JP2000183823A

JP2000183823A - コヒ―レント光伝送装置

Info

Publication number: JP2000183823A
Application number: JP10375318A
Authority: JP
Inventors: Takaaki Numai; 貴陽沼居; Atsushi Nitta; 淳新田
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1998-12-14
Filing date: 1998-12-14
Publication date: 2000-06-30

Abstract

(57)【要約】【課題】複雑な温度制御系が不要で、かつ偏光制御器や
偏波ダイバーシチーなどの技術が不要で柔軟なコヒーレ
ント光ファイバ通信等を可能とするコヒーレント光伝送
装置である。【解決手段】コヒーレント光伝送装置は、第１の光源１
１を含む送信部に、第１の光源１１の出射光１１０と干
渉する光１２０を放出する第２の光源１２を、両光源１
１、１２の環境を同一に設定できる様に第１の光源１１
に近接して備える。受信部の共通の光検出器１３は、伝
送媒体を伝搬してきた両光源１１、１２からの光１１
０、１２０を受けてビート信号を生成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、短距離光通信に適
したヘテロダイン受信或はホモダイン受信を行なうコヒ
ーレント光伝送装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】光ファイバ通信は、既に長距離幹線系で
実用化され、今後、中継局からオフィスや家庭まで光フ
ァイバを敷設する計画が進んでいる。そして、情報量の
増加に伴って、更にオフィス内や家庭内でも光ファイバ
伝送を実現することを目指して研究が進められている。
光ファイバ通信システムのうち、コヒーレント光ファイ
バ通信では、送信光源から出射されたレーザ光と局発光
源から出射されたレーザ光を干渉させ、ビート信号を検
出する。このため、高い受信感度を有すると同時に、伝
送路の波長分散の影響を受信機のＩＦ（中間周波数）帯
域で簡単に補償できる利点を有しており、コヒーレント
光ファイバ通信は長距離伝送系において有利な方式であ
ると考えられてきた。この公知文献としては、例えば特
開平５−１６７５３５号公報がある。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
コヒーレント光ファイバ通信は、長距離伝送系において
使用することを前提にしているので、送信光源と干渉す
るレーザ光を放出するための光源は受信部側に配置して
いた。このため、受信部における光源は、局発光源と呼
ばれる。送信光源から出射したレーザ光と局発光源から
出射したレーザ光のビート信号を検出するためには、こ
れらのレーザ光の波長差を一定に保つと同時に両者の偏
波を揃えておく必要がある。

【０００４】半導体レーザは、素子を含む周囲の温度に
よって発振波長が変動するので、発振波長の差を一定に
保つには、送信光源と局発光源の周囲温度を両方とも精
密に制御する必要があった。また、送信光源から放出さ
れたレーザ光は、光ファイバを伝搬するうちに、その偏
波方向が変化する。従って、光ファイバからの出射光と
局発光源から出射されるレーザ光の偏波を受信部で合わ
せるためには、偏光制御器（これにより、光ファイバか
らの出射光の偏波を局発光源から出射されるレーザ光の
偏波に合わせる）や偏波ダイバーシチー（光ファイバか
らの出射光を２つの偏光成分に分け、夫々に対して局発
光源を設ける）などの技術が必要であり、コストの面で
問題があった。

【０００５】本発明の目的は、オフィス内や家庭内など
の短距離伝送系などにおいて、複雑な温度制御系が不要
で、かつ偏光制御器や偏波ダイバーシチーなどの技術が
不要で柔軟なコヒーレント光ファイバ通信等を可能とす
るヘテロダイン受信或はホモダイン受信を行なうコヒー
レント光伝送装置を提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段および作用】上記目的を達
成するため、本発明のヘテロダイン受信或はホモダイン
受信を行なうコヒーレント光伝送装置は、第１の光源な
いし半導体レーザを含む送信部に、第１の光源ないし半
導体レーザの出射光と干渉する光を放出する第２の光源
ないし半導体レーザを、両光源の環境を同一に設定でき
る様に第１の光源ないし半導体レーザに近接して備え、
受信部で伝送媒体を伝搬してきた両光源ないし半導体レ
ーザからの光を共通の光検出器で受けてビート信号を生
成することを特徴とする。この構成において、送信光源
と局発光源が両方とも送信部に配置されることにより、
両者の周囲温度を同一に保つことが容易になる。従っ
て、比較的簡単な制御で送信光源と局発光源の発振波長
の差を一定に保てる。

【０００７】上記基本的構成に基づいて、以下の如きよ
り具体的形態が可能である。複数の波長の異なる第１の
光源ないし半導体レーザから成る第１の光源ないし半導
体レーザ群を光源として含む送信部に、第１の光源ない
し半導体レーザ群の中の各第１の光源ないし半導体レー
ザからの出射光と干渉する光を放出する第２の光源ない
し半導体レーザを少なくとも１個近接して備える。この
構成において、比較的簡単な制御で送信光源と局発光源
の発振波長の差を一定に保てるだけでなく波長多重伝送
が可能となり、信号伝送容量を大きくできる。

【０００８】第１の光源ないし半導体レーザと外部光変
調器が直列に配置された光源を含む送信部に、光変調器
の出射光と干渉する光を放出する第２の光源ないし半導
体レーザを近接して備える。この構成において、第１の
光源ないし半導体レーザを変調しないでおき、光変調器
に印加する電圧または注入する電流を変調することで、
振幅、周波数、または位相のうち、所望のものだけが効
率良く変調され、変調時に他の２つの変動が小さくな
る。この結果、更に雑音の小さいヘテロダイン或はホモ
ダイン伝送が実現される。

【０００９】複数の波長の異なる第１の光源ないし半導
体レーザから成る第１の光源ないし半導体レーザ群と第
１の光源ないし半導体レーザ群の各素子と外部光変調器
が直列に配置された光源を含む送信部に、前記光変調器
の出射光と干渉する光を放出する少なくとも１個の第２
の光源ないし半導体レーザを近接して備える。この構成
においても、第１の光源ないし半導体レーザを変調しな
いでおき、光変調器に印加する電圧または注入する電流
を変調することで、振幅、周波数、または位相のうち、
所望のものだけが効率良く変調され、変調時に他の２つ
の変動が小さくなる。更に、波長多重伝送が可能とな
り、信号伝送容量を大きくできる。

【００１０】単一光源である光源ないし半導体レーザと
ビームスプリッタが直列に配置され、互いに並列に配置
された第１の光源として機能する光変調器と第２の光源
として機能する周波数シフターが前記ビームスプリッタ
と光学的に結合されている送信部を持っている。更に、
互いに並列に配置された周波数シフターと光変調器が前
記ビームスプリッタおよび光結合器と光学的に結合され
てもよい。この構成において、光源ないし半導体レーザ
を１つ用意するだけで、ビート光を発生させることがで
きる。

【００１１】直ぐ上で述べた送信部が複数設けられ、か
つ各送信部の波長が異なる。この構成において、各送信
部で光源ないし半導体レーザを１つ用意することで、ビ
ート光を発生させることができるだけでなく波長多重伝
送が可能となり、信号伝送容量を大きくできる。

【００１２】上記の構成の送信部において、少なくとも
２個の素子が集積化されている。この構成において、比
較的簡単な構成で、素子の温度を一致させることが容易
となり、送信光源と局発光源の発振波長の差を一定に保
てる。また、波長多重伝送が可能となり、信号伝送容量
を大きくもできたり、半導体レーザと光変調器を集積化
することで、光の結合効率が改善されたり、ビームスプ
リッタや光結合器を半導体レーザと集積化することで、
光の結合効率が改善される。

【００１３】第１の光源ないし半導体レーザからの出射
光と第２の光源ないし半導体レーザからの出射光が、同
一の光伝送路を伝搬する。この構成において、光源ない
し半導体レーザと光検出器とが一直線上に並んでいない
様な場合でも、信号を光検出器に送ることが可能とな
る。また、同一の光伝送路として光ファイバを利用した
場合、前記レーザ光の偏波は、光ファイバ中で同じ様な
変化の仕方をするため、光検出器で光ビート信号を検出
できる。

【００１４】第１の光源ないし半導体レーザからの出射
光と第２の光源ないし半導体レーザからの出射光が、光
合流器で合流されて、同一の光伝送路を伝搬する。この
構成においても、光源ないし半導体レーザと光検出器と
が一直線上に並んでいない様な場合でも、信号を光検出
器に送ることが可能となる。また、同一の光伝送路とし
て光ファイバを利用した場合でも、光検出器で光ビート
信号を検出することが可能となる。

【００１５】前記光伝送路はプラスチック光ファイバな
どの光ファイバである。プラスチック光ファイバ（本明
細書において、プラスチック光ファイバという用語は、
石英系光ファイバに対して、ポリマー、合成樹脂などの
様な熱や圧力等で塑性変形可能で光学的に透明な光学材
料で出来ている光ファイバの意味で用いている）は、そ
の低損失化が進み、その接続の容易性、安全性、取り扱
い易さ、コストの観点から期待を集めている。

【００１６】受信部が光路を切り替える光学部品と該光
学部品で光路を切り替えられた光を受ける光検出器から
構成されている。この構成において、光検出器の配置が
光伝送路の伸長方向に左右されないことから、例えば、
容易に光検出器を回路基板上に配置できる。この結果、
実装が容易になる。

【００１７】前記光学部品の断面の少なくとも一部が矩
形であり、ここに近接して光検出器が設けられている。
この構成において、光検出器と光学部品の接触面積が大
きくなることから、配置が安定し実装がより容易にな
る。

【００１８】前記光学部品と光検出器がモールドされて
いる。この構成において、光検出器と光学部品の結合部
の機械的強度が増すことから、信頼性の高い実装形態と
なる。

【００１９】送信側の融着ないし接合端面と受信側の融
着ないし接合端面が雌雄の関係にあるプラスチック光フ
ァイバなどの光ファイバを光伝送路ないし伝送媒体とし
て用いている。この構成において、光ファイバの断面形
状が異なっていることから、光ファイバの接続時に送信
部と受信部を取り違える恐れがなくなる。

【００２０】選択的にクラッド層を除去したプラスチッ
ク光ファイバなどの光ファイバを光伝送路ないし伝送媒
体として用い、前記クラッド層の除去部分に光学部品を
接触あるいは近接して配置し、かつ前記光学部品の光フ
ァイバと接触していない面に前記光検出器あるいは第１
の光源ないし半導体レーザと第２の光源ないし半導体レ
ーザを接触あるいは近接して配置している。この構成に
おいて、エバネッセント光が光学部品に結合し、光検出
器に入射されることで、タップとしての動作や信号のＡ
ＤＤ／ＤＲＯＰのうちＤＲＯＰ機能が実現できる。同じ
原理で、送信部からレーザ光を放出することで、信号の
ＡＤＤ／ＤＲＯＰのうちＡＤＤ機能も実現できる。

【００２１】選択的にクラッド層厚の小さいプラスチッ
ク光ファイバなどの光ファイバを光伝送路ないし伝送媒
体として用い、前記クラッド層厚の小さい部分に光学部
品を接触あるいは近接して配置し、かつ前記光学部品の
光ファイバと接触していない面に前記光検出器あるいは
第１の光源ないし半導体レーザと第２の光源ないし半導
体レーザを接触あるいは近接して配置している。この構
成において、タップとしての動作や信号のＡＤＤ／ＤＲ
ＯＰのうちＤＲＯＰ機能が実現できるだけでなく、残っ
ているクラッド層によってコアが保穫されていること
で、より信頼性の高いシステムとなる。同じ原理で、送
信部からレーザ光を放出することで、信号のＡＤＤ／Ｄ
ＲＯＰのうちＡＤＤ機能も実現できる。

【００２２】選択的にコア径の小さいプラスチック光フ
ァイバなどの光ファイバを光伝送路ないし伝送媒体を光
伝送路として用い、前記コア径の小さい部分に光学部品
を接触あるいは近接して配置し、かつ前記光学部品の光
ファイバと接触していない面に前記光検出器あるいは第
１の光源ないし半導体レーザと第２の光源ないし半導体
レーザを接触あるいは近接して配置している。この構成
において、前記コア径の小さい部分にエバネッセント光
が存在するので、このエバネッセント光を光学部品に結
合し光検出器に入射することで、タップとしての動作や
信号のＡＤＤ／ＤＲＯＰのうちＤＲＯＰ機能が実現でき
る。更に、クラッド層によってコアが保護されているこ
とで、より信頼性の高いシステムとなる。同じ原理で、
送信部からレーザ光を放出することで、信号のＡＤＤ／
ＤＲＯＰのうちＡＤＤ機能も実現できる。

【００２３】光ファイバのうち少なくとも前記光学部品
と接触あるいは近接する部分の断面形状が矩形である。
この構成において、光ファイバと光学部品の配置が安定
し、より実装が容易になる。

【００２４】

【発明の実施の形態】（第１の実施例）図１は本発明の
第１の実施例の特徴を最もよく表す図面であり、同図に
おいて、１１は信号光源であるところの半導体レーザ
（分布帰還型半導体レーザ等）、１１０は半導体レーザ
１１からの出射光、１２は半導体レーザ１１からの出射
光と干渉する光を放出する半導体レーザ（例えば、信号
光源である分布帰還型半導体レーザ１１のブラッグ波長
から少しずれたブラッグ波長を持つ様に回折格子のピッ
チの設定された分布帰還型半導体レーザ）、１２０は半
導体レーザ１２からの出射光、１３は光検出器（ｐｉｎ
フォトダイオード等）である。半導体レーザ１１と半導
体レーザ１２は共通の周囲環境制御装置でその環境（主
に、温度）が制御される様に充分近接して設置されてお
り、光検出器１３とは伝送媒体（本実施例では、伝送媒
体は空間）を介して隔てられている。この様な周囲環境
制御装置としては、例えば、両半導体レーザ１１、１２
を載置するヒートシンクがある。更に精密な制御が必要
ならば、ヒートシンクに加えて、信号光源である半導体
レーザ１１のレーザ光１１０の状態をモニターしてい
て、その結果をフィードバックしてレーザ光１２０が常
に所望の状態になる様に半導体レーザ１２（これの特性
は予め分かっている）を微調制御してもよい。

【００２５】上記構成において、信号光源である半導体
レーザ１１に注入する電流を変調し、半導体レーザ１１
から振幅、周波数、または位相の変調されたレーザ光１
１０が放出される。一方、半導体レーザ１２は無変調で
あり、半導体レーザ１１と干渉するレーザ光１２０を放
出する。すなわち、この様に干渉する様にレーザ光１２
０の波長（振幅または位相変調の場合は半導体レーザ１
１からのレーザ光１１０の波長と一定の波長差を維持す
る様に、周波数変調の場合は半導体レーザ１１からのレ
ーザ光１１０の中心波長と一定の波長差を維持する様
に）、偏光状態が制御されている。光検出器１３は、空
間を伝播して来た前記レーザ光１１０と１２０を同時に
検出し、ビート信号を電気信号として出力する。

【００２６】これによって、半導体レーザ１１と半導体
レーザ１２の周囲環境を簡単な手段で実質的に同一に保
つことができ、その結果、両者の発振波長差を一定に制
御することが容易になる。従って、比較的簡単な制御で
雑音の小さなコヒーレント伝送が実現される。また、半
導体レーザ１１が複数個から構成され、それぞれの波長
が異なる様な波長多重伝送を行なう場合でも、各信号に
対応した複数のビート信号から電気フィルタで各信号を
分離できるので（電気フィルタは比較的ローコストで実
現できる確立された技術である）、受信器側で波長フィ
ルタが不要となる。

【００２７】（第２の実施例）図２は第２の実施例の特
徴を最もよく表す図面であり、第１の実施例における分
布帰還型半導体レーザ、分布反射型半導体レーザ等の半
導体レーザ１１と半導体レーザ１２とが同一基板上に集
積化されている。なお、斜線部１０は、半導体レーザ１
１と半導体レーザ１２を電気的に分離する部分である。
その他の点は第１実施例と同じである。

【００２８】これによって、第１の実施例よりも更に半
導体レーザ１１と半導体レーザ１２の周囲環境の差を小
さく保つことができ、その結果、両者の発振波長差を一
定に制御することが更に容易になる。従って、より簡単
な制御で雑音の小さなコヒーレント伝送が実現される。

【００２９】（第３の実施例）図３は第３の実施例の特
徴を最もよく表す図面であり、同図において、１１１は
複数の波長の異なる信号光源であるところの半導体レー
ザ、１１１０は半導体レーザ１１１からの複数の波長の
出射光、１２１は半導体レーザ１１１からの各波長の出
射光と干渉する光を放出する１個以上の半導体レーザ、
１２１０は半導体レーザ１２１からの出射光、１３は光
検出器である。波長λ₁，λ₂，λ₃，・・・λ_nのレーザ
光１１１０と波長λ₁’，λ₂’，λ₃’，・・・λ_n’の
レーザ光１２１０は夫々ペアを作ってヘテロダイン或は
ホモダイン伝送を可能としている。本実施例でも、半導
体レーザ１１１と半導体レーザ１２１は共通の周囲環境
制御装置でその環境が制御される様に充分近接して設置
されており（並べ方としては、図３に示す順序で並べて
もよいし、ペアを成す２つの半導体レーザを隣接させて
各ペアを並べてもよい）、光検出器１３とは伝送媒体を
介して隔てられている。

【００３０】上記構成において、信号光源である半導体
レーザ１１１に注入する電流を変調し、半導体レーザ１
１１から振幅、周波数、または位相が変調されたレーザ
光１１１０が放出される。一方、半導体レーザ１２１
は、半導体レーザ１１１からのレーザ光１１１０と干渉
するレーザ光１２１０を放出する。光検出器１３は前記
レーザ光１１１０と１２１０を一括して同時に検出し、
ビート信号を電気信号として出力する。半導体レーザ１
２１が複数のときは、受信側の電気フィルタで各ビート
信号を分離して選択するだけで、同時に複数のチャンネ
ルを受信することができる。

【００３１】これによって、半導体レーザ１１１と半導
体レーザ１２１の周囲環境を同一に保つことができ、そ
の結果、両者の発振波長差を一定に制御することが容易
になる。従って、比較的簡単な制御で雑音の小さなコヒ
ーレント伝送が実現される。

【００３２】本実施例でも、半導体レーザ１１１が複数
個から構成され、それぞれの波長が異なる様な波長多重
伝送を行なう場合でも、受信器側で波長フィルタが不要
となる。

【００３３】（第４の実施例）図４は第４の実施例の特
徴を最もよく表す図面である。同図において、１１２は
複数の波長の異なる信号光源であるところの半導体レー
ザ、１２２は半導体レーザ１１２からの各波長の出射光
と干渉する光を放出する１個以上の半導体レーザ、１１
２０は半導体レーザ１１２からの複数の波長の出射光、
１２２０は半導体レーザ１２２からの出射光である。本
実施例では、第３の実施例における半導体レーザ１１１
と半導体レーザ１２１とが同一基板上に集積化されてい
る。これによって、第３の実施例よりも更に半導体レー
ザ１１２と半導体レーザ１２２の周囲環境の差を小さく
保つことができ、その結果、両者の発振波長差を一定に
制御することが遥かに容易になる。従って、より簡単な
制御で雑音の小さな波長多重伝送が実現される。半導体
レーザの並べ方としては、図４に示す順序で並べてもよ
いし、ペアを成す２つの半導体レーザを隣接させて各ペ
アを並べてもよい。

【００３４】（第５の実施例）図５は第５の実施例の特
徴を最もよく表す図面であり、同図において、１１は信
号光源であるところの半導体レーザ、１１０は半導体レ
ーザ１１からの出射光、１５は光変調器、１５０は光変
調器１５からの出射光、１２は半導体レーザ１１からの
出射光と干渉する光を放出する半導体レーザ、１２０は
半導体レーザ１２からの出射光、１３は光検出器であ
る。本実施例でも、半導体レーザ１１と半導体レーザ１
２と光変調器１５は共通の周囲環境制御装置でその環境
が制御される様に充分近接して設置されており、光検出
器１３とは伝送媒体を介して隔てられている。

【００３５】上記構成において、信号光源である半導体
レーザ１１からの出射光１１０（これは無変調光であ
る）を光変調器１５に入射し、光変調器１５への注入電
流または印加電圧を変調し、光変調器１５から振幅、周
波数、または位相が変調されたレーザ光１５０が放出さ
れる。振幅変調の場合、光変調器１５は、例えば、印加
電圧変調で光吸収が変調する半導体デバイスである。周
波数変調の場合、光変調器１５は、例えば、注入電流変
調で共振器を成す材料の屈折率が変調して周波数が変調
する半導体デバイスである。位相変調の場合、光変調器
１５は、例えば、印加電圧変調で材料の屈折率が変調し
て出射光の位相が変調する光学結晶デバイスである。

【００３６】一方、半導体レーザ１２は、半導体レーザ
１１と干渉するレーザ光１２０を放出する。受光器１３
は前記レーザ光１５０とレーザ光１２０を同時に検出
し、ビート信号を電気信号として出力する。

【００３７】これによって、直接変調駆動されない半導
体レーザ１１からの出射光１１０の振幅、周波数、位相
のうち、所望のものだけが効率良く変調され、変調時に
他の２つの変動が小さくなる。この結果、信号光源であ
る半導体レーザ１１を直接変調駆動する第１の実施例よ
りも更に雑音の小さなコヒーレント伝送が実現される。

【００３８】（第６の実施例）図６は第６の実施例の特
徴を最もよく表す図面であり、第５の実施例における半
導体レーザ１１と半導体レーザ１２とが同一基板上に集
積化されている。これによって、第５の実施例よりも更
に半導体レーザ１１と半導体レーザ１２の周囲環境の差
を小さく保つことができ、その結果、両者の発振波長差
を一定に制御することがずっと容易になる。従って、よ
り簡単な制御で雑音の小さな伝送が実現される。

【００３９】なお、ここでは半導体レーザ１１と半導体
レーザ１２だけが集積化されているが、光変調器１５も
集積化すると、半導体レーザ１１と光変調器１５との間
の光の結合効率を高くできる。

【００４０】（第７の実施例）図７は第７の実施例の特
徴を最もよく表す図面であり、同図において、１１１は
波長の異なる複数の信号光源であるところの半導体レー
ザ、１１１０は半導体レーザ１１１からの出射光、１５
１は各出射光１１１０を各信号によって夫々変調する光
変調器、１５１０は光変調器１５１からの出射光、１２
１は半導体レーザ１１１からの出射光と夫々干渉する光
を放出する半導体レーザ、１２１０は半導体レーザ１２
１からの出射光、１３は光検出器である。

【００４１】この構成において、信号光源である半導体
レーザ１１１からの出射光１１１０を各光変調器１５１
に入射し、光変調器１５１への注入電流または印加電圧
を変調し、光変調器１５１から振幅、周波数、または位
相が変調された各レーザ光１５１０が放出される。一
方、半導体レーザ１２１は、レーザ光１１１と干渉する
レーザ光１２１０を放出する。受光器１３は前記変調レ
ーザ光１５１０と干渉するレーザ光１２１０を同時に一
括して検出し、ビート信号を電気信号として出力する。

【００４２】これによって、直接変調駆動されない半導
体レーザ１１１からの出射光１１１０の振幅、周波数、
または位相のうち、所望のものだけが効率良く変調さ
れ、変調時に他の２つの変動が小さくなる。この結果、
信号光源である半導体レーザ１１１を直接変調駆動する
第３の実施例よりも更に雑音の小さな波長多重伝送が実
現される。

【００４３】（第８の実施例）図８は第８の実施例の特
徴を最もよく表す図面であり、第７の実施例における半
導体レーザ１１１と半導体レーザ１２１とが集積化され
ている。また、複数の光変調器１５１は、光変調器同士
で集積化されている。

【００４４】これによって、第７の実施例よりも更に半
導体レーザ１１１と半導体レーザ１２１の周囲環境を一
致させることが容易となり、その結果、両者の発振波長
差を一定に制御することがずっと容易になる。従って、
より簡単な制御で雑音の小さな伝送が実現される。な
お、ここでは半導体レーザ同士、光変調器同士が集積化
されているが、全半導体レーザと光変調器を集積化する
と、半導体レーザ１１１と光変調器１５１との間の光の
結合効率を高くできる。

【００４５】（第９の実施例）図９は第９の実施例の特
徴を最もよく表す図面であり、同図において、１１は光
源であるところの半導体レーザ、１１０は半導体レーザ
１１からの出射光、１７はハーフミラー等のビームスプ
リッタ、２２は光路変更用のミラー、１５は光変調器、
１５０は光変調器１５からの出射光、１６は周波数シフ
ター、１６０は周波数シフター１６からの出射光、２３
は光路変更用のミラー、１８は光結合器、１３は光検出
器、１４は伝送媒体であるプラスチック光ファイバ等の
光ファイバである。

【００４６】上記構成において、光源である半導体レー
ザ１１からの出射光１１０をビームスプリッタ１７によ
って２つに分岐し、一方のビームを光変調器１５に入射
し、他方のビームをミラー２２で反射させて周波数シフ
ター１６に入射する。光変調器１５への注入電流または
印加電圧を信号に従って変調し、光変調器１５から振
幅、周波数、または位相が変調されたレーザ光１５０が
放出される。

【００４７】一方、周波数シフター１６からは、半導体
レーザ１１からの出射光１１０に対して周波数のシフト
したレーザ光１６０が放出される。レーザ光１６０はミ
ラー２３によって反射され、光結合器１８に入射する。
そして、光結合器１８によって、前記信号に従って変調
されたレーザ光１５０と周波数シフトした干渉レーザ光
１６０が結合し、光ファイバ１４に入射する。この結
果、光検出器１３は前記レーザ光１５０と１６０を同時
に検出し、ビート信号を電気信号として出力する。レー
ザ光１５０と周波数シフトした干渉レーザ光１６０が充
分近い所から出る場合は、光結合器１８は省いてもよ
い。

【００４８】これによって、送信部で信号用光源として
半導体レーザを１つ用意するだけで、ビート光を発生で
きる。本実施例では、１つの半導体レーザを用いるのみ
なので、その周囲環境の制御が更に容易になり、その結
果、変調レーザ光１５０と干渉レーザ光１６０の波長差
を一定に制御することが極めて容易になる。なお、ここ
では光伝送路として光ファイバを選んだが、光伝送路は
空間やチューブ内に複数のレンズを並べたレンズ導波路
などであってもよい。

【００４９】（第１０の実施例）図１０は第１０の実施
例の特徴を最もよく表す図面であり、第９の実施例にお
いて半導体レーザ１１、ビームスプリッタ１７１、光変
調器１５、周波数シフター１６、光結合器１８１が集積
化されている。図示例では、ビームスプリッタ１７１と
光結合器１８１はＹ字状のチャンネル光導波路型であ
る。これら半導体レーザ１１、ビームスプリッタ１７
１、光変調器１５、周波数シフター１６、光結合器１８
１は、前述した様に半導体材料で構成できるので、既知
の半導体結晶成長技術や半導体プロセス技術を用いて、
例えば、ＩｎＰ基板上に集積化できる。

【００５０】これによって、第９の実施例よりも更に半
導体レーザ１１と光変調器１５および半導体レーザ１１
と周波数シフター１６との間の光結合効率が大きくな
る。また、本実施例でも光伝送路として光ファイバ１４
を選んだが、光伝送路は空間やレンズ導波路などであっ
てもよい。

【００５１】（第１１の実施例）図１１は第１１の実施
例の特徴を最もよく表す図面であり、同図において、１
１１は波長の異なる複数の光源であるところの半導体レ
ーザ、１１１０は半導体レーザ１１１からの出射光、１
７１はビームスプリッタ、１５１は光変調器、１５１０
は光変調器１５１からの出射光、１６１は周波数シフタ
ー、１６１０は周波数シフター１６１からの出射光、１
８１は光結合器、１３は光検出器である。

【００５２】この構成は、第９実施例の構成を波長多重
伝送に応用したものであり、本実施例では光伝送路とし
ては空間を用いている。これによって、送信部で干渉用
光源として無変調半導体レーザを用意することなくビー
ト光を発生できるだけでなく、波長多重伝送が可能とな
る。

【００５３】（第１２の実施例）図１２は第１２の実施
例の特徴を最もよく表す図面であり、第１１の実施例に
おいて半導体レーザ１１１、ビームスプリッタ１７１、
光変調器１５１、周波数シフター１６１、光結合器１８
１が集積化されている。その他の点は第１０の実施例と
同じである。

【００５４】これによって、第１１の実施例よりも更に
半導体レーザ１１１と光変調器１５１および半導体レー
ザ１１１と周波数シフター１６１との間の光結合効率が
大きくなる。

【００５５】（第１３の実施例）図１３は第１３の実施
例の特徴を最もよく表す図面であり、同図において、１
１は信号光源であるところの半導体レーザ、１１０は半
導体レーザ１１からの出射光、１２は半導体レーザ１１
からの出射光と干渉する光を放出する半導体レーザ、１
２０は半導体レーザ１２からの出射光、１３は光検出
器、１４は光ファイバ、１９は光合流器である。光合流
器１９としては、基板上に形成されたＹ字状の光導波
路、二又に分岐した光ファイバなどが用いられる。その
径がプラスチック光ファイバの如く充分大きければ、各
半導体レーザ１１、１２と光合流器１９、及び光合流器
１９と光ファイバ１４は何も介在させずに結合できる
が、その径が小さい場合は、レンズなどの光結合手段を
介在させればよい。

【００５６】この構成において、信号光源である半導体
レーザ１１に注入する電流を変調し、半導体レーザ１１
から振幅、周波数、または位相が変調されたレーザ光１
１０が放出される。一方、半導体レーザ１２は、半導体
レーザ１１と干渉するレーザ光１２０を放出する。前記
レーザ光１１０と１２０をＹ字状の光導波路などの光合
流器１９を通して光ファイバ１４に入射し、光検出器１
３は光ファイバ１４を伝搬してきた前記レーザ光１１０
と１２０を同時に検出し、ビート信号を電気信号として
出力する。

【００５７】これによって、前記半導体レーザ１１、１
２と光検出器１３とが一直線上に並んでいない様な場合
でも、信号を光検出器１３に送ることが可能となる。ま
た、前記レーザ光１１０と１２０の偏波は、光ファイバ
１４中で同じ様な変化の仕方をするため（比較的短距離
の伝送とする）、光検出器１３で光のビート信号を検出
することが可能となる。これに対して、従来のように、
送信光源からの出射光と干渉する光を放出する半導体レ
ーザが受信部にある場合（これは局発光源と呼ばれ
る）、送信光源から出射された光の偏波は光ファイバを
伝搬するうちに変化し、局発光源からの出射光の偏波と
は異なってしまう。このため、従来は偏光制御器や偏波
ダイバーシチー等の工夫が必要であったが、本発明によ
り偏光制御器や偏波ダイバーシチーなどは不要となる。

【００５８】本実施例において、半導体レーザの材料も
何であってもよいし、更に光ファイバ１４の材質も石英
やポリマー、プラスチックなど何であってもよい。

【００５９】（第１４の実施例）図１４は第１４の実施
例の特徴を最もよく表す図面であり、第１３の実施例の
送信部を第２の実施例の送信部で置き換えたものであ
る。

【００６０】この構成において、集積化されて極めて近
接した半導体レーザ１１と１２からの出力光は、光合流
器なしで１本の光ファイバ１４（プラスチック光ファイ
バの如く充分大きな径を有する）に結合し伝送される。
これによって、光合流器１９で生じていた合流損が無く
なり、第１３の実施例に比べて送信電力の低減、伝送距
離の増加が図れる。なお、光伝送路は空間やレンズ導波
路などであってもよい。

【００６１】（第１５の実施例）図１５は第１５の実施
例の特徴を最もよく表す図面であり、第１３の実施例の
送信部を第３の実施例の送信部で置き換えたものであ
る。

【００６２】この構成において、信号光源である半導体
レーザ１１１に注入する電流を変調し、半導体レーザ１
１１から振幅、周波数、または位相が変調されたレーザ
光１１１０が放出される。一方、半導体レーザ１２１
は、半導体レーザ１１１と干渉するレーザ光１２１０を
放出する。前記レーザ光１１１０と１２１０を第１３実
施例で説明した様な光合流器１９を通して光ファイバ１
４に入射し、光検出器１３は光ファイバ１４を伝搬して
きた前記レーザ光１１１０と１２１０を同時に検出し、
ビート信号を電気信号として出力する。

【００６３】これによって、前記半導体レーザ１１１、
１２１と光検出器１３とが一直線上に並んでいない様な
場合でも、信号を光検出器１３に送ることが可能とな
る。前記レーザ光１１１０と１１２０の偏波は、光ファ
イバ１４中で同じ様な変化の仕方をするため、光検出器
１３で光のビート信号を検出することが可能となる。そ
の他のことは第１３実施例で説明した通りである。本実
施例では、更に波長多重伝送も可能となる。

【００６４】（第１６の実施例）図１６は第１６の実施
例の特徴を最もよく表す図面であり、第１４の実施例の
送信部を第４の実施例の送信部で置き換えたものであ
る。この構成において、半導体レーザ１１２と１２２か
らの出力光を光合流器なしで１本の光ファイバ１４（プ
ラスチック光ファイバの如く充分大きな径を有する）に
結合し伝送する。これによって、光合流器１９で生じて
いた合流損が無くなり、第１５の実施例に比べて送信電
力の低減、伝送距離の増加が図れる。

【００６５】（その他の実施例）その他、第１３の実施
例の送信部を第５の実施例の送信部で置き換えた構成も
可能である。これによって、光変調器１５と光検出器１
３とが一直線上に並んでいない様な場合でも、信号を光
検出器１３に送ることが可能となる（図１７参照）。

【００６６】また、第１４の実施例の送信部を第６の実
施例の送信部で置き換えた構成も可能である。これによ
って、合流損を生じる光合流器を用いる必要がなくな
り、送信電力の低減、伝送距離の増加が図れる（図１８
参照）。

【００６７】また、第１３の実施例の送信部を第７の実
施例の送信部で置き換えた構成も可能である。これによ
って、前記半導体レーザ１１１、１２１と光検出器１３
とが一直線上に並んでいない様な場合でも、信号を光検
出器１３に送ることが可能となる。また、前記レーザ光
１１０と１２０の偏波は、光ファイバ１４中で同じ様な
変化の仕方をするため、光検出器で光のビート信号を検
出することが可能となり、更に波長多重伝送も可能とな
る（図１９参照）。

【００６８】また、第１４の実施例の送信部を第８の実
施例の送信部で置き換えた構成も可能である。これによ
って、合流損を生じる光合流器を用いる必要がなくな
り、送信電力の低減、伝送距離の増加が図れる（図２０
参照）。

【００６９】また、第１３の実施例の送信部を第１１の
実施例の送信部で置き換えた構成も可能である。この構
成において、光源である半導体レーザ１１１からの出射
光１１１０をビームスプリッタ１７１によって２つに分
岐し、一方のビームを光変調器１５１に入射し、他方の
ビームを周波数シフター１６１に入射する。光変調器１
５１への注入電流または印加電圧を変調し、光変調器１
５１から振幅、周波数、または位相が変調されたレーザ
光１５１０が放出される。一方、周波数シフター１６１
からは、半導体レーザ１１１からの出射光１１１０に対
して周波数のシフトしたレーザ光１６１０が放出され
る。光結合器１８１によって、前記レーザ光１５１０と
１６１０が結合する。更にこれらの光を光合流器１９に
よって束ね光ファイバ１４に入射する。この結果、光検
出器１３は前記レーザ光１５１０と１６１０を同時に検
出し、ビート信号を電気信号として出力する。これによ
って、複数の波長の異なるレーザ光１５１０と１６１０
を１つの光検出器１３で受光することが容易となり、波
長多重伝送も可能となる（図２１参照）。

【００７０】また、第１４の実施例の送信部を第１２の
実施例の送信部で置き換えた構成も可能である。この構
成において、複数の波長の異なるレーザ光を光合流器な
しで１本の光ファイバ１４に結合し伝送する。これによ
って、合流損を生じる光合流器１９を使う必要がが無く
なり、送信電力の低減、伝送距離の増加が図れる（図２
２参照）。

【００７１】図２３は光路を切り替える光学部品２１を
用いる実施例を示す図面である。送信部および光伝送路
は、上記の実施例の何れかと同じである。この構成にお
いて、光学部品２１でレーザ光が反射して光路が水平方
向から垂直方向に変換し、光検出器１３に入射する。こ
れによって、光検出器１３を水平に置いた回路基板上に
配置することができ、実装が容易になる。なお、光学部
品２１は光ファイバの端部であってもよく（光ファイバ
の端面を斜めに切ったもの）、また材質も石英、ポリマ
ー、プラスチックなど何であってもよい。

【００７２】図２４は図２３の実施例において光学部品
２１の断面形状を矩形にしたものである。これにより、
平板状の光検出器１３を光学部品２１の端部の平面下に
配置できるので、光検出器１３と光学部品２１の配置が
安定し、より実装が容易になる。光学部品２１は光ファ
イバの端部であってもよい。

【００７３】図２５は、図２３の実施例および図２４の
実施例において、光学部品２１と光検出器１３をモール
ドにしたものである。これにより、光検出器１３と光学
部品２１の結合部の機械的強度が増し、信頼性の高い実
装形態となる。例えば、光学部品２１がプラスチックや
ポリマーの場合、光学部品２１と光検出器１３を密着さ
せた後、１００℃以上の高温状態で圧着すると、モール
ドすることができる。なお、光学部品２１は光ファイバ
の端部であってもよく、また材質も石英、ポリマー、プ
ラスチックなど何であってもよい。

【００７４】図２６は、第９の実施例、第１０の実施例
等の光ファイバを用いる実施例において、光ファイバ１
４の接続部が送信側と光検出器側でそれぞれ凸部と凹部
になっている実施例を示す。これにより、光ファイバ１
４の接続時に送信部と受信部とを取り違える恐れがなく
なる。もちろん、送信部と受信部のどちらを凸にするか
は問題ではなく、予め、どちらか一方に決めておけばよ
い。

【００７５】図２７（ａ）は、第９の実施例、第１０の
実施例等の光ファイバを用いる実施例において、光ファ
イバ１４のクラッド部を選択的に除去し、除去部にエバ
ネッセント光が存在するので、その除去部にプリズム２
０を近づけることにより、光ビート信号の一部を光検出
器１３で受信する実施例を示す。これによって、タップ
としての動作や信号のＡＤＤ／ＤＲＯＰのうちＤＲＯＰ
機能が実現できる。

【００７６】図２７（ｂ）は、図２７（ａ）の実施例の
光検出器１３を第１の実施例等の送信部の半導体レーザ
１１、１２で置き換えたものである。この構成におい
て、プリズム２０を通して光ファイバ１４に光信号を結
合できる。これによって、信号のＡＤＤ／ＤＲＯＰのう
ちＡＤＤ機能が実現できる。

【００７７】図２７（ｃ）は、第９の実施例、第１０の
実施例等の光ファイバを用いる実施例において、光ファ
イバ１４のクラッド部を選択的に薄くしてあり、クラッ
ド薄膜部にエバネッセント光が存在するので、そのクラ
ッド薄膜部にプリズム２０を近づけることにより、光ビ
ート信号の一部を光検出器１３で受信する実施例を示
す。これによって、タップとしての動作や信号のＡＤＤ
／ＤＲＯＰのうちＤＲＯＰ機能が実現できるだけでな
く、残っているクラッド層によってコアが保護されるこ
とで、より信頼性の高いシステムとなる。

【００７８】図２７（ｄ）は、図２７（ｃ）の実施例の
光検出器１３を第１の実施例等の送信部の半導体レーザ
１１、１２で置き換えたものである。この構成におい
て、プリズム２０を通して光ファイバ１４に光信号を結
合することができる。これによって、信号のＡＤＤ／Ｄ
ＲＯＰのうちＡＤＤ機能が実現できる。

【００７９】図２７（ｅ）は、第９の実施例、第１０の
実施例等の光ファイバを用いる実施例において、光フア
イバ１４のコア径を選択的に小さくし、コア径の小さな
部分にエバネッセント光が存在するので、そのコア径の
小さな部分にプリズム２０を近づけることにより、光ビ
ート信号の一部を光検出器１３で受信する実施例を示
す。これによって、タップとしての動作や信号のＡＤＤ
／ＤＲＯＰのうちＤＲＯＰ機能が実現できるだけでな
く、クラッド層によってコアが保護されることで、より
信頼性の高いシステムとなる。

【００８０】図２７（ｆ）は、図２７（ｅ）の実施例の
光検出器１３を第１の実施例等の送信部の半導体レーザ
１１、１２で置き換えたものである。この構成におい
て、プリズム２０を通して光ファイバ１４に光信号を結
合することができる。これによって、信号のＡＤＤ／Ｄ
ＲＯＰのうちＡＤＤ機能が実現できる。

【００８１】図２８は、図２７の各実施例において、プ
リズム２０と接触あるいは近接する光ファイバ１４の断
面の少なくとも一部が矩形となっている実施例を示す。
この構成において、プリズム２０と光ファイバ１４の配
置が安定し、より実装が容易になる。

【００８２】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
送信光源と局発光源が両方とも送信部に配置されること
により、両者の周囲温度を同一に保つことが容易にな
り、従って、比較的簡単な制御で送信光源と局発光源の
発振波長の差を一定に保つことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例に係る光伝送装置を説明
する図である。

【図２】本発明の第２の実施例に係る光伝送装置を説明
する図である。

【図３】本発明の第３の実施例に係る光伝送装置を説明
する図である。

【図４】本発明の第４の実施例に係る光伝送装置を説明
する図である。

【図５】本発明の第５の実施例に係る光伝送装置を説明
する図である。

【図６】本発明の第６の実施例に係る光伝送装置を説明
する図である。

【図７】本発明の第７の実施例に係る光伝送装置を説明
する図である。

【図８】本発明の第８の実施例に係る光伝送装置を説明
する図である。

【図９】本発明の第９の実施例に係る光伝送装置を説明
する図である。

【図１０】本発明の第１０の実施例に係る光伝送装置を
説明する図である。

【図１１】本発明の第１１の実施例に係る光伝送装置を
説明する図である。

【図１２】本発明の第１２の実施例に係る光伝送装置を
説明する図である。

【図１３】本発明の第１３の実施例に係る光伝送装置を
説明する図である。

【図１４】本発明の第１４の実施例に係る光伝送装置を
説明する図である。

【図１５】本発明の第１５の実施例に係る光伝送装置を
説明する図である。

【図１６】本発明の第１６の実施例に係る光伝送装置を
説明する図である。

【図１７】本発明の第１７の実施例に係る光伝送装置を
説明する図である。

【図１８】本発明の第１８の実施例に係る光伝送装置を
説明する図である。

【図１９】本発明の第１９の実施例に係る光伝送装置を
説明する図である。

【図２０】本発明の第２０の実施例に係る光伝送装置を
説明する図である。

【図２１】本発明の第２１の実施例に係る光伝送装置を
説明する図である。

【図２２】本発明の第２２の実施例に係る光伝送装置を
説明する図である。

【図２３】本尭崩の第２３の実施例に係る光伝送装置を
説明する図である。

【図２４】本発明の第２４の実施例に係る光伝送装置を
説明する図である。

【図２５】本発明の第２５の実施例に係る光伝送装置を
説明する図である。

【図２６】本発明の第２６の実施例に係る光伝送装置を
説明する図である。

【図２７】本発明の第２７乃至第３２の実施例に係る光
伝送装置を説明する図である。

【図２８】本発明の第２８の実施例に係る光伝送装置を
説明する図である。

【符号の説明】

１０分離部１１信号光源である半導体レーザ１２半導体レーザ１１からの出射光と干渉する光を
放出する半導体レーザ１３光検出器１４光ファイバ１５、１５１光変調器（光変調器群）１６、１６１周波数シフター（周波数シフター群）１７、１７１ビームスプリッタ１８、１８１光結合器１９光合流器２０プリズム２１光学部品２２、２３ミラー１１０半導体レーザ１１からの出射光１２０半導体レーザ１２からの出射光１１１、１１２複数の波長の異なる信号光源である
半導体レーザ群１２１、１２２半導体レーザ群１１１、１１２から
の出射光と干渉する光を放出する１個以上の半導体レー
ザ１５０、１５１０光変調器１５、１５１からの出射
光１６０、１６１０周波数シフター１６、１６１から
の出射光１１１０、１１２０半導体レーザ群１１１、１１２
からの出射光１２１０、１２２０半導体レーザ１２１、１２２か
らの出射光

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０１Ｓ 5/062 Ｆターム(参考） 2H038 AA22 AA31 AA32 AA34 5F073 AB03 AB06 AB28 BA02 EA03 EA12 5K002 AA01 AA02 BA02 BA04 BA05 BA07 BA13 BA31 CA05 CA07 DA02 FA02

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】第１の光源を含む送信部に、第１の光源の
出射光と干渉する光を放出する第２の光源を、両光源の
環境を同一に設定できる様に第１の光源に近接して備
え、受信部で伝送媒体を伝搬してきた両光源からの光を
共通の光検出器で受けてビート信号を生成することを特
徴とするヘテロダイン受信或はホモダイン受信を行なう
コヒーレント光伝送装置。
【請求項２】第１の光源は第１の半導体レーザであり、
第２の光源は第１の半導体レーザとの発振波長差が一定
に制御された第２の半導体レーザであることを特徴とす
る請求項１記載の光伝送装置。
【請求項３】複数の波長の異なる第１の光源ないし半導
体レーザから成る第１の光源ないし半導体レーザ群を光
源として含む送信部に、第１の光源ないし半導体レーザ
群の中の各第１の光源ないし半導体レーザからの出射光
と干渉する光を放出する第２の光源ないし半導体レーザ
を少なくとも１個近接して備えたことを特徴とする請求
項１または２記載の光伝送装置。
【請求項４】第１の光源ないし半導体レーザと外部光変
調器が直列に配置された光源を含む送信部に、前記光変
調器の出射光と干渉する光を放出する第２の光源ないし
半導体レーザを近接して備えたことを特徴とする請求項
１または２記載の光伝送装置。
【請求項５】複数の波長の異なる第１の光源ないし半導
体レーザから成る第１の光源ないし半導体レーザ群と第
１の光源ないし半導体レーザ群の各素子と外部光変調器
が直列に配置された光源を含む送信部に、前記光変調器
の出射光と干渉する光を放出する少なくとも１個の第２
の光源ないし半導体レーザを近接して備えたことを特徴
とする請求項１または２記載の光伝送装置。
【請求項６】単一光源である光源ないし半導体レーザと
ビームスプリッタが直列に配置され、互いに並列に配置
された第１の光源として機能する光変調器と第２の光源
として機能する周波数シフターが前記ビームスプリッタ
と光学的に結合されている送信部を持つことを特徴とす
る請求項１記載の光伝送装置。
【請求項７】互いに並列に配置された周波数シフターと
光変調器が前記ビームスプリッタおよび光結合器と光学
的に結合されている送信部を持つことを特徴とする請求
項６記載の光伝送装置。
【請求項８】前記送信部が複数設けられ、かつ各送信部
の波長が異なることを特徴とする請求項５、６または７
記載の光伝送装置。
【請求項９】送信部において、少なくとも２個の素子が
集積化されていることを特徴とする請求項１乃至８の何
れかに記載の記載の光伝送装置。
【請求項１０】第１の光源ないし半導体レーザからの出
射光と第２の光源ないし半導体レーザからの出射光が、
同一の光伝送路を伝搬することを特徴とする請求項１乃
至９の何れかに記載の光伝送装置。
【請求項１１】第１の光源ないし半導体レーザからの出
射光と第２の光源ないし半導体レーザからの出射光が、
光合流器で合流されて、同一の光伝送路を伝搬すること
を特徴とする請求項１乃至９の何れかに記載の光伝送装
置。
【請求項１２】前記光伝送路はプラスチック光ファイバ
などの光ファイバであることを特徴とする請求項１０ま
たは１１記載の光伝送装置。
【請求項１３】受信部が光路を切り替える光学部品と該
光学部品で光路を切り替えられた光を受ける光検出器か
ら構成されていることを特徴とする請求項１乃至１２の
何れかに記載の光伝送装置。
【請求項１４】前記光学部品の断面の少なくとも一部が
矩形であり、ここに近接して光検出器が設けられている
ことを特徴とする請求項１３記載の光伝送装置。
【請求項１５】前記光学部品と光検出器がモールドされ
ていることを特徴とする請求項１３または１４記載の光
伝送装置。
【請求項１６】送信側の融着ないし接合端面と受信側の
融着ないし接合端面が雌雄の関係にあるプラスチック光
ファイバなどの光ファイバを光伝送路ないし伝送媒体と
して用いていることを特徴とする請求項１乃至１５の何
れかに記載の光伝送装置。
【請求項１７】選択的にクラッド層を除去したプラスチ
ック光ファイバなどの光ファイバを光伝送路ないし伝送
媒体として用い、前記クラッド層の除去部分に光学部品
を接触あるいは近接して配置し、かつ前記光学部品の光
ファイバと接触していない面に前記光検出器あるいは第
１の光源ないし半導体レーザと第２の光源ないし半導体
レーザを接触あるいは近接して配置していることを特徴
とする請求項１乃至１６の何れかに記載の光伝送装置。
【請求項１８】選択的にクラッド層厚の小さいプラスチ
ック光ファイバなどの光ファイバを光伝送路ないし伝送
媒体として用い、前記クラッド層厚の小さい部分に光学
部品を接触あるいは近接して配置し、かつ前記光学部品
の光ファイバと接触していない面に前記光検出器あるい
は第１の光源ないし半導体レーザと第２の光源ないし半
導体レーザを接触あるいは近接して配置していることを
特徴とする請求項１乃至１６の何れかに記載の光伝送装
置。
【請求項１９】選択的にコア径の小さいプラスチック光
ファイバなどの光ファイバを光伝送路ないし伝送媒体を
光伝送路として用い、前記コア径の小さい部分に光学部
品を接触あるいは近接して配置し、かつ前記光学部品の
光ファイバと接触していない面に前記光検出器あるいは
第１の光源ないし半導体レーザと第２の光源ないし半導
体レーザを接触あるいは近接して配置していることを特
徴とする請求項１乃至１６の何れかに記載の光伝送装
置。
【請求項２０】光ファイバのうち少なくとも前記光学部
品と接触あるいは近接する部分の断面が矩形であること
を特徴とする請求項１７、１８または１９記載の光伝送
装置。