JP3401781B2 - Electronic component package and method of manufacturing electronic component package - Google Patents

Electronic component package and method of manufacturing electronic component package

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JP3401781B2
JP3401781B2 JP13140298A JP13140298A JP3401781B2 JP 3401781 B2 JP3401781 B2 JP 3401781B2 JP 13140298 A JP13140298 A JP 13140298A JP 13140298 A JP13140298 A JP 13140298A JP 3401781 B2 JP3401781 B2 JP 3401781B2
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    • H01L2924/1615Shape
    • H01L2924/16195Flat cap [not enclosing an internal cavity]

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は電子部品用パッケー
ジに関するものであり、特に気密封止を必要とする電子
部品用パッケージに適用されるものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a package for electronic parts, and particularly to a package for electronic parts which requires hermetic sealing.

【0002】[0002]

【従来の技術】気密封止を必要とする電子部品の例とし
て、水晶振動子、水晶フィルタ、水晶発振器等の水晶応
用製品があげられる。これらはいずれも水晶振動板の表
面に金属薄膜電極を形成し、この金属薄膜電極を外気か
ら保護するため、気密封止されている。
2. Description of the Related Art Crystal-applied products such as a crystal oscillator, a crystal filter, and a crystal oscillator are given as examples of electronic parts requiring hermetic sealing. In each of these, a metal thin film electrode is formed on the surface of the crystal diaphragm, and the metal thin film electrode is hermetically sealed in order to protect the metal thin film electrode from the outside air.

【0003】気密封止方法は、はんだ接合、低融点ガラ
ス接合、抵抗溶接、電子ビーム溶接等がある。抵抗溶接
を用いる気密封止方法として、HC−49/U型ベース
を用いる水晶振動子が汎用されている。これは、金属シ
ェルにリード端子が絶縁ガラスを介して互いに絶縁した
状態で植設されたベースと、金属キャップを抵抗溶接に
より気密封止する構成であり、水晶振動子等のリード端
子を有する電子部品の気密封止方法として広く用いられ
ている。
Airtight sealing methods include solder joining, low melting point glass joining, resistance welding and electron beam welding. As an airtight sealing method using resistance welding, a crystal oscillator using an HC-49 / U type base is widely used. This is a structure in which a metal cap is hermetically sealed by resistance welding with a base in which a lead terminal is implanted in a metal shell in a state of being insulated from each other via insulating glass, and an electronic device having a lead terminal such as a crystal unit. It is widely used as a method for hermetically sealing parts.

【0004】このような抵抗溶接による接合方法によれ
ば、金属間接合を行うので気密性の高い封止方法を得る
ことができる。しかしながら、気密封止時にベースとキ
ャップを圧接する必要があり、圧接時の歪みがパッケー
ジ内に収納される水晶振動板等の電子素子に悪影響を与
えることがあった。
According to such a joining method by resistance welding, metal-to-metal joining is performed, so that a sealing method having high airtightness can be obtained. However, it is necessary to press-contact the base and the cap at the time of hermetically sealing, and the distortion at the time of press-contact may adversely affect an electronic element such as a crystal diaphragm stored in the package.

【0005】また、特開平7−326687号の従来例
に示すように、セラミックパッケージの開口部分に形成
されたシールリング(金属枠体)と金属製の蓋体とを、
抵抗溶接の1種であるシーム溶接により気密封止する表
面実装化に対応した接合方法も採用されている。
Further, as shown in a conventional example of Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-326687, a seal ring (metal frame) formed in an opening portion of a ceramic package and a metal lid are provided.
A joining method corresponding to surface mounting for hermetically sealing by seam welding, which is a kind of resistance welding, is also adopted.

【0006】シーム溶接に必要な構成を図6とともに説
明する。図6はセラミックパッケージと金属フタの一部
拡大断面図である。セラミックパッケージ70の開口部
70a上面にはコバール等からなるシールリング71が
ろう接により接合されている。そしてコバール等からな
る金属フタ72が前記シールリング上に搭載されて、一
対の溶接ロール73(他方は図示していない)により金
属フタ72の外周の稜をトレースしながら通電し、金属
フタとシールリングを接合していた。金属フタの外周は
シールリングの外周より若干小さく形成され、段差部b
が形成されており、両者の接合を確実にしている。
The structure required for seam welding will be described with reference to FIG. FIG. 6 is a partially enlarged sectional view of the ceramic package and the metal lid. A seal ring 71 made of Kovar or the like is joined to the upper surface of the opening 70a of the ceramic package 70 by brazing. A metal lid 72 made of Kovar or the like is mounted on the seal ring, and a pair of welding rolls 73 (the other one is not shown) are energized while tracing the outer edge of the metal lid 72 to seal the metal lid and the seal. Had joined the rings. The outer circumference of the metal lid is formed to be slightly smaller than the outer circumference of the seal ring.
Are formed to ensure the joining of the two.

【0007】しかしながら、図6から明らかなとおり、
シーム溶接を行う場合開口部上面70aには、ろう材の
メニスカス(meniscus)部分aが必要となり、また上述
した段差部bが必要となる。従って、金属フタとシール
リングの実質的な接合部分は接合領域cとなってしま
う。例えば縦6mm、横3mmのパッケージの場合、メニス
カス部分の幅a1が0.2mm、段差部の幅b1が0.1
mm、接合領域の幅c1が0.2mm程度となる。この接合
領域0.2mmは気密信頼性の面から実質的に最小寸法と
なっている。すなわちシーム溶接においては接合領域c
を得るためにメニスカス部分aおよび段差部bの形成も
必要となり、超小型化された電子部品の場合、電子素子
収納領域が確保できなくなり、電子部品の超小型化には
適していない。
However, as is clear from FIG.
When seam welding is performed, the meniscus portion a of the brazing material is required on the upper surface 70a of the opening, and the above-described step portion b is required. Therefore, the substantial joint portion between the metal lid and the seal ring becomes the joint region c. For example, in the case of a package having a length of 6 mm and a width of 3 mm, the meniscus width a1 is 0.2 mm and the step width b1 is 0.1 mm.
mm, and the width c1 of the joining region is about 0.2 mm. The bonding area of 0.2 mm is substantially the minimum dimension in terms of airtight reliability. That is, in seam welding, the joint area c
In order to obtain the above, it is necessary to form the meniscus portion a and the stepped portion b, and in the case of a microminiaturized electronic component, the electronic element housing area cannot be secured, which is not suitable for miniaturization of the electronic component.

【0008】また、接合時に溶接チップを被接合部材に
接触させる必要があるが、各構成部品が微小になるにつ
れて当該溶接チップ等が相互に干渉し、小型化に対応さ
せることが困難であるという問題点も有していた。
Further, it is necessary to bring the welding tip into contact with the members to be joined at the time of joining, but as each component becomes minute, the welding tips and the like interfere with each other, and it is difficult to reduce the size. There were also problems.

【0009】被接合部材に非接触で接合する手段とし
て、特開平8−46075号に示すように、電子ビーム
溶接あるいはレーザービーム溶接により気密封止を行う
方法も考えられている。
As a means for joining the members to be joined in a non-contact manner, a method of hermetically sealing by electron beam welding or laser beam welding has been considered, as shown in JP-A-8-46075.

【0010】ところが、このような各種ビーム溶接にお
いても、溶接時にはケース上に金属フタを位置決め固定
する治具が必要となる。このような治具も各構成部品の
微小化に対応させることが困難になっていた。
However, even in such various beam welding, a jig for positioning and fixing the metal lid on the case is required at the time of welding. It has been difficult for such a jig to cope with miniaturization of each component.

【0011】はんだ接合は古くから電子部品用パッケー
ジの気密封止方法として用いられてきた。例えば、特開
昭52−22493号には蓋の封止面にハンダ等の軟ろ
う材を形成し、封止した構成が開示されている。本公報
においては、熱圧着により形成した半田等を溶融させて
おり、加熱とともに蓋に機械的な接触により圧力を加え
ることにより、半田接合を行っていた。本公報では明示
されていないが、このような半田接合において蓋を位置
決めする治具が必須となり、治具で位置決めした状態で
熱圧着を行っていた。以上のとおり、半田接合において
も治具を必要とし、各構成部品の微小化に対応できない
という問題点を有していた。
Solder joining has long been used as a method for hermetically sealing a package for electronic parts. For example, Japanese Unexamined Patent Publication No. 52-22493 discloses a structure in which a soft brazing material such as solder is formed on the sealing surface of the lid and sealing is performed. In this publication, solder or the like formed by thermocompression is melted, and solder joining is performed by applying pressure to the lid by mechanical contact with heating. Although not specified in this publication, a jig for positioning the lid is essential in such solder joining, and thermocompression bonding is performed with the jig positioned. As described above, there is a problem in that a jig is required for soldering and it is not possible to cope with miniaturization of each component.

【0012】[0012]

【発明が解決しようとする課題】上述のとおり、近年に
おいてはより微小な電子部品が要求されており、従来小
型化が困難とされていた圧電振動子の分野においても、
例えば外形サイズが縦3mm、横2mm、高さ0.8mm程度
の表面実装型の水晶振動子が考案されている。このよう
な水晶振動子は、水晶振動板の超小型化への対応が必要
となるとともに、これを収納するパッケージにも工夫が
必要となり、従来用いられていた技術では対応できなく
なっていた。
As described above, in recent years, there has been a demand for finer electronic components, and even in the field of piezoelectric vibrators, which have been conventionally difficult to miniaturize,
For example, a surface mount type crystal unit having an outer size of 3 mm in length, 2 mm in width and 0.8 mm in height has been devised. Such a crystal unit needs to be adapted to the miniaturization of the crystal diaphragm, and a package for storing the crystal unit needs to be devised, so that the technology used in the past cannot cope with it.

【0013】本発明は上記問題点を解決するためになさ
れたもので、超小型化された電子部品においても、電子
素子を収納するセラミックパッケージとフタとの接合を
位置決め治具を用いることなく、所定位置に位置決め
し、気密封止が確実に行うことのできる電子部品用パッ
ケージおよびその製造方法を提供することを目的とする
ものである。
The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and even in a microminiaturized electronic component, the bonding between the ceramic package housing the electronic element and the lid can be performed without using a positioning jig. An object of the present invention is to provide an electronic component package which can be positioned at a predetermined position and can be hermetically sealed surely, and a manufacturing method thereof.

【0014】[0014]

【課題を解決するための手段】本発明は、溶融した低融
点金属(半田等)あるいはガラスのもつ表面張力に着目
してなされたものであり、低融点金属層あるいは低融点
ガラス層を所定位置に形成し、表面張力による自己矯正
(セルフアライメント)作用を機能させ、位置決めし気
密接合するものである。
The present invention has been made by paying attention to the surface tension of a molten low melting point metal (solder or the like) or glass. The low melting point metal layer or the low melting point glass layer is provided at a predetermined position. It is formed on the surface of the base material, and the self-correction (self-alignment) function of the surface tension is made to function to position and perform airtight bonding.

【0015】請求項1による電子部品用パッケージは、
セラミック基体と、当該セラミック基体の主面周囲に周
状に形成された少なくとも1層からなる低融点金属また
は半田より融点の高い金属層と、前記セラミック基体に
形成された低融点金属または半田より融点の高い金属層
に対応して接合される低融点金属層または半田層が周状
に形成されたフタとからなり、周囲温度を低融点金属層
または半田層の溶融温度とすることにより、前記フタに
形成された低融点金属層または前記半田層を溶融させ、
気密接合を行う電子部品用パッケージであって、前記低
融点金属層または前記半田層の幅は前記セラミック基体
に形成された低融点金属または半田より融点の高い金属
層の幅より広く形成されていることを特徴としている。
A package for electronic parts according to claim 1 is
A ceramic base, a metal layer having a melting point higher than that of a low-melting metal or solder formed circumferentially around the main surface of the ceramic base, and a melting point of the low-melting metal or solder formed on the ceramic base. Of the low melting point metal layer or the solder layer bonded to correspond to the high melting point metal layer, and the lid is formed by setting the ambient temperature to the melting temperature of the low melting point metal layer or the solder layer. Melting the low melting point metal layer or the solder layer formed in,
In a package for electronic parts that performs airtight bonding, the width of the low melting point metal layer or the solder layer is formed wider than the width of the low melting point metal or the metal layer having a higher melting point than the solder formed on the ceramic substrate. It is characterized by that.

【0016】これら低融点金属層または半田層等の形成
は圧延工法により得られるクラッド材で行ったり、各種
メッキ等により形成することができる。圧延による形成
はバインダー等を用いないので溶融時のガス放出が少な
く、ガスによる悪影響を回避することができ好ましい。
The low melting point metal layer, the solder layer and the like can be formed by a clad material obtained by a rolling method, or can be formed by various kinds of plating or the like. Since the formation by rolling does not use a binder or the like, gas emission during melting is small, and adverse effects of gas can be avoided, which is preferable.

【0017】溶融する接合部が半田の場合を例にとり、
本発明による作用等を説明する。半田溶融により、セラ
ミック基体に形成された金属層を基準として、フタの搭
載位置が自己矯正され、位置決め固定される。すなわち
金属層と半田層の幅をほぼ等しくするか、金属層の幅を
相対的に狭くすることにより、半田が溶融した際、セラ
ミック基体に形成された金属層を基準として、フタの搭
載位置が表面張力により自己矯正され、位置決め固定さ
れる。例えば図2に示すようにフタ2がずれて搭載され
た場合でも、半田溶融時の表面張力により矢印X方向に
微小移動しフタが所定の位置に接合される。
Taking the case where the melted joint is solder as an example,
The operation and the like according to the present invention will be described. By melting the solder, the mounting position of the lid is self-corrected and positioned and fixed on the basis of the metal layer formed on the ceramic substrate. That is, by making the width of the metal layer approximately equal to that of the solder layer, or by making the width of the metal layer relatively narrow, when the solder is melted, the mounting position of the lid is set based on the metal layer formed on the ceramic substrate. It is self-corrected by surface tension and fixed in position. For example, as shown in FIG. 2, even when the lid 2 is mounted with a shift, the lid is joined at a predetermined position by a slight movement in the arrow X direction due to the surface tension when the solder is melted.

【0018】金属層の幅が半田層の幅よりも狭い場合
は、すなわち図3と図4に示す金属層の幅A<半田層の
幅Bの場合は、仮に上述の自己矯正作用が完全に機能し
なかった場合でも、接合面積(シールパス幅)が確保で
きるので、接合における信頼性が高くなる。また、セラ
ミック基体は製造誤差をある程度見込む必要があるが、
このような製造誤差が発生した場合であるとか、また半
田層の形成を圧延法により行った場合の製造誤差、低融
点ガラス形成における製造誤差等が発生した場合におい
ても、上述と同様に接合面積(シールパス幅)が確保で
きるので、接合における信頼性が高くなる。なお、半田
層の幅が金属層の幅より大きすぎる場合、半田の溶融時
の放出ガスがパッケージ内部に蓄積されやすくなるの
で、設計時に考慮すべき点である。
If the width of the metal layer is narrower than the width of the solder layer, that is, if the width A of the metal layer shown in FIGS. 3 and 4 is less than the width B of the solder layer, then the self-correcting action described above is completely eliminated. Even if it does not function, the bonding area (seal path width) can be secured, and therefore the reliability in bonding becomes high. Also, it is necessary to allow for some manufacturing error in the ceramic substrate,
Even when such a manufacturing error occurs, or when a manufacturing error occurs when the solder layer is formed by the rolling method, a manufacturing error occurs in the low melting point glass formation, or the like, the bonding area is the same as above. Since the (seal path width) can be secured, the reliability in joining is increased. If the width of the solder layer is larger than the width of the metal layer, the released gas when the solder is melted is likely to be accumulated inside the package, which is a point to be considered in designing.

【0019】以上のような電子部品用パッケージを製造
する方法として、請求項2に示すような製造方法をあげ
ることができる。すなわち、セラミック基体と、当該セ
ラミック基体の主面周囲に周状に形成された少なくとも
1層からなる低融点金属または半田より融点の高い金属
層と、前記セラミック基体に形成された低融点金属また
は半田より融点の高い金属層と対応して接合される低融
点金属層または半田層が周状に形成され、当該低融点金
属層または半田層を溶融させることにより気密接合を行
うフタとからなる電子部品用パッケージの製造方法であ
って、前記フタに形成された低融点金属または半田層の
幅を前記金属層の幅より広く形成する工程と、前記セラ
ミック基体に形成された低融点金属または半田より融点
の高い金属層の上面に前記フタに形成された低融点金属
層または半田層を対応させて前記フタを搭載する工程
と、前記フタが搭載されたセラミック基体の周囲温度を
前記低融点金属層または半田層の溶融温度とし、当該低
融点金属層または半田層を溶融させ、このとき作用する
溶融半田の表面張力により前記セラミック基体に対する
前記フタの相対位置を自己矯正させる工程と、その後、
前記周囲温度を下げ、前記低融点金属層または半田層を
硬化させ気密接合を行う工程と、からなることを特徴と
する電子部品用パッケージの製造方法である。
As a method of manufacturing the electronic component package as described above, the manufacturing method as set forth in claim 2 can be cited. That is, a ceramic base, a metal layer having a melting point higher than that of a low-melting metal or solder formed of at least one layer circumferentially formed around the main surface of the ceramic base, and a low-melting metal or solder formed on the ceramic base. An electronic component including a low-melting metal layer or a solder layer, which is bonded to a metal layer having a higher melting point, is formed in a circumferential shape, and a lid for performing airtight bonding by melting the low-melting metal layer or the solder layer. A method for manufacturing a package for use, comprising: forming a width of a low melting point metal or solder layer formed on the lid wider than a width of the metal layer; and melting the low melting point metal or solder formed on the ceramic substrate. A step of mounting the lid by associating a low melting point metal layer or a solder layer formed on the lid on the upper surface of a metal layer having a high temperature, and a ceramic on which the lid is mounted. The ambient temperature of the body is set as the melting temperature of the low melting point metal layer or the solder layer, the low melting point metal layer or the solder layer is melted, and the relative position of the lid with respect to the ceramic substrate is set by the surface tension of the molten solder that acts at this time. The process of self-correction, and then
And a step of hardening the low melting point metal layer or the solder layer to hermetically bond the low melting point metal layer or the solder layer, and manufacturing the package for electronic parts.

【0020】また、請求項3に示すように、セラミック
基体と、当該セラミック基体の主面周囲に周状に形成さ
れた第1の低融点ガラス層またはアルミナコート層と、
前記第1の低融点ガラス層またはアルミナコート層に対
応して接合される第2の低融点ガラス層が周状に形成さ
れたフタとからなり、周囲温度を第1および第2の低融
点ガラス層の溶融温度とすることにより気密接合を行う
電子部品用パッケージであって、 前記第2の低融点ガ
ラス層の幅は前記第1の低融点ガラス層またはアルミナ
コート層の幅より広く形成されている構成としてもよ
い。
Further, as described in claim 3, a ceramic substrate, and a first low-melting-point glass layer or an alumina coating layer which is formed circumferentially around the main surface of the ceramic substrate,
A second low-melting-point glass layer bonded to correspond to the first low-melting-point glass layer or the alumina coating layer, and a lid formed in a circumferential shape, and the first and second low-melting-point glasses are provided at ambient temperatures. A package for an electronic component that performs airtight bonding by setting a layer melting temperature, wherein a width of the second low melting point glass layer is formed to be wider than a width of the first low melting point glass layer or the alumina coat layer. It may be configured as

【0021】この構成により、上述のように請求項1の
低融点金属または半田接合を用いた場合と同様の変形例
および作用等を得ることができるとともに、半田等に比
べて放出ガスの発生が少ないのでパッケージ内部に収納
される電子素子に悪影響を与えない。
With this configuration, the same modifications and effects as in the case of using the low melting point metal or the solder joint according to claim 1 can be obtained as described above, and the emission gas is generated as compared with the solder or the like. Since the number is small, it does not adversely affect the electronic elements housed inside the package.

【0022】低融点ガラスを用いた製造方法としては、
請求項4に示すように、セラミック基体と、当該セラミ
ック基体の主面周囲に周状に形成された第1の低融点ガ
ラス層またはアルミナコート層と、前記第1の低融点ガ
ラス層またはアルミナコート層と対応して接合される第
2の低融点ガラス層が周状に形成され、これら低融点ガ
ラス層を溶融させることにより気密接合を行うフタとか
らなる電子部品用パッケージの製造方法であって、前記
第2の低融点ガラス層の幅を前記第1の低融点ガラス層
またはアルミナコート層の幅より広く形成する工程と、
前記第1の低融点ガラス層またはアルミナコート層の上
面に前記第2の低融点ガラス層を対応させて前記フタを
搭載する工程と、前記フタが搭載されたセラミック基体
の周囲温度を前記第1および第2の低融点ガラス層の溶
融温度とし、これら第1および第2の低融点ガラス層を
溶融させ、このとき作用する溶融ガラスの表面張力によ
り前記セラミック基体に対する前記フタの相対位置を自
己矯正させる工程と、その後、前記周囲温度を下げ、前
記第1および第2の低融点ガラス層を硬化させ気密接合
を行う工程と、からなることを特徴とする電子部品用パ
ッケージの製造方法をあげることができる。
As a manufacturing method using a low melting point glass,
A ceramic substrate, a first low melting point glass layer or an alumina coating layer formed circumferentially around a main surface of the ceramic substrate, and the first low melting point glass layer or an alumina coating, as set forth in claim 4. A method for manufacturing an electronic component package, comprising: a second low-melting point glass layer, which is joined to correspond to a layer, is formed in a circumferential shape, and a lid for performing airtight bonding by melting the low-melting point glass layer. Forming the width of the second low melting point glass layer wider than the width of the first low melting point glass layer or alumina coat layer;
The step of mounting the lid on the upper surface of the first low melting point glass layer or the alumina coating layer in correspondence with the second low melting point glass layer, and the ambient temperature of the ceramic substrate on which the lid is mounted are set to the first And the melting temperature of the second low-melting glass layer, the first and second low-melting glass layers are melted, and the relative position of the lid with respect to the ceramic substrate is self-corrected by the surface tension of the molten glass acting at this time. And a step of subsequently lowering the ambient temperature to cure the first and second low-melting-point glass layers to perform airtight bonding, and a method of manufacturing an electronic component package. You can

【0023】[0023]

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を表面実装型
の水晶振動子を例にとり図1,図2,図3、図4ととも
に説明する。図1は本実施の形態を示す内部断面図であ
り、図2は自己矯正作用によりフタが微少移動する例を
示す図、図3はセラミックパッケージの平面図、図4は
フタの裏面平面図である。基本構成は図1で示すような
構成であり、上部が開口した凹形のセラミックパッケー
ジ1と、当該パッケージの中に収納される電子素子であ
る水晶振動板3と、パッケージの開口部に接合される金
属製のフタ2とからなる。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION An embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1, 2, 3 and 4 by taking a surface mount type crystal resonator as an example. 1 is an internal cross-sectional view showing the present embodiment, FIG. 2 is a view showing an example in which a lid is slightly moved by a self-correcting action, FIG. 3 is a plan view of a ceramic package, and FIG. 4 is a rear plan view of the lid. is there. The basic structure is as shown in FIG. 1, and a concave ceramic package 1 having an opening at the top, a crystal vibrating plate 3 which is an electronic element housed in the package, and an opening portion of the package are joined. And a lid 2 made of metal.

【0024】断面でみて凹形のセラミックパッケージ1
は、セラミック基体10と、凹形周囲の開口部に形成さ
れる周状の金属層11とからなる。金属層11は、タン
グステン等からなるメタライズ層11aと、メタライズ
層の上部に形成されるニッケル等からなる下部メッキ層
11bと、下部メッキ層の上部に形成される金等からな
る上部メッキ層11cとからなる。各層の厚さは、この
実施例では、メタライズ層11が18〜20μm、下部
メッキ12が6μm、上部メッキ層13が1μmであ
る。
Ceramic package 1 having a concave shape in cross section
Consists of a ceramic substrate 10 and a circumferential metal layer 11 formed in the opening around the concave shape. The metal layer 11 includes a metallized layer 11a made of tungsten or the like, a lower plated layer 11b made of nickel or the like formed on the metallized layer, and an upper plated layer 11c made of gold or the like formed on the lower plated layer. Consists of. In this embodiment, the thickness of each layer is 18 to 20 μm for the metallized layer 11, 6 μm for the lower plating 12, and 1 μm for the upper plated layer 13.

【0025】また、セラミックパッケージ1の内部底面
には電極パッド12、13が形成されており、これら電
極パッドは連結電極14,15を介して、パッケージ外
部の底面に引出電極16,17として電気的に引き出さ
れている。前記電極パッド12,13間には電子素子で
ある矩形の水晶振動板3が搭載されている。水晶振動板
3の表裏面には図示していないが一対の励振電極が形成
されており、各々電極パッド12,13に引き出されて
おり、導電性接合材S1,S2により導電接合されてい
る。
Electrode pads 12 and 13 are formed on the inner bottom surface of the ceramic package 1, and these electrode pads are electrically connected to the bottom surface outside the package as lead electrodes 16 and 17 via the connecting electrodes 14 and 15. Have been pulled out. A rectangular crystal diaphragm 3 which is an electronic element is mounted between the electrode pads 12 and 13. Although not shown, a pair of excitation electrodes are formed on the front and back surfaces of the crystal diaphragm 3, which are led out to the electrode pads 12 and 13, respectively, and conductively bonded by the conductive bonding materials S1 and S2.

【0026】図3,図4に示すように、気密封止するフ
タ2はコバール等の金属母材20の下面に前記周状の金
属層11に対応した周状の半田層21を形成している。
このフタ2は金属材料でなくセラミック板を用いてもよ
い。この半田層21の形成は例えば、圧延の手法を用い
て形成されているが、メッキ等の手法を用いてもよい。
この実施例においては金属層11の幅に対して半田層1
2の幅が広く設定されている。より具体的にはセラミッ
クパッケージの外形寸法が縦3.2mm、横2.5mm、高
さ0.7mm、フタの外形寸法が縦3.1mm、横2.4m
m、高さ(厚さ)0.1mm、金属層の幅0.5mm、半田
層の幅0.7mmであり、半田層が0.2mmパッケージ内
部に延出している。
As shown in FIGS. 3 and 4, the lid 2 for hermetically sealing has a circumferential solder layer 21 corresponding to the circumferential metal layer 11 formed on the lower surface of a metal base material 20 such as Kovar. There is.
The lid 2 may use a ceramic plate instead of a metal material. The solder layer 21 is formed by, for example, a rolling method, but a plating method or the like may be used.
In this embodiment, the width of the metal layer 11 is equal to the width of the solder layer 1
The width of 2 is set wide. More specifically, the outer dimensions of the ceramic package are 3.2 mm in length, 2.5 mm in width, 0.7 mm in height, and the outer dimensions of the lid are 3.1 mm in length and 2.4 m in width.
m, height (thickness) 0.1 mm, width of metal layer 0.5 mm, width of solder layer 0.7 mm, and solder layer extends 0.2 mm inside the package.

【0027】気密封止を行う場合は、フタ2と前記セラ
ミックパッケージ1の金属層とを重ね合わせ、周囲温度
を半田溶融温度にして溶融させる。より具体的には形成
した半田の溶融温度に設定したリフロー炉を通すことに
より、半田が溶融する。この溶融により、セラミック基
体上に形成された金属層を基準として、フタの搭載位置
が自己矯正することにより位置決めされる。前述した
が、例えば図2に示すようにフタ2がずれて搭載された
場合でも、半田溶融時に矢印X方向に微小移動しフタが
所定の位置に位置決めされ、その後の温度降下による半
田の固化により固定される。
In the case of hermetically sealing, the lid 2 and the metal layer of the ceramic package 1 are superposed on each other and the ambient temperature is melted to the solder melting temperature and melted. More specifically, the solder is melted by passing through a reflow oven set to the melting temperature of the formed solder. Due to this melting, the mounting position of the lid is positioned by self-correction with reference to the metal layer formed on the ceramic substrate. As described above, even when the lid 2 is displaced and mounted as shown in FIG. 2, for example, when the solder is melted, the lid is slightly moved in the direction of the arrow X and the lid is positioned at a predetermined position. Fixed.

【0028】本発明による実施の形態の他の例を表面実
装型の水晶振動子を例にとり図5とともに説明する。こ
の例では気密接合を低融点ガラスを用いて行っている。
基本構成は上述の実施の形態で示した構成に類似したも
のであり、上部が開口した凹形のセラミックパッケージ
4と、当該パッケージの中に収納される電子素子である
水晶振動板6と、パッケージの開口部に接合されるフタ
5とからなる。
Another example of the embodiment according to the present invention will be described with reference to FIG. 5, taking a surface mount type crystal resonator as an example. In this example, airtight bonding is performed using low melting point glass.
The basic structure is similar to the structure shown in the above-described embodiment, and a concave ceramic package 4 having an open top, a crystal diaphragm 6 as an electronic element housed in the package, and a package The lid 5 is joined to the opening of the.

【0029】断面でみて凹形のセラミックパッケージ4
は、セラミック基体40と、凹形周囲の開口部に形成さ
れる周状の低融点ガラス層41とからなる。また、セラ
ミックパッケージ4の内部底面には電極パッド42,4
3(43は図示せず)が形成されており、これら電極パ
ッドは連結電極44等を介して、パッケージ外部の底面
に引出電極45,46として電気的に引き出されてい
る。前記電極パッド42,43間には電子素子である矩
形の水晶振動板6が搭載され、長手方向の一端を片持ち
支持されている。水晶振動板6の表裏面には図示してい
ないが一対の励振電極が形成されており、各々電極パッ
ド42,43側に引き出されており、導電性接合材S1
により導電接合されている。
Ceramic package 4 which is concave in cross section
Is composed of a ceramic substrate 40 and a peripheral low-melting-point glass layer 41 formed in an opening around the concave shape. In addition, electrode pads 42, 4 are provided on the inner bottom surface of the ceramic package 4.
3 (43 is not shown) are formed, and these electrode pads are electrically led out as lead-out electrodes 45 and 46 to the bottom surface outside the package through the connecting electrode 44 and the like. A rectangular crystal vibrating plate 6, which is an electronic element, is mounted between the electrode pads 42 and 43, and one end in the longitudinal direction is cantilevered. Although not shown, a pair of excitation electrodes are formed on the front and back surfaces of the crystal vibrating plate 6 and are drawn out to the electrode pads 42 and 43 side, respectively, and the conductive bonding material S1 is formed.
Are electrically conductively joined together.

【0030】また、気密封止するフタ5はアルミナ等の
セラミックス板の下面に前記周状の低融点ガラス層41
に対応した周状の低融点ガラス層51を形成している。
この実施例においては低融点ガラス層51の幅が低融点
ガラス層41の幅よりも大きく設定されている。
The lid 5 for hermetically sealing the peripheral low melting point glass layer 41 on the lower surface of a ceramic plate made of alumina or the like.
A peripheral low-melting-point glass layer 51 corresponding to is formed.
In this embodiment, the width of the low melting point glass layer 51 is set larger than the width of the low melting point glass layer 41.

【0031】気密封止を行う場合は、各低融点ガラス層
を重ね合わせ、周囲温度を低融点ガラス溶融温度にして
溶融させる。より具体的には形成した低融点ガラス層の
溶融温度に設定したリフロー炉を通すことにより、低融
点ガラスが溶融する。この溶融により、フタの搭載位置
が自己矯正することにより位置決めされる。
When airtight sealing is performed, the low melting point glass layers are superposed and the ambient temperature is set to the low melting point glass melting temperature to melt them. More specifically, the low melting glass is melted by passing through a reflow furnace set to the melting temperature of the formed low melting glass layer. By this melting, the mounting position of the lid is positioned by self-correcting.

【0032】なお、パッケージ側に形成された低融点ガ
ラス層41に代えて、低融点ガラス層51より幅の狭い
アルミナコート層を用いてもよい。
Instead of the low melting point glass layer 41 formed on the package side, an alumina coat layer narrower than the low melting point glass layer 51 may be used.

【0033】なお、本発明は表面実装型の水晶振動子を
例示したが、圧電フィルタや圧電発振器用のパッケージ
に適用してもよく、また、他の気密封止を必要とされる
電子部品に適用してもよい。
Although the present invention exemplifies the surface mount type crystal unit, the present invention may be applied to a package for a piezoelectric filter or a piezoelectric oscillator, and may be applied to other electronic parts requiring hermetic sealing. You may apply.

【0034】[0034]

【発明の効果】本発明によれば、溶融した接合部によ
り、フタの搭載位置が自己矯正され、位置決め固定され
る。従って、従来の気密接合方法で必要とされていた接
合時の位置決め治具を必要とせずに気密接合が行える。
よって、きわめて微小な電子部品用パッケージにおいて
も気密接合を良好にすることができる。また、個々のパ
ッケージに機械的な接触を行うことなく気密接合可能で
あるので、多数個の電子部品の気密封止を一括して行う
ことができ、生産性にも優れた気密接合を得ることがで
きる。
According to the present invention, the mounting position of the lid is self-corrected and positioned and fixed by the melted joint. Therefore, the airtight joining can be performed without the need for a positioning jig for joining, which is required in the conventional airtight joining method.
Therefore, it is possible to achieve good airtight bonding even in an extremely small package for electronic components. In addition, since it is possible to perform airtight bonding without making mechanical contact with individual packages, it is possible to perform airtight sealing of a large number of electronic components at once and obtain airtight bonding with excellent productivity. You can

【0035】請求項1によれば、半田を圧延工法により
形成しているので、半田溶融時のガス放出が少なく、パ
ッケージ内部の電子素子に与える悪影響を最小限にとど
めることができる。従って、電子部品としての経時変化
が安定する等電子部品の信頼性が向上する。
According to the first aspect, since the solder is formed by the rolling method, the gas emission at the time of melting the solder is small, and the adverse effect on the electronic element inside the package can be minimized. Therefore, the reliability of the electronic component is improved such that the change with time as the electronic component is stabilized.

【0036】請求項3によれば、接合部に低融点ガラス
を用いているので、接合時の放出ガスが少なく、電子部
品としての経時変化が安定する等電子部品の信頼性が向
上する利点を有している。
According to the third aspect, since the low melting point glass is used for the joint portion, there are advantages that the released gas at the time of joining is small and the reliability of the electronic component is improved, such as a stable change over time as the electronic component. Have

【0037】請求項2および4によれば、周囲温度を半
田あるいは低融点ガラスの溶融温度とし、フタに形成さ
れた半田層あるいは低融点ガラス層の溶融を促すことに
より、表面張力によりフタの相対位置を自己矯正させる
ので、効率のよい製造を行うことができる。
According to the second and the fourth aspects, the ambient temperature is set to the melting temperature of the solder or the low melting point glass, and the melting of the solder layer or the low melting point glass layer formed on the lid is promoted, whereby the relative tension of the lid is caused by the surface tension. Since the position is self-corrected, efficient manufacturing can be performed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】第1の実施の形態による内部断面図。FIG. 1 is an internal sectional view according to a first embodiment.

【図2】第1の実施の形態によるフタの移動状況を示す
図。
FIG. 2 is a diagram showing a movement state of a lid according to the first embodiment.

【図3】セラミックパッケージの平面図。FIG. 3 is a plan view of a ceramic package.

【図4】フタの裏面から見た平面図。FIG. 4 is a plan view seen from the back surface of the lid.

【図5】他の実施の形態を示す内部断面図。FIG. 5 is an internal cross-sectional view showing another embodiment.

【図6】従来例を示す図。FIG. 6 is a diagram showing a conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1、4 セラミックパッケージ 10、40 セラミック基体 11、41 金属層 11a メタライズ層 11b 下部メッキ層 11c 上部メッキ層 2、5 フタ 20 金属母材 21 半田層 3、6 水晶振動板(電子部品素子) 1,4 ceramic package 10, 40 Ceramic substrate 11,41 Metal layer 11a metallized layer 11b Lower plating layer 11c Upper plating layer 2,5 lid 20 Metal base material 21 Solder layer 3, 6 Crystal diaphragm (electronic component element)

フロントページの続き (56)参考文献 特開 平9−246415(JP,A) 特開 平1−278959(JP,A) 特開 平3−116760(JP,A) 特開 平9−260998(JP,A) 特開 平5−226492(JP,A) 特開 平6−140866(JP,A) 特開 平6−196577(JP,A) 特開 平8−46075(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H03H 3/02 H03H 9/02 H03H 9/10 H01L 23/02 Continuation of front page (56) Reference JP-A-9-246415 (JP, A) JP-A-1-278959 (JP, A) JP-A-3-116760 (JP, A) JP-A-9-260998 (JP , A) JP-A-5-226492 (JP, A) JP-A-6-140866 (JP, A) JP-A-6-196577 (JP, A) JP-A-8-46075 (JP, A) (58) Fields investigated (Int.Cl. 7 , DB name) H03H 3/02 H03H 9/02 H03H 9/10 H01L 23/02

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 セラミック基体と、 当該セラミック基体の主面周囲に周状に形成された少な
くとも1層からなる低融点金属または半田より融点の高
い金属層と、 前記セラミック基体に形成された低融点金属または半田
より融点の高い金属層に対応して接合される低融点金属
層または半田層が周状に形成されたフタとからなり、周
囲温度を低融点金属層または半田層の溶融温度とするこ
とにより、前記フタに形成された低融点金属層または前
記半田層を溶融させ、気密接合を行う電子部品用パッケ
ージであって、 前記低融点金属層または前記半田層の幅は前記セラミッ
ク基体に形成された低融点金属または半田より融点の高
金属層の幅より広く形成されていることを特徴する
電子部品用パッケージ。
1. A low melting point metal or a metal layer having a melting point higher than that of a solder, which is composed of a ceramic substrate and at least one layer formed circumferentially around a main surface of the ceramic substrate, and a low melting point formed on the ceramic substrate. Metal or solder
A low melting point metal layer or a solder layer joined to correspond to a metal layer having a higher melting point and a lid formed in a circumferential shape, and by setting the ambient temperature to the melting temperature of the low melting point metal layer or the solder layer, A package for an electronic component that performs airtight bonding by melting the low melting point metal layer or the solder layer formed on the lid
A chromatography di, width of the low melting point metal layer or the solder layer the ceramic
Higher melting point than low melting point metal or solder formed on the substrate
Electronic component package, characterized in that it is wider than the width of the metal layer are.
【請求項2】 セラミック基体と、当該セラミック基体
の主面周囲に周状に形成された少なくとも1層からなる
低融点金属または半田より融点の高い金属層と、前記
ラミック基体に形成された低融点金属または半田より融
点の高い金属層と対応して接合される低融点金属層また
は半田層が周状に形成され、当該低融点金属層または半
田層を溶融させることにより気密接合を行うフタとから
なる電子部品用パッケージの製造方法であって、 前記フタに形成された低融点金属または半田層の幅を前
記金属層の幅より広く形成する工程と、 前記セラミック基体に形成された低融点金属または半田
より融点の高い金属層の上面に前記フタに形成された
融点金属層または半田層を対応させて前記フタを搭載す
る工程と、 前記フタが搭載されたセラミック基体の周囲温度を前記
低融点金属層または半田層の溶融温度とし、当該低融点
金属層または半田層を溶融させ、このとき作用する溶融
半田の表面張力により前記セラミック基体に対する前記
フタの相対位置を自己矯正させる工程と、 その後、前記周囲温度を下げ、前記フタに形成された低
融点金属層または半田層を硬化させ気密接合を行う工程
と、 からなることを特徴とする電子部品用パッケージの製造
方法。
2. A ceramic substrate, a low melting point metal or a high melting point metal layer of solder consisting of at least one layer formed on the principal surface around the ceramic base circumferentially, said cell
Melting from low melting point metal or solder formed on the Lamic substrate
For an electronic component comprising a low melting point metal layer or a solder layer to be joined corresponding to a metal layer having a high point formed in a circumferential shape, and a lid for hermetically joining by melting the low melting point metal layer or the solder layer A method of manufacturing a package, comprising: forming a low melting point metal or solder layer formed on the lid to have a width wider than that of the metal layer ; and a low melting point metal or solder formed on the ceramic substrate.
A step of mounting the lid on the upper surface of a metal layer having a higher melting point by associating a low melting point metal layer or a solder layer formed on the lid, the ambient temperature of the ceramic substrate on which the lid is mounted being set to the low melting point metal; The melting temperature of the layer or the solder layer, the low melting point metal layer or the solder layer is melted, and the relative position of the lid with respect to the ceramic substrate is self-corrected by the surface tension of the molten solder acting at this time; A method for manufacturing an electronic component package, comprising the steps of lowering an ambient temperature and curing a low melting point metal layer or a solder layer formed on the lid to perform airtight bonding.
【請求項3】 セラミック基体と、 当該セラミック基体の主面周囲に周状に形成された第1
の低融点ガラス層またはアルミナコートと、 前記第1の低融点ガラス層またはアルミナコートに対
応して接合される第2の低融点ガラス層が周状に形成さ
れたフタとからなり、周囲温度を第1および第2の低融
点ガラス層の溶融温度とすることにより気密接合を行う
電子部品用パッケージであって、 前記第2の低融点ガラス層の幅は前記第1の低融点ガラ
ス層またはアルミナコートの幅より広く形成されてい
ることを特徴とする電子部品用パッケージ。
3. A ceramic base, and a first peripherally formed peripheral surface of the ceramic base.
Of the low melting point glass layer or the alumina coating layer, and a lid having a second low melting point glass layer bonded to correspond to the first low melting point glass layer or the alumina coating layer in a circumferential shape. A package for an electronic component, which performs airtight bonding by setting a temperature to a melting temperature of the first and second low melting point glass layers, wherein a width of the second low melting point glass layer is the first low melting point glass layer. Alternatively, the electronic component package is formed wider than the width of the alumina coat layer .
【請求項4】 セラミック基体と、当該セラミック基体
の主面周囲に周状に形成された第1の低融点ガラス層ま
たはアルミナコートと、前記第1の低融点ガラス層ま
たはアルミナコートと対応して接合される第2の低融
点ガラス層が周状に形成され、これら低融点ガラス層を
溶融させることにより気密接合を行うフタとからなる電
子部品用パッケージの製造方法であって、 前記第2の低融点ガラス層の幅を前記第1の低融点ガラ
ス層またはアルミナコートの幅より広く形成する工程
と、 前記第1の低融点ガラス層またはアルミナコートの上
面に前記第2の低融点ガラス層を対応させて前記フタを
搭載する工程と、 前記フタが搭載されたセラミック基体の周囲温度を前記
第1および第2の低融点ガラス層の溶融温度とし、これ
第1および第2の低融点ガラス層を溶融させ、このと
き作用する溶融ガラスの表面張力により前記セラミック
基体に対する前記フタの相対位置を自己矯正させる工程
と、 その後、前記周囲温度を下げ、前記第1および第2の
融点ガラス層を硬化させ気密接合を行う工程と、 からなることを特徴とする電子部品用パッケージの製造
方法。
4. A ceramic substrate, a first low melting point glass layer or an alumina coating layer formed circumferentially around the main surface of the ceramic substrate, and the first low melting point glass layer or the alumina coating layer. A method for manufacturing an electronic component package, comprising: a second low-melting-point glass layer to be joined in a circumferential shape; and a lid for performing airtight bonding by melting the low-melting-point glass layer. Forming a width of the second low-melting-point glass layer wider than that of the first low-melting-point glass layer or the alumina coat layer ; and forming the second low-melting glass layer on the upper surface of the first low-melting-point glass layer or the alumina coat layer. The step of mounting the lid in correspondence with the melting point glass layer, and the ambient temperature of the ceramic substrate on which the lid is mounted
The melting temperature of the first and second low-melting glass layers is set to melt the first and second low-melting glass layers, and the relative position of the lid with respect to the ceramic substrate is determined by the surface tension of the molten glass that acts at this time. A method of manufacturing a package for electronic parts, comprising: a step of self-correcting; and a step of subsequently lowering the ambient temperature to cure the first and second low melting point glass layers to perform airtight bonding.
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