JP2000195420A - 薄膜形成方法及び装置 - Google Patents
薄膜形成方法及び装置Info
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- JP2000195420A JP2000195420A JP36916398A JP36916398A JP2000195420A JP 2000195420 A JP2000195420 A JP 2000195420A JP 36916398 A JP36916398 A JP 36916398A JP 36916398 A JP36916398 A JP 36916398A JP 2000195420 A JP2000195420 A JP 2000195420A
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- liquid material
- reaction chamber
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 プラズマディスプレイパネルの誘電体の保護
膜を低コストで形成する。 【解決手段】 反応容器１と、ヒータ内蔵の被処理体載
置ステージ２と、活性化領域１０と、液体材料霧化用の
超音波振動子５を有する。液体材料を超音波振動子５に
より霧化微粒子とし、水銀ランプを光源とする光エネル
ギーにより液体材料の酸化マグネシウム前駆体の結合エ
ネルギー準位を高めるとともに、有機溶媒成分の蒸発を
促進させ、加熱状態の被処理１１に供給させる。これに
より形成した酸化マグネシウム層の薄膜の結晶性を良く
する。
膜を低コストで形成する。 【解決手段】 反応容器１と、ヒータ内蔵の被処理体載
置ステージ２と、活性化領域１０と、液体材料霧化用の
超音波振動子５を有する。液体材料を超音波振動子５に
より霧化微粒子とし、水銀ランプを光源とする光エネル
ギーにより液体材料の酸化マグネシウム前駆体の結合エ
ネルギー準位を高めるとともに、有機溶媒成分の蒸発を
促進させ、加熱状態の被処理１１に供給させる。これに
より形成した酸化マグネシウム層の薄膜の結晶性を良く
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は表示デバイスなどに
用いるプラズマディスプレイパネル（ガス放電表示パネ
ル又はＰＤＰとも呼ぶ）の製造方法に関し、特にガス放
電表示パネルにおいて誘電体層を保護する保護膜の形成
方法に関する。
用いるプラズマディスプレイパネル（ガス放電表示パネ
ル又はＰＤＰとも呼ぶ）の製造方法に関し、特にガス放
電表示パネルにおいて誘電体層を保護する保護膜の形成
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】交流駆動型（ＡＣ）ガス放電表示パネル
では放電によるイオン衝撃から誘電体層を保護するため
に保護層が設けられている。保護層には一般的に酸化マ
グネシウム（ＭｇＯ）膜が用いられる。
では放電によるイオン衝撃から誘電体層を保護するため
に保護層が設けられている。保護層には一般的に酸化マ
グネシウム（ＭｇＯ）膜が用いられる。
【０００３】ガス放電表示パネルの駆動電圧は素子構造
や封入ガス等多くの要因によって決定される。放電空間
に接する保護層の２次電子放出係数はそのひとつであ
り、２次電子放出係数が大きい程低電圧で駆動すること
ができる。酸化マグネシウム（ＭｇＯ）からなる保護層
は２次電子放出係数が大きくこのような観点から保護層
に適する。
や封入ガス等多くの要因によって決定される。放電空間
に接する保護層の２次電子放出係数はそのひとつであ
り、２次電子放出係数が大きい程低電圧で駆動すること
ができる。酸化マグネシウム（ＭｇＯ）からなる保護層
は２次電子放出係数が大きくこのような観点から保護層
に適する。
【０００４】酸化マグネシウム（ＭｇＯ）膜は一般に電
子ビームを利用した電子エネルギー照射により真空中酸
素雰囲気で蒸着源を蒸発させ、誘電体層の表面に配向性
をもった結晶性薄膜を堆積する手法により形成させ、そ
の後焼成工程を経て作成されている。
子ビームを利用した電子エネルギー照射により真空中酸
素雰囲気で蒸着源を蒸発させ、誘電体層の表面に配向性
をもった結晶性薄膜を堆積する手法により形成させ、そ
の後焼成工程を経て作成されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】近年、ガス放電表示パ
ネルの大型化が進んでいる。ガス放電表示パネルの表示
画面を大型化する場合は大面積の基板が必要であり、こ
の基板を収納でき酸化マグネシウムを形成するために大
型の真空装置が必要となる。また、ガス放電表示パネル
の駆動電圧は大面積化した場合、消費電力の観点から、
さらに低電圧化を図る必要がある。
ネルの大型化が進んでいる。ガス放電表示パネルの表示
画面を大型化する場合は大面積の基板が必要であり、こ
の基板を収納でき酸化マグネシウムを形成するために大
型の真空装置が必要となる。また、ガス放電表示パネル
の駆動電圧は大面積化した場合、消費電力の観点から、
さらに低電圧化を図る必要がある。
【０００６】従来法である電子ビーム蒸着機を使用した
ＭｇＯ保護膜でガス放電表示パネルを製作した場合、装
置コストが非常に割高になるとともに、低電圧が困難で
あるという課題を有していた。
ＭｇＯ保護膜でガス放電表示パネルを製作した場合、装
置コストが非常に割高になるとともに、低電圧が困難で
あるという課題を有していた。
【０００７】本発明は、駆動電圧が低く、かつ発光効率
の良い交流駆動型ガス放電表示パネルの保護層を低コス
トで形成することを目的とする。
の良い交流駆動型ガス放電表示パネルの保護層を低コス
トで形成することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題に鑑みて、本発
明では、液体原料にＭｇＯを含む前駆体を使用しその液
体原料を霧化させる工程と、霧化された液体原料を一定
流量により反応室に導入する工程と、反応室に載置され
た被処理体に霧化液体原料を薄膜形成させる工程と、被
処理体に対向した均一排気板を経て被処理体近傍空間か
ら一定流量で未反応霧化液体原料を排気する工程を有す
ることを特徴としたものである。
明では、液体原料にＭｇＯを含む前駆体を使用しその液
体原料を霧化させる工程と、霧化された液体原料を一定
流量により反応室に導入する工程と、反応室に載置され
た被処理体に霧化液体原料を薄膜形成させる工程と、被
処理体に対向した均一排気板を経て被処理体近傍空間か
ら一定流量で未反応霧化液体原料を排気する工程を有す
ることを特徴としたものである。
【０００９】この発明によれば、低コストで、駆動電圧
が低く、かつ発光効率の良い交流駆動型ガス放電表示パ
ネルの保護層を形成することができる。
が低く、かつ発光効率の良い交流駆動型ガス放電表示パ
ネルの保護層を形成することができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、液体原料を霧化させる工程と、霧化された液体原料
を一定流量により反応室に導入する工程と、反応室に載
置された被処理体に霧化液体原料を薄膜形成させる工程
と、被処理体に対向した均一排気板を経て被処理体近傍
空間から一定流量かつ均一に未反応霧化液体原料を排気
する工程とを有することを特徴とする薄膜形成方法とし
たものであり、従来の電子ビーム蒸着法の設備と比較
し、常圧下で液体原料を変えることで、膜質制御が容易
であるという作用を有する。
は、液体原料を霧化させる工程と、霧化された液体原料
を一定流量により反応室に導入する工程と、反応室に載
置された被処理体に霧化液体原料を薄膜形成させる工程
と、被処理体に対向した均一排気板を経て被処理体近傍
空間から一定流量かつ均一に未反応霧化液体原料を排気
する工程とを有することを特徴とする薄膜形成方法とし
たものであり、従来の電子ビーム蒸着法の設備と比較
し、常圧下で液体原料を変えることで、膜質制御が容易
であるという作用を有する。
【００１１】本発明の請求項２に記載の発明は、反応室
に載置された被処理体を加熱する工程を有することを特
徴とする請求項１記載の薄膜形成方法としたものであ
り、液体原料を直接基板上へＭｇＯ膜として形成するこ
とが可能であり、焼成工程を削減できるという作用を有
する。
に載置された被処理体を加熱する工程を有することを特
徴とする請求項１記載の薄膜形成方法としたものであ
り、液体原料を直接基板上へＭｇＯ膜として形成するこ
とが可能であり、焼成工程を削減できるという作用を有
する。
【００１２】本発明の請求項３に記載の発明は、液体原
料が酸化マグネシウムの前駆体と有機物からなる有機物
からなる化合物であることを特徴とする請求項１または
２記載の薄膜形成方法としたものであり、良質のＭｇＯ
の保護膜が得られるという作用を有する。
料が酸化マグネシウムの前駆体と有機物からなる有機物
からなる化合物であることを特徴とする請求項１または
２記載の薄膜形成方法としたものであり、良質のＭｇＯ
の保護膜が得られるという作用を有する。
【００１３】本発明の請求項４に記載の発明は、霧化さ
れた液体原料が被処理体上に到達するまでに、霧化液体
原料を活性化させる工程を有することを特徴とする請求
項１〜３のいずれかに記載の薄膜形成方法としたもので
あり、液体原料を活性化させることで液体原料が基板へ
到達するまでの分解を促進し、成膜温度の低温化と膜質
の向上ができるという作用を有する。
れた液体原料が被処理体上に到達するまでに、霧化液体
原料を活性化させる工程を有することを特徴とする請求
項１〜３のいずれかに記載の薄膜形成方法としたもので
あり、液体原料を活性化させることで液体原料が基板へ
到達するまでの分解を促進し、成膜温度の低温化と膜質
の向上ができるという作用を有する。
【００１４】本発明の請求項５に記載の発明は、霧化液
体原料を被処理体近傍で一定時間保持する工程を有する
ことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の薄膜
形成方法としたものであり、霧化液体原料の利用効率を
向上することができるという作用を有する。
体原料を被処理体近傍で一定時間保持する工程を有する
ことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の薄膜
形成方法としたものであり、霧化液体原料の利用効率を
向上することができるという作用を有する。
【００１５】本発明の請求項６に記載の発明は、被処理
体近傍に、酸化剤を添加することを特徴とする請求項１
〜５のいずれかに記載の薄膜形成方法としたものであ
り、酸化剤を添加することでＭｇＯ膜の膜質を向上する
ことができるという作用を有する。
体近傍に、酸化剤を添加することを特徴とする請求項１
〜５のいずれかに記載の薄膜形成方法としたものであ
り、酸化剤を添加することでＭｇＯ膜の膜質を向上する
ことができるという作用を有する。
【００１６】本発明の請求項７に記載の発明は、液体原
料を霧化する手段と、被処理体を載置するための大気圧
以下に保持可能な反応室と、霧化手段により霧化された
霧化液体原料を一定流量により反応室に導入するための
キャリアガス供給手段と、被処理体近傍空間から一定流
量で未反応霧化液体原料を排気する手段と均熱性向上を
兼ねる手段を有することを特徴とする薄膜形成装置とし
たものであり、一定流量で未反応霧化液体原料を排気す
る手段と均熱性向上手段を兼ねることで、ＰＤＰ基板面
内の温度均一性を向上し、基板を割ることなく昇温で
き、従来設備の炉の部分を省略できるため設備占有面積
が小さくかつ均一性良く成膜できるという作用を有す
る。
料を霧化する手段と、被処理体を載置するための大気圧
以下に保持可能な反応室と、霧化手段により霧化された
霧化液体原料を一定流量により反応室に導入するための
キャリアガス供給手段と、被処理体近傍空間から一定流
量で未反応霧化液体原料を排気する手段と均熱性向上を
兼ねる手段を有することを特徴とする薄膜形成装置とし
たものであり、一定流量で未反応霧化液体原料を排気す
る手段と均熱性向上手段を兼ねることで、ＰＤＰ基板面
内の温度均一性を向上し、基板を割ることなく昇温で
き、従来設備の炉の部分を省略できるため設備占有面積
が小さくかつ均一性良く成膜できるという作用を有す
る。
【００１７】本発明の請求項８に記載の発明は、反応室
に載置された被処理体を加熱する手段を有することを特
徴とする請求項７記載の薄膜形成方法としたものであ
り、液体原料を直接基板上へ成膜することが可能であ
り、焼成工程を削減できるという作用を有する。
に載置された被処理体を加熱する手段を有することを特
徴とする請求項７記載の薄膜形成方法としたものであ
り、液体原料を直接基板上へ成膜することが可能であ
り、焼成工程を削減できるという作用を有する。
【００１８】本発明の請求項９記載の発明は、霧化液体
原料を活性化させる手段を有することを特徴とする請求
項７または８記載の薄膜形成装置としたものであり、液
体原料を活性化させることで液体原料が基板へ到達する
までの分解を促進し、焼成温度の低温化と膜質の向上が
できるという作用を有する。
原料を活性化させる手段を有することを特徴とする請求
項７または８記載の薄膜形成装置としたものであり、液
体原料を活性化させることで液体原料が基板へ到達する
までの分解を促進し、焼成温度の低温化と膜質の向上が
できるという作用を有する。
【００１９】本発明の請求項１０に記載の発明は、液体
原料濃度を一定に保持可能とする手段を有することを特
徴とする請求項７〜９いずれかに記載の薄膜形成装置と
したものであり、基板間の成膜速度の均一性を向上でき
るという作用を有する。
原料濃度を一定に保持可能とする手段を有することを特
徴とする請求項７〜９いずれかに記載の薄膜形成装置と
したものであり、基板間の成膜速度の均一性を向上でき
るという作用を有する。
【００２０】（実施の形態１）本発明の実施の形態１を
図１に基づいて説明する。
図１に基づいて説明する。
【００２１】図１は、本発明の液体原料の薄膜形成装置
の実施の形態１に基づく、プラズマディスプレイパネル
の保護膜の薄膜形成装置の構成を示す。ここで１は常圧
の反応容器であり、その内部には、ヒータを内蔵した加
熱可能なステージ２が設置されている。また、反応室内
を負圧にできるよう排気ポート３が設けられている。
の実施の形態１に基づく、プラズマディスプレイパネル
の保護膜の薄膜形成装置の構成を示す。ここで１は常圧
の反応容器であり、その内部には、ヒータを内蔵した加
熱可能なステージ２が設置されている。また、反応室内
を負圧にできるよう排気ポート３が設けられている。
【００２２】反応容器１に付随して液体原料を霧化する
手段として、液体原料容器４内に超音波振動子５が設け
られており、液体原料容器４内に液体原料が収容されて
いる。液体原料容器４の外部にはバッファー容器６が設
けられ、液体原料はこれら液体原料容器４とバッファー
容器６とを循環するよう構成されている。液体原料容器
４には、液体原料の濃度を一定に保持するため、濃度検
知計７が設けられている。８は液体原料容器４内に導入
されるキャリアガスである。
手段として、液体原料容器４内に超音波振動子５が設け
られており、液体原料容器４内に液体原料が収容されて
いる。液体原料容器４の外部にはバッファー容器６が設
けられ、液体原料はこれら液体原料容器４とバッファー
容器６とを循環するよう構成されている。液体原料容器
４には、液体原料の濃度を一定に保持するため、濃度検
知計７が設けられている。８は液体原料容器４内に導入
されるキャリアガスである。
【００２３】常圧の反応容器１と、液体原料容器４は霧
化微粒子導入管９で連通されており、この導入管９に連
通した活性化領域１０とが設けられている。活性化領域
１０に対し紫外線を発生する水銀ランプ（図示せず）が
設けられている。
化微粒子導入管９で連通されており、この導入管９に連
通した活性化領域１０とが設けられている。活性化領域
１０に対し紫外線を発生する水銀ランプ（図示せず）が
設けられている。
【００２４】この様な構成において、有機マグネシウム
化合物溶液からなる液体原料を霧化させるための液体原
料容器４に貯留された液体原料は、その有機マグネシウ
ム化合物溶液の濃度を一定に保持するために、濃度検知
計７を備えることで一定濃度に自動調整可能なバッファ
ー容器６に循環される。液体原料容器４において、超音
波振動子５によって２ＭＨｚ付近の超音波振動が付与さ
れることで、直径１０μｍ以下の微粒径の霧化微粒子が
発生される。この霧化微粒子は、一定の供給速度を保持
するため少なくとも１種類以上のキャリアガス８によ
り、霧化微粒子導入管９を通って活性化領域１０に搬送
される。
化合物溶液からなる液体原料を霧化させるための液体原
料容器４に貯留された液体原料は、その有機マグネシウ
ム化合物溶液の濃度を一定に保持するために、濃度検知
計７を備えることで一定濃度に自動調整可能なバッファ
ー容器６に循環される。液体原料容器４において、超音
波振動子５によって２ＭＨｚ付近の超音波振動が付与さ
れることで、直径１０μｍ以下の微粒径の霧化微粒子が
発生される。この霧化微粒子は、一定の供給速度を保持
するため少なくとも１種類以上のキャリアガス８によ
り、霧化微粒子導入管９を通って活性化領域１０に搬送
される。
【００２５】この時、霧化状微粒子から溶媒成分が脱離
することで分子の集合体である酸化マグネシウム前駆体
が生成される。この前駆体は活性化領域１０を通過する
とき前駆体のエネルギー準位を高めるために最適な波長
を持つ水銀ランプ７の光により励起される。これによ
り、上記前駆体から少なくとも１種類の成分を解離させ
て所望成分の解離を最大に促進するとともに、有機溶媒
成分を蒸発させるのに必要なエネルギーをコントロール
する。この時に与えられるエネルギーは、前駆体に対し
て所望組成を有する結合を解離するのに必要なエネルギ
ーである。
することで分子の集合体である酸化マグネシウム前駆体
が生成される。この前駆体は活性化領域１０を通過する
とき前駆体のエネルギー準位を高めるために最適な波長
を持つ水銀ランプ７の光により励起される。これによ
り、上記前駆体から少なくとも１種類の成分を解離させ
て所望成分の解離を最大に促進するとともに、有機溶媒
成分を蒸発させるのに必要なエネルギーをコントロール
する。この時に与えられるエネルギーは、前駆体に対し
て所望組成を有する結合を解離するのに必要なエネルギ
ーである。
【００２６】すなわち、霧化された微粒子状の有機マグ
ネシウム化合物成分の解離、分解を促進させるため水銀
ランプにより液体原料に最適な波長を有する光スペクト
ルエネルギーを与え、これにより上記微粒子状の有機マ
グネシウム化合物から１種類以上の有機成分を分離させ
かつ酸化マグネシウム前駆体の結合分子間エネルギー準
位を高めることで、微粒子状液体の有機金属成分を活性
化させ、ステージ２のヒータによって均一に加熱された
被処理体３としてのガラス基板上での表面反応が促進さ
れることになる。この時水銀ランプとして光源波長が１
８５〜２５０ｎｍのものを使用し、３００〜５００Ｗの
電力を投入して照射すると霧化された有機マグネシウム
化合物の結合エネルギー準位を最も効果的に高めるとと
もに有機溶媒成分の蒸発を促進するのに有効である。
ネシウム化合物成分の解離、分解を促進させるため水銀
ランプにより液体原料に最適な波長を有する光スペクト
ルエネルギーを与え、これにより上記微粒子状の有機マ
グネシウム化合物から１種類以上の有機成分を分離させ
かつ酸化マグネシウム前駆体の結合分子間エネルギー準
位を高めることで、微粒子状液体の有機金属成分を活性
化させ、ステージ２のヒータによって均一に加熱された
被処理体３としてのガラス基板上での表面反応が促進さ
れることになる。この時水銀ランプとして光源波長が１
８５〜２５０ｎｍのものを使用し、３００〜５００Ｗの
電力を投入して照射すると霧化された有機マグネシウム
化合物の結合エネルギー準位を最も効果的に高めるとと
もに有機溶媒成分の蒸発を促進するのに有効である。
【００２７】このように活性化された霧化微粒子は、キ
ャリアガス８により霧化微粒子を被処理体１１付近で一
定時間保持できるように二重構造となった、霧化液体原
料保持部１２ａ、１２ｂ空間を通って均一に分散された
後、被処理体１１の表面に供給される。すると、励起さ
れた酸化マグネシウム前駆体が、ヒータを内蔵したステ
ージ２の上で結晶成長に必要な４００〜５５０℃に加熱
された被処理体１１上への薄膜形成を行なう。供給され
た霧化微粒子は、ステージ２と間隔５〜１０ｍｍに設置
された均熱性向上と未反応霧化液体原料を均一に排気す
るための均一排気板１３を経て未反応液体原料排気ポー
ト１４より排気される。
ャリアガス８により霧化微粒子を被処理体１１付近で一
定時間保持できるように二重構造となった、霧化液体原
料保持部１２ａ、１２ｂ空間を通って均一に分散された
後、被処理体１１の表面に供給される。すると、励起さ
れた酸化マグネシウム前駆体が、ヒータを内蔵したステ
ージ２の上で結晶成長に必要な４００〜５５０℃に加熱
された被処理体１１上への薄膜形成を行なう。供給され
た霧化微粒子は、ステージ２と間隔５〜１０ｍｍに設置
された均熱性向上と未反応霧化液体原料を均一に排気す
るための均一排気板１３を経て未反応液体原料排気ポー
ト１４より排気される。
【００２８】ステージ２と均一排気板１３の空間に酸化
剤を添加することで、さらに分解・酸化反応を促進する
ことも可能である。
剤を添加することで、さらに分解・酸化反応を促進する
ことも可能である。
【００２９】この方法により、形成された酸化マグネシ
ウム層の薄膜の膜質は、光学バンドギャップ値が７.７
ｅＶ、Ｘ線回折による膜構造は（１，０，０）及び
（１，１，０）面に優先配向した。膜質に関しては成膜
温度、光源波長等を変化させることで配向性を制御する
ことも可能である。形成された厚さ０．５μｍの酸化マ
グネシウム層を誘電体保護膜として、３電極面放電方式
によるプラズマディスプレイパネルに応用したときの放
電性能は、放電開始電圧が１５０Ｖであり、良好な特性
を示した。
ウム層の薄膜の膜質は、光学バンドギャップ値が７.７
ｅＶ、Ｘ線回折による膜構造は（１，０，０）及び
（１，１，０）面に優先配向した。膜質に関しては成膜
温度、光源波長等を変化させることで配向性を制御する
ことも可能である。形成された厚さ０．５μｍの酸化マ
グネシウム層を誘電体保護膜として、３電極面放電方式
によるプラズマディスプレイパネルに応用したときの放
電性能は、放電開始電圧が１５０Ｖであり、良好な特性
を示した。
【００３０】尚本実施の形態では、霧化微粒子の励起エ
ネルギー源として水銀ランプを使用したが、他の近赤外
線ランプあるいは遠赤外線ランプ光源による光照射もし
くは活性化領域１０を加熱する形態を付加しても良い。
また、被処理体１１の表面温度を上記の下限値の４００
℃を下回らせ、その後処理で焼成を行なっても良い。さ
らに、液体原料の霧化手段として超音波発振器を使用し
たが、他の方法で霧化しても良い。
ネルギー源として水銀ランプを使用したが、他の近赤外
線ランプあるいは遠赤外線ランプ光源による光照射もし
くは活性化領域１０を加熱する形態を付加しても良い。
また、被処理体１１の表面温度を上記の下限値の４００
℃を下回らせ、その後処理で焼成を行なっても良い。さ
らに、液体原料の霧化手段として超音波発振器を使用し
たが、他の方法で霧化しても良い。
【００３１】
【発明の効果】上述した説明からも明らかなように本発
明によれば、液体原料によって酸化マグネシウム膜を形
成するため、その処理を常圧の反応室内で行なうことが
でき、したがって被処理体が大型になってもそれに合わ
せて反応室を大きくするだけで足り、大型の真空容器を
用いる必要がないため、保護膜形成の際の簡便化、高生
産性、低コスト化を達成できる。
明によれば、液体原料によって酸化マグネシウム膜を形
成するため、その処理を常圧の反応室内で行なうことが
でき、したがって被処理体が大型になってもそれに合わ
せて反応室を大きくするだけで足り、大型の真空容器を
用いる必要がないため、保護膜形成の際の簡便化、高生
産性、低コスト化を達成できる。
【００３２】また液体材料による超微粒形状の霧化微粒
子にエネルギーを加えることによって、液体材料中の有
機成分の完全除去及び酸化マグネシウム前駆体の活性化
を図り、しかも膜構造ネットワークの組成制御によって
緻密かつ結晶構造を持つ高性能な電子放出特性を有する
酸化マグネシウム薄膜を得ることができる。
子にエネルギーを加えることによって、液体材料中の有
機成分の完全除去及び酸化マグネシウム前駆体の活性化
を図り、しかも膜構造ネットワークの組成制御によって
緻密かつ結晶構造を持つ高性能な電子放出特性を有する
酸化マグネシウム薄膜を得ることができる。
【００３３】その結果、交流型プラズマディスプレイパ
ネルの放電開始電圧、放電維持電圧および発光効率を向
上できる。
ネルの放電開始電圧、放電維持電圧および発光効率を向
上できる。
【図１】本発明の実施の形態１の薄膜形成装置の断面図
である。
である。
１ 反応容器 ５ 超音波振動子 ８ キャリアガス １１ 被処理体 １３ 均一排気兼均熱板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 澤田 和幸 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 4G059 AA06 EA01 EB06 5C027 AA06 AA10 5C040 FA01 GE07 GE09 JA01 JA05 JA21 JA31 KA17 KB19 MA10 MA17 MA26
Claims (10)
- 【請求項１】 液体原料を霧化させる工程と、霧化され
た液体原料を一定流量により反応室に導入する工程と、
反応室に載置された被処理体に霧化液体原料を薄膜形成
させる工程と、被処理体に対向した均一排気板を経て被
処理体近傍空間から一定流量かつ均一に未反応霧化液体
原料を排気する工程を有することを特徴とする薄膜形成
方法。 - 【請求項２】 反応室に載置された被処理体を加熱する
工程を有することを特徴とする請求項１記載の薄膜形成
方法。 - 【請求項３】 液体原料が酸化マグネシウムの前駆体と
有機物からなる化合物であることを特徴とする請求項１
または２記載の薄膜形成方法。 - 【請求項４】 霧化された液体原料が被処理体上に到達
するまでに、霧化液体原料を活性化させる工程を有する
ことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の薄膜
形成方法。 - 【請求項５】 霧化液体原料を被処理体近傍で一定時間
保持する工程を有することを特徴とする請求項１〜４の
いずれかに記載の薄膜形成方法。 - 【請求項６】 被処理体近傍に、酸化剤を添加すること
を特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の薄膜形成
方法。 - 【請求項７】 液体原料を霧化する手段と、被処理体を
載置するための大気圧以下に保持可能な反応室と、霧化
手段により霧化された霧化液体原料を一定流量により反
応室に導入するためのキャリアガス供給手段と、被処理
体近傍空間から一定流量で未反応霧化液体原料を排気す
る手段と均熱性向上を兼ねる手段を有することを特徴と
する薄膜形成装置。 - 【請求項８】 反応室に載置された被処理体を加熱する
手段を有することを特徴とする請求項７記載の薄膜形成
装置。 - 【請求項９】 霧化液体原料を活性化させる手段を有す
ることを特徴とする請求項７または８記載の薄膜形成装
置。 - 【請求項１０】 液体原料濃度を一定に保持可能とする
手段を有することを特徴とする請求項７〜９いずれかに
記載の薄膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36916398A JP2000195420A (ja) | 1998-12-25 | 1998-12-25 | 薄膜形成方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36916398A JP2000195420A (ja) | 1998-12-25 | 1998-12-25 | 薄膜形成方法及び装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000195420A true JP2000195420A (ja) | 2000-07-14 |
Family
ID=18493728
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP36916398A Pending JP2000195420A (ja) | 1998-12-25 | 1998-12-25 | 薄膜形成方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000195420A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011246736A (ja) * | 2010-05-24 | 2011-12-08 | Air Water Inc | 酸化マグネシウム膜の成膜方法、およびプラズマ生成電極の製造方法 |
-
1998
- 1998-12-25 JP JP36916398A patent/JP2000195420A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011246736A (ja) * | 2010-05-24 | 2011-12-08 | Air Water Inc | 酸化マグネシウム膜の成膜方法、およびプラズマ生成電極の製造方法 |
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