JP2000195977A - Package for electronic component and manufacture thereof - Google Patents

Package for electronic component and manufacture thereof

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JP2000195977A
JP2000195977A JP10370274A JP37027498A JP2000195977A JP 2000195977 A JP2000195977 A JP 2000195977A JP 10370274 A JP10370274 A JP 10370274A JP 37027498 A JP37027498 A JP 37027498A JP 2000195977 A JP2000195977 A JP 2000195977A
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metal
metal film
package
layer
film layer
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JP10370274A
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Hozumi Nakada
穂積 中田
Mikio Nakajima
幹雄 中島
Minoru Iizuka
実 飯塚
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Daishinku Corp
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Daishinku Corp
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161Cap
    • H01L2924/1615Shape
    • H01L2924/16195Flat cap [not enclosing an internal cavity]

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  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a package for an electronic component and a manufacture thereof, wherein the reliability in airtighness is maintained satisfactorily and the functions of the electronic component will not deteriorate even is sulyicted to miniaturization. SOLUTION: There are provided a ceramic package 1, having a concave part of which upper part opens, a quartz oscillating board 3 which is an electronic element housed in the package, and a metal lid 2 bonded to the opening of the package. The ceramic package and the metal lid are bonded by first spot resistance welding or laser welding and then by soldering the entire surface.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は電子部品用パッケー
ジに関するものであり、特に気密封止を必要とする電子
部品用パッケージに適用されるものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a package for electronic parts, and more particularly to a package for electronic parts requiring hermetic sealing.

【0002】[0002]

【従来の技術】気密封止を必要とする電子部品の例とし
て、水晶振動子、水晶フィルタ、水晶発振器等の水晶応
用製品があげられる。これらはいずれも電子素子である
水晶振動板の表面に金属薄膜電極を形成し、この金属薄
膜電極を外気から保護するため、気密封止されている。
2. Description of the Related Art Examples of electronic components requiring hermetic sealing include quartz crystal products such as quartz oscillators, quartz filters and quartz oscillators. Each of them is hermetically sealed in order to form a metal thin film electrode on the surface of a quartz vibrating plate, which is an electronic element, and to protect the metal thin film electrode from the outside air.

【0003】これら水晶応用製品は部品の表面実装化の
要求から、セラミックパッケージに気密的に収納する構
成が増加している。このようなセラミックパッケージを
用いる場合、パッケージ本体とフタとの接合は多種多様
の接合方法が検討されている。例えばはんだ接合、低融
点ガラス接合、抵抗溶接、電子ビーム溶接等各種の接合
方法であるが、最近高周波加熱による局所加熱法によ
り、金属ろう材を溶融させ気密封止する構成が検討され
ている。高周波加熱は古くから一部実用に供されている
技術であり、例えば半田を高周波加熱により溶融させ、
気密封止する例が特公昭57−18372号の実施例に
開示されている。
[0003] Due to the demand for surface mounting of components, the configuration of these quartz-applied products which are hermetically housed in a ceramic package is increasing. In the case of using such a ceramic package, various joining methods are being studied for joining the package body and the lid. For example, there are various joining methods such as solder joining, low melting point glass joining, resistance welding, and electron beam welding. Recently, a configuration in which a brazing metal is melted and hermetically sealed by a local heating method using high-frequency heating has been studied. High-frequency heating is a technology that has been partly used for a long time, for example, melting solder by high-frequency heating,
An example of hermetic sealing is disclosed in the embodiment of JP-B-57-18372.

【0004】高周波加熱による気密封止に必要な構成を
図3とともに説明する。図3は表面実装型水晶振動子6
を高周波コイル5,5間に設置した状態の模式的断面図
である。セラミックパッケージ60の堤部61上面には
メタライズ層62が形成され、その上面にニッケル等の
金属メッキ層(図示せず)が形成されている。金属フタ
63には銀ろう等の金属ろう層64が形成され、前記堤
部上に搭載されている。なお、パッケージ内部に図示し
ていない励振電極が形成された水晶振動板が設置され、
必要な電気的接続が施された後、高周波加熱により、金
属フタ近傍を中心に局所的に加熱し、ろう接による気密
封止を行う。
A configuration necessary for hermetic sealing by high-frequency heating will be described with reference to FIG. FIG. 3 shows a surface mount type crystal unit 6.
FIG. 4 is a schematic cross-sectional view of a state where the device is installed between high-frequency coils 5. A metallization layer 62 is formed on the upper surface of the bank portion 61 of the ceramic package 60, and a metal plating layer (not shown) of nickel or the like is formed on the upper surface. A metal brazing layer 64 such as silver brazing is formed on the metal lid 63 and is mounted on the bank. In addition, a quartz diaphragm on which an excitation electrode (not shown) is formed is installed inside the package,
After the necessary electrical connection is made, the metal cover is locally heated mainly by virtue of high frequency heating, and hermetically sealed by brazing.

【0005】高周波加熱は短時間(例えば1〜1.5秒
間)に所定温度の加熱を行うことができるので、熱歪み
が極めて少ない特徴を有している。ところが上述したよ
うなパッケージの封止に適用した場合、その短時間の中
でも条件によっては接合状況、パッケージ内部の電子素
子への影響が変化し、品質のバラツキが発生しているこ
とがわかった。そこで接合の進行状況を時系列的に観察
したところ、図4に示すような進行状況であった。すな
わち、図4(a)に示すように加熱溶融の初期段階にお
いては、銀ろうは溶融している状態で、一部溶融溜まり
64aを形成しているが、金属フタの端部がやや上方に
反っている状況であった。よく知られているとおり、高
周波加熱法は発熱をうず電流により発生させ、このうず
電流は金属断面各部に一様に流れるのではなく、表面に
集中する。すなわち被加熱体表面と内部に温度差が発生
し、これが反りの発生要因の一つであると考えられる。
このような反った状態で加熱を終了させると、部分的な
ろう接しか行われていないため、気密不良となることが
あった。
[0005] High-frequency heating is characterized in that thermal heating can be performed at a predetermined temperature in a short time (for example, 1 to 1.5 seconds), so that thermal distortion is extremely small. However, it has been found that when the present invention is applied to sealing of a package as described above, the bonding state and the effect on the electronic elements inside the package change depending on the conditions even within a short time, and variations in quality occur. Then, when the progress of the joining was observed in chronological order, the progress was as shown in FIG. That is, as shown in FIG. 4 (a), in the initial stage of the heating and melting, the silver solder is in a molten state and partially forms the molten pool 64a, but the end of the metal lid is slightly upward. The situation was warped. As is well known, the high-frequency heating method generates heat by eddy currents, and the eddy currents are concentrated not on the metal cross sections but on the surface. That is, a temperature difference occurs between the surface of the object to be heated and the inside thereof, and this is considered to be one of the causes of the warpage.
If the heating is terminated in such a warped state, airtightness may be poor because only partial brazing is performed.

【0006】図4(b)に示すように加熱をさらに進め
ると、金属フタ端部の反りが修正され、面接合状態とな
る。この状況で加熱を終了させると気密性は良好とな
る。その後さらに加熱を進めると、金属フタの中央部分
に高温が伝達され、図4(c)に示すように、金属フタ
に形成された銀ろうが気化し始める。気化した銀ろうG
は電子素子に付着する等パッケージ内部を汚染する。こ
の場合、気密性は良好に維持されているが、電子素子の
特性を悪化させることがあった。例えば電子素子が水晶
振動板であると、周波数の変動、不発振の発生等の生じ
ることがあった。
When the heating is further advanced as shown in FIG. 4 (b), the warpage of the end of the metal lid is corrected, and the metal lid is brought into a surface bonding state. When the heating is terminated in this situation, the airtightness is improved. Thereafter, when the heating is further advanced, the high temperature is transmitted to the central portion of the metal lid, and as shown in FIG. 4C, the silver solder formed on the metal lid starts to evaporate. Evaporated silver solder G
May contaminate the inside of the package, such as by adhering to electronic elements. In this case, although the airtightness is maintained well, the characteristics of the electronic element may be deteriorated. For example, when the electronic element is a quartz vibrating plate, frequency fluctuation, occurrence of non-oscillation, and the like may occur.

【0007】ところで図4(b)で示す気密性が良好で
電子素子にも悪影響を与えない状態は時間的にかなり短
時間であり、実質的には気密性が良好になる条件(主と
して加熱時間)と電子素子への悪影響が発生する条件
(主として加熱時間)は一致することが多かった。また
金属ろう材もその容易さから金属フタの一面全面に形成
することが多く、金属ろうの余分による悪影響を助長す
る結果となっていた。
The state in which the airtightness is good and does not adversely affect the electronic element as shown in FIG. 4B is considerably short in terms of time, and the conditions under which the airtightness is substantially good (mainly the heating time) ) And the condition (mainly the heating time) that adversely affects the electronic element often coincided. Also, the metal brazing material is often formed on the entire surface of the metal lid because of its easiness, and this has resulted in promoting the adverse effect of the extra metal brazing material.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】本発明は上記問題点を
解決するためになされたもので、パッケージを小型化し
ても、気密封止の信頼性を良好に保ち、また電子部品の
機能が低下することがない電子部品用パッケージおよび
電子部品用パッケージの製造方法を提供することを目的
とするものである。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in order to solve the above-mentioned problems. Even if the size of the package is reduced, the reliability of hermetic sealing is kept good and the function of the electronic component is reduced. It is an object of the present invention to provide a package for an electronic component and a method for manufacturing the package for an electronic component, which does not need to be performed.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】請求項1による電子部品
用パッケージは、セラミック基体と、当該セラミック基
体の主面周囲に周状に形成されたメタライズ層と、当該
メタライズ層の上面に形成された第1の金属膜層と、前
記第1の金属膜層に少なくとも対応して形成された第2
の金属膜層が形成された金属フタとからなる電子部品用
パッケージであって、前記第1の金属膜層と第2の金属
膜層の少なくとも一方を金属ろう材で形成し、かつこれ
ら両金属膜層の重層面の接合を複数箇所のスポット抵抗
溶接またはレーザー溶接と、全面のろう接の兼用により
行ったことを特徴としている。
According to a first aspect of the present invention, there is provided an electronic component package comprising: a ceramic base; a metallized layer formed circumferentially around a main surface of the ceramic base; and an upper surface of the metalized layer. A first metal film layer and a second metal film layer formed at least corresponding to the first metal film layer;
An electronic component package comprising: a metal lid on which a metal film layer is formed, wherein at least one of the first metal film layer and the second metal film layer is formed of a brazing metal material; It is characterized in that the multilayered surface of the film layers is joined by spot resistance welding or laser welding at a plurality of locations and also by brazing on the entire surface.

【0010】請求項1の構成によれば、金属フタ外周部
に形成されたスポット抵抗溶接またはレーザー溶接によ
り、ろう接の初期段階に生じていた金属フタの反りを抑
制することができ、よって、ろう接を加熱溶融初期の段
階で完了させることができる。
According to the first aspect of the present invention, the warpage of the metal lid, which has occurred in the initial stage of brazing, can be suppressed by spot resistance welding or laser welding formed on the outer peripheral portion of the metal lid. Brazing can be completed at an early stage of heating and melting.

【0011】このような電子部品用パッケージを製造す
るには、請求項2に示すように、セラミック基体と、当
該セラミック基体の主面周囲に周状に形成されたメタラ
イズ層と、当該メタライズ層の上面に形成された第1の
金属膜層と、前記第1の金属膜層に少なくとも対応して
形成された第2の金属膜層が形成された金属フタとから
なり、前記第1の金属膜層と第2の金属膜層の少なくと
も一方を金属ろう材で形成してなる電子部品用パッケー
ジの製造方法であって、第1の金属層あるいは第2の金
属層を対応した状態で金属フタとセラミック基体とを接
触させる工程と、金属フタの外周部の複数箇所をスポッ
ト溶接またはレーザー溶接し、予備的にセラミック基体
に接合する工程と、その後、高周波加熱法により前記金
属フタ部分を局所的に加熱し、セラミック基体と金属フ
タとを気密的にろう接する製法によればよい。
In order to manufacture such a package for an electronic component, a ceramic base, a metallized layer formed circumferentially around a main surface of the ceramic base, and a metallized layer A first metal film layer formed on an upper surface, and a metal lid on which a second metal film layer formed at least corresponding to the first metal film layer is formed, wherein the first metal film A method for manufacturing an electronic component package, wherein at least one of a metal layer and a second metal film layer is formed of a brazing metal material, wherein the first metal layer or the second metal layer corresponds to a metal lid. A step of contacting with a ceramic base, a step of spot-welding or laser-welding a plurality of locations on an outer peripheral portion of the metal lid, and a preliminary joining to the ceramic base; Heated to, or according to the ceramic substrate and the metal cover to hermetically braze contact method.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】本発明の第1の実施の形態を表面
実装型の水晶振動子を例にとり図1、図2とともに説明
する。図1は本実施の形態を示す内部断面図であり、図
2は金属フタで封止し、スポット抵抗溶接点を示した平
面図である。表面実装型水晶振動子は、上部が開口した
凹部を有するセラミックパッケージ1と、当該パッケー
ジの中に収納される電子素子である水晶振動板3と、パ
ッケージの開口部に接合される金属フタ2とからなる。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 and 2, taking a surface mount type crystal unit as an example. FIG. 1 is an internal sectional view showing the present embodiment, and FIG. 2 is a plan view showing a spot resistance welding point sealed with a metal lid. The surface-mount type crystal unit includes a ceramic package 1 having a concave portion with an open top, a crystal plate 3 as an electronic element housed in the package, and a metal lid 2 joined to the opening of the package. Consists of

【0013】断面でみて凹形のセラミックパッケージ1
は、セラミック基体10と、凹形周囲の堤部10aに形
成される周状の金属層とからなる。金属層は、タングス
テン等からなるメタライズ層11と、メタライズ層の上
部に形成される第1の金属膜層12とからなる。金属膜
層12はメタライズ層に接してニッケルメッキ層12a
と、当該ニッケルメッキ層12aの上部に形成される極
薄の金メッキ層12bとからなる。なお、前記金メッキ
層12bは形成しなくても接合性にさほど影響しない。
各層の厚さは、この実施例では、メタライズ層11が約
25〜30μm、ニッケルメッキ層12aが約4〜8μ
m、金メッキ層12bが約0.5〜1.0μmである。
A ceramic package 1 having a concave shape when viewed in cross section.
Consists of a ceramic base 10 and a circumferential metal layer formed on the embankment 10a around the concave shape. The metal layer includes a metallized layer 11 made of tungsten or the like and a first metal film layer 12 formed on the metallized layer. The metal film layer 12 is in contact with the metallized layer and has a nickel plating layer 12a.
And an ultra-thin gold plating layer 12b formed on the nickel plating layer 12a. It should be noted that even if the gold plating layer 12b is not formed, the bonding property is not significantly affected.
In this embodiment, the thickness of each layer is about 25 to 30 μm for the metallized layer 11 and about 4 to 8 μm for the nickel plating layer 12a.
m, the thickness of the gold plating layer 12b is about 0.5 to 1.0 μm.

【0014】また、セラミックパッケージ1の内部底面
には電極パッド13、14が形成されており、これら電
極パッドは連結電極15,16を介して、パッケージ外
部の底面に引出電極17,18として電気的に引き出さ
れている。前記電極パッド13,14間には電子素子で
ある矩形の水晶振動板3が搭載されている。水晶振動板
3の表裏面には図示していないが一対の励振電極が形成
されており、各々電極パッド13,14に引き出されて
おり、導電性接合材S1,S2により導電接合されてい
る。
Further, electrode pads 13 and 14 are formed on the inner bottom surface of the ceramic package 1, and these electrode pads are electrically connected as extraction electrodes 17 and 18 to the bottom surface outside the package via connecting electrodes 15 and 16. Has been drawn to. A rectangular crystal vibrating plate 3 as an electronic element is mounted between the electrode pads 13 and 14. Although not shown, a pair of excitation electrodes are formed on the front and back surfaces of the quartz vibrating plate 3 and are led out to the electrode pads 13 and 14, respectively, and are conductively bonded by conductive bonding materials S1 and S2.

【0015】気密封止する金属フタ2はコバール等の金
属母材20の下面全面に第2の金属膜層21を形成して
いる。これにより実質的に前記周状の金属層11に対応
した第2の金属膜層21が形成されていることになる。
もちろん前記周状の金属層11にだけ対応した第2の金
属膜層21を周状に形成してもよい。この第2の金属膜
層21は例えば銀ろうからなり、この形成は例えば、圧
延の手法を用いて形成されて、クラッド化した銀ろうの
層を形成している。前述のとおりクラッド化することに
より溶融時のガスの放出が少なく、ガスによるパッケー
ジ内部への悪影響を回避することができるという利点を
有している。具体的な外形寸法を示すとセラミックパッ
ケージの外形寸法が縦3.2mm、横2.5mm、高さ0.
7mm、フタの外形寸法が縦3.1mm、横2.4mm、高さ
(厚さ)0.1mmであり、各金属膜層の幅は約0.4mm
程度となっている。
The metal lid 2 to be hermetically sealed forms a second metal film layer 21 on the entire lower surface of a metal base material 20 such as Kovar. Thereby, the second metal film layer 21 substantially corresponding to the peripheral metal layer 11 is formed.
Of course, the second metal film layer 21 corresponding to only the circumferential metal layer 11 may be formed circumferentially. The second metal film layer 21 is made of, for example, silver brazing, and is formed by, for example, a rolling technique to form a clad silver brazing layer. As described above, by forming the clad, there is an advantage that the release of gas at the time of melting is small and a bad influence on the inside of the package due to the gas can be avoided. To show the specific external dimensions, the external dimensions of the ceramic package are 3.2 mm in height, 2.5 mm in width, and 0.1 mm in height.
The outer dimensions of the lid are 3.1mm in length, 2.4mm in width, and 0.1mm in height (thickness), and the width of each metal film layer is about 0.4mm.
It has become about.

【0016】気密封止を行う場合は、前記金属フタ2と
前記セラミックパッケージの各金属層を位置決めして重
ね合わせ、まず金属フタの最外周部を予備的にスポット
抵抗溶接する。図1中4はスポット抵抗溶接機の一部、
41は溶接チップである。溶接点20aは本実施の形態
では合計8点で行っているが、次のろう接において金属
フタの反りを抑制できる程度の溶接点が要求される。な
お、スポット抵抗溶接はその溶接チップ先端が小さくす
ることができるので、位置決め治具を使用した場合で
も、当該治具に干渉する等の問題が無く、小型の電子部
品用パッケージにも適用することが可能となる。
When the hermetic sealing is performed, the metal cover 2 and the respective metal layers of the ceramic package are positioned and overlapped, and the outermost peripheral portion of the metal cover is first subjected to spot resistance welding. 1 in FIG. 1 is a part of the spot resistance welding machine,
41 is a welding tip. In the present embodiment, the welding points 20a are performed at a total of eight points, but the welding points are required to be small enough to suppress the warpage of the metal lid in the next brazing. In addition, spot resistance welding can reduce the tip of the welding tip, so even if a positioning jig is used, there is no problem such as interference with the jig, and it should be applied to small electronic component packages. Becomes possible.

【0017】なお、上記スポット抵抗溶接に代えてレー
ザー溶接を用いて、スポット溶接あるいは線状の溶接を
行ってもよい。
In addition, spot welding or linear welding may be performed using laser welding instead of the spot resistance welding.

【0018】次に高周波加熱装置の高周波コイル内に、
上記予備接合された電子部品用パッケージを設置し、高
周波加熱を行う。加熱部分は金属フタ部分に限定される
ことが好ましいので、従来例と同様に当該部分に局所的
に高周波が伝達されるよう設置する。スポット溶接等を
行うことにより、従来、加熱溶融の初期段階に生じてい
た金属フタの反りが抑制され、ろう接の際,溶融した金
属ろう材による気密接合が加熱溶融の初期段階から行わ
れる。その結果、実質的に接合に適した時間帯が延長さ
れ、収納される電子素子への悪影響がなく、良好な気密
状態の電子部品用パッケージを得ることができる。
Next, in the high frequency coil of the high frequency heating device,
The pre-bonded electronic component package is installed, and high-frequency heating is performed. Since the heating part is preferably limited to the metal lid part, it is installed so that high frequency is locally transmitted to the part as in the conventional example. By performing spot welding or the like, warpage of the metal lid, which has conventionally occurred in the initial stage of heating and melting, is suppressed. At the time of brazing, hermetic joining with the molten metal brazing material is performed from the initial stage of heating and melting. As a result, the time zone suitable for the joining is substantially extended, and a favorable airtight electronic component package can be obtained without adversely affecting the stored electronic elements.

【0019】上述した構成のセラミックパッケージ並び
に金属フタを用いて適切な接合条件を検討したところ、
周波数2MHz、出力700Wの条件において、通電時
間1秒で良好な気密接合状態の電子部品用パッケージを
得ることができた。
Examination of appropriate bonding conditions using the ceramic package and the metal lid having the above-described configuration revealed that
Under the conditions of a frequency of 2 MHz and an output of 700 W, a package for electronic components in a good airtight junction state was obtained with a conduction time of 1 second.

【0020】なお、第1の金属膜層、第2の金属膜層は
上記各実施の形態に例示した材料に限定されるものでは
なく、例えば半田ろう等の軟ろうであってもよい。もち
ろん用いる金属ろう材の融点に合わせて、加熱時間等を
調整する必要がある。
The first metal film layer and the second metal film layer are not limited to the materials exemplified in the above embodiments, but may be soft solder such as solder. Of course, it is necessary to adjust the heating time and the like according to the melting point of the brazing metal used.

【0021】また電子部品の例として、水晶振動子の例
を示したが、もちろん水晶発振器、水晶フィルタ等の他
の圧電振動デバイスにも適用できるし、他の気密性を有
する電子部品に適用できる。
Although an example of a crystal oscillator has been described as an example of an electronic component, it is of course applicable to other piezoelectric oscillation devices such as a crystal oscillator and a crystal filter, and also to other airtight electronic components. .

【0022】[0022]

【発明の効果】本発明によれば、スポット溶接またはレ
ーザー溶接により、加熱溶融の初期段階に生じていた金
属フタの反りが抑制され、ろう接の際,溶融した金属ろ
う材による気密接合が加熱溶融の初期段階から行われ
る。その結果、実質的に接合に適した時間帯が延長さ
れ、収納される電子素子への悪影響がなく、良好な気密
状態の電子部品用パッケージを得ることができる。よっ
て、パッケージを小型化しても、気密封止の信頼性を良
好に保ち、また電子部品の電気的特性等の機能が低下す
ることがない電子部品用パッケージを得ることができ
る。
According to the present invention, warpage of the metal lid which has occurred in the initial stage of heat melting is suppressed by spot welding or laser welding, and the airtight joining by the molten metal brazing material is heated during brazing. It is performed from the initial stage of melting. As a result, the time zone suitable for the joining is substantially extended, and a favorable airtight electronic component package can be obtained without adversely affecting the stored electronic elements. Therefore, even if the package is miniaturized, it is possible to obtain a package for an electronic component in which the reliability of hermetic sealing is maintained well and the functions such as the electrical characteristics of the electronic component are not reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】第1の実施の形態による内部断面図。FIG. 1 is an internal cross-sectional view according to a first embodiment.

【図2】第1の実施の形態による平面図。FIG. 2 is a plan view according to the first embodiment.

【図3】従来例を示す図。FIG. 3 is a diagram showing a conventional example.

【図4】従来例を示す図。FIG. 4 is a diagram showing a conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 セラミックパッケージ 10 セラミック基体 11 メタライズ層 12 第1の金属膜層 2 金属フタ 21 第2の金属膜層 3 水晶振動板(電子素子) DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Ceramic package 10 Ceramic base 11 Metallization layer 12 1st metal film layer 2 Metal cover 21 2nd metal film layer 3 Quartz crystal board (electronic element)

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 セラミック基体と、当該セラミック基体
の主面周囲に周状に形成されたメタライズ層と、当該メ
タライズ層の上面に形成された第1の金属膜層と、前記
第1の金属膜層に少なくとも対応して形成された第2の
金属膜層が形成された金属フタとからなる電子部品用パ
ッケージであって、 前記第1の金属膜層と第2の金属膜層の少なくとも一方
を金属ろう材で形成し、かつこれら両金属膜層の重層面
の接合を複数箇所のスポット抵抗溶接またはレーザー溶
接と、全面のろう接の兼用により行ったことを特徴とす
る電子部品用パッケージ。
1. A ceramic substrate, a metallized layer formed circumferentially around a main surface of the ceramic substrate, a first metal film layer formed on an upper surface of the metallized layer, and the first metal film An electronic component package comprising: a metal cover on which a second metal film layer formed at least corresponding to a layer is formed, wherein at least one of the first metal film layer and the second metal film layer is provided. An electronic component package formed of a brazing metal material, and wherein the superposed surfaces of both metal film layers are joined by spot resistance welding or laser welding at a plurality of locations and brazing the entire surface.
【請求項2】 セラミック基体と、当該セラミック基体
の主面周囲に周状に形成されたメタライズ層と、当該メ
タライズ層の上面に形成された第1の金属膜層と、前記
第1の金属膜層に少なくとも対応して形成された第2の
金属膜層が形成された金属フタとからなり、前記第1の
金属膜層と第2の金属膜層の少なくとも一方を金属ろう
材で形成してなる電子部品用パッケージの製造方法であ
って、 第1の金属層あるいは第2の金属層を対応した状態で金
属フタとセラミック基体とを接触させる工程と、 金属フタの外周部の複数箇所をスポット溶接またはレー
ザー溶接し、予備的にセラミック基体に接合する工程
と、 その後、高周波加熱法により前記金属フタ部分を局所的
に加熱し、セラミック基体と金属フタとを気密的にろう
接したことを特徴とする電子部品用パッケージの製造方
法。
2. A ceramic substrate, a metallized layer formed circumferentially around a main surface of the ceramic substrate, a first metal film layer formed on an upper surface of the metallized layer, and the first metal film A metal lid on which a second metal film layer formed at least corresponding to the layer is formed, wherein at least one of the first metal film layer and the second metal film layer is formed of a brazing metal material. A step of contacting a metal cover and a ceramic base in a state where the first metal layer or the second metal layer corresponds, and spotting a plurality of locations on an outer peripheral portion of the metal cover. Welding or laser welding and preliminarily joining to the ceramic base; and then, locally heating the metal lid portion by a high-frequency heating method to air-tightly braze the ceramic base and the metal lid. Manufacturing method of electronic component package.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010179354A (en) * 2009-02-09 2010-08-19 Nippon Avionics Co Ltd Lid tacking method and device

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