JP2000188530A - 差動入力をシングル・エンディッド出力に変換するトランスレ―タ - Google Patents

差動入力をシングル・エンディッド出力に変換するトランスレ―タ

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JP2000188530A JP11106896A JP10689699A JP2000188530A JP 2000188530 A JP2000188530 A JP 2000188530A JP 11106896 A JP11106896 A JP 11106896A JP 10689699 A JP10689699 A JP 10689699A JP 2000188530 A JP2000188530 A JP 2000188530A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 差動入力とシングル・エンディッド出力とを
有するトランスレータ回路を提供すること。 【解決手段】 トランスレータの出力がいったん論理ハ
イに切り換えられると、回路がローに切り換えられるま
では、すなわち、出力が肯定的に切り換えられるまで
は、出力信号は、高電圧レールに結合されたままで維持
される。同様に、出力がローに切り換えられると、肯定
的にハイに切り換えられるまで、低電圧レールに結合さ
れたまま維持される。この構成により、負荷とは無関係
に、出力信号が適切な論理状態に完全に切り換えられる
ことが保証される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【関連出願】この出願における優先権主張の基礎となっ
ている米国特許出願は、1998年4月14日に出願さ
れフェアチャイルド・セミコンダクタ・コーポレーショ
ンに譲渡されている米国特許仮出願第60/081,697号に基
づくものである。
【0002】
【発明の属する技術分野】本発明は、差動からシングル
・エンディッドへのトランスレータ回路の分野に関す
る。更に詳しくは、本発明は、CMOSベースである、
そのようなトランスレータ回路に関する。更にまた詳し
くは、本発明は、速度が最も重要であるCMOSトラン
スレータであって、その設計が広いレンジの出力負荷に
亘って用いることができるCMOSトランスレータに関
する。特に、本発明は、非常な高速度で動作すると共に
大きな出力負荷を駆動することをトランスレータに要求
するような条件下で機能することが必要なCMOSトラ
ンスレータ回路に関する。
【0003】
【従来の技術】作動からシングル・エンディッドへのト
ランスレータは、差動入力信号をシングル・エンディッ
ド出力信号に変換する広範囲の応用例において用いられ
る。差動入力信号は、一般に適切に定義された(well-d
efined)基準レベルを有しておらず一般に浮動的であり
うる2つのラインによって提供され、この入力信号は、
これら2つのラインの間の電位差に等しい。シングル・
エンディッド出力は、固定された電位、典型的にはグラ
ンドを基準とする。一般に、ここでの信号はデジタルで
あり、一連の論理ハイおよび論理ローの値から構成され
る。差動からシングルへの変換を提供することとは別
に、これらのトランスレータは、また、入力信号対の振
幅を、それ以降の段において有用となるのに十分に堅固
(ロバスト、robust)である信号を得るのに必要な程度
まで増加させるのに用いられる。本発明の背景と新規性
とを説明するために、「トランスレータ」という用語
は、特に指定しない限りは、差動入力からシングル・エ
ンディッド出力へのトランスレータを指すのに用いるこ
とにする。更に、この用語は、バイポーラ・トランジス
タ・ベースではなくMOSFETベースであるトランス
レータに限定される。時には、このトランスレータは、
入力増幅器段とコンバータ段との組合せとして論じられ
る。ここで、入力増幅器段は、入力された差動信号に対
して増幅される中間的な差動信号を生じる。コンバータ
段は、(増幅された)差動信号からシングル・エンディ
ッドな信号への実際の変換を行う。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】1996年2月13日
にKuoに対して発行されたナショナル・セミコンダクタ
・コーポレーションに譲渡されている米国特許第5,491,
455号には、CMOSトランスレータが記載されてい
る。図1(従来技術)には、Kuo特許のトランスレータ
回路の心臓部が図解されている。ただし、入力増幅器段
は、示されていない。一般的な応用にとっては不運であ
るが、Kuo特許による回路は、出力負荷条件によって
は、適切に機能しない。更に、Kuo特許によるトランス
レータの動作には、使用方法を限定してしまう非対称性
が存在する。しかし、最も深刻な問題は、負荷が大きな
場合への対処である。図1を参照すると、トランスレー
タのシングル・エンディッド出力が、インバータに与え
られている様子が示されている。インバータが大きくな
ればなるほど、Vout上の容量性ローディングが大きく
なり、Vout(とインバータ入力と)をハイに駆動する
のに、より長い時間がかかる。この問題は、両方向の変
化において存在するというのではなく、ローからハイへ
の変化に伴って生じる。Kuoによるトランスレータの非
対称性の1つの結果である。Voutをハイに駆動する電
流は入力信号における論理的切り換えの後で限定された
時間間隔の間だけ提供され、その後で電流は遮断される
というのは、Kuoによる回路に内在的なことである。従
って、十分な駆動電流が供給されてVo utがハイになる
前にこの遮断が生じる可能性があり、Voutは、ローと
ハイとの間のどこかで浮遊することになる。これは、ト
ランスレータに依存するどの回路の動作にとっても、明
らかに問題のある結果である。
【0005】この問題に対処する1つの方法として、一
連のCMOSインバータを用いる方法がある。これによ
って、Voutが単一の大きなキャパシタンスの中に含ま
れることを要することなく、全体として大きなゲインが
可能となる。一連の小さな面積(エリア)のインバータ
は、単一の大きな面積のインバータとして、全体として
は、同じゲインを与えることができ、同時に、Vout
対しては、当初のものと同じだけのキャパシタンスを有
するように振る舞うことができる。この解決法は、トラ
ンスレータを用いている回路が、単一の経路に一連のイ
ンバータを配置することによって生じるスイッチング速
度の低下を許容することできる限りは、採用可能であ
る。もちろん、そのような事態を許容することができる
ような状況下であっても、多数の面積を要するインバー
タを用いることは望ましくない。
【0006】Kuoによるトランスレータの問題点に特に
着目するために、もう一度、図1を参照する。これは、
トランスレータのコンバータ段である。INがローに
(そして、IN_BARがハイに)切り換えられたと仮
定する。すると、入力INによって、N5とN4とがオ
フになる。IN_BARがハイであることにより、N2
とN3とが、オンになる。当初はオンであるN6を低電
圧パワー・レールに結合するので、N3のドレインはロ
ーである。これによって、ローである電圧がP3のゲー
トに与えられることになり、P3がオンになり、Vout
がVccに結合される。しかし、IN_BARがハイであ
りN2のゲート電圧をハイに維持していることによっ
て、N2がハード・オンであることは、常にオンである
N7を介してN2のドレインとグランドとのあいだにリ
ンクが確立されていることを意味する。非常に短い時間
の後に、これによって、ドレイン・ゲート結合されたN
1のドレインがローになる。この点はN6のゲートに直
接に接続されているので、これによって、ある時間経過
の後で、N6がオフになる。従って、Voutは、Vcc
のリンクから切断されることになり、浮遊することにな
る。Voutがスレショルドをハイに通過させていないよ
うな状況では、このようなことは決して生じない。これ
は、Voutが大きな負荷の中に与えられるような状況で
ある。このような設定においては、1つの大きなインバ
ータを用いるのではなく、一連の小さなインバータを用
いるような、現時点で利用可能な修正方法では、スルー
プットの信号速度が低下する。これは、多くの重要な応
用例では、許容できない事態である。
【0007】従って、基本的な設計を変更することなく
広範囲の負荷を扱うことができるような差動からシング
ル・エンディッドへのトランスレータ回路が必要であ
る。また、結果としてチップ面積への要求を増さずに、
単純で最小の電力を必要とするような回路が必要であ
る。最後に、広範囲の負荷を可能にすることの代償とし
て速度を低下させないような回路が必要となる。
【0008】本発明の目的は、基本的な設計の変更せず
に、広範囲の負荷を与えることができる差動からシング
ル・エンディッドへのトランスレータ回路を作成するこ
とである。更に、付随的な目的は、この回路が結果的に
より大きなチップ面積を必要としたり、動作が遅くなっ
たりせず、最小の動作電力だけを必要とするようにする
ことである。
【0009】本発明によるトランスレータ回路は、大き
な負荷が存在する場合にKuoによるトランスレータ回路
に負担をかける中間的な切り換えを行うプルアップ及び
切断を排除している。更に、本発明によるトランスレー
タ回路は、これを、速度を低下させることなく達成して
いる。
【0010】従来技術によるトランスレータと本発明に
よるトランスレータとの基本的な差異は、本発明の場合
には、トランスレータの出力がいったん論理ハイに切り
換えられると、回路がローに切り換えられるまでは(す
なわち、出力が肯定的に切り換えられるまでは)、高電
圧レールに結合されたままで維持されることである。同
様に、本発明では、出力がローに切り換えられると、肯
定的にハイに切り換えられるまで、低電圧レールに結合
されたまま維持される。これは、本発明のコンバータ段
を示している図2を参照することによって、理解できる
はずである。
【0011】ここに示されている本発明によるトランス
レータでは、IPP及びINNは、それぞれが、P3及
びN3のゲートを駆動する既知の技術を用いた電圧発生
器であり、これらのトランジスタがハード・オンではな
いが、オンすることを保証している。すなわち、電流が
これらのトランジスタを流れている限りは、それぞれの
トランジスタのソース・ドレイン間でかなりの電圧降下
が存在する。しかし、電流が停止すると、これらのトラ
ンジスタのドレイン・ノードは、それぞれが、Vccとグ
ランド(GROUND)とになる。実際的な目的のために、こ
れらは、受動的な抵抗のように作用し、実際にも、回路
の作成又は実現過程においてこの方が利点があると考え
られる場合には、単純な抵抗によって代替することも可
能である。
【0012】更に図2を参照して、INがローに切り換
えられた(そして、その結果として、IN_BARがハ
イに切り換えられた)と仮定する。これによって、P4
がオンになる。P4のドレインはVoutに結合されてい
るので、これによって、常にオンであるP3とVout
の間の結合が確立される。従って、P4は、VoutをP
3に結合させることにより、プルアップ容易化デバイス
(pullup-facilitatingdevice)と考えることができ、
それにより、Voutをハイに駆動するのに必要な電流が
出力ノードに流れることが可能になる。しかし、この電
流経路は、VoutをVccまですべて駆動することはでき
ない。P4がオンになる前には、そのハイ側、すなわ
ち、そのソース・ノードと、P3のロー側、すなわち、
そのドレインとは、高電圧パワー・レールと同じ電位を
有していることに注意すべきである。電流がP3を流れ
始めた後になって初めて、その両端に電圧降下が生じる
のである。この点で、IPPとP3との組合せもまた、
受動抵抗デバイスのように機能する。IN_BARがハ
イでありN1をオンにするので、別の経路が、同時に、
確立される。常にオンであるN3がグランドまでの経路
を提供するので、これによって、P2にそれをハード・
オンさせるのに必要なゲート電圧が提供される。この時
点で、Voutは、P2を介して、高電圧パワー・レール
ccに結合され、Vccまで駆動される。いったんP2が
オンになると、IN_BARがハイである限りは、それ
をオフにする事態は何も生じないことに注意すべきであ
る。更に、VoutがVccの方向に変化するにつれて、P
3を流れる電流は停止することに注意すべきである。こ
れは、電流を維持するのに必要なソース・ドレイン間の
電圧降下がもはや存在しないからである。入力論理が変
化し、IN_BARがローになると、N1はオフに切り
換わり、P1を流れる電流は停止する。P1を流れる電
流が停止すると、このドレイン・ゲート結合されたトラ
ンジスタのドレイン・ノードはVccになり、その結果と
して、論理ハイの電圧がP2の制御ノードに与えられ、
P2をオフにする。P1が存在しないとすると、P2は
オンのままであり、IN_BARがローに切り換えられ
ると、その制御ノードは孤立する。これによって、N2
がオンに切り換えられる(以下を参照)と、2つのパワ
ー・レールの間に直接的な結合が存在することになる。
この意味で、P1は、又は、P2の制御ノードが孤立す
ることを防止するための機能を果たすどのようなデバイ
スも、アンカリング(固定、anchoring)デバイスであ
る。
【0013】図2の回路への差動入力が切り換えられそ
れによってIN_BARがローになりINがハイになる
ときには、同様の(そして対称的な)機構によって、V
outがローに駆動される。INがハイであることによっ
てN2がオンになり、従って、VoutがN3を介して、
グランドに結合される。これによって、Voutへの電流
の流れが提供されて、それをローに駆動するが、N3の
両端での電圧降下のために、それ自身では、Voutをグ
ランドまで駆動することはない。同時に、Voutをロー
に駆動する電流を提供するために設定される別の経路が
存在する。IN_BARがローであると、P5はオンに
なり、P5のドレインをP3を介してハイにする。これ
によって、N4をハード・オンする。N4は、次に、V
outからグランドまでの直接的なリンクを提供し、回路
が次に肯定的に切り換えられる(affirmative switchin
g)までそのリンクを維持する。VoutはN2を介してN
3のドレインに結合されたまま維持されるので、N3を
流れる電流は、Voutがグランドに到達すると、停止す
ることに注意すべきである。IN_BARがローに維持
される限りは、N4はハード・オンのままであり、V
outをグランドに結合することにも注意すべきである。
トランジスタN5はP1と類似の役割を有し、IN_B
ARがハイに切り換わるときにN4がオフになることを
保証する。
【0014】ここまでは、トランスレータ回路は、スタ
ンドアロンの回路として説明してきた。トランスレータ
回路は、より大きな回路の一部として用いられることを
示したが、回路モジュールとしては、差動信号レベルを
この回路のトランスレータ部分が機能することができる
点まで引き上げる入力増幅器段が備わっているのが通常
である。換言すると、トランスレータ回路を提供する際
には、入手可能な差動信号レベルがコンバータを駆動す
るのに十分ではない場合には、そのトランスレータのた
めに適切な入力増幅器段を通常は提供しなければならな
い。また、逆に、その信号が既に十分な大きさを有して
いる場合には、コンバータは、前置的な増幅なしで、す
なわち、入力段なしで、用いることができる。このこと
は、一般的に図3に示されている。図3では、本発明に
よるトランスレータを備えた一般的なトランスレータ入
力段が示されている。この時点で、全体としてのトラン
スレータ回路は、入力段とコンバータ段とから構成され
るものとして考えることができる。本発明のコンバータ
段と共に用いられる特定の入力段は、回路が用いられる
応用例によって決定される。同様にして、トランスレー
タ出力におけるインバータの数とサイズともまた、その
特定の応用例によって決定される。本発明の効果は、広
範囲の応用例において用いることができる基本的なコン
バータ回路設計が得られるということである。すなわ
ち、その応用例において予測される負荷やそれ以外の特
定の特徴によって、アドホックなコンバータの設計をす
る必要がないということである。本発明によるトランス
レータはこの点に関して融通性を有しているというだけ
ではなく、更に、高速度で動作し大きな出力負荷を扱う
ことができるというの両方を必要とする応用例において
必要とされるトランスレータを満足させるということも
強調されるべきであろう。これは、特定の列の出力イン
バータと特定の入力段とを備えた回路を、トランスレー
タを必要としている任意の回路に組み入れることができ
ることを意味しているのではない。そうではなく、本発
明によるトランスレータの設計コンセプトは、本発明の
特定の実施例(出力インバータのサイズ及び数、入力段
の性質など)がそれ以外の点ではその回路の要求に応じ
てカスタマイズされている限りは、広範囲の出力負荷イ
ンピーダンスを与える回路において用いることができる
ことを意味する。このカスタマイズは、出力インバータ
のサイズ及び数、トランスレータの入力段のゲインなど
の周辺的な項目に関係する。
【0015】最後に、本発明による回路には具体性を与
えるという目的で特定の形式(すなわち、図2及び図3
のコンバータ段に示されている形式)が割り当てられて
いるが、本発明自体は、その形式よりも広い内容を有し
ている。本発明のキーとなる、そして、本発明を従来技
術と区別する特徴は、出力信号を論理ハイに切り換える
際に、本発明の回路は、その信号を高電圧レールに直接
に接続し、その信号がその論理状態に留まるべきである
と考えられる時間の間はそのまま維持されるという点に
ある。
【0016】
【発明の実施の形態】本発明の好適実施例が図4に示さ
れている。この図では、図3の一般的な入力増幅器段が
明示的になっている。特定の入力段とスイッチング機能
の外部にありそれをサポートするそれ以外の特徴とを用
いることが最終的には必要ではあるが、本発明は、どの
ような特定の組のそのようなパラメータや特徴に結びつ
いていないことが、これまでの議論から明らかになって
いるはずである。好適実施例に付いて論じるために、回
路の全体を、入力段100(図4の垂直方向の点線の左
側部分)と、コンバータ段200(点線の右側部分)と
に分割する。入力段100は、差動入力信号対GTLP
INPUTとREFERENCEとを増幅して、中間
的な差動信号対INとIN_BARとを生じさせる。コ
ンバータ段200は、次に、増幅された差動信号対IN
とIN_BARとを、シングル・エンディッドの出力V
outに変換し、Voutは、インバータI1を駆動する。こ
こで論じる好適実施例において注意すべきは、差動入力
対の一方であるREFERENCEが、差動入力がハイ
であるかローであるかとは関係なく、1ボルトのレベル
に維持されるということである。すなわち、差動入力信
号の論理値は、GTLP INPUTのレベルだけによ
って決定されるということである。ただし、この特別の
事情は、差動入力対における電圧レベルの性質をいかな
る意味においても限定することはない。実際、この分野
の当業者であれば、好適実施例の動作に関するコメント
は、差動入力対のそれぞれにおける電圧が変動するよう
な状況にも適用されうることを理解するはずである。ま
た、好適実施例の回路では、差動入力電圧のダイナミッ
ク・レンジは比較的狭く、それによって、ローからハイ
への及びハイからローへのスイッチングは、1ボルトの
基準レベルの約±50mVの範囲の非常に狭い入力レン
ジで生じることになる。従って、差動入力電圧に関して
は、ハイは、1.050ボルトであり、ローは、0.9
50ボルトである。ただし、この制限は、本発明による
回路の一般的な使用に適用されることはない。実際に
は、本発明の核心はコンバータ段であり、入力段が設計
される条件は、本発明のトランスレータ回路全体の動作
にとっては、偶然的であるに過ぎない。同様に、好適実
施例はその出力において1つのインバータを用いること
にも注意すべきである。一般的には、インバータ回路
は、本発明による回路が用いられる応用例の特定の必要
性によって決定される。
【0017】更に図4を参照すると、QP1及びQP6
のゲートを駆動するのに、電圧発生器75が用いられる
ことに注意すべきである。電圧レベルは、トランジスタ
をオンさせるように、ただし、ハードにオンさせるので
はないが、選択される。基準発生器75は、QP1及び
QP6における飽和レンジ電流を確立する。QP1及び
QP6のソース・ノードが共に高電圧レールVccに直接
に接続されていることにより、それぞれのドレイン・ノ
ードは、常にハイである。ただし、既に述べた理由によ
り、他の電圧源がドレイン・ノードの電圧を上昇させな
い限り、Vccに達する程には高くない。QP1とQP6
とは、面積が異なる場合がありうることを除いては同一
に製造されているので、基準発生器75によってこれら
がそれぞれのゲート・ノードにおいて同じ電圧を有する
ことが保証されるということは、これらのトランジスタ
を介して生じる電流は相互に単純な関係を有しているこ
とを意味する。特に、これらが同じ面積を有するように
作られている場合(好適実施例の場合)には、これらの
電流は同じになる。また、QP6がQP1の2倍の面積
を有する場合には、QP6を流れる電流は、QP1を流
れる電流の2倍となる。
【0018】好適実施例では、差動入力の一方であるR
EFERENCEは常に同一である。更に詳しくいえ
ば、REFERENCEは、1ボルトに固定されてい
る。ローである差動入力は、GTLP INPUTが1
ボルトよりも低いことを要求し、ハイである差動入力
は、1ボルトよりも高いことを要求する。従って、GT
LPINPUTをロー又はハイと称することができる
し、(1ボルトに固定されている)REFERENCE
をハイ又はローと称することができる。
【0019】GTLP INPUTがローであるときに
は、QP2及びQP3は、共にハードにオンになり、Q
P1からの電流すべてをシンクし、従って、中間的な信
号IN_BAR(QP2及びQP1を介してVccに結合
されている)を、QP1の両端での降下の分だけVcc
りも低いのであるが、ハイにする。QP3がハードにオ
ンであると、QN2のゲートはハイになり(上述のもの
と同じ理由により、V ccほどには高くないが)、QN2
をハードにオンにする。同じゲート電圧がQN2を駆動
するようにQN3を駆動し、(一般的にはそうではない
としても)好適実施例においてはQN3とQN2との面
積は相互に等しいので、QN2を流れる電流は、QN3
を流れる電流と同じである。QN3を流れる電流は、Q
N3のドレインに結合されている中間的な信号INをロ
ーに引き下げる。これによって、QP9がハードにオン
し、VccからQP6(これはオンであり、基準発生器7
5に起因する電流を、飽和レンジではあるが、導通させ
る)を介してQP9のドレインまでの経路を提供する。
outがQP9のドレインに直接に接続されているの
で、Voutは、QP9及びQP6を介してVccに接続さ
れている。従って、Vo utは、ハイに切り換えられる。
ただし、QP6の両端での電圧降下のために、V ccより
は低い。
【0020】IN_BARは、QN5及びQN10のゲ
ートを駆動する。従って、ハイであるときには、QN5
をハードにオンさせ、ゲート・ドレイン結合されたQP
7のゲートとドレインとをQN7のドレインに結合す
る。QN7はそのゲートが基準発生器85によって駆動
されていることによりオンであるから、これによって、
QP7及びQP8のゲート電圧はローになる。この時点
で、VoutはハードにオンであるQP8を介してVcc
ワー・レールに接続され、従って、Voutは、Vc cまで
引き戻される。Voutはハード・オンであるQP9を介
して、QP6のドレインに接続される。QP6のドレイ
ンとソースとの両方がVccであるから、QP6を流れる
電流は停止する。
【0021】要約すると、本発明の好適実施例において
GTLP INPUTがローに切り換わると、V
outは、ある時点までは同時かつ並列的に作用する2つ
のルートを介してハイになる。Voutをハイに切り換え
るのに必要な電流を提供する第1のルートは、Vout
ccになる前にオフになり、Vccへのプルアップを完了
するためにそれを他方のルートに任せる。これがいった
ん達成されると、Voutは、完全にオンであるトランジ
スタ(QP8)を介して直接にVccに結合された状態に
維持される。回路が次に切り換えられるまでは、QP8
はオンに維持され、V outをVccに結合している。Vout
をハイに駆動するこの第1のルートは、次のシーケンス
で生じる。すなわち、(a)GTLP INPUTがロ
ーに切り換わり、QP3をハード・オンさせる。(b)
これによって、QN3のゲートがハイになり、QN3を
ハード・オンさせる。(c)QN3がオンであることに
より、そのドレインと中間的な入力INとが、ローに引
き下げられる。(d)中間的な入力INがローであるこ
とによって、QP9がハード・オンし、従って、常にオ
ンであるQP6を介してのVccとVoutとの間のリンク
が完成する。従って、この完成した電流経路は、Vcc
QP6>QP9>Voutである。
【0022】Voutをハイに駆動する電流を提供する他
方のルートは、次のシーケンスで生じる。すなわち、
(a)GTLP INPUTがローに切り換わり、QP
2をハード・オンさせる。(b)QP2がハード・オン
であることにより、中間的な入力IN_BARがハイに
なる(ただし、Vcc程には高くない)。(c)IN_B
ARがハイであることによって、QN5のゲートがハイ
に駆動され、QN5がハード・オンする。(d)QN5
がハード・オンであることによって、QP8のゲートが
ローになり、QP8をハード・オンさせる。(e)QP
8がハード・オンであることにより、VoutがVccに直
接に結合される。従って、この完成した電流経路は、V
cc>QP8>Voutである。
【0023】逆に、GTLP INPUTがハイに切り
換わると、QP2及びQP3は、オフになる。REFE
RENCEは同時にローになり(ただし、1ボルトには
維持されている)、従って、スイッチングQP4及びQ
P5をハード・オンに切り換える。QP2及びQP3が
オフであり、QP4及びQP5がハード・オンである
が、常にオンであるQP1からのすべての電流をシンク
するのは、後者の対QP4及びQP5である。中間的な
信号INは、QP4のドレインに直接に接続されている
ので、ハイに引き上げられる。ただし、QP1の両端で
の電圧降下の分だけVccよりも低い。ドレイン・ゲート
接続されたQN4は、ハード・オンではないが、オンで
ある。QN4を流れる電流は、QN1を流れる電流と等
しいが、これは、これら2つの飽和領域で動作している
トランジスタの面積が等しくそれぞれのゲートが接続さ
れているからである。QN1がオンであるから、QN1
のドレインに直接に接続されている中間的な入力IN_
BARはローに引き下げられる。ただし、QN1にサポ
ートされる電圧降下のために、グランドまで下がること
はない。
【0024】中間的な入力INがハイであり、中間的な
入力IN_BARがローであるから、QN5及びQN1
0はオフになり、QN6及びQN9がオンになる。この
結果として、QN7の電流は、QN6を介してVout
で流れ、従って、Voutをローにする。ただし、QN7
の両端に存在する電圧降下の分だけグランドよりも高
い。QP9の電流はQP1の電流と等しいが、これは、
好適実施例では同じ面積を有するこれらの2つのトラン
ジスタが共通のゲート電圧を有しているからである。こ
のQP9は、QP10とゲート・ドレイン接続されたQ
N9を流れる。QP10がハード・オンであるから、Q
P8のゲートは、ハイになる。ただし、QP6の両端の
電圧降下の分だけVccよりは低い。これによって、QN
8はハード・オンになり、Voutをグランドに接続す
る。すなわち、QN8をオンにすることによって、V
outがグランドまで引き下げられる。
【0025】Voutの電圧レベルは、それ自身で、QN
7のドレインに与えられる。QN7のドレインとソース
との両方はグランドであるから、QN7を流れる電流は
停止する。従って、この特定の好適実施例では、本発明
に組み込まれた(ローからハイへ及びハイからローへ)
outを切り換えることに関する一般的な対称性が明ら
かであることがわかる。
【0026】要約すると、Voutをハイに切り換える場
合と同じように、駆動電圧がVoutまで流す2つのルー
トがあることになる。その一方だけが、Voutが実際に
グランドになるまで、駆動を提供し続ける。第2のルー
トは、この回路がその状態に維持される限り、すなわ
ち、GTLP INPUTが次に切り換わるまで、V
outをグランドに結合している。
【0027】Voutをローに駆動する第1のルートは、
次のようにまとめることができる。(a)REFERE
NCEがローになり、QP4をオンに切り換える。
(b)QP4がオンであることにより、中間的な入力I
Nを、Vccに結合されており常にオンであるQP1のド
レインにリンクさせ、従って、中間的な入力INをハイ
に切り換える。(c)INがハイに切り換わることによ
って、QN6がオンになり、これによって、Voutが、
常にオンであるQN7を介してグランドに結合され、V
outをローにする。ただし、QN7の両端での電圧降下
のために、グランドまで低くはならない。Voutをロー
に駆動する電流を提供することになるこうして完成した
電流経路は、グランド>QN7>QN6>Voutであ
る。
【0028】Voutをローに駆動する電流を提供する他
方のルートも、同様にしてたどることができる。その結
果として、グランド>QN8>Voutという経路が完成
する。
【0029】この回路の動作における対称性に注意すべ
きである。これによって、差動入力対GTLP INP
UT及びREFERENCEを単に反転させることによ
って、コンバータ段からの出力の位相を反転させること
ができる。
【0030】好適実施例において与えた特徴はどれも特
許請求の範囲によって定義される本発明の範囲を限定す
ることは意図していないことに注意すべきである。これ
らの特徴は、(a)好適実施例に関連する差動信号入力
(GTLP INPUTからREFERENCEを減算
したもの)の特定の小さな偏位(excursion)と、
(b)差動入力対の一方、すなわち、REFERENC
Eの電圧レベルの不変性と、(c)Voutをハイ又はロ
ーに変化させる2つのルートが同時に動作する程度と、
を含むが、これに限定されるものではない。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来技術によるトランスレータ回路のコンバー
タ段である。
【図2】本発明によるトランスレータ回路のコンバータ
段である。
【図3】本発明によるトランスレータ回路のコンバータ
段が、一般的な入力増幅器段に結合されている図であ
る。
【図4】本発明の好適実施例を表すトランスレータ回路
である。

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 (1)同相モードを有しうる入力電圧線
    と反転入力電圧線との間の差動電圧として測定された入
    力電圧を、(2)単一の出力電圧線とグランドを含む任
    意の固定された電位基準との間で測定された出力電圧に
    変換するトランスレータ回路であって、 (a)入力ノードと、 (b)反転入力ノードと、 (c)出力ノードと、 (d)高電圧パワー・レールと、 (e)低電圧パワー・レールと、 (f)第1のプルアップ・トランジスタと、 (g)第2のプルアップ・トランジスタと、 (h)第1のプルアップ容易化トランジスタと、 (i)第2のプルアップ容易化トランジスタと、 (j)第1の電圧発生器と、 (k)第1のプルダウン・トランジスタと、 (l)第2の電圧発生器と、 (m)第1のアンカリング・デバイスと、 を備えており、前記入力ノードは、前記第1のプルアッ
    プ容易化トランジスタの制御ノードに直接に接続され、
    前記第1のプルアップ容易化トランジスタのロー側は、
    前記出力ノードに直接に接続され、前記第1のプルアッ
    プ容易化トランジスタのハイ側は、前記第1のプルアッ
    プ・トランジスタのロー側に直接に接続されており、 前記反転入力ノードは、前記第2のプルアップ容易化ト
    ランジスタの制御ノードに直接に接続され、前記第2の
    プルアップ容易化トランジスタのロー側は、前記第1の
    プルダウン・トランジスタのハイ側に直接に接続され、
    前記第2のプルアップ容易化トランジスタのハイ側は、
    前記第2のプルアップ・トランジスタの制御ノードに直
    接に接続されており、 前記第1のプルアップ・トランジスタのハイ側は、前記
    高電圧パワー・レールに直接に接続され、前記第1の電
    圧発生器は、前記高電圧パワー・レールと前記第1のプ
    ルアップ・トランジスタの制御ノードとの間に接続さ
    れ、前記第1の電圧発生器は、このトランスレータ回路
    に給電がなされているときには常に前記第1のプルアッ
    プ・トランジスタを部分的にオンさせるように設計され
    ており、 前記第1のプルダウン・トランジスタのロー側は、前記
    低電圧パワー・レールに直接に接続され、前記第2の電
    圧発生器は、前記低電圧パワー・レールと前記第1のプ
    ルダウン・トランジスタの制御ノードとの間に接続さ
    れ、前記第2の電圧発生器は、このトランスレータ回路
    に給電がなされているときには常に前記第1のプルダウ
    ン・トランジスタを部分的にオンさせるように設計され
    ており、 前記第1のアンカリング・デバイスは、前記高電圧パワ
    ー・レールと前記第2のプルアップ・トランジスタの前
    記制御ノードとの間に接続され、前記第2のプルアップ
    容易化トランジスタがオフであるときには、前記第1の
    アンカリング・デバイスが、前記第2のプルアップ・ト
    ランジスタをオフさせ、 また、前記入力ノードに印加された論理ロー信号は、前
    記第1のプルアップ容易化トランジスタを完全にオンさ
    せ、それによって、前記出力ノードを、前記第1のプル
    アップ容易化トランジスタと前記第1のプルアップ・ト
    ランジスタとを介して、前記高電圧パワー・レールに結
    合し、結果的に、電流を前記高電圧パワー・レールから
    前記出力ノードに供給し、 他方で、前記反転入力ノードに同時に印加された相補的
    な論理ハイ信号は、前記第2のプルアップ容易化トラン
    ジスタを完全にオンさせ、それによって、論理ロー信号
    を前記第2のプルアップ・トランジスタの前記制御ノー
    ドに印加し、更に、それによって、前記第2のプルアッ
    プ・トランジスタを完全にオンさせ、結果的に、前記出
    力ノードを前記高電圧パワー・レールに接続して、前記
    出力ノードを論理ハイまで引き上げその状態に保持する
    ことを特徴とするトランスレータ回路。
  2. 【請求項2】 請求項1記載のトランスレータ回路にお
    いて、第2のプルダウン・トランジスタと、第1のプル
    ダウン容易化トランジスタと、第2のアンカリング・デ
    バイスと、第2のプルダウン容易化トランジスタと、を
    更に備えており、 前記第2のプルダウン・トランジスタのハイ側は前記第
    1のプルアップ容易化トランジスタの前記ロー側に結合
    され、前記第2のプルダウン・トランジスタのロー側
    は、前記低電圧パワー・レールに直接に接続され、前記
    第2のプルダウン・トランジスタの制御ノードは、前記
    第2のアンカリング・デバイスのハイ側と、前記第2の
    プルダウン容易化トランジスタのロー側とに直接に接続
    され、 前記第2のプルダウン容易化トランジスタの制御ノード
    は、前記反転入力に直接に接続され、前記第2のプルダ
    ウン容易化トランジスタのハイ側は、前記第1のプルア
    ップ・トランジスタの前記ロー側に直接に接続され、 前記入力ノードに印加された論理ハイ信号は、前記第1
    のプルアップ容易化トランジスタをオフさせ、他方で、
    前記第1のプルダウン容易化トランジスタをオンさせ、
    それによって、前記出力ノードを前記第1のプルダウン
    ・トランジスタを介して前記低電圧パワー・レールに結
    合し、 また、前記反転入力ノードに同時に印加された相補的な
    論理ロー信号は、前記第2のプルアップ容易化トランジ
    スタをオフさせ、他方で、前記第2のプルダウン容易化
    トランジスタをオンさせ、従って、前記第2のプルダウ
    ン・トランジスタの制御ノードを前記第1のプルアップ
    ・トランジスタを介して前記高電圧パワー・レールに結
    合し、前記第2のプルダウン・トランジスタを完全にオ
    ンさせ、従って、前記出力ノードと前記低電圧パワー・
    レールとの間に第2の経路を提供することを特徴とする
    トランスレータ回路。
  3. 【請求項3】 請求項2記載のトランスレータ回路にお
    いて、前記第1のアンカリング・デバイスは、ゲート・
    ドレイン結合されたPMOSトランジスタであり、前記
    第2のアンカリング・デバイスは、ゲート・ドレイン結
    合されたNMOSトランジスタであることを特徴とする
    トランスレータ回路。
  4. 【請求項4】 請求項3記載のトランスレータ回路にお
    いて、この回路におけるすべてのトランジスタは、MO
    SFETトランジスタであることを特徴とするトランス
    レータ回路。
  5. 【請求項5】 請求項4記載のトランスレータ回路にお
    いて、前記出力ノードはインバータ(I1)であり、前
    記インバータの出力は、このトランスレータ回路の最終
    的な出力を構成することを特徴とするトランスレータ回
    路。
  6. 【請求項6】 請求項5記載のトランスレータ回路にお
    いて、入力段入力と入力段反転入力と入力段出力と入力
    段反転出力とを有する入力段回路と、組み合わされてお
    り、前記入力段回路は、前記高電圧パワー・レールと前
    記低電圧パワー・レールとの間に結合され、前記入力段
    出力は、前記入力ノードに直接に接続され、前記入力段
    反転出力は、前記反転入力ノードに直接に接続され、前
    記入力段回路は、このトランスレータ回路に向けられた
    任意の信号を増幅するように機能することを特徴とする
    トランスレータ回路。
  7. 【請求項7】 (1)同相モードを有しうる入力電圧線
    と反転入力電圧線との間の差動電圧として測定された入
    力電圧を、(2)単一の出力電圧線とグランドを含む任
    意の固定された電位基準との間で測定された出力電圧に
    変換するトランスレータ回路であって、 (a)入力ノードと、 (b)反転入力ノードと、 (c)出力ノードと、 (d)高電圧パワー・レールと、 (e)低電圧パワー・レールと、 (f)第1のプルアップ・デバイスと、 (g)プルアップ・トランジスタと、 (h)第1のプルアップ容易化トランジスタと、 (i)第2のプルアップ容易化トランジスタと、 (j)第1のプルダウン・デバイスと、 (k)第1のアンカリング・デバイスと、 を備えており、前記入力ノードは、前記第1のプルアッ
    プ容易化トランジスタの制御ノードに直接に接続され、
    前記第1のプルアップ容易化トランジスタのロー側は、
    前記出力ノードに直接に接続され、前記第1のプルアッ
    プ容易化トランジスタのハイ側は、前記プルアップ・デ
    バイスのロー側に直接に接続されており、 前記反転入力ノードは、前記第2のプルアップ容易化ト
    ランジスタの制御ノードに直接に接続され、前記第2の
    プルアップ容易化トランジスタのロー側は、前記プルダ
    ウン・デバイスのハイ側に直接に接続され、前記第2の
    プルアップ容易化トランジスタのハイ側は、前記プルア
    ップ・トランジスタの制御ノードに直接に接続されてお
    り、 前記第1のプルアップ・トランジスタのハイ側は、前記
    高電圧パワー・レールに直接に接続され、 前記プルダウン・デバイスのロー側は、前記低電圧パワ
    ー・レールに直接に接続され、 前記第1のアンカリング・デバイスは、前記高電圧パワ
    ー・レールと前記プルアップ・トランジスタの前記制御
    ノードとの間に接続され、前記第2のプルアップ容易化
    トランジスタがオフであるときには、前記第1のアンカ
    リング・デバイスが、前記プルアップ・トランジスタを
    オフさせ、 また、前記入力ノードに印加された論理ロー信号は、前
    記第1のプルアップ容易化トランジスタを完全にオンさ
    せ、それによって、前記出力ノードを、前記第1のプル
    アップ容易化トランジスタと前記プルアップ・デバイス
    とを介して、前記高電圧パワー・レールに結合し、結果
    的に、電流を前記高電圧パワー・レールから前記出力ノ
    ードに供給し、 他方で、前記反転入力ノードに同時に印加された相補的
    な論理ハイ信号は、前記第2のプルアップ容易化トラン
    ジスタを完全にオンさせ、それによって、論理ロー信号
    を前記プルアップ・トランジスタの前記制御ノードに印
    加し、更に、それによって、前記プルアップ・トランジ
    スタを完全にオンさせ、結果的に、前記出力ノードを前
    記高電圧パワー・レールに接続して、前記出力ノードを
    論理ハイまで引き上げその状態に保持することを特徴と
    するトランスレータ回路。
  8. 【請求項8】 請求項7記載のトランスレータ回路にお
    いて、プルダウン・トランジスタと、第2のアンカリン
    グ・デバイスと、第1のプルダウン容易化トランジスタ
    と、第2のプルダウン容易化トランジスタと、を更に備
    えており、 前記プルダウン・トランジスタのハイ側は前記第1のプ
    ルアップ容易化トランジスタの前記ロー側に結合され、
    前記プルダウン・トランジスタのロー側は、前記低電圧
    パワー・レールに直接に接続され、前記プルダウン・ト
    ランジスタの制御ノードは、前記第2のアンカリング・
    デバイスのハイ側と、前記第2のプルダウン容易化トラ
    ンジスタのロー側とに直接に接続され、 前記第2のプルダウン容易化トランジスタの制御ノード
    は、前記反転入力ノードに直接に接続され、前記第2の
    プルダウン容易化トランジスタのハイ側は、前記プルア
    ップ・デバイスの前記ロー側に直接に接続され、 前記入力ノードに印加された論理ハイ信号は、前記第1
    のプルアップ容易化トランジスタをオフさせ、他方で、
    前記第1のプルダウン容易化トランジスタをオンさせ、
    それによって、前記出力ノードを前記プルダウン・デバ
    イスを介して前記低電圧パワー・レールに結合し、 また、前記反転入力ノードに同時に印加された相補的な
    論理ロー信号は、前記第2のプルアップ容易化トランジ
    スタをオフさせ、他方で、前記第2のプルダウン容易化
    トランジスタをオンさせ、従って、前記プルダウン・ト
    ランジスタの制御ノードを前記プルアップ・デバイスを
    介して前記高電圧パワー・レールに結合し、前記プルダ
    ウン・トランジスタを完全にオンさせ、従って、前記出
    力ノードと前記低電圧パワー・レールとの間に前記プル
    アップ・デバイスを介する第2の経路を提供することを
    特徴とするトランスレータ回路。
  9. 【請求項9】 請求項8記載のトランスレータ回路にお
    いて、前記プルアップ・デバイスは第1の飽和レンジ・
    トランジスタであり、前記プルダウン・デバイスは第2
    の飽和レンジ・トランジスタであり、前記第1のアンカ
    リング・デバイスはゲート・ドレイン結合されたPMO
    Sトランジスタであり、前記第2のアンカリング・デバ
    イスはゲート・ドレイン結合されたNMOSトランジス
    タであることを特徴とするトランスレータ回路。
  10. 【請求項10】 請求項9記載のトランスレータ回路に
    おいて、前記第1の飽和レンジ・トランジスタは第1の
    一定電圧発生器によって制御されたMOSFETであ
    り、前記第2の飽和レンジ・トランジスタは第2の一定
    電圧発生器によって制御されたMOSFETであること
    を特徴とするトランスレータ回路。
  11. 【請求項11】 請求項8記載のトランスレータ回路に
    おいて、前記プルダウン・デバイスは第1の抵抗であ
    り、前記プルアップ・デバイスは第2の抵抗であり、前
    記第1のアンカリング・デバイスは第3の抵抗であり、
    前記第2のアンカリング・デバイスは第4のていこうで
    あることを特徴とするトランスレータ回路。
  12. 【請求項12】 請求項9記載のトランスレータ回路に
    おいて、挙げられているすべてのトランジスタはMOS
    FETであることを特徴とするトランスレータ回路。
JP11106896A 1998-04-14 1999-04-14 差動入力をシングル・エンディッド出力に変換するトランスレ―タ Pending JP2000188530A (ja)

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