示した箇所
で、センシングエレメント１０３のおもり部分１１０が
シリコン基板１に固着する、いわゆる、スティッキング
現象は起こらない。
【００１８】工程Ｇは、センシングエレメント１０３が
乾燥した後の図である。おもり部分１１０はシリコン基
板１に固着しない。
乾燥した後の図である。おもり部分１１０はシリコン基
板１に固着しない。
【００１９】工程Ｈにおいて、アッシングなどのドライ
工程で、感光性ポリマー１５を除去し、レジスト膜４も
除去して、おもり部分１１０が自由に可動できるセンシ
ングエレメント１０３を製作する。
工程で、感光性ポリマー１５を除去し、レジスト膜４も
除去して、おもり部分１１０が自由に可動できるセンシ
ングエレメント１０３を製作する。
【００２０】また、センシングエレメントを製作する別
の方法もあり、それをつぎに説明する。
の方法もあり、それをつぎに説明する。
【００２１】図１４、図１５は、従来の別の半導体力学
量センサの製造方法で、工程Ａから工程Ｅは、工程順に
示した工程断面図である。この半導体力学量センサの製
造方法は特開平７−２０９１０５号公報や特開平７−２
４５４１４号公報に開示されている。
量センサの製造方法で、工程Ａから工程Ｅは、工程順に
示した工程断面図である。この半導体力学量センサの製
造方法は特開平７−２０９１０５号公報や特開平７−２
４５４１４号公報に開示されている。
【００２２】工程Ａから工程Ｃは、図１０の工程Ａから
工程Ｃと同じである。工程Ｄにおいて、エッチング液５
を、図示しない置換液で置換し、さらにパラジクロルベ
ンゼンやナフタレンなどの昇華物質３０を液状にして、
シリコン基板１とシリコン層３の間に昇華物質３０が充
填されるように、置換液と置換し、昇華物質３０を固着
させる。
工程Ｃと同じである。工程Ｄにおいて、エッチング液５
を、図示しない置換液で置換し、さらにパラジクロルベ
ンゼンやナフタレンなどの昇華物質３０を液状にして、
シリコン基板１とシリコン層３の間に昇華物質３０が充
填されるように、置換液と置換し、昇華物質３０を固着
させる。
【００２３】工程Ｅにおいて、昇華物質３０を昇華させ
る。工程Ｆにおいて、レジスト膜４をアッシングなどの
ドライ工程で除去し、センシングエレメント１０３を製
作する。
る。工程Ｆにおいて、レジスト膜４をアッシングなどの
ドライ工程で除去し、センシングエレメント１０３を製
作する。
【００２４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、感光性ポリマ
ー１５でセンシングエレメント１０３を乾燥時に保持す
る場合、感光性ポリマー１５の表面の凹凸が数μｍもあ
り、パターニング精度が悪く、感光性ポリマー１５を、
シリコン層３とシリコン基板１の間に均一に充填させる
ことは困難である。また、逆にシリコン層３とシリコン
基板１の間に充填された感光性ポリマー１５がアッシン
グなどのドライ工程で完全に除去されないと、残留物３
１が残る。そのため、製造良品率が低下し、製造コスト
が増大する。
ー１５でセンシングエレメント１０３を乾燥時に保持す
る場合、感光性ポリマー１５の表面の凹凸が数μｍもあ
り、パターニング精度が悪く、感光性ポリマー１５を、
シリコン層３とシリコン基板１の間に均一に充填させる
ことは困難である。また、逆にシリコン層３とシリコン
基板１の間に充填された感光性ポリマー１５がアッシン
グなどのドライ工程で完全に除去されないと、残留物３
１が残る。そのため、製造良品率が低下し、製造コスト
が増大する。
【００２５】さらに、シリコン層３とシリコン基板１の
間に充填された感光性ポリマー１５が多少なりとも残留
すると、センシングエレメントのおもり部分１１０の可
動範囲が狭まり、精度よく、高信頼性の感知が困難にな
る。また、犠牲層である酸化膜２のエッチングを２回行
う工程と感光性ポリマー１５をパターニング工程が必要
となり、製造コストが増大する。
間に充填された感光性ポリマー１５が多少なりとも残留
すると、センシングエレメントのおもり部分１１０の可
動範囲が狭まり、精度よく、高信頼性の感知が困難にな
る。また、犠牲層である酸化膜２のエッチングを２回行
う工程と感光性ポリマー１５をパターニング工程が必要
となり、製造コストが増大する。
【００２６】また、昇華物質３０でセンシングエレメン
トを乾燥時に保持する場合、昇華物質３０が完全に除去
されず、昇華物質３０に混入している異物３２が残留す
る場合があり、精度よく、高信頼性の感知が困難とな
る。
トを乾燥時に保持する場合、昇華物質３０が完全に除去
されず、昇華物質３０に混入している異物３２が残留す
る場合があり、精度よく、高信頼性の感知が困難とな
る。
【００２７】この発明の目的は、前記の課題を解決し
て、スティッキング現象を防止し、精度よく、高信頼性
の半導体力学量センサの製造方法とその製造装置を提供
することにある。
て、スティッキング現象を防止し、精度よく、高信頼性
の半導体力学量センサの製造方法とその製造装置を提供
することにある。
【００２８】
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
めに、第１層のシリコン基板と、該第１層上に形成した
第２層の犠牲層となる絶縁層と、該第２層上に形成した
第３層のシリコン層もしくはポリシリコン層とで構成さ
れるＳＯＩ基板で、前記第３層を加工して力学量をセン
シングするセンシングエレメントを形成し、前記第２層
を除去して形成する力学量センサの製造方法において、
前記第３層上を保護膜で被覆する工程と、該保護膜をマ
スクとして、センシングエレメントを形成する工程と、
前記第２層の犠牲層をウェットエッチングで除去する工
程と、該ウェットエッチングで用いたエッチング液を置
換液で置換する工程と、前記センシングエレメントに、
前記第１層へ向かう方向と反対方向の加速度をセンシン
グエレメントに印加した状態で、該センシングエレメン
トに付着した前記置換液を除去し、前記センシングエレ
メントを乾燥する工程と、前記保護膜をドライエッチン
グで除去する工程とを含む製造方法とする。
めに、第１層のシリコン基板と、該第１層上に形成した
第２層の犠牲層となる絶縁層と、該第２層上に形成した
第３層のシリコン層もしくはポリシリコン層とで構成さ
れるＳＯＩ基板で、前記第３層を加工して力学量をセン
シングするセンシングエレメントを形成し、前記第２層
を除去して形成する力学量センサの製造方法において、
前記第３層上を保護膜で被覆する工程と、該保護膜をマ
スクとして、センシングエレメントを形成する工程と、
前記第２層の犠牲層をウェットエッチングで除去する工
程と、該ウェットエッチングで用いたエッチング液を置
換液で置換する工程と、前記センシングエレメントに、
前記第１層へ向かう方向と反対方向の加速度をセンシン
グエレメントに印加した状態で、該センシングエレメン
トに付着した前記置換液を除去し、前記センシングエレ
メントを乾燥する工程と、前記保護膜をドライエッチン
グで除去する工程とを含む製造方法とする。
【００２９】前記センシングエレメントに印加する加速
度を、ＳＯＩ基板を公転させて発生する遠心力で得ると
よい。前記置換液の表面張力による前記センシングエレ
メントの前記第１層への吸引力ＦS 、前記遠心力Ｆr お
よび前記センシングエレメントのバネ力ＦK の関係が、
（Ｆr ＋ＦK ）＞ＦS を満たす条件で、前記センシング
エレメントを乾燥するとよい。
度を、ＳＯＩ基板を公転させて発生する遠心力で得ると
よい。前記置換液の表面張力による前記センシングエレ
メントの前記第１層への吸引力ＦS 、前記遠心力Ｆr お
よび前記センシングエレメントのバネ力ＦK の関係が、
（Ｆr ＋ＦK ）＞ＦS を満たす条件で、前記センシング
エレメントを乾燥するとよい。
【００３０】前記のようにすることで、置換液の表面張
力によって発生する吸引力を、ＳＯＩ基板を公転させて
発生する吸引力と反対方向の加速度と、センシングエレ
メントのおもり部分のつけ根がもっているセンサバネ力
とが上回るようにすることで、スティッキング現象を防
止する。
力によって発生する吸引力を、ＳＯＩ基板を公転させて
発生する吸引力と反対方向の加速度と、センシングエレ
メントのおもり部分のつけ根がもっているセンサバネ力
とが上回るようにすることで、スティッキング現象を防
止する。
【００３１】前記加速度が所定の値に至る前までは、前
記置換液を前記センシングエレメントに付着させ、前記
加速度が所定の値に至った後は、前記置換液の除去し、
センシングエレメントを乾燥すると効果的である。
記置換液を前記センシングエレメントに付着させ、前記
加速度が所定の値に至った後は、前記置換液の除去し、
センシングエレメントを乾燥すると効果的である。
【００３２】前記のようにすることで、低回転段階での
スティッキング現象を防止する。前記センシングエレメ
ントを、マイナスイオンを含む不活性ガス雰囲気で乾燥
すると好ましい。前記第１層と前記第３層とを電気的に
接続して、ＳＯＩ基板を公転させるとよい。
スティッキング現象を防止する。前記センシングエレメ
ントを、マイナスイオンを含む不活性ガス雰囲気で乾燥
すると好ましい。前記第１層と前記第３層とを電気的に
接続して、ＳＯＩ基板を公転させるとよい。
【００３３】前記のようにすることで、回転時にウエハ
と周辺雰囲気との間に発生する静電気を、マイナスイオ
ンで打ち消したり、または、第１層側に逃がしたりし
て、スティッキンク現象を防止することができる。前記
置換液が蒸気、純水およびイソプロピルアルコール（Ｉ
ＰＡ）のいずれかであるとよい。
と周辺雰囲気との間に発生する静電気を、マイナスイオ
ンで打ち消したり、または、第１層側に逃がしたりし
て、スティッキンク現象を防止することができる。前記
置換液が蒸気、純水およびイソプロピルアルコール（Ｉ
ＰＡ）のいずれかであるとよい。
【００３４】前記の半導体力学量センサの製造方法で用
いられる製造装置において、少なくとも回転軸と、乾燥
槽と、ＳＯＩ基板を固定する支持板とを有し、少なくと
も該回転軸もしくは該乾燥槽のいづれかに置換液の噴霧
孔を具備する構成とするとよい。
いられる製造装置において、少なくとも回転軸と、乾燥
槽と、ＳＯＩ基板を固定する支持板とを有し、少なくと
も該回転軸もしくは該乾燥槽のいづれかに置換液の噴霧
孔を具備する構成とするとよい。
【００３５】
【発明の実施の形態】図１、図２は、この発明の第１実
施例の半導体力学量センサの製造方法で、工程Ａから工
程Ｆは、製造工程順に示した要部工程断面図である。こ
こで示す工程断面図は、図８（ａ）のＢ−Ｂ線で切断し
た箇所の断面に相当する断面図である。
施例の半導体力学量センサの製造方法で、工程Ａから工
程Ｆは、製造工程順に示した要部工程断面図である。こ
こで示す工程断面図は、図８（ａ）のＢ−Ｂ線で切断し
た箇所の断面に相当する断面図である。
【００３６】工程Ａにおいて、シリコン基板１上に酸化
膜２の一種であるＢＰＳＧ膜またはＰＳＧ膜などの絶縁
層を形成し、この酸化膜２上にポリシリコンなどのシリ
コン層３を形成して、ＳＯＩ基板１００とする。このシ
リコン層３に、図示しないが、図７で説明した半導体ス
トレンゲージとなるセンシングエレメント１０３、アナ
ログ増幅回路１０５、デジタル調整回路１０４、入出力
端子１０６、デジタル調整用端子１０７などを形成す
る。以下に示す工程断面図は、センシングエレメント１
０３の箇所である。
膜２の一種であるＢＰＳＧ膜またはＰＳＧ膜などの絶縁
層を形成し、この酸化膜２上にポリシリコンなどのシリ
コン層３を形成して、ＳＯＩ基板１００とする。このシ
リコン層３に、図示しないが、図７で説明した半導体ス
トレンゲージとなるセンシングエレメント１０３、アナ
ログ増幅回路１０５、デジタル調整回路１０４、入出力
端子１０６、デジタル調整用端子１０７などを形成す
る。以下に示す工程断面図は、センシングエレメント１
０３の箇所である。
【００３７】工程Ｂにおいて、レジスト膜４を被覆し、
パターニングして、ふっ酸（ＨＦ）と硝酸（ＨＮＯ3)の
混酸によるウェットエッチングまたは六フッ化硫黄（Ｓ
Ｆ6)と酸素（Ｏ2)の混合ガスによるドライエッチングに
よって、シリコン層３に多数の貫通孔１５を開け、シリ
コン層３にセンシングエレメント１０３を形成する。こ
の平面パターンは図８（ａ）と同じである。
パターニングして、ふっ酸（ＨＦ）と硝酸（ＨＮＯ3)の
混酸によるウェットエッチングまたは六フッ化硫黄（Ｓ
Ｆ6)と酸素（Ｏ2)の混合ガスによるドライエッチングに
よって、シリコン層３に多数の貫通孔１５を開け、シリ
コン層３にセンシングエレメント１０３を形成する。こ
の平面パターンは図８（ａ）と同じである。
【００３８】工程Ｃにおいて、シリコン層３の下面に対
向する犠牲層である酸化膜２をＨＦなどのエッチング液
５を用いて除去する。この場合、両端の酸化膜２は一部
残るようにエッチングする。また、エッチング液５は貫
通孔１５から流入して、酸化膜２をエッチングする。
向する犠牲層である酸化膜２をＨＦなどのエッチング液
５を用いて除去する。この場合、両端の酸化膜２は一部
残るようにエッチングする。また、エッチング液５は貫
通孔１５から流入して、酸化膜２をエッチングする。
【００３９】工程Ｄにおいて、純水またはイソプロピル
アルコール（ＩＰＡ）などの置換液６によって置換洗浄
し、その後、ＳＯＩ基板１００を公転させながら乾燥す
る。この乾燥工程で、置換液６の表面張力によって生ず
るシリコン基板１側への吸引力７（Ｆr ）とセンサバネ
力ＦK と公転で生ずる加速度による遠心力８（ＦS ）の
関係が、（ＦK ＋ＦS ）＞Ｆr を満たすように、公転の
回転数を決定する。この場合、（ＦK ＋ＦS ）＞Ｆr の
条件を満たす前の低速回転では置換液６である純水やＩ
ＰＡなどを噴霧させ、レジスト膜４で被覆された状態の
センシングエレメント１０３を湿った状態に保持し、
（ＦK ＋ＦS ）＞Ｆr の条件を満たした状態で、噴霧を
停止し、センシングエレメント１０３を乾燥する。
アルコール（ＩＰＡ）などの置換液６によって置換洗浄
し、その後、ＳＯＩ基板１００を公転させながら乾燥す
る。この乾燥工程で、置換液６の表面張力によって生ず
るシリコン基板１側への吸引力７（Ｆr ）とセンサバネ
力ＦK と公転で生ずる加速度による遠心力８（ＦS ）の
関係が、（ＦK ＋ＦS ）＞Ｆr を満たすように、公転の
回転数を決定する。この場合、（ＦK ＋ＦS ）＞Ｆr の
条件を満たす前の低速回転では置換液６である純水やＩ
ＰＡなどを噴霧させ、レジスト膜４で被覆された状態の
センシングエレメント１０３を湿った状態に保持し、
（ＦK ＋ＦS ）＞Ｆr の条件を満たした状態で、噴霧を
停止し、センシングエレメント１０３を乾燥する。
【００４０】また、噴霧を停止した後、公転するＳＯＩ
基板１００が、空気流による摩擦で発生する静電気を除
去するために、マイナスイオンを含む窒素などの不活性
ガスを、吹きつけながら乾燥させると、スティッキング
現象を防止する上で、さらに好ましい。
基板１００が、空気流による摩擦で発生する静電気を除
去するために、マイナスイオンを含む窒素などの不活性
ガスを、吹きつけながら乾燥させると、スティッキング
現象を防止する上で、さらに好ましい。
【００４１】工程Ｅの断面工程図は、工程Ｄで乾燥した
後のセンシングエレメント１０３を示す。工程Ｆにおい
て、アッシングなどのドライ工程により、レジスト膜４
を灰化させ、除去して、センシングエレメント１０３が
完成する。このセンシングエレメント１０３の断面図は
図８（ｂ）と同一である。
後のセンシングエレメント１０３を示す。工程Ｆにおい
て、アッシングなどのドライ工程により、レジスト膜４
を灰化させ、除去して、センシングエレメント１０３が
完成する。このセンシングエレメント１０３の断面図は
図８（ｂ）と同一である。
【００４２】前記のように、（ＦK ＋ＦS ）＞Ｆr の条
件を満たすことで、吸引力７より、剛性が低いポリシリ
コン層に形成されたセンシングエレメント１０３のおも
り部分１１０が、シリコン基板１に吸い付けられ、固着
する、いわゆる、スティッキング現象を防止することが
できる。また、スティッキング現象を防止するために、
従来のような、感光性ポリマーや昇華物質を用いないた
めに、異物などが、センシングエレメントのおもり部分
１１０とシリコン基板１の間に残留することがなく、精
度よく、高信頼性の感知をさせることができる。また、
感光性ポリマーや昇華物質を用いる工程と比べると、余
分なパターニング工程やエッチング工程がなく、製造コ
ストを低減できる。
件を満たすことで、吸引力７より、剛性が低いポリシリ
コン層に形成されたセンシングエレメント１０３のおも
り部分１１０が、シリコン基板１に吸い付けられ、固着
する、いわゆる、スティッキング現象を防止することが
できる。また、スティッキング現象を防止するために、
従来のような、感光性ポリマーや昇華物質を用いないた
めに、異物などが、センシングエレメントのおもり部分
１１０とシリコン基板１の間に残留することがなく、精
度よく、高信頼性の感知をさせることができる。また、
感光性ポリマーや昇華物質を用いる工程と比べると、余
分なパターニング工程やエッチング工程がなく、製造コ
ストを低減できる。
【００４３】図３は、この発明の第２実施例で、本発明
の半導体力学量センサを製造する製造装置の要部構成図
で、同図（ａ）は上蓋をとった状態での平面図、同図
（ｂ）は断面図である。この製造装置は半導体力学量セ
ンサを乾燥させるための乾燥装置である。
の半導体力学量センサを製造する製造装置の要部構成図
で、同図（ａ）は上蓋をとった状態での平面図、同図
（ｂ）は断面図である。この製造装置は半導体力学量セ
ンサを乾燥させるための乾燥装置である。
【００４４】この乾燥装置は、回転軸５１、乾燥槽５
２、図示しないＳＯＩ基板を固定する支持板５３を備
え、回転軸５１に支持板５３が固着している。また乾燥
槽５２には置換液を噴霧する噴霧孔５６が設けられてい
る。また、回転軸５１はモータ５９と接続し、噴霧孔５
６は給排水口５６と給排水路５８で結ばれている。ま
た、不活性ガスで乾燥槽５２が充満するように、不活性
ガスが、吸気口５７から図示しない供給路を通して供給
される。
２、図示しないＳＯＩ基板を固定する支持板５３を備
え、回転軸５１に支持板５３が固着している。また乾燥
槽５２には置換液を噴霧する噴霧孔５６が設けられてい
る。また、回転軸５１はモータ５９と接続し、噴霧孔５
６は給排水口５６と給排水路５８で結ばれている。ま
た、不活性ガスで乾燥槽５２が充満するように、不活性
ガスが、吸気口５７から図示しない供給路を通して供給
される。
【００４５】図４は図３にＳＯＩ基板を設置し、乾燥槽
を回転している図で、同図（ａ）はセンシングエレメン
トの断面図、同図（ｂ）は乾燥装置を上から見た平面
図、同図（ｃ）は乾燥装置の断面図である。この乾燥装
置が使われる工程は図２の工程Ｄである。またセンシン
グエレメント１０３はＳＯＩ基板１００のシリコン層３
に形成されている。この図を用いて、ＳＯＩ基板１００
を乾燥する手順について説明する。 （１）犠牲層の酸化膜２のエッチング後、純水またはＩ
ＰＡなどの置換液によって置換したＳＯＩ基板１００を
回転軸５１を中心に、軸対称の位置に設置する。このと
き、シリコン層３が外側にくるように設置する。 （２）センシングエレメント１０３のおもり部分１１０
に、所定の遠心力８がかかるまでの低速回転（この回転
は、図４（ｂ）の太線矢印で示され、センシングエレメ
ント１０３が形成されているＳＯＩ基板１００にとって
は、公転のことで自転ではない）の状態では、センシン
グエレメント１０３が乾燥しないように、置換液を噴霧
孔５６から矢印１１で示すように吹きかける。 （３）所定の遠心力８がかかる高速回転の状態では、置
換液の吹きかけを停止し、マイナスイオンを含む窒素な
どの不活性ガスを吹きつけて、センシングエレメント１
０３が形成されているＳＯＩ基板１００を乾燥させる。
図４（ａ）に示すように、遠心力８によって、置換液６
の表面張力による吸引力７を打ち消して、おもり部分１
１０がシリコン基板１に固着する現象（所謂、スティッ
キング現象のこと）を防止する。また、不活性ガスの吹
きつけにより、静電気によるスティッキング現象を防止
する。さらに、シリコン基板１とシリコン層３を電気的
に接続することで、シリコン層で発生した静電気をシリ
コン基板１に逃がすことで、スティッキング現象を防止
することもできる。
を回転している図で、同図（ａ）はセンシングエレメン
トの断面図、同図（ｂ）は乾燥装置を上から見た平面
図、同図（ｃ）は乾燥装置の断面図である。この乾燥装
置が使われる工程は図２の工程Ｄである。またセンシン
グエレメント１０３はＳＯＩ基板１００のシリコン層３
に形成されている。この図を用いて、ＳＯＩ基板１００
を乾燥する手順について説明する。 （１）犠牲層の酸化膜２のエッチング後、純水またはＩ
ＰＡなどの置換液によって置換したＳＯＩ基板１００を
回転軸５１を中心に、軸対称の位置に設置する。このと
き、シリコン層３が外側にくるように設置する。 （２）センシングエレメント１０３のおもり部分１１０
に、所定の遠心力８がかかるまでの低速回転（この回転
は、図４（ｂ）の太線矢印で示され、センシングエレメ
ント１０３が形成されているＳＯＩ基板１００にとって
は、公転のことで自転ではない）の状態では、センシン
グエレメント１０３が乾燥しないように、置換液を噴霧
孔５６から矢印１１で示すように吹きかける。 （３）所定の遠心力８がかかる高速回転の状態では、置
換液の吹きかけを停止し、マイナスイオンを含む窒素な
どの不活性ガスを吹きつけて、センシングエレメント１
０３が形成されているＳＯＩ基板１００を乾燥させる。
図４（ａ）に示すように、遠心力８によって、置換液６
の表面張力による吸引力７を打ち消して、おもり部分１
１０がシリコン基板１に固着する現象（所謂、スティッ
キング現象のこと）を防止する。また、不活性ガスの吹
きつけにより、静電気によるスティッキング現象を防止
する。さらに、シリコン基板１とシリコン層３を電気的
に接続することで、シリコン層で発生した静電気をシリ
コン基板１に逃がすことで、スティッキング現象を防止
することもできる。
【００４６】本発明の乾燥装置を用いることで、高精度
で、高信頼性で、低コストの半導体力学量センサを、ク
リーンな環境で、比較的容易に製造することができる。
図５は、この発明の第３実施例の乾燥装置の要部構成図
で、同図（ａ）は乾燥装置を上から見た平面図、同図
（ｂ）は乾燥装置の断面図である。この乾燥装置は図４
（ｂ）、（ｃ）に相当する図ある。
で、高信頼性で、低コストの半導体力学量センサを、ク
リーンな環境で、比較的容易に製造することができる。
図５は、この発明の第３実施例の乾燥装置の要部構成図
で、同図（ａ）は乾燥装置を上から見た平面図、同図
（ｂ）は乾燥装置の断面図である。この乾燥装置は図４
（ｂ）、（ｃ）に相当する図ある。
【００４７】図４との違いは、ＳＯＩ基板１００の設置
が、軸対称に４箇所である点である。この場合は、図４
に比べて、回転バランスが優れており、複数のセンシン
グエレメント１０３が形成されているＳＯＩ基板１００
の乾燥を、均一に行うことができる。
が、軸対称に４箇所である点である。この場合は、図４
に比べて、回転バランスが優れており、複数のセンシン
グエレメント１０３が形成されているＳＯＩ基板１００
の乾燥を、均一に行うことができる。
【００４８】図６は、この発明の第４実施例の乾燥装置
の要部構成図で、同図（ａ）は乾燥装置を上から見た平
面図、同図（ｂ）は乾燥装置の断面図である。この乾燥
装置は図５（ａ）、（ｂ）に相当する図ある。
の要部構成図で、同図（ａ）は乾燥装置を上から見た平
面図、同図（ｂ）は乾燥装置の断面図である。この乾燥
装置は図５（ａ）、（ｂ）に相当する図ある。
【００４９】置換液の噴霧箇所が、矢印１１で示すよう
に、回転軸５１、乾燥槽５２の側壁の他に上蓋５５およ
び乾燥層５２の底部にもに設置されている点が図５と異
なる。このように、回転軸、側壁、上蓋および底部のす
べてから置換液を噴霧すると、さらに、確実にスティッ
キング現象を防止することができる。
に、回転軸５１、乾燥槽５２の側壁の他に上蓋５５およ
び乾燥層５２の底部にもに設置されている点が図５と異
なる。このように、回転軸、側壁、上蓋および底部のす
べてから置換液を噴霧すると、さらに、確実にスティッ
キング現象を防止することができる。
【００５０】
【発明の効果】この発明によれば、センシングエレメン
トを乾燥させる場合に、センシングエレメントを形成し
たＳＯＩ基板の公転により、遠心力を発生させて、ステ
ィキング現象の防止を図る。
トを乾燥させる場合に、センシングエレメントを形成し
たＳＯＩ基板の公転により、遠心力を発生させて、ステ
ィキング現象の防止を図る。
【００５１】また、低速回転時には、置換液でセンシン
グエレメントを湿らせ、高速回転時に、マイナスイオン
を含む不活性ガスを噴霧することで、スティッキング現
象を防止できる。さらに、シリコン層とシリコン基板を
電気的に接続することで、静電気をシリコン基板に逃が
し、スティッキング現象を防止することができる。
グエレメントを湿らせ、高速回転時に、マイナスイオン
を含む不活性ガスを噴霧することで、スティッキング現
象を防止できる。さらに、シリコン層とシリコン基板を
電気的に接続することで、静電気をシリコン基板に逃が
し、スティッキング現象を防止することができる。
【００５２】また、従来のように、感光性ポリマーや昇
華物質を用いることなく、センシングエレメントを乾燥
できる本発明の製造方法と製造装置を用いることによ
り、センシングエレメントとシリコン基板の間に異物が
残留することがなく、また、パターニング工程やエッチ
ング工程が簡略化できて、半導体力学量センサの高精度
化、高信頼性化および低コスト化を図ることができる。
華物質を用いることなく、センシングエレメントを乾燥
できる本発明の製造方法と製造装置を用いることによ
り、センシングエレメントとシリコン基板の間に異物が
残留することがなく、また、パターニング工程やエッチ
ング工程が簡略化できて、半導体力学量センサの高精度
化、高信頼性化および低コスト化を図ることができる。
【図１】この発明の第１実施例の半導体力学量センサの
要部工程断面図
要部工程断面図
【図２】この発明の第１実施例の半導体力学量センサの
要部工程断面図
要部工程断面図
【図３】この発明の第２実施例で、本発明の半導体力学
量センサを製造する製造装置の要部構成図で、（ａ）は
上蓋をとった状態での平面図、（ｂ）は断面図
量センサを製造する製造装置の要部構成図で、（ａ）は
上蓋をとった状態での平面図、（ｂ）は断面図
【図４】図３にＳＯＩ基板を設置し、乾燥槽を回転して
いる図で、（ａ）はセンシングエレメントの断面図、
（ｂ）は乾燥装置を上から見た平面図、（ｃ）は乾燥装
置の断面図
いる図で、（ａ）はセンシングエレメントの断面図、
（ｂ）は乾燥装置を上から見た平面図、（ｃ）は乾燥装
置の断面図
【図５】この発明の第３実施例の乾燥装置の要部構成図
で、（ａ）は乾燥装置を上から見た平面図、（ｂ）は乾
燥装置の断面図
で、（ａ）は乾燥装置を上から見た平面図、（ｂ）は乾
燥装置の断面図
【図６】この発明の第４実施例の乾燥装置の要部構成図
で、（ａ）は乾燥装置を上から見た平面図、（ｂ）は乾
燥装置の断面図
で、（ａ）は乾燥装置を上から見た平面図、（ｂ）は乾
燥装置の断面図
【図７】従来の半導体力学量センサの要部構成図で、
（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＹ−Ｙ線で切断した
断面図
（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＹ−Ｙ線で切断した
断面図
【図８】従来のセンシングエレメントの要部構成図で、
（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ線で切断した
断面図
（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ線で切断した
断面図
【図９】半導体力学量センサの回路構成図
【図１０】従来の半導体力学量センサの要部製造工程断
面図
面図
【図１１】従来の半導体力学量センサの要部製造工程断
面図
面図
【図１２】従来の半導体力学量センサの要部製造工程断
面図
面図
【図１３】従来の半導体力学量センサの要部製造工程断
面図
面図
【図１４】従来の半導体力学量センサの要部製造工程断
面図
面図
【図１５】従来の半導体力学量センサの要部製造工程断
面図
面図
１ シリコン基板 ２ 酸化膜 ３ シリコン層 ４ レジスト膜 ６ 置換液 ７ 吸引力 ８ 遠心力 １１ 矢印 １５ 貫通孔 ５１ 回転軸 ５２ 乾燥槽 ５３ 支持板 ５４ 支持板 ５５ 上蓋 ５６ 給排水口 ５７ 吸気口 ５８ 給排水路 ５９ モータ １００ ＳＯＩ基板 １０３ センシングエレメント １０４ デジタル調整回路 １０５ アノログ増幅回路 １０６ 入出力端子 １０７ デジタル調整用端子 １１０ おもり部分 １１０ａ、ｂ おもり部分 １１１ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｆ、ｇ、ｈ 梁部 １１３ａ、ｂ、ｃ、ｄ 半導体ストレンゲージ ２００ 矢印
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 西川 睦雄 神奈川県川崎市川崎区田辺新田１番１号 富士電機株式会社内 (72)発明者 高木 志保 神奈川県川崎市川崎区田辺新田１番１号 富士電機株式会社内 Ｆターム(参考） 2F055 AA40 BB20 CC02 CC11 DD05 EE13 FF11 FF43 GG01 4M112 AA02 BA01 CA24 CA26 CA32 DA04 EA02 EA06
Claims (8)
- 【請求項１】第１層のシリコン基板と、該第１層上に形
成した第２層の犠牲層となる絶縁層と、該第２層上に形
成した第３層のシリコン層もしくはポリシリコン層とで
構成されるＳＯＩ基板で、前記第３層を加工して力学量
をセンシングするセンシングエレメントを形成し、前記
第２層を除去して形成する半導体力学量センサの製造方
法において、 前記第３層上を保護膜で被覆する工程と、該保護膜をマ
スクとして、センシングエレメントを形成する工程と、
前記第２層の犠牲層をウェットエッチングで除去する工
程と、該ウェットエッチングで用いたエッチング液を置
換液で置換する工程と、前記センシングエレメントに、
前記第１層へ向かう方向と反対方向の加速度をセンシン
グエレメントに印加した状態で、該センシングエレメン
トに付着した前記置換液を除去し、前記センシングエレ
メントを乾燥する工程と、前記保護膜をドライエッチン
グで除去する工程とを含むことを特徴とする半導体力学
量センサの製造方法。 - 【請求項２】前記センシングエレメントに印加する加速
度を、ＳＯＩ基板を公転させて発生する遠心力で得るこ
とを特徴とする請求項１に記載の半導体力学量センサの
製造方法。 - 【請求項３】前記置換液の表面張力による前記センシン
グエレメントの前記第１層への吸引力ＦS 、前記遠心力
Ｆr および前記センシングエレメントのバネ力ＦK の関
係が、（Ｆr ＋ＦK ）＞ＦS を満たす条件で、前記セン
シングエレメントを乾燥することを特徴とする請求項２
に記載の半導体力学量センサの製造方法。 - 【請求項４】前記加速度が所定の値に至る前までは、前
記置換液を前記センシングエレメントに付着させ、前記
加速度が所定の値に至った後は、前記置換液を除去し、
センシングエレメントを乾燥することを特徴とする請求
項３に記載の半導体力学量センサの製造方法。 - 【請求項５】前記センシングエレメントを、マイナスイ
オンを含む不活性ガス雰囲気で乾燥することを特徴とす
る請求項１、３または４のいずれかに記載の半導体力学
量センサの製造方法。 - 【請求項６】前記第１層と前記第３層とを電気的に接続
して、ＳＯＩ基板を公転させることを特徴とする請求項
２に記載の半導体力学量センサの製造方法。 - 【請求項７】前記置換液が蒸気、純水およびイソプロピ
ルアルコール（ＩＰＡ）のいずれかであることを特徴と
する請求項１、３または４に記載の半導体力学量センサ
の製造方法。 - 【請求項８】請求項１ないし７に記載の半導体力学量セ
ンサの製造方法で用いられる製造装置において、少なく
とも回転軸と、乾燥槽と、ＳＯＩ基板を固定する支持板
とを有し、少なくとも該回転軸もしくは該乾燥槽のいづ
れかに置換液の噴霧孔を具備することを特徴とする半導
体力学量センサの製造装置。
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