JP2000195464A - 四重極質量分析計 - Google Patents
四重極質量分析計Info
- Publication number
- JP2000195464A JP2000195464A JP10368659A JP36865998A JP2000195464A JP 2000195464 A JP2000195464 A JP 2000195464A JP 10368659 A JP10368659 A JP 10368659A JP 36865998 A JP36865998 A JP 36865998A JP 2000195464 A JP2000195464 A JP 2000195464A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- voltage
- measurement
- time
- mass spectrometer
- value
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Electron Tubes For Measurement (AREA)
- Other Investigation Or Analysis Of Materials By Electrical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 選択イオンモニタリング測定においても試料
中の夾雑物を特定するための情報を収集できる四重極質
量分析計を提供する。 【解決手段】 時間ｔ１からｔ２まで段階的に電圧を制
御しつつＳＩＭ測定を行った後で高周波電圧の値（ＲＦ
値）を最終電圧Ｖ４から初期電圧Ｖ１に戻すための時間
（ｔ２からｔ４）すなわちセトリングタイムを利用して
スキャン測定を行う。このスキャン測定により得られた
データを用いれば、試料中の夾雑物の有無を調べたり、
その夾雑物を特定できる。
中の夾雑物を特定するための情報を収集できる四重極質
量分析計を提供する。 【解決手段】 時間ｔ１からｔ２まで段階的に電圧を制
御しつつＳＩＭ測定を行った後で高周波電圧の値（ＲＦ
値）を最終電圧Ｖ４から初期電圧Ｖ１に戻すための時間
（ｔ２からｔ４）すなわちセトリングタイムを利用して
スキャン測定を行う。このスキャン測定により得られた
データを用いれば、試料中の夾雑物の有無を調べたり、
その夾雑物を特定できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、四重極質量分析計
に関する。
に関する。
【０００２】
【従来の技術】四重極質量分析計を用いた測定方法とし
て、いわゆるスキャン測定と、選択イオンモニタリング
（Selected Ion Monitoring）測定（以下、ＳＩＭ測定
とする）が知られている。スキャン測定では、四重極に
印加する高周波電圧の大きさ（以下、ＲＦ値とする）を
所定範囲内で連続的に変化させることにより、所定範囲
内に質量数を有する全てのイオンが検出される。ＳＩＭ
測定では、ＲＦ値をある特定の値に固定したり、所定範
囲内で段階的に変化させることにより、一又は複数の特
定の質量数（ｍ／ｚ）においてのみ選択的にイオンが検
出される。スキャン測定は、例えば未知試料の定性分析
に用いられ、ＳＩＭ測定は、例えば未知試料に含まれた
目的成分の定量分析に用いられる。
て、いわゆるスキャン測定と、選択イオンモニタリング
（Selected Ion Monitoring）測定（以下、ＳＩＭ測定
とする）が知られている。スキャン測定では、四重極に
印加する高周波電圧の大きさ（以下、ＲＦ値とする）を
所定範囲内で連続的に変化させることにより、所定範囲
内に質量数を有する全てのイオンが検出される。ＳＩＭ
測定では、ＲＦ値をある特定の値に固定したり、所定範
囲内で段階的に変化させることにより、一又は複数の特
定の質量数（ｍ／ｚ）においてのみ選択的にイオンが検
出される。スキャン測定は、例えば未知試料の定性分析
に用いられ、ＳＩＭ測定は、例えば未知試料に含まれた
目的成分の定量分析に用いられる。
【０００３】ＳＩＭ測定において、質量数の異なる複数
のイオンを検出するには、それらの質量数に対応する複
数の電圧値を設定し、その中で最も低い電圧値（初期電
圧）から最も高い電圧値（最終電圧）へ段階的にＲＦ値
を上げつつイオンの検出を行う。このような行程を以下
では段階的電圧制御行程と呼ぶ。１回の段階的電圧制御
行程が完了したら、ＲＦ値を最終電圧から初期電圧に戻
し、再び上述したように段階的にＲＦ値を変更しつつイ
オンの検出を行う。このように段階的電圧制御行程を繰
り返すことにより、イオン検出感度を高めるのである。
なお、段階的電圧制御行程においては、最も高い電圧値
を初期電圧とし、最も低い電圧値を最終電圧として、段
階的にＲＦ値を下げつつイオンの検出を行ってもよい。
のイオンを検出するには、それらの質量数に対応する複
数の電圧値を設定し、その中で最も低い電圧値（初期電
圧）から最も高い電圧値（最終電圧）へ段階的にＲＦ値
を上げつつイオンの検出を行う。このような行程を以下
では段階的電圧制御行程と呼ぶ。１回の段階的電圧制御
行程が完了したら、ＲＦ値を最終電圧から初期電圧に戻
し、再び上述したように段階的にＲＦ値を変更しつつイ
オンの検出を行う。このように段階的電圧制御行程を繰
り返すことにより、イオン検出感度を高めるのである。
なお、段階的電圧制御行程においては、最も高い電圧値
を初期電圧とし、最も低い電圧値を最終電圧として、段
階的にＲＦ値を下げつつイオンの検出を行ってもよい。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】未知試料中に夾雑物が
混入していると、ＳＩＭ測定の測定結果に影響を与える
ことがある。しかし、従来のＳＩＭ測定では、特定の質
量数以外の質量数を有するイオンは検出されないため、
たとえ試料中に夾雑物が混入していてもそれを特定でき
ない。従って、ある試料に対してＳＩＭ測定を行った
後、その試料に夾雑物の混入がないことを確認したい場
合や、夾雑物の混入が確実と推定される場合にその夾雑
物を特定したい場合には、同じ試料に対してスキャン測
定を別途行う必要があった。本発明はこのような課題を
解決するために成されたものであり、その目的とすると
ころは、ＳＩＭ測定においても夾雑物を特定するための
情報を収集できる四重極質量分析計を提供することにあ
る。
混入していると、ＳＩＭ測定の測定結果に影響を与える
ことがある。しかし、従来のＳＩＭ測定では、特定の質
量数以外の質量数を有するイオンは検出されないため、
たとえ試料中に夾雑物が混入していてもそれを特定でき
ない。従って、ある試料に対してＳＩＭ測定を行った
後、その試料に夾雑物の混入がないことを確認したい場
合や、夾雑物の混入が確実と推定される場合にその夾雑
物を特定したい場合には、同じ試料に対してスキャン測
定を別途行う必要があった。本発明はこのような課題を
解決するために成されたものであり、その目的とすると
ころは、ＳＩＭ測定においても夾雑物を特定するための
情報を収集できる四重極質量分析計を提供することにあ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に成された本発明に係る四重極質量分析計は、四重極に
印加する高周波電圧を初期電圧から最終電圧まで段階的
に変化させることにより複数の特定の質量数においての
み選択的にイオンを検出する段階的電圧制御行程及び該
段階的電圧制御行程の後に前記最終電圧から前記初期電
圧へ前記高周波電圧をリセットする電圧リセット行程を
繰り返すことにより試料の選択イオンモニタリング測定
を行う四重極質量分析計において、前記電圧リセット行
程において、前記高周波電圧が前記最終電圧から前記初
期電圧まで所定のパターンで連続的に変化するように該
高周波電圧を制御しつつ前記試料のスキャン測定を行う
こと、を特徴としている。
に成された本発明に係る四重極質量分析計は、四重極に
印加する高周波電圧を初期電圧から最終電圧まで段階的
に変化させることにより複数の特定の質量数においての
み選択的にイオンを検出する段階的電圧制御行程及び該
段階的電圧制御行程の後に前記最終電圧から前記初期電
圧へ前記高周波電圧をリセットする電圧リセット行程を
繰り返すことにより試料の選択イオンモニタリング測定
を行う四重極質量分析計において、前記電圧リセット行
程において、前記高周波電圧が前記最終電圧から前記初
期電圧まで所定のパターンで連続的に変化するように該
高周波電圧を制御しつつ前記試料のスキャン測定を行う
こと、を特徴としている。
【０００６】
【発明の実施の形態及び発明の効果】四重極質量分析装
置を用いたＳＩＭ測定では、段階的電圧制御行程の後で
電圧を最終電圧から初期電圧にリセットするための時間
（セトリングタイム）が不可避的に発生する。本発明に
係る四重極質量分析装置は、このセトリングタイムを利
用してスキャン測定を行うことにより特徴づけられる。
このようなスキャン測定の結果は、ＳＩＭ測定により検
出されない質量数を有する成分の定性分析に利用するこ
とができる。従って、同じ試料に対して、例えば夾雑物
の特定のために改めてスキャン測定を行う必要はない。
なお、上記スキャン測定は、従来は測定に利用されてい
なかった時間（すなわちセトリングタイム）を利用して
行われるため、全測定時間のうちＳＩＭ測定へ割り当て
られる時間が大きく減少してＳＩＭ測定の感度が損なわ
れるといった問題は生じない。
置を用いたＳＩＭ測定では、段階的電圧制御行程の後で
電圧を最終電圧から初期電圧にリセットするための時間
（セトリングタイム）が不可避的に発生する。本発明に
係る四重極質量分析装置は、このセトリングタイムを利
用してスキャン測定を行うことにより特徴づけられる。
このようなスキャン測定の結果は、ＳＩＭ測定により検
出されない質量数を有する成分の定性分析に利用するこ
とができる。従って、同じ試料に対して、例えば夾雑物
の特定のために改めてスキャン測定を行う必要はない。
なお、上記スキャン測定は、従来は測定に利用されてい
なかった時間（すなわちセトリングタイム）を利用して
行われるため、全測定時間のうちＳＩＭ測定へ割り当て
られる時間が大きく減少してＳＩＭ測定の感度が損なわ
れるといった問題は生じない。
【０００７】
【実施例】本発明に係る四重極質量分析装置の一実施例
について図面を参照しながら説明する。図１は本実施例
の四重極質量分析装置を用いたＳＩＭ測定における電圧
制御方法を示すタイムチャート、図２は従来の四重極質
量分析装置を用いたＳＩＭ測定における電圧制御方法の
一例を示すタイムチャートである。いずれの図において
も、縦軸はＲＦ値を表し、横軸は時間を表す。
について図面を参照しながら説明する。図１は本実施例
の四重極質量分析装置を用いたＳＩＭ測定における電圧
制御方法を示すタイムチャート、図２は従来の四重極質
量分析装置を用いたＳＩＭ測定における電圧制御方法の
一例を示すタイムチャートである。いずれの図において
も、縦軸はＲＦ値を表し、横軸は時間を表す。
【０００８】まず、図２に示した従来の電圧制御方法に
ついて説明する。この方法では、時間ｔ１からｔ２まで
が段階的電圧制御行程に相当し、時間ｔ２からｔ３まで
が電圧リセット行程に相当する。段階的電圧制御行程に
おいては、ＲＦ値がＶ１（初期電圧）から段階的にＶ
２、Ｖ３と上げられ、最後にＶ４（最終電圧）となる。
このように段階的にＲＦ値を変化させる間、各ＲＦ値に
対応する質量数を有するイオンが図示せぬ検出器により
検出される。その後、電圧リセット行程において、ＲＦ
値が初期電圧（Ｖ１）にリセットされる。このような一
連の制御が、所定時間の間繰り返される。なお、電圧リ
セット行程の時間（セトリングタイム）は、ＲＦ値が最
終電圧（Ｖ４）から初期電圧（Ｖ１）まで降下するのに
必要な最短時間よりも十分に長い時間となるように予め
設定しておく。
ついて説明する。この方法では、時間ｔ１からｔ２まで
が段階的電圧制御行程に相当し、時間ｔ２からｔ３まで
が電圧リセット行程に相当する。段階的電圧制御行程に
おいては、ＲＦ値がＶ１（初期電圧）から段階的にＶ
２、Ｖ３と上げられ、最後にＶ４（最終電圧）となる。
このように段階的にＲＦ値を変化させる間、各ＲＦ値に
対応する質量数を有するイオンが図示せぬ検出器により
検出される。その後、電圧リセット行程において、ＲＦ
値が初期電圧（Ｖ１）にリセットされる。このような一
連の制御が、所定時間の間繰り返される。なお、電圧リ
セット行程の時間（セトリングタイム）は、ＲＦ値が最
終電圧（Ｖ４）から初期電圧（Ｖ１）まで降下するのに
必要な最短時間よりも十分に長い時間となるように予め
設定しておく。
【０００９】次に、図１に示した本実施例の電圧制御方
法について説明する。この方法において、時間ｔ１から
ｔ２までの段階的電圧制御行程は、上記従来の方法にお
けるそれと同じである。一方、本実施例の電圧制御方法
では、従来の電圧リセット行程に相当する時間（ｔ２か
らｔ４）の間に、ＲＦ値が時間に対して所定のパターン
に従って変化するようにＲＦ値を制御しつつ、スキャン
測定を行う。
法について説明する。この方法において、時間ｔ１から
ｔ２までの段階的電圧制御行程は、上記従来の方法にお
けるそれと同じである。一方、本実施例の電圧制御方法
では、従来の電圧リセット行程に相当する時間（ｔ２か
らｔ４）の間に、ＲＦ値が時間に対して所定のパターン
に従って変化するようにＲＦ値を制御しつつ、スキャン
測定を行う。
【００１０】上述のようにセトリングタイムを利用して
スキャン測定を行う場合における電圧リセット行程の時
間（ｔ４−ｔ２）は、単にＲＦ値をリセットする場合に
かかる時間（ｔ３−ｔ２）に比べて若干長くなる。しか
し、段階的電圧制御行程に割り当てられる時間の減少分
が従来割り当てられていた時間に比べて十分に小さくな
るように高速スキャンを行うようにすれば、ＳＩＭ測定
の感度が著しく損なわれるおそれはない。
スキャン測定を行う場合における電圧リセット行程の時
間（ｔ４−ｔ２）は、単にＲＦ値をリセットする場合に
かかる時間（ｔ３−ｔ２）に比べて若干長くなる。しか
し、段階的電圧制御行程に割り当てられる時間の減少分
が従来割り当てられていた時間に比べて十分に小さくな
るように高速スキャンを行うようにすれば、ＳＩＭ測定
の感度が著しく損なわれるおそれはない。
【図１】 本発明の一実施例の四重極質量分析装置を用
いたＳＩＭ測定における電圧制御方法を示すタイムチャ
ート。
いたＳＩＭ測定における電圧制御方法を示すタイムチャ
ート。
【図２】 従来の四重極質量分析装置を用いたＳＩＭ測
定における電圧制御方法の一例を示すタイムチャート。
定における電圧制御方法の一例を示すタイムチャート。
Claims (1)
- 【請求項１】 四重極に印加する高周波電圧を初期電圧
から最終電圧まで段階的に変化させることにより複数の
特定の質量数においてのみ選択的にイオンを検出する段
階的電圧制御行程及び該段階的電圧制御行程の後に前記
最終電圧から前記初期電圧へ前記高周波電圧をリセット
する電圧リセット行程を繰り返すことにより試料の選択
イオンモニタリング測定を行う四重極質量分析計におい
て、 前記電圧リセット行程において、前記高周波電圧が前記
最終電圧から前記初期電圧まで所定のパターンで連続的
に変化するように該高周波電圧を制御しつつ前記試料の
スキャン測定を行うこと、を特徴とする四重極質量分析
計。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36865998A JP3896714B2 (ja) | 1998-12-25 | 1998-12-25 | 四重極質量分析計 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36865998A JP3896714B2 (ja) | 1998-12-25 | 1998-12-25 | 四重極質量分析計 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000195464A true JP2000195464A (ja) | 2000-07-14 |
| JP3896714B2 JP3896714B2 (ja) | 2007-03-22 |
Family
ID=18492407
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP36865998A Expired - Fee Related JP3896714B2 (ja) | 1998-12-25 | 1998-12-25 | 四重極質量分析計 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3896714B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009070667A (ja) * | 2007-09-13 | 2009-04-02 | Shimadzu Corp | 四重極型質量分析装置 |
| WO2009144765A1 (ja) * | 2008-05-26 | 2009-12-03 | 株式会社島津製作所 | 四重極型質量分析装置 |
| JP2010092630A (ja) * | 2008-10-06 | 2010-04-22 | Shimadzu Corp | 四重極型質量分析装置 |
| JP2010219066A (ja) * | 2010-06-22 | 2010-09-30 | Shimadzu Corp | 四重極型質量分析装置 |
| EP2315233A2 (en) | 2008-05-26 | 2011-04-27 | Shimadzu Corporation | Quadrupole mass spectrometer |
| CN102324377A (zh) * | 2008-05-26 | 2012-01-18 | 株式会社岛津制作所 | 四极型质量分析装置 |
| US8368010B2 (en) | 2008-09-12 | 2013-02-05 | Shimadzu Corporation | Quadrupole mass spectrometer |
| US8410436B2 (en) | 2008-05-26 | 2013-04-02 | Shimadzu Corporation | Quadrupole mass spectrometer |
-
1998
- 1998-12-25 JP JP36865998A patent/JP3896714B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009070667A (ja) * | 2007-09-13 | 2009-04-02 | Shimadzu Corp | 四重極型質量分析装置 |
| WO2009144765A1 (ja) * | 2008-05-26 | 2009-12-03 | 株式会社島津製作所 | 四重極型質量分析装置 |
| EP2315233A2 (en) | 2008-05-26 | 2011-04-27 | Shimadzu Corporation | Quadrupole mass spectrometer |
| JP4730482B2 (ja) * | 2008-05-26 | 2011-07-20 | 株式会社島津製作所 | 四重極型質量分析装置 |
| CN102324377A (zh) * | 2008-05-26 | 2012-01-18 | 株式会社岛津制作所 | 四极型质量分析装置 |
| US8410436B2 (en) | 2008-05-26 | 2013-04-02 | Shimadzu Corporation | Quadrupole mass spectrometer |
| US9548193B2 (en) | 2008-05-26 | 2017-01-17 | Shimadzu Corporation | Quadrupole mass spectrometer with quadrupole mass filter as a mass separator |
| US8368010B2 (en) | 2008-09-12 | 2013-02-05 | Shimadzu Corporation | Quadrupole mass spectrometer |
| JP2010092630A (ja) * | 2008-10-06 | 2010-04-22 | Shimadzu Corp | 四重極型質量分析装置 |
| US8704161B2 (en) | 2008-10-06 | 2014-04-22 | Shimadzu Corporation | Quadrupole mass spectrometer including voltage variable DC and amplitude variable AC |
| US8716659B2 (en) | 2008-10-06 | 2014-05-06 | Shimadzu Corporation | Quadrupole mass spectrometer including voltage variable DC and amplitude variable AC for selected ion monitoring / scan alternate measurement |
| JP2010219066A (ja) * | 2010-06-22 | 2010-09-30 | Shimadzu Corp | 四重極型質量分析装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3896714B2 (ja) | 2007-03-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5999003A (en) | Intelligent usage of first pass defect data for improved statistical accuracy of wafer level classification | |
| JP2003526793A (ja) | 質量スペクトルピークの同定 | |
| KR20150015531A (ko) | 복잡한 생물학적 시료, 예를 들면, 혈청의 심층-maldi tof 질량 분광, 및 그 용도 | |
| JP2008500539A (ja) | ディジタルスレショルド化による選択的イオン濾過作用を用いた質量分光測定法 | |
| JP3896714B2 (ja) | 四重極質量分析計 | |
| US20030169064A1 (en) | Selective trim and wafer testing of integrated circuits | |
| US6411378B1 (en) | Mask, structures, and method for calibration of patterned defect inspections | |
| JP3683749B2 (ja) | 質量分析方法 | |
| US6313648B1 (en) | Method for quantitating impurity concentration in a semiconductor device | |
| US6787770B2 (en) | Method of inspecting holes using charged-particle beam | |
| WO2003032381A3 (de) | Verfahren zur messung einer charakteristischen dimension wenigstens einer struktur auf einem scheibenförmigen objekt in einem messgerät | |
| JP4057664B2 (ja) | クロマトグラフ／質量分析装置のデータ処理装置 | |
| US20050177264A1 (en) | Method of building a defect database | |
| JP2019211301A (ja) | クロマトグラフ質量分析システム及び測定条件表示方法 | |
| JPH0560540A (ja) | 荷電ビームを用いたパタン寸法測定方法 | |
| JP4461919B2 (ja) | クロマトグラフ質量分析測定方法及び装置 | |
| US20090067722A1 (en) | Memory cell and page break inspection | |
| JPH0835960A (ja) | クロマトグラフ質量分析装置用データ処理装置 | |
| KR980012162A (ko) | 반도체장치의 제조공정 분석방법 | |
| JPH0580041A (ja) | クロマトグラフ用データ処理装置 | |
| CN112819751B (zh) | 多肽芯片检测结果的数据处理方法及装置 | |
| KR970007974B1 (ko) | 반도체 공정결함 검사방법 | |
| US20240201149A1 (en) | Method to reduce measurement bias | |
| KR0165319B1 (ko) | 포토리소그래피 공정에서의 공정 마진 평가 방법 | |
| JP2008128720A (ja) | Ｇｃ／ｍｓ多成分一斉分析方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050310 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20051102 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20051115 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060116 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060530 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20061128 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20061211 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100105 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110105 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120105 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130105 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140105 Year of fee payment: 7 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |