JP2000188271A - 半導体洗浄装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体の薬液の洗浄効率、すなわち純水置換
効率を向上させること等ができる半導体洗浄装置を提供
すること。 【解決手段】 洗浄槽３０内に配置された半導体６を薬
液処理した後に洗浄槽３０の下部から半導体６に純水５
を供給することにより、半導体６を洗浄するための半導
体洗浄装置であり、純水５を分散して通すために洗浄槽
３０の下部に配置された分散板３と、洗浄槽３０の上部
に配置されて洗浄槽３０内の純水５と薬液の少なくとも
一方を含む液体を吸引する液体吸引手段４０と、を備え
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、洗浄槽内に配置さ
れた半導体を薬液処理した後に、半導体に純水を供給す
ることにより、半導体を洗浄するための半導体洗浄装置
に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体として、例えば半導体ウェーハを
洗浄する例について説明する。図１２と図１３は、従来
のウェーハＷの洗浄装置を示している。ウェーハＷは洗
浄槽の内槽１０００内に配置されている。洗浄槽の内槽
１０００は、洗浄槽の外槽１００１と組み合わせて構成
されており、内槽１０００の下部には下部分散板１００
２が設けられている。所定の薬液で処理されたウェーハ
Ｗに対しては、純水１００３を下側から供給して分散板
１００２で分散してウェーハＷに対して水流１００４，
１００５を与えることにより、ウェーハＷの薬液処理後
の純水置換を行い、洗浄後の液体は排水口１００６から
排出される。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】ところが、図１２と図
１３に示すように、純水１００３を内槽１０００の下部
から供給して薬液を純水に置換すると、距離の長短から
水流の時間的差異があり洗浄槽内の流れは乱流となる。
図１４はその乱流となっている様子を示しており、内槽
１０００の中には、純水１００３、（純水＋薬液）１０
０７及び薬液１００８の部分が分離して存在するような
形で乱流が形成されてしまう。薬液としてフッ酸等を使
用する場合には、当然にウェーハＷのエッチングの不均
一が生じてしまう。

【０００４】図１５及び図１６は、このような従来の半
導体洗浄装置におけるいわゆるダウンフロー処理におけ
る問題点を示している。この場合には、純水１００３は
外槽１００１の排水口１００６から供給されるので、そ
の純水１００３は矢印で示すように流れて、分散板１０
０２を通り、内槽１０００の下部から排水されるように
なっている。この場合、薬液１００８が内槽１０００の
中央部に残ってしまい易く、洗浄槽内部の純水置換が遅
れる。当然、純水置換に時間を要し、エッチングに不均
一も生じてしまう。つまりダウンフロー処理における純
水置換の均一性に問題が生じることになる。そこで本発
明は上記課題を解消し、半導体の薬液の洗浄効率、すな
わち純水置換効率を向上させること等ができる半導体洗
浄装置を提供することを目的としている。

【０００５】

【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、洗浄
槽内に配置された半導体を薬液処理した後に前記洗浄槽
の下部から前記半導体に純水を供給することにより前記
半導体を洗浄するための半導体洗浄装置であり、前記純
水を分散して通すために前記洗浄槽の下部に配置された
分散板と、前記洗浄槽の上部に配置されて前記洗浄槽内
の前記純水と前記薬液の少なくとも一方を含む液体を吸
引する液体吸引手段と、を備えることを特徴とする半導
体洗浄装置である。これにより、洗浄槽の下部から純水
を供給する場合には分散板でその純水を分散して半導体
側に送る。しかも、液体吸引手段が、洗浄槽の上部に配
置されていることから、洗浄槽内の純水と液体の少なく
とも一方を含む液体を洗浄槽の上部側に吸引することが
できる。このことから、液体の吸引効率を高め、半導体
の洗浄効率の向上を計ることから、純水置換効率を上げ
ることができる。

【０００６】請求項２の発明は、請求項１に記載の半導
体洗浄装置において、前記液体吸引手段は、複数の吸引
穴を有し前記洗浄槽の上部を覆う吸引板を有する。これ
により、純水と薬液の少なくとも一方を含む液体は、こ
の複数の吸引穴を通じて洗浄槽の上部側に吸引されるこ
とになる。

【０００７】請求項３の発明は、請求項１に記載の半導
体洗浄装置において、前記液体吸引手段は、複数の吸引
穴を有し前記洗浄槽の上部を覆う吸引板と、前記吸引板
から前記洗浄槽内に前記純水を供給するための純水供給
手段を有する。これにより、吸引板から洗浄槽内に対し
て純水を供給できるので、いわゆるダウンフローによる
半導体の洗浄処理を行なうことができる。

【０００８】請求項４の発明は、請求項１に記載の半導
体洗浄装置において、複数の吸引チューブを有し前記洗
浄槽の上部に配置されている吸引板を有する。純水と薬
液の少なくとも一方を含む液体は、複数の吸引チューブ
を介して洗浄槽の上部側に局所的に吸引することができ
る。

【０００９】請求項５の発明は、請求項１に記載の半導
体洗浄装置において、前記液体吸引手段は、複数の吸引
ノズルを有し前記洗浄槽の上部に配置されている吸引板
を有する。複数の吸引ノズルを使用することにより、純
水と薬液の少なくとも一方を含む液体に対して一方向の
水流を付加する機能を発揮できるので、半導体にパーテ
ィクルが付着するのを防止することができる。

【００１０】請求項６の発明は、請求項１に記載の半導
体洗浄装置において、前記液体吸引手段は、窒素ガスを
前記洗浄槽内に下方に噴射するガス噴射手段を有する。
窒素ガスが洗浄槽に下方に噴射できるので、半導体に自
然酸化膜が付着するのを防止することができる。

【００１１】請求項７の発明は、請求項１に記載の半導
体洗浄装置において、洗浄槽内に配置された半導体を薬
液処理した後に前記洗浄槽の下部から前記半導体に純水
を供給することにより前記半導体を洗浄するための半導
体洗浄装置であり、前記洗浄槽内の純水を排出するため
に前記洗浄槽内に配置された吸引手段と、前記半導体を
乾燥させるための乾燥用ガスを供給する乾燥用ガス供給
手段と、を備えることを特徴とする半導体洗浄装置であ
る。液体吸引手段が、洗浄槽の上部ばかりでなく洗浄槽
の内部であってかつ洗浄槽の側面に沿って配置されてい
るので、たとえばいわゆるマランゴニーのイソプロピル
アルコール（ＩＰＡ）による乾燥機能を発揮することが
できる。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施の形態
を添付図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下に述
べる実施の形態は、本発明の好適な具体例であるから、
技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本発明
の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨
の記載がない限り、これらの形態に限られるものではな
い。

【００１３】第１の実施の形態 図１は、本発明の半導体洗浄装置の第１の実施の形態の
概念図を示しており、図２と図３は第１の実施の形態の
構造の詳細を示している。図１〜図３を参照すると、半
導体洗浄装置１００は、概略的には洗浄槽３０、下部の
分散板３、液体吸引手段４０等を有している。洗浄槽３
０は、洗浄槽の外槽１と洗浄槽の内槽２を有している。
洗浄槽の外槽１は、排水管１６を備えており、排水管１
６には排水バルブ１７が設けられている。

【００１４】洗浄槽の外槽１の液面１Ａの付近には、上
述した液体吸引手段４０の吸引板９が配置されている。
この吸引板９は、洗浄槽の外槽１の上部開口部分にほぼ
覆うように配置されている。洗浄槽の内槽２は、供給管
４と分散板３を備えている。分散板３は、多数の孔３Ａ
を有する板であり、内槽２内の下部に位置している。供
給管４は、内槽２の下部に接続されており、純水５を内
槽２の下部から内槽２内へ矢印で示すように供給できる
ようになっている。半導体としてのたとえばウェーハ６
は、キャリア７の上に複数枚セットされている。キャリ
ア７は、ロボットアーム８により保持されており、ロボ
ットアーム８がＹ方向に上下動することにより、ウェー
ハ６を内槽２の中に入れたりあるいは内槽２の中から外
部に取り出すことができるようになっている。

【００１５】次に、液体吸引手段４０について図２と図
３を参照して説明する。液体吸引手段４０は、吸引板
９、Ｙ，θロボット１３、吸引ポンプ２１、チューブ２
０、バルブ１２，１５、純水供給パイプ１４及び排水吸
引パイプ１１等を有している。吸引板９は、たとえばボ
ックス状の構造を有しており、吸引板９の下面側には、
複数の吸引穴１０を備えている。この吸引穴１０は、図
３に示すように所定間隔で配列されている。この吸引板
９は、純水供給パイプ１４の一端側に接続されており、
純水供給パイプ１４の他端はバルブ１５を介してパイプ
１４Ａに接続されている。これにより純水５Ａは、バル
ブ１５を開けることによりパイプ１４Ａ、純水供給パイ
プ１４を介して、吸引板９の吸引穴１０から洗浄槽の内
槽２内へ供給することができる。

【００１６】吸引板９の側面には、排水吸引パイプ１１
の一端部が接続されている。排水吸引パイプ１１の他端
はバルブ１２を介してチューブ２０に接続されており、
チューブ２０は吸引ポンプ２１に接続されている。これ
によりバルブ１２を開けて、吸引ポンプ２１を作動する
と、洗浄槽３０の外槽１と内槽２内の液体は、吸引板９
の吸引穴１０、排水吸引パイプ１１、バルブ１２、チュ
ーブ２０を介して吸引ポンプ２１側に吸引することがで
きる。

【００１７】吸引板９、排水吸引パイプ１１、バルブ１
２は、Ｙ，θロボット１３により、Ｙ軸方向に上下動
し、あるいはθ方向に回転させることができる。図２に
おいてＹ，θロボット１３がＹ軸方向に沿って吸引板
９、排水吸引パイプ１１及びバルブ１２を上下動させる
ことにより、吸引板９を外槽１の液面１Ａに配置したり
あるいは吸引板９を液面１Ａの上部に退避させて、外槽
１の上部を開放することができるようになっている。ま
た図３においてＹ，θロボット１３のように吸引板９、
排水吸引パイプ１１、バルブ１２をθ方向に回転するこ
とにより、そのように外槽１の上部に退避した吸引板９
をさらに回転方向に退避させることができる。

【００１８】次に、上述した図１〜図３に示す第１の実
施の形態の動作例について説明する。図２の下部側の供
給管４から純水５を、たとえば２０リットル／分の流量
で供給すると同時に、吸引ポンプ２１を作動する。これ
により純水５は供給管４から内槽２の下部より分散板３
を通って内槽２の中に供給される。純水５は矢印で示す
ように内槽２において上方に向かう。吸引ポンプ２１が
作動しているので、吸引板９の吸引穴１０、排水吸引パ
イプ１１、バルブ１２、チューブ２０を通して、内槽２
の中の液体、すなわち純水と薬液の少なくとも一方を含
む液体を吸引することができる。この吸引板９から吸引
する流量は、たとえば２０リットル／分に設定する。こ
のように純水５が供給される流量と吸引板９から外部に
吸引して排出する流量を同じようすることにより、純水
５の置換は整然と行われて、図１に示すような純水１０
０３、純水＋薬液１００７、薬液１００８のようにして
純水置換を整然と行うことができる。なお、排水管１６
の排水バルブ１７を開けることにより、純水５の供給量
が多くなった場合には、排水管１６から純水５の過剰な
分を排出することができる。

【００１９】また、ダウンフロー処理による洗浄を行い
純水置換を行う場合には、吸引ポンプ２１の動作をさせ
ずに、パイプ１４Ａから純水５Ａを供給する。この場合
にはバルブ１５を開けて、バルブ１２を閉じている。純
水５Ａはパイプ１４Ａを通り純水供給パイプ１４を経て
吸引板９の吸引穴１０から内槽２側に下方に向けて供給
される。供給管４は、純水と薬液の少なくとも一方を含
む液体を排出する排水管の役割を果たす。この場合にお
いても、純水供給パイプ１４により純水が上部から供給
されるので、整然としたダウンフローの流れが生じ、純
水置換を確実に行うことができる。

【００２０】第２の実施の形態 図４と図５は、本発明の半導体洗浄装置の第２の実施の
形態を示している。半導体洗浄装置２００は、洗浄槽２
３０と、液体吸引手段２４０を概略的に有している。洗
浄槽２３０の洗浄槽の内槽２０２と、洗浄槽の外槽２０
１の構造は、図２の洗浄槽の内槽２と外槽１と基本的に
構造が同じである。図４において図示はしていないがウ
ェーハ６はキャリアに収容されており、キャリアはロボ
ットアームに支持されている点は図２の第１の実施の形
態と同様である。

【００２１】図４と図５の第２の実施の形態が、図１〜
図３の第１の実施の形態と異なるのは、液体吸引手段２
４０の構造である。液体吸引手段２４０は、吸引板２０
９と、複数本の吸引チューブ２１７、バルブ２１２、排
水吸引パイプ２１１、吸引ポンプ２２１を有している。
この液体吸引手段２４０は、図２の液体吸引手段４０と
は異なり、純水を供給する構成要素は有しておらず、専
ら内槽２０２内の液体を外部に吸引する機能のみを有し
ている。

【００２２】吸引板２０９は、複数の吸引チューブ２１
７を備えており、この吸引チューブ２１７は、外槽２０
１の液面２０１Ａに挿入されるようになっている。純水
５が内槽２０２の供給管２０４から供給されると、分散
板２０３により分散されて内槽２０２内において矢印に
示すように上方に向かう。これと同時に吸引ポンプ２２
１を作動してバルブ２１２を開けることにより、内槽２
０２内及び外槽２０１内の液体は吸引チューブ２１７、
排水吸引パイプ２１１、バルブ２１２を介して吸引ポン
プ２２１側に局所的に吸引される。この場合の供給管２
０４からの純水５の供給流量と、液体吸引手段２４０に
おける吸引流量をたとえば同じにすることにより純水置
換を整然と行うことができる。

【００２３】図４と図５の第２の実施の形態では、吸引
チューブ２１７は吸引板２０９に対して複数設けられて
いるが、この方式は、いわゆる局所吸引方式と呼ばれて
おり、吸引板２０９は、いわゆる局所吸引板である。

【００２４】第３の実施の形態 図６と図７は、本発明の半導体洗浄装置の第３の実施の
形態を示している。半導体洗浄装置３００は、外槽３０
１と内槽３０２を有しており、これらの外槽３０１と内
槽３０２は、図２の第１の実施の形態の外槽１と内槽２
と同様のものである。分散板３０３は内槽３０２の下部
に配置されている。図６と図７の第３の実施の形態が、
図２と図３の第１の実施の形態と異なるのは、液体吸引
手段３４０である。液体吸引手段３４０は、導水ノズル
３１８、バルブ３２０、吸引排水パイプ３１１、吸引ポ
ンプ３２１等を有している。導水ノズル３１８は、複数
のノズル穴３１９を有している。これらのノズル穴３１
９は、導水ノズル３１８の長手方向に沿ってたとえば等
間隔に配置されている。この液体吸引手段３４０は、外
槽３０１と内槽３０２の間であって、かつ外槽３０１の
一方側に配置されている。

【００２５】純水５が供給管３０４を通して、内槽３０
２内に供給されると、純水５は分散板３０３により分散
されて、ウェーハ６を通る。しかも吸引ポンプ３２１が
作動されてバルブ３２０が開放されると、導水ノズル３
１８のノズル穴３１９からは、液体、すなわち薬液と純
水の少なくとも一方を含む液体を吸引して、吸引ポンプ
３２１側に送ることができる。この純水供給量と液体の
排水量をたとえば同じ程度にすることにより、純水置換
を整然と行うことができる。しかも、特徴的なのは、液
体吸引手段３４０が外槽３０１の一方側のみに設けられ
ているので、液流３５０が矢印で示すように導水ノズル
３１８側に向かうことから、洗浄槽３３０内における液
体の流れ（水流）を一方向、すなわち矢印３５０で示す
方向に発生させることができる。これによりウェーハ６
を洗浄槽３３０から引き上げる時には、パーティクルの
付着が減少する。

【００２６】第４の実施の形態 図８と図９は本発明の半導体洗浄装置の第４の実施の形
態を示している。半導体洗浄装置４００は、洗浄槽４３
０を有しており、洗浄槽４３０は内槽４０２と外槽４０
１を有している。これらの外槽４０１と内槽４０２は図
２の外槽１と内槽２と同様のものである。分散板４０３
は内槽４０２の下部に設けられている。図８と図９の第
４の実施の形態で異なるのは、液体吸引手段４４０の構
造である。この液体吸引手段４４０は、たとえば図２の
液体吸引手段４０に対して付加される機能の一例を示し
ている。しかしこれに限らず図４の液体吸引手段２４０
の構造のものに併用することも可能である。

【００２７】この液体吸引手段４４０は、付加的に窒素
ガス（Ｎ₂ ）を供給できるものである。吸引板９は多数
の吸引穴１０を有している。この吸引板（Ｎ₂ ブロー板
ともいう）９は、パイプ４６０を介して窒素ガス噴射手
段４７０に接続されている。窒素ガス４７０から窒素ガ
スが吸引板９の吸引穴１０を通して、内槽４０２内に供
給できるようになっている。内槽４０２の下部には純水
供給管４０４が接続されており、純水５を供給できるこ
とは図２の実施の形態と同じである。このように窒素ガ
スを上部から供給できるようにすることにより、ウェー
ハ６に対して自然酸化膜が供給されるのを防止すること
ができる。

【００２８】第５の実施の形態 図１０と図１１は本発明の半導体洗浄装置の第５の実施
の形態を示している。半導体洗浄装置５００は、洗浄槽
５３０を有しており、洗浄槽５３０は外槽５０１と内槽
５０２を備えている。内槽５０２の下部には分散板５０
３と、純水の供給管５０４を有している。純水の供給管
５０４からは純水５を供給できる。外槽５０１と内槽５
０２の上には、乾燥板５０９が配置されている。この乾
燥板５０９は、パイプ５７０、バルブ５８０を介して、
乾燥用ガス供給源５８５に接続されている。この乾燥用
ガス供給源５８５、バルブ５８０、パイプ５７０及び乾
燥板５０９は、Ｙ，θロボット５１３により、Ｙ軸方向
（上下方向）に上下動できるとともに、θ方向に回転す
ることができる。乾燥板５０９は、ウェーハ６を乾燥さ
せるための乾燥用ガスを供給するためのものであり、乾
燥板５０９は外槽５０１と内槽５０２の上部に覆うよう
に配置することができる。乾燥板５０９は、乾燥用ガス
を噴出するために多数の穴５１０を有している。一方、
内槽５０２の中であって、その側面には、排水板として
作用する吸引板６０９が配置されている。この吸引板６
０９は、多数の吸引穴６１０を有している。この吸引穴
６１０は、ウェーハ６側に向いている。吸引板６０９
は、排水吸引パイプ６１１を介して吸引ポンプ６２１に
接続されている。

【００２９】この半導体洗浄装置５００の動作を説明す
ると、吸引ポンプ６２１が作動することにより吸引板６
０９の吸引穴６１０からは、供給された純水５と薬液の
少なくとも一方を含む液体が、矢印Ｒ１方向に吸引され
るので、このような液体はＲ１方向の水流を発生させる
ことができる。これにより、純水５の水面５Ａが徐々に
下がっていく。このようにウェーハ６が純水５から露出
した状態で、乾燥用ガス供給源５８５から、バルブ５８
０、パイプ５７０及び乾燥板５０９の穴５１０を通じて
所定のガスをブローする。この所定の乾燥用ガスとして
は、たとえばイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）＋Ｎ₂
ガスを用いることができ、これによりいわゆるＩＰＡマ
ランゴニー乾燥処理を行うことができる。このイソプロ
ピルアルコール（ＩＰＡ）は霧化状にしたものを用い
る。このＩＰＡマランゴニー乾燥とは、イソプロピルア
ルコールの沸点飽和蒸気中にウェーハを入れて、凝縮Ｉ
ＰＡで付着水を置換しながら、ウェーハを蒸気温度まで
昇温させて、ついで引上げ凝縮ＩＰＡ残膜を蒸発させる
ウェーハの乾燥方法である。

【００３０】ところで本発明は上記実施の形態に限定さ
れない。上述した実施の形態では半導体として、たとえ
ば円形状の半導体ウェーハの例を示しているがこれに限
るものではない。また使用した薬液等やガスの種類は特
に限定されない。

【００３１】本発明では、半導体ウェーハの洗浄装置に
おいて、薬液処理後の純水置換は、洗浄装置の性能を左
右する重要な要素である。本発明は従来の洗浄槽下部に
設置されている分散板に対し、更に槽上部に吸引板を設
けることにより、薬液の方が純水よりも比重が大きいに
もかかわらず半導体の純水による洗浄効率を大幅に向上
させる。本発明では純水の使用量を大幅に削減できる、
たとえば従来比で１／２まで低減することが可能とな
る。洗浄時間の短縮が可能となる。本発明ではエッチン
グレートの均一性が大幅に向上する。一方向水流ができ
るので、パーティクルの付着が減少する。Ｎ₂ をブロー
できるので、ウェーハの自然酸化膜防止となる。洗浄槽
内側面に吸引板を設けることにより、ＩＰＡマランゴニ
ー乾燥処理が可能となる。本発明では、置換のしにくい
所でも、局所的に置換の効率を向上させることができ
る。

【００３２】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
半導体の薬液の洗浄効率、すなわち純水置換効率を向上
させること等ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の半導体洗浄装置の第１の実施の形態を
示す概念図。

【図２】第１の実施の形態の構成を示す図。

【図３】第１の実施の形態の平面図。

【図４】本発明の半導体洗浄装置の第２の実施の形態を
示す図。

【図５】第２の実施の形態の平面図。

【図６】本発明の半導体洗浄装置の第３の実施の形態を
示す図。

【図７】第３の実施の形態の平面図。

【図８】本発明の半導体洗浄装置の第４の実施の形態を
示す図。

【図９】第４の実施の形態の平面図。

【図１０】本発明の半導体洗浄装置の第５の実施の形態
を示す図。

【図１１】第５の実施の形態の平面図。

【図１２】従来の半導体洗浄装置の図。

【図１３】図１２の従来の半導体洗浄装置の平面図。

【図１４】従来の半導体洗浄装置における薬液と純水の
乱流の様子を示す図。

【図１５】従来の半導体洗浄装置におけるダウンフロー
の場合の問題点を示す図。

【図１６】図１５の従来の平面図。

【符号の説明】

１・・・外槽、２・・・内槽、５・・・純水、６・・・
ウェーハ（半導体）、３０・・・洗浄槽、４０・・・液
体吸引手段、１００・・・半導体洗浄装置

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 洗浄槽内に配置された半導体を薬液処理
   した後に前記洗浄槽の下部から前記半導体に純水を供給
   することにより前記半導体を洗浄するための半導体洗浄
   装置であり、 前記純水を分散して通すために前記洗浄槽の下部に配置
   された分散板と、 前記洗浄槽の上部に配置されて前記洗浄槽内の前記純水
   と前記薬液の少なくとも一方を含む液体を吸引する液体
   吸引手段と、を備えることを特徴とする半導体洗浄装
   置。
2. 【請求項２】 前記液体吸引手段は、複数の吸引穴を有
   し前記洗浄槽の上部を覆う吸引板を有する請求項１に記
   載の半導体洗浄装置。
3. 【請求項３】 前記液体吸引手段は、複数の吸引穴を有
   し前記洗浄槽の上部を覆う吸引板と、前記吸引板から前
   記洗浄槽内に前記純水を供給するための純水供給手段を
   有する請求項１に記載の半導体洗浄装置。
4. 【請求項４】 前記液体吸引手段は、複数の吸引チュー
   ブを有し前記洗浄槽の上部に配置されている吸引板を有
   する請求項１に記載の半導体洗浄装置。
5. 【請求項５】 前記液体吸引手段は、複数の吸引ノズル
   を有し前記洗浄槽の上部に配置されている吸引板を有す
   る請求項１に記載の半導体洗浄装置。
6. 【請求項６】 前記液体吸引手段は、窒素ガスを前記洗
   浄槽内に下方に噴射するガス噴射手段を有する請求項１
   に記載の半導体洗浄装置。
7. 【請求項７】 洗浄槽内に配置された半導体を薬液処理
   した後に前記洗浄槽の下部から前記半導体に純水を供給
   することにより前記半導体を洗浄するための半導体洗浄
   装置であり、 前記洗浄槽内の純水を排出するために前記洗浄槽内に配
   置された吸引手段と、 前記半導体を乾燥させるための乾燥用ガスを供給する乾
   燥用ガス供給手段と、を備えることを特徴とする半導体
   洗浄装置。
8. 【請求項８】 前記吸引手段は前記洗浄槽内の側面に配
   置されている請求項７に記載の半導体洗浄装置。
9. 【請求項９】 前記乾燥用ガス供給手段は前記洗浄槽の
   上部に配置されている請求項７に記載の半導体洗浄装
   置。