JP2000195033A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JP2000195033A JP2000195033A JP10369323A JP36932398A JP2000195033A JP 2000195033 A JP2000195033 A JP 2000195033A JP 10369323 A JP10369323 A JP 10369323A JP 36932398 A JP36932398 A JP 36932398A JP 2000195033 A JP2000195033 A JP 2000195033A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 結晶粒子の均一性を高め、磁性層中の磁性粒
子の均一性を増し、耐熱揺らぎ性やＳ／Ｎｍを改善し、
高記録密度を実現する。 【解決手段】 Ｃｏ合金磁性層の下に、その最短原子半
径がＣｏ合金磁性層の最短原子半径と１５％ないし２５
％異なる最密配向されたＦＣＣまたはＨＣＰ相からなる
下地層を設ける。
子の均一性を増し、耐熱揺らぎ性やＳ／Ｎｍを改善し、
高記録密度を実現する。 【解決手段】 Ｃｏ合金磁性層の下に、その最短原子半
径がＣｏ合金磁性層の最短原子半径と１５％ないし２５
％異なる最密配向されたＦＣＣまたはＨＣＰ相からなる
下地層を設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気ディスク装置
等に用いられる面内型磁気記録方式の磁気記録媒体の高
記録密度技術に関する。
等に用いられる面内型磁気記録方式の磁気記録媒体の高
記録密度技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】ハードディスク（ＨＤＤ）は、高速・高
密度記録・ランダムアクセス可能・ビットコストが安い
等の特徴を持ち、コンピューターの外部記憶装置とし
て、今後も、記録密度の向上が望まれている。
密度記録・ランダムアクセス可能・ビットコストが安い
等の特徴を持ち、コンピューターの外部記憶装置とし
て、今後も、記録密度の向上が望まれている。
【０００３】ＨＤＤの磁性層としては、一般にＣｏ合金
が使用される。Ｃｏ合金磁性層を面内記録層とする場合
に、下地層としてＣｒなＶなどのＢＣＣ構造を用いてい
たが、一般には、ＢＣＣ（１１０）配向しやすく、Ｃｏ
合金の磁化容易軸が、面内から立ち上がって面内磁気記
録媒体としての特性を劣化させていた。
が使用される。Ｃｏ合金磁性層を面内記録層とする場合
に、下地層としてＣｒなＶなどのＢＣＣ構造を用いてい
たが、一般には、ＢＣＣ（１１０）配向しやすく、Ｃｏ
合金の磁化容易軸が、面内から立ち上がって面内磁気記
録媒体としての特性を劣化させていた。
【０００４】例えば特開平６−２５９７４３、特開平７
−１４１４４、特開平７−１４１４３には、基板、Ｃｏ
またはＣｏ合金膜と少なくとも２層の下地層を持った面
内記録媒体であって、磁性層直下の下地層がＢＣＣ構造
であり、ＢＣＣ構造の下の磁性層がＮａＣｌ構造である
材料からなることを特徴とする磁気記録媒体及び各膜の
配向関係が開示されている。
−１４１４４、特開平７−１４１４３には、基板、Ｃｏ
またはＣｏ合金膜と少なくとも２層の下地層を持った面
内記録媒体であって、磁性層直下の下地層がＢＣＣ構造
であり、ＢＣＣ構造の下の磁性層がＮａＣｌ構造である
材料からなることを特徴とする磁気記録媒体及び各膜の
配向関係が開示されている。
【０００５】また、ＢＣＣ膜の欠点を改善するため、Ｂ
ＣＣ下地層の下に、配向制御層を用いたもの、あるいは
ＢＣＣ構造の代わりに、Ｂ２構造を持つＮｉＡｌやＦｅ
ＡｌがＣｒよりも粒径が微細となる下地層などが開示さ
れている。
ＣＣ下地層の下に、配向制御層を用いたもの、あるいは
ＢＣＣ構造の代わりに、Ｂ２構造を持つＮｉＡｌやＦｅ
ＡｌがＣｒよりも粒径が微細となる下地層などが開示さ
れている。
【０００６】また、米国特許第５６９３４２６号には、
基板、ＣｏまたはＣｏ合金膜と基板と磁性層との間に下
地層を持った面内記録媒体において、下地層がＮｉＡｌ
やＦｅＡｌなどのＢ2 オーダード結晶構造を持った材料
からなることを特徴とする磁気記録媒体が開示されてい
る。しかしながら、この膜でもＣｒ等のＢＣＣ膜と同様
の欠点を有している。
基板、ＣｏまたはＣｏ合金膜と基板と磁性層との間に下
地層を持った面内記録媒体において、下地層がＮｉＡｌ
やＦｅＡｌなどのＢ2 オーダード結晶構造を持った材料
からなることを特徴とする磁気記録媒体が開示されてい
る。しかしながら、この膜でもＣｒ等のＢＣＣ膜と同様
の欠点を有している。
【０００７】また、これらの下地層と磁性層の間に、
１．０ｎｍから５．０ｎｍのＣｒを設けた磁気記録媒体
も知られている。
１．０ｎｍから５．０ｎｍのＣｒを設けた磁気記録媒体
も知られている。
【０００８】しかしながら、配向制御膜も所望の配向を
完全に得られる訳ではなく、下地層には、配向や粒径、
結晶性の不完全さが残っていた。
完全に得られる訳ではなく、下地層には、配向や粒径、
結晶性の不完全さが残っていた。
【０００９】このため、下地層上に形成される磁性層に
も、同様に配向や粒径、結晶性が不完全なものとなって
いた。
も、同様に配向や粒径、結晶性が不完全なものとなって
いた。
【００１０】このようなことから、従来は磁性層の磁性
特性、例えば磁性粒子の大きさ及び分布等にばらつきを
生じ、耐熱揺らぎの低下、Ｓ／Ｎの低下、さらには記録
密度の低下につながっていた。
特性、例えば磁性粒子の大きさ及び分布等にばらつきを
生じ、耐熱揺らぎの低下、Ｓ／Ｎの低下、さらには記録
密度の低下につながっていた。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記事情に
鑑みてなされたもので、安定な結晶成長をする下地層を
用いることで、結晶粒子の均一性を高め、磁性層中の磁
性粒子の均一性を増し、耐熱揺らぎ性やＳ／Ｎｍを改善
し、高記録密度を実現し得る磁気記録媒体を達成するこ
とを目的とする。
鑑みてなされたもので、安定な結晶成長をする下地層を
用いることで、結晶粒子の均一性を高め、磁性層中の磁
性粒子の均一性を増し、耐熱揺らぎ性やＳ／Ｎｍを改善
し、高記録密度を実現し得る磁気記録媒体を達成するこ
とを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、第１に、基
板、該基板上に設けられ、その最短原子半径がＣｏ合金
磁性層の最短原子半径と１５％ないし２５％異なる最密
配向されたＦＣＣまたはＨＣＰ相からなる下地層、及び
該下地層上に設けられたＣｏ合金磁性層を具備する磁気
記録媒体を提供する。
板、該基板上に設けられ、その最短原子半径がＣｏ合金
磁性層の最短原子半径と１５％ないし２５％異なる最密
配向されたＦＣＣまたはＨＣＰ相からなる下地層、及び
該下地層上に設けられたＣｏ合金磁性層を具備する磁気
記録媒体を提供する。
【００１３】本発明は、第２に、基板、該基板上に設け
られ、その最短原子半径がＣｏ合金磁性層の最短原子半
径と１５％ないし２５％異なる最密配向されたＦＣＣま
たはＨＣＰ相からなる最密配向された第１の下地層、該
第１の下地層上に形成され、その最短原子半径が第１の
下地層の最短原子半径と１５ないし２５％異なり、Ｃｏ
合金磁性層の最短原子半径との差は−１０ないし１０％
である非磁性ＨＣＰ相からなる第２の下地層及び該下地
層上に設けられたＣｏ合金磁性層を具備する磁気記録媒
体を提供する。
られ、その最短原子半径がＣｏ合金磁性層の最短原子半
径と１５％ないし２５％異なる最密配向されたＦＣＣま
たはＨＣＰ相からなる最密配向された第１の下地層、該
第１の下地層上に形成され、その最短原子半径が第１の
下地層の最短原子半径と１５ないし２５％異なり、Ｃｏ
合金磁性層の最短原子半径との差は−１０ないし１０％
である非磁性ＨＣＰ相からなる第２の下地層及び該下地
層上に設けられたＣｏ合金磁性層を具備する磁気記録媒
体を提供する。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明者らは、Ｃｏ合金磁性層の
十分な面内配向を実現するため、結晶成長面として安定
な配向を有する下地層を得るべく、鋭意研究を行ない、
本発明をなすに至った。
十分な面内配向を実現するため、結晶成長面として安定
な配向を有する下地層を得るべく、鋭意研究を行ない、
本発明をなすに至った。
【００１５】本発明の磁気記録媒体は、基板上にその最
短原子半径がＣｏ合金磁性層の最短原子半径と１５％な
いし２５％異なる最密配向されたＦＣＣまたはＨＣＰ相
からなる第１の下地層と、Ｃｏ合金磁性層とが積層され
た構造を有する。
短原子半径がＣｏ合金磁性層の最短原子半径と１５％な
いし２５％異なる最密配向されたＦＣＣまたはＨＣＰ相
からなる第１の下地層と、Ｃｏ合金磁性層とが積層され
た構造を有する。
【００１６】本発明に使用される下地層は、最短原子半
径がＣｏ合金磁性層の最短原子半径と１５％ないし２５
％異なるＦＣＣまたはＨＣＰ相であることにより、その
結晶が均一で、その最密面が基板に平行で、その配向が
揃っている。このため、この下地層上に形成される磁性
層の磁性粒子の配向や、磁気異方性の大きさも均一にす
ることができる。また、面内に磁気異方性が向くので、
磁気特性において、保磁力も大きく角型比も良好とな
る。これにより、記録分解能を向上させることが可能と
なり、欠陥の少ない磁性粒子が得られるため、耐熱揺ら
ぎ性も良好となる。
径がＣｏ合金磁性層の最短原子半径と１５％ないし２５
％異なるＦＣＣまたはＨＣＰ相であることにより、その
結晶が均一で、その最密面が基板に平行で、その配向が
揃っている。このため、この下地層上に形成される磁性
層の磁性粒子の配向や、磁気異方性の大きさも均一にす
ることができる。また、面内に磁気異方性が向くので、
磁気特性において、保磁力も大きく角型比も良好とな
る。これにより、記録分解能を向上させることが可能と
なり、欠陥の少ない磁性粒子が得られるため、耐熱揺ら
ぎ性も良好となる。
【００１７】さらに、下地層の表面性も平滑であるた
め、媒体の表面性も良好でグライドハイトの低下が可能
となる。
め、媒体の表面性も良好でグライドハイトの低下が可能
となる。
【００１８】さらにまた、成長が安定なため、窒素や酸
素を添加して、粒径を微細化できる。
素を添加して、粒径を微細化できる。
【００１９】本発明に用いられる第１の下地層の最短原
子半径はＣｏ合金磁性層の最短原子半径より１５％ない
し２５％大きく、１５％未満であると、Ｃｏ合金磁性層
は基板に垂直に最密面が配向し、垂直磁気異方体が強く
なり画面媒体として不適であり、２５％を越えると配向
がランダムとなり、均一性がなくなり、媒体として不適
である。
子半径はＣｏ合金磁性層の最短原子半径より１５％ない
し２５％大きく、１５％未満であると、Ｃｏ合金磁性層
は基板に垂直に最密面が配向し、垂直磁気異方体が強く
なり画面媒体として不適であり、２５％を越えると配向
がランダムとなり、均一性がなくなり、媒体として不適
である。
【００２０】また、上記第１の下地層とＣｏ合金磁性層
との間にその最短原子半径が第１の下地層の最短原子半
径と１５〜２５％異なり、Ｃｏ合金磁性層の最短原子半
径との違いは−１０〜１０％異なる非磁性ＨＣＰ相から
なる第２の下地層を設けることができる。
との間にその最短原子半径が第１の下地層の最短原子半
径と１５〜２５％異なり、Ｃｏ合金磁性層の最短原子半
径との違いは−１０〜１０％異なる非磁性ＨＣＰ相から
なる第２の下地層を設けることができる。
【００２１】この第２の下地層は、Ｃ軸が面内に配向し
た構成を有し、これを第１の下地層とＣｏ合金磁性層と
の間に設けることにより、格子の乱れたＣｏ合金磁性層
の初期成長層が少なくなり、記録分解能が向上し、かつ
磁性層の膜圧が薄いことを要求される場合にも十分適応
し得る磁気記録媒体が得られる。
た構成を有し、これを第１の下地層とＣｏ合金磁性層と
の間に設けることにより、格子の乱れたＣｏ合金磁性層
の初期成長層が少なくなり、記録分解能が向上し、かつ
磁性層の膜圧が薄いことを要求される場合にも十分適応
し得る磁気記録媒体が得られる。
【００２２】また、本発明に好ましく用いられる非磁性
ＨＣＰ相からなる第２の下地層は、その最短原子半径が
第１の下地層の最短原子半径より１５ないし２５％小さ
く、１５％未満であると、第２の下地層の配向が最密配
向となり、その上のＣｏ合金磁性膜の異方性が垂直に強
くなり、２５％を越えると配向がランダムとなり、その
上の磁性膜の配向もランダムとなる傾向がある。
ＨＣＰ相からなる第２の下地層は、その最短原子半径が
第１の下地層の最短原子半径より１５ないし２５％小さ
く、１５％未満であると、第２の下地層の配向が最密配
向となり、その上のＣｏ合金磁性膜の異方性が垂直に強
くなり、２５％を越えると配向がランダムとなり、その
上の磁性膜の配向もランダムとなる傾向がある。
【００２３】また、第２の下地層の最短原子半径がＣｏ
合金磁性膜と１０％以上異なると、Ｃｏ合金膜に再び格
子の乱れた初期成長層が現われる。
合金磁性膜と１０％以上異なると、Ｃｏ合金膜に再び格
子の乱れた初期成長層が現われる。
【００２４】本発明に用いられる下地層としては、Ａ
ｌ、Ａｕ、及びＡｇ等のＦＣＣ構造を有する材料、及び
Ｃｄ、Ｈｆ、Ｍｇ、Ｔｉ、及びＺｒ等のＨＣＰ構造を有
する材料から選択される少なくとも１種を好ましく使用
することができる。
ｌ、Ａｕ、及びＡｇ等のＦＣＣ構造を有する材料、及び
Ｃｄ、Ｈｆ、Ｍｇ、Ｔｉ、及びＺｒ等のＨＣＰ構造を有
する材料から選択される少なくとも１種を好ましく使用
することができる。
【００２５】また、ＮａＣｌ型構造の化合物でも、最短
平均原子半径が本発明に規定する範囲内に適合していれ
ば、好ましく使用することができる。
平均原子半径が本発明に規定する範囲内に適合していれ
ば、好ましく使用することができる。
【００２６】このような下地と磁性層との組み合わせを
選ぶことによってＣｏ合金磁性層は、基板表面に平行に
（１００）面が成長し、磁化容易軸が面内を向く。図１
に下地と磁性粒子の配置を表すモデル図を、図２にＨＣ
Ｐ構造のモデル図を各々示す。図１に示すように、下地
層の粒子１１に対し、磁性層の磁性粒子１２は、図示す
るよう基板表面に平行な（１００）面１０に配向され
る。ＨＣＰ面１０は、図２に示す通りである。
選ぶことによってＣｏ合金磁性層は、基板表面に平行に
（１００）面が成長し、磁化容易軸が面内を向く。図１
に下地と磁性粒子の配置を表すモデル図を、図２にＨＣ
Ｐ構造のモデル図を各々示す。図１に示すように、下地
層の粒子１１に対し、磁性層の磁性粒子１２は、図示す
るよう基板表面に平行な（１００）面１０に配向され
る。ＨＣＰ面１０は、図２に示す通りである。
【００２７】また、本発明に用いられる基板としては、
例えばＡｌ合金基板、アルミノ・珪酸ガラス、結晶化ガ
ラス、及びＳｉ基板等があげられる。
例えばＡｌ合金基板、アルミノ・珪酸ガラス、結晶化ガ
ラス、及びＳｉ基板等があげられる。
【００２８】本発明に用いられる磁性層としては、Ｃｏ
Ｃｒ、ＣｏＣｒＴａ、ＣｏＣｒＰｔ、ＣｏＣｒＰｔＴ
ａ、ＣｏＣｒＰｔＴａＮｂ、ＣｏＰｔ、ＣｏＰｔＯ、Ｃ
ｏＰｔＣｒＯ、及びＣｏＳｍなどＨＣＰ構造を呈する材
料があげられる。
Ｃｒ、ＣｏＣｒＴａ、ＣｏＣｒＰｔ、ＣｏＣｒＰｔＴ
ａ、ＣｏＣｒＰｔＴａＮｂ、ＣｏＰｔ、ＣｏＰｔＯ、Ｃ
ｏＰｔＣｒＯ、及びＣｏＳｍなどＨＣＰ構造を呈する材
料があげられる。
【００２９】
【実施例】以下、実施例を示し、本発明を具体的に説明
する。
する。
【００３０】実施例１ 図３に本発明の磁気記録媒体の一例の構造を表す断面図
を示す。
を示す。
【００３１】この磁気記録媒体は、例えば以下の工程に
より製造し得る。
より製造し得る。
【００３２】まず、ハードディスク形状のアルミノ・珪
酸ガラス基板上１に、スパッタによって下地膜２として
ジルコニウム（Ｚｒ）をスパッタパワ−１４００Ｗ、ス
パッタＡｒ圧０．６Ｐａで、４０ｎｍ形成した。
酸ガラス基板上１に、スパッタによって下地膜２として
ジルコニウム（Ｚｒ）をスパッタパワ−１４００Ｗ、ス
パッタＡｒ圧０．６Ｐａで、４０ｎｍ形成した。
【００３３】このＺｒの形成条件は、ＸＲＤから最密面
（００２）面が強く膜面に平行に配向するような条件で
ある。
（００２）面が強く膜面に平行に配向するような条件で
ある。
【００３４】得られた下地層２上に、Ｃｏ80Ｐｔ20にＣ
ｒを３ａｔ％添加したターゲットを用いて、スパッタパ
ワー５００Ｗ、スパッタＡｒに酸素を０．１％含む２０
Ｐａ雰囲気中で、Ｃｏ合金磁性層３を１５ｎｍ形成し
た。
ｒを３ａｔ％添加したターゲットを用いて、スパッタパ
ワー５００Ｗ、スパッタＡｒに酸素を０．１％含む２０
Ｐａ雰囲気中で、Ｃｏ合金磁性層３を１５ｎｍ形成し
た。
【００３５】さらにその上に保護膜４としてカーボン膜
を形成し、最後に潤滑剤をコートして潤滑層５を形成
し、磁気記録媒体を得た。
を形成し、最後に潤滑剤をコートして潤滑層５を形成
し、磁気記録媒体を得た。
【００３６】Ｃｏ合金磁性層３の磁気特性は、ＶＳＭか
らＨｃ＝３２００（Ｏｅ）、Ｍｒｔ＝０．７５、Ｓ* ＝
０．８２であった。また、ＸＲＤ解析からこの磁性層３
の配向は、磁化容易軸が膜面に平行に成長した。（１０
０）配向結晶が認められ、最短原子間隔は、２．５６
（Ａ）であった。従って、下地Ｚｒ膜の最短原子半径
３．１８（Ａ）は、Ｃｏ合金より２４％大きい。下地層
２及びＣｏ合金磁性層３の平面ＴＥＭ観察では、下地層
３のＺｒの粒径は、１５〜２０ｎｍと比較的揃ってお
り、Ｃｏ合金の粒径も、５〜８ｎｍと揃っていた。
らＨｃ＝３２００（Ｏｅ）、Ｍｒｔ＝０．７５、Ｓ* ＝
０．８２であった。また、ＸＲＤ解析からこの磁性層３
の配向は、磁化容易軸が膜面に平行に成長した。（１０
０）配向結晶が認められ、最短原子間隔は、２．５６
（Ａ）であった。従って、下地Ｚｒ膜の最短原子半径
３．１８（Ａ）は、Ｃｏ合金より２４％大きい。下地層
２及びＣｏ合金磁性層３の平面ＴＥＭ観察では、下地層
３のＺｒの粒径は、１５〜２０ｎｍと比較的揃ってお
り、Ｃｏ合金の粒径も、５〜８ｎｍと揃っていた。
【００３７】比較例１ 比較の媒体として、実施例１と同様の基板上に下地膜と
してＣｒ膜を４０ｎｍ形成し、この上に同じ条件でＣｏ
合金磁性層を形成した。さらにその上にカーボン膜を形
成し、潤滑剤をコートして磁気記録媒体を得た。この媒
体の磁気特性は、Ｈｃ＝２７００（Ｏｅ）、Ｓ* ＝０．
７２であった。この値は、実施例１にかかる媒体と比較
して、保磁力・角型比ともに低い。また、ＸＲＤ解析か
らＣｒ下地膜の配向は（１１０）配向であり、Ｃｏ合金
磁性層の配向は、（１０１）配向であった。最短原子間
隔は、Ｃｒが２．５０（Ａ）、Ｃｏ合金磁性層が２．５
６（Ａ）であった。従って、下地Ｃｒ膜とＣｏ合金膜の
原子半径の違いは、２．４％程度であった。
してＣｒ膜を４０ｎｍ形成し、この上に同じ条件でＣｏ
合金磁性層を形成した。さらにその上にカーボン膜を形
成し、潤滑剤をコートして磁気記録媒体を得た。この媒
体の磁気特性は、Ｈｃ＝２７００（Ｏｅ）、Ｓ* ＝０．
７２であった。この値は、実施例１にかかる媒体と比較
して、保磁力・角型比ともに低い。また、ＸＲＤ解析か
らＣｒ下地膜の配向は（１１０）配向であり、Ｃｏ合金
磁性層の配向は、（１０１）配向であった。最短原子間
隔は、Ｃｒが２．５０（Ａ）、Ｃｏ合金磁性層が２．５
６（Ａ）であった。従って、下地Ｃｒ膜とＣｏ合金膜の
原子半径の違いは、２．４％程度であった。
【００３８】比較例２ 比較の媒体として、実施例１と同様の基板上に下地膜と
してＭｇＯ膜を１０ｎｍ形成し、この上にＣｒ下地膜を
４０ｎｍ形成した。この上に同様の条件でＣｏ合金磁性
層を形成した。さらに、その上にカーボン膜を形成し、
潤滑剤をコートして磁気記録媒体とした。得られた媒体
の磁気特性は、Ｈｃ＝３０００（Ｏｅ）、Ｓ* ＝０．８
０であった。この値は、実施例１にかかる媒体と比較し
て、保磁力、角型比ともに低い。また、ＸＲＤ解析から
Ｃｒ下地膜の配向は（１１０）配向を含む（１００）配
向であり、Ｃｏ合金磁性層の配向は、（１０１）配向を
含む（１００）配向であった。最短原子間隔は、Ｃｒが
２．５０（Ａ）、Ｃｏ合金磁性層が２．５６（Ａ）であ
った。従って、下地Ｃｒ膜とＣｏ合金膜の原子半径の違
いは、２．４％程度である。下地膜、Ｃｏ合金磁性層の
平面ＴＥＭ観察では、下地の粒径が５〜２５ｎｍと、実
施例にかかる媒体と比較して、ばらつきが大きかった。
してＭｇＯ膜を１０ｎｍ形成し、この上にＣｒ下地膜を
４０ｎｍ形成した。この上に同様の条件でＣｏ合金磁性
層を形成した。さらに、その上にカーボン膜を形成し、
潤滑剤をコートして磁気記録媒体とした。得られた媒体
の磁気特性は、Ｈｃ＝３０００（Ｏｅ）、Ｓ* ＝０．８
０であった。この値は、実施例１にかかる媒体と比較し
て、保磁力、角型比ともに低い。また、ＸＲＤ解析から
Ｃｒ下地膜の配向は（１１０）配向を含む（１００）配
向であり、Ｃｏ合金磁性層の配向は、（１０１）配向を
含む（１００）配向であった。最短原子間隔は、Ｃｒが
２．５０（Ａ）、Ｃｏ合金磁性層が２．５６（Ａ）であ
った。従って、下地Ｃｒ膜とＣｏ合金膜の原子半径の違
いは、２．４％程度である。下地膜、Ｃｏ合金磁性層の
平面ＴＥＭ観察では、下地の粒径が５〜２５ｎｍと、実
施例にかかる媒体と比較して、ばらつきが大きかった。
【００３９】比較例３ 比較の媒体３として、実施例１と同様の基板上にＮｉＡ
１膜を１００ｎｍ形成し、この上にＣｒ下地膜を４０ｎ
ｍ形成した。さらに実施例１と同じ条件でＣｏ合金磁性
層を形成した。その上にカーボン膜を形成し、潤滑剤を
コートして、磁気記録媒体を得た。この媒体の磁気特性
は、Ｈｃ＝２９００（Ｏｅ）、Ｓ* ＝０．７３であっ
た。この値は、実施例にかかる媒体と比較して、保磁力
・角型比ともに低い。また、ＸＲＤ解析からＣｒ下地膜
の配向は（１００）配向を含む（１１０）配向であり、
Ｃｏ合金磁性層の配向は、（１００）配向を含む（１０
１）配向であった。最短原子間隔は、Ｃｒが２．５０
（Ａ）、Ｃｏ合金磁性層が２．５６（Ａ）であった。従
って、下地Ｃｒ膜とＣｏ合金膜の原子半径の違いは、
２．４％程度である。下地膜およびＣｏ合金磁性層の平
面ＴＥＭ観察では、下地の粒径が、５〜２５ｎｍと、実
施例１にかかる媒体と比較して、ばらつきが大きかっ
た。
１膜を１００ｎｍ形成し、この上にＣｒ下地膜を４０ｎ
ｍ形成した。さらに実施例１と同じ条件でＣｏ合金磁性
層を形成した。その上にカーボン膜を形成し、潤滑剤を
コートして、磁気記録媒体を得た。この媒体の磁気特性
は、Ｈｃ＝２９００（Ｏｅ）、Ｓ* ＝０．７３であっ
た。この値は、実施例にかかる媒体と比較して、保磁力
・角型比ともに低い。また、ＸＲＤ解析からＣｒ下地膜
の配向は（１００）配向を含む（１１０）配向であり、
Ｃｏ合金磁性層の配向は、（１００）配向を含む（１０
１）配向であった。最短原子間隔は、Ｃｒが２．５０
（Ａ）、Ｃｏ合金磁性層が２．５６（Ａ）であった。従
って、下地Ｃｒ膜とＣｏ合金膜の原子半径の違いは、
２．４％程度である。下地膜およびＣｏ合金磁性層の平
面ＴＥＭ観察では、下地の粒径が、５〜２５ｎｍと、実
施例１にかかる媒体と比較して、ばらつきが大きかっ
た。
【００４０】以上の実施例１にかかる媒体及び比較例１
ないし３にかかる媒体をスピンスタンド上でＧＭＲヘッ
ドを用い、そのＲ／Ｗ特性を評価した。この結果、記録
分解能ＰＷ５０は、比較例１ないし３にかかる媒体のそ
れぞれが、２２．８、２２．４、２２．６（ｎｓｅｃ）
であったのに対し、実施例１にかかる媒体では、２１．
４（ｎｓｅｃ）と向上し、２００ｋｆｃｉでのＳｏ／Ｎ
ｍ値も比較媒体に比べて、１．３ｄＢ、２．１ｄＢ、
１．３ｄＢ向上した。
ないし３にかかる媒体をスピンスタンド上でＧＭＲヘッ
ドを用い、そのＲ／Ｗ特性を評価した。この結果、記録
分解能ＰＷ５０は、比較例１ないし３にかかる媒体のそ
れぞれが、２２．８、２２．４、２２．６（ｎｓｅｃ）
であったのに対し、実施例１にかかる媒体では、２１．
４（ｎｓｅｃ）と向上し、２００ｋｆｃｉでのＳｏ／Ｎ
ｍ値も比較媒体に比べて、１．３ｄＢ、２．１ｄＢ、
１．３ｄＢ向上した。
【００４１】さらに、比較例１ないし３にかかる媒体で
は、室温において記録後１０ｓｅｃから１００ｓｅｃ後
に、出力は０．２％程度低下したのに対して、実施例１
にかかる媒体では、低下は、０．１％程度であった。
は、室温において記録後１０ｓｅｃから１００ｓｅｃ後
に、出力は０．２％程度低下したのに対して、実施例１
にかかる媒体では、低下は、０．１％程度であった。
【００４２】本実施例では最短原子間隔として、２．５
６（Ａ）のＣｏ合金磁性層に対して下地膜としてＺｒを
用いたが、このほかにＴｉ、Ｈｆ、Ｃｄ、ＭｇやＡｇ、
Ａｕ、Ａｌなどでも同様の効果が認められた。これらの
最短原子間隔はＣｏ磁性層に対して、１５％〜２５％大
きいものである。
６（Ａ）のＣｏ合金磁性層に対して下地膜としてＺｒを
用いたが、このほかにＴｉ、Ｈｆ、Ｃｄ、ＭｇやＡｇ、
Ａｕ、Ａｌなどでも同様の効果が認められた。これらの
最短原子間隔はＣｏ磁性層に対して、１５％〜２５％大
きいものである。
【００４３】また、下地膜には、粒径を微細に制御する
ため、成膜中に窒素、酸素などを添加しても構わない
し、構造が変化しない限り、同様にターゲット中に他の
元素を添加しても構わない。また、下地膜の粒径を微細
にするため、２種の構造の組成を混相させても構わな
い。
ため、成膜中に窒素、酸素などを添加しても構わない
し、構造が変化しない限り、同様にターゲット中に他の
元素を添加しても構わない。また、下地膜の粒径を微細
にするため、２種の構造の組成を混相させても構わな
い。
【００４４】実施例２ 図４に、本発明の磁気記録媒体の他の例の構造を表す断
面図を示す。
面図を示す。
【００４５】この磁気記録媒体は、例えば以下の工程に
より製造し得る。
より製造し得る。
【００４６】まず、実施例１と同様にして基板１に最密
面配向した４０ｎｍのＺｒ下地層２を形成し、Ｚｒ下地
層２上に、Ｚｒ下地層の格子定数（最短原子半径）とそ
の最短原子半径が１５．２％、すなわちＣｏ合金磁性層
とその最短原子半径が７％異なる非磁性ＨＣＰのＲｅ膜
６を４０ｎｍ形成した。
面配向した４０ｎｍのＺｒ下地層２を形成し、Ｚｒ下地
層２上に、Ｚｒ下地層の格子定数（最短原子半径）とそ
の最短原子半径が１５．２％、すなわちＣｏ合金磁性層
とその最短原子半径が７％異なる非磁性ＨＣＰのＲｅ膜
６を４０ｎｍ形成した。
【００４７】このＲｅ膜６上に、Ｃｏ合金磁性層３、Ｃ
保護膜４、潤滑膜５を実施例１と同様にして形成し、磁
気記録媒体を得た。
保護膜４、潤滑膜５を実施例１と同様にして形成し、磁
気記録媒体を得た。
【００４８】各層まで形成した段階の膜をＸＲＤで解析
することにより、Ｒｅの配向は、Ｃ軸が面内に配向して
いることが確認され、さらにこの上に成長した膜圧１２
ｎｍの合金にも、磁化容易軸が膜面に平行に成長した
（１００）配向結晶が認められた。
することにより、Ｒｅの配向は、Ｃ軸が面内に配向して
いることが確認され、さらにこの上に成長した膜圧１２
ｎｍの合金にも、磁化容易軸が膜面に平行に成長した
（１００）配向結晶が認められた。
【００４９】膜の磁気特性として、Ｈｃ＝３３００（Ｏ
ｅ）、Ｍｒｔ＝０．６ｍｅｍｕ／ｃｍ2 、Ｓ* ＝０．８
２が得られた。
ｅ）、Ｍｒｔ＝０．６ｍｅｍｕ／ｃｍ2 、Ｓ* ＝０．８
２が得られた。
【００５０】この実施例２の媒体について、スピンスタ
ンド上でＧＭＲヘッドを用いて、そのＲ／Ｗ特性を評価
した。この結果、記録分解能ＰＷ５０は、２１．２（ｎ
ｓｅｃ）と実施例１よりも向上した。さらに、Ｓ／Ｎｍ
と信号出力の低下は、実施例１と同様の特性を示した。
ンド上でＧＭＲヘッドを用いて、そのＲ／Ｗ特性を評価
した。この結果、記録分解能ＰＷ５０は、２１．２（ｎ
ｓｅｃ）と実施例１よりも向上した。さらに、Ｓ／Ｎｍ
と信号出力の低下は、実施例１と同様の特性を示した。
【００５１】実施例２にかかる媒体では、格子の乱れた
Ｃｏ合金薄膜の初期成長層が少なくなるため、磁性層の
膜厚が薄いことが要求される、より高記録分解能に対応
した媒体には有利となることがわかった。
Ｃｏ合金薄膜の初期成長層が少なくなるため、磁性層の
膜厚が薄いことが要求される、より高記録分解能に対応
した媒体には有利となることがわかった。
【００５２】
【発明の効果】本発明によれば、安定な結晶成長をする
下地層を使用することにより、結晶粒子の均一性を高
め、磁性層中の磁性粒子の均一性を増し、耐熱揺らぎ性
やＳ／Ｎｍを改善し、高記録密度を実現し得る磁気記録
媒体が得られる。
下地層を使用することにより、結晶粒子の均一性を高
め、磁性層中の磁性粒子の均一性を増し、耐熱揺らぎ性
やＳ／Ｎｍを改善し、高記録密度を実現し得る磁気記録
媒体が得られる。
【図１】 下地と磁性粒子の配置を表すモデル図
【図２】 ＨＣＰ構造のモデル図
【図３】 本発明の磁気記録媒体の一例の構造を表す断
面図
面図
【図４】 本発明の磁気記録媒体の他の一例の構造を表
す断面図
す断面図
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 荻原 英夫 神奈川県川崎市幸区柳町70番地 株式会社 東芝柳町工場内 (72)発明者 及川 壮一 神奈川県川崎市幸区柳町70番地 株式会社 東芝柳町工場内 Ｆターム(参考） 4K029 AA09 AA24 BA02 BA24 BB02 BB07 BC06 BD11 CA05 GA03 5D006 BB01 BB07 CA01 CA05 CA06 DA03 FA09 5E049 AA04 AA09 BA07 DB04 DB12
Claims (2)
- 【請求項１】 基板、該基板上に設けられ、その最短原
子半径がＣｏ合金磁性層の最短原子半径と１５％ないし
２５％異なる最密配向されたＦＣＣまたはＨＣＰ相から
なる下地層、及び該下地層上に設けられたＣｏ合金磁性
層を具備する磁気記録媒体。 - 【請求項２】 基板、該基板上に設けられ、その最短原
子半径がＣｏ合金磁性層の最短原子半径と１５％ないし
２５％異なる最密配向されたＦＣＣまたはＨＣＰ相から
なる最密配向された第１の下地層、該第１の下地層上に
形成され、その最短原子半径が第１の下地層の最短原子
半径と１５％ないし２５％異なり、Ｃｏ合金磁性層の最
短原子半径との差−１０〜１０％である非磁性ＨＣＰ相
からなる第２の下地層及び該下地層上に設けられたＣｏ
合金磁性層を具備する磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10369323A JP2000195033A (ja) | 1998-12-25 | 1998-12-25 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10369323A JP2000195033A (ja) | 1998-12-25 | 1998-12-25 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000195033A true JP2000195033A (ja) | 2000-07-14 |
Family
ID=18494140
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10369323A Pending JP2000195033A (ja) | 1998-12-25 | 1998-12-25 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000195033A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005166719A (ja) * | 2003-11-28 | 2005-06-23 | Seiko Epson Corp | アクチュエータ装置の製造方法及びその製造方法によって形成されたアクチュエータ装置を備えた液体噴射ヘッド |
| US20100246045A1 (en) * | 2007-10-12 | 2010-09-30 | Showa Denko K.K. | Magnetic recording medium, magnetic recording method, and magnetic recording apparatus |
-
1998
- 1998-12-25 JP JP10369323A patent/JP2000195033A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005166719A (ja) * | 2003-11-28 | 2005-06-23 | Seiko Epson Corp | アクチュエータ装置の製造方法及びその製造方法によって形成されたアクチュエータ装置を備えた液体噴射ヘッド |
| JP4645024B2 (ja) * | 2003-11-28 | 2011-03-09 | セイコーエプソン株式会社 | アクチュエータ装置の製造方法 |
| US20100246045A1 (en) * | 2007-10-12 | 2010-09-30 | Showa Denko K.K. | Magnetic recording medium, magnetic recording method, and magnetic recording apparatus |
| US8374070B2 (en) * | 2007-10-12 | 2013-02-12 | Showa Denko K.K. | Magnetic recording medium having piezoelectric material and apparatus for recording information data into such magnetic medium |
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